TWI455346B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Michael R Krames
Hanmin Zhao
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Description

發光裝置及其製造方法
本發明係關於一種含有多孔半導體層之半導體發光裝置，例如發光二極體。
諸如發光二極體(LED)的半導體發光裝置係目前可用中之最有效光源。目前所關注在高亮度LED製造中能橫跨可見光譜操作之材料系統含有第III至V族半導體，尤其係鎵、鋁、銦及氮的二元、三元及四元合金(亦稱為第III族氮化物材料)；及鎵、鋁、銦、砷及磷之二元、三元及四元合金。通常第III族氮化物裝置係以磊晶方式成長於藍寶石、碳化矽或第III族氮化物基板上，且第III族磷化物裝置係藉由金屬有機化學汽相沈積(MOCVD)分子束磊晶(MBE)或其他磊晶技術以磊晶方式成長於砷化鎵上。通常，一n型區係沈積於基板上，接著一作用區係沈積在n型區上，而後一p型區係沈積在該作用區上。層之次序可反轉，使得p型區與基板相鄰。
市售LED係含有許多光學損失機制(皆在半導體層之內)之非理想裝置，例如作用層再吸收及無載子吸收，且在高度反射有效歐姆接點難以實現之半導體金屬界面處。由全內反射或波導所截獲之光線係特別受此等機制之衝擊。
圖1顯示一種在美國專利第6,229,160號中更詳細描述之發光裝置，其係以引用方式併入本文。圖1之LED含有一異質結構，其包含複數個在一基板(例如GaAs、GaP或藍寶石)上成長之p及n型摻雜磊晶層10。該等p及n型層係配置以在作用區11中或附近提供一p－n接合區。一透明基板或層12，用於光擷取(及電流擴展)之窗口係用於該裝置的頂部窗口層。同樣地，一用於光擷取(及電流擴展)之窗口層13，可藉由晶圓接合、磊晶成長、或再成長附接至與頂部窗口層相對之側上的磊晶層，以成為底部窗口層。附接至窗口層之頂部及底部電歐姆接點14、15，允許將電子及電洞注入p－n接合區內，用於復合及後續從作用區產生光。
為了增加自該裝置擷取光，主要窗口之側壁16係定向在一相對於垂直方向之角度(或複數個角度)β處，使得頂部表面17之區域範圍係大於作用裝置區域之範圍。側壁相對於異質結構形成一斜角。角度β無須係常數，其與裝置高度成函數關係(如圖1中顯示)，且可根據裝置高度連續變化以導致部分或完全凹或凸面側壁形狀。側壁方位造成撞擊側壁之光被全內反射進入一在裝置頂部表面處的逃逸錐面，如由圖1中之光線18所示。在頂部表面全內反射之許多光係再導入側壁處的一逃逸錐面內，由光線19所示。
雖然圖1中顯示裝置之成型可增加光擷取，但該裝置仍具有若干缺點。首先，該裝置之效率仍受到由於接點14及15之固有吸收的影響。以一般使用之全張合金AuZn作為背部接點15，光輸出會由於不良反射率而減少。以一圖案化AuZn背部接點(具有約20%區域覆蓋)替代而與反射銀基之晶粒－附接環氧樹脂結合，可稍微地增加光輸出。其次，該裝置中一或多個厚窗口層之出現僅可藉由高溫成長及處理步驟而實際上實現，其可能由於再分散缺陷及摻雜劑原子而影響半導體層品質。第三，結構之厚度及橫向範圍必須一起按比例調整以維持適當形狀。因此，已成型晶片不容易按比例調整且不適合於非方形的使用空間(footprint)。作用區面積係總橫向晶片範圍的約一半，導致作用區內電流密度之加倍，此可能減少在高操作溫度及電流處之內部效率。
在此項技術中所需的係改進光擷取的技術。
依據本發明之具體實施例，一發光裝置含有一具有發光層之半導體結構，該發光層係佈置於一n型區與一p型區之間。一多孔區係佈置於該發光層與一接點之間，該接點電連接至n型區及p型區中之一者。該多孔區將光散射離開吸收接點，其可改進自該裝置的光擷取。在一些具體實施例中，該多孔區係一n型半導體材料，例如GaN或GaP。
依據本發明之具體實施例，一種半導體發光裝置含有一散射層，例如多孔半導體層。藉由作為將光散射朝向裝置之所要發射表面(如裝置頂部表面，在該處可發射從裝置擷取之大多數光)的漫反射器，散射層使從該裝置發射之光子的方向隨機化且係定位以將光導引離開吸收結構(如吸收接點)。雖然以下範例中描述之該等裝置一般含有成長於一GaAs基板上的第III族磷化物半導體層，但是在一些具體實施例中，可使用第III族氮化物半導體層。
在一些具體實施例中，散射層係多孔GaP或其他第III族p型層。多孔層一般係導電及導熱。多孔層通常係從n型層形成，然而製成多孔後，可將n型多孔層轉換成p型導電率，如以下一些具體實施例中所述。散射量係由多孔層的厚度及多孔性決定。多孔層一般具有介於4微米與40微米之間的厚度，雖然在一些具體實施例中，可使該裝置中的整個n摻雜基板或二元磊晶層製成多孔。該多孔層可具有5%與80%之間的多孔性，及通常具有20%與40%之間的多孔性。多孔性係受多孔層散射光之能力被限制在下端，且受多孔層之電阻率及機械穩定性而限制在上端。適當之多孔性可與多孔區厚度相關。為了提供相同量之散射，較厚多孔區的孔數可少於較薄多孔區的孔數。
可藉由二步驟製程形成多孔層。第一步驟中，藉由電化學陽極蝕刻產生孔。在此步驟中決定多孔區的深度。第二步驟中，係由光化學陽極蝕刻擴大該等孔直至到達所要之多孔性。電化學陽極蝕刻第一步驟之一範例係顯示於圖8中。蝕刻層可為(例如)具有2×1017 cm－3 施子密度之n型GaP單晶層。晶圓80係由(例如)銀膏84連接至一銅板82。一例如聚四氟乙烯(Teflon)之材料86隔離欲製成多孔之晶圓80的部分88。晶圓係曝露在作為標準電化學單元中之工作電極的0.5 M H2 SO4 電解液81中，其使用一飽和甘汞電極(SCE)83作為參考及一鉑反電極85。該單元係由一電位自調器(potentiostat)87控制。強正電位(15V SCE)之施加造成在表面缺陷處之次微米坑的蝕刻，其係依微米之等級隔開。此等坑作為用於蝕刻似隧道結構之次表面網路的起點。蝕刻主要發生在隧道之末端使得網路成長更深，但隧道不擴大及合併。被移除材料之量主要係時間積分電流密度之函數，然而蝕刻劑溶液、偏壓及基板摻雜會影響孔密度及尺寸。多孔結構之產生深度係所有此等變數的函數。可於蝕刻前用例如SiN或光阻遮罩非多孔區域來控制多孔區之橫向範圍程度。
在一光化學陽極蝕刻第二步驟之範例中，電化學蝕刻晶圓係使用來自氙氣燈之50 mW/cm2 的次能隙光，在2V SCE之施加正電位下曝露於H2 O：H2 SO4 ：H2 O2 電解液中。所施加電位對於發生以上所述陽極蝕刻製程而言係太低，且次能隙光係僅在電解液－半導體界面處被吸收，故主要效應係增加在第一步驟定義之該層的多孔性。多孔性之程度係藉由時間積分電流密度的函數決定，其係光強度、蝕刻劑濃度及基板參數之函數。任何適合半導體材料皆可藉由以上所述製程製成多孔，諸如矽、GaN、SiC及GaP。如GaP及GaN之二元材料係用於多孔區之有吸引力候選，雖然亦可使三元及四元第III族磷化物及第III族氮化物材料製成多孔。半導體材料中之導電率類型及摻雜劑濃度可影響多孔層的特徵，例如藉由影響已形成孔之尺寸及間距。在一些具體實施例中，多孔區係從非p型層之一層形成，即非刻意摻雜或具有一介於零(非刻意摻雜)及1019 cm－3 間摻雜劑濃度之摻雜n型層之層。
圖2、3及4說明本發明之一具體實施例的製造。在圖2中，一含有(例如)n－AlInGaP層之n型區32係成長在一n型GaAs或任何其他適合基板30上。一含有(例如)一單一AlInGaP發光層或由阻障層分離的多個AlInGaP量子井層之發光或作用區34，係成長在n型區32上，其後為一含有(例如)p－AlGaAs區之p型區36。各n型區32、作用區34、及p型區36皆可含有多層不同組成物及摻雜物濃度，其含有(例如)相反導電率類型之層或非刻意摻雜之層，如緩衝層或成核層之製備層，設計以有助於生長基板之後續釋放或在基板移除後薄化半導體結構的釋放層，及設計期望用於發光區以有效發射光的特定光學或電性質之裝置層。一厚區38(其可為例如藉由汽相磊晶形成之厚p型GaP區)係成長在p型區36上。厚區38將機械支撐提供給磊晶層32、34及36，因此可移除基板30。
在圖3中，基板30(其可為一吸收GaAs基板)被移除及由一透明區40取代，透明區40係接合39至藉由移除基板30曝露之n型區32的表面。接合係在美國專利第5,376,580號中更詳細描述，其係以引用方式併入本文。接合區40可為(例如)n型GaP區。在接合後(如圖4中所示)，區域40之全部或一些部分可如以上描述製成多孔。該裝置可如顯示般成型，且第一及第二接點46及44係形成在該裝置頂部及底部表面。多孔區40將任何光散射遠離接點44導向裝置底部，否則該光可能被吸收。該裝置之主要光擷取表面係其上形成接點46之頂部表面(圖4中厚區的頂部表面30)，以及該裝置之四個側表面。其他形狀可含有一具有垂直側壁之矩形固體，或具有向內傾斜側壁之截角錐體(truncated pyramid)。可加入在區域38頂部及晶片之側上的隨機或週期性表面紋理以增加光擷取。在一些具體實施例中，使該裝置之一或多個側壁製成多孔。
圖5、6、及7說明本發明另一具體實施例的製造。如圖5中所示，p型區36係首先形成在基板30上，其後為作用區34及n型區36。15微米厚度之等級的一厚n型區38係在n型區32上形成。區域38之部分或所有係如以上描述製成多孔。一接點金屬44係附接至區域38，如圖6中所示。半導體結構係接著經由接點44接合至一主基板42。基板30係如圖7中所示移除，且一第二接點46係在p型區36的曝露表面上形成。圖7中所示之裝置避免一高溫晶圓接合步驟，諸如需要將n型區32接合至圖3中之接合區40的步驟。
圖9、10、11及12說明本發明另一具體實施例的製造。在圖9中，含有一n型InGaP－AlInP超晶格或n型AlGaAs層92、一發光區94、一p型AlInGaP層96、及一厚n型GaP層98之裝置層，係在一基板30上成長。厚n型GaP區98係藉由以上描述之製程在圖10中製成多孔。一含有鋅(其可能為，如AuZn)之層124(圖11)係形成在n型多孔GaP層98上，然後層98係藉由加熱該裝置使得鋅從層124擴散至層98而製成p型。或者是，層98可藉由汽相製程製成p型，其中該裝置係置於含有鋅之安瓿內，接著加熱安瓿將鋅從汽相驅動進入層98內。或者是，層98可藉由將該裝置置於一成長反應器內及導入一例如二乙基鋅之鋅來源而製成p型，使得鋅自鋅來源分解及併入層98內。
如圖11中所示，一多孔區98之部分、p型區96、及作用區94被移除以形成一台面121，其曝露n型區92之一部分。在一些具體實施例中，基板30及n型區92間之界面91係作為當蝕刻台面121時之一蝕刻阻止層。接點120係例如藉由蒸鍍或電鍍形成在台面121中。接點120係電連接至台面121之側及/或底部中的n型區92，及藉由介電層122與p型區96及98電絕緣。裝置之一晶圓可首先切塊成個別裝置，接著各裝置係相對於成長方向翻轉且安裝在一架座130上，在其中架座130可具有大於裝置之橫向範圍之範圍。或者是，可將裝置之一晶圓連接至架座的一晶圓上，接著切塊成個別裝置。架座130(例如)可為例如矽之半導體、金屬、例如AlN之陶器，且可具有電連接至p接點126的至少一金屬墊132，及電連接至n接點120的至少一金屬墊134。可為(例如)焊料或金柱狀凸塊之互連128將半導體裝置連接至架座130。
在圖12中，藉由一適於基板材料之製程移除基板30，例如蝕刻。可在該裝置及架座130間提供一硬質側填滿，以在基板移除期間支撐半導體層及防止斷裂。藉由移除基板30所曝露之n型區92之頂部表面可被粗糙化136，例如藉由如光電化學蝕刻之蝕刻製程，或藉由例如研磨的機械製程。粗糙化擷取光之表面可改進自該裝置的光擷取。或者是，可在藉由移除基板30所曝露之n型區92頂部表面中形成一光子結晶結構。在一些具體實施例中，一斜變含鋁層係成長在一GaAs成長基板上。由於GaAs基板係藉由蝕刻移除，所以當蝕刻劑遇到斜變含鋁層時蝕刻率隨鋁含量變化，導致一粗糙表面。可因此在一單一蝕刻步驟中移除成長基板以及粗糙化已曝露表面。在其中移除成長基板之具體實施例中，可在一晶圓級上移除該成長基板，使得在一步驟中從裝置的一整個晶圓移除成長基板，接著在成長基板之移除後切塊個別裝置。或者是，一晶圓之裝置可被切塊成個別裝置，個別裝置附接至任意橫向範圍之另一結構，然後在一晶粒級上從個別裝置移除成長基板。
在以上描述的具體實施例中，多孔區將光散射離開一吸收接點。因為達到該接點之光量減少，故無須限制吸收接點的橫向範圍，其可改進該裝置之電性質且從而改進效能。此外，增加接點之橫向範圍，與相同特徵之非多孔層相比，可補償由多孔層之較高電阻率造成之電阻的任何增加。在一些具體實施例中，多孔區係位於作用區及吸收接點之間，以致最靠近作用區之多孔區表面係與作用區隔開0.1微米至0.4微米，多孔層用於散射在波導中截獲之光。可有用地擷取一些散射光，其對裝置之效率有作用。在一些具體實施例中，在裝置之頂部表面136上形成一選用線格柵偏光器138(圖12)，以將光之不合需要的偏光反射回到晶片內，同時允許具有所要偏光之光離開晶片。多孔層可隨機化向後反射光之偏光，以提供具有所要偏光之光輸出中的增加。在一些具體實施例中，可在頂部表面136上形成一透明導體(例如氧化銦錫(ITO))，以增加橫跨晶片的電流擴展。基板30之移除可曝露接點金屬120的部分，提供一直接金屬對ITO接點，用於改進導電率。
多孔區亦可用來在一晶片內橫向限制光。圖13係一含有散射層之點射極裝置的斷面圖。在一成長基板上成長一含有區域140及142之n型區，其後為一作用區146及一p型區148。作用區146及p型區148之部分被移除，故可在該裝置底部表面上形成p接點147及n接點144二者。該裝置係安裝在架座145上。成長基板(未顯示)可被移除。該n型區之部分140係如以上描述製成多孔。電流從n接點144透過多孔區140及n型區142擴展至作用區146。多孔區140將任何光散射進入n型區142之非多孔區內，以致從該裝置發射之任何光係自對應於n型區142的表面發射。多孔區140因此限制光至小發射區，符合需要地產生一小來源尺寸。n型區142、作用區146、及p型區148可為第III族磷化物或第III族氮化物層。
在一些具體實施例中，可將例如磷光體之波長轉換層及/或例如分色鏡或偏光器之次要光學元件施加至該裝置表面上，如先前技術中已知。
圖14係一已包裝發光裝置的分解圖，如於美國專利第6,274,924號中更加詳細說明。一散熱塊100被置入一插入模製引線框架中。該插入模製引線框架係(例如)一圍繞提供電路徑之金屬框架106模製之填充塑膠材料105。散熱塊100可含有一選用反射杯狀物102。發光裝置晶粒104(其可為以上具體實施例中所說明之任何裝置)係直接或經由一導熱子架座103而間接安裝至散熱塊100。可加入一可為光學透鏡之蓋108。
本發明既經詳細說明，熟習此項技術人士應明白在給定本揭示內容後，可在不脫離本文中所說明之本發明概念的精神下修改本發明。例如，如以上說明，雖然範例描述具有第III族磷化物半導體層之裝置，本發明之具體實施例可用第III族氮化物半導體層、第II至VI族半導體層，或任何其他適合材料系統之半導體層實施。此外，雖然在範例中，以上給定磊晶結構係用特定接點配置顯示，但磊晶結構及接點配置係可互換且不限於所顯示的特定實施方案。因此，本發明之範疇非意於限於所示及說明的特定具體實施例。
10．．．p及n型摻雜磊晶層
11．．．作用區
12．．．透明基板/層
13．．．窗口層
14．．．頂部電歐姆接點
15．．．底部電歐姆接點
16．．．側壁
17．．．頂部表面
18．．．光線
19．．．光線
30．．．基板
32．．．n型區/磊晶層
34．．．作用區/磊晶層
36．．．p型區/磊晶層
38．．．厚區
40．．．接合區/多孔區
42．．．主基板
44．．．第一接點
46．．．第二接點
80．．．晶圓
81．．．硫酸電解液
82．．．銅板
83．．．飽和甘汞電極
84．．．銀膏
85．．．鉑反電極
86．．．聚四氟乙烯材料
87．．．電位自調器
88．．．晶圓之部分
91．．．界面
92．．．n型InGaP－AlInP超晶格/n型AlGaAs層
94．．．發光區
96．．．p型AlInGaP層
98．．．厚n型GaP層
100．．．散熱塊
102．．．選用反射杯狀物
103．．．導熱子架座
104．．．發光裝置晶粒
105．．．填充塑膠材料
106．．．金屬框架
108．．．蓋
120．．．接點
121．．．台面
122．．．介電層
124．．．層
126．．．p接點
128．．．互連
130．．．架座
132．．．金屬墊
134．．．金屬墊
136．．．頂部表面
138．．．選用線格柵偏光器
140．．．n型區之部分/多孔區
142．．．n型區
144．．．n接點
145．．．架座
146．．．作用區
147．．．P接點
148．．．P型區
圖1係在美國專利第6,229,160號中描述的半導體LED的斷面圖。
圖2係在一基板上成長之裝置層的斷面圖。
圖3係接合至第二結構的圖2之裝置之斷面圖。
圖4係含有一佈置於一接點及半導體裝置層間之多孔半導體區的成型裝置之斷面圖，其中接點佈置於半導體結構之頂部及底部表面上。
圖5係在一基板上成長之裝置層的斷面圖。
圖6係接合至第二結構的圖5之裝置之斷面圖。
圖7係含有一佈置於一接點及半導體裝置層間之多孔半導體區的成型裝置之斷面圖，其中接點皆佈置於半導體結構之底部表面上。
圖8說明一電化學陽極蝕刻製程，其係用於形成一多孔半導體區。
圖9係在一基板上成長之裝置層的斷面圖。
圖10係成長在一含有多孔半導體區之基板的裝置層之斷面圖。
圖11係圖10中所示裝置在形成接點及將該裝置安裝在一架座上後之斷面圖。
圖12係圖11中所示裝置在移除成長基板及粗糙化藉由基板移除曝露之表面後的斷面圖。
圖13係含有多孔半導體區之點射極裝置的斷面圖。
圖14係一半導體發光裝置之封裝的分解圖。
92．．．N型InGaP－AlInP超晶格/n型AlGaAs層
94．．．發光區
96．．．p型AlInGaP層
98．．．厚n型GaP層
120．．．接點
121．．．台面
122．．．介電層
124．．．層
126．．．p接點
128．．．互連
130．．．架座
132．．．金屬墊
134．．．金屬墊
136．．．頂部表面
138．．．選用線格柵偏光器

Claims (36)

  1. 一種發光裝置，其包含：一半導體結構，其含有一配置於一n型區與一p型區之間的發光層；及一接點，其電連接至該n型區及該p型區中之一者；其中該半導體結構含有一多孔區，其係配置於該接點與該發光層之間；及其中該半導體結構進一步包含一頂部表面，從該半導體結構擷取之光係自其發射，其中該發光層係配置於該頂部表面與該多孔區之間。
  2. 如請求項1之裝置，其中該多孔區具有一介於4微米與40微米之間的厚度。
  3. 如請求項1之裝置，其中該多孔區具有一介於5%與80%之間的一多孔性，其中該多孔性係該多孔區內之空氣的百分率體積。
  4. 如請求項1之裝置，其中該多孔區具有一介於20%與40%之間的一多孔性，其中該多孔性係該多孔區內之空氣的百分率體積。
  5. 如請求項1之裝置，其中該多孔區包含一n型區。
  6. 如請求項1之裝置，其中該多孔區包含一p型區。
  7. 如請求項1之裝置，其中該多孔區包含GaP。
  8. 如請求項1之裝置，其中一最靠近該發光層之該多孔區的表面係與該發光層隔開0.1微米至0.4微米。
  9. 如請求項1之裝置，其中該多孔區係配置於該n型區與該 接點之間。
  10. 如請求項9之裝置，其中該接點係一第一接點且該第一接點係電連接至該半導體結構之一底部表面上的該n型區，該裝置進一步包含一第二接點，其電連接至該半導體結構之一頂部表面上的該p型區。
  11. 如請求項1之裝置，其中該多孔區係配置於該p型區與該接點之間。
  12. 如請求項11之裝置，其中，該接點係一第一接點且該第一接點係電連接至該p型區，該裝置進一步包含一第二接點，其電連接至該n型區，其中該第一接點係配置於該半導體結構之一底部表面上，且該第二接點之至少一部分係配置於一在該半導體結構中形成之渠溝中。
  13. 如請求項1之裝置，其中該接點係一第一接點，該裝置進一步包含一第二接點，其中該等第一及第二接點中之一者係配置於該半導體結構之一底部表面上，且該等第一及第二接點中之另一者係配置於一在該半導體結構中形成之渠溝中。
  14. 如請求項13之裝置，其進一步包含一導電材料，其係配置於該半導體結構之該頂部表面上。
  15. 如請求項14之裝置，其中該導電材料包含氧化銦錫。
  16. 如請求項13之裝置，其進一步包含一超晶格，其包含AlInP及InGaP之交替層，其中該超晶格係配置於該發光層及該半導體結構之該頂部表面間。
  17. 如請求項1之裝置，其中該半導體結構之一側表面係實 質上垂直於該半導體結構的一頂部表面。
  18. 如請求項1之裝置，其中該半導體結構之一側表面係傾斜於該半導體結構的一頂部表面。
  19. 如請求項1之裝置，其中該半導體結構之一側表面係多孔。
  20. 如請求項1之裝置，其進一步包含一偏光器，其係配置於該半導體結構之一頂部表面上。
  21. 一種發光裝置，其包含：一半導體結構，其具有一頂部表面，該半導體結構包含一配置於一n型區與一p型區之間的發光層；其中：該頂部表面之一第一部分係一多孔區的一頂部表面；及該頂部表面之一第二部分係一非多孔區的一頂部表面。
  22. 如請求項21之裝置，其中該頂部表面之該第二部分係自該半導體結構擷取之大多數光從其發射之表面。
  23. 如請求項21之裝置，其中該發光層之一橫向範圍對應於該頂部表面的該第二部分。
  24. 如請求項21之裝置，其中該多孔區係GaN。
  25. 一種製造一發光裝置之方法，其包含：提供一半導體結構，其含有一配置於一n型區與一p型區之間的發光層；將該半導體結構之一區製成多孔；及在該半導體結構上形成一接點，其中該接點係電連接 至該n型區及該p型區中之一者；其中該半導體結構之該多孔區係配置於該接點與該發光層之間；且其中該半導體結構進一步包含一頂部表面，從該半導體結構擷取之光係自其發射，其中該發光層係配置於該頂部表面與該多孔區之間。
  26. 如請求項25之方法，其中提供一半導體結構包含在一成長基板上成長一半導體結構，該方法進一步包含：-移除該成長基板；及-將該半導體結構接合至一主基板。
  27. 如請求項25之方法，其中提供一半導體結構包含在一成長基板上成長一半導體結構，該方法進一步包含：-將該半導體結構切塊成為個別發光裝置；將一單一發光裝置連接至一架座；及在該連接後，移除該成長基板。
  28. 如請求項27之方法，其進一步粗糙化一藉由移除該成長基板曝露的表面。
  29. 如請求項27之方法，其進一步包含在一藉由移除該成長基板而曝露之表面上形成一導電材料。
  30. 如請求項27之方法，其進一步將一偏光器配置於一藉由移除該成長基板而曝露之表面上。
  31. 如請求項25之方法，其中在該將該半導體結構之一區域製成多孔後，該多孔區具有5%及80%間之一多孔性，其中該多孔性係在該多孔區中之空氣的百分率體積。
  32. 如請求項25之方法，其中在該將該半導體結構之一區域製成多孔後，該多孔區具有20%及40%間之一多孔性，其中該多孔性係在該多孔區中之空氣的百分率體積。
  33. 如請求項25之方法，其中該多孔區包含一n型區。
  34. 如請求項25之方法，其中該多孔區包含一p型區。
  35. 如請求項25之方法，其中該多孔區包含GaP。
  36. 如請求項25之方法，其中將該半導體結構之一區域製成多孔包含：-在該半導體結構中提供一n型層；-將該n型層製成多孔；及-將該n型多孔層轉換成p型導電率。
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