TWI435185B - 一種曝光圖案形成之方法 - Google Patents

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Description

一種曝光圖案形成之方法
本發明係關於一種微影製程(Lithography Process)，特別係關於一種利用濾光片進行至少一次曝光以形成不同維度或尺寸圖案之微影製程。
微影製程對於多種電子元件之製作而言係為一重要之製程步驟，例如半導體元件、液晶顯示器等。微影製程一般係利用光線透過具有預先設計圖案之光罩，照射至塗佈光阻層之基板上，使對應於光罩上圖案之位置的光阻層被曝光，再將基板浸入顯影液中，移除未曝光之光阻層以形成與光罩上圖案相對應之圖案，或是移除被曝光之光阻層來形成，係以所使用之光阻材質來決定。
以上述之微影製程所製造之圖案於基板上時，由於光阻層於曝光時的環境相同，則在基板上所形成之圖案亦具有相同之維度或尺寸。然，有些電子元件的結構被設計為需要不同維度或尺寸之圖案結構，因此，於此類電子元件之製程中，則需要依照不同維度之圖案進行多次微影製程步驟。舉例而言，當電子元件具有兩種不同維度之圖案結構的時候，則製程步驟就需進行兩次微影製程步驟，係包含於一基板上先旋轉塗佈一厚度之光阻層，接著，將具有圖案之光罩對準放置於對應之光阻層之位置上方後進行曝光，其後，進行顯影(Development)及硬烤(Post-bake)步驟後在基板上會形成第一種維度之圖案。完成了第一種維度之圖案的微影製程之後，才接著進行第二種維度之圖案的微影製程，步驟係為於具有第一種維度之圖案的基板上旋轉塗佈另一厚度之光阻層，接著，再將光罩對準放置於對應於此另一光阻層之位置上方後進行曝光，其後，在進行顯影及硬烤步驟後，則此基板上就會包含第一種維度之圖案及第二種維度之圖案的結構於其中。
然，由上述之製程中可輕易發現製作第一種維度及第二種維度之圖案的微影製程的步驟重複性相當地高，且由於進行了多次的微影製程步驟之故，不但需要很長的製作時間，亦會導致具有此種結構之元件的生產成本相對高昂。
因此，為了解決上述的問題，便發展出利用灰階光罩(Multi Tone Mask)來減少微影製程的步驟。灰階光罩係為一種具有不同種穿透率的圖案區域形成在同一光罩中。請參閱第一圖，係顯示使用一灰階光罩進行一次微影製程之示意圖，其中灰階光罩100中具有第一百分比透光率的圖案區域101以及第二百分比透光率的圖案區域103。例如，若第一百分比透光率之透光率為100%，第二百分比透光率之透光率為X%時，於微影製程的過程中，藉由此灰階光罩100實行曝光的步驟時，則灰階光罩100中具有100%透光率的圖案區域101的部分，光線會百分之百穿透過去，而具有X%透光率的圖案區域103的部分，則僅X%的光線穿透過去。由於所照射的光線強度不同的緣故，塗佈於基板110上方的光阻層會因為光反應的程度不同，而於顯影步驟之後則會產生出不同尺寸的圖案結構，如圖中所示之大尺寸圖案111和小尺寸圖案113。因此，當需要製造出多種不同尺寸之結構時，只需於灰階光罩中設計出相對應之不同透光率的圖案區域，則可僅使用一次微影製程來製造出具有多種不同尺寸的圖案結構於基板上。
此外，可參閱中華民國專利公告案第I245160號，專利名稱為應用灰階技術製作導光板模板之方法，其中揭露利用一灰階光罩進行微影製程，於去除部分光阻層則可於導光板表面上形成複數個高度不一之光阻圖案，再進行熱流(flow)製程使各光阻圖案表面呈現為平滑之球形鏡面。亦可參閱中華民國專利公告案第I309089號，專利名稱為主動元件陣列基板的製造方法，其中揭露利用多重穿透式光罩(灰階光罩的一種)於薄膜電晶體陣列基板上製造閘極、通道層、源極、汲極、保護層以及畫素電極等元件可有效地將原本需要五次微影製程縮減至僅需三次微影製程即可完成來降低製程時間及製造成本。再者，亦可參閱中華民國專利公開案第200907560號，專利名稱為曝光製程、畫素結構的製造方法及其使用的半調式光罩，其中提及由於在大面積玻璃基板進行微影製程時，會因為曝光不均勻所導致光阻圖案尺寸不均勻的問題發生，因此，揭露利用半調式光罩(灰階光罩的一種)進行微影製程則無須修改製程條件即可製造出均勻尺寸之光阻圖案。如上所述，可得知灰階光罩已漸漸廣泛地被使用於微影製程中。
然而，由於灰階光罩需要在用以形成不同維度或尺寸之圖案區域的部分製成具有不同透光率，因此，灰階光罩製造價格非常昂貴，通常比一般光罩高出2~3倍的價錢。也因此，雖然使用灰階光罩可以減少由於多次微影製程所導致之生產成本，但，因為灰階光罩本身的價格高昂之故，對於降低生產成本的效果仍然相當有限。
因此，亟需一種可以有效縮短製造時間亦可有效的降低生產成本之微影製程應用於基板上以形成具有不同維度圖案之光阻結構。
本發明之目的係為提供一種利用一般光罩即可製造不同維度或尺寸圖案之微影製程，並縮短製造時間及生產成本。
本發明之另一目的係為提供一種無需使用灰階光罩即可製造不同維度(或尺寸)圖案之微影製程，用以解決灰階光罩價格昂貴所增加生產成本之問題。
為達上述之目的，本發明係提供一種曝光圖案形成之方法，其包含：提供一基板；形成一光阻層於基板上；將一具有圖案之光罩置於光阻層之上方並對準一相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係移動此具有圖案之光罩對準另一相對應位置；提供至少一濾光片以進行至少一次曝光，其中此濾光片設置於所述具有圖案之光罩上方或下方；以及進行顯影以移除部分之光阻以形成不同維度或尺寸之圖案結構於基板上。
本發明更提供一種彩色濾光片曝光之方法，係包含：提供一彩色濾光片；形成一光阻層於彩色濾光片上；將一具有圖案之光罩至於光阻層上方並對準一相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係移動光罩對準另一相對應位置；至少一濾光片以進行至少一次曝光，其中此濾光片設置一濾光片於所述具有圖案之光罩上方或下方；以及進行顯影以移除部分之光阻層以形成不同維度或尺寸之複數個光阻間隙子結構及複數個多域垂直配向結構於彩色濾光片上。
於本發明之一些實施例中，此濾光片係具有一透光率，其係小於真空；且，此透光率係依據不同維度或尺寸之圖案結構來決定。於本發明之另一些實施例中，此濾光片係包含為氧化鎂基板或氧化鉻基板。此外，於本發明之一些實施例中，光阻層之材質係可依據不同需求使用負光阻材質或正光阻材質。
因此，本發明之優點為利用本發明所揭露之利用濾光片進行曝光以形成不同維度或尺寸圖案之方法係可有效地縮減製程步驟以降低製程時間，更因為節省光罩成本之故，有效地降低了生產成本。
這些優點可從以下較佳實施例之敘述並伴隨後附圖式及申請專利範圍將使讀者得以清楚了解本發明。
本發明將以較佳之實施例及觀點加以詳細敘述，而此類敘述係解釋本發明之結構及程序，只用以說明而非用以限制本發明之申請專利範圍。因此，除說明書中之較佳實施例之外，本發明亦可廣泛實行於其他實施例。
現將描述本發明之細節，其包括本發明之實施例。參考附圖及以下描述，相似參考標號用於識別相同或功能上類似之元件，且期望以高度簡化之圖解方式說明實施例之主要特徵。此外，附圖並未描繪實際實施例之每一特徵，所描繪之圖式元件係皆為相對尺寸而非按比例繪製。
本發明係揭露一種曝光圖案形成之方法，係可無需使用昂貴的灰階光罩或進行多次微影製程步驟，即可於微影製程中製造不同尺寸圖案之方法。如此，可有效地達到縮短製程的時間並降低生產成本之目的。
請參閱第二圖，係顯示本發明之曝光圖案形成之方法流程圖，並搭配第三A~D圖來進行說明。首先，請參閱第二圖中之步驟21，係為提供一基板210。在此需說明的是，基板210會依據不同的電子元件而使用不同的材料。於本發明之一些實施例中，基板210可包含為半導體晶圓或玻璃基板，但並不限於此。於此步驟21中，為了確保後續製程之效果，會先對基板210進行清洗，以清除基板210上之雜質，並會於清洗過後，進行烘烤的動作，以去除殘留於基板210上之水分。
接著，請參閱第二圖中之步驟23並搭配第三A圖來說明，係為形成一光阻層220於基板210上。其中，形成光阻層220於基板210又大致上細分為兩個步驟，分別為光阻塗佈(Coating)步驟及軟烤(Pre-bake)步驟。其中，光阻塗佈步驟即為於基板210上塗佈一厚度之光阻層220，此厚度係根據不同的電子元件製程而有所不同。於本發明之一些實施例中，此光阻塗佈步驟係可由任何習知之塗佈技術來達成，例如：旋轉式塗佈(Spin Coating)、狹縫及旋轉式塗佈(Slit and Spin Coating)、非旋轉式塗佈(Spin-less Coating)或擠壓式塗佈(Die Coating)等。於本實施例中，此光阻塗佈步驟係使用非旋轉式塗佈來達成，以有效降低生產成本。此外，於本實施例中，所使用之光阻材質係為負光阻材質，即其分子鏈於曝光後會發生光反應而被交鏈，因而於顯影時未被曝光之部分會被顯影液溶解而移除，但並不以此為限，亦可採用正光阻材質，其化學特性與上述負光阻相反。而，其中軟烤步驟亦可稱為預烤步驟，此步驟之主要目的係為藉由加熱使光阻中部分溶劑被蒸發，並具有退火(Annealing)的效果可使光阻層220平坦化並增加附著力。
當光阻層220形成於基板210上方後，請接著參閱第二圖之步驟25，係為將具有圖案之光罩300置於光阻層220上方並利用對準標記對準預設之相對應位置以進行至少二次曝光，且其中至少一次曝光係水平移動此具有圖案之光罩300對準另一相對應位置。其中，光罩300係以一般光罩材質製成。接著，請參閱第二圖之步驟27，至少一濾光片400以進行至少一次曝光，且此濾光片400係設置於光罩300上方或下方。換言之，濾光片400係可介於光源與光罩300間或光罩300與光阻層220間。其中，所述之相對應位置為在光阻層220上形成一維度或尺寸之圖案位置，而，所述之另一相對應位置即為在光阻層220上形成另一維度或尺寸之圖案位置，對於本領域中具有通常知識者而言，應可輕易得知此處所述之位置皆會依據不同的電子元件製程而有所變化。
請參閱第三B圖，於步驟25中，即為於具有光阻層220之基板210上方設置具有圖案之光罩300，並使光罩300上的圖案移動並對準於欲形成至少一維度或尺寸之圖案結構於基板210上之一相對應位置以進行至少二次曝光，且其中一次曝光係移動光罩300至另一相對應位置。於本實施例中，進行所述之曝光步驟所使用的光源係為紫外光線(Ultraviolet Ray)。接著，請參閱第三C圖，於步驟27中，提供至少一濾光片400以進行至少一次曝光，其中係將此濾光片400設置於光罩300之上方或下方。即為完成光罩300對準另一相對應位置之步驟後，會於光罩300上面設置一濾光片400，並透過濾光片400來進行至少一次曝光之步驟。
其中，濾光片400係具有一穿透率，其係小於真空，即為當光線透過濾光片400後，僅會有此穿透率之光線可穿透，因此，會導致至少一次曝光所照射的光線強度不相同，進而使得光阻層220之所述相對應位置的光阻所受到的光反應與所述之另一相對應位置的光阻所受到的光反應的效果不同。於本發明之一些實施例中，此濾光片400係包含為一低穿透率之濾光片。於本發明之另一些實施例中，此濾光片400係包含為氧化鎂(MgO)基板或氧化鉻(Cr2 O3 )基板。其中，對於本領域中具有通常知識者而言，應可輕易得知此處所述之穿透率係可依據所需之維度結構而有所不同，而非被限定於一特定之數值。
在此需說明的是，步驟25及步驟27係為可互換之步驟，即為於本發明之另一實施例中，係可先使用一濾光片400置於光罩300上方並使圖案對準於相對應位置後進行至少一次曝光，再將濾光片移除，並將光罩300移動至另一相對應位置以進行至少另一次曝光。
接著，請參閱第二圖之步驟29，係為進行顯影以移除未曝光之光阻層220來製造不同維度之圖案(221,223)於基板210上。於此步驟中，使用顯影液將未曝光而產生光反應之光阻移除，在此，由於光阻層220上之所述相對應位置與另一相對應位置所受到曝光強度不同之故，因此，於顯影步驟後，請參閱第三D圖，於所述相對應位置上之第一維度光阻結構221則維度會大於位於另一相對應位置上之第二維度光阻結構223。
於本發明之一些實施例中，完成顯影步驟後會再進行兩個步驟，分別為檢測(Inspection)步驟及硬烤步驟。其中，檢測步驟係為於顯影步驟之後，檢查基板210上光阻圖案結構之定位是否正確，或是否仍有其他的缺陷存在。經過檢測步驟，確認顯影步驟後之圖案結構為符合規格之後，則會繼續進行硬烤步驟。硬烤步驟係為微影製程之最後一個步驟，對於完成顯影及檢測步驟後之基板210進行加熱的動作，此步驟之目的係在於將光阻溶劑含量降至最低、增加附著力以避免脫落、增加對酸的抵抗力、以及使邊緣平滑減少如孔隙等缺陷存在。
如上所述，可得知使用本發明之曝光圖案形成之方法，可在不需進行多次微影製程或使用昂貴的灰階光罩即可於微影製程中利用具有一透光率之濾光片進行至少二次曝光對準的方法來達成於基板上形成具有不同圖案維度之結構。
為了更加清楚明瞭本發明之曝光圖案形成之方法的應用，接著，介紹本發明之另一實施例，係利用本發明所揭露之方法應用於製作彩色濾光片之多域垂直配向(Multi-domain Vertical Align，簡稱MVA)結構及光阻間隙子(Photo Spacer，簡稱PS)結構製程之說明。
由於，彩色濾光片之多域垂直配向結構與光阻間隙子結構的尺寸不同之故，傳統上，彩色濾光片之多域垂直配向結構及光阻間隙子結構則需用到兩次微影製程來達成，因此，需要較長的製程時間並生產成本較高。若欲將製程縮短為一次微影製程，則需使用昂貴的灰階光罩來達成，因此，本發明所揭露之利用濾光片進行至少二次以曝光以形成不同維度或尺寸圖案之方法，應用於彩色濾光片之多域垂直配向結構與光阻間隙子結構製程，係可有效地將製程縮短為一次微影製程即可。在此，需說明的是，此實施例僅用以說明本發明之一較佳實施例，而非用以限制本發明之範疇。
請參閱第四圖，係顯示本發明之曝光圖案形成之方法，應用於彩色濾光片曝光之方法流程圖，並搭配第五A~E圖來進行說明。首先，請參閱第四圖中之步驟41，係為提供一彩色濾光片500。其中，請參閱第五A圖，此彩色濾光片500係包含一玻璃基板510，並於玻璃基板510的上方形成黑色矩陣(Black Matrix)結構511。此黑色矩陣結構511係用以形成複數個方框區域於玻璃基板510上，並於黑色矩陣結構511所形成之複數個方框區域中形成彩色層結構，其中彩色層結構則包含紅光色層513、藍光色層515及綠光色層517。由於彩色層結構與黑色矩陣結構511有高低差之故，會於上方覆蓋一被覆(over coat)層519來使彩色濾光片500之表面平坦化。於此步驟中，會先對彩色濾光片500進行表面清潔及乾燥的動作，以確保後續製程之效果。
接著，請參閱第四圖中之步驟43並搭配第五B圖來說明，係為形成一光阻層520於彩色濾光片500上。同樣地，形成光阻層520於彩色濾光片500又可大致上細分為兩個步驟，分別為光阻塗佈步驟及軟烤步驟。其中，光阻塗佈步驟即為於彩色濾光片500上塗佈一厚度之光阻層520，此厚度係根據所需製作之光阻間隙子結構之規格來決定。於本發明之一些實施例中，此光阻塗佈步驟係可由任何習知之塗佈技術來達成，例如：旋轉式塗佈、狹縫及旋轉式塗佈、非旋轉式塗佈或擠壓式塗佈。於本實施例中，此光阻塗佈步驟係使用非旋轉式塗佈來達成，以有效降低生產成本。此外，於本實施例中，所使用之光阻材質係為負光阻材質。於完成光阻塗佈步驟之後，會接著進行軟烤步驟，係用以使光阻層520平坦化並增加附著力。
於光阻層520形成於彩色濾光片500上方之後，請接著參閱第四圖之步驟45，係為將具有圖案之光罩310置於光阻層520上方並利用對準標記對準預設之相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係水平移動光罩310對準另一預設之相對應位置。接著，請參閱第四圖之步驟47，此步驟係為提供至少一濾光片410以進行至少一次曝光，且此濾光片410設置於光罩310之上方或下方。於本實施例中，此相對應位置及另一相對應位置係為欲形成光阻間隙子結構之位置以及多域垂直配向結構之位置。
請參閱第五C圖，於步驟45中，即為於具有光阻層520之彩色濾光片500上設置具有圖案之光罩310，並使光罩310上的圖案移動並對準於欲形成光阻間隙子結構於彩色濾光片500上之位置。完成光罩310對準之步驟後，則接著會進行至少二次曝光之步驟，其中至少一次曝光係移動光罩310對準欲形成多域垂直配向結構之位置。於本實施例中，進行曝光之步驟所使用的光源係為紫外光線。接著，請參閱第五D圖，於步驟47中，提供至少一濾光片410，其中此濾光片410係設置光罩310之上方，並透過此濾光片410來進行至少一次曝光之步驟。於本發明之另一實施例中，此濾光片410亦可設置於光罩310之下方來進行至少一次曝光之步驟。
其中，濾光片410係具有一穿透率，其係小於真空，因此，會導致至少一次曝光所照射的光線強度不相同，進而使得光阻層520於所述相對應位置的光阻所受到的光反應與所述另一相對應位置的光阻所受到的光反應的效果不同。於本發明之一些實施例中，此濾光片410係包含為一低穿透率之濾光片。於本發明之另一些實施例中，此濾光片410係包含為氧化鎂基板或氧化鉻基板。其中，對於本領域中具有通常知識者而言，應可輕易得知此處所述之穿透率係可依據光阻間隙子結構及多域垂直配向結構所需之尺寸規格而有所不同，並非被限定於一特定之數值。
在此需說明的是，步驟45及步驟47係為可互換之步驟，即為於本發明之另一實施例中，係可先使用一濾光片410置於光罩310上方並使圖案對準於欲形成多域垂直配向結構之位置後進行至少一次曝光，再將濾光片移除，並將光罩300移動至光阻間隙子結構之位置以進行至少另一次曝光。
接著，請參閱第四圖之步驟49，係為進行顯影以移除未曝光之光阻層520來製造不同尺寸之多域垂直配向結構523及光阻間隙子結構521於彩色濾光片500上。於此步驟中，使用顯影液將未曝光而產生光反應之光阻移除，在此，由於光阻層520上之所述相對應位置與另一相對應位置所受到的曝光強度不同之故，因此，於顯影步驟後，請參閱第五E圖，於所述相對應位置之光阻間隙子結構521則維度或尺寸會大於位於另一相對應位置之多域垂直配向結構523。
於本實施例中，完成顯影步驟後會再進行兩個步驟，分別為檢測步驟及硬烤步驟。其中，檢測步驟係為於顯影步驟之後，檢查彩色濾光片500上之多域垂直配向結構523及光阻間隙子結構521之定位是否正確，或是有無其他的缺陷存在。經過檢測步驟，確認顯影步驟後之光阻間隙子結構521及多域垂直配向結構523為符合規格之後，則會進行硬烤步驟以使光阻溶劑含量降至最低、增加附著力以避免脫落、增加對酸的抵抗力、以及使邊緣平滑減少如孔隙等缺陷存在。
如上所述，利用本發明之利用濾光片進行至少一次曝光對準製造不同尺寸圖案之方法應用於彩色濾光片中多域垂直配向結構及光阻間隙子結構的製程上，則可有效地縮減製程步驟以降低製程時間，更因為節省光罩成本之故，有效地降低了生產成本。
值得注意的是，對於本領域中具有通常知識者而言，應可輕易得知本發明所揭露之曝光圖案形成之方法係不限定濾光片之使用次數以及曝光次數。
上述敘述係為本發明之較佳實施例。此領域之技藝者應得以領會其係用以說明本發明而非用以限定本發明所主張之專利權利範圍。其專利保護範圍當視後附之申請專利範圍及其等同領域而定。凡熟悉此領域之技藝者，在不脫離本專利精神或範圍內，所作之更動或潤飾，均屬於本發明所揭示精神下所完成之等效改變或設計，且應包含在下述之申請專利範圍內。
100．．．灰階光罩
101．．．具有100%透光率之圖案區域
103．．．具有X%透光率之圖案區域
110．．．基板
111．．．大尺寸圖案
113．．．小尺寸圖案
21．．．提供一基板
23．．．形成光阻層於基板上
25．．．將具有圖案之光罩置於光阻層上方並對準一相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係移動此具有圖案之光罩對準另一相對應位置
27．．．至少一濾光片以進行至少一次曝光，其中此濾光片設置於所述具有圖案之光罩上方或下方
29．．．進行顯影以移除未曝光之光阻層來製造不同維度之圖案於基板上
210．．．基板
220．．．光阻層
300．．．光罩
400．．．濾光片
221．．．第一維度光阻結構
223．．．第二維度光阻結構
41．．．提供一彩色濾光片
43．．．形成光阻層於彩色濾光片上
45．．．將具有圖案之光罩置於光阻層上方並對準一相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係移動具有圖案之光罩對準另一相對應位置
47．．．至少一濾光片以進行至少一次曝光，其中此濾光片設置於所述具有圖案之光罩上方或下方
49．．．進行顯影以移除未曝光之光阻層以製造不同維度之多域垂直配向結構及光阻間隙子結構於彩色濾光片上
500．．．彩色濾光片
510．．．玻璃基板
511．．．黑色矩陣結構
513．．．紅光色層
515．．．藍光色層
517．．．綠光色層
519．．．被覆層
520．．．光阻層
310．．．光罩
410．．．濾光片
521．．．光阻間隙子結構
523．．．多域垂直配向結構
第一圖係顯示使用灰階光罩進行微影製程之示意圖。
第二圖係顯示本發明之曝光圖案形成之方法流程圖。
第三A~D圖係顯示本發明之曝光圖案形成之方法示意圖。
第四圖係顯示本發明之彩色濾光片曝光之方法流程圖。
第五A~E圖係顯示本發明之彩色濾光片曝光之方法示意圖。
41‧‧‧提供一彩色濾光片
43‧‧‧形成光阻層於彩色濾光片上
45‧‧‧將具有圖案之光罩置於光阻層上方並對準一相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係移動具有圖案之光罩對準另一相對應位置
47‧‧‧至少一濾光片以進行至少一次曝光，其中此濾光片設置於所述具有圖案之光罩上方或下方
49‧‧‧進行顯影以移除未曝光之光阻層以製造不同維度之多域垂直配向結構及光阻間隙子結構於彩色濾光片上

Claims (8)

  1. 一種彩色濾光片曝光之方法，係包含：提供一彩色濾光片；形成一光阻層於該彩色濾光片上；將一具有圖案之光罩置於該光阻層上方並對準一相對應位置以進行至少二次曝光，其中至少一次曝光係移動該具有圖案之光罩對準另一相對應位置；提供至少一濾光片以進行至少一次曝光’其中該濾光片設置於該具有圖案之光罩上方或下方；進行顯影以移除部分曝光之該光阻層以形成不同維度之複數個光阻間隙子結構及複數個多域垂直配向結構於該彩色濾光片上；及檢測該彩色濾光片上之該多域垂直配向結構及該光阻間隙子結構之定位是否正確。
  2. 如請求項第1項所述之彩色濾光片曝光之方法，其中該彩色濾光片係包含：一玻璃基板；一黑色矩陣係設置於該玻璃基板上；一彩色層係設置於該黑色矩陣及該玻璃基板上；及一被覆層係覆蓋該黑色矩陣及該彩色層以使表面平坦化。
  3. 如請求項第2項所述之彩色濾光片曝光之方法，其中該彩色層可分為紅光色層、藍光色層及綠光色層。
  4. 如請求項第1項所述之彩色濾光片曝光之方法，其中該濾光片係具有一透光率，其係小於真空。
  5. 如請求項第1項所述之彩色濾光片曝光之方法，其中該透光率依據該多域垂直配向結構及該光阻間隙子結構之尺寸規格來決定。
  6. 如請求項第1項所述之彩色濾光片曝光之方法，其中該濾光片係包含為氧化鎂基板或氧化鉻基板。
  7. 如請求項第1項所述之彩色濾光片曝光之方法，其中該光阻層之材質係為負光阻材質。
  8. 如請求項第1項所述之彩色濾光片曝光之方法，其步驟更包含：進行硬烤步驟以使光阻溶劑含量降至最低、增加附著力以避免脫落、增加對酸的抵抗力、以及使邊緣平滑減少如孔隙等缺陷存在。
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