TWI443432B - 用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法 - Google Patents

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Description

用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法
本發明涉及一種液晶顯示(LCD)裝置，特別是一種用於平面切換(IPS)模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法。
通常，LCD裝置係利用光學各向異性及液態晶體偏振的方法驅動。液晶由於它薄而長的結構具有以分子排列的方向性。液晶分子的方向性排列是藉由施加電場至液晶來控制。
當自動地調整液晶分子的排列方向後，液晶分子的排列改變，且光線藉由液晶的光學各向異性在液晶分子的排列方向上折射，藉以顯示影像。
一主動矩陣(AM)液晶顯示器(AM-LCD，在下文中稱為LCD裝置)，其中的薄膜電晶體(TFTs)及連接至薄膜電晶體的像素電極係以矩陣形式排列，係眾所皆知其擁有高解析度及優越的視訊播放能力。
LCD裝置包括具有共用電極的彩色濾光基板(即上基板)、具有像素電極的陣列基板(即下基板)、以及液晶層，插入至上基板及下基板之間。LCD裝置具有這種結構係由在共用電極與像素電極間所產生的垂直電場來驅動。因此，這種結構具有絕佳特性，例如透光率、孔徑比等等。
然而，這種LCD裝置具有小的視角特性。因此，一種最近引進之技術用來克服這缺點是一種對平面切換(IPS)利用水平電場的液晶驅動方法，其可改善視角。
IPS模式LCD被配置以具有相互面對的彩色濾光基板和陣列基板，並具有插入在彩色濾光基板和陣列基板之間的一液晶層。陣列基板包括一薄膜電晶體、一共用電極、以及一像素電極，位於定義在透明絕緣板上的每個像素處。共用電極及像素電極在相同基板上是相互平行且被隔開的。彩色濾光基板包括黑色矩陣，設在對應於形成在透明絕緣板上的閘極線、資料線和薄膜電晶體的位置、以及濾光片，位在依據每個像素的位置。
液晶層藉由在共用電極和像素電極之間的水平電場來驅動。在平面切換模式液晶顯示裝置中具有如下結構：共用電極和像素電極係形成為透明的以確保亮度。然而，鑒於其結構設計，由於共用電極和像素電極之間的間隙，共用電極和像素電極二者末端部分僅有助亮度的改善，而大部分區域阻礙到光線。
在下文中，對相關習知平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的結構做詳細描述。第1圖為一種用於習知技術平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的平面圖。第2圖為第1圖沿III-III線的剖面圖，也就是用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的剖面圖。
如第1圖和第2圖所示，用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板，包括：複數個閘極線13及共用線13b與13c，以一方向在基板1上延伸且以相互平行隔開、複數個資料線21，與閘極線13交叉以定義在其間交叉處的像素區域、複數個像素電極25a，形成在由閘極線13及資料線21所定義的像素區域處、薄膜電晶體(TFTs)T，設置在閘極線13與資料線21的交叉處。每個薄膜電晶體T包含閘極電極13a、主動層(圖未示)、汲極電極21b和源極電極21a、以及共用電極25c，設置在由閘極線13和資料線21所定義的像素區域處，共用電極25c自像素電極25a被隔開。
閘極線13自閘極驅動器(圖未示)提供掃描信號。資料線21自資料驅動器(圖未示)提供視訊信號。閘極絕緣層15插入至閘極線13及資料線21之間。
當形成閘極線13時，共用線13b及13c同時形成。共用線13b被配置以與閘極線13平行，且共用線13c被配置以與閘極線13垂直，共用線13b和13c相互連接。共用線13c與資料線21重疊，具有閘極絕緣層15插入其間。
藉由施加至閘極線13的掃描信號並利用施加至資料線21的像素訊號，薄膜電晶體T允許像素電極25a被充電且維持信號充電狀態。薄膜電晶體T包括：一閘極電極13a，連接至閘極線13、一源極電極21a，連接至資料線21、一汲極電極21b，面對源極電極21a並連接至像素電極25a、一主動層17，與閘電極13a重疊，具有插入其間的閘極絕緣層15以形成在源極電極21a與汲極電極21b之間的一通道、以及一姆接觸層19，形成在主動層17上。歐姆接觸層形成在主動層17區域上不包括源極電極21a與汲極電極21b之間的通道區域。
複數個透明像素電極25a設置在自閘極線13及資料線21被隔開的像素區域的整個表面上。複數個像素電極25a藉由通過下鈍化膜23形成的接觸孔23a電氣連接至汲極電極21b。複數個像素電極25a的一端與像素電極連接線25b連接在一起，其與共用線13b重疊。
如第1圖所示，複數個共用電極25c的末端部分自像素電極25a隔開並與共用電極連接線25d連接在一起。共用電極連接線25d經由共用線接觸孔23b電氣連接至共用線13c。
如第2圖所示，在相關習知LCD的陣列基板結構中，第一寄生電容C1形成在像素電極連接線25b和共用線13b之間，具有閘極絕緣層15及鈍化薄膜23插入其間、以及第二寄生電容C2，形成在汲極電極21b及閘極絕緣層15之間，與汲極電極21b重疊，具有閘極絕緣層15插入其間。
共用電極25c施加一參考電壓，即為了驅動液晶對每個像素施加的共用電壓。於像素電極25a及其相鄰的共用電極25c之間產生水平電場。因此，當視訊信號經薄膜電晶體T被施加至像素電極25a時，施加共用電壓之於像素電極25a與共用電極25c之間的電壓差產生水平電場以利用介電各向異性於水平方向中旋轉液晶分子。像素區域透光度根據液晶分子的旋轉程度而改變。
然而，根據現有技術，如第2圖所示之“A”部分，第一寄生電容C1形成於像素電極連接線25b及共用線13b之間，且第二寄生電容C2形成於汲極電極21b與共用線13b之間。相關習知結構要求一空間用來形成這類寄生電容，其因此造成降低孔徑比。特別是，由於第一和第二寄生電容C1和C2以相互水平形成而不是互相垂直，它們可能在陣列基板上佔據更多區域藉以因此降低孔徑比。
因此，本發明涉及一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法，實質上是解決一個或更多由於相關習知之限制及缺點的問題。
本發明的目的是提供一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板，能夠藉由減少電容所佔據的空間同時維持相關習知電容尺寸來提高孔徑比。
本發明的其他特徵和優點將在以下說明書中進行闡述，其中一部分會在說明書中明顯的體現，或者需對發明進行實踐才能理解。本發明的目的和其他優點藉由書面說明書、申請專利範圍、附圖所詳細說明的構造是可實現的。
為了實現本發明的目的和其他優點，將概括而具體地描述，用於平面切換模式的液晶顯示器的陣列基板及其製造方法包括：一閘極線，形成在該基板上以在第一方向延伸；一共用線，形成在該基板上以在該第一方向延伸；一資料線，形成以在第二方向延伸；一薄膜電晶體，形成在該閘極線與該資料線之間的交叉處，其中該薄膜電晶體包含一閘極線、一閘極絕緣層、一主動層、一源極電極及以一汲極電極；一鈍化膜，形成在包含該薄膜電晶體的該基板上；一像素電極，形成在位於由該閘極線與該資料線所定義之一像素區域上的該鈍化膜上，該像素電極電氣連接至該汲極電極；一共用電極，形成在該鈍化膜上；以及一共用電極連接線，連接至該共用電極及該共用線，其中該共用電極連接線與該共用線及該汲極電極重疊。
在另一方面，該製造用於平面切換模式液晶顯示裝置之陣列基板的方法包括：於第一方向形成一閘極線；於該第一方向形成一共用線；在該閘極線與該共用線上形成一閘極絕緣層；於第二方向在閘極絕緣層上形成一資料線；於該閘極線與該資料線的交叉處形成一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體包含一閘極線、一閘極絕緣層、一主動層、一源極電極及一汲極電極；於該資料線及該薄膜電晶體上形成一鈍化膜；在位於由該閘極線及該資料線所定義的一像素區域上之該鈍化膜上形成一像素電極，該像素電極電氣連接至該汲極電極；於該鈍化膜上形成一共用電極；以及形成一共用電極連接線連接至該共用電極及該共用線，其中該共用電極連接線與該共用線和該汲極電極重疊。
可以理解的是上文的簡要描述或下文的詳細描述都僅為示例和解釋以進一步說明本發明的專利申請範圍。
下文將詳細地參照本發明的優選實施例，即所附圖式中圖解的實施例。
第3圖為根據本發明示例之一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的平面圖；第4圖為沿第3圖IV-IV線的剖面圖，也就是用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板剖面圖。
本發明用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板可包括複數個閘極線103c，形成在基板101上以在一方向延伸並彼此平行隔開、共用線103b，形成在基板101上並平行自閘極線103c隔開、複數個資料線113a，與閘極線103c交叉，以在其等之間的交叉處定義像素區域、複數個薄膜電晶體T，每一個薄膜電晶體T形成在閘極線103c與資料線113a之間的交叉處，並且每一個薄膜電晶體具有閘極電極103a、閘極絕緣層107、主動層109a、源極電極113b和汲極電極113c、鈍化膜119，具有包括形成在包含薄膜電晶體T的整個基板上的下鈍化膜119a及上鈍化膜119b的雙層結構、複數個像素電極123a，配置在位於每個像素區域處的鈍化膜119上並電氣連接至汲極電極113c，該像素區域由交叉閘極線103c與資料線113a所定義、複數個共用電極123c，配置在自像素電極123a隔開的鈍化膜119上、共用電極連接線123d，每一條共用電極連接線123d與共用線103b和汲極電極113c重疊、以及電容C1和C2，分別形成在共用電極連接線123d及汲極電極113c之間與汲極電極113c及共用線103b之間，該等電容C1和C2藉由分別插入雙層鈍化膜119及閘極絕緣層107之間垂直形成。
閘極線103c可從閘極驅動器(圖未示)提供掃描信號且資料線113a可從資料驅動器(圖未示)提供視訊信號。閘極線103c及資料線113a可互相交叉以在其等之間的交叉處定義像素區域。閘極絕緣層107可插入閘極線103c與資料線113a之間。
閘極線103c可以多層結構形成，其具有超過一層或二層，包括在基板101上之透明導電層。藉由利用透明導電層薄片化第一導電層，並利用非透明金屬薄片化第二導電層，或者利用非透明屬薄片化單層結構，閘極線103c可形成在多層結構中。第一導電層可利用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或銦錫鋅氧化物(ITZO)來施行，而第二導電層可利用銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅合金、鉬合金及鋁合金中的其中之一來形成。
藉由施加至資料線113a的像素信號及施加至閘極線103c的掃描信號，薄膜電晶體T允許像素電極123a被充電並維持在單一充電狀態。每個薄膜電晶體T包括包含在閘極線103c內的閘極電極103a、連接至資料線113a的源極電極113b、面對源極電極113c並連接至像素電極123a的汲極電極113c、與閘極電極103a重疊的主動層109a，具有閘極絕緣層107插入其間並且在源極電極113b與汲極電極113c之間形成通道、以及歐姆接觸層111a，形成於主動層109a之上。歐姆接觸層111a可形成在不包括源極電極113b與汲極電極113c之間的通道區域之主動層109a的區域上。
汲極電極113c可與共用線103b重疊。主動層109a和歐姆接觸層111a可與資料線113a重疊。資料線113a可經由資料墊(圖未示)接收資料驅動器(圖未示)的像素信號。複數個透明的像素電極123a可配置以在整個像素區域上相互隔開，從閘極線103a及資料線113a處形成間隙。複數個像素電極123a可配置與資料線113a平行。複數個像素電極123a的第一端部分可與像素電極連接線123b連接在一起，該第一端部分設置與資料線113a垂直。鄰近資料線113a的像素電極123a的其中之一的第二端部分可經由形成在雙層鈍化膜119處的汲極電極接觸孔121a電氣連接至汲極電極113c。
複數個共用電極123c可與像素電極123a以交替的形式形成在整個像素區域上。複數個共用電極123c可配置與資料線113a平行。複數個共用電極123c的第一端部分可經由與資料線113a垂直形成的共用電極連接線123d相連接。複數個共用電極連接線123d可經由通過雙層鈍化膜119所形成的共用線接觸孔121b電氣連接至共用線103b。共用電極連接線123d與汲極電極113c和位在其下方的共用線103b重疊。
如第4圖“B”部分所示，第一和第二電容C1和C2形成於同一區域之下。特別是，第一電容C1形成在共用電極連接線123d及汲極電極113c之間，具有雙層鈍化膜119插入其間，且第二電容C2形成在汲極電極113c及共用線103b之間，具有閘極絕緣層107插入其間。在某些情況下，主動層109a無法形成在配置第二電容C2的共用線103b與汲極電極113c之間。
複數個共用電極123c可施加一參考電壓，即在每個像素上施加一共用電壓用以驅動液晶。複數個像素電極123a及複數個共用電極123c在位於每個像素區域處的鈍化膜119上產生水平電場。
因此，當視訊信號經薄膜電晶體T施加至像素電極123a時，在施加有共用電壓之像素電極123a與共用電極123c之間的電壓差產生水平電場，使得以水平方向配置在薄膜電晶體T與濾光基板(圖未示)之間的液晶分子可藉由介電各向異性旋轉。像素區域中光線的透光度根據液晶分子的旋轉程度改變，藉以實行階度。
在下文中，將對本發明之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板方法的實施例進行詳細闡述，請參閱第5圖和第6圖。第5A圖至第5N圖顯示製造用於示範平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的示範過程的剖面圖。第6A圖至第6F圖為沿第3圖IV-IV線的剖面圖，即顯示製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的示範過程的剖面圖。第6A圖至第6F圖顯示製造一汲極電極接觸孔和一共用線接觸孔的過程。
如第5A圖所示，複數個非像素區域及像素區域都具有定義在透明基板101上的開關區域，接著第一金屬導電層103藉由濺射法設置在其上。第一金屬導電層103可利用鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬合金、銅合金、鋁合金等其中之一種或多種於單層結構中來形成，或以至少兩個沉積層的結構，例如鋁/鉻、鋁/鉬、鋁(釹)/鋁、鋁(釹)/鉻、鉬/鋁(釹)/鉬、銅/鉬、鈦/鋁(釹)/鈦、鉬/鋁、鉬合金/鋁合金、鉬/鋁合金、銅/鉬合金、銅/鉬(鈦)等來形成。具有高透光率的光阻劑設置在第一金屬導電層103上以形成第一感光性膜105。
如第5B圖所示，利用光罩(圖未示)經由光刻曝光及顯影第一感光性膜105，並選擇性地將其去除以便形成第一感光性膜圖案105a。該第一感光性膜圖案105a僅維持在閘極線形成區域及共用線形成區域。
如第5C圖所示，利用作為遮蔽膜的第一感光性膜圖案105a來選擇性地圖案化該第一金屬導電層103以形成閘極線(圖未示，見第4圖的103c)、從閘極線103c延伸而來的閘極電極103a、以及共用線103b。
如第5D圖所示，在移除該第一感光性膜圖案105a後，閘極絕緣層107沉積在整個基板上。閘極絕緣層107可由氮化矽(SiNx )或二氧化矽(SiO2 )所製成。
如第5E圖所示，非晶矽層(a-Si:H)109、含雜質的非晶矽層(n+或p+)111以及第二金屬導電層113依序沉積在基板101的整個表面上，其中閘極絕緣層107形成於其上。該非晶矽層(a-Si:H)109及含雜質的非晶矽層(n+或p+)111可藉由化學性蒸汽相沉積(CVD)法來設置。第二金屬導電層113可藉由濺射來沉積。CVD法和濺射僅係示範沉積方法，也可應用其他的沉積方法。第二金屬導電層113可利用鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬合金、銅合金、鋁合金等其中之一種或多種以單層結構來形成，或以至少兩個沉積層的結構，例如鋁/鉻、鋁/鉬、鋁(釹)/鋁、鋁(釹)/鉻、鉬/鋁(釹)/鉬、銅/鉬、鈦/鋁(釹)/鈦、鉬/鋁、鉬合金/鋁合金、鉬/鋁合金、銅/鉬合金、銅/鉬(鈦)等等來形成。
如第5F圖所示，具有高透光率的第二感光性膜115沉積在第二金屬導電層113上。然後，利用包含阻光部分117a、半透明部分117b以及透光部分117c的繞射光罩117對第二感光性膜115執行曝光處理。繞射光罩117的阻光部分117a位在對應於閘極線形成區域及源極電極及汲極電極形成區域的第二感光膜115上。繞射光罩117的半透明部分117b位在對應於薄膜電晶體T的通道區域的第二感光性膜115，即閘極電極103a上。除了繞射光罩117，也可利用光繞射效果的光罩、半色調光罩或者其他的光罩。
如第5G圖所示，在完成顯影處理接著曝光處理後，選擇性地圖案化第二感光性膜115以在資料線形成區域及源極電極與汲極電極形成區域上形成第一圖案115a，且在薄膜電晶體T的通道區域上形成第二圖案115b。位在資料線形成區域及源極與汲極電極形成區域上的第一圖案115a是不允許光線從中透過。因此，保持第二感光性膜115的厚度。然而，由於光線部分地射入第二感光性膜115，用一預定厚度來去除位於薄膜電晶體T之通道區域上的第二圖案115b。特別是，位於薄膜電晶體T之通道區域的第二圖案115b比位於資料線形成區域與源極及汲極電極形成區域的第一圖案115a薄。
如第5H圖所示，位於資料線形成區域與源極及汲極電極形成區域的第一圖案115a以及位於薄膜電晶體T之通道區域的第二圖案115b用來當作光罩以選擇性地圖案化第二金屬導電層113、含雜質的非晶矽層111以及非晶矽層109，藉以形成資料線(圖未示，見第3圖的113a)及主動層109a，並同時定義出源極電極形成區域及汲極電極形成區域。可首先通過濕蝕刻法來選擇性地蝕刻含有雜質的非晶矽層111及非晶矽層109、第二金屬導電層113，且接著可通過乾蝕刻法來蝕刻含雜質的非晶矽層111及非晶矽層109。
如第5I圖所示，通過灰化處理完全地去除位於薄膜電晶體T之通道區域的第二圖案115b，藉以曝光一部分位在薄膜電晶體T之通道區域上的第二圖案116b下的第二導電金屬層113。在灰化處理過程中，位於資料線形成區域與源極及汲極電極形成區域的第一圖案115a也部分地用一預定厚度來去除。特別是，在灰化過程中部分地蝕刻形成在資料線形成區域與源極和汲極電極形成區域上的第一圖案115a。
如第5J圖所示，利用作為光罩的第一圖案115a通過濕蝕刻法來蝕刻經曝光的第二金屬導電層113，藉以形成源極電極113b和與源極電極113b隔開的汲極電極113c。
然後，雖未顯示，也通過乾蝕刻法來去除位於通道區域之含雜質的非晶矽層111以形成曝露主動層109a之通道區域的歐姆接觸層111a，藉以形成包括閘極電極103a、閘極絕緣層107、主動層109a、歐姆接觸層111a、源極電極113b和汲極電極113c的薄膜電晶體T。
如第5K圖至第6A圖所示，下鈍化膜119a沉積在具有薄膜電晶體T的整個基板上，且上鈍化膜119b沉積在下鈍化膜119a上。上下鈍化膜119a和119b可由無機絕緣材料製成。再者，上下鈍化膜119a和119b可形成具有雙層結構的鈍化膜119。之後，具高透光率的光阻沉積在雙層鈍化膜119上以形成第三感光性膜120。
如第6B圖所示，利用光罩(圖未示)通過光刻法來曝光及顯影感光性膜120並選擇性地將其圖案化以形成第三感光性膜圖案120a。
如第6C圖所示，利用第三感光性膜圖案120a作為光罩選擇性地去除雙層上及下鈍化膜119b和119a以形成用於曝露汲極電極113c的汲極電極接觸孔121a。選擇性地去除雙層上及下鈍化膜119b和119a以及位於鈍化膜119下的閘極絕緣層107以形成用於曝露共用線103b的共用線接觸孔121b。
如第5L圖至第6D圖所示，在去除第三感光性膜圖案120a後，經濺射法，透明金屬導電層123沉積在包括汲極電極接觸孔121a及共用線接觸孔121b的鈍化膜119上。透明金屬導電層123可由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或類似等所製成。然後沉積具高透光率的光阻在透明金屬導電層123上以形成第四感光層125。
如第5M圖至第6E圖所示，利用光罩(圖未示)通過光刻法來曝光及顯影第四感光性膜125，並選擇性地將其圖案化以形成第四感光性膜圖案125a。
如第5N圖至第6F圖所示，利用第四感光膜圖案125a作為光罩來選擇性地圖案化透明金屬導電層123，藉以同時形成複數個像素電極123a，其等經由汲極電極接觸孔121a電氣連接至汲極電極113c、以及複數個共用電極123c，其等經由共用線接觸孔121b電氣連接至共用線103b。複數個像素電極123a彼此相互隔開，並置於由閘極線103a和資料線113a所定義的像素區域上。複數個像素電極123a可與資料線113a平行設置。複數個像素電極123a的第一端部分可由與資料線113a垂直設置的像素電極連接線123b連接在一起。在鄰近資料線113a的複數個像素電極123a之其中之一的第二端部分、複數個像素電極123a的第二端部分經形成在雙層鈍化膜119上的汲極電極接觸孔121a電氣連接至汲極電極113c。
複數個共用電極123c藉由以一交替方式與像素電極123a隔開來形成。複數個共用電極123c可與資料線113a平行設置。複數個共用電極123c的第一端部分可利用與資料線113a垂直設置的共用電極連接線123d連接在一起。共用電極連接線123d可通過雙層鈍化膜119a和119b形成的共用線接觸孔121b電氣連接至共用線103b。共用電極連接線123d可與汲極電極113c和位在其下側的共用線103b重疊。
因此，如第5N圖至第6F圖所示，在同一區域下，形成第一及第二電容C1及C2。在本實施例中，第一電容C1形成在共用電極連接線123d與汲極電極113c之間，且其係與插入兩者之間的雙層鈍化膜119垂直設置。再者，第二電容C2形成在汲極電極113c與共用線103b之間，且與插入兩者之間的閘極絕緣膜107垂直設置。雖未顯示，去除剩餘的第四感光性膜圖案125a，藉以完成製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的過程。然後，雖未顯現，施行濾光片基板的製造過程及在陣列基板與濾光片基板之間填充液晶層的過程，藉以製造平面切換模式液晶顯示裝置。
如上所述，本說明書描述一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法，電容可同時形成在共用電極連接線與汲極電極之間以及汲極電極與共用線之間，其中雙層鈍化膜及閘極絕緣膜分別插入在電容之間。因此，可增加每個區域的電容數量導致孔徑比的增加。
在用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法中，克服由在資料線與共用電極連接線之間於製造期間因產生的外來異物之容易造成短路的缺點，當單層鈍化膜形成在資料線與共用電極連接線之間時，可形成雙層鈍化膜用於最小化且/或防止產生在共用電極及共用線之間的短路。
那將是很明顯的，在不超出本創作的精神和範圍內，熟習該項技藝者可輕易對本發明的一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板進行修飾和變更，因此，凡有在相同的創作精神下所作有關本創作的任何修飾和變更，皆在本創作申請專利範圍的保護範疇。
1．．．基板
13．．．閘極線
13a．．．閘極電極
13b、13c．．．共用線
15．．．閘極絕緣層
17．．．主動層
19．．．歐姆接觸層
21．．．資料線
21a．．．源極電極
21b．．．汲極電極
23．．．下鈍化膜
23a．．．接觸孔
23b．．．共用線接觸孔
25a．．．像素電極
25b．．．像素電極連接線
25c．．．共用電極
25d．．．共用電極連接線
101．．．基板
103．．．第一金屬導電層
103a．．．閘極電極
103b．．．共用線
103c．．．閘極線
105．．．第一感光性膜
105a．．．第一感光性膜圖案
107．．．閘極絕緣層
109．．．非晶矽層
109a．．．主動層
111．．．含雜質的非晶矽層
111a．．．歐姆接觸層
113．．．第二金屬導電層
113a．．．資料線
113b．．．源極電極
113c．．．汲極電極
115．．．第二感光性膜
115a．．．第一圖案
115b．．．第二圖案
117．．．繞射光罩
117a．．．阻光部分
117b．．．半透明部分
117c．．．透明部分
119．．．鈍化膜
119a．．．下鈍化膜
119b．．．上鈍化膜
120．．．第三感光性膜
120a．．．第三感光性膜圖案
121a．．．汲極電極接觸孔
121b．．．共用線接觸孔
123．．．透明金屬導電層
123a．．．像素電極
123b．．．像素電極連接線
123c．．．共用電極
123d．．．共用電極連接線
125．．．第四感光層
125a．．．第四感光性膜圖案
C1．．．第一電容
C2．．．第二電容
T．．．薄膜電晶體
所附圖式其中提供以進一步理解本發明並結合與構成說明書的一部分，圖解本發明的實施例且提供對本發明實施例之原則的解釋。圖式中：
第1圖為一種根據習知技術用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的平面圖；
第2圖為第1圖沿III-III線的剖面圖，其係用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的剖面圖；
第3圖為根據本發明之示例之一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的平面圖；
第4圖為沿第3圖IV-IV線的剖面圖，其係用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板剖面圖；
第5A圖至第5N圖顯示製造用於示範平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的示範過程的剖面圖；以及
第6A圖至第6F圖為沿第3圖IV-IV線的剖面圖，其係顯示製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的示範過程的剖面圖；第6A圖至第6F圖顯示製造一汲極電極接觸孔和一共用線接觸孔的過程。
103a．．．閘極電極
103b．．．共用線
103c．．．閘極線
113a．．．資料線
113b．．．源極電極
113c．．．汲極電極
121a．．．汲極電極接觸孔
121b．．．共用線接觸孔
123a．．．像素電極
123b．．．像素電極連接線
123c．．．共用電極
123d．．．共用電極連接線

Claims (20)

  1. 一種用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板，包括：一閘極線，形成在一基板上以在第一方向延伸，以及一閘極電極，從該閘極線延伸；一共用線，形成在該基板上以在該第一方向延伸；一閘極絕緣層，形成在包括該閘極電極、該閘極線以及該共用線的整個該基板上；一主動層，形成在該閘極絕緣層上；一資料線，形成以在第二方向延伸，以及一源極電極，從該資料線延伸，以及一汲極電極，形成與該源極電極隔開；一薄膜電晶體，形成在該閘極線與該資料線之間的交叉處，其中該薄膜電晶體包含該閘極線、該閘極絕緣層、該主動層、該源極電極以及該汲極電極；一鈍化膜，形成在包含該薄膜電晶體的該基板上；一像素電極，形成在位於由該閘極線與該資料線所定義之一像素區域上的該鈍化膜上，該像素電極電氣連接至該汲極電極；一共用電極，形成在該鈍化膜上；以及一共用電極連接線，連接至該共用電極及該共用線，其中該共用電極連接線與該共用線及該汲極電極重疊。
  2. 依據專利申請範圍第1項所述的陣列基板，其中該鈍化膜包含多層鈍化層。
  3. 依據專利申請範圍第1項所述的陣列基板，其中該鈍化膜包含一下鈍化層及一上鈍化層的一雙層鈍化膜。
  4. 依據專利申請範圍第1項所述的陣列基板，其中一第一電容形成在該共用電極連接線與該汲極電極之間，具有一鈍化膜插入其間。
  5. 依據專利申請範圍第4項所述的陣列基板，其中一第二電容形成在該汲極電極與該共用線之間，具有該閘極絕緣膜插入其間。
  6. 依據專利申請範圍第5項所述的陣列基板，其中該第一電容及該第二電容係以串連形成。
  7. 依據專利申請範圍第1項所述的陣列基板，其中該像素電極係連接至一像素電極連接線。
  8. 依據專利申請範圍第1項所述的陣列基板，其中該像素電極經由通過該鈍化膜所形成的一汲極電極接觸孔連接至該汲極電極，並且該共用電極連接線經由通過該鈍化膜及閘極絕緣膜所形成的一共用線接觸孔連接至該共用線。
  9. 依據專利申請範圍第8項所述的陣列基板，其中該汲極電極接觸孔與該共用電極接觸孔係同時形成。
  10. 依據專利申請範圍第1項所述的陣列基板，其中該第一方向係垂直於該第二方向。
  11. 一種製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，包括：於第一方向形成一閘極線以及從該閘極線延伸的一閘極電極；於該第一方向形成一共用線；在該閘極線與該共用線上形成一閘極絕緣層；在該閘極絕緣層上形成一主動層；於第二方向在該閘極絕緣層上形成一資料線，以及從該資料線延伸的一源極電極，以及形成與該源極電極隔開的一汲極電極；於該閘極線與該資料線的交叉處形成一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體包含該閘極線、該閘極絕緣層、該主動層、該源極電極以及該汲極電極；在該資料線及該薄膜電晶體上形成一鈍化膜；在位於由該閘極線及該資料線所定義的一像素區域上的該鈍化膜上形成一像素電極，該像素電極電氣連接至該汲極電極； 在該鈍化膜上形成一共用電極；以及形成一共用電極連接線連接至該共用電極及該共用線，其中該共用電極連接線與該共用線和該汲極電極重疊。
  12. 依據專利申請範圍第11項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中該鈍化膜包含多層鈍化層。
  13. 依據專利申請範圍第11項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中該鈍化膜係包含一下鈍化層及一上鈍化層的一雙層鈍化膜。
  14. 依據專利申請範圍第11項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中一第一電容形成在該共用電極連接線與該汲極電極之間，具有一鈍化膜插入其間。
  15. 依據專利申請範圍第14項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中一第二電容形成在該汲極電極與該共用線之間，具有有該閘極絕緣膜插入其間。
  16. 依據專利申請範圍第15項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中該第一電容及該第二電容係以串連形成。
  17. 依據專利申請範圍第11項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中該像素電極係連接至一像素電極連接線。
  18. 依據專利申請範圍第11項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中該像素電極經由通過該鈍化膜所形成的一汲極電極接觸孔連接至該汲極電極，並且該共用電極連接線經由通過該鈍化膜和閘極絕緣膜所形成的一共用線接觸孔連接至該共用線。
  19. 依據專利申請範圍第18項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示 裝置的陣列基板的方法，其中該汲極電極接觸孔與該共用電極接觸孔係同時形成。
  20. 依據專利申請範圍第11項所述之製造用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板的方法，其中該第一方向係垂直於該第二方向。
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