TWI454356B - Cutting device - Google Patents

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TWI454356B
TWI454356B TW098122938A TW98122938A TWI454356B TW I454356 B TWI454356 B TW I454356B TW 098122938 A TW098122938 A TW 098122938A TW 98122938 A TW98122938 A TW 98122938A TW I454356 B TWI454356 B TW I454356B
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Seishi Sato
Shuji Nitta
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切削裝置
本發明係關於切削半導體晶圓等晶圓之切削裝置。
半導體元件製程中,於大致呈圓板形狀之半導體晶圓的表面,藉由形成為方格狀之稱為深蝕線的分割預定線來區隔成複數個區域,在該被區隔的區域上形成IC、LSI等元件。然後,藉由沿著深蝕線切斷半導體晶圓,來分割形成有元件之區域而製造出個別的半導體元件。此外,在藍寶石基板的表面積層有氮化鎵系化合物半導體等之光元件晶圓,亦藉由沿著深蝕線進行切斷而分割成個別的發光二極體、雷射二極體等之光元件,並廣泛利用於電氣機器。
上述半導體晶圓及光元件晶圓等之沿著深蝕線的切斷,一般是藉由稱為切割器之切削裝置來進行。此切削裝置,係具備:切削裝置,為具備:保持半導體晶圓等晶圓之夾頭座,及具有用以切削保持在該夾頭座之晶圓之切削刀的切削手段,及將夾頭座對切削手段往切削進給方向進行切削進給之切削進給手段,以及將切削水供應至切削刀之切削水供應手段,藉由該切削水供應手段,將切削水供應至進行旋轉的切削刀而藉此冷卻切削刀,並且將切削水供應至依據切削刀所形成之晶圓的切削部來實施切削作業。
然而,當藉由切削刀沿著深蝕線切削晶圓時,會產生切削屑,此切削屑與切削水混合成為污染物,而滯留並附著於包夾切削槽之晶圓的表面。為了消除此問題,下列專利文獻1中係揭示一種切削裝置,其係具有將混合有洗淨水與高壓氣體之洗淨流體,噴出至將由切削刀的切削所形成之切削槽予以包夾之區域的洗淨手段。
[專利文獻1]日本特開2006-187834號公報
然後,上述專利文獻1所揭示之切削裝置的洗淨手段,其用以噴出由洗淨水與高壓氣體所組成之洗淨流體的洗淨噴嘴,相對於切削刀是配置在夾頭座的切削進給方向下游側。因此,為了將洗淨流體噴出至將由切削刀的切削所形成之切削槽予以包夾之所有區域來進行洗淨,必須使夾頭座大幅超過切削行程地移動,使夾頭座的移動量增長,因此未必能夠滿足生產性。
本發明係鑒於上述事實而創作出之發明,其主要技術性問題在於提供一種具備不需使夾頭座大幅超過切削行程地移動,而能夠將包夾切削後的切削槽之區域予以洗淨之洗淨手段的切削裝置。
為了解決上述主要技術性問題,根據本發明,係提供一種切削裝置,為具備:保持被加工物之夾頭座,及具有用以切削保持在該夾頭座之被加工物之切削刀的切削手段,及將該夾頭座對該切削手段以相對往切削進給方向進行切削進給之切削進給手段,以及將該切削手段對該夾頭座以相對往與該切削進給方向直交之分度進給方向進行分度進給之分度進給手段;該切削手段,係具備:旋轉自如地支撐前端裝著有該切削刀之旋轉主軸之主軸外殼;及將該切削刀包夾於該主軸外殼的前端部而配設於兩側,且由覆蓋該切削刀之第1蓋構件與第2蓋構件所構成之刀蓋;以及分別配設於構成該刀蓋之第1蓋構件與第2蓋構件,並具有將切削水噴出至該切削刀與被保持在該夾頭座之被加工物之切削水噴出噴嘴的切削水噴出手段之切削裝置,其特徵為具備:具有洗淨流體噴出噴嘴的洗淨流體噴出手段;該洗淨流體噴出噴嘴,係於該切削水噴出噴嘴之該夾頭座的切削進給方向下游側,分別配設於該第1蓋構件與第2蓋構件中,並將由洗淨水與高壓氣體所組成之洗淨流體,噴出至:將位於被保持在該夾頭座之被加工物中之由該切削刀所剛切削後的切削槽予以包夾之區域。
上述洗淨流體噴出噴嘴,係配設於:從該切削水噴出噴嘴之該夾頭座的切削進給方向下游側端至位於該切削刀的外周之夾頭座的切削進給方向最下游位置之間。
上述洗淨流體噴出手段,係具備:連接於供應洗淨水之洗淨水供應手段的洗淨水供應通路、及連接於供應高壓氣體之高壓氣體供應手段的高壓氣體供應通路、及將供應至該洗淨水供應通路之洗淨水與供應至該高壓氣體供應通路之高壓氣體予以混合之混合室、以及使藉由該混合室所混合後之洗淨流體流出至該洗淨流體噴出噴嘴之洗淨流體供應通路。
上述洗淨水供應通路的洗淨水出口及該高壓氣體供應通路的高壓氣體出口,較佳是於該混合室的頂壁形成開口;該洗淨流體供應通路的洗淨流體入口是與該高壓氣體供應通路的該高壓氣體出口相對向而設置。
此外,上述混合室的底壁,較佳是形成為:將流入至該洗淨水供應通路之洗淨水導引至該洗淨流體供應通路的該洗淨流體入口之彎曲面。
本發明之切削裝置係構成如上所述,洗淨流體噴出噴嘴,係在切削水噴出噴嘴之夾頭座的切削進給方向下游側,將洗淨流體噴出至:將位於被保持在夾頭座之被加工物之由切削刀所剛切削後的切削槽予以包夾之區域,以此方式來配設洗淨流體噴出噴嘴,所以在切削工序中,只需使被保持在夾頭座之被加工物的端部通過洗淨流體噴出噴嘴為止來移動,因此,不需使夾頭座大幅超過切削行程地移動。
以下參照附加圖面,更詳細地說明依循本發明所構成之切削裝置的較佳實施型態。
第1圖為依循本發明所構成之切削裝置的立體圖。第1圖所示之切削裝置,係具備大致呈直方體狀的裝置外殼2。於此裝置外殼2內,保持被加工物之夾頭座3,係以能夠在切削進給方向之箭頭X所示的方向上移動之方式地配設。夾頭座3,係具備吸附夾頭支撐台31以及配設於該吸附夾頭支撐台31上之吸附夾頭32,在該吸附夾頭32的上面之保持面上,藉由使圖中未顯示的吸引手段進行動作來吸引並保持被加工物。此外,夾頭座3係構成為可藉由圖中未顯示的旋轉機構進行旋轉。於吸附夾頭支撐台31,配設有用以固定環狀框之夾鉗33,此環狀框係夾介切割膠帶來支撐作為被加工物之後述的晶圓。如此構成之夾頭座3,係藉由圖中未顯示的切削進給手段,往箭頭X所示之切削進給方向移動。
第1圖所示之切削裝置,係具備作為切削手段之主軸單元4。主軸單元4,係藉由圖中未顯示的分度進給手段,往與上述箭頭X所示之切削進給方向直交之箭頭Y所示的分度進給方向移動,並藉由圖中未顯示的切入進給手段,往垂直於上述夾頭座3的保持面之箭頭Z所示的切入進給方向移動。此主軸單元4,係具備:裝著於圖中未顯示的移動基座,並往分度方向之箭頭Y所示的方向與切入方向之箭頭Z所示的方向進行移動調整之主軸外殼41;及旋轉自如地支撐於該主軸外殼41之旋轉主軸42;以及裝著於該旋轉主軸42的前端部之切削刀43。切削刀43,如第2圖及第3圖所示,係由:以鋁所形成之圓盤狀的基座431,以及以鎳電鍍將金剛石研磨粒固定於該基座431的外周部側面而形成厚度15~30μm之環狀的砂輪部432所構成。
參照第2圖及第3圖持續進行說明,於上述主軸外殼41的前端部,安裝有覆蓋切削刀43的上半部之刀蓋44。刀蓋44,於圖示的實施型態中,是由裝著於主軸外殼41之第1蓋構件441以及裝著於該第1蓋構件441之第2蓋構件442所構成。於第1蓋構件441的側面,如第3圖所示,設置有母螺孔441a與2個定位銷441b,於第2蓋構件442,在與上述母螺孔441a對應之位置上設置有插通孔442a。此外,於第2蓋構件442之與第1蓋構件441相對向的面,形成有上述2個定位銷441b所嵌合之圖中未顯示的2個凹部。如此構成之第1蓋構件441之第2蓋構件442,係藉由將形成於第2蓋構件442之圖中未顯示的2個凹部,嵌合至設置於第1蓋構件441之2個定位銷441b來進行定位。然後將鎖緊螺栓443插通於第2蓋構件442的插通孔442a,並藉由與設置於第1蓋構件441之母螺孔441a螺合,而將第2蓋構件442裝著於第1蓋構件441。
於構成上述刀蓋44之第1蓋構件441及第2蓋構件442,分別如第4圖及第5圖所示,係設置有:將切削水噴出至切削刀43與被保持在夾頭座3之被加工物W之切削水噴出手段5;以及將由洗淨水與高壓氣體所組成之洗淨流體,噴出至將位於被保持在夾頭座3之被加工物W之由切削刀43所剛切削後的切削槽予以包夾之區域的洗淨流體噴出手段6。
對於切削水噴出手段5及洗淨流體噴出手段6,主要參照第5圖來說明。切削水噴出手段5及洗淨流體噴出手段6,係分別配設於構成刀蓋44之第1蓋構件441及第2蓋構件442,第5圖中,係表示配設於第2蓋構件442之切削水噴出手段5及洗淨流體噴出手段6。配設於第1蓋構件441之切削水噴出手段5及洗淨流體噴出手段6,與第5圖所示之配設於第2蓋構件442之切削水噴出手段5及洗淨流體噴出手段6實質上為相同構成,是相對於切削刀43呈面對稱地構成。
第5圖所示之切削水噴出手段5,係由:切削水供應通路51;以及與該切削水供應通路51連通,且與夾頭座3的保持面大致呈平行沿著切削刀43的側面所延伸之切削水噴出噴嘴52所構成,切削水供應通路51連接於切削水供應手段53。切削水噴出噴嘴52,係具備:與上述切削水供應通路51連通之連通管路521;以及如第6圖所示般與連通管路521連通,並於與切削刀43相對向之側面形成開口之往上下方向延伸的狹縫噴出口522。
參照第5圖持續進行說明,上述切削水供應手段53,係由:可為純水之切削水供應源531,及連接該切削水供應源531與上述切削水噴出噴嘴52之切削水供應管532,以及配設於該切削水供應管532之電磁開閉閥533。如此構成之切削水供應手段53,在使電磁開閉閥533退回(OFF)而關閉管路之狀態下,切削水供應源531與上述切削水供應通路51之連通被阻斷,當推動(ON)電磁開閉閥533而開啟管路時,切削水供應源531與上述切削水供應通路51係經由切削水供應管532而連通。因此,當推動(ON)電磁開閉閥533時,切削水係通過切削水噴出手段5的切削水供應通路51及連通管路521,從狹縫噴出口522朝向切削刀43與被保持在夾頭座3之被加工物W噴出。
上述洗淨流體噴出手段6,係由:如第5圖所示之洗淨水供應通路61;及高壓氣體供應通路62;及將供應至洗淨水供應通路61之洗淨水與供應至高壓氣體供應通路62之高壓氣體進行混合之混合室63;及使在該混合室63中混合有洗淨水與高壓氣體之洗淨流體流出之洗淨流體供應通路64;以及與該洗淨流體供應通路64連通,並將混合流體噴出至構成上述切削水噴出手段5之切削水噴出噴嘴52之夾頭座3的切削進給方向(X1)下游側(第5圖中為右側)之洗淨流體噴出噴嘴65所構成,洗淨水供應通路61連接於洗淨水供應手段66,高壓氣體供應通路62連接於高壓氣體供應手段67。
上述洗淨水供應通路61,其洗淨水入口61a連接於上述洗淨水供應手段66,洗淨水出口61b於上述混合室63的頂壁63a形成開口。上述高壓氣體供應通路62,其高壓氣體入口62a連接於上述高壓氣體供應手段67,高壓氣體出口62b於上述混合室63的頂壁63a形成開口。洗淨水供應通路61之洗淨水出口61b的直徑較理想為0.15~0.25mm,高壓氣體出口62b的直徑較理想為0.7~0.9mm。上述洗淨流體供應通路64,其洗淨流體入口64a係與高壓氣體供應通路62的高壓氣體出口62b相對向而設置,且於上述混合室63的底壁63b形成開口,洗淨流體出口64b與上述洗淨流體噴出噴嘴65的連通管路651連通。上述混合室63的底壁63b,係形成為將從洗淨水入口61a流入至混合室63之洗淨水,導引至洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a之彎曲面。
上述洗淨流體噴出噴嘴65,係具備:如第5圖所示之與上述洗淨流體供應通路64連通之連通管路651,以及如第7圖所示之與連通管路651連通,且朝向下方開口之狹縫噴出口652。如此設置於洗淨流體噴出噴嘴65之狹縫噴出口652,如第5圖所示,係位於從構成上述切削水噴出手段5之切削水噴出噴嘴52之夾頭座的切削進給方向(X1)下游側端(第5圖中為右端),至位於切削刀43的外周之夾頭座的切削進給方向(X1)最下游位置之間。因此,從洗淨流體噴出噴嘴65的狹縫噴出口652噴出之混合有洗淨水與高壓氣體的洗淨流體,係噴出至:將位於被保持在夾頭座3之被加工物W中之由切削刀43所剛切削後的切削槽予以包夾之區域。
參照第5圖持續進行說明,上述洗淨水供應手段66,可供應與上述切削水相同之純水作為洗淨水。因此,圖示的實施型態之洗淨水供應手段66,可兼用上述切削水供應手段53的切削水供應源531作為洗淨水供應源。圖示的實施型態之洗淨水供應手段66,係由:作為洗淨水供應源之切削水供應源531,及連接該切削水供應源531與上述洗淨水供應通路61之洗淨水供應管662,以及配設於該洗淨水供應管662之電磁開閉閥663所構成。如此構成之洗淨水供應手段66,在使電磁開閉閥663彈退(OFF)而關閉管路之狀態下,切削水供應源531與上述洗淨水供應通路61之連通被阻斷,當彈推(ON)電磁開閉閥663成開通管路時,切削水供應源531與上述洗淨水供應通路61係經由洗淨水供應管662而連通。如此構成之洗淨水供應手段66,係將0.2~0.3Mp壓力的洗淨水供應至上述洗淨水供應通路61。
接著參照第5圖,說明上述高壓氣體供應手段67。
圖示的實施型態之高壓氣體供應手段67,係由:高壓氣體供應源671,及連接該高壓氣體供應源671與上述高壓氣體供應通路62之高壓氣體供應管672,以及配設於該高壓氣體供應管672之電磁開閉閥673所構成。如此構成之高壓氣體供應手段67,在使電磁開閉閥673彈退(OFF)而關閉管路之狀態下,高壓氣體供應源671與高壓氣體供應通路62之連通被阻斷,當彈推(ON)電磁開閉閥673而開通管路時,高壓氣體供應源671與上述高壓氣體供應通路62係經由高壓氣體供應管672而連通。如此構成之高壓氣體供應手段67,係將0.2~0.3Mp壓力的高壓氣體供應至上述高壓氣體供應通路62。
以上構成之洗淨流體噴出手段6,當彈推(ON)洗淨水供應手段66的電磁開閉閥663時,洗淨水通過洗淨水供應通路61流入至混合室63。流入至此混合室63之洗淨水,沿著形成混合室63的底壁63b之彎曲面被導引至洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a。另一方面,當彈推(ON)上述高壓氣體供應手段67的電磁開閉閥673時,高壓氣體通過高壓氣體供應通路62,朝向在混合室63的底壁63b形成開口之洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a流入。因此,從洗淨水供應通路61流入至混合室63並沿著形成混合室63的底壁63b之彎曲面被導引至洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a之洗淨水,係藉由從高壓氣體供應通路62朝向在混合室63的底壁63b形成開口之洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a流入之高壓氣體所混合,並圓滑地導入至洗淨流體供應通路64。
返回第1圖持續進行說明,切削裝置係具備:用以對被保持在上述夾頭座3之被加工物的表面進行攝像,並檢測出應藉由上述切削刀43所切削的區域之攝像手段8。此攝像手段8係由顯微鏡或CCD攝像機等之光學手段所構成。此外,切削裝置1係具備表示藉由攝像手段8所攝像之畫像的顯示手段9。
於上述裝置外殼2的卡匣載置區域11a,配設有載置用以收納被加工物之卡匣的卡匣載置台11。此卡匣載置台11係構成為可藉由圖中未顯示的升降手段,在上下方向上移動。於卡匣載置台11上,載置有用以收納作為被加工物的半導體晶圓10之卡匣12。收納於卡匣12之半導體晶圓10,於表面形成有方格狀的深蝕線,於藉由此方格狀的深蝕線所區隔之複數個矩形區域,形成有LSI等元件。如此形成之半導體晶圓10,係以內面貼著於被裝著在環狀支撐框F上之切割膠帶T的表面之狀態,收納於卡匣12。
此外,圖示的實施型態之切削裝置,係具備:將收納於被載置在卡匣載置台11上之卡匣12的半導體晶圓10(夾介切割膠帶T被支撐於環狀支撐框F之狀態)送出至暫置台13之送出‧送入手段14;及將送出至暫置台13之半導體晶圓10搬運至上述夾頭座3上之第1搬運手段15;及將在夾頭座3上進行切削加工後的半導體晶圓10予以洗淨之洗淨手段16;以及將在夾頭座3上進行切削加工後的半導體晶圓10搬運至洗淨手段16之第2搬運手段17。
圖示的實施型態之切削裝置係構成如上,以下說明其作用。
收納於被載置在卡匣載置台11上之卡匣12的特定位置之半導體晶圓10(夾介切割膠帶T被支撐於環狀支撐框F之狀態),係藉由圖中未顯示的升降手段使卡匣載置台11上下移動,藉此定位至送出位置。接著,送出‧送入手段14進行進退動作,將位於送出位置之半導體晶圓10送出至暫置台13。送出至暫置台13之半導體晶圓10,藉由第1搬運手段15的轉動動作,被搬運至上述夾頭座3上。
將半導體晶圓10載置至夾頭座3上後,圖中未顯示的吸引手段進行動作,將半導體晶圓10吸引保持在夾頭座3上。此外,夾介切割膠帶T支撐半導體晶圓10之環狀支撐框F,係藉由上述夾鉗33所固定。如此,保持半導體晶圓10之夾頭座3,被移動至攝像手段8的正下方。當夾頭座3位於攝像手段8的正下方時,藉由攝像手段8來檢測出形成於半導體晶圓10之深蝕線,使主軸單元4往分度方向的箭頭Y方向移動調節,來進行深蝕線與切削刀43之精密的對位作業。
然後將夾頭座3移往切削刀43的下方之切削加工區域,如第8圖(a)所示,將切削刀43往箭頭43a所示之方向旋轉,並且從第8圖(a)中以2點虛線所示之待機位置,往箭頭Z1所示之方向切入進給特定量,如第8圖(a)中的實線所示,係被定位至切削刀43的最下端到達切割膠帶T之位置。然後,將吸引保持半導體晶圓10之夾頭座3,以特定的切削進給速度往切削進給方向之箭頭X1方向移動。其結果為,被保持在夾頭座3上之半導體晶圓10,藉由切削刀43沿著特定的深蝕線被切斷(切削工序)。
實施此切削工序時,係彈推(ON)切削水噴出手段5的電磁開閉閥533,如上述般,切削水通過切削水供應通路51及連通管路521,從狹縫噴出口522朝向切削刀43與被保持在夾頭座3之半導體晶圓10的切削加工部噴出,使切削刀43冷卻。此外,實施切削工序時,係彈推(ON)構成洗淨流體噴出手段6之洗淨水供應手段66的電磁開閉閥663,並且彈推(ON)高壓氣體供應手段67的電磁開閉閥673。當此洗淨水供應手段66的電磁開閉閥663與高壓氣體供應手段67的電磁開閉閥673被彈推(ON)時,如上述般,洗淨水通過洗淨水供應通路61流入至混合室63,並且高壓氣體通過高壓氣體供應通路62,朝向在混合室63的底壁63b形成開口之洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a流入。其結果為,從洗淨水供應通路61流入至混合室63並沿著形成混合室63的底壁63b之彎曲面被導引至洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a之洗淨水,係藉由從高壓氣體供應通路62朝向在混合室63的底壁63b形成開口之洗淨流體供應通路64的洗淨流體入口64a流入之高壓氣體所混合,並被導入至洗淨流體供應通路64。如此,由流入至洗淨流體供應通路64之洗淨水與高壓氣體所組成之洗淨流體,係通過洗淨流體噴出噴嘴65的連通管路651,從狹縫噴出口652噴出至:將位於被保持在夾頭座3之半導體晶圓10之由切削刀43所剛切削後的切削槽予以包夾之區域。因此,上述切削工序中,雖然因切削刀43的切削所生成之切削屑與切削水混合成為污染物而滯留在包夾於切削槽之晶圓的表面,但如上述般,此污染物係藉由被噴出之由洗淨水與高壓氣體所組成之洗淨流體來沖洗,所以不會附著於半導體晶圓10的表面。
如上述般實施切削工序,如第8圖(b)所示,一旦被保持在夾頭座3上之半導體晶圓10之第8圖(b)中的左端通過洗淨流體噴出噴嘴65,則停止夾頭座3的切削進給。然後,將切削刀43從第8圖(b)中以實線所示之位置往箭頭Z2所示之方向移動,而定位在2點虛線所示之待機位置。圖示的實施型態中,洗淨流體噴出噴嘴65的狹縫噴出口652,係配設於從構成上述切削水噴出手段5之切削水噴出噴嘴52之夾頭座的切削進給方向(X1)下游側端,與切削刀43的外周之夾頭座的切削進給方向(X1)最下游位置之間,所以在上述切削工序中,如第8圖(b)所示,只需使被保持在夾頭座3之半導體晶圓10的左端通過洗淨流體噴出噴嘴65為止來移動,因此,不需使夾頭座3大幅超過切削行程地移動。
如以上所說明,一旦沿著特定的深蝕線來切斷半導體晶圓10,則將夾頭座3往第1圖中以箭頭Y所示之方向僅以深蝕線的間隔進行分度進給,來實施上述切削工序。然後,沿著在半導體晶圓10的特定方向上延伸存在之所有深蝕線實施切削工序後,將夾頭座3進行90度旋轉,並沿著在與半導體晶圓10的特定方向直交之方向上延伸存在之深蝕線實施切削工序,藉此,以方格狀形成於半導體晶圓10之所有深蝕線被切削,而分割成個別的元件。分割後的個別元件,由於切割膠帶T的作用而不會散落,係維持在支撐於環狀支撐框F之晶圓的狀態。
如上述般,當沿著半導體晶圓10的深蝕線結束切削工序後,保持半導體晶圓10之夾頭座3,被送回最初吸引保持半導體晶圓10之位置。然後解除半導體晶圓10的吸引保持。接著,半導體晶圓10藉由第2搬運手段17被搬運至洗淨手段16。被搬運至洗淨手段16之半導體晶圓10,在此進行洗淨。如此進行洗淨後的半導體晶圓10,於乾燥後藉由第1搬運手段15被搬運至暫置台13。然後,半導體晶圓10藉由送出‧送入手段14被收納於卡匣12的特定位置。
2...裝置外殼
3...夾頭座
4...主軸單元
43...切削刀
44...刀蓋
441...第1蓋構件
442...第2蓋構件
5...切削水噴出手段
51...切削水供應通路
52...切削水噴出噴嘴
53...切削水供應手段
6...洗淨流體噴出手段
61...洗淨水供應通路
62...高壓氣體供應通路
63...混合室
64...洗淨流體供應通路
65...洗淨流體噴出噴嘴
66...洗淨水供應手段
67...高壓氣體供應手段
8...攝像手段
9...顯示手段
10...半導體晶圓
12...卡匣
13...暫置台
14...送出‧送入手段
15...第1搬運手段
16...洗淨手段
17...第2搬運手段
F...環狀支撐框
T...切割膠帶
第1圖為依循本發明所構成之切削裝置的立體圖。
第2圖為構成第1圖所示之切削裝置的要部立體圖。
第3圖為分解第2圖所示之切削手段的構成構件而顯示之立體圖。
第4圖為配設於構成第2圖所示之切削手段的第1蓋構件與第2蓋構件之切削水噴出手段及洗淨流體噴出手段的側視圖。
第5圖為將顯示配設於構成第2圖所示之切削手段的第2蓋構件之切削水噴出手段及洗淨流體噴出手段的要部予以切斷而顯示之說明圖。
第6圖為將第4圖所示之切削水噴出手段的切削水噴出噴嘴及洗淨流體噴出手段的洗淨流體噴出噴嘴予以切斷而顯示之側視圖。
第7圖為將第4圖所示之切削水噴出手段及洗淨流體噴出手段的洗淨流體噴出噴嘴予以切斷而顯示之側視圖。
第8圖為藉由第1圖所示之切削裝置所實施之切削工序的說明圖。
3...夾頭座
43...切削刀
442...第2蓋構件
5...切削水噴出手段
51...切削水供應通路
52...切削水噴出噴嘴
521...連通管路
53...切削水供應手段
531...切削水供應源
532...切削水供應管
533...電磁開閉閥
6...洗淨流體噴出手段
61...洗淨水供應通路
61a...洗淨水入口
61b...洗淨水出口
62...高壓氣體供應通路
62a...高壓氣體入口
62b...高壓氣體出口
63...混合室
63a...頂壁
63b...底壁
64...洗淨流體供應通路
64a...洗淨流體入口
64b...洗淨流體出口
65...洗淨流體噴出噴嘴
651...連通管路
652...狹縫噴出口
66...洗淨水供應手段
662...洗淨水供應管
663...電磁開閉閥
67...高壓氣體供應手段
671...高壓氣體供應源
672...高壓氣體供應管
673...電磁開閉閥
W...被加工物

Claims (3)

  1. 一種切削裝置,為具備:保持被加工物之夾頭座、及具有用以切削保持在該夾頭座之被加工物之切削刀的切削手段、及將該夾頭座對該切削手段以相對往切削進給方向進行切削進給之切削進給手段,以及將該切削手段對該夾頭座以相對往與該切削進給方向直交之分度進給方向進行分度進給之分度進給手段;且該切削手段,係具備:將前端裝著有該切削刀之旋轉主軸旋轉自如地予以支撐之主軸外殼;及由在該主軸外殼的前端部包夾該切削刀地配設於兩側並覆蓋該切削刀之第1蓋構件與第2蓋構件所構成之刀蓋;以及分別配設於構成該刀蓋之第1蓋構件與第2蓋構件並具有對該切削刀與被保持在該夾頭座之被加工物噴出切削水之切削水噴出噴嘴的切削水噴出手段,之切削裝置,其特徵為:具備:具有洗淨流體噴出噴嘴的洗淨流體噴出手段;該洗淨流體噴出噴嘴,係於該切削水噴出噴嘴之該夾頭座的切削進給方向下游側,分別配設於該第1蓋構件與第2蓋構件中,並將由洗淨水與高壓氣體所組成之洗淨流體,噴出至:將位於被保持在該夾頭座之被加工物中之由該切削刀所剛切削後的切削槽予以包夾之區域,該洗淨流體噴出噴嘴,係配設於:從該切削水噴出噴嘴之該夾頭座的切削進給方向下游側端至位於該切削刀的外周之夾頭座的切削進給方向最下游位置之間,該洗淨流體噴出手段,係具備:分別設置在該第1蓋 構件與該第2蓋構件且連接於供應洗淨水之洗淨水供應手段的洗淨水供應通路、及連接於供應高壓氣體之高壓氣體供應手段的高壓氣體供應通路、及將供應至該洗淨水供應通路之洗淨水與供應至該高壓氣體供應通路之高壓氣體予以混合之混合室、以及使藉由該混合室所混合後之洗淨流體流出至該洗淨流體噴出噴嘴之洗淨流體供應通路。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之切削裝置,其中該洗淨水供應通路的洗淨水出口及該高壓氣體供應通路的高壓氣體出口,係於該混合室的頂壁形成開口;該洗淨流體供應通路的洗淨流體入口是與該高壓氣體供應通路的該高壓氣體出口相對向而設置。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之切削裝置,其中該混合室的底壁,係形成為:將流入至該洗淨水供應通路之洗淨水導引至該洗淨流體供應通路的該洗淨流體入口之彎曲面。
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