CN107300836B - 曝光方法和曝光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种曝光方法，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的层结构，曝光方法包括：提供光源、滤光光罩和n个滤光片；其中，滤光光罩上设有不透光区和至少两个滤光区，每个滤光区用于透过至少一种光线，每个滤光区所能透过的光线的波长为离散值，且每个滤光区所能透过的光线的波长不同；每个滤光片用于透过一种光线，n个滤光片透过的光线种类各不相同，n大于或等于2；使用光源依次照射n个滤光片，并依次采用n个滤光片透过的光线，通过滤光光罩对光阻进行n次曝光。本发明还提供了一种曝光装置。发明的方案能够使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差，便于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，提高量产良率。

Description

曝光方法和曝光装置
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及一种曝光方法和曝光装置。
背景技术
在液晶显示面板的制造过程中，需要使用光刻工艺在基板上形成薄膜。光刻工艺包括曝光制程，曝光量不同则最终形成的膜厚不同。
实际产品经常要求所形成的薄膜膜厚具有若干段差。现有技术中经常使用半透光罩制造具有膜厚段差的薄膜。半透光罩上具有若干不同光透过率的区域，穿过不同光透过率的区域的光量不同，光阻上相应位置的曝光量也不同，从而形成膜厚段差。此种方式的膜厚控制不够精确，且在半透光罩已经制造完成后无法进行工艺调试，工艺性较差。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种曝光方法和曝光装置，能够解决现有技术中膜厚控制不精确，且无法进行工艺调试的问题。
一种曝光方法，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的层结构，所述曝光方法包括：提供光源、滤光光罩和n个滤光片；其中，所述滤光光罩上设有不透光区和至少两个滤光区，每个所述滤光区用于透过至少一种光线，每个所述滤光区所能透过的光线的波长为离散值，且每个所述滤光区所能透过的光线的波长不同；每个所述滤光片用于透过一种光线，n个所述滤光片透过的光线种类各不相同，n大于或等于2；使用所述光源依次照射n个所述滤光片，并依次采用n个所述滤光片透过的光线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行n次曝光。
其中，所述光源为紫外光源；所述滤光片有两个，其中一个所述滤光片用于透过紫外光中的G谱线、H谱线或I谱线；另一个所述滤光片用于透过紫外光中的G谱线、H谱线和I谱线中的任意两种。
其中，所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过紫外光中的G谱线、H谱线或I谱线；所述第二滤光区用于透过紫外光中的G谱线、H谱线和I谱线中的任意两种。
其中，两个所述滤光片分别为第一滤光片和第二滤光片，所述第一滤光片用于透过I谱线，所述第二滤光片用于透过G谱线和H谱线；所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过I谱线，所述第二滤光区用于透过H谱线和I谱线；其中，步骤使用所述光源依次照射n个所述滤光片，并依次采用n个所述滤光片透过的光线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行n次曝光包括：使用所述光源照射所述第一滤光片以透过I谱线，并采用所述第一滤光片透过的I谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第一次曝光；使用所述光源照射所述第二滤光片以透过G谱线和H谱线，并采用所述第二滤光片透过的G谱线和H谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第二次曝光。
其中，所述滤光光罩上还设有完全透光区，所述完全透光区与第一滤光区相邻。
其中，所述光阻为负性光阻，所述光阻经两次曝光后形成黑隔垫层。
其中，两个所述滤光片分别为第一滤光片和第二滤光片，所述第一滤光片用于透过I谱线，所述第二滤光片用于透过G谱线和H谱线；所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过I谱线，所述第二滤光区用于透过G谱线；其中，步骤使用所述光源依次照射n个所述滤光片，并依次采用n个所述滤光片透过的光线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行n次曝光包括：使用所述光源照射所述第二滤光片以透过G谱线和H谱线，并采用所述第二滤光片透过的G谱线和H谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第一次曝光；使用所述光源照射所述第一滤光片以透过I谱线，并采用所述第一滤光片透过的I谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第二次曝光。
其中，所述光阻为正性光阻，所述光阻经两次曝光后形成有源层。
一种曝光装置，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的薄膜，所述曝光装置包括：本体及安装于所述本体上的光源、滤光光罩，以及n个滤光片；所述本体还用于承载所述基板；所述光源用于依次照射n个所述滤光片，以透过n种光线，其中每个所述滤光片用于透过一种光线，n大于或等于2；所述滤光光罩位于n个所述滤光片与所述基板之间，所述滤光光罩上设有不透光区和滤光区，所述滤光区用于透过至少一种光线。
其中，每个所述滤光片均具有工作位置与非工作位置，每个所述滤光片均能在所述工作位置与所述非工作位置之间移动。
本发明的方案，通过多次曝光逐步形成薄膜上不同区域的不同膜厚，使得膜厚具有若干段差。此种方式通过逐次形成膜厚，使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差。另外，通过光罩和滤光片同时控制膜厚，即使光罩已经定型，仍可以通过切换滤光片来匹配光罩以再次曝光，有利于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，进而能提高量产良率。
附图说明
为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。
图1是本发明实施例的曝光装置的结构示意图；
图2是本发明实施例的曝光方法的示意性流程框图；
图3～图4是本发明实施例的一种具体曝光工艺示意图；
图5～图6是本发明实施例的另一种具体曝光工艺示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种曝光装置，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的薄膜。所述曝光装置包括但不限于为曝光机。
如图1所示，曝光装置100可以包括本体101及安装于本体101上的光源102、滤光光罩104，以及n个滤光片，图1中仅示意出了滤光片103。其中，本体101是曝光装置100的主要机械承载部件与电气控制中枢，本体101还用于承载基板105，基板105上已经涂覆有光阻。光源102用于提供曝光所用的光线，光源102发出的光线依次照射到n个滤光片上，以透过n种光线，其中每个所述滤光片用于透过一种光线，n大于或等于2。滤光光罩104位于n个滤光片与基板105之间，用于在每个滤光片所过滤的光线的作用下，将滤光光罩104上的图案转印到基板105上。滤光光罩104上设有不透光区和滤光区，所述不透光区用于阻挡任何一种光线通过，所述不透光区可以是至少一个。所述滤光区则用于透过至少两种光线，所述滤光区所述透过的光线可以是单一波长的光线(单一光)，和/或由若干单一波长的光混合而成的光线(混合光)。
本实施例中，每个滤光片均与滤光光罩104配合进行一次曝光，总计进行n次曝光。当前一次曝光完成后，则使光源102照射下一滤光片，并配合滤光光罩104进行下一次曝光，直至n次曝光完成。可选的，每个滤光片均可以具有工作位置与非工作位置，所述工作位置为滤光片能够接收光源102发射光线的位置；所述非工作位置则指滤光片处于闲置状态、不进行滤光的位置。每个所述滤光片均能在所述工作位置与所述非工作位置之间移动。在需要曝光时，滤光片处于所述工作位置；当曝光完成后，滤光片由所述工作位置移动到所述非工作位置，而下一个滤光片则由述非工作位置移动到所述工作位置，准备下一次曝光。由此可以灵活的切换滤光片，以使用各个滤光片与滤光光罩104配合进行n次曝光。在其他实施中，也可以是各个滤光片不动而光源102移动位置，以照射各个滤光片。
本实施例中，光线的种类可以使用波长来划分，两道光线的波长若相同则为同种光线，若不同则为两种光线。其中，每道光线都可以是单一光，也可以是混合光。对于单一光而言，若两道单一光的波长不同则为两种光线；对于混合光而言，只要一道混合光中存在某个单一光的波长，与另一道混合光中的各个单一光的波长不同，就认为这两道混合光属于两种光线。例如，光源102所发射的光可以为紫外光(UV光)，所述紫外光可包括波长约为436nm的G谱线(G line)、波长约为405nm的H谱线(H line)，和波长约为365nm的I谱线(Iline)。其中，G谱线、H谱线和I谱线均为单一光，三道单一光各为一种光线。G谱线、H谱线和I谱线中的任意两个组合可形成三道混合光GH(G，H line)、GI(G，I line)及HI(H，I line)，三道混合光也分别为一种光线。
本实施例中，单个滤光片可透过一种光线，如G谱线、H谱线、I谱线、混合光GH、混合光GI或混合光HI。滤光光罩104上的滤光区可透过至少一种光线，如G谱线、H谱线、I谱线、混合光GH、混合光GI和混合光HI中的至少一种。
现有技术采用半透光罩一次形成膜厚段差，膜厚控制精度较低，无法精确控制薄膜中各个区域的膜厚。而本实施例的曝光装置100，可以根据所要形成的薄膜的膜厚分布情况，分n次进行曝光，逐步形成薄膜上不同区域的不同膜厚，使得膜厚具有段差。此种方式通过逐次形成膜厚，使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差。
优选的，n可以取2，即采用2个滤光片配合同一个滤光光罩104进行两次曝光。具体的，在第一次曝光时，可以使一个滤光片处于工作位置，此滤光片所透过的光线能够通过滤光光罩104的若干滤光区，进而照射到光阻上，对光阻进行曝光；此滤光片所透过的光线被滤光光罩104的不透光区吸收，光阻上对应不透光区的部分曝光量为零。曝光量不同则膜厚不同，因而在第一次曝光结束后，在光阻的部分区域上产生了膜厚段差。
在第二次曝光时，可以使另一滤光片处于工作位置，此滤光片所透过的光线能够通过滤光光罩104的若干滤光区，且此滤光片透过的光线所能通过的滤光区，与第一个滤光片透过的光线所通过的滤光区，可以完全一致、部分一致或者完全不一致。再次进行曝光后，光阻上对应滤光光罩104不同区域的各个部分会进一步产生膜厚段差。
另外，现有技术采用半透光罩一次形成膜厚段差，仅仅是通过光罩来控制膜厚，此种方式在光罩已经制造完成后无法进行工艺调试，工艺性较差。但是本实施例的曝光装置100，是通过光罩和滤光片同时控制膜厚，即使光罩已经定型，仍可以通过切换滤光片来匹配光罩以再次曝光，有利于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，进而能提高量产良率。
以下将描述本发明实施例的曝光方法。通过所述曝光方法的描述，也可以进一步详细理解本发明实施例的曝光装置100的工作原理及优点。
本发明实施例提供了一种曝光方法，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的薄膜。所述曝光方法可以使用上述的曝光装置100进行。
如图2所示，本实施例的曝光方法10包括：
S110，提供光源、滤光光罩和n个滤光片；其中，所述滤光光罩上设有不透光区和滤光区，所述滤光区用于透过至少两种光线；每个所述滤光片用于透过一种光线，n个所述滤光片所透过的光线种类各不相同，n大于或等于2；
S120，使用所述光源依次照射n个所述滤光片，并依次采用n个所述滤光片透过的光线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行n次曝光。
具体的，结合图1所示，S110中的所述光源、所述滤光光罩和n个所述滤光片，可以分别是曝光装置100中的光源102、滤光光罩104，以及n个滤光片。由于上文已对曝光装置100中的各个相关部件做了详细描述，此处不再赘述。
在S120中，每个滤光片均与滤光光罩104配合进行一次曝光，总计进行n次曝光。当前一次曝光完成后，则使光源102照射下一滤光片，并配合滤光光罩104进行下一次曝光，直至n次曝光完成。每次曝光时，光阻上对应滤光光罩104不同的区域的各个部分的曝光量不同，因而导致膜厚差异。通过n次曝光逐步形成薄膜上不同区域的不同膜厚，使得膜厚具有若干段差。
现有技术采用半透光罩一次形成膜厚段差，膜厚控制精度较低，无法精确控制薄膜中各个区域的膜厚。而本实施例的曝光装置100，可以根据所要形成的薄膜的膜厚分布情况，分n次进行曝光，逐步形成薄膜上不同区域的不同膜厚，使得膜厚具有段差。此种方式通过逐次形成膜厚，使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差。
另外，现有技术采用半透光罩一次形成膜厚段差，仅仅是通过光罩来控制膜厚，此种方式在光罩已经制造完成后无法进行工艺调试，工艺性较差。但是本实施例的曝光装置100，是通过光罩和滤光片同时控制膜厚，即使光罩已经定型，仍可以通过切换滤光片来匹配光罩以再次曝光，有利于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，进而能提高量产良率。
本实施例中，后一个滤光片透过的光线所能通过的滤光区，与前一个滤光片透过的光线所通过的滤光区，可以完全一致、部分一致或者完全不一致。再次进行曝光后，光阻上对应滤光光罩104不同区域的各个部分会进一步产生膜厚段差。此将在下文继续详细描述。
进一步的，在S110中，所述光源为紫外光源，所述滤光片有两个；其中一个所述滤光片用于透过紫外光中的G谱线、H谱线或I谱线；另一个所述滤光片用于透过紫外光中的G谱线、H谱线和I谱线中的任意两种。使用紫外光源进行照射，有利于光阻发生光敏反应，便于光阻转印滤光光罩104上的图案。紫外线中，G谱线的波长约为436nm，H谱线的波长约为405nm，I谱线的波长约为365nm。本实施例中，n可以取2，即采用2个滤光片配合同一个滤光光罩104进行两次曝光。
进一步的，在S110中，所述光源为紫外光源，所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区；所述第一滤光区用于透过紫外光中的G谱线、H谱线或I谱线；所述第二滤光区用于透过紫外光中的G谱线、H谱线和I谱线中的任意两种。
进一步的，在本实施例的第一实施方式中，S110中的两个所述滤光片分别为第一滤光片和第二滤光片，所述第一滤光片用于透过I谱线，所述第二滤光片用于透过G谱线和H谱线；所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过I谱线，所述第二滤光区用于透过H谱线和I谱线。相应的，S120可以包括：
使用所述光源照射所述第一滤光片以透过I谱线，并采用所述第一滤光片透过的I谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第一次曝光；
使用所述光源照射所述第二滤光片以透过G谱线和H谱线，并采用所述第二滤光片透过的G谱线和H谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第二次曝光。
具体的，结合图3所示，基板105上预先通过涂布工艺涂覆有待曝光的光阻层30。光阻层30中的光阻可以是负性光阻。光源102可以发射包括G谱线、H谱线和I谱线的紫外光。第一次曝光时，经过第一滤光片11的过滤，G谱线、H谱线被过滤掉，而I谱线得以透过第一滤光片11射入滤光光罩12。滤光光罩12具有不透光区121和125，第一滤光区123，第二滤光区122，以及完全透光区124。不透光区121，第二滤光区122，第一滤光区123，完全透光区124，不透光区125依次相邻。I谱线可透过第一滤光区123，第二滤光区122和完全透光区124，射到光阻层30上。由于第一滤光区123，第二滤光区122和完全透光区124通过的是同样的I谱线，则光阻上分别对应第一滤光区123，第二滤光区122和完全透光区124的部分的曝光量相同；不透光区121和125没有光线透过，则对应不透光区121和125的区域曝光量为零。因而，经过第一次曝光并显影后，光阻层30成为光阻层31，且光阻层31上分别对应第一滤光区123，第二滤光区122和完全透光区124部分的膜厚相同，且大于对应不透光区121和125部分的膜厚。如图3所示，对应不透光区121和125部分的膜厚可以为零，即对应此区域的光阻显影后完全溶解于显影液。因此第一次曝光形成的薄膜具有一个膜厚。
结合图4所示，第二次曝光时，经过第二滤光片13的过滤，I谱线被过滤掉，而G谱线和H谱线得以透过第二滤光片13射入滤光光罩12。G谱线可透过第二滤光区122、G谱线和H谱线均可透过完全透光区124射到光阻层31上。由于第二滤光区122通过的是单一光，而完全透光区124通过的是混合光，则光阻层31上对应第二滤光区122部分的曝光量，小于对应完全透光区124部分的曝光量；不透光区121和125，以及第一滤光区123没有光线透过，则光阻层31上对应不透光区121和125，以及第一滤光区123部分的曝光量为零。因而经过第二次曝光并显影后，光阻层31成为光阻层32，且光阻层32上对应第二滤光区122部分的膜厚，小于对应完全透光区124部分的膜厚；光阻层32上对应第一滤光区123部分的膜厚，小于对应第二滤光区122部分的膜厚。因此第二次曝光形成了具有三种膜厚、两个膜厚段差的薄膜。
可见，本第一实施方式中通过两次曝光逐步形成薄膜上不同区域的不同膜厚，使得膜厚具有两个段差。此种方式通过逐次形成膜厚，使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差。另外，通过光罩和滤光片同时控制膜厚，即使光罩已经定型，仍可以通过切换滤光片来匹配光罩以再次曝光，有利于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，进而能提高量产良率。
本第一实施方式中所用的光阻优选的为负性光阻，经两次曝光后形成的薄膜可以是BPS(Black Photo Spacer,黑隔垫层)。其中，第一次曝光可以形成BM(Black Martrix，黑矩阵)及部分PS(Photo Spacer，间隙子)；第二次曝光可以形成主间隙子和副间隙子。在其他实施例中，还可以使用正性光阻，此时所形成的薄膜上的薄厚区域恰好与本第二实施方式中的相反。
本第一实施方式中，滤光光罩12上的各个区域的位置可以根据实际需要任意设置，而不限于为图3和图4中所示的不透光区121，第二滤光区122，第一滤光区123，完全透光区124，不透光区125依次相邻。当滤光光罩12上的各个区域的位置变动时，所形成的薄膜的膜厚分布也随之变动。
在其他实施方式中，滤光光罩12上也可以不设完全透光区124。由此，经过两次曝光后形成的薄膜将具有两种膜厚、一个膜厚段差；滤光光罩12也可以具有其他滤光区，所述滤光区能透过G谱线、H谱线G谱线、H谱线、混合光GH、混合光GI和混合光HI中的至少一种。由此能够形成具有更多段差的薄膜。
进一步的，在本实施例的第二实施方式中，与上述第一实施方式不同的是，S110中的两个所述滤光片分别为第一滤光片和第二滤光片，所述第一滤光片用于透过I谱线，所述第二滤光片用于透过G谱线和H谱线；所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过I谱线，所述第二滤光区用于透过G谱线。
相应的，S120包括：
使用所述光源照射所述第二滤光片以透过G谱线和H谱线，并采用所述第二滤光片透过的G谱线和H谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第一次曝光；
使用所述光源照射所述第一滤光片以透过I谱线，并采用所述第一滤光片透过的I谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第二次曝光。
具体的，结合图5所示，基板105上预先涂覆有待曝光的光阻层33。光阻层33中的光阻可以是正性光阻。光源102可以发射包括G谱线、H谱线和I谱线的紫外光。第一次曝光时，经过第二滤光片21的过滤，I谱线被过滤掉，而混合光GH得以透过第二滤光片21射入滤光光罩22。滤光光罩22具有不透光区222和224，第一滤光区223，以及第二滤光区221和225。第二滤光区221，不透光区222，第一滤光区223，不透光区224及第二滤光区225依次相邻设置。混合光GH中的G谱线可透过第二滤光区221和225，射到光阻层33上。由于第二滤光区221和225通过的是同样的G谱线，则光阻层33上分别对应第二滤光区221和225部分的曝光量相同；不透光区222和224，以及第一滤光区223没有光线透过，则光阻层33上对应不透光区222和224，以及第一滤光区223部分的曝光量为零。因而，经过第一次曝光并显影后，光阻层33成为光阻层34，且光阻层34上分别对应第二滤光区221和225部分的膜厚相同，且大于对应不透光区222和224，以及第一滤光区223部分的膜厚。如图5所示，对应不透光区222和224，以及第一滤光区223部分的膜厚可以为零，即对应此区域的光阻显影后完全溶解于显影液。因此第一次曝光形成的薄膜具有一个膜厚。
结合图6所示，第二次曝光时，经过第一滤光片23的过滤，G谱线、H谱线被过滤掉，而I谱线得以透过第一滤光片23射入滤光光罩22。I谱线可透过第一滤光区223射到光阻层34上。第二滤光区221，不透光区222，不透光区224，及第二滤光区225均没有光线透过，则光阻层34上对应第二滤光区221，不透光区222，不透光区224，及第二滤光区225部分的曝光量为零。因而，经过第二次曝光并显影后，光阻层34成为光阻层35，且光阻层35上对应第一滤光区223部分的膜厚减小，而其他部分的膜厚不发生变化。因此第二次曝光形成的薄膜具有两个膜厚、两个膜厚段差。
可见，本第二实施方式中通过两次曝光逐步形成薄膜上不同区域的不同膜厚，使得膜厚具有两个段差。此种方式通过逐次形成膜厚，使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差。另外，通过光罩和滤光片同时控制膜厚，即使光罩已经定型，仍可以通过切换滤光片来匹配光罩以再次曝光，有利于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，进而能提高量产良率。
本第二实施方式中所用的光阻优选的为正性光阻，经两次曝光后形成的薄膜可以为有源层。其中，第一次曝光形成有源层的周围部分，第二次曝光形成有源层的内部沟道。在其他实施例中，还可以使用负性光阻，此时所形成的薄膜上的薄厚区域恰好与本第二实施方式中的相反。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易的想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种曝光方法，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的层结构，其特征在于，所述曝光方法包括：
提供光源、滤光光罩和n个滤光片；其中，所述滤光光罩上设有不透光区和至少两个滤光区，每个所述滤光区用于在对光线进行过滤之后透过至少一种光线，每个所述滤光区所能透过的光线的波长为离散值，且每个所述滤光区所能透过的光线的波长不同；每个所述滤光片用于透过一种光线，n个所述滤光片透过的光线种类各不相同，n大于或等于2；
对所述光阻进行n次曝光；其中，一次曝光中使用所述光源照射一个所述滤光片，并采用所述滤光片透过的光线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行曝光，n次曝光共使用n个所述滤光片。
2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，
所述光源为紫外光源；所述滤光片有两个，其中一个所述滤光片用于透过紫外光中的G谱线、H谱线或I谱线；另一个所述滤光片用于透过紫外光中的G谱线、H谱线和I谱线中的任意两种。
3.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，
所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过紫外光中的G谱线、H谱线或I谱线；所述第二滤光区用于透过紫外光中的G谱线、H谱线和I谱线中的任意两种。
4.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，
两个所述滤光片分别为第一滤光片和第二滤光片，所述第一滤光片用于透过I谱线，所述第二滤光片用于透过G谱线和H谱线；所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过I谱线，所述第二滤光区用于透过H谱线和I谱线；
其中，“对所述光阻进行n次曝光”包括：
使用所述光源照射所述第一滤光片以透过I谱线，并采用所述第一滤光片透过的I谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第一次曝光；
使用所述光源照射所述第二滤光片以透过G谱线和H谱线，并采用所述第二滤光片透过的G谱线和H谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第二次曝光。
5.根据权利要求4所述的曝光方法，其特征在于，
所述滤光光罩上还设有完全透光区，所述完全透光区与第一滤光区相邻。
6.根据权利要求4或5所述的曝光方法，其特征在于，
所述光阻为负性光阻，所述光阻经两次曝光后形成黑隔垫层。
7.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，
两个所述滤光片分别为第一滤光片和第二滤光片，所述第一滤光片用于透过I谱线，所述第二滤光片用于透过G谱线和H谱线；所述滤光区包括第一滤光区和第二滤光区，所述第一滤光区用于透过I谱线，所述第二滤光区用于透过G谱线；
其中，“对所述光阻进行n次曝光”包括：
使用所述光源照射所述第二滤光片以透过G谱线和H谱线，并采用所述第二滤光片透过的G谱线和H谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第一次曝光；
使用所述光源照射所述第一滤光片以透过I谱线，并采用所述第一滤光片透过的I谱线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行第二次曝光。
8.根据权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，
所述光阻为正性光阻，所述光阻经两次曝光后形成有源层。
9.一种曝光装置，用于采用权利要求1-8任一项所述的曝光方法对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的薄膜，其特征在于，所述曝光装置包括：
本体及安装于所述本体上的光源、滤光光罩，以及n个滤光片；所述本体还用于承载所述基板；所述光源用于分别照射n个所述滤光片，以透过n种光线，其中每个所述滤光片用于透过一种光线，n大于或等于2；所述滤光光罩位于n个所述滤光片与所述基板之间，所述滤光光罩上设有不透光区和至少两个滤光区，每个所述滤光区用于在对光线进行过滤之后透过至少一种光线，每个所述滤光区所能透过的光线的波长为离散值，且每个所述滤光区所能透过的光线的波长不同。
10.根据权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，
每个所述滤光片均具有工作位置与非工作位置，每个所述滤光片均能在所述工作位置与所述非工作位置之间移动。
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