CN111624823A - 用于tn型显示面板的像素结构、阵列衬底和tn型显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了用于TN型显示面板的像素结构、阵列衬底和TN型显示面板。该像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括：衬底；像素电极，所述像素电极通过过孔与薄膜晶体管的漏极电连接；公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和所述衬底之间，且在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影，其中，所述像素电极和所述公共电极彼此正对应的部分构成存储电容。由于公共电极在衬底上的正投影覆盖过孔在衬底上的正投影，即过孔位于存储电容的区域内，如此可以增大像素的开口率。

Description

用于TN型显示面板的像素结构、阵列衬底和TN型显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及用于TN型显示面板的像素结构、阵列衬底和TN型显示面板。
背景技术
对于常规产品高开口率TN像素设计，阵列衬底的像素电极过孔设计在非Com(公共电极)线上，一般会设置在离Data线(数据线)较近的像素电极的一角，这样设计占用了较大的空间，还牺牲了一定的开口率。
因此，关于TN型显示面板的像素结构的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种用于TN型显示面板的像素结构，该像素结构具有较大的开口率，或较大的存储电容。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种用于TN型显示面板的像素结构。根据本发明的实施例，该像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括：衬底；像素电极，所述像素电极通过过孔与薄膜晶体管的漏极电连接；公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和所述衬底之间，且在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影，其中，所述像素电极和所述公共电极彼此正对应的部分构成存储电容。由于公共电极在衬底上的正投影覆盖过孔在衬底上的正投影，即过孔位于存储电容的区域内，如此可以增大像素的开口率。
根据本发明的实施例，所述公共电极包括：两条第一公共电极，两条所述第一公共电极沿第一方向间隔设置；第二公共电极，所述第二公共电极设置在两条所述第一公共电极之间，且位于所述第一公共电极靠近所述薄膜晶体管的栅极的一端，并与两条所述第一公共电极电连接，其中，所述第二公共电极在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影。
根据本发明的实施例，所述像素电极在所述衬底上的正投影与所述第一公共电极和所述第二公共电极在所述衬底上的正投影有第一重叠区域。
根据本发明的实施例，所述漏极具有相连的第一段和第二段，所述第一段设置在所述第二段远离所述薄膜晶体管的源极的一侧，且所述第一段的长度在所述第一方向上延伸，其中，所述第一段在所述衬底上的正投影与所述第二公共电极在所述衬底上的正投影有第二重叠区域。
根据本发明的实施例，所述公共电极与所述栅极同层设置。
根据本发明的实施例，该像素结构包括：所述衬底；所述公共电极，所述公共电极设置在所述衬底的表面上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述衬底的表面上，且覆盖所述公共电极；所述漏极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上；层间介质层，所述层间介质层设置在所述漏极的表面上，且覆盖未被所述漏极覆盖的所述栅绝缘层的表面，其中，所述过孔贯穿所述层间介质层，并暴露出所述漏极的表面；所述像素电极层设置在所述层间介质层远离所述衬底的表面上。
根据本发明的实施例，所述过孔进一步贯穿所述漏极并暴露所述栅绝缘层的表面，其中，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极的侧面电连接。
根据本发明的实施例，该像素结构还包括：有源层，所述有源层设置在所述栅绝缘层和所述漏极之间。
在本方发明的另一方面，本发明提供了一种阵列衬底。根据本发明的实施例，该阵列衬底包括前面所述的像素结构。由此，该阵列基板具有较大的像素开口率。本领域技术人员可以理解，该阵列基板具有前面所述的像素结构的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
在本发明的又一方面，本发明的实施例提供了一种TN型显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括前面所述的阵列衬底。由此，该显示面板具有较大的像素开口率。本领域技术人员可以理解，该显示面板具有前面所述的阵列基板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
附图说明
图1为本发明一个实施例中像素单元的结构示意图。
图2为图1中沿AA’的界面图。
图3为图1中公共电极和栅极的平面结构示意图。
图4为图1中数据线、源极和漏极的平面结构示意图。
图5为图1中像素电极的平面结构示意图。
图6为本发明另一个实施例中像素单元的结构示意图。
图7为本发明又一个实施例中像素结构的结构示意图。
图8为本发明又一个实施例中像素结构的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种用于TN型显示面板的像素结构。根据本发明的实施例，参照图1(图1中未将层结构之间的绝缘层示出)和图2(图2是图1中沿AA’的界面图)，该像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括：衬底10；像素电极20，像素电极20通过过孔21与薄膜晶体管的漏极30电连接；公共电极40，公共电极40位于像素电极20和衬底10之间，且在衬底10上的正投影覆盖过孔在所述衬底上的正投影，其中，所述像素电极和所述公共电极彼此正对应的部分(即像素电极在衬底上的正投影和公共电极在衬底上的正投影的重叠的部分)构成存储电容。由于公共电极在衬底上的正投影覆盖过孔在衬底上的正投影，即过孔位于存储电容的区域内，如此可以增大像素的开口率。
本领域技术人员熟知，公共电极的位置本就不构成像素单元的开口，所以将像素电极与漏极电连接的过孔设置在与公共电极正对应的区域内，如此，过孔的设置不会占用像素开口的区域，从而增大本发明的像素结构的像素开口率。
根据本发明的实施例，图1中公共电极、薄膜晶体管的源漏极以及像素电极的平面结构分别图图3、图4和图5所示，其中，公共电极40与薄膜晶体管的栅极41同层设置(即公共电极40与薄膜晶体管的栅极41通过同一工艺步骤形成)，源极31、漏极30和数据线32同层设置(即源极31、漏极30和数据线32通过同一工艺步骤形成)。
根据本发明的实施例，参照图1和图3，公共电极40包括：两条第一公共电极42，两条第一公共电极42沿第一方向间隔设置；第二公共电极43，第二公共电极43设置在两条第一公共电极42之间，且位于第一公共电极42靠近薄膜晶体管的栅极41的一端，并与两条第一公共电极42电连接，其中，第二公共电极43在衬底10上的正投影覆盖过孔21在衬底上的正投影。由此，像素单元具有较佳、较稳定的电学性能，有助于增大像素单元的开口率。需要说明的是，如图1和图2所示，第一方向即为两条第一公共电极42间隔分布的方向，或者说为栅极长度延伸的方向。
根据本发明的实施例，参照图6(为了便于清晰的识别第一重叠区域，图6中未将数据线、源极和漏极示出，仅仅示出了像素电极20与公共电极40的层叠结构)，像素电极20在所述衬底上的正投影与所述第一公共电极42和所述第二公共电极43在所述衬底上的正投影有第一重叠区域M、N和S，即第一重叠区域包括区域M、区域N和区域S。由此，区域M、区域N和区域S处的像素电极和公共电极之间构成存储电容(在现有技术中的TN像素结构中，每个像素单元中的存储电容区域只有区域M和区域N)，进而增大了像素单元的存储电容，而且同时增大像素单元的开口率。
根据本发明的实施例，参照图1和图4，漏极30具有相连的第一段32和第二段33，所述第一段32设置在所述第二段33远离所述薄膜晶体管的源极31的一侧，且所述第一段32的长度在所述第一方向上延伸，其中，所述第一段32在所述衬底上的正投影与所述第二公共电极43在所述衬底上的正投影有第二重叠区域。由此，便于像素电极与漏极的电连接。
根据本发明的实施例，参照图2，该像素结构包括：所述衬底10；所述公共电极40，所述公共电极40设置在所述衬底10的表面上；栅绝缘层50，所述栅绝缘层50设置在所述衬底10的表面上，且覆盖所述公共电极40；所述漏极30设置在所述栅绝缘层50远离所述衬底10的表面上；层间介质层60，所述层间介质60层设置在所述漏极30的表面上，且覆盖未被所述漏极30覆盖的所述栅绝缘层50的表面，其中，所述过孔21贯穿所述层间介质层60，并暴露出所述漏极30的表面；所述像素电极层20设置在所述层间介质层60远离所述衬底10的表面上，并通过过孔21与漏极电连接。
根据本发明的实施例，参照图7，过孔21进一步贯穿所述漏极30并暴露所述栅绝缘层50的表面，其中，所述像素电极20通过所述过孔21与所述漏极30的侧面(即过孔内壁暴露的漏极的侧面)电连接。
根据本发明的实施例，参照图8，该像素结构还包括：有源层70，所述有源层70设置在所述栅绝缘层50和所述漏极30之间。其中，需要说明的是，在制备像素结构的工艺中，由于采用的掩膜版的结构的限定，有源层70的部分结构延伸至过孔21处对应的位置处。
在本方发明的另一方面，本发明提供了一种阵列衬底。根据本发明的实施例，该阵列衬底包括前面所述的像素结构，存储电容较大。由此，该阵列基板具有较大的像素开口率。本领域技术人员可以理解，该阵列基板具有前面所述的像素结构的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
在本发明的又一方面，本发明的实施例提供了一种TN型显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括前面所述的阵列衬底。由此，该显示面板具有较大的像素开口率，和较大的存储电容。本领域技术人员可以理解，该显示面板具有前面所述的阵列基板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
根据本发明的实施例，该TN型显示面板可以用于手机、电脑、iPad、游戏机等一切具有显示功能的显示装置。其中，本领域技术人员可以理解，该显示面板除了具有前面所述的阵列基板，还包括常规显示面板所必备的结构或部件，以手机为例，显示面板还包括彩膜基板、触控面板、壳体、照相模组、音频模组等必备的结构和部件。
文中术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种用于TN型显示面板的像素结构，其特征在于，包括多个像素单元，每个像素单元包括：
衬底；
像素电极，所述像素电极通过过孔与薄膜晶体管的漏极电连接；
公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和所述衬底之间，且在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影，其中，所述像素电极和所述公共电极彼此正对应的部分构成存储电容。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极包括：
两条第一公共电极，两条所述第一公共电极沿第一方向间隔设置；
第二公共电极，所述第二公共电极设置在两条所述第一公共电极之间，且位于所述第一公共电极靠近所述薄膜晶体管的栅极的一端，并与两条所述第一公共电极电连接，
其中，所述第二公共电极在所述衬底上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极在所述衬底上的正投影与所述第一公共电极和所述第二公共电极在所述衬底上的正投影有第一重叠区域。
4.根据权利要求2或3所述的像素结构，其特征在于，所述漏极具有相连的第一段和第二段，所述第一段设置在所述第二段远离所述薄膜晶体管的源极的一侧，且所述第一段的长度在所述第一方向上延伸，其中，所述第一段在所述衬底上的正投影与所述第二公共电极在所述衬底上的正投影有第二重叠区域。
5.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极与所述栅极同层设置。
6.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，包括：
所述衬底；
所述公共电极，所述公共电极设置在所述衬底的表面上；
栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述衬底的表面上，且覆盖所述公共电极；
所述漏极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上；
层间介质层，所述层间介质层设置在所述漏极的表面上，且覆盖未被所述漏极覆盖的所述栅绝缘层的表面，其中，所述过孔贯穿所述层间介质层，并暴露出所述漏极的表面；
所述像素电极层设置在所述层间介质层远离所述衬底的表面上。
7.根据案例要求6所述的像素结构，其特征在于，所述过孔进一步贯穿所述漏极并暴露所述栅绝缘层的表面，其中，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极的侧面电连接。
8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，还包括：
有源层，所述有源层设置在所述栅绝缘层和所述漏极之间。
9.一种阵列衬底，其特征在于，包括权利要求1～8中任一项所述的像素结构。
10.一种TN型显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列衬底。
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