TWI433359B - 製造陶瓷基板之方法及使用該陶瓷基板之半導體封裝件 - Google Patents

Description

製造陶瓷基板之方法及使用該陶瓷基板之半導體封裝件

本發明係關於一種使用於半導體發光二極體(LED)封裝的陶瓷基板的製造方法，以使用發光二極體作為發光元件，而以使用陶瓷基板作為半導體封裝。

發光二極體(以下簡稱為“LED”)是一種半導體元件，藉由結合複合的半導電材料，例如：GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaInP以及類似之材料，彼此互相結合而構成發光的來源，而得以實現各種色彩。目前，這種半導體元件經常以封裝的形式使用於電子部件。

圖1是一個傳統LED封裝的側面剖視圖。參考圖1，此LED封裝包括兩個陶瓷基板10和12，各陶瓷基板均係藉由積層多個陶瓷薄片而形成。在該二個陶瓷基板中，下陶瓷基板10安裝有相互間隔的電極14和16。該下陶瓷基板10上有一區域用以安裝LED 18。配置於電極16之上的LED 18被引線20接合於電極14。電極14和16係延伸至陶瓷基板10的底部。上陶瓷基板12內有凹腔形成於其中，而使該凹腔包圍LED 18的安裝區。

在本文中，當該凹腔是藉由沖壓或切割而形成，如圖1所示時，上陶瓷基板12的剖面一直垂直於下陶瓷基板10。基於此一理由，與利用樹脂成型所形成之封裝不同，其很難在上陶瓷基板12之上形成高品質的反射層。

因此，為了形成高品質的反射層，如圖2所示，一凹腔係傾斜地形成於上陶瓷基板12中，然後將該上陶瓷基板12的斜面金屬化，接著鍍上銀(Ag)。圖2顯示了一個 以銀電鍍所形成的反射層22。

因此，相較於圖1中之LED封裝，圖2所示之LED封裝可展現出高光學效率。

然而，由於上陶瓷基板12的傾斜表面是被金屬化後，接著鍍上銀(Ag)，因此，圖2中的反射層22可能會不均勻地形成。換言之，該上陶瓷基板12之傾斜表面的必須鍍上銀(Ag)，然而電鍍卻不均勻。基於此一理由，圖2中所示之LED封裝，其所展現出之光學效率低於所預期的。

同時，上陶瓷基板12的凹腔中被磷光材料、環氧樹脂以及類似物質的混合物所填充以形成磷光層。在這種情形下，由於含於磷光層的環氧樹脂以及含於反射層22的銀(Ag)在性質上彼此不同，在磷光層與反射層22之間的附著變低。基於此一原因，螢光層和反射層22可以相互偏移。

因此，本發明係用以解決上述問題，本發明之目標係提供一種陶瓷基板的製造方法，其可在不經電鍍的情形下，透過使用具有類似於基板本體之材料的高度反射材料所形成的反射層，而增加光效率。

本發明的另一個目標係提供高品質的半導體封裝，其具有高光學效率，並可解決在不同性質之材料間的附著降低之問題。

為了達成上述目標，本發明提供了一種陶瓷基板的製造方法，其包括：製備具有內壁之凹腔貫穿形成於其中的上陶瓷基板，其中該內壁係以預定的角度向下陶瓷基板傾 斜；以陶瓷材料塗布該凹腔之內壁以形成反射層；於該下陶瓷基板上配置模製體(molded body)，其中該模製體係包括上陶瓷基板與反射層；以及熱處理該下陶瓷基板與該模製體以結合該下陶瓷基板與該模製體。該方法可進一步包括在該上陶瓷基板的上表面上塗布陶瓷材料，但不包括配置模製體之區域。

本發明的另一方面在於提供一種製造陶瓷基板的方法，其包括：以陶瓷材料填充凹腔，該凹腔貫穿形成於包含支撐體之上陶瓷基板之中，其中位於該上陶瓷基板之底部之該支撐體係由陶瓷材料製成，並以垂直於該凹腔之方向向內突出；以抽氣裝置除去填充於該凹腔內之陶瓷材料以形成反射層，其中該反射層係殘留於該凹腔之內壁上之陶瓷材料且為支撐體之上部側面；於該下陶瓷基板上配置模製體，其中該模製體包含該上陶瓷基板以及該反射層；以及熱處理該下陶瓷基板及模製體以結合該下陶瓷基板和該模製體。於此處，該反射層可具有向內之圓形曲面。該上陶瓷基板與該下陶瓷基板可由相同的陶瓷材料製成(例如低溫共燒陶瓷(low temperature cofired ceramic,LTCC))。該陶瓷材料可為陶瓷粉末及自由二氧化鈦(TiO₂ )、二氧化鋯(ZrO₂ )與氧化鋅(ZnO)所構成群組中選出的至少一種之混合物。

本發明的又一方面，在於提供一種製造陶瓷基板的方法，包括：製備具有內壁之凹腔貫穿形成於其中的上陶瓷基板，其中該內壁係以預定的角度向下陶瓷基板傾斜，於該下陶瓷基板上設置該上陶瓷基板；以及熱處理該上陶瓷基板與該下陶瓷基板以結合該下陶瓷基板與該上陶瓷基 板，其中該上陶瓷基板以及該下陶瓷基板係由反射陶瓷材料所製成，該反射陶瓷材料係由陶瓷粉末、及自由二氧化鈦、二氧化鋯與氧化鋅所構成群組中選出的至少一種之混合物。

本發明提供了一種半導體封裝件，其包含：具有內壁之凹腔貫穿形成於其中的陶瓷基板，其中該內壁係以預定的角度向該陶瓷基板底面傾斜；安裝於該凹腔內之發光元件；以及塗布於該內壁上之陶瓷材料。

該半導體封裝件可進一步包含塗布於該凹腔底面上之陶瓷材料。

本發明的另一方面在於提供一種半導體封裝件，其包含：具有內壁之凹腔貫穿形成於其中的陶瓷基板，其中該內壁係垂直於該陶瓷基板之底面；安裝於該凹腔之發光元件；以及反射層，其由陶瓷材料所製成並形成於該凹腔之內壁及底面，並覆蓋除一或多個發光元件之安裝區及引線接合區以外區域。

此處之陶瓷材料係由陶瓷粉末，及自由二氧化鈦、二氧化鋯與氧化鋅所構成群組中選出的至少一種之混合物。反射層可具有向內之圓形曲面。

本發明的又另一態樣在於提供一種半導體封裝件，其包含：具有內壁之凹腔形成於其中的陶瓷基板，其中該內壁係以預定之角度向該陶瓷基板之底面傾斜；以及安裝於該凹腔之發光元件安裝區之發光元件，其中，該陶瓷基板整體係由反射陶瓷材料所製成，該反射陶瓷材料係陶瓷粉末及自由二氧化鈦、二氧化鋯與氧化鋅所構成群組中選出的至少一種之混合物。

上述及本發明的目的、特徵及優點由下述附加圖式詳細地描述可更清楚了解。

以下將就本發明之較佳實施例，參照附圖詳細說明之。

圖3至圖6係顯示本發明之第一實施例之製造陶瓷基板的方法，以及利用該方法所製造之陶瓷基板。在以下說明該製造陶瓷基板的方法時，將說明製造單一陶瓷基板的製程。一般而言，由於多個陶瓷基板是同時生產的，這種製造陶瓷基板的方法並不侷限於製造單一陶瓷基板的製程。

此外，在本方法中，陶瓷基板是透過進行單一的熱處理而形成。具體而言，構成陶瓷基板的材料具有柔軟的性質，直到以下圖6所述之製程完成後，換言之，在進行熱處理之前，且透過在圖6之製程後的熱處理而變硬，也就是在下陶瓷基板38上附加模製體之後。

參考圖3，首先，製備具有內壁45之凹腔形成於其中之上陶瓷基板。內壁45以預定之角度向該陶瓷基板之底面傾斜。在本發明中，內壁45的角度可根據需要之反射角度而加以改變。

將上陶瓷基板44予以穿孔而形成一凹腔。該上陶瓷基板44可透過堆疊多個陶瓷薄片而形成，或可由一個具有預定厚度的陶瓷薄片所形成。

如圖3所示，上陶瓷基板44可在一個大型陶瓷板上的各單元區內一個接一個的形成。該單元區是製造一個陶瓷基板所需的最小區域，可包含上陶瓷基板與下陶瓷基板可堆疊並進而透過切割而彼此分離的最小面積。

參考圖4，該上陶瓷基板44的內壁被陶瓷材料所塗布，以形成具有反射層46的模製體。

陶瓷材料可由與構成上陶瓷基板44之相同陶瓷材料所構成。因此，舉例而言，反射層46的反射性的可藉由於陶瓷粉末中增加預定之反射材料(如低溫共燒陶瓷(LTCC))而予以增加。

預定的反射材料可包含自由二氧化鈦、二氧化鋯與氧化鋅所構成群組中選出的至少一種。該反射材料對陶瓷粉末的重量比可被設為15%左右。在以下測試中，所使用之於反射層46中的反射材料對陶瓷粉末的重量比亦為15%左右。然而，該反射材料的成分則不以此為限。

藉由形成模製體的製程，具有反射層46的同質之模製體可透過塗布高反射陶瓷材料的製程而輕易地形成，從而提高產量。

本發明中形成模製體的製程具有額外的優點。因為所有成形的模製體通常包含陶瓷材料，它們可以透過隨後進行的單一熱處理而製成陶瓷基板，從而在熱處理中將反射層46與上陶瓷基板44之間，以及反射層46與下陶瓷基板38之間的介面分離減少到最小，並將上述之間的整體性最大化。

參考圖5和圖6，模製體被配置於扁平之下陶瓷基板38上。

在圖5和圖6之製程後，將每個單元區切割，然後進行熱處理。在熱處理完畢後，該陶瓷基板具有如第六圖所示之結構。換言之，該模製體被配置於下陶瓷基板38上，每個單元區均被切割而形成多個陶瓷基板，將該多個陶瓷 基板放入烘箱或類似設備。

接著，當陶瓷基板的多個陶瓷基板經熱處理時，各陶瓷基板形成一包含上陶瓷基板44、下陶瓷基板38以及反射層46且彼此結合在一起的陶瓷基板。

參考圖6中經熱處理後之陶瓷基板，由於上陶瓷基板44、下陶瓷基板38與反射層46均包含相同的陶瓷材料，由本發明的第一實施例所製造的陶瓷基板生產可為一結合的陶瓷基板。因此，即使半導體封裝件是透過將填充料(如透明矽材料或類似材料)填充於陶瓷基板而生產，仍具有將材料間的介面分離能降低至最小的優點。

圖7為根據本發明之第一實施例所修改之實施例的另一陶瓷基板的側面剖視圖。

圖7為一陶瓷基板的側面剖視圖，其透過在除上陶瓷基板44及反射層46(模製體)以反射層48的陶瓷材料處理的區域外，額外地塗布下陶瓷基板之表面之製程而製造。換言之，下陶瓷基板表面對應於凹腔的區域將塗布上由陶瓷材料製成之反射層48。下陶瓷基板表面的塗布可在於下陶瓷基板38上配置模製體及進行熱處理之間進行。

當半導體封裝件的成形加工透過稍後的安裝發光元件及填充磷光層而完成後，半導體封裝件的反射率可藉由形成於下陶瓷基板38的反射層而予以改善。

圖8係顯示一利用根據本發明之第一實施例所製造之陶瓷基板之半導體封裝件之側面剖視圖。圖8並未顯示由透明矽材料所製成之填充料。

參考圖8，未顯示於第六圖和第七圖的電極50a和50a形成於下陶瓷基板38的上、下表面。電極50a和50b係經 由其上表面電性連接於發光元件52，並經由其下表面電性連接於安裝半導體封裝件(未顯示)。

反射層48可塗布於下陶瓷基板38的表面，但不包括連接電極50a和50b以及配置上陶瓷基板44的區域。然而，可形成反射層48，並藉由控制電極50a及50b的高度以使其覆蓋電極50b，但不覆蓋電極50a。圖9至圖13顯示了本發明之第二實施例之製造陶瓷基板的方法，以及利用該方法所製造之陶瓷基板。

參照圖9，製備上陶瓷基板30。上陶瓷基板包含凹腔30及支撐體30b。該凹腔有一垂直壁面30a。參照圖9所示之上部側面，該垂直壁面30a可能自支撐體30b分離，但是，如圖9所示之下部側面，該上陶瓷基板30可透過同時製造多個陶瓷基板並切割各該區域的方式而製成。

該凹腔貫穿形成於上陶瓷基板30。該上陶瓷基板30可藉由堆疊多個陶瓷薄片形成，或可由一具有預定厚度的陶瓷薄片所形成。

該凹腔可藉由沖壓或切割而垂直形成。支撐體30b形成於該上陶瓷基板30的垂直壁面30a之底面，以使其向內突出。無論是垂直壁面30a及支撐體30b均可由陶瓷材料(如低溫共燒陶瓷(LTCC))製成。

如圖9所示。上陶瓷基板30可在一大型陶瓷板的各單元區一個接一個的形成。該單元區是製造一個陶瓷基板所需的最小區域，可包含上陶瓷基板與下陶瓷基板可積層並透過切割而彼此分離的最小面積。

參照圖10。具有通孔圖案(hole pattern)的光罩32被裝置於上陶瓷基板30的垂直壁面30a之上。在這種情形 下，可裝置光罩32以使其不覆蓋上陶瓷基板30之凹腔的開口。隨後，使用刮漿板34(squeegee)將高反射陶瓷材料36填充入形成於上陶瓷基板30的該凹腔。亦即，該高反射陶瓷材料36係藉由使用刮漿板34的印刷製程而填充於該凹腔。

該高反射陶瓷材料36可包含與構成上陶瓷基板30的垂直壁面30a及支撐體30b相同之陶瓷材料。因此，舉例而言，陶瓷基板的反射率可以藉由在陶瓷粉末中加入預定之反光材料(例如低溫共燒陶瓷(LTCC))而提高。此一製程之說明與如圖3至圖6所示之第一實施例相同。

參考圖11。光罩32被移除，然後陶瓷材料36緊密地附著於垂直壁面之內側及支撐體之上部側面。換言之，填充之陶瓷材料36的中央部分被抽吸，以排出該中央部分。

因此，如圖11所示，陶瓷材料36僅殘留於該垂直壁面的內側(凹腔之內壁)和支撐體的上部側面。殘餘之陶瓷材料36將成為曲面反射層36。

包含彎曲的反射層36之上陶瓷基板30經由圖9至圖11之製程所製造，被稱為模製體。

在根據本發明之第二實施例的模製體之成形製程中，由於含彎曲的反射層之該模製體可以經由高反射陶瓷材料的填充和抽吸製程而輕易地形成，相較於在傳統製程中反射層係經由複雜製程而形成，模製體的成形製程會較為簡易，因而提高其產量。

此外，由於所有成形的模製體通常均包含陶瓷材料，它們可以在隨後經單一的熱處理而形成陶瓷基板，因而使在熱處理製程中，垂直壁面30a與陶瓷材料36，以及支撐 體30b與垂直壁面30a之間所發生的介面分離降低至最小。

參照圖12。模製體被安裝在扁平之下陶瓷基板38上。如上所述，光罩32在圖11的製程中被移除，但如有必要，光罩32可在圖12的製程後再行移除。

在圖12之製程後，各單元區被切割，並進行熱處理。在熱處理完畢後，陶瓷基板具有如圖13所示之結構。換言之，模製體被安裝於下陶瓷基板38上，每一單元區被切割，以形成多個陶瓷基板，多個陶瓷基板被放入烘箱或類似設備中。

接著，當該多個陶瓷基板經熱處理，各該陶瓷基板形成一包括一上陶瓷基板30的陶瓷基板，其包含垂直壁面30a及支撐體30b的上部側面，下陶瓷基板38和反射層，彼此互相結合。反射層40為將陶瓷材料38經熱處理後所固化之陶瓷材料層。

參照圖13之經熱處理後之陶瓷基板，由於上陶瓷基板30，下陶瓷基板38和反射層40均包含相同之陶瓷材料，由本發明之第二實施例所製造之陶瓷基板可為一陶瓷結合的基板。因此，即使半導體封裝件是藉由以填充料(如透明的矽材料或類似材料)填充陶瓷基板，仍具有將材料間的介面分離降低至最小的優點。

圖14至圖15係顯示一使用根據本發明之第二實施例所製造之陶瓷基板之半導體封裝件之側面剖視圖。

參考圖14。發光元件52安裝在陶瓷基板的發光元件安裝區上，該陶瓷基板包含上陶瓷基板30、下陶瓷基板38和反射層40。發光元件52可為發光二極體(LED)，但本發明則不以此為限。

安裝區是指一用以安裝發光元件52的區域。供應電源至發光元件的電極50a可存在於該安裝區。此外，另一電極50b則配置於下陶瓷基板38的一部分。在本發明的所有實施例中，下陶瓷基板38具有多個通孔形成於其上，以將電極50a和50b與安裝半導體封裝件的基板(未顯示)電性連接，且電極50a和50b是形成於通孔之中。發光元件52係透過直接接觸或引線接合方式與電極50a和50b電性連接。

參考圖14。反射層40具有向內圓形曲面。然而，反射層40的形狀可藉由陶瓷材料36的抽吸法或熱處理的方式改變為各種形狀。

圖15顯示了一個具有不同於上述向內圓形曲面之形狀的反射層42。

參照圖15。第十五圖之半導體封裝件具有與圖14之半導體封裝件不同形狀的反射層42。圖15中之反射層42具有向外之圓形曲面，亦即一凸狀曲面。因此，圖14和圖15中的反射層40及42分別以不同的角度將發光元件52之發射光予以反射。

在如圖14和圖15所示之根據本發明的第二實施例的半導體封裝件中，可額外地將含有矽材料或彩色的填充料(未顯示)的磷光層填充於凹腔之殘餘區。如上所述，由於半導體封裝件是陶瓷結合的半導體封裝件，故可將材料間的介面分離能降低至最小。

圖16至圖19係顯示本發明之第三實施例之製造陶瓷基板的方法，及使用該方法所製造之陶瓷基板，以及使用該陶瓷基板之半導體封裝件之側面剖視圖； 參照圖16至圖18，該根據本發明之第三實施例之製造陶瓷基板的方法之特徵在於：不論上陶瓷基板56以及下陶瓷基板48均是由相同的反射陶瓷材料所製成，且相較於本發明之第一與第二實施例中之反射層40、42和46，則並不具有反射層。

也就是說，本發明之第三實施例之特徵在於：無論是上陶瓷基板56及下陶瓷基板48均是由本發明之第一與第二實施例中的高反射陶瓷材料所製成。

首先，如圖16和圖17所示，提供一由高反射陶瓷材料所製成之上陶瓷基板56，以及包含相同材料之下陶瓷基板48，將之堆疊與熱處理以製造如圖18所示之陶瓷基板。

因此，當提供上陶瓷基板與下陶瓷基板使得從一開始即包含高反射材料，即可透過一無需形成反射層之簡易製程製造高反射陶瓷基板。

參照圖19。由於無論上下陶瓷基板56和48均是由高反射陶瓷材料所製成，如圖7及圖8所示之在不包括安裝發光元件和引線接合區的區域所形成之反射層可非必要。因此，亦可經由簡易之製程製造半導體封裝件。

以此種方式製造的半導體封裝件亦安裝具有作為發光元件的LED晶片52。在這種情形下，LED晶片52係安裝於電極50a上出，並引線接合至另一電極50b。

圖20為傳統之半導體封裝件與本發明之實施例之使用高反射陶瓷基板之半導體封裝件之效應之比較圖。

參照圖20，第一傳統基板100為在經證實具有傾斜反射層之狀態下安裝半導體封裝件的陶瓷基板。

第二傳統基板200為一半導體封裝基板，其係以形成 陶瓷基板，然後以高反射材料填充該陶瓷基板，以形成曲面反射層之技術所製造。

比較採用傳統的半導體封裝生產採用第一和第二基板100和200所製造的傳統半導體封裝件與採用依據本發明之實施例所製造之高反射陶瓷基板300之半導體封裝件之效能。首先，在平均總光通量(average total luminous flux,average TLF)方面，相較於傳統之半導體封裝件，本發明之半導體封裝件展現了改良的效能。因此可發現相較於傳統之半導體封裝件，本發明之半導體封裝件之光效率有了大幅的改良。

其次，在相關色溫(Correlated color temperature,CCT)方面，本發明中之半導體封裝件與傳統之半導體封裝件幾無差別。因此，可實現相同之色彩，而可提供具改良之發光效率之發光封裝件。

如圖20所示，當基板300是使用高反射陶瓷材料所製造，接著此陶瓷基板300係應用於發光半導體封裝件，該發光半導體封裝件在執行相同功能時可展現出高光學效率。因此，可透過相對較少的半導體封裝件而發射出大量的光。

圖21為一關於傳統基板之波長與根據本發明之實施例之陶瓷基板之波長的比較圖表。(參考號110為一說明傳統基板之反射率的圖表。參考號310為一說明根據本發明之實施例的陶瓷基板之反射率的圖表。)

參考圖21，可發現相較於傳統之基板，本發明中的陶瓷基板之反射率已大為提高。

在波長為800nm的區域比較傳統基板與本發明中之陶 瓷基板的反射率，可發現傳統基板之反射率為85%，而本發明之陶瓷基板之反射率則為95%。

尤其，在圖21之波長為800nm的區域之反射率測量中，係採用具有以氧化鋯作為高反射材料所構成之反射層的陶瓷基板。然而，本發明之陶瓷基板的反射率仍然受到二氧化鈦或類似物質的影響，只要該物質是一種可被包含於上述高反射陶瓷材料的物質。

如上所述，根據本發明，由於高反射率陶瓷材料附著於上陶瓷基板的內壁，而形成內曲之反射層，可以不經進行金屬電鍍製程而在短時間內極為便利地製造陶瓷基板。

此外，由於不需經金屬電鍍，故可排除光學偏差。更進一步地，由於可製造包括以陶瓷材料為主要成分之結合基板，即使當形成磷光層時，在螢光層和反射層之間的附著力之間也變得非常高，從而避免了在磷光層和反射層之間的介面分離。

以上所述者，雖然本發明的較佳實施例已揭示用以說明本發明的目的，但熟知該技術領域者明白可能的僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之各種修改、增加與替代，而不偏離本發明申請專利範圍所揭示的範圍與精神。

10‧‧‧下陶瓷基板

12‧‧‧上陶瓷基板

14‧‧‧電極

16‧‧‧電極

18‧‧‧發光二極體(LED)

20‧‧‧引線

22‧‧‧反射層

30‧‧‧上陶瓷基板

30a‧‧‧垂直壁面

30b‧‧‧支撐體

32‧‧‧光罩

34‧‧‧刮漿板

36‧‧‧高反射陶瓷材料

38‧‧‧下陶瓷基板

40‧‧‧反射層

42‧‧‧反射層

44‧‧‧上陶瓷基板

45‧‧‧內壁

46‧‧‧反射層

48‧‧‧反射層

50a‧‧‧電極

50b‧‧‧電極

52‧‧‧發光元件

56‧‧‧上陶瓷基板

圖1係顯示傳統LED封裝的側面剖視圖；圖2係顯示傳統LED封裝的另一側面剖視圖；圖3至圖6係顯示根據本發明之第一實施例之製造陶 瓷基板的方法，以及利用該方法所製造之陶瓷基板；圖7為根據本發明之第一實施例所修改之實施例的另一陶瓷基板之側面剖視圖；圖8係顯示利用根據本發明之第一實施例所製造之陶瓷基板之半導體封裝件之側面剖視圖；圖9至圖13係顯示本發明之第二實施例之製造陶瓷基板的方法，以及利用該方法所製造之陶瓷基板之側面剖視圖；圖14至圖15係顯示利用根據本發明之第二實施例所製造之陶瓷基板之半導體封裝件之側面剖視圖；圖16至圖19係顯示根據本發明之三實施例之製造陶瓷基板的方法，及利用該方法所製造之陶瓷基板，以及利用該陶瓷基板之半導體封裝件之側面剖視圖；圖20為傳統之半導體封裝件與使用本發明之實施例的高反射陶瓷基板之半導體封裝件之比較圖；以及圖21為傳統基板之波長與根據本發明之實施例之陶瓷基板之波長的比較圖表。

10‧‧‧陶瓷基板

12‧‧‧陶瓷基板

14‧‧‧電極

16‧‧‧電極

18‧‧‧LED

20‧‧‧引線

Claims (4)

1. 一種製造陶瓷基板之方法，其包含：以陶瓷材料填充凹腔，該凹腔貫穿形成於包含支撐體之上陶瓷基板之中，其中位於該上陶瓷基板之底部之該支撐體係由陶瓷材料製成，並由該凹腔之內壁向內突出，以抽氣裝置除去填充於該凹腔內之陶瓷材料以形成反射層，其中該反射層係殘留於該凹腔之內壁之陶瓷材料且為支撐體之上部側面；於一下陶瓷基板上配置一模製體，其中該模製體包含該上陶瓷基板以及該反射層；以及熱處理該下陶瓷基板及模製體以結合該下陶瓷基板和該模製體。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該反射層具有向內之圓形曲面。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該上陶瓷基板以及該下陶瓷基板係由相同之陶瓷材料所製成。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該陶瓷材料係由陶瓷粉末、及自由二氧化鈦、二氧化鋯、與氧化鋅所構成群組中選出的至少一種之混合物。