TWI425474B - 發光裝置及畫像形成裝置 - Google Patents

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Hiroaki Jo
Shinsuke Fujikawa
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Description

發光裝置及畫像形成裝置
本發明乃有關使用有機EL(電激發光)材料等之發光元件之發光裝置，及利用此發光裝置之畫像形成裝置者。
在於以往提案有排列複數之發光元件之發光裝置。於此種類之發光裝置中，起因於各發光元件之特性或控制此之電晶體的性能的參差，在複數之發光元件間，會有產生亮度不均之情形。為控制此亮度不均，例如在於專利文獻1中，揭示有補正各發光元件之色階資料的技術。於此技術中，對應於事前測定之各發光元件之亮度比，補正各發光元件之色階資料，對應於此補正後之色階資料，驅動各發光元件。
〔專利文獻1〕日本特開2005－283816號公報
但是，於專利文獻1之構成中，根據各發光元件之亮度比，補正色階資料之電路為不可或缺之故，會有配置於發光範圍之周邊的電路(以下稱「周邊電路」)之規模肥大化之問題。本發明乃有鑑於如此情事，解決在不肥大化周邊電路之規模下，補正發光元件之亮度不均的課題為目的。
本發明乃為解決上述之課題之至少一部分而成者，可實現做為以上之形態或適用例。
〔適用例1〕具備以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和對應於前述複數之各發光元件而設置，各別備有複數之電流源，合成從前述複數之電流源輸出的電流，做為前述驅動電流而輸出的複數之電流生成電路、和記憶控制前述複數之各電流源所輸出之電流的控制信號之複數之記憶體；前述複數之各電流源所輸出之電流大小為相異，前述複數之電流生成電路中，2個以上之電流生成電路中，前述複數之記憶體之至少一個記憶體，共通連接於對應於特定電流之電流源的發光裝置。
〔適用例2〕具備以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和對應於前述複數之各發光元件而設置，各別備有複數之電流源，合成從前述複數之電流源輸出的電流，做為前述驅動電流而輸出的複數之電流生成電路、和記憶控制前述複數之各電流源所輸出之電流的控制信號之複數之記憶體；前述複數之各電流源所輸出之電流大小為相異，前述複數之記憶體之全部或一部分乃，共通連接於屬於不同電流生成電路輸出相同大小電流之2以上的電流源的發光裝置。
〔適用例3〕具備：以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和複數之電流源、和複數之記憶體；前述複數之發光元件乃包含第1發光元件、和第2發光元件；前述複數之電流源乃包含供給電流於前述第1發光元件之第1電流源及第2電流源、和供給電流於前述第2發光元件之第3電流源及第4電流源；前述複數之記憶體乃包含記憶控制前述第1電流源所輸出之電流的第1控制信號的第1記憶體、和記憶控制輸出前述第3電流源之電流的第2控制信號的第2記憶體、和記憶控制輸出前述第2電流源之電流，且控制輸出前述第4電流源之電流的第3控制信號的第3記憶體的發光裝置。
〔適用例4〕具備複數之發光元件、和複數之電流源、和複數之記憶體；將從在前述複數之電流源中，2個以上電流源輸出之電流加以合成，做為驅動電流供給於前述複數之發光元件中1個之發光元件，前述複數之各記憶體乃記憶控制前述複數之電流源中至少一個之電流源輸出之電流的控制信號，前述複數之記憶體之個數乃較前述複數之電流源之個數為少的發光裝置。
於上述適用例中，對於各個發光元件，設於個別之電壓產生電路中，使用適切合成輸出電流大小不同之複數之電流源之輸出電流，生成驅動電流的電壓產生電路，補正發光元件之光量的不均(亮度不均)。因此，無需將做為發光範圍之周邊電路之補正電路，個別加以設置。因此，無周邊電路之規模的肥大化，而可補正發光元件之光量的不均。
根據上述適用例時，對於所有之電流源而言，與設置記憶體之形態比較，可減少記憶體之個數之故，電路規模則會縮小。因此，根據上述適用例時，可抑制生成供予元件之驅動電流的元件電路(例如圖2之元件電路100A)之規模下，補正發光元件之光量的不均。更且，於上述適用例中，電壓產生電路之各電流源乃經由保持於複數之記憶體之控制信號加以控制，記憶體之全部或一部分乃共通連接於屬於不同電壓產生電路，輸出同樣大小之電流的2個以上之電流源(電晶體)為佳。
〔適用例5〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態中，共通連接之電流源之個數乃前述電流源輸出之電流愈大，增加至愈多。換言之，共通連接於1個記憶體之電流源的個數乃電流源之輸出電流愈小則愈減少。即，對於生成大電流之電流源，在多數之電流源間，共通化記憶體，對於輸出小的電流之電流源，則在少數之電流源間，共通化記憶體。因此，根據本形態時，可以大電流源補正大的不均，以小的電流源補正微小之不均。然而，在此所謂「增加」，乃包含在一部分電流變大時，共通連接之電流源之個數為相同的情形。例如，電流產生電路以5個電流源加以構成，包含輸出電流I1~I5，有I1<I2<I3<I4<I5的關係時，對於輸出I1之1個電流源而言，連接1個記憶體，對於輸出I2之2個電流源而言，連接1個記憶體，對於輸出I3之2個電流源而言，連接1個記憶體，對於輸出I4之4個電流源而言，連接1個記憶體，對於輸出I5之4個電流源而言，連接1個記憶體之形態。
〔適用例6〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態中，共通連接之電流源之個數愈是減少，從屬於共通連接之電流源之各電流產生電路，供給前述驅動電流之前述發光元件乃接近加以配置。即，在接近而配置之發光元件間，補正微小之參差，配置於更為離開之位置之發光元件間，則補正大的參差。發光元件乃對應於配置之位置，光量會有所不均(即，在接近之發光元件間，參差為小)之故，根據本形態時，發光元件之光量不均可被適切(有效地)地補正。
〔適用例7〕關於上述適用例之發光裝置之形態，共通連接在屬於前述複數之記憶體之一部分為不同之電流產生電路的2個以上之電流源，輸出前述複數之電流源中之最小電流的電流源乃各別與前述記憶體連接。於本形態中，輸出最小之電流的電流源乃各別連接於記憶體之故，大的參差則經由輸出大的電流之電流源加以補正，另一方面，對於各發光元件間之微小參差，則經由輸出最小電流之電流源加以補正。
〔適用例8〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態，前述複數之記憶體之全部則共通連接於屬於不同電流生成電路之2個以上之電流源，前述複數之發光元件乃以鄰接之2個發光元件成組地加以構成，對於構成成組之發光元件而言，輸出包含於各供給前述驅動電流之2個之電流生成電路之一方的最小電流的電流源、和輸出含於另一方之最小電流的電流源乃與共通之記憶體連接。於上述適用例中，輸出含於供給驅動電流至鄰接之2個發光元件組之一方之發光元件之電流產生電路的最小電流的電流源、和輸出供給驅動電流至另一方之發光元件之電流產生電路的最小電流乃，連接於共通之記憶體。於鄰接之2個發光元件間，與位於相互離開之位置之2個發光元件之間比較，該特性類似之部分為多。為此，對於鄰接之2個發光元件而言，對於該最小之電流源，共有記憶體之情形下，做為複數之發光元件整體之不均，可在實際使用上不會產生問題地加以概略補償。
〔適用例9〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態中，具備各設於前述複數之發光元件與前述複數之電流生成電路間之複數之發光控制電晶體、生成對應於前述複數之各發光元件所欲顯示之色階之脈衝寬度的脈衝信號，各供給至前述複數之發光控制電晶體之閘極的驅動手段。於此形態中，對於各發光元件，採用僅就對應於指定之色階之時間，供給各驅動電流之PWM(脈衝寬度調變)方式。根據此方式時，經由供給驅動電流之時間，控制色階之故，無邢將補正電路生成之補正電流，對應於色階加以設定。即，可使補正電流與色階獨立加以控制。
〔適用例10〕具備：以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和各備有複數之電流源，合成從前述複數之電流源所輸出之電流，做為前述驅動電流輸出的複數之電流生成電路、和記憶控制前述複數之各電流源所輸出之電流的控制信號之複數之記憶體；前述複數之發光元件乃以鄰接之2個發光元件，成組地加以構成，前述複數之各電流生成電路乃於每前述發光元件之組，加以設置，前述複數之各電流源所輸出之電流大小為相異，前述複數之記憶體之全部或一部分乃共通連接於屬於不同電流生成電路的2個以上之電流源之發光裝置。。
於上述適用例中，電流產生電路則對於2個發光元件，共通加以設置。因此，對於各發光元件，與設置1個電流產生電路之情形比較，電路規模則被縮小。如此，根據上述適用例時，可抑制電流產生電路之規模下，補正發光元件之光量的不均。
〔適用例11〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態中，具備：各設於前述複數之發光元件與前述複數之電流生成電路間之複數之發光控制電晶體、和將使前述複數之發光元件發光的期間，分割呈使構成成組之發光元件之一方加以發光的第1期間、與使構成成組之另一方之發光元件加以發光的第2期間，於前述第1期間，生成對應於以一方之發光元件欲顯示之色階的脈衝寬度之脈衝信號，於前述第2期間，生成對應於以另一方之發光元件欲顯示之色階的脈衝寬度之脈衝信號，各別供給至前述複數之發光控制電晶體之閘極的驅動手段。於本形態中，使發光元件發光之期間，分割(時分割)成使構成組之一方之發光元件發光的第1期間、和使構成組之另一方之發光元件發光的第2期間之故，1個電流產生電路輸出之驅動電流，在第1期間供給至一方之發光元件，在第2期間供給至另一方之發光元件。因此，於構成組之各發光元件，即使不設置電流產生電路，亦可將各發光元件之色階，各別加以控制。
〔適用例12〕於關於上述適用例之發光裝置之適切形態中，輸出屬於不同電流生成電路之同樣大小的電流，連接於相同記憶體之電流源乃向前述複數之發光元件排列之方向，鄰接加以配置。於本形態中，輸出屬於不同電流生成電路之同樣大小的電流，連接於相同記憶體之電流源乃鄰接加以配置，該鄰接方向乃箕發光元件排列之方向相同之方向之故，相互接近之電流源則連接於共通之記憶體。因此，可補償起因於電晶體之特性之不均或製造上之誤差的發光元件之光量之不均。
〔適用例13〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態，前述複數之各電流源乃以具有供給電源電位之源極、和連接於前述記憶體之閘極、和輸出電流之汲極的電晶體所構成，前述記憶體乃做為前述控制信號，記憶類比之2值之位準，前述控制信號之一方之位準乃使前述電晶體呈關閉狀態的位準，前述控制信號之另一方之位準乃對應於從前述汲極輸出電流大小的位準。於此形態中，於記憶體記憶類比之2值位準之控制信號，可以1個電晶體，構成電流源之故，可抑制電晶體之個數。
〔適用例14〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態，前述複數之各電流源乃具備具有供給電源電位之源極與供給基準電位之閘極的第1電晶體、和設於其他之電流源與共通之節點與前述第1電晶體之汲極間，於該閘極，供給前述控制信號的第2電晶體；前述記憶體乃做為前述控制信號，記憶數位之2值之位準，前述控制信號之一方之位準乃使前述第2電晶體呈關閉狀態的位準，前述控制信號之另一方之位準乃使前述第2電晶體呈開啟狀態的位準。於此形態中，經由使第2電晶體做為開關而被設置，可簡易構成記憶體。
〔適用例15〕關於上述適用例之發光裝置之適切形態中，記憶於前述記憶體之前述控制信號乃為使前述複數之發光元件之光量呈均勻地，預先設定之固定值者。預先訂定之固定值乃例如根據發光元件之光量之啟始不均的補正位元，將根據在於製造時所測定之發光元件之光量的控制信號，預先嵌入於記憶體亦可。或代替將固定值記憶於記憶體，具備更新記憶於前述記憶體之前述控制信號的更新手段(控制裝置10A、補正位元供給部40)亦可。此時，例如將為補正不均之補正位元，記憶於非揮發性記憶體，在每當投入電源之時，將根據補正位元之控制信號，從非揮發性記憶體載入至記憶體亦可。
〔適用例16〕於有關上述適用例之發光裝置之適切形態中，前述更新手段乃具備記憶顯示前述複數之發光元件之光量的啟始不均的啟始資料的非揮發性之記憶手段、和檢知改變前述複數之發光元件之光量之不均之要素的檢知手段、和根據前述檢知手段之檢知結果與從前述記憶手段讀出之前述啟始資料，生成前述控制信號，寫入至前述記憶體之控制手段亦可。發光元件乃由於裝置周邊之溫度或濕度劣化程度會被左右之故，可將測定周邊濕度或溫度之環境測定手段，做為檢知手段而備有亦可。又，光量愈中發光時間愈長(色階愈大時)，發光元件之劣化愈快之故，將逐次記錄對於各發光元件指定之色階加以累計之劣化測定手段，做為檢知手段而備有亦可。此劣化測定手段乃代替環境測定手段加以設置亦可，與環境測定手段併用亦可。
〔適用例17〕關於本發明之適用例之畫像形成裝置乃做為具備像載持體、和使前述像載持體帶電的帶電器、和複數之前述發光元件被排列，於前述像載持體之帶電面，經由複數之前述發光元件，照射光線，形成潛像之關於上述適用例之發光裝置、和於前述潛像，經由附著碳粉，於前述像載持體形成顯像的顯像器加以掌握。根據上述適例之畫像形成裝置時，可達成上述各形態之任一效果。
參照圖面，說明本發明之各種實施形態。然而，於各圖中共通之部分則附上同一符號。
<A：第1實施例形態>
圖1乃顯示利用關於本實施形態之發光裝置之畫像印刷裝置之一部分構成的斜視圖。如同圖所示，此畫像印刷裝置乃具有發光裝置10、和聚光透鏡陣列15、感光體光鼓(像載持體)110。發光裝置10乃具有排列呈陣列狀之多數發光元件。此等之發光元件乃對應於印刷至用紙等之記錄材的畫像而選擇性發光者。聚光透鏡陣列15乃配置於發光裝置10與感光體光鼓110間。此聚光透鏡陣列15乃包含將各光軸朝向發光裝置10之姿勢下，配置呈陣列狀之多數折射率分有型透鏡。做為如此聚光透鏡陣列15，例如有可由日本板硝子股份有限公司獲得之SLA(SELFOC透鏡陣列)(SELFOC為日本板硝子股份有限公司之註冊商標)。從發光裝置10之各發光元件發光之光線乃透過聚光性透鏡陣列15之各折射訊分布型之透鏡，於感光體光鼓110之表面加以成像。感光體光鼓110乃旋轉，於感光體光鼓110表面之特定曝光位置，形成對應於期望之畫像的潛像。
圖2乃顯示發光裝置10之機能構成的方塊圖。如圖2所示，發光裝置10乃包含光學頭10B和控制光學頭10B之控制裝置10A。光學頭10B乃具有包含排列於主掃描方向(感光體光鼓110之旋轉軸方向)之n個(n為自然數)之發光元件P和生成輸出驅動各發光元件P之驅動電流的元件電路100A的元素範圍100。發光元件P乃對應於電性之作用，改變色階之要素。本實施形態之發光元件P乃具有由有機EL(電激發光)材料所形成之發光機能層、和挾著此發光機能層的陽極及陰極的有機發光二極體元件，以對應於供予發光機能層之電流的亮度加以發光。光學頭10B乃更具連接於元件範圍100之色階資料供給部30和補正位元供給部40。
另一方面，控制裝置10A乃具有控制色階資料供給部30及補正位元供給部40的控制電路20、和連接於控制電路20之非揮發性記憶體50。非揮發性記憶體50乃例如EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read－Only Memory)，記憶為補正各發光元件P之光量的補正位元m。控制電路20乃將由外部供給之畫像資料Din及時脈信號CK供予色階資料供給部30的同時，於電源投入時，將由非揮發性記憶體50讀取之補正位元m，供予至補正位元供給部40。光學頭10B之色階資料供給部30乃根據從控制電路20供給之畫像資料Din及時脈信號CK，生成色階控制信號(PWM1、PWM2、PWM3...PWMn)，供予元件範圍100之元件電路100A，補正位元供給部40乃將從控制電路20供給之補正位元m，供給至元件電路100A。
圖3乃顯示元件範圍100之詳細構成。然而，於圖2之說明中，將發光元件P之個數定為n個做了說明，但於圖3中，為了說明之簡化，僅8個發光元件P代表性地加以圖示。如圖3所示，元件電路100A乃將電流產生電路DR和N通道型之電晶體Tsr(發光控制電晶體)，於每一發光元件P加以備有。電流產生電路DR(DR1~DR8)乃為驅動此對應之發光元件P之驅動電流Iel的電路，包含3個P通道型之電晶體(電流源)T1~T3。合成流於各電晶體T1~T3之電流I1~I3之下，做為驅動電流Iel，輸出至電晶體Tsr。
於本實施形態中，使用PWM(脈衝寬度調變)方式，控制各發光元件P之色階。即，成為驅動發光元件P之單位的期間(例如1水平掃瞄期間)中，在對應於指定於發光元件P之色階值的期間，藉由電晶體Tsr呈開始狀態，流動驅動電流Iel，使發光元件P發光，於殘留期間，使電晶體Tsr呈關閉狀態，停止驅動電流Iel，使發光元件P滅燈。因此，色階控制資料信號PWM乃對應於指定於發光元件P之色階值之時間長度下，成H位準的信號。
元件電路100A乃更具有保持從補正位元供給部40供給之補正位元m之複數之記憶體M(M1、M2、M3)。各記憶體M乃1位元之SRAM(靜態隨機存取記憶體)。由圖3可理解，記憶體M1乃於每一發光元件P加以個別設置，連接於對應於發光元件P之各電流產生電路DR之電晶體T1之閘極。記憶體M2乃於每一相鄰接之2個發光元件P之組加以設置。1個記憶體M2乃對於對應於此之2個電流產生電路DR之各電晶體T2之閘極，共通加以連接。於圖示之例中，對應於發光元件[P1、P2]、[P3、P4]、[P5、P6]、[P7、P8]之各組的2個電晶體T2之閘極而言，共通連接1個記憶體M2。記憶體M3乃於每一相鄰接之4個發光元件P之組加以設置。1個記憶體M3乃對於對應於此之4個電流產生電路DR之各電晶體T3之閘極，共通加以連接。於圖示之例中，對應於發光元件[P1、P2、P3、P4]、[P5、P6、P7、P8]之各組的4個電晶體T3之閘極而言，共通連接1個記憶體M3。因此，記憶體M1~M3之總數乃較做為電流源之電晶體T1~T3之總數為少。又，於圖3中，發光裝置10乃具備複數之發光元件P1~P8、和複數之電晶體T1~T3(電流源)、和複數之記憶體M1~M3。在此，發光裝置10乃具備在發光元件P1供給電流I1之電晶體T1、和在發光元件P1供給電流I1之電晶體T2、和在發光元件P2供給電流I1之電晶體T1、和在發光元件P2供給電流I1之電晶體T2。又，發光裝置10乃具有記憶控制在於發光元件P1供給電流I1之電晶體T1所輸出之電流的第1控制信號的記憶體M1、和記憶控制在於發光元件P1供給電流I1之電晶體T2所輸出之電流的第2控制信號的記憶體M1、和記憶控制在於發光元件P1供給電流I1之電晶體T1所輸出之電流，且控制在於發光元件P2供給電流I1之電晶體T2所輸出之電流的第3控制信號的記憶體M2。
如圖3所示，各記憶體M1、M2、M3乃對於供給第1電位V1之供電線L1和供給第2電位V2之供電線L2而言，共通加以連接。第1電位V1乃較第2電位為低電位。各記憶體M1、M2、M3乃對應於保持本身之補正位元m之值，輸出第1電位V1或第2電位V2之任一者。更詳細而言，各記憶體M1、M2、M3乃補正位元m為「1」時，輸出第1電位V1，補正位元m為「0」時，輸出第2電位V2。
如上所述，電晶體T1~T3乃輸出對應於各補正位元m之電流的P通道型之電晶體。第1電位V1從各記憶體M1、M2、M3供給至閘極之時(即，補正位元m為「1」之時)，電晶體T1~T3乃遷移成開啟狀態。此時，電晶體T1~T3中，流有電流I1~I3。另一方面，從各記憶體M1、M2、M3，供給第2電位V2至閘極之時(即，補正位元m為「0」之時)，電晶體T1~T3乃遷移成關閉狀態。因此，電流I1~I3則不流動。
如以上所述，各別之3個電晶體T1~T3則對應於補正位元m之值，選擇性呈開啟狀態。然後，經由合成流於成為開啟狀態之1個以上之電晶體T1~T3之電流I1~I3，生成驅動電流Iel。本實施形態之3個電晶體T1、T2、T3之特性乃於各閘極，使第1電位V1被供給時所流之電流I1~I3之相對比，成為「I1：I2：I3＝1：2：4」地被加以選定。即，各電晶體T1~T3乃做為生成複數之電流I1~I3(I1<I2<I3)之電流源而工作。因此，驅動電流Iel乃對應於補正位元m之值，設定呈7階段之電流值之任一者。如此，於本實施形態中，電晶體T1~T3中輸出之電流I1~I3的大小愈大，共通連接於1個記憶體之個數會增加地加以構成。
補正位元m乃根據測定發光元件P之光量的結果，對於各發光元件P之各記憶體M1~M3，各別加以生成。例如，於各發光元件P指定同樣色階之下，測定所有發光元件P之實際色階，根據此測定結果(非補正時之色階不均)，使各發光元件P之光量接近目標值地，決定補正位元m。電晶體T1~T3乃加權呈「1：2：4」之故，對應連接於電晶體T3之記憶體M3，經由設定之補正位元m之值，補正發光元件P之大的不均，對於連接於電晶體T1之記憶體M1，經由設定之補正位元m之值，補正微小的不均。
然而，發光元件P或電晶體T1~T3之特性乃對應於各基板上之位置而不同之情形較多。換言之，相互連接配置之複數之發光元件P或複數之電晶體T乃各別之特性為類似的。考量以上之傾向時，選擇性組合構成驅動電流Iel之電流I1與電流I2與電流I3，均化各發光元件P之光量時，與電流I1或電流I2比較有無大電流I3乃，於相鄰接之4個程度之發光元件P，共通之情形為多，與電流I1比較有無大電流I2乃於相鄰接之2個程度之發光元件P，共通者為多。另一方面，輸出最小之電流之電流源T1乃經由各別連接於記憶體M1，電流I1之有無乃於每發光元件P，各別加以控制。因此，於本實施形態中，即使電流I2之有無則對於2個之發光元件P共通加以控制，電流I3之有無則對於4個之發光元件P共通加以控制，各發光元件P之光量之不均亦可有效補正。然後，將如以上之記憶體，在複數之電晶體T2及複數之電晶體T3，適切加以共用構成時，相較對於所有電流產生電路DR之各個電晶體T1~T3，設置記憶體M，將各個開啟/開閉各別加以控制之構成，記憶體M之個數被削減(12分之7)，結果，元件電路100A之規模則大幅縮小。
<B：第2實施形態>
接著，對於本發明之第2實施形態加以說明。然而，對於以下之各形態中之作用或機能與第1實施形態共通之要素，則附上與以上相同之符號，適切省略其各個詳細說明。
圖4乃顯示元件範圍100a之詳細構成。於第1實施形態中，例示相鄰接之2個電流產生電路DR之各電晶體T1連接於其他個之記憶體M1之構成。對此，於本實施形態中，如圖4所示，對於在各個相鄰接之2個電壓產生電路DR中，生成最小電流I1之各電晶體T1，亦對於1個記憶體M而言，共通加以連接。因此，與第1實施形態之構成比較，元件電路100A之規模更可縮小。
然而，各發光元件P被充分細密排列之構成(例如電子攝影方式之畫像形成裝置中，做為曝光感光體光鼓之光源利用之時)，相鄰接之2個程度之發光元件P之特性則極為相近。因此，如圖4所示，將相鄰接之電晶體T1，根據1個之記憶體M1之補正位元m，共通加以控制之構成中，各發光元件P之光量在實用上，均化到不成問題程的程度。
<C：第3實施例形態>
圖5乃顯示本發明之第3實施形態之元件範圍100b之構成的電路圖。如同圖所示，於一個電流產生電路DR之各電晶體T1~T3興電晶體Tsr間，介入存在有電晶體Ts1~Ts3。電晶體T1~T3之各源極中，供給有電源電位VEL，於各閘極，供給有基準電位VREF 。因此，各個電晶 體T1~T3乃生成對應於基準電位VREF 之電流I1~I3。電流I1~I3之相對比在成為「I1：I2：I3=1：2：4」之部分，與第1實施形態相同。
電晶體Ts1~Ts3之各閘極乃連接於記憶體M1~M3。各電晶體Ts1~Ts3乃對應於記憶在各記憶體M1~M3之補正位元m，選擇性成為開啟狀態或開閉狀態的開關元件。對於一個電流產生電路DR而言，對應於電流I1~I3中之補正位元m，合成通過成為開啟狀態之電晶體Ts1~Ts3之電流下，做為驅動電流Iel供予電晶體Tsr。即，各電晶體T1~T3與各電晶體Ts1~Ts3之組，乃做為電流源而工作。
各電晶體Ts1~Ts3與記憶體M1~M3之關係乃與第1實施形態之電晶體T1~T3和記憶體M1~M3之關係相同。即，各電流產生電路DR之電晶體Ts1乃連接於各別之記憶體M1。相鄰接之2個電流產生電路DR之各電晶體Ts2乃連接於共通之記憶體M2。相鄰接之4個電流產生電路DR之各電晶體Ts3乃連接於共通之記憶體M3。本實施形態中，與第1實施形態相同，與對於各電流產生電路DR之所有之電晶體Ts1~Ts3，設置記憶體M1~M3之構成相比較，可得元件電路100A之規模縮小的效果。
然而，對於第1實施形態而言，需將決定電流I1~I3之類比電壓(V1、V2)，從記憶體輸出而構成。對此，於本實施形態中，電流I1~I3乃對應於基準電位VREF 而決定之故，記憶體M1~M3之輸出乃可使電晶體Ts1~Ts3切換成 開啟狀態或關閉狀態之數位信號即足夠。因此，根據本實施形態時，與第1實施形態比較，記憶體M1~M3之構成有簡化之優點。
<D：第4實施形態>
圖6乃顯示本發明之第4實施形態之元件範圍100c之構成的電路圖。如同圖所示，於本實施形態中，於每一相鄰接之2個發光元件P之組，設置電流產生電路DR。對應於構成一組之各發光元件P之2個電晶體Tsr乃連接於生成對應於該組之電流產生電路DR之驅動電流Iel之路徑。各電流產生電路DR之電晶體T1~T3與記憶體M1~M3之連接關係乃與第1實施形態相同。
於以上構成中，屬於一組之2個發光元件P則交互驅動。圖7乃為為說明各發光元件P之驅動時間之流程圖。如同圖所示，發光元件P被驅動之期間乃區分為交互排列之期間t1與期間t2。於期間t1中，經由供予第奇數個之電晶體Tsr的色階控制信號PWM(2k+1)之脈衝寬度之控制，第奇數個之發光元件P(2k+1)驅動為對應於色階值之光量，另一方面，供予第偶數個之電晶體Tsr的色階控制信號PWM(2k)維持於L位準之故，第偶數個之發光元件P(2k)則滅燈。與此相反，於期間t2中，色階控制信號PWM(2k+1)維持於L位準之故，第奇數個之發光元件P(2k+1)則滅燈，經由色階控制信號PWM(2k)之脈衝寬度之控制，第偶數個之發光元件P(2k)以對應於色階值之光量而發光。
對於以上之構成，不單是記憶體M1~M3，電流產生電路DR(電晶體T1~T3)亦在2個發光元件P共用之故，與第1至第3實施形態比較，元件電路100A之規模有縮小之優點。更且，即使在2個發光元件P，共用一個電流產生電路DR，由於使各發光元件P之發光，以時分割加以控制之故，可各別控制各個色階。
<E：第5實施形態>
圖8乃顯示關於本發明之第5實施形態之發光裝置10之構成的方塊圖。如圖8所示，本實施形態之發光裝置10乃除了圖1之各要素，具備環境感測器60和劣化感測器70。環境感測器60及劣化感測器70乃檢知改變各發光元件P光量不均之原因要素的手段。更且，詳細而言，環境感測器60乃測定發光裝置10之週邊溫度或濕度者。又，劣化感測器70乃檢出各發光元件P之劣化程度的手段。愈增加過去之發光時間或光量(即過去指定之色階值愈大)，發光元件P之劣化會不斷進行之故，例如輸出在於過去指定於發光元件P之色階值，逐次累積之數值的電路，則做為劣化感測器70加以採用。
控制電路20乃將記憶於非揮發性記憶體50之各補正位元m，對應於各環境感測器60及劣化感測器70的輸出加以更新之下，輸出至補正位元供給部40。例如，控制電路20乃無關於環境感測器60所檢出之溫度或濕度或劣化感測器70所檢出之各發光元件P之劣化程度(色階值之累積值)，均化各發光元件P之光量地，將非揮發性記憶體50之各補正位元m，根據環境感測器60及劣化感測器70之輸出加以修正。
如以上所述，根據本實施形態時，除了各發光元件P或各電晶體T1~T3之啟始特性之不均之外，亦可補償發光裝置10在在現實使用之環境(溫度、濕度)與起因於歷時性劣化之各發光元件P或各電晶體T1~T3之特性之不均。
然而，於以上之中，雖例示了判別對應於色階值之累積值之各發光元件P之劣化程度，但例如設置測定指定同樣色階值時之各發光元件P之光量之受光體(例如CCD元件)，根據由受光體所成測定結果特定之各發光元件P之光量，判定各劣化程度亦可。
<F：變形例>
(1)於以上之中，例示了構成潛像之一線之各畫素，以發光元件P所成曝光形成之情形，將複數之發光元件P之射出光，多重照射於感光體光鼓110(多重曝光)，形成潛像之一畫素亦可。尤其，關於第4實施形態之發光裝置10中，對於共用一個電流產生電路DR之2個發光元件P乃在各別之期間(t1、t2)，順序發光之故，以第奇數個之發光元件P所成射出光與第偶數個之發光元件P所成射出光之多重曝光，形成畫素之構成，特別適用。
(2)，以上例示之各實施形態，可適切地加以組合。例如將第3實施形態之電流產生電路DR，採用在第4實施形態或第5實施形態亦可。又，第3實施形態至第5實施形態中，與第2實施形態同樣地，採用生成最小之電流I1之複數電晶體T1，共用1個記憶體M1之構成。
(3)於上述實施形態3中，對於在各電流產生電路含做為電流源之T1~T3之3個電晶體之形態做了說明，但非限定於此。又，上述實施形態中，對於共通連接於1個之記憶體M之電流源之個數乃電流源輸出之電流愈大，增加至愈多之情形做為說明，但非限定於此。例如，電流產生電路DR由輸出電流I1~I5之5個電晶體T1~T5所構成，有I1<I2<I3<I4<I5的關係時，包含對於輸出I1之1個電晶體T1而言，連接1個記憶體，對於輸出I2之2個電晶體T2而言，連接1個記憶體，對於輸出I3之2個電晶體T3而言，連接1個記憶體，對於輸出I4之4個電晶體T4而言，連接1個記憶體，對於輸出I5之4個電晶體T5而言，連接1個記憶體之形態。
<G：畫像印刷裝置>
如圖1所示，關於以上各形態之發光裝置10乃可得在於利用電子攝影方式之畫像印刷裝置之像載持體，做為為了寫入潛像之線型光學頭加以利用。做為畫像印刷裝置之例，有印表機、影印機之印刷部分及傳真機之印刷部分。圖9中，顯示將發光裝置10，做為線型之光學頭使用之畫像印刷裝置之一例的縱剖面圖。此畫像印刷裝置乃利用皮帶中間轉印體方式之串聯型之全彩畫像印刷裝置。
此畫像形成裝置中，同樣構成之4個之有機EL陣列10K、10C、10M、10Y，則各配置於同樣構成之4個感光體光鼓(像載持體)110K、110C、110M、110Y之曝光位置。有機EL陣列10K、10C、10M、10Y乃有關以上之形態之發光裝置10。
如圖9所示，此畫像印刷裝置中，設有驅動輥121與從動輥122，於此等輥121、122中，捲繞有無端之中間轉印皮帶120，如箭頭所示，旋轉在輥121、122之周圍。雖未圖示，於中間轉印皮帶120，設置供予張力之張緊輥等之張力附與手段亦可。
於此中間轉印皮帶120之周圍，於外周面，配置相互間隔特定間隔之具有感光層之4個感光體光鼓110K、110C、110M、110Y。附加字K，C，M，Y乃各意味為形成黑、藍綠、洋紅、黃之顯像而使用者。對於其他之構成亦相同。感光體光鼓110K、110C、110M、110Y乃與中間轉印皮帶120之驅動同步，旋轉驅動。
於各感光體光鼓110(K、C、M、Y)之周圍中，配置電暈帶電器111(K、C、M、Y)、有機EL陣列10(K、C、M、Y)、和顯像器114(K、C、M、Y)。電暈帶電器111(K、C、M、Y)乃令對應之感光體光鼓110(K、C、M、Y)之外周面，一樣地帶電。有機EL陣列10(K、C、M、Y)乃於感光體光鼓帶電之外周面，寫入靜電潛像。各有機EL陣列10(K、C、M、Y)乃複數之發光元件P之排列方向沿感光體光鼓110(K、C、M、Y)之母線(主掃描方向)而加以設置，。靜電潛像之寫入乃經由上述複數之發光元件P，將光射照射於感光體光鼓而進行。顯像器114(K、C、M、Y)乃經由於靜電潛像附著做為顯像劑之碳粉，於感光體光鼓，形成可視像。
經由如此4色之單色顯像形成工作所形成之黑、藍綠、洋紅、黃之各顯像乃順序一次轉印於中間轉印皮帶120上，在中間轉印皮帶120上重合，結果得全彩之顯像。於中間轉印皮帶120之內側，配置4個一次轉印電暈器(轉印器)112(K、C、M、Y)。一次轉印電暈器112(K、C、M、Y)乃於感光體光鼓110(K、C、M、Y)附近，各別加以配置，經由從感光體光鼓110(K、C、M、Y)將顯像靜電性地吸引，於通過感光體光鼓與一次轉印電暈器間之中間轉印皮帶120，轉印顯像。
最終，做為形成畫像之對象之薄片102乃經由拾取輥103，從供紙匣101一張一張地加以供給，送至接近驅動輥121之中間轉印皮帶120與二次轉印輥126間之挾持處。中間轉印皮帶120上之全彩顯像乃經二次轉印輥126，整體二次轉印於薄片102之單面，經由通過定著部之定著輥對127，定著於薄片102上。此後，薄片102乃經由排紙輥對128，朝形成於裝置上部之排紙匣上排出。
接著，對於本發明之畫像印刷裝置之其他實施形態加以說明。
圖10中，顯示將發光裝置10，做為線型之光學頭使用之畫像印刷裝置之另一例的縱剖面圖。此畫像印刷裝置乃利用皮帶中間轉印體方式之旋轉顯像式全彩畫像印刷裝置。如圖所示畫像印刷裝置中，於感光體光鼓165之周圍中，設置電暈帶電器168、旋轉式顯像單元161、有機EL陣列167、中間轉印皮帶169。
電暈帶電器168乃使感光體光鼓165之外周面一樣地帶電。有機EL陣列167乃於感光體光鼓帶電之外周面，寫入靜電潛像。有機EL陣列167乃上述例示之各形態之發光裝置10，使複數之發光元件P之排列方向沿感光體光鼓165之母線(主掃描方向)而加以設置。靜電潛像之寫入乃經由此等之發光元件P，於感光體光鼓165，照線光線而進行。
顯像單元161乃使4個顯像器163Y、163C、163M、163K間隔90度之角間隔加以配置之光鼓，以轉161a為中心，可向時鐘旋轉。顯像器163Y、163C、163M、163K乃各別將黃、藍綠、洋紅、黑之碳粉，供予感光體光鼓165，經由於靜電潛像附著做為顯像劑之碳粉，於感光體光鼓165，形成顯像，即形成可視像。
無端之中間轉印皮帶169乃捲繞於驅動輥170a、從動輥170b、一次轉印輥166及張緊輥，使此等之輥之周圍，向箭頭所示方向旋轉。一次轉印輥乃經由從感光體光鼓165靜電吸引顯像，於通過感光體光鼓與一次轉印輥166間之中間轉印皮帶169，轉印顯像。
具體而言，於感光體光鼓165之最初之一次旋轉，經由有機EL陣列167，寫入黃色(Y)像之靜電潛像，經由顯像器163Y，形成同色之顯像，更且轉印於中間轉印皮帶169。又，於下個1次旋轉，經由有機EL陣列167，寫入藍綠色(C)像之靜電潛像，經由顯像器163C，形成同色之顯像，重合於黃色之顯像地，轉印於中間轉印皮帶169。然後，如此地，感光體光鼓165在4次旋轉之間，黃、藍綠、洋紅、黑之顯像則順序重合於中間轉印皮帶169，結果，全彩顯像則形成於轉印皮帶169上。最終而言，於做為形成畫像之對象之薄片之兩面，形凍畫像之時，於中間轉印皮帶169轉印表面與背面之同色顯像，接著，於中間轉印皮帶169轉印表面與背面之一下個顏色之顯像之形式，可將全彩之顯像獲得於中間轉印皮帶169上。
於畫像印刷裝置中，設置薄片通過之薄片輸送路徑174。薄片乃從供紙匣178，經由拾取輥179，一張一張取出，藉由輸送輥，行進薄片輸送路徑174，通過接觸於驅動輥170a之中間轉印皮帶169與二次轉印輥171間之挾持處。二次轉印輥171乃從中間轉印皮帶169，經由將全彩顯像整體靜電性吸引，於薄片單面，轉印顯像。二次轉印輥171乃經由未圖示離合器，接近及離開中間轉印皮帶169。然後，於薄片轉印全彩顯像時，二次轉印輥171乃擋接於中間轉印皮帶169，於中間轉印皮帶169重疊顯像之時，從二次轉印輥171離開。
如以上地，轉印畫像之薄片乃輸送至定著器172，經由通過定著部172之加熱輥172a與加壓輥172b間，定著薄片上之顯像。定著處理後之薄片乃引導入排紙輥對176，向箭頭F之方向行進。於雙面印刷之時，薄片之大部分則通過排紙輥對176後，排紙輥對176向反方向旋轉，如箭頭G所示，導入雙面印刷用輸送器175。然後，經由二次轉印輥171，顯像則轉印至薄片之另一面，再以定著器172進行定著處理後，以排紙輥176排出薄片。
圖9及圖10所例示之畫像印刷裝置乃利用將發光元件P做為曝光手段加以利用之故，較使用雷射掃描光學系之時，可達到裝置的小型化。然而，於以上例示以外之電子攝影方式之畫像印刷裝置中，亦可採用本發明之發光裝置。例如，於不使用中間轉印皮帶，從感光體光鼓對於薄片直接將顯像轉印之形式之畫像印刷裝置、或形成黑白之畫像之畫像印刷裝置，亦可應用關於本發明之發光裝置。
又，適用於關於本發明之發光裝置之畫像形成裝置乃不限定於畫像印刷裝置。例如，做為各種電子機器之照明裝置，亦可採用本發明之發光裝置。做為如此電子機器，可列舉傳真機、影印機、印表機等。於此等電子機器中，將複數之發光元件呈面狀加以排列之發光裝置，可被適切地採用。
10．．．發光裝置
10A．．．控制裝置
10B．．．光學頭
15．．．聚光透鏡陣列
20．．．控制電路
30．．．色階資料供給部
40．．．補正位元供給部
50．．．非揮發性記憶體
60．．．環境感測器
70．．．劣化感測器
100、100a、100b、100c．．．元件範圍
100A．．．元件電路
110．．．感光體光鼓(像載持體)
DR．．．電流產生電路
GND．．．接地電位
I1、I2、I3．．．電流
Iel．．．驅動電流
L1、L2．．．供電線
M1、M2、M3．．．記憶體
m．．．補正位元
P．．．發光元件
PWM．．．色階控制信號
T1、T2、T3、Tsr、Tsr1、Tsr2、Tsr3．．．電晶體
V1．．．第1電壓
V2．．．第2電壓
VEL．．．電源電壓
VREF．．．基準電壓
〔圖1〕乃顯示利用本發明之第1實施形態之發光裝置之畫像印刷裝置之一部分構成的斜視圖。
〔圖2〕乃顯示發光裝置之電性構成的方塊圖。
〔圖3〕顯示發光裝置之元件範圍之電路構成的電路圖。
〔圖4〕顯示關於第2實施形態之元件範圍之電路構成之電路圖。
〔圖5〕顯示關於第3實施形態之元件範圍之電路構成之電略圖。
〔圖6〕顯示關於第4實施形態之元件範圍之電路構成之電路圖。
〔圖7〕為說明驅動方法之時間圖。
〔圖8〕顯示關於第5實施形態之發光裝置之電性構成的方塊圖。
〔圖9〕顯示利用關於本發明之發光裝置之畫像印刷裝置之構成的縱剖面圖。
〔圖10〕顯示利用關於本發明之發光裝置之另一畫像印刷裝置之構成的縱剖面圖。
100．．．元件範圍
DR1~DR8．．．電流產生電路
I1、I2、I3．．．電流
L1、L2．．．供電線
M1、M2、M3．．．記憶體
m．．．補正位元
P1~P8．．．發光元件
PWM1~PWM8．．．色階控制信號
T1、T2、T3．．．電晶體
Tsr．．．電晶體
V1．．．第1電壓
V2．．．第2電壓
VEL．．．電源電壓
Iel．．．驅動電流

Claims (15)

  1. 一種發光裝置，其特徵乃具備：以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和對應於前述複數之各發光元件而設置，各別備有複數之電流源，合成從前述複數之電流源輸出的電流，做為前述驅動電流而輸出的複數之電流生成電路、和記憶控制前述複數之各電流源所輸出之電流的控制信號之複數之記憶體；前述複數之各電流源所輸出之電流大小為相異，前述複數之電流生成電路中，2個以上之電流生成電路中，前述複數之記憶體之至少一個記憶體，共通連接於對應於特定電流之電流源，共通連接之電流源之個數乃前述電流源輸出之電流愈大，增加至愈多者。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，共通連接之電流源之個數愈是減少，從屬於共通連接之電流源之各電流生成電路，供給前述驅動電流之前述發光元件則愈接近地加以配置。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，共通連接於屬於前述複數之記憶體之一部分為不同之電流生成電路的2個以上之電流源，輸出前述複數之電流源中之最小電流的電流源乃個別與前述記憶體連接。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其 中，前述複數之記憶體之全部則共通連接於屬於不同電流生成電路之2個以上之電流源，前述複數之發光元件乃以鄰接之2個發光元件成組地加以構成，對於構成成組之發光元件而言，輸出包含於各供給前述驅動電流之2個之電流生成電路之一方的最小電流的電流源、和輸出含於另一方之最小電流的電流源乃與共通之記憶體連接。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，具備：各設於前述複數之發光元件與前述複數之電流生成電路間之複數之發光控制電晶體、生成對應於前述複數之各發光元件所欲顯示之色階之脈衝寬度的脈衝信號，各供給至前述複數之發光控制電晶體之閘極的驅動手段。
  6. 一種發光裝置，其特徵乃具備：以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和各備有複數之電流源，合成從前述複數之電流源所輸出之電流，做為前述驅動電流輸出的複數之電流生成電路、和記憶控制前述複數之各電流源所輸出之電流的控制信號之複數之記憶體；前述複數之發光元件乃以鄰接之2個發光元件，成組地加以構成，前述複數之各電流生成電路乃於每前述發光元件之組，加以設置， 前述複數之各電流源所輸出之電流大小為相異，前述複數之記憶體之全部或一部分乃共通連接於屬於不同電流生成電路的2個以上之電流源。
  7. 如申請專利範圍第6項之發光裝置，其中，具備：各設於前述複數之發光元件與前述複數之電流生成電路間之複數之發光控制電晶體、和將使前述複數之發光元件發光的期間，分割呈使構成成組之發光元件之一方加以發光的第1期間、與使構成成組之另一方之發光元件加以發光的第2期間，於前述第1期間，生成對應於以一方之發光元件欲顯示之色階的脈衝寬度之脈衝信號，於前述第2期間，生成對應於以另一方之發光元件欲顯示之色階的脈衝寬度之脈衝信號，各別供給至前述複數之發光控制電晶體之閘極的驅動手段。
  8. 如申請專利範圍第1、6、7項之任一項之發光裝置，其中，輸出屬於不同電流生成電路之同樣大小的電流，連接於相同記憶體之電流源乃向前述複數之發光元件排列之方向，鄰接加以配置。
  9. 如申請專利範圍第1、6、7項之任一項之發光裝置，其中，前述複數之各電流源乃以具有供給電源電位之源極、和連接於前述記憶體之閘極、和輸出電流之汲極的電晶體所構成，前述記憶體乃做為前述控制信號，記憶類比之2值之位準，前述控制信號之一方之位準乃使前述電晶體呈關閉狀態的位準，前述控制信號之另一方之位準乃對應於從前 述汲極輸出電流大小的位準。
  10. 如申請專利範圍第1、6、7項之任一項之發光裝置，其中，前述複數之各電流源乃具備：具有供給電源電位之源極與供給基準電位之閘極的第1電晶體、和設於其他之電流源與共通之節點與前述第1電晶體之汲極間，於該閘極，供給前述控制信號的第2電晶體；前述記憶體乃做為前述控制信號，記憶數位之2值之位準，前述控制信號之一方之位準乃使前述第2電晶體呈關閉狀態的位準，前述控制信號之另一方之位準乃使前述第2電晶體呈開啟狀態的位準。
  11. 如申請專利範圍第1、6、7項之任一項之發光裝置，其中，記憶於前述記憶體之前述控制信號乃為使前述複數之發光元件之光量呈均勻地，預先設定之固定值者。
  12. 如申請專利範圍第1、6、7項之任一項之發光裝置，其中，具備更新記憶於前述記憶體之前述控制信號的更新手段。
  13. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中，前述更新手段乃具備：記憶顯示前述複數之發光元件之光量的啟始不均的啟始資料的非揮發性之記憶手段、和檢知改變前述複數之發光元件之光量之不均之要素的檢知手段、和根據前述檢知手段之檢知結果與從前述記憶手段讀 出之前述啟始資料，生成前述控制信號，寫入至前述記憶體之控制手段。
  14. 一種發光裝置，其特徵乃具備：以對應於驅動電流大小之光量加以發光的複數之發光元件、和複數之電流源、和複數之記憶體；前述複數之發光元件乃包含第1發光元件、和第2發光元件；前述複數之電流源乃包含供給電流於前述第1發光元件之第1電流源及第2電流源、和供給電流於前述第2發光元件之第3電流源及第4電流源；前述複數之記憶體乃包含記憶控制前述第1電流源所輸出之電流的第1控制信號的第1記憶體、和記憶控制輸出前述第3電流源之電流的第2控制信號的第2記憶體、和記憶控制輸出前述第2電流源之電流，且控制輸出前述第4電流源之電流的第3控制信號的第3記憶體。
  15. 一種畫像形成裝置，其特徵乃具備：像載持體、和使前述像載持體帶電的帶電器、和複數之前述發光元件被排列，於前述像載持體之帶電面，經由複數之前述發光元件，照射光線，形成潛像之如申請專利範圍第1、6、7、14項之任一項之發光裝置、和於前述潛像，經由附著碳粉，於前述像載持體形成顯像的顯像器、 和從前述像載持體，將前述顯像轉印於其他物體之轉印器。
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