TWI442291B - 附有輸入機能之顯示裝置 - Google Patents

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Takeshi Koshihara
Takeyoshi Ushiki
Yoichi Fujikawa
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Japan Display West Inc
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Description

附有輸入機能之顯示裝置
本發明係關於例如附加如觸控面板的輸入機能之附有輸入機能之顯示裝置。
近年來，伴隨個人數位助理(PDA)、個人電腦等小型資訊電子機器的普及，於顯示畫面上經由將指頭或筆等的物體接觸，進行輸入操作之所謂附加觸控面板機能之顯示裝置被廣泛利用。於如此的觸控面板，作為檢出指頭等接觸位置的方法，則有靜電電容方式(例如，參照專利文獻1、2)。
靜電電容方式係藉由人以指頭接觸顯示面，所形成靜電電容，流入微弱的電流，由此電流量進行接觸位置的檢出之方式。於此，靜電電容方式中，使用層積於形成呈平面狀之檢出電極和檢出電極上之介電質膜，使介電質膜以指頭接觸而形成靜電電容。
使用如此靜電電容方式之附有觸控面板機能之液晶顯示裝置中，為驅動液晶層，經由使供給於一對電極間之驅動訊號所發生之電場到達檢出電極，此電場成分會成為雜訊，而降低接觸位置的檢出精度。於此，附有前者觸控面板機能的液晶顯示裝置中，企圖除去由驅動訊號所生成訊號所產生之雜訊。
[專利文獻1]日本特開2006-146895號公報
[專利文獻2]日本特開2003-196023號公報
但是，於上述以往附有觸控面板機能的液晶顯示裝置中，仍殘留著以下的課題。即，以往附有觸控面板機能的液晶顯示裝置中，為產生除去雜訊訊號，必需有複雜的系統之問題。
本發明係有鑑於上述以往的問題，提供無需複雜系統，可抑制雜訊之影響之附有輸入機能顯示裝置為目的。
本發明係為解決上述課題，採用以下之構成。即，關於本發明附有輸入機能的顯示裝置，係具備設置驅動液晶層之一對之電極的第1基板，和與該第1基板，藉由前述液晶層對向配置之第2基板，和層積於前述第2基板之外面而設置之檢出電極及介電質膜，和檢出藉由該介電質膜，形成於與前述檢出電極之靜電電容之形成位置的檢出手段；前述第2基板乃設於前述液晶層側之電位為固定的同時，具備具有配置呈條紋狀之複數之複折射體構造體之屏蔽導體。
此發明中，於第2基板的液晶層側，設置屏蔽導體，不使加大加厚第2基板地，無需複雜的系統，而抑制液晶層的驅動訊號的雜訊影響，提升至顯示面的接觸位置的檢 出精度。又，由於與液晶層接近設置的屏蔽導體，作為偏光板加以工作，可縮小由透過液晶層，入射至屏蔽導體的光偏光狀態的變化，而可提升對比。
即，於一對的電極，經由供給液晶層的驅動訊號，朝向第2基板所發生電場，則經由屏蔽導體遮蔽。為此，一對電極和檢出電極間，可防止產生耦合。於此，於第1基板，設置驅動液晶層之一對電極，可充分確保一對電極和屏蔽導體的距離。為此，經由液晶層的驅動訊號而發生朝向屏蔽導體的電場強度，係與採用所謂縱電場方式的電極構造相比則變小。由此，可更有效果進行屏蔽導體所產生電場的遮蔽。因此，無需另外設置複雜的系統，不會大幅加厚第2基板，防止一對電極和檢出電極的耦合，而抑制驅動訊號所造成的雜訊影響。又，將屏蔽導體一體形成於第2基板，在不加大加厚第2基板，可確保充分的透過率。
又，由於屏蔽導體和檢出電極間充分隔離之故，可防止於屏蔽導體和檢出電極間，形成電容成分。
然後，入射於屏蔽導體的光線，係具有與複折射體構造體延伸存在方向成幾乎正交偏光方向之偏光成分在透過屏蔽導體之同時，具有與延伸存在方向成幾乎平行的偏光方向之偏光成分則經由屏蔽導體加以遮蔽。為此，屏蔽導體係可作為偏光板加以工作。於此，與在於第2基板的外面側，配置偏光板之時相比較，作為偏光板加以工作之屏蔽導體則與液晶層接近加以配置之故，自透過液晶層至入 射到屏蔽導體或偏光板，所起因於散亂或複折射體之光的偏光狀態的變化量則會變小。由此，可更精度佳地進行屏蔽導體所成偏光光線的透過或遮蔽，達到對比的提升。又，將作為偏光板加以工作的屏蔽導體，形成於第2基板，可更精度佳地進行光軸之對準。
又，關於本發明之附有輸入機能顯示裝置，係前述屏蔽導體為具備構成遮光膜之被覆部為佳。
此發明中，屏蔽導體由於兼具遮光膜，可減少構件數量，達到製造工程的簡略化。
又，關於本發明之附有輸入機能顯示裝置，係前述屏蔽導體，以光反射性材料構成為佳。
此發明中，入射屏蔽導體光線中，反射經由屏蔽導體所遮蔽的光線，可抑制第2基板的光線吸收所造成的加熱。
又，關於本發明之附有輸入機能顯示裝置，係前述屏蔽導體，以光吸收性材料構成為佳。
此發明中，入射屏蔽導體光線中，由於吸收遮蔽的光線，可抑制反射所造成對比的降低。
 [第1實施形態]
以下，將本發明之附有輸入機能顯示裝置的第1實施形態，參照圖面加以說明。然而，使用以下的說明之各圖面中，為使各構件達可辨識之大小，適切地變更比例尺。 於此，圖1係附有輸入機能之液晶顯示裝置的概略截面圖，圖2係圖1的等價電路圖，圖3係顯示副畫素範圍之平面構成圖，圖4係圖3的A-A箭頭截面圖。
[附有輸入機能之顯示裝置]
本實施形態之附有輸入機能之液晶顯示裝置(附有輸入機能之顯示裝置)1，係透過型的彩色液晶顯示裝置，以輸出R(紅)、G(綠)、B(藍)各色光之3個副畫素範圍，構成1個畫素之液晶顯示裝置。於此，將構成顯示最小單位所成顯示範圍，稱為「副畫素範圍」。
最初，對於本實施形態之附有輸入機能液晶顯示裝置1的概略構成，進行說明。
本實施形態之附有輸入機能液晶顯示裝置1，係如圖1所示，具備主動矩陣基板之元件基板(第1基板)11，和與元件基板11對向配置之對向基板(第2基板)12，和挾持於元件基板11及對向基板12之液晶層13，由元件基板11的外面側(由液晶層13隔離之側)照射照明光線之構成。
又，附有輸入機能之液晶顯示裝置1，係具有設置對於元件基板11和對向基板12為對向之對向範圍的外周部，以平面視之幾近矩形的框狀密封材14，經由此密封材，貼合元件基板11和對向基板12。然後，於附有輸入機能之液晶顯示裝置1中的密封材14內側，形成畫像顯示範圍。
更且，附有輸入機能之液晶顯示裝置1，係具備設置於對向基板12的外面側檢出電極15，和設置於元件基板11的外面側之偏光板16及設置於檢出電極15外面側之介電質膜17，和藉由介電質膜17，檢出與檢出電極15間所形成之靜電電容的形成位置之檢出手段18。
於附有輸入機能之液晶顯示裝置1的畫像顯示範圍中，如圖2所示，複數副畫素範圍配置呈矩陣狀。各個複數副畫素範圍中，形成畫素電極(一方電極)21，和為開關控制畫素電極21之TFT(Thin Film Transistor薄膜電晶體)元件22。又，畫素顯示範圍中，複數資料線23及掃描線24則配置成格子狀。
TFT元件22係源極連接於資料線23，閘極連接於掃描線24，汲極連接於畫素電極21。
資料線23係將由設置於附有輸入機能之液晶顯示裝置1之驅動電路(圖示略)所供給畫像訊號S1、S2、……Sn供給於各副畫素範圍加以構成。於此，資料線23係將畫像訊號S1~Sn依此順序加以供給亦可，對於互相鄰接的複數資料線23之彼此，按群加以供給亦可。
掃描線24係將由設置於附有輸入機能之液晶顯示裝置1之驅動電路(圖示略)所供給掃描訊號G1、G2、……Gm，供給於各副畫素範圍而加以構成。於此，掃描線24係將掃描訊號G1~Gm在特定時脈，以脈衝性線順序加以供給。
又，附有輸入機能液晶顯示裝置1，使開關元件之 TFT元件22經由掃描訊號G1~Gm的輸入，僅於一定期間成為開始狀態，使由資料線23供給之畫像訊號S1~Sn於特定的時脈，寫入畫素電極21而構成。然後，藉由畫素電極21，寫入於液晶之特定水平的畫像訊號S1~Sn，係於畫素電極21和後述共通電極(其他的電極)43間，保持一定期間。
接著，對於附有輸入機能之液晶顯示裝置1之詳細構成，參照圖3～圖4加以說明。然而，圖3中，省略對向基板12的圖示。又，於圖3中，令以平面視之幾近矩形狀的副畫素範圍的長軸方向為X軸方向，以短軸方向為Y軸方向。
元件基板11係如圖4所示，例如具備玻璃或石英、塑膠等透光性材料所成基板本體31，和由基板本體31的內側(液晶層13側)依序層積之基材保護膜32、閘極絕緣膜33、第1層間絕緣膜34、第2層間絕緣膜35、第3層間絕緣膜36及配向膜37。
又，元件基板11係具備配置基材保護膜32內側表面之半導體層41，和配置於閘極絕緣膜33內側表面之掃描線24，和配置於第1層間絕緣膜34內側表面之資料線23及連接電極42，和配置於第2層間絕緣膜35內側表面之共通電極43，和配置於第3層間絕緣膜36內側表面之畫素電極21。
基材保護膜32係以SiO2 (氧化矽)等透光性的矽氧化物所構成，被覆基板本體31。然而，基材保護膜32係不 限於SiO2 ，以SiN(氮化矽)或SiON(氮氧化矽)、陶瓷薄膜等絕緣材料構成亦可。
閘極絕緣膜33係例如以SiO2 等透光性材料所構成，被覆形成於基材保護膜32上之半導體層41而設置。
第1層間絕緣膜34係例如以SiO2 等透光性材料所構成，被覆形成於閘極絕緣膜33及閘極絕緣膜33上之掃描線24加以設置。
第2層間絕緣膜35係例如以丙烯酸等透光性材料所構成，被覆第1層間絕緣膜34及形成於第1層間絕緣膜34上之資料線23及連接電極42加以設置。
第3層間絕緣膜36係例如以SiN等透光性材料所構成，被覆形成於第2層間絕緣膜35內側表面之共通電極43而設置。
配向膜37係例如以聚醯亞胺等樹脂材料構成，被覆形成於第3層間絕緣膜36上之畫素電極21而設置。又，配向膜37的表面中，施行將如圖3所示副畫素範圍的短軸方向(Y軸方向)呈配向方向之配向處理。
半導體層41係如圖3及圖4所示，以平面視之幾近L字狀，以平面視之，藉由閘極絕緣膜33，包含與掃描線24重疊範圍的一部份加以形成，以多品矽等半導體構成。然後，半導體層41中，以平面視之，藉由閘極絕緣膜33，於與掃描線24重疊範圍，設置通道領域41a。
又，半導體層41係具有經由植入不純物離子形成之源極範圍41b及汲極領域41c。然後，以半導體層41作為 主體，構成TFT元件22。然而，通道領域41a係多品矽胺經由未植入不純物離子而形成。於此，半導體層41係於源極範圍及汲極範圍，形成不純物濃度相對高的高濃度範圍和相對低的低濃度(LDD)範圍之LDD構造亦可。
掃描線24係沿以平面視之幾近矩形狀副畫素範圍的短軸方向(Y軸方向)加以配置，例如以A1(鋁膜)等金屬材料構成。又，藉由掃描線24中的閘極絕緣膜33，與通道領域41a對向配置部分乃作為閘極電極加以工作。
資料線23係沿以平面視之副畫素範圍的長軸方向(X軸方向)加以配置，例如以A1等金屬材料構成。又，資料線23乃藉由貫通閘極絕緣層33與第1層間絕緣層34之連接孔H1，連接於半導體層41之源極範圍41b。即，資料線23係連接沿著X軸方向配置TFT元件22之彼此。
連接電極42乃藉由貫通閘極絕緣層33與第1層間絕緣層34之連接孔H2，連接於半導體層41之汲極範圍41c。
共通電極43係被覆第2層間絕緣膜35而形成，例如以ITO(氧化銦)等透光性的導電材料構成。然後，於達到共通電極43中的畫素電極21和連接電極42的導通之後述連接孔H3的附近，為確保與畫素電極21的絕緣狀態，形成開口部43a。
又，共通電極43中，例如施加使用於液晶層13的驅動的特定的一定電壓或0V，或特定的一定電位，與此等不同其他特定的一定電位，呈周期性(每一框訊期間或訊 場期間等)切換訊號。
畫素電極21係如圖3及圖4所示，以平面視之，為幾近梯子形狀，與共通電極43相同，例如以ITO等透光性導電材料所構成。然後，畫素電極21係具備以平面視之矩形的框狀的框部21a，和與延伸存在於幾近副畫素範圍的短軸方向(Y軸方向)一同，在副畫素範圍的長軸方向(X軸方向)，開出間隔之複數配置帶狀部21b。
框部21a係將2對帶狀電極連接呈以平面視之幾近矩形的框狀而構成，互相對向2對邊則沿著各自的長軸方向(X軸方向)及短軸方向(Y軸方向)而延伸存在。又，框部21a乃藉由貫通第2層間絕緣層35與第3層間絕緣層36之連接孔H3，連接於連接電極42。由此，畫素電極21與TFT元件22的汲極連接。
帶狀部21b係互相平行地加以形成，該兩端與各別框部21a中沿Y軸方向，而延伸存在的部分連接。又，帶狀部21b係該延伸存在方向設置呈與Y軸方向非平行。即，帶狀部21b係該延伸存在方向於平面視之，伴隨朝向由資料23接近的一端離開之其他端，接近於掃描線24加以形成。
以上，附有輸入機能液晶顯示裝置1係於帶狀部21b和共通電極43間，施加電壓，由此，經由產生基板平面方向的電場(橫電場)，作為驅動液晶而構成。由此，畫素電極21及共通電極43係構成FFS(Fringe-Field Switching)方式的電極構造。
另一方面，對向基板12係如圖4所示，例如具備玻璃或石英、塑膠等透光性材料所成基板本體51，和於基板本體51的內側(液晶層13側)的表面，依序層積之屏蔽電極(屏蔽導體)52、遮光膜53、彩色濾光片層54、及配向膜55。
屏蔽電極52係形成於對向基板12內側的表面，給予特定的間隔，具有配置呈條紋狀之複數之複數折射構造體52a。即，屏蔽電極52係具有連線網構造。然後，屏蔽電極52係藉由液晶層13等，重疊畫素電極21及共通電極43。
複數折射構造體52a係該延伸延在方向與副畫素範圍的長軸方向(圖2所示X軸方向)以幾近平行，例如以具有A1等光反射性導電材料加以構成。又，複數折射構造體52a係該寬度例如呈150nm，間隔例如呈100~150nm所成。
然後，屏蔽電極52係對於複數折射構造體52a的延伸存在方向，反射振動於幾近平行的方向之偏光光線，對於延伸存在的方向，透過振動幾近正交方向之偏光光線。於此，屏蔽電極52係該薄片電阻例如為1kΩ/sq以下。又，屏蔽電極52係例如於基板本體51上，使用濺鍍法等，形成構成複數折射構造體52a之金屬膜，將此等經由圖案化加以形成。又，屏蔽電極52係於對向基板12的端部，藉由以導電材料構成之基板間導通構件(圖示略)，確保設置於元件基板11之配線部(圖示略)的導通。然後，屏蔽電 極52係藉由此配線部，顯示幾近一定的電位。
於此，於屏蔽電極52內側的表面，配置1/4波長板亦可。藉由配置1/4波長板，由介電質膜17的外面入射的外光，則以元件基板11反射，而可防止再射出。然而，配合1/4波長板，適宜變更屏蔽電極52的透過軸。
遮光膜53係屏蔽電極52表面中以平面視之，於副畫素範圍的緣部，藉由液晶層13等，於TFT元件22、資料線23及掃描線24重疊的範圍，以平面視之，形成呈幾近格子狀，圍繞副畫素範圍。
又，彩色濾光片層54係被覆遮光膜53，對應各副畫素範圍加以配置，例如以丙烯酸等構成，包含有對應以各副畫素範圍顯示顏色之色材。
配向膜55係例如以聚醯亞胺等透光性樹脂材料構成，被覆彩色濾光板層54而設置。然後，於配向膜55內側的表面，施行與配向膜55配向方向同方向的平磨處理。
構成液晶層13之液晶分子，係於配向膜37、55，施行將副畫素範圍的短軸方向(Y軸方向)，成為配向方向之配向處理，於畫素電極21及共通電極43間，於未施加電壓的狀態(關閉狀態)，沿著Y軸方向，配向於水平。又，液晶分子係於畫素電極21及共通電極43間，在施加電壓的狀態(開啟狀態)中，沿著與帶狀部21b延伸存在方向的正交方向加以配向。因此，液晶層13中，根據關閉狀態和開啟狀態之液晶分子配向狀態的差異，利用複數折射性，對於透過液晶層13之光線，賦予相位差。
檢出電極15係形成於對向基板12外側表面的全面，例如以ITO等透光性的導電材料構成。又，於以平面視之幾近矩形狀的檢出電極15的4個角落，各自設置供給由檢出手段18的檢出訊號之端子部(圖示略)。
偏光板16係例如將使用聚乙烯醇(PVA)的介電質材料，所形成的薄膜作為基體加以構成。然後，偏光板16係該透過軸沿著副畫素範圍的長軸方向(圖2所示X軸方向)加以設置。因此，偏光板16及屏蔽電極52係該透過軸呈互相幾近正交地加以設置。
介電質膜17係與偏光板16相同，將聚乙烯醇(PVA)的薄膜作為基體加以構成。
又，於偏光板16的內側中，配置光學補償薄膜(圖示略)亦可。藉由配置光學補償薄膜，可補償斜視附有輸入機能液晶顯示裝置1時的液晶層13的相位差，減少光漏失，可增加對比。作為光學補償薄膜，使用組合負單軸性媒體和正單軸性媒體，或各方向折射率nx>nz>ny二軸性媒體。
檢出手段18係於設置在檢出電極15之上述端子部，施加各自同相同電位的交流電壓，於檢出電極15的內面，發生均一電場加以構成。又，檢出手段18係藉由介電質膜17，藉由形成在與檢出電極15間之靜電電容所流出電流量的測定值，檢出手指等接觸位置而構成。
[附有輸入機能之液晶顯示裝置的動作]
接著，對於如此構成之附有輸入機能液晶顯示裝置1的動作，進行說明。由元件基板11的外面側入射的光線，係經由偏光板16，變換呈平行於副畫素範圍的長軸方向(如圖3所示X軸方向)之直線偏光，入射至液晶層13。
於此，為關閉狀態的話，入射至液晶層13的直線偏光係經由液晶層13，以與入射時同一偏光狀態，由液晶層13射出。然後，此直線偏光係該偏光方向由於屏蔽電極52的透過軸正交，被屏蔽電極52遮蔽，副畫素範圍則成為暗顯示。
另一方面，為開啟狀態的話，入射至液晶層13的直線偏光係經由液晶層13，賦予特定的相位差(1/2波長分)，變換呈與入射時偏光方向正交的直線偏光，由液晶層13射出。然後，此直線偏光係該偏光方向由於與屏蔽電極52的透過軸平行，透過屏蔽電極52作為顯示光加以辨視，副畫素範圍則成為亮顯示。
此時，由資料線23供給為驅動液晶層13之畫像訊號S1~Sn時，於設置在元件基板11之畫素電極21和共通電極43間，發生電場。於此，於在畫素電極21及設於共通電極43和對向基板12之屏蔽電極52間，形成充分的間隔。為此，與經由畫像訊號S1~Sn的供給，由畫素電極21及共通電極43，朝向屏蔽電極52之雜訊所成電場強度，例如TN模式液晶等所謂縱電場方式的電極構造，將共通電極設置於對向基板時相比，會變小。因此，經由屏蔽電極52，由畫素電極21及共通電極43，朝向檢出電極15 之電場則被有效地遮蔽。
然後，於檢出電極15在面內，施加均一交流電壓狀態，於介電質膜17，接觸人的手指時，藉由介電質膜17，於檢出電極15和手指等間，形成靜電電容。為此，由設置於檢出電極15之端子部，藉由靜電電容，流入電流。檢出手段18係將經由形成靜電電容流入電流量，例如由檢出範圍的四角落各自檢出，由此等資訊，檢出手指等接觸位置。於此，於檢出電極15和屏蔽電極52間，設置基板本體51等，為形成充分間隔，於檢出電極15和屏蔽電極52間，防止形成電容成分。
[電子機器]
以上構成之附有輸入機能之液晶顯示裝置1，係做為例如圖5所示可攜型個人電腦100的顯示部101加以使用。此可攜型個人電腦100乃具備顯示部101、具有鍵盤102之本體部103。
以上，根據本實施形態之附有輸入機能之液晶顯示裝置1，於對向基板12，設置屏蔽電極52，不大幅加厚對向基板12，無需複雜的系統，而抑制液晶層13的驅動時的雜訊影響，提升至顯示面的接觸位置的檢出精度。又，由於屏蔽電極52作為偏光板加以工作，抑制透過液晶層13入射至屏蔽電極52的光偏光狀態的變化量，而提升對比。
又，充分確保畫素電極21及共通電極43和屏蔽電極 52的距離，發生於液晶層13驅動時之雜訊影響與使用縱電場方式的電極構造相較為小之故，可有效進行經由屏蔽電極52所成雜訊的遮蔽。
然後，由於屏蔽電極52和檢出電極15間充分隔離之故，屏蔽導體52和檢出電極15間，不會形成電容成分。
更且，屏蔽電極52以A1等光反射性的導電材料加以構成，反射屏蔽電極52所遮蔽之光線之故，可抑制光吸收所成對向基板12的加熱。
[第2實施形態]
接著，將本發明之附有輸入機能顯示裝置的第2實施形態，根據圖面加以說明。於此，圖6係顯示副畫素範圍之截面圖。然而，本實施形態中，第1實施形態和副畫素範圍的構成為不同之故，以此點為中心進行說明之同時，於上述實施形態說明構成要素中，附上同一符號，省略該說明。
本實施形態之附有輸入機能液晶顯示裝置110中，如圖6所示，設置於對向基板111之屏蔽電極112，則兼具遮光膜。
即，對向基板111係於基板本體51和基板本體51內側的表面，具備依序層積之屏蔽電極112、彩色濾光片層54及配向膜55。
屏蔽電極112係具有複折射構造體112a及被覆部112b。
被覆部112b係以平面視之，為副畫素範圍的緣部，藉由液晶層13等，於與TFT元件22、資料線23及掃描線24重疊的範圍，以平面視之，形成呈幾近格子狀，圍繞副畫素範圍。
如以上所成，經由本實施形態之附有輸入機能之液晶顯示裝置110，可達到與上述實施形態同樣的作用、效果，經由屏蔽電極112作為遮光膜加以工作，亦可達到零件點數的削減及製造工程的簡略化。
然而，本發明乃非僅限定於上述實施形態，在不超脫本發明要點之範圍內，可加上種種之變更。
例如，藉由將屏蔽電極設置於對向基板的端部之基板間導通構件，經由與元件基板導通，雖可固定屏蔽電極的電位，只要固定屏蔽電極的電位的話，使用其他方法亦可。
又，雖使屏蔽電極以具有A1等光反射性導電材料加以構成，但亦可例如以具有Cr(鉻)等光吸收性導電材料加以構成。由此，以屏蔽電極吸收遮蔽的光線，可防止反射所造成顯示品質的劣化。
然後，元件基板亦與對向基板相同，於液晶層側設置具有導線網構造之複數的複折射構造體，於元件基板的外面，作為不配置偏光板加以構成亦可。
又，附有輸入機能之液晶顯示裝置，係畫素電極及共通電極雖具有FFS方式的電極構造，採用IPS(In-Plane Switching)方式等、所謂用橫電場方式的其他電極構造亦 可。
然後，附有輸入機能之液晶顯示裝置雖為透過型的液晶顯示裝置，但作為反射型或半透過反射型的其他液晶顯示裝置的構成亦可。又，不限定於彩色液晶顯示裝置。
又，作為具備附有輸入機能液晶顯示裝置之電子機器，係不限定可攜型個人電腦、可為攜帶電話機或PDA(Personal Digital Assistant：攜帶資訊機器)、個人電腦、筆記型個人電腦、工作站、數位相機、車用監視器、汽車導航裝置、抬頭式顯示器、數位攝影機、電視受像機、觀景型或監視直視型的錄影機、呼叫器、電子筆記本、計算機、電子書或投影機、文字處理機、電視電話、銷售點終端機、具備觸摸面板機器等其他電子機器。
1，110‧‧‧附有輸入機能液晶顯示裝置
11‧‧‧元件基板 (第1基板)
12，111‧‧‧對向基板(第2基板)
13‧‧‧液晶層
15‧‧‧檢出電極
17‧‧‧介電質膜
18‧‧‧檢出手段
21‧‧‧畫 素電極(另一方的電極)
43‧‧‧共通電極(其他的電極)
52 、112‧‧‧屏蔽電極(屏蔽導體)
52a，112a‧‧‧複折射構造體
112b‧‧‧被覆部
[圖1]顯示第1實施形態之附有輸入機能液晶顯示裝置之概略截面圖。
[圖2]圖1之等價電路圖。
[圖3]係顯示副畫素範圍之平面構成圖。
[圖4]圖3之A-A線箭頭的截面圖。
[圖5]具備可攜型個人電腦的斜視圖。
[圖6]顯示第2實施形態之附有輸入機能液晶顯示裝置之概略截面圖。
1‧‧‧附有輸入機能液晶顯示裝置
11‧‧‧元件基板(第1基板)
12‧‧‧對向基板(第2基板)
13‧‧‧液晶層
15‧‧‧檢出電極
16‧‧‧偏光板
17‧‧‧介電質膜
21‧‧‧畫素電極(另一方的電極)
21a‧‧‧框部
21b‧‧‧帶狀部
22‧‧‧TFT元件
23‧‧‧資料線
24‧‧‧掃描線
31‧‧‧基板本體
32‧‧‧基材保護膜
33‧‧‧閘極絕緣膜
34‧‧‧第1層間絕緣膜
35‧‧‧第2層間絕緣膜
36‧‧‧第3層間絕緣膜
37‧‧‧配向膜
41‧‧‧半導體層
41a‧‧‧通道領域
41b‧‧‧源極範圍
41c‧‧‧汲極領域
42‧‧‧連接電極
43‧‧‧共通電極(其他的電極)
43a‧‧‧開口部
51‧‧‧基板本體
52‧‧‧屏蔽電極(屏蔽導體)
52a‧‧‧複折射構造體
53‧‧‧遮光膜
54‧‧‧彩色濾光片層
55‧‧‧配向膜
H1，H2，H3‧‧‧連接孔

Claims (4)

  1. 一種附有輸入機能之顯示裝置，其特徵乃具備：設置驅動液晶層之一對之電極的第1基板、和備有隔著該第1基板與前述液晶層對向配置，於該液晶層側固定電位之同時，具有配置呈條紋狀之複數之複折射構造體之屏蔽導體的第2基板、和層積於前述第2基板之外面而設置之檢出電極及介電質膜、和檢出藉由該介電質膜，形成於與前述檢出電極間之靜電電容之形成位置的檢出手段；前述屏蔽導體，對於入射至該屏蔽導體之光而言，透過朝向對於前述複折射構造體之延伸存在方向略正交之方向而振動之偏光光線，且反射朝向對於前述折射構造體之延伸存在方向略平行之方向而振動之偏光光線者。
  2. 如申請專利範圍第1項之附有輸入機能之顯示裝置，其中，前述屏蔽導體乃具備構成遮光膜之被覆部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之附有輸入機能之顯示裝置，其中，前述屏蔽導體乃以光反射性材料加以構成者。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之附有輸入機能之顯示裝置，其中，前述屏蔽導體乃以光吸收性材料加以構成者。
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