TWI433958B - 金屬表面處理方法 - Google Patents

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Description

金屬表面處理方法
本發明係關於一種處理金屬表面以降低其上的腐蝕及/或增加經處理金屬表面的反射度之方法。
部分地因為對於強化性能的要求增加，印刷電路板(PCB)製程一般包含許多步驟。PCB上之表面電路通常包括銅及銅合金材料，其係塗覆以提供與組合件中其他裝置之良好機械及電連接。在製造印刷電路板時，第一階段係包含製備電路板，及第二階段係包含將各種組件安裝在電路板上。
現在通常將兩種型式之組件附接電路板：a)有腳組件，如電阻、電晶體等，其係藉由將各支腳穿過板中之孔然後確定腳周圍之孔被焊料充填而附接電路板；及b)表面黏結裝置，其係藉平坦接觸區域或藉由以合適之黏著劑黏附而附接板表面。
鍍通孔印刷電路板通常可藉包含以下步驟序列之方法製造：
1)　將銅箔積層板鑽孔；
2)　將該板經由標準鍍通孔循環處理而在孔中及在表面上無電鍍銅；
3)　施加電鍍遮罩；
4)　在孔中及在暴露電路上將銅電解電鍍成所欲厚度；
5)　在孔中及在暴露電路上將錫電解電鍍以作為抗蝕膜；
6)　將電鍍抗蝕膜去除；
7)　將暴露之銅(即未鍍錫之銅)蝕刻；
8)　將錫去除；
9)　施加焊料遮罩且成像及顯影，使得焊料遮罩覆蓋連接區域以外之實質上全部板表面；及
10)　對欲焊接之區域施加保護性焊接層。
亦可使用其他之步驟序列，且通常為熟悉此技藝者所熟知。此外，在各步驟之間可穿插清水清洗。可用於在第一階段中製備印刷電路板之步驟序列的其他實例係揭述於例如Soutar等人之美國專利第6,319,543號、Toscano等人之美國專利第6,656,370號、及Fey等人之美國專利第6,815,126號，其各標的在此全部併入作為參考。
焊料遮蔽為將印刷電路板的全部區域(除了焊料墊、表面黏結墊及鍍通孔)以有機聚合物塗料選擇性地覆蓋之操作。該聚合物塗料係如同墊周圍之屏障而作用，以在組合期間防止不欲之焊料流動，亦改良導體間之電絕緣電阻及提供環境保護。焊料遮罩化合物一般為與基板相容之環氧樹脂。焊料遮罩可按所欲圖案而網版印刷在印刷電路板上，或者亦可為塗覆於表面上之照相成像焊料遮罩。
該接觸區域係包括電線結合區域、晶片附接區域、焊接區域、及其他接觸區域。接觸完工必須提供良好之可焊性、良好之電線結合性能、及高抗腐蝕性。一些接觸完工亦必須提供高導電度、高耐磨性、及高抗腐蝕性。典型之先行技藝接觸完工塗層可包括上方為電解金層之電解鎳塗層，雖然熟悉此技藝者亦熟知其他之塗層。
焊接通常用於對各種物品製造機械、電機械或電子連接。接合點的期望函數之間的差別為重要的，因為各種應用對表面製備有其本身之指定要求。這些焊接應用中最被要求為製造電連接。
在製造電子封裝裝置(如印刷電路板)時，電子組件對基板之連接係藉由將組件之引線焊接至基板上的通孔、包圍墊、島、及其他連接點(概括而言為「連接區域」)而完成。一般而言，連接係藉波焊技術發生。電子封裝裝置然後可接收其他之電子單元，包括例如發光二極體(LED)，其可焊接至例如印刷電路板上的電極。
在此所用的「發光二極體(LED)」指可發出可見光、紫外光或紅外光的二極體。
因此希望增加用於電子封裝應用(包括涉及印刷電路板及LED者)之金屬表面的可焊性。
為了利於這些焊接操作，通孔、墊、導、及其他連接點係經安排而可接受後續之焊接程序。因此這些表面必須易被焊料潤濕而可與電子組件之引線或表面成為整合導電性連接。因為這些需求，印刷電路製造者已設計各種保存及強化這些表面的可焊性之方法。
一種對所討論的表面提供良好可焊性之方法為對該表面提供預塗焊料。然而在製造印刷電路時，此方法有許多缺點。具體而言，因為不易對這些區域選擇性地提供焊料，所以必須將板之全部導電性區域焊鍍，其會對後續之施加焊料遮罩造成嚴重的問題。
現已嚐試僅對必要區域選擇性地施加焊料。例如美國專利第4,978,423號涉及在焊鍍連接區域上使用有機抗蝕膜，繼而在施加焊料遮罩之前從銅軌跡選擇性地去除錫引線，其標的在此全部併入作為參考。美國專利第5,160,579號揭述已知之選擇性焊接程序的其他實例，其標的在此全部併入作為參考。
直接焊接銅表面係困難且不一致。這些問題係主要由於無法在全部之焊接操作將銅表面保持清潔及不氧化。現已發展各種有機處理以將銅表面保存在易焊接狀態。例如Kinoshita之美國專利第5,173,130號揭述使用特定之2-烷基苯并咪唑作為銅前助焊劑以保存銅表面之可焊性，其標的在此全部併入作為參考。如Kinoshita所揭述之處理已證明為成功的，但是仍有改良其可靠性之需求。
另一種安排這些表面的良好可焊性之方法為將其鍍以金、鉑或銠的最終完工塗層。例如美國專利第5,235,139號揭述一種藉由將欲焊接之銅區域鍍以無電鎳-硼，繼而為如金之貴金屬塗層，而完成此金屬最終完工之方法。另外，美國專利第4,940,181號揭述鍍無電銅，繼而電解銅，繼而鎳，繼而以金作為可焊表面，及美國專利第6,776,828號揭述鍍無電銅，繼而浸鍍金。這些方法均作業良好，但是耗時且相當昂貴。
又一種安排這些表面的金可焊性之方法為將其無電鍍以銀之最終塗層。美國專利第5,322,553號及美國專利第5,318,621號揭述藉由將以塗以無電鎳，繼而將其鍍以無電銀而處理銅箔印刷電路板之方法，其各標的在此全部併入作為參考。無電銀浴係鍍於撐體金屬的表面上而產生厚沉積物。
如美國專利第6,773,757號及美國專利第5,935,640號所討論，其各標的在此全部併入作為參考，已知浸鍍銀沉積物為優良之可焊性保存劑，其在製造印刷電路板時特別有用。浸鍍為由置換反應所造成之方法，藉此將欲鍍表面溶於溶液中，同時將欲鍍金屬從電鍍液沉積至該表面上。浸鍍一般不必先將表面活化而啟動。欲鍍金屬通常較表面金屬貴重。因此浸鍍通常比需要複雜之自動催化電鍍液及電鍍前表面活化程序的無電鍍法顯著地較易控制且顯著地較節省成本。
使用浸鍍銀沉積物因焊料遮罩界面侵蝕(SMIA)之可能性而有問題，其中流電侵蝕可能腐蝕焊料遮罩與銅軌跡間界面處之銅軌跡。SMIA亦有關焊料遮罩裂縫腐蝕及焊料遮罩界面處之流電侵蝕。該問題係關於焊料遮罩-銅界面處之流電侵蝕，且此界面流電侵蝕係因焊料遮罩-銅界面結構及浸鍍機構而引起。
流電侵蝕係因兩種不同金屬之接合而造成。金屬差異可因金屬組成物本身改變，或顆粒邊界差異，或來自製程之局部剪切或力矩而產生。金屬表面或其環境缺乏同質性幾乎均可能引發流電侵蝕而造成電位差異。由於兩種或以上之不同金屬的電位差異，不同金屬間之接觸亦造成直流電流流動。在將一種金屬塗以較貴金屬時會發生流電侵蝕，例如銀於銅上，且任何暴露銅亦可將此程序加速。在具有高含量還原硫氣體(如元素硫與硫化氫)之環境中產生高失敗率及加速之腐蝕。
在製造LED時亦希望形成銀層。例如，如Stein等人之美國專利公告第2004/0256632號所揭述，其標的在此全部併入作為參考，希望在光電半導體晶片(例如LEDs)與載體基板之間形成反射性接點，使得避免由光電半導體晶片所產生或偵測到之放射線穿透至該接點中，且降低吸收損失。Stein揭述在含有氮化物化合物之半導體層與含有銀或金之反射層之間安排非常薄之含鉑、鈀或鎳層。Wantanabe之美國專利公告第2007/0145396號揭述藉由在半導體層之間安排包含銀合金之光反射層(其係將第一導電層、活性層及第二導電層、與保護層在透明基板上積層而形成)而改良LED的光提取效率，因而增加LED的壽命及電力，同時降低電力消耗，其標的在此全部併入作為參考。
雖然已建議各種方法處理金屬表面以防止其上的腐蝕及/或增加經處理金屬表面的反射度，現仍需要防止腐蝕及/或增加反射度之其他方法。
本發明之一個目的為提供一種減少底下金屬表面的腐蝕之改良方法。
本發明之另一個目的為提供一種防止此金屬表面的流電侵蝕之改良方法。
本發明之又一個目的為提出一種保存及強化金屬表面的可焊性之改良方法。
本發明之又一個目的為排除銀沉積物中易被銹蝕及腐蝕之銅洞。
本發明之又一個目的為實質上排除銅移動通過印刷電路板、電子封裝及LED上之銀沉積物。
本發明之又一個目的為在製造LED期間增加銀表面之反射度。
對於此點，本發明關於一種處理金屬表面之方法，該方法係包含以下之步驟：
a)製備金屬表面以在其上接受無電鍍鎳液；
b)將該金屬表面鍍以無電鍍鎳液；然後
c)將該無電鍍鎳表面浸鍍銀，藉此實質上防止金屬表面腐蝕及/或實質上改良鍍銀表面的反射度。
本發明關於一種處理金屬表面之方法，該方法係包含以下之步驟：
a)製備金屬表面以在其上接受鍍鎳液；
b)將該金屬表面鍍以鍍鎳液；然後
c)將該鍍鎳表面浸鍍銀，其中鍍於該金屬表面上之鎳係包含2%至12重量%之磷、或0.0005%至0.1重量%之硫。
該金屬表面可為任何正電性較銀小之金屬，其係包括例如鋅、鐵、錫、鎳、鉛、或銅、及以上之合金。在一個較佳具體實例中，該金屬表面為銅或銅合金表面。
較佳為在將金屬表面以電鍍組成物接觸之前，將該金屬表面清潔。例如清潔可使用酸性清潔組成物、或此技術領域已知之其他清潔組成物完成。
鍍鎳較佳為無電地完成，但是亦可電解地電鍍。無電鍍鎳係將鎳離子自動催化或化學還原成為鎳，然後將其沉積在基板上，且可用於任何可鍍鎳之金屬表面。
為了在特定金屬表面上成功地鍍鎳，其可能需要在將該表面以無電鍍鎳浴接觸之前，將該表面以貴重金屬活化劑活化。該貴重金屬活化劑一般包含膠態或離子性鈀、金或銀，且係在無電步驟之前實行。
例如在金屬表面係包含銅或銅合金時，製備表面以在其上接受無電鍍鎳可包含(i)在無電鎳磷浴之前的貴重金屬活化劑，或(ii)在無電鎳磷浴之前使用二甲胺基硼烷預浸而製造非常薄之鎳層。任一情形均在金屬表面上形成黏附且均勻之沉積物。
視情況地，亦可將金屬表面微蝕刻以增加後續結合之程度及可靠性。在銅或銅合金金屬表面之情形，該微蝕刻可包含(i)過氧化物-硫微蝕刻，(ii)氯化銅微蝕刻，或(iii)過硫酸鹽微蝕刻。各情形較佳為微蝕刻係將金屬表面均勻地粗化。與微蝕刻劑接觸之時間及溫度可依例如所使用微蝕刻劑之型式、及欲獲得均勻粗金屬表面之金屬表面的特徵而改變。
在微蝕刻之後且在與電鍍浴接觸之前，如以上所討論，可將金屬表面以貴重金屬活化劑活化，而將金屬表面塗以可引發後續無電電鍍之催化性貴重金屬位置。
然後將金屬表面以無電鍍鎳浴接觸，較佳為在足以鍍約2至約50微吋之鎳，更佳為約100至約250微吋之鎳的時間及溫度。
在一個具體實例中，用於本發明之合適鍍鎳浴係包含：
a)鎳離子來源；
b)還原劑；
c)錯合劑；
d)一種以上之浴安定劑；及
e)一種以上之額外添加劑。
鎳離子來源可為任何合適之鎳離子來源，且較佳為選自由溴化鎳、氟硼酸鎳、磺酸鎳、磺胺酸鎳、烷基磺酸鎳、硫酸鎳、氯化鎳、乙酸鎳、次磷酸鎳、及以上一種或以上之組合所組成的群組之鎳鹽。在一個較佳具體實例中，鎳鹽為磺胺酸鎳。在另一個較佳具體實例中，鎳鹽為硫酸鎳。
還原劑一般包括硼氫化物或次磷酸離子。一般而言，無電鍍鎳係利用次磷酸離子作為還原劑而進行，最佳為次磷酸鈉。舉例且非限制，其他之還原劑係包括硼氫化鈉、二甲胺基硼烷、N-二乙胺基硼烷、聯胺、與氫。
溶液中之安定劑可為金屬性(無機性)或有機性。常用於無電鍍鎳液之金屬性安定劑係包括Pb、Sn或Mo化合物，如乙酸鉛。常用之有機性安定劑係包括硫化合物(「S化合物」)，如硫脲。錯合劑係包括檸檬酸、乳酸或羥丁二酸。亦可將氫氧化鈉包括於無電鎳浴中以維持溶液之pH。
如在此所述，無電鍍鎳液可包括一種以上之選自硫及/或磷之添加劑。硫可如二價硫而較佳地用於電鍍液，及磷一般可如次磷酸鹽而用於電鍍液。如果二價硫係存在於無電鍍鎳液，則較佳為其係以約0.1 ppm至約3 ppm，較佳為約0.2 ppm至約1 ppm之濃度存在，但不包括得自酸性來源(如硫酸、磺酸或甲磺酸)而存在之硫。此外，本發明人已發現，如果依照本發明使用磺胺酸鎳作為鎳鹽，則至少應將最少量之硫及/或磷包括於無電鍍鎳浴中。鍍於金屬表面上之鎳係包含約2重量%至約12重量%之磷及/或0.0005重量%之硫至0.1重量%之硫為重要的。現已意料外地發現，包括以上量之磷及/或硫則有利地得到改良之浸鍍銀沉積物。
鎳離子因化學還原劑(其在該方法中氧化)之作用而在無電鍍鎳浴中被還原成鎳。觸媒可為基板或基板上之金屬性表面，其可使還原-氧化反應發生而最後將鎳沉積在基板上。
無電電鍍沉積速率係進一步藉由選擇合適之溫度、pH、及金屬離子/還原劑濃度而控制。亦可將錯合劑作為觸媒抑制劑，以降低無電浴之自發性分解的可能性。
鍍於金屬表面上之無電鍍的總厚度一般為約1至50微吋之範圍，較佳為約100至約250微吋之範圍。
一旦已在金屬表面上鍍一層無電鎳，則將該無電鍍鎳金屬表面浸鍍銀而在其上提供一層銀。如以上所討論，浸鍍銀沉積物為優良之可焊性保存劑，且在製造印刷電路板時特別有用。依照本發明進行無電鍍鎳及浸鍍銀而獲得之可焊性造成電路表面上流電侵蝕之意料外大幅降低，易被銹蝕及腐蝕之銅洞減少，且結合應用之製程窗增大。其例如在印刷電路板應用中因表面可導線結合而有利。此外，本發明之方法造成均勻的銀覆蓋且增加銀表面的反射度。
在一個具體實例中，本發明之銀浸鍍浴係包含：
a)可溶性銀離子來源；
b)酸；
c)氧化劑；及
d)視情況但較佳之咪唑或咪唑衍生物。
銀浸鍍液通常含有於酸性水性介質中之可溶性銀離子來源。該可溶性銀離子來源可源自各種銀化合物，其係包括例如有機或無機銀鹽。在一個較佳具體實例中，該銀離子來源為硝酸銀。電鍍液中的銀濃度通常可為每公升約0.1至25克之範圍，但是較佳為每公升約0.5至2克之範圍。
各種酸均適合用於銀浸鍍液，其係包括例如氟硼酸、氫氯酸、磷酸、甲磺酸、硝酸、及上述一種以上之組合。在一個具體實例中係使用甲磺酸或硝酸。電鍍液中的酸濃度通常為每公升約1至150克之範圍，但是較佳為每公升約5至50克之範圍。
為了在無電鍍鎳基板上製造均勻之銀覆蓋，銀浸鍍液亦包含氧化劑。關於此點，較佳為硝基芳族化合物，如間硝基苯磺酸鈉、對硝基酚、3,5-二硝基柳酸、與3,5-二硝基苯甲酸。在一個較佳具體實例中，該二硝基化合物為3,5-二硝基柳酸。電鍍液中的氧化劑濃度可為每公升約0.1至25克之範圍，但是較佳為每公升約0.5至2克之範圍。
為了進一步降低浸鍍銀在所提議之應用中電移動的趨勢，亦可藉由將添加劑併入電鍍浴本身之中，或者藉由後續將電鍍表面以添加劑處理，而將特定添加劑包括於電鍍沉積物中。這些添加劑可選自由脂肪胺、脂肪酸、脂肪醯胺、四級鹽、兩性鹽、樹脂胺、樹脂醯胺、樹脂酸、及以上之混合物所組成的群組。該添加劑之實例係揭述於例如美國專利第7,267,259號，其標的在此全部併入作為參考。銀浸鍍浴中或後續表面處理組成物中的以上添加劑之濃度一般為每公升0.1至15克之範圍，但是較佳為每公升1至5克之範圍。
此外，如美國專利第7,631,798號所揭述，其標的在此全部併入作為參考，亦可將咪唑或咪唑衍生物包括於本發明之浸鍍浴中，以使電鍍更光亮、更光滑及更凝聚。
銀浸鍍浴一般係維持在約室溫至約200℉，更佳為約80℉至約120℉。欲電鍍之物品可在電鍍液中浸漬適合獲得所欲電鍍沉積物厚度的時間，其一般為約1至5分鐘之範圍。
銀浸鍍浴係在金屬表面上鍍一層薄銀層。在一個具體實例中，為了有效地強化及保存表面之可焊性，所獲得之銀塗層為約1至100微吋厚，較佳為約10至60微吋厚。
雖然在此所述之方法有效地焊接各種金屬表面，其對於焊接銅表面特別有用，如電子封裝裝置(如印刷電路板)上之連接區域。防止印刷電路板上之腐蝕則可延長裝置之使用壽命。此外，排除腐蝕則可實質上排除焊接問題，其為板、電路及組件製造者之主要獲益。
在此所述之方法亦有效地將LED鍍銀及製備LED以在其上接受焊接，例如焊接至電子封裝裝置(包括印刷電路板)。其在LED應用中可使銅如熱之函數而移動通過銀沉積物，如此降低表面反射度。因此在此所述之方法製造其中至少實質上排除銅移動通過銀沉積物的表面而造成反射度增加，其用於LED應用係特別有利。在一個具體實例中，在此所述之方法係對LED提供反射度為至少80%之銀表面。
如在此所述，本發明之方法可用於將鎳無電沉積在半導體晶片上。本發明之方法亦可用於將無電鎳及浸鍍銀沉積在如此技術領域所已知，藉由將第一導電層、活性層及第二導電層在透明基板上依序積層而形成之半導體LED上。
本發明之方法亦已證明從底下之銅基板至少實質上排除流電侵蝕。此外，本發明之方法實質上排除銀沉積物中易被銹蝕的銅洞，且進一步至少實質上排除銅移動通過銀沉積物。結果本發明之方法亦增加導線結合應用之製程窗，因為在導線結合期間遭遇之任何氧化銅均造成不可結合表面。
最後，本發明在此所述係利用無電鎳，其亦可使用電解鎳沉積物而提供鎳障壁，或者該無電鍍鎳浴可包含鎳合金，或者在替代方案中可使用其他合適之無電電鍍金屬代替在此所述本發明中之無電鎳。
雖然本發明已在以上參考其指定具體實例而揭述，但顯然可進行許多種改變、修改及變化而不背離在此所揭示之本發明概念。因而意圖涵蓋在所附申請專利範圍之精神及範圍內的所有此種改變、修改及變化。在此引用之所有專利申請案、專利及其他公告係全部併入作為參考。

Claims (20)

  1. 一種處理金屬表面之方法，該方法係包含以下之步驟：a)製備該金屬表面以在其上接受鍍鎳液；b)將該金屬表面鍍以無電鍍鎳液；然後c)將該經無電鍍鎳之表面與銀浸鍍液接觸，以在該經無電鍍鎳之表面產生均勻的銀浸鍍表面；其中從該無電鍍鎳液所鍍之鎳係包含2重量%至12重量%之磷及0.0005重量%至0.1重量%之硫。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該金屬表面係包含銅。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該無電鍍鎳液包含：a)鎳離子來源；b)還原劑；c)錯合劑；d)一種以上之安定劑；及e)一種以上之添加劑。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該鎳離子來源為選自由溴化鎳、氟硼酸鎳、磺酸鎳、磺胺酸鎳、烷基磺酸鎳、硫酸鎳、氯化鎳、乙酸鎳、次磷酸鎳、及以上一種以上之組合所組成的群組之鎳鹽。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該鎳鹽為磺胺酸鎳。
  6. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該一種以上之添 加劑係包含選自由硫、磷、及以上之組合所組成的群組之材料。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該無電鍍鎳液係包含濃度為約0.1ppm至約3ppm之間的二價硫。
  8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該無電鍍鎳液係包含約1%至約15%之磷。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該無電鍍鎳液係包含約2%至約12%之磷。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該銀浸鍍液包含：a)可溶性銀離子來源；b)酸；及c)氧化劑。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該可溶性銀離子來源之濃度為約0.1克/公升至約25克/公升。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該可溶性銀離子來源之濃度為約0.5克/公升至約2克/公升。
  13. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該氧化劑為3,5-二硝基柳酸。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該銀浸鍍液中之3,5-二硝基柳酸濃度為約0.1克/公升至約25克/公升。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該銀浸鍍液中之3,5-二硝基柳酸濃度為約0.5克/公升至約2克/公升。
  16. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該銀浸鍍液另外包含選自由脂肪胺、脂肪醯胺、四級鹽、兩性鹽、樹脂胺、樹脂醯胺、脂肪酸、樹脂酸、以上任何之乙氧化版本、及以上之混合物所組成的群組之添加劑。
  17. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該銀浸鍍液另外包含選自由咪唑、苯并咪唑、咪唑衍生物、及苯并咪唑衍生物所組成的群組之材料。
  18. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該銀浸鍍液之溫度為約室溫至約200℉之間。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該銀浸鍍液之溫度為約80℉至約120℉之間。
  20. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該銀浸鍍表面係具有至少80%之反射度。
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