TWI438049B - 利用雷射形成金屬薄膜的裝置及方法 - Google Patents

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Description

利用雷射形成金屬薄膜的裝置及方法
本發明係一種形成金屬薄膜的裝置及方法，尤其涉及在切割液晶顯示器的金屬圖案時，利用雷射在上部的絕緣膜上形成槽，在槽之間形成用於連接切斷部位金屬薄膜的金屬薄膜形成裝置及方法。
近來，因半導體產業的飛速發展及技術開發，液晶顯示器趨向於小型化、重量輕，其性能也更加強大。
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有小型化、輕量化、電力低消耗等優點，安裝在諸多資訊處理機器中。
液晶顯示器，通常施加電壓到液晶的特定分子排列中改變其他分子排列，通過這樣的分子排列發光的液晶單元的複折射性、顯光性、2色性及光閃射特性等光學性質的變化轉化為視覺變化，利用液晶單元的光的變化進行顯示。液晶顯示裝置由以下步驟完成：伴隨構成圖元的液晶單元生成步驟的面板的上板及下板製造步驟；用於液晶取向的液晶取向膜步驟及摹拓(Rubbing)步驟；上板及下板連接步驟；在連接的上板及下板之間注入液晶的步驟。通過上述步驟完成的液晶顯示裝置形成金屬圖案(例如，資料線或共同電極線)，具有導電性。但是，這樣的金屬圖案具有會發生開路(open)或短路(short)等缺點。通常，因為圖案流失，缺陷和圖案之間的短路發生點缺陷時，根據其分佈、個數及類型有允許的等級，但是只要有一個上述的線缺陷也會失去作為產品的價值，因此對此進行修補步驟顯得尤為重要。此時，作為修補方法之一，在發生缺陷之液晶顯示面板的玻璃基板上極少部分注入金屬氣體後，在此照射雷射修補缺陷部位的雷射化學氣相沈積(Chamical Vaour Deposition，CVD)。第一圖是根據現有技術的薄膜形成裝置的概略圖。薄膜形成裝置包括：氣體供給部1，將修補用的金屬原材料以氣體形態供給；雷射器5，用於光分解上述氣體供給部噴射的氣體照射；光學部4，用於調節從上述雷射器發生的雷射的路徑和焦點；腔室7，對從上述光學部4發出的雷射和從上述氣體供給部1供給的氣體進行光分解；控制部6，控制上述氣體供給部1、光學部4、雷射器5。具有上述構造的薄膜形成裝置由以下原理修補線路開路。製造液晶顯示器的步驟中完成陣列(array)步驟後，進行陣列測試步驟，進行陣列測試步驟時，如果檢測出資料線路開路不合格時，為了修補使用薄膜形成裝置，首先，基板8裝載到裝置中，上述光學部4移動到發生不合格的座標上，上述雷射器5照射脈衝狀的雷射，形成裸露金屬線路一定表面的控制(contact)槽後，照射連續波雷射。此時，供給儲藏在氣體供給部1的金屬氣體和惰性氣體後混合原料氣體，起光分解作用，在開路的資料線路範圍內沈積金屬原料來連接開路的部分。但是上述現有技術方法有如下缺點。照射雷射時係使用掃描方式(移動雷射器進行照射的方式)，不僅施工時間長，發生缺陷的領域之間如果有異物就很難進行薄膜沈積。
並且，還存在以下問題：在基準的薄膜上形成薄膜的過程中，由於段差(thickness difference)，而階梯覆蓋(step coverage)變差或者產生通孔，而在清洗時水份被浸透。
另外，存在當重疊區域的厚度過厚時，薄膜因凝聚力降低而會薄膜脫落的現象。
還有，存在由於薄膜的黏接力較弱而電阻形成得較高，或者在以後的清洗步驟中薄膜會脫落的現象。
為解決上述問題，本發明提供一種金屬薄膜形成裝置及方法，其目的在於，提供一種根據加工目標物的形狀和大小形成雷射光束且形成金屬薄膜的金屬薄膜形成裝置及利用該裝置而形成金屬薄膜的方法。
另外，本發明的目的在於，提供一種在產生缺陷的區域之間有異物時，迂迴形成金屬薄膜，連接開路部分的方法。
此外，本發明的目的在於，提供一種即時地檢測薄膜形成過程的金屬薄膜形成裝置。
並且，本發明的目的在於，在薄膜形成時使雷射光束一次性照射成所希望的圖案而縮短作業時間。
並且，本發明的目的在於，均勻照射雷射光束的強度，以不要產生由段差引起的階梯覆蓋(step coverage)，並形成一定厚度的薄膜。
並且，本發明的目的在於，不產生由段差引起的通孔(via hole)。
另外，本發明的目的在於，在形成薄膜時將雷射光束增大，使光束強度均勻地分佈在所屬區域內的方式照射，使薄膜的厚度均勻。
並且，本發明的目的在於，形成薄膜時調節雷射光束的強度及時間，並調節黏接力的強度使薄膜不會脫落。
本發明提供一種金屬薄膜形成裝置，包括：雷射振蕩器；光束形成部件，使上述雷射振蕩器發出的雷射光束平坦，根據加工目標物調整照射的光束的形狀和大小；腔室，與上述加工目標物隔著一定間隔，利用金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體在加工目標物形成金屬薄膜；氣體供應部，提供上述金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體；排氣部，形成薄膜後排出殘留氣體。
其中，上述雷射振蕩器包括：第一雷射振蕩器，用於消除加工目標物的絕緣膜、有機膜、金屬膜或殘留層而形成槽；第二雷射振蕩器，在上述槽內部形成金屬薄膜並連接槽之間的金屬薄膜。
其中，第一雷射振蕩器產生脈衝波狀雷射，第二雷射振蕩器產生連續波狀雷射。
其中，上述第一雷射振蕩器和第二雷射振蕩器具有用於控制雷射能量的光束調整裝置。
其中，上述第一雷射振蕩器產生紅外線雷射、可視光線雷射或紫外線雷射。
其中，上述第二雷射振蕩器產生比藍色紫外線(blue－violet)波長短的雷射。
其中，上述第一雷射振蕩器和第二雷射振蕩器安裝在同一光軸上。
其中，上述光束形成部件包括將雷射光束能量分佈變換為平頂狀的光束整形器和調整光束大小、形態的光束狹縫。
其中，上述光束狹縫包括調整光束大小的4個刀片(blade)和調整光束形態的多個掩模圖案。
其中，上述光束整形器包括擴大光束大小的光束擴束器和使光束能量分佈均勻的均化器。
其中，該金屬薄膜形成裝置還包括即時監測步驟狀態的監測器。
其中，上述監測裝置包括自動調整雷射焦點的焦點調整部和CCD攝像機。
本發明還提供一種金屬薄膜形成方法，當沈積於基板上的金屬圖案被截斷時連接被截斷的金屬圖案，其方法包括：照射第一雷射消除在金屬圖案上形成的絕緣膜，形成能在金屬圖案上沈積薄膜的第一連接槽和第二連接槽的步驟；照射第二雷射在上述槽填充金屬薄膜的步驟；照射上述第二雷射在上述槽之間形成金屬薄膜而連接的步驟。
其中，上述第一雷射為紅外線雷射、可視光線雷射或者紫外線雷射中的任一個，上述第二雷射為比藍色紫外線波長短的雷射。
其中，形成上述槽的步驟，調整雷射輸出在形成槽時，使金屬圖案融化的同時被黏貼在槽壁上。
其中，形成上述槽的步驟或在槽填充金屬薄膜的步驟，依次照射雷射或者利用掩模圖案同時照射，以形成槽或在槽填充金屬薄膜。
其中，連接上述連接槽的步驟包括直接連接第一、第二連接槽或者纏繞連接第一、第二連接槽的步驟。
其中，連接上述連接槽的步驟，一邊移動雷射一邊照射，或者使雷射強度均勻、增大光束強度並通過掩模而連接成掩模形狀。
其中，該金屬薄膜形成方法還包括當形成金屬薄膜的區域周圍有導電性物質時，照射第一雷射以切削導電性物質的步驟。
其中，切削步驟，按照維持雷射強度均勻且增大光束大小通過掩模的方法，照射雷射切削成掩模形狀。
本發明還提供一種金屬薄膜形成方法，當沈積到基板上的金屬圖案被切斷時，連接被切斷的金屬圖案，包括：照射第一雷射以消除要連接金屬圖案的部位氧化膜的步驟；照射第二雷射在上述氧化膜被消除的部分上形成槽，並在所形成的槽上填充金屬薄膜的步驟；照射第二雷射在填充上述金屬薄膜槽之間形成金屬薄膜連接的步驟。
其中，形成上述金屬薄膜連接的步驟，包括連接直接或纏繞連接消除氧化膜部分之間的步驟。
其中，照射上述雷射的步驟，一邊移動雷射一邊照射，或者使雷射強度均勻、增大光束大小並藉由掩模以掩模形狀照射雷射。
本發明具有以下有益效果：根據本發明，用一次雷射照射形成連接槽並形成金屬薄膜，而能縮短連接金屬圖案所需的時間。
另外，根據本發明，纏繞連接連接槽，由此在不合格部位存在異物時也能連接短路部分。並且，還能防止纏繞連接時產生薄膜沈積現象。
根據本發明，在生成連接槽時不僅可以消除絕緣膜、還可以熔化金屬圖案、金屬薄膜完全覆蓋沈積在槽表面金屬的方式，提高黏接可靠性，減少金屬圖案形成的金屬薄膜之間的阻力。
根據本發明，可防止產生段差和通孔。
根據本發明，使用光束形成部件維持光束輸出均勻，且根據照射物件加工成多種形狀。
最後，根據本發明，在金屬圖案上未形成絕緣膜時也能消除形成在金屬圖案上的氧化膜，可提高金屬薄膜沈積時的黏接力。
本發明的金屬薄膜形成裝置包括：雷射振蕩器；光束形成部件，使上述雷射振蕩器發出的雷射光束平坦，調整根據加工目標物而照射的光束的形狀和大小；腔室，與上述加工目標物隔著一特定的間隔，並利用金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體在加工目標物上形成金屬薄膜；氣體供給部，提供上述金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體；以及排氣部，用以在薄膜形成後排出殘留氣體。
並且，本發明之金屬薄膜形成的方法，當沈積到基板上的金屬圖案被截斷時，連接被截斷的金屬圖案，該方法包括：照射第一雷射而消除形成在金屬圖案上的絕緣膜，且形成可在金屬圖案上沈積薄膜的第一連接槽和第二連接槽的步驟；照射第二雷射而在上述槽填充金屬薄膜的步驟；照射上述第二雷射而在上述槽之間形成金屬薄膜而連接的步驟。
下面參照附圖對本發明的實施例及構成進行詳細說明。
第二圖是本發明金屬薄膜形成裝置的概略圖。
如圖所示，本發明的金屬薄膜形成裝置包括：雷射振蕩器10a、10b，發出雷射光束；光束形成部件20，將上述雷射光束根據不合格部位的大小進行擴大和調整；腔室30，具備經由上述光束的光學窗，可收納對消除不良的部分形成薄膜的物質；光學部件12、13、15，調節上述光束的路徑照射基板；監測裝置50，即時監測在薄膜沈積是否準確地在所需的部位上形成。
上述雷射振蕩器包括第一雷射振蕩器10a和第二雷射振蕩器10b。
上述第一雷射振蕩器10a發出紅外線雷射、可視光雷射或紫外線雷射，第二雷射振蕩器10b發出波長比藍色紫外光短的雷射或紫外線雷射。
上述光束形成部件20包括光束整形器(beam shaper)21a、21b及光束狹縫(beam slit)22。上述光束狹縫22用於調節光束的大小和形狀，可根據步驟調節各種光束大小和形狀。調節光束的大小時，移動X軸、Y軸電機，調節各軸2個共4個刀片來調節光束的大小，調節形狀時，可根據步驟來選擇所需的掩模而調節所希望的形狀。
上述光束整形器21a、21b由擴大從雷射振蕩器10射出的雷射光束的大小的擴束器(beam expander)和使雷射能量(energy)分佈均勻的均化器(homogenizer)組成。從雷射振蕩器發出的初始光束以小的高斯分佈(Gaussian)形狀其能量集中到中央，這樣的光束不適合一次性照射在寬區域，因此利用光束形成部件20將光束放大後使其平坦，將加工部位放大成一次性照射的大小。
上述光束狹縫22用於將由光束整形器21擴大平坦化的光束根據不合格部分的大小分解光束。
第三圖是通過光束形成部件之光的形態。第三圖的(a)是通過光束整形器21a、21b前和通過後的比較圖。(a)的右圖是通過前的圖形曲線，可知是高斯曲線(Gaussian Curve)分佈。從左圖可以看到通過光束整形器21a、21b後光束能量分佈的圖形能量分佈模樣均勻。第三圖的(b)是光束狹縫22的使用例。根據要照射部位即加工目標物的大小，上下左右移動刀片31來調整狹縫的大小。
並且，根據步驟選擇掩模，上述掩模可根據加工目標物的形狀進行各種變換。第十一圖是掩模的各種實施例，具體的說明將後述。
上述監測器50包括：顯示步驟過程的電荷耦合器(charge－coupled Device,CCD)攝像機51和自動調整照射到基板40上的雷射的焦點的焦點調整部52。
下面簡述說明由上述結構形成金屬薄膜的過程。
從第一雷射振蕩器10a發出的雷射光束在金屬圖案上的絕緣膜上穿孔。上述絕緣膜可以是SiNx、SiO2等絕緣膜，由有機膜、金屬膜、殘留膜(下面稱作絕緣膜)等代替絕緣膜時也相同。存在這樣的絕緣膜的時候消除即可，沒有絕緣膜的時候可省略以上過程。但即使沒有沈積金屬圖案絕緣層，由於金屬的氧化等原因，形成的金屬薄膜未必良好，因此較佳的是將上述雷射照射到金屬圖案消除氧化膜。
形成連接槽後，腔室注入金屬氣體和惰性氣體的混合氣體，照射第二雷射，連接槽填充金屬薄膜。填充連接槽之後在連接槽之間沈積薄膜連接開路的金屬圖案。
第四圖是利用上述裝置連接開路的金屬圖案的方法流程圖。
首先在形成薄膜在開路的金屬圖案上形成兩個連接槽S40，在上述連接槽注入金屬氣體且完全填充連接槽S41，在上述兩個連接槽之間形成金屬薄膜連接S42，藉由這樣的步驟形成金屬薄膜，連接被開路的部分。形成薄膜後，在薄膜區域周邊存在導電性物質膜(ITO/IZO)時，照射雷射可達到絕緣目的，分離薄膜和周邊的導電性物質S43。
參照第五圖至第十圖(附件一至六)詳細說明上述第四圖的步驟。
第五圖是利用從振蕩器發出的紅外線、可視光線或紫外線雷射器10形成連接槽44的過程。
如圖所示，加工目標物在玻璃基板40上沈積金屬圖案41，在其之上沈積絕緣膜42。
上述金屬圖案41較佳的是將其連接，開路時要將其連接，但絕緣膜42沈積在金屬圖案41上，因此不能直接連接，必須在絕緣膜42等進行穿孔。
為連接形成兩個槽44，必須一邊移動雷射器10一邊照射，可先形成一個之後再形成第二個槽，或維持雷射光束強度均勻，增大光束大小，通過掩模一次性照射形成兩個槽。通過上述第二圖可知光束形成部件可使光束大小增大，因此可進行以上方式。
此時調整雷射輸出而形成槽時，金屬圖案41被熔化的同時沈積到槽壁部。即，形成槽時不僅消除絕緣膜42且在金屬圖案41上也形成槽。
第五圖的(a)是截面圖，顯示從第五圖的(b)上部觀察的形狀。觀察(b)時，可以看出兩個連接槽44、在連接槽之間開路的部分45以及在金屬圖案41周圍廣闊分佈的導電性物質43。
第六圖顯示在上述中形成的連接槽44沈積金屬薄膜，填充到槽。
將金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體注入到具有光學窗的腔室，利用第二雷射振蕩器照射雷射將金屬13填充到槽44裏。
如圖所示，照射雷射器11將注入到腔室內的金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體填充到槽中。此時可使用藍色雷射和紫外線雷射。
形成上述槽的步驟中，將金屬圖案熔化沈積到槽44表面的金屬部，利用雷射覆蓋完全填充覆蓋薄膜。由此提高黏接可靠性，減少金屬圖案41和金屬薄膜46之間的阻力。
第六圖(b)中可以確認在槽部形成金屬薄膜46。
第七圖是在上述連接槽44之間沈積薄膜連接的過程。
如在槽44中填充金屬薄膜46，照射藍色雷射或紫外線雷射12，在連接槽44之間形成金屬薄膜，連接兩個連接槽。
此時根據不合格部位可直接連接，也可以迂迴連接。尤其在缺陷部位有殘留物時優選的是迂迴連接。此時如上所述，移動(掃描)雷射器照射，或維持雷射光束強度均勻，將光束大小增大，固定光學裝置一次性照射雷射(整塊輻射方式)以通過掩模，可藉由光束形成部件來擴大光束大小。第七圖(a)顯示以掃描方式照射沈積薄膜，第七圖(b)和(c)顯示使用掩模沈積薄膜。
以掃描方式迂迴連接時，如圖(a)所示在折斷的部分產生重疊區域47。在同一部位照射兩次雷射，因此形成的薄膜比其他部位較厚且產生段差。但是使用掩模一次性進行沈積，不僅解決重疊問題而且可縮短作業步驟所需的時間。直接連接時也可利用狹縫或掩模調整所照射雷射光束的大小，並一次性照射有利於縮短步驟時間。
經過上述的步驟而完成金屬薄膜形成，開路的金屬圖案41被連接。
形成薄膜後，薄膜區域周邊存在導電性物質時，要將導電性物質和金屬薄膜進行絕緣。
第八圖是金屬薄膜和導電性物質的絕緣圖。第八圖(a)顯示以掃描方式照射雷射，第八圖(b)顯示以整塊輻射方式照射雷射。
即，完成薄膜沈積後，使用紅外線雷射、可視光或紫外線雷射11照射薄膜周圍而切削導電性物質。從圖中可確認金屬薄膜46和導電性物質43之間被切削分離的部分48。
以上述金屬薄膜和導電性物質的絕緣為目的的雷射光束照射中也可以使用維持雷射光束強度均勻且增大光束大小通過掩模的方法。
第九圖及第十圖為本發明的另一實施例，既沒有絕緣膜時連接被開路的金屬圖案。第十圖(a)顯示以掃描方式照射雷射的，第十圖(b)顯示出了以整塊輻射方式照射雷射。
即使沒有絕緣膜，金屬圖案41也被氧化，因此不易採取直接沈積薄膜連接的方法。利用紅外線雷射11切削金屬圖案41的一定區域形成連接槽。
切削上述金屬圖案41之後，將金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體注入到腔室，照射藍色雷射或紫外線雷射12，填充上述連接槽，連接槽之間。
雷射照射方式可以使用如上述的掃描方式，也可以使用維持雷射光束的強度均勻且增大光束大小，並藉由設有圖案的掩模來照射所需形狀的方式。
第十一圖(附件七)是本發明掩模圖案的多種圖形的實施例。
(a)顯示形成連接槽或將金屬薄膜填充到槽時使用的掩模，(b)顯示迂迴連接連接槽之間接的形狀，(c)顯示出了用於直接連接的形狀。(d)顯示用於分離金屬薄膜和周圍導電性物質的圖案的實施例。(e)顯示在金屬薄膜上形成氮化物(nitride)膜等的較寬區域照射雷射時掩模圖案的實施例。
如上所述，掩模的形狀根據形成槽或連接槽等步驟進行變更和選擇。在連接槽之間時也根據直接連接或纏繞連接的方式選擇掩模圖案的形狀。
根據本發明，用一次雷射照射形成連接槽並形成金屬薄膜，而能縮短連接金屬圖案所需的時間。
另外，根據本發明，纏繞連接連接槽，由此在不合格部位存在異物時也能連接短路部分。並且，還能防止迂迴連接時產生薄膜重疊現象。
根據本發明，在生成連接槽時不僅可以消除絕緣膜、還可以熔化金屬圖案、金屬薄膜完全覆蓋沈積在槽表面金屬的方式，提高黏接可靠性，減少金屬圖案形成的金屬薄膜之間的阻力。
根據本發明，可防止產生段差和通孔。
根據本發明，使用光束形成部件維持光束輸出均勻，且根據照射物件加工成多種形狀。
最後，根據本發明，在金屬圖案上未形成絕緣膜時也能消除形成在金屬圖案上的氧化膜，可提高金屬薄膜沈積時的黏接力。
1．．．氣體供給部
2．．．儲存部
3．．．儲存部
4．．．光學部
5．．．雷射器
6．．．控制部
7．．．腔室
8．．．基板
10．．．雷射器
10a、10b．．．雷射振蕩器
11．．．照射雷射器
12、13、15．．．光學部件
12．．．雷射
13．．．金屬
20．．．光束形成部件
21．．．光束整形器
21a、21b．．．光束整形器
22．．．光束狹縫
30．．．腔室
40．．．基板
41．．．金屬圖案
42．．．沈積絕緣膜
43．．．導電性物質
44．．．連接槽
45．．．連接槽之間開路的部分
46．．．金屬薄膜
47．．．重疊區域
48．．．切削分離的部分
50．．．監測裝置
51．．．CCD攝像機
52．．．焦點調整部
S40．．．在形成薄膜而開路的金屬圖案上形成兩個連接槽
S41．．．注入金屬氣體且完全填充連接槽
S42．．．兩個連接槽之間形成金屬薄膜連接
S43．．．形成金屬薄膜連接被開路的部分，形成薄膜後，在薄膜區域周邊存在導電性物質膜時，照射雷射可達到絕緣目的，分離薄膜和周邊的導電性物質
第一圖係現有技術中金屬薄膜形成裝置的組成圖。
第二圖係本發明金屬薄膜形成裝置的結構示意圖。
第三圖係本發明經由光束形成部件前後的光束形狀比較圖。
第四圖係本發明形成金屬薄膜步驟的流程圖。
第五圖係本發明形成連接槽的示意圖。
第六圖係本發明連接槽填充金屬薄膜的示意圖。
第七圖係本發明連接槽間形成金屬薄膜並連接的示意圖。
第八圖係本發明將形成的金屬薄膜和周圍的導電性物質分離的示意圖。
第九圖係本發明金屬圖案上沒有絕緣膜的情況下形成連接槽的示意圖。
第十圖係本發明對連接槽間形成金屬薄膜的示意圖。
第十一圖係表示基於本發明掩模的各種實施例的示意圖。
【附件說明】
附件一為第五圖之彩色示意圖。
附件二為第六圖之彩色示意圖。
附件三為第七圖之彩色示意圖。
附件四為第八圖之彩色示意圖。
附件五為第九圖之彩色示意圖。
附件六為第十圖之彩色示意圖。
附件七為第十一圖之彩色示意圖。
S40．．．在形成薄膜而開路的金屬圖案上形成兩個連接槽
S41．．．注入金屬氣體且完全填充連接槽
S42．．．兩個連接槽之間形成金屬薄膜連接
S43．．．形成金屬薄膜連接被開路的部分，形成薄膜後，在薄膜區域周邊存在導電性物質膜時，照射雷射可達到絕緣目的，分離薄膜和周邊的導電性物質

Claims (22)

  1. 一種金屬薄膜形成裝置，其包括：雷射振蕩器；光束形成部件，使上述雷射振蕩器發出的雷射光束平坦，該光束形成部件包括光束狹縫，該光束狹縫具有4個刀片以及複數個掩模圖案，根據加工目標物調整照射光束的形狀和大小；腔室，與上述加工目標物隔著一定間隔，利用金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體在加工目標物上形成金屬薄膜；氣體供應部，提供上述金屬氣體和惰性氣體混合後的氣體；排氣部，其係在形成薄膜後排出殘留氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述雷射振蕩器包括：第一雷射振蕩器，用於消除加工目標物的絕緣膜、有機膜、金屬膜或殘留層而形成槽；第二雷射振蕩器，在上述槽內部形成金屬薄膜並連接槽之間的金屬薄膜。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的金屬薄膜形成裝置，其中該第一雷射振蕩器產生脈衝波狀雷射，該第二雷射振蕩器產生連續波狀雷射。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述第一雷射振蕩器和第二雷射振蕩器具有用於控制雷射能量的光束調整裝置。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述第一雷射振蕩器產生紅外線雷射、可視光線雷射或紫外線雷射。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述第二雷射振蕩器產生比藍色紫外線(blue-violet)波長短的雷射。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述第一雷射振蕩器和第二雷射振蕩器安裝在同一光軸上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述光束形成部件進一步包括將雷射光束能量分佈變換為平頂狀的光束整形器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述光束整形器包括擴大光束大小的光束擴束器和使光束能量分佈均勻的均化器。
  10. 如申請專利範圍第1至9項任一項所述的金屬薄膜形成裝置，其尚包括即時監測步驟狀態的監測器。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的金屬薄膜形成裝置，其中上述監測裝置包括自動調整雷射焦點的焦點調整部和電荷耦合器(CCD)攝像機。
  12. 一種利用申請專利範圍第1至11項任一項所述的金屬薄膜形成裝置來形成金屬薄膜的方法，其係當沈積於基板上的金屬圖案被截斷時連接被截斷的金屬圖案，其方法包括： 照射第一雷射消除在金屬圖案上形成的絕緣膜，形成能在金屬圖案上沈積薄膜的第一連接槽和第二連接槽的步驟；照射第二雷射在上述槽填充金屬薄膜的步驟；照射上述第二雷射在上述槽之間形成金屬薄膜而連接的步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的金屬薄膜形成方法，其中上述第一雷射為紅外線雷射、可視光線雷射或者紫外線雷射中的任一個，上述第二雷射為比藍色紫外線短波長的雷射。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的金屬薄膜形成方法，其中形成上述槽的步驟，調整雷射輸出在形成槽時，使金屬圖案融化被黏貼在槽壁上。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的金屬薄膜形成方法，其中形成上述槽的步驟或在槽填充金屬薄膜的步驟，依次照射雷射或者利用掩模圖案同時照射，以形成槽或在槽填充金屬薄膜。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的金屬薄膜形成方法，其中連接上述連接槽的步驟包括直接連接第一、第二連接槽或者迂迴連接第一、第二連接槽的步驟。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的金屬薄膜形成方法，其中連接上述連接槽的步驟，係一邊移動雷射一邊照射，或者使雷射強度均勻、增大光束強度並通過掩模而連接成掩模形狀。
  18. 如申請專利範圍第12至17項中的任一項所述的金屬薄膜形成方法，其尚包括形成薄膜的區域周圍有導電性物質時，照射第一雷射切削導電性物質的步驟。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的金屬薄膜形成方法，其中切削步驟，按照維持雷射強度均勻且增大光束大小通過掩模的方法，照射雷射切削成掩模形狀。
  20. 一種利用申請專利範圍第1至11項任一項所述的金屬薄膜形成裝置來形成金屬薄膜的方法，其係當沈積到基板上的金屬圖案被切斷時，連接被切斷的金屬圖案，該方法包括：照射第一雷射消除接金屬圖案的要連接部位氧化膜的步驟；照射第二雷射在上述氧化膜被消除的部分上形成槽，並在所形成的槽上填充金屬薄膜的步驟；照射第二雷射在填充上述金屬薄膜槽之間形成金屬薄膜而連接的步驟。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的金屬薄膜形成方法，其中形成上述金屬薄膜連接的步驟，包括直接連接接或迂迴連接消除氧化膜部分之間的步驟。
  22. 如申請專利範圍第20項所述的金屬薄膜形成方法，其中照射上述雷射的步驟，一邊移動雷射一邊照射，或者使雷射強度均勻、增大光束大小並通過掩模以掩模形狀照射雷射。
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