JP2009117689A - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電源線における電位降下によって、電源線に接続された各単位回路の発光量が減少することを抑制する。
【解決手段】発光装置１０はｎ個の単位回路Ｕ１〜Ｕｎを備える。複数の単位回路Ｕ１〜Ｕｎの各々は、高位側電源線１６から電力の供給を受けて駆動電流Ｉｄｓを生成する電流源トランジスタＴｇと、駆動電流Ｉｄｓに応じた輝度で発光する発光素子２３と、を備え、複数の単位回路Ｕ１〜Ｕｎは、高位側電源線１６の延在方向に沿って高位側電源線１６に順に接続された１以上の単位回路Ｕを１組Ｃとする複数の組Ｃで構成され、各組Ｃ毎に、当該組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位を生成する降圧回路２２（ゲート電位生成手段）が設けられ、複数の組Ｃの各々において電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は、電源端子１９から当該組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇに至る電流経路の抵抗値が大きいほど低い。
【選択図】 図２

Description

本発明は、有機発光ダイオード（以下「OLED（Organic Light Emitting Diode）
」という）素子など各種の発光素子を利用した発光装置、及びそのような発光装置を備えた電子機器に関するものである。

基板の上に、OLED素子などの発光素子と、これに電流を供給するためのトランジスタと、を含む単位回路を複数個配列した構成の発光装置が従来から提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１の構成においては、基板の上には更に電源線が設けられ、その電源線に各単位回路がそれぞれ接続される。電源からの電力は、電源端子を介して電源線に供給される。各々の単位回路のトランジスタは電源線から電力の供給を受けて駆動電流を生成する。各々の単位回路の発光素子は、トランジスタで生成された駆動電流の供給を受けて発光する。このとき、電流は電源線から各単位回路へ向かって流れる。
特開平８-１０８５６８号公報

ここで、電源線自体は抵抗体であるため、各発光素子に対する駆動電流の供給に伴って電源線に電流が流れると、電源線において電位降下が生じる。電源端子から単位回路のトランジスタと電源線との接続点に至る電流の経路長が大きいほど、その電流経路の抵抗値も大きくなり、接続点で生じる電位降下量も大きくなる。そうすると、トランジスタで生成される駆動電流も大きく減少し、これにより発光素子の発光強度（輝度）が大きく減少してしまう。
すなわち、電源端子から単位回路のトランジスタに至る電流の経路長が大きいほど発光素子の発光強度が大きく減少するので、各単位回路における発光素子の発光強度にばらつきが生じてしまうという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電源線に接続された各単位回路における発光素子の発光強度のばらつきを抑制するという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、電源端子を介して第１電位を供給する第１電源線と、第２電位を供給する第２電源線と、複数の単位回路とを備えた発光装置であって、複数の単位回路の各々は、第１電源線と接続され、発光素子に駆動電流を生成する電流源トランジスタと、電流源トランジスタによって生成される駆動電流に応じた輝度で発光する発光素子と、を備え、複数の単位回路は、第１及び第２電源線の延在方向に沿って第１及び第２電源線の間に順に接続された１以上の単位回路を１組とする複数の組で構成され、各組毎に、当該組における電流源トランジスタのゲートに供給する電位を生成するゲート電位生成手段が設けられ、複数の組の各々において電流源トランジスタのゲートに供給される電位は、電源端子から当該組における電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど第２電位に近い。

より具体的には、電流源トランジスタはＰチャネルのトランジスタであり、第１電位は第２電位より高く、複数の組の各々において電流源トランジスタのゲートに供給される電位は、電源端子から当該組における電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど低いことが好ましい。
この態様によれば、第１電源線で生じる電位降下によって各単位回路の電流源トランジスタに供給される第１電位が減少しても、電流源トランジスタのゲートに供給される電位も第１電位の減少に応じて減少するため、各電流源トランジスタで生成される駆動電流のばらつきを抑制できる。従って、各単位回路における発光素子の発光強度（輝度）にばらつきが生じることを抑制できる。

この態様において、ゲート電位生成手段は、第１電源線から供給される第１電位を一定の電位だけ降下させ、その降下させた電位を電流源トランジスタのゲートに供給する降圧回路で構成され、電源端子から第１電源線と降圧回路との接続点に至る電流経路の抵抗値は、電源端子から、ゲートに当該降圧回路で降下された電位が供給される電流源トランジスタに至るまでの抵抗値が大きいほど大きいことが好ましい。この態様によれば、第１電源線における電位降下量が変化しても、各電流源トランジスタに供給される第１電位とゲートに供給される電位との電位差をほぼ一定の値に保つことができる。従って、第１電源線における電位降下量が変化しても、各単位回路における発光素子の発光強度にばらつきが生じることを抑制できる。

上述した発光装置において、電流源トランジスタをＮチャネルのトランジスタとし、第２電位は第１電位より高いという構成にすることもできる。この場合、電源端子から各組の電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど当該電流源トランジスタに供給される第１電位は高くなるが、複数の組の各々において、電源端子から当該組における電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど当該電流源トランジスタのゲートに供給される電位を高く設定することによって、各組の電流源トランジスタで生成される駆動電流がばらつくことを抑制できる。
この態様において、ゲート電位生成手段は、第１電源線から供給される第１電位を一定の電位だけ昇圧させ、その昇圧させた電位を電流源トランジスタのゲートに供給する昇圧回路で構成され、電源端子から第１電源線と昇圧回路との接続点に至る電流経路の抵抗値は、電源端子から、ゲートに当該昇圧回路で昇圧された電位が供給される電流源トランジスタに至るまでの抵抗値が大きいほど大きいことが好ましい。この態様によれば、各電流源トランジスタに供給される第１電位とゲートに供給される電位との電位差を、第１電源線における電位変化に関わらず、ほぼ一定の値に保つことができる。

上述の発光装置においては、複数の組の各々において、ゲート電位生成手段から当該組における電流源トランジスタのゲートへ延びるゲート電位供給線が設けられ、互いに隣り合う組のゲート電位供給線同士が接続されるという態様であってもよい。この発明によれば、第１電源線における電位変化に対応するように、接続されたゲート電位供給線においても電位が変化する。これによって、各電流源トランジスタで生成される駆動電流のばらつき(発光素子の発光強度のばらつき)を抑制できる。

次に、本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えることが好ましい。このような電子機器としては、プリンタ、複写機、ファクシミリ、あるいは、画像を表示する表示装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等が該当する。

<Ａ：第１実施形態>
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置を露光装置（光ヘッド）として利用した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置は発光装置１０と集光性レンズアレイ１１と感光体ドラム１２（像担持体）とを含む。発光装置１０は、基板１３の表面に直線状に配列された多数の発光素子（図１においては図示略）を含む。これらの発光素子は、用紙などの記録材に印刷されるべき画像の態様に応じて選択的に発光する。感光体ドラム１２は、主走査方向に延在する回転軸に支持され、外周面を発光装置１０に対向させた状態で副走査方向（記録材が搬送される方向）に回転する。

集光性レンズアレイ１１は発光装置１０と感光体ドラム１２との間隙に配置される。この集光性レンズアレイ１１は、各々の光軸を発光装置１０に向けた姿勢でアレイ状に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。このような集光性レンズアレイ１１としては、例えば日本板硝子株式会社から入手可能なＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）がある（セルフォック／ＳＥＬＦＯＣは日本板硝子株式会社の登録商標）。

発光装置１０の各発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ１１の各屈折率分布型レンズを透過したうえで感光体ドラム１２の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム１２の表面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。

図２は、発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。図２に示すように、発光装置１０は、電源回路１４及び１５と、高位側電源線１６と、低位側電源線（接地線）１７と、ｎ個の単位回路Ｕ（Ｕ_１〜Ｕ_ｎ）と、駆動回路１８と、が基板１３の表面に配置された構造となっている。電源回路１４及び１５は、長尺状の基板１３の長手方向両端部の近傍に配置されている。高位側電源線１６及び低位側電源線１７は主走査方向に沿って延在する。高位側電源線１６の両端には電源端子１９が設けられている。また、低位側電源線１７の両端にも電源端子２０が設けられている。高位側電源線１６には電源端子１９を介して電源回路１４及び１５から電源電位ＶＥＬが供給される。低位側電源線１７には電源端子２０を介して電源回路１４及び１５から接地電位ＶＣＴ（ＶＥＬ＞ＶＣＴ）が供給される。単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎは、主走査方向に沿って配列され、その各々は、高位側電源線１６及び低位側電源線１７との間に配置される。

図２に示すように、単位回路Ｕ_１は、電流源トランジスタＴｇと、トランジスタＴｒと、発光素子２１と、を含む。なお、他の単位回路Ｕ_２〜Ｕ_ｎも単位回路Ｕ_１と同様に構成されている。図２に示すように、発光素子２１は、高位側電源線１６と低位側電源線１７との間に配置される。発光素子２１は、駆動電流Ｉｄｓに応じた階調となる素子である。本実施形態における発光素子２１は、有機ＥＬ素子（ＥlectroLuminescent）材料で形成された発光層が陽極と陰極との間隙に介在するОＬＥＤ素子であり、発光層に供給される駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。

図２に示すように、電流源トランジスタＴｇは、高位側電源線１６と発光素子２１との間に配置されるＰチャネル型のトランジスタ（典型的には薄膜トランジスタ）である。電流源トランジスタＴｇのソースは高位側電源線１６と接続され、高位側電源線１６から電源電位ＶＥＬが供給される。図２に示すように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇのソースと高位側電源線１６との接続点をそれぞれＳ_１〜Ｓ_ｎとする。また、図２に示すように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎには、電流源トランジスタＴｇのゲートに供給する電位（以下、「ゲート電位」という）を生成する降圧回路２２（ゲート電位生成手段）が設けられている。降圧回路２２の詳細な態様については後述する。電流源トランジスタＴｇには降圧回路２２からゲート電位が供給されると共に、そのソースには高位側電源線１６から電源電位ＶＥＬが供給される。これにより、各電流源トランジスタＴｇは定電流源として機能する。

図２に示すように、トランジスタＴｒは、電流源トランジスタＴｇと発光素子２１との間に配置されるトランジスタ（典型的には薄膜トランジスタ）である。駆動回路１８は、画像形成装置の制御装置（例えばＣＰＵやコントローラである。）から送られた階調データに応じた電位ＶｄをトランジスタＴｒのゲートに供給する。本実施形態における階調データは、発光素子２１に対して点灯（高階調）および消灯（低階調）の何れかを指定するデータである。トランジスタＴｒは、階調データに応じた電位Ｖｄがゲートに供給されることでオン状態又はオフ状態の何れかに制御される。トランジスタＴｒがオン状態に変化すると、電流源トランジスタＴｇで生成された駆動電流Ｉｄｓが発光素子２１に供給され、これによって発光素子２１は発光する。これに対し、トランジスタＴｒがオフ状態に変化すると、電流源トランジスタＴｇで生成された駆動電流Ｉｄｓの電流値はゼロとなって発光素子２１は消灯する。

発光素子２１の発光強度（輝度）は、定電流源である電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値で決まる。電流源トランジスタＴｇは飽和領域で動作し、電流源トランジスタＴｇによって生成される駆動電流Ｉｄｓは、次に示す式（１）で表される。
Ｉｄｓ＝（μ＊Ｃｏｘ／２）＊（Ｗ／Ｌ）＊（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２＊（１＋Ｖｄｓ）・・（１）
上記式（１）において、μは電子の移動度、Ｃｏｘは電流源トランジスタＴｇのゲート容量、Ｗは電流源トランジスタＴｇのチャネル幅、Ｌは電流源トランジスタＴｇのチャネル長、Ｖｇｓは電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧、Ｖｔｈは電流源トランジスタＴｇの閾値電圧、Ｖｄｓは電流源トランジスタＴｇのドレイン・ソース間電圧をそれぞれ表している。

各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２１の発光強度（輝度）を等しくするためには、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値を等しくする必要がある。そうすると、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおいて、電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓの電流値に大きく影響を与える電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを一定にする必要がある。

図３は、高位側電源線１６における主走査方向の各接続点Ｓ_１〜Ｓ_ｎの位置と、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬとゲート電位との関係を示す図である。高位側電源線１６は抵抗体であるため、各発光素子２１に対する駆動電流Ｉｄｓの供給に伴って電流が高位側電源線１６を流れると、高位側電源線１６において電位降下が生じる。電源端子１９から電流源トランジスタＴｇと高位側電源線１６との接続点Ｓに至る電流の経路長が大きいほど、その電流経路における抵抗値も大きいため、接続点Ｓで生じる電位降下量も大きい。すなわち、図３に示すように、各接続点Ｓ_１〜Ｓ_ｎの位置が高位側電源線１６の両方の端部１９からその延在方向の中央（電源端子１９間の中点）に向かうにつれて電源電位ＶＥＬは減少する。

ところで、高位側電源線１６における電位降下によって各電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬが減少しても、各電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位も電源電位ＶＥＬの減少に応じて減少すれば、各電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓがばらつくことを抑制できる。本実施形態はかかる点に着目したものである。図２の各降圧回路２２は、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位が、電源端子１９から電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど低いようにゲート電位を生成して各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給している。さらに詳述すると、降圧回路２２は、高位側電源線１６から供給される電位を一定の電位だけ降下させ、その降下させた電位を電流源トランジスタＴｇのゲートに供給する。降圧回路２２は、高位側電源線１６から供給される電位を一定の電位だけ降下させ、その降下させた電位を電流源トランジスタＴｇのゲートに供給するものであればよく、例えば降圧回路２２は、バンドギャップリファレンス回路やツェナーダイオードなどで構成される。

図２に示すように、各降圧回路２２と高位側電源線１６との接続点ＤをそれぞれＤ１〜Ｄｎとする。本形態では、降圧回路２２と高位側電源線１６との接続点Ｄは、その降圧回路２２に対応する電流源トランジスタＴｇと高位側電源線１６との接続点Ｓの近傍に設けられる。従って、その接続点Ｓの電位と接続点Ｄの電位はほぼ同電位である（図２において、例えば接続点Ｓ１と接続点Ｄ１は同電位である）。電源端子１９から接続点Ｄに至る電流経路の抵抗値は、電源端子１９から、当該降圧回路２２からゲート電位が供給される電流源トランジスタＴｇに至る電流経路の抵抗値が大きいほど大きい。

本形態では、各降圧回路２２の各々における電位降下量△Ｖは等しい。そのため、接続点Ｄにおける電位が低いほど（すなわち、接続点Ｄにおける電源電位ＶＥＬの減少量が大きいほど）、その降圧回路２２から電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は低い。
本形態の構成によれば、図３に示すように各電流源トランジスタＴｇにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、各接続点Ｓにおける電源電位ＶＥＬの減少量に関わらず降圧回路２２における電位降下量△Ｖに均一化される。これにより、各電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓのばらつき（発光素子２１の発光強度のばらつき）が抑制される。

<Ｂ：第２実施形態>
第１実施形態の発光装置１０においては、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎ毎に降圧回路２２を設けていた。これに対して、第２実施形態の発光装置１０においては、図４に示すように、ｎ個の単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎを所定個（本形態では２個）毎に区分した複数の組Ｃの各々について降圧回路２２が配置される。他の構成については、第１実施形態の構成と同じであるため、重複する部分については説明を省略する。

図４に示すように、１つの組Ｃに属する複数個（本形態では２個）の単位回路Ｕは、高位側電源線１６および低位側電源線１７の延在方向に沿って高位側電源線１６および低位側電源線１７との間に順に接続されている。各組Ｃに配置された降圧回路２２は、各組Ｃの電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位が、電源端子１９から当該組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど低いようにゲート電位を生成して各組Ｃの電流源トランジスタＴｇに供給する。具体的な態様については、以下に説明する。

図４に示すように、各組Ｃにおいては、降圧回路２２から各電流源トランジスタＴｇのゲートに延びるゲート電位供給線２３がそれぞれ設けられている。各組Ｃにおいて、降圧回路２２で生成されたゲート電位は、ゲート電位供給線２３を経由して各電流源トランジスタＴｇのゲートにそれぞれ供給される。ここで、各電流源トランジスタＴｇのゲートにおけるインピーダンスは非常に大きいため、各ゲートには殆ど電流が流れず、ゲート電位供給線２３において電位降下は殆ど発生しない。そのため、図５に示すように、同じ組Ｃに属する各電流源トランジスタＴｇのゲートに降圧回路２２から供給されるゲート電位は殆ど同電位となる。

電源端子１９から高位側電源線１６と降圧回路２２との接続点Ｄに至るまでの電流経路の抵抗値は、電源端子１９から、当該降圧回路２２に対応する組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇと高位側電源線１６との各接続点Ｓに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど大きい。各降圧回路２２の各々における電位降下量△Ｖは等しいため、接続点Ｄにおける電位が低いほど、降圧回路２２から各電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は低い。
従って、図５に示すように各組Ｃにおける電源電位ＶＥＬが低いほど各組におけるゲート電位も低く、各電流源トランジスタＴｇにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきが抑制される。これにより、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２１の発光強度のばらつきが抑制される。

本形態では、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎ毎にゲート電位生成手段を設けていないため、より簡易な構成で各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける発光素子２１の発光強度のばらつきを抑制することができるという利点がある。

<Ｃ：第３実施形態>
第２実施形態の発光装置１０においては、降圧回路２２とゲート電位供給線２３とを各組Ｃ毎に独立に設けていた。これに対して、第３実施形態の発光装置１０においては、互いに隣り合う組Ｃのゲート電位供給線２３同士が接続される。他の構成については、第２実施形態の構成と同じであるため、重複する部分については説明を省略する。

図６に示すように、互いに隣り合う２組（例えば図６のＣ１とＣ２）の各々のゲート電位供給線２３同士が接続される。さらに詳述すると、組Ｃ１のゲート電位供給線２３の延出方向端部（組Ｃ１の降圧回路２２とは反対側の端部）は、次段の組Ｃ２のゲート電位供給線２３のうち降圧回路２２から初段の電流源トランジスタＴｇのゲートに至るまでの区間に設けられた接続点Ｅに接続される。電源端子１９から組Ｃ２における電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流の経路長（電流経路の抵抗値）は、電源端子１９から組Ｃ１における電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流の経路長（電流経路の抵抗値）よりも大きいため、組Ｃ２における電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は、組Ｃ１における電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位よりも低い。そのため、組Ｃ１における降圧回路２２と次段の組Ｃ２のゲート電位供給線２３に設けられた接続点Ｅとの間には、組Ｃ１におけるゲート電位と組Ｃ２におけるゲート電位の相違による電位差が生じ、図６に示すように組Ｃ１における降圧回路２２から接続点Ｅに向かって電流Ｉが流れる。ゲート電位供給線２３自体は抵抗体であるため、ゲート電位供給線２３に電流Ｉが流れると、ゲート電位供給線２３において電位降下が生じる。組Ｃ１において、降圧回路２２からの電流経路の抵抗値が大きいほど、ゲート電位供給線２３における電位降下量は大きい。

各組Ｃにおいて、電源端子１９から当該組Ｃにおける電流源トランジスタと高位側電源線１６との接続点Ｓに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど、降圧回路２２からその接続点Ｓに対応する電流源トランジスタＴｇのゲートに至るまでの電流経路の抵抗値は大きい。従って、組Ｃ１においては、電源端子１９から接続点Ｓに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど、その接続点Ｓに対応する電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は低い。

同様にして、互いに隣り合う組Ｃのゲート電位供給線２３同士を全て接続すると、各接続点Ｅにおいて電位差が生じるため、相互に接続されたゲート電位供給線２３に電流が流れる。従って、高位側電源線１６における電位降下に対応するように、相互に接続されたゲート電位供給線２３においても電位降下が発生する。本実施形態の構成によれば、図７に示すように、各電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬの減少に応じて各電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位が減少する。すなわち、各組Ｃ間における電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきは勿論、１つの組Ｃ内における電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきも抑制できる。

なお、本形態のように互いに隣り合う組Ｃのゲート電位供給配線２３を全て接続するという態様でもよいし、互いに隣り合う組Ｃのゲート電位供給配線２３の一部を接続するという態様であってもよい。要するに、高位側電源線１６における電位降下に対応するように各組Ｃにおけるゲート電位を変化させることができる態様であればよい。
また、各電流源トランジスタＴｇのゲートに流れる電流を低減するために、接続されたゲート電位供給線２３に抵抗体を設けるという態様とすることもできる。

<Ｄ：変形例>
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
（１）変形例１
上述の各実施形態においては、発光素子２３の一例として、ＯＬＥＤ素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。要は、駆動電流に応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。

（２）変形例２
上述の各実施形態においては、電源電位ＶＥＬを降圧してゲート電位を生成したが、これに限らず、電源電位ＶＥＬとは独立してゲート電位を生成する電源回路をゲート電位生成手段として採用してもよい。

例えば図８に示すように、ゲート電位を生成するための電源回路２４が各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎ毎に設けられるという態様が採用される。図８において、単位回路Ｕ_１に対応して設けられた電源回路２４は、接続点Ｓ_１における電位よりも△Ｖだけ低いゲート電位を生成し、そのゲート電位を単位回路Ｕ_１における電流源トランジスタＴｇのゲートに供給する。単位回路Ｕ_２〜Ｕ_ｎにおいても同様である。
また、例えば図９に示すように、ｎ個の単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎを所定個毎に区分した複数の組Ｃの各々について電源回路２４が設けられるという第２実施形態と同様の態様であってもよい。また、例えば図１０に示すように、互いに隣り合う組Ｃのゲート電位供給線２３同士を接続するという第３実施形態と同様の態様であってもよい。

（３）変形例３
第２実施形態においては、ｎ個の単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎを２個毎に区分して複数の組Ｃとしたが、これに限らず、ｎ個の単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎは、１以上の単位回路を１組とする複数の組で構成されるという態様であればよく、種々の変更が可能である。例えば、図１１に示すように１つの組Ｃを構成する単位回路Ｕの数が、各組Ｃ毎に異なるという態様であってもよい。図１１の態様においては、各組Ｃにおける単位回路Ｕの数を適宜設定することにより、各ゲート電位を高位側電源線１６における電位降下に対応させて設定することができる。これによって、各電流源トランジスタＴｇにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきを一層抑制できる。

（４）変形例４
上述の各実施形態においては、複数の組Ｃの各々において電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は、電源端子２０から当該組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇに至る電流経路の抵抗値が大きいほど低く設定されるが、これに限らず、本発明は、電源端子を介して第１電位を供給する第１電源線と、第２電位を供給する第２電源線と、複数の単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎと、を備えた発光装置１０であって、複数の組Ｃの各々における電流源トランジスタＴｇのゲートに供給される電位は、電源端子から当該組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇに至る電流経路の抵抗値が大きいほど第２電位に近いという態様であればよい。
上述の各実施形態においては、高位側電源線１６が「第１電源線」に対応し、低位側電源線１７が「第２電源線」に対応する。また、電源電位ＶＥＬが「第１電位」に対応し、接地電位ＶＣＴが「第２電位」に対応する。
ところで、上述の各実施形態における電流源トランジスタＴｇは、Ｐチャネル型のトランジスタであるが、電流源トランジスタＴｇをＮチャネル型のトランジスタで構成することもできる。そのような場合の態様について、以下に説明する。

図１２は、電流源トランジスタＴｇがＮチャネル型のトランジスタで構成された発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。図１２に示すように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇは、発光素子２１と低位側電源線１７との間に配置され、電流源トランジスタＴｇのソースは低位側電源線１７に接続される。各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇと低位側電源線１７との接続点をそれぞれＫ_１〜Ｋ_ｎとする。図１２の構成においては、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎには、電流源トランジスタＴｇのゲートに供給するゲート電位を生成する昇圧回路２５（ゲート電位生成手段）がそれぞれ設けられている。図１２に示すように、各昇圧回路２５と低位側電源線１７との接続点をそれぞれＦ_１〜Ｆ_ｎとする。各昇圧回路２５は、低位側電源線１７から供給される電位を一定の電位△Ｖだけ昇圧させ、その昇圧させた電位を各電流源トランジスタＴｇのゲートに供給する。
図１２の構成では、昇圧回路２５と低位側電源線１７との接続点Ｆは、その昇圧回路からゲート電位が供給される電流源トランジスタＴｇと低位側電源線１７との接続点Ｋの近傍に設けられる。従って、その接続点Ｋの電位と接続点Ｆの電位はほぼ同電位である（図１２において、例えば接続点Ｋ_１と接続点Ｆ_１はほぼ同電位である）。電源端子２０から接続点Ｆまでの電流経路の抵抗値は、電源端子２０から、当該昇圧回路２５からゲート電位が供給される電流源トランジスタＴｇまでの電流経路の抵抗値が大きいほど大きい。
それ以外の構成は上述の第１実施形態の構成と同じであるため、重複する部分については説明を省略する。

上述の各実施形態において説明したように、トランジスタＴｒがオン状態になると、電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓが発光素子２１に供給される。これによって、発光素子２１が発光する。
このとき、発光素子２１に供給された電流は、低位側電源線１７を通って電源端子２０に向かって流れる。低位側電源線１７は抵抗体であるため、低位側電源線１７に電流が流れると、低位側電源線１７において電位降下が生じる。低位側電源線１７における電位は、電源端子２０に近いほど接地電位ＶＣＴに近づく。
図１３は、低位側電源線１７における各接続点Ｋ_１〜Ｋ_ｎの位置と、その位置における電位と、の関係を示す図である。図１３に示すように、接続点Ｋの位置が低位側電源線１７の両方の端部からその延在方向の中央に向かうにつれて当該接続点Ｋにおける電位は高くなる。すなわち、電源端子２０から電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど当該電流源トランジスタＴｇのソース電位は高いということが分かる。
なお、図１３では、各接続点Ｋ_１〜Ｋ_ｎのうち最も電源端子２０に近い接続点であるＫ_１およびＫ_ｎにおける電位を便宜上ＶＣＴとして表している。

上述の各実施形態において説明したように、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓを等しくするためには、各電流源トランジスタＴｇのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきを抑制することが必要である。
そこで、図１２に示す構成においては、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎにおける電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓを等しくするために、電源端子２０から電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど当該電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位が高いように設定されている。

図１２の構成では、各昇圧回路２５の各々における電位上昇量△Ｖは等しいので、接続点Ｋ（接続点Ｆ）における電位が高いほど、すなわち、電源端子２０から電流源トランジスタＴｇに至るまでの電流経路の抵抗値が大きいほど、当該電流源トランジスタＴｇに供給されるゲート電位は高く、当該接続点Ｋにおける電位を△Ｖだけ上昇させた値となる。図１２の構成によれば、各電流源トランジスタＴｇにおけるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、各接続点Ｋにおける電位に関わらず昇圧回路２５での電位上昇量△Ｖに均一化される。これにより、各電流源トランジスタＴｇで生成される駆動電流Ｉｄｓのばらつき（発光素子２１の発光強度のばらつき）が抑制される。

図１２の構成においては、低位側電源線１７が「第１電源線」に対応し、高位側電源線１６が「第２電源線」に対応する。また、電源電位ＶＥＬが「第２電位」に対応し、接地電位ＶＣＴが「第１電位」に対応する。すなわち、図１２の構成は、複数の組Ｃの各々における電流源トランジスタＴｇのゲートに供給される電位は、電源端子２０から当該組Ｃにおける電流源トランジスタＴｇに至る電流経路の抵抗値が大きいほど第２電位に近いという態様の一例を示すものである。
なお、図１２の構成については、上述の第２実施形態のように、ｎ個の単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎを所定個毎に区分した複数の組Ｃの各々について昇圧回路２５が配置されるという態様とすることもできる。また、上述の第３実施形態のように、互いに隣り合う組Ｃのゲート電位供給線２３同士が接続されるという態様とすることもできる。
また、図１２の構成では、トランジスタＴｒは高位側電源線１６と発光素子２１との間に配置されているが、これに限らず、例えば高位側電源線１６とトランジスタＴｒとの間に発光素子２１を配置するという態様とすることもできる。

（５）変形例５
上述の各実施形態においては、高位側電源線１６の両端から電源電位ＶＥＬが供給されるという態様であるが、これに限らず、例えば高位側電源線１６の一方の端部のみに電源端子１９が設けられ、高位側電源線１６の一方の端部のみから電源電位ＶＥＬが供給されるという態様であってもよい。

（６）変形例６
上述の各実施形態においては、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎは、電流源トランジスタＴｇと、電流源トランジスタＴｇで生成された電流を発光素子２３に供給するか否かを切り替えるトランジスタＴｒと、発光素子２３と、を備えているが、これに限らず、例えば単位回路ＵはトランジスタＴｒを備えずに、電流源トランジスタＴｇと発光素子２３とを備えるという態様であってもよい。かかる態様の発光装置１０は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用することもできる。

（７）変形例７
上述の各実施形態においては、電流源トランジスタＴｇ及びトランジスタＴｒは、高位側電源線１６と発光素子２３との間に配置されているが、これに限らず、例えば電流源トランジスタＴｇ及びトランジスタＴｒの両方又は何れか一方を発光素子２３と低位側電源線１７との間に配置してもよい。また、上述の各実施形態においては、トランジスタＴｒは、電流源トランジスタＴｇと発光素子２３との間に配置されているが、これに限らず、例えば高位側電源線１６と電流源トランジスタＴｇとの間にトランジスタＴｒを配置してもよい。また、発光素子２３と低位側電源線１７との間に電流源トランジスタＴｇ及びトランジスタＴｒの両方を配置した態様において、トランジスタＴｒは、発光素子２３と電流源トランジスタＴｇとの間に配置してもよいし、電流源トランジスタＴｇと低位側電源線１７との間に配置してもよい。

<Ｅ：電子機器>
次に、図１４を参照して、本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。

この画像形成装置では、各々が同様の構成である４個の発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙが、各々の構成が同様である４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙの像形成面１１０に対向する位置にそれぞれ配置されている。発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙは、上記の各形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

図１４に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２とが設けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回されて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよい。

この中間転写ベルト１２０の周囲には、外周面に感光層を有する４個の感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが互いに所定の間隔をおいて配置される。添字「Ｋ」，「Ｃ」，「Ｍ」，「Ｙ」はそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。

各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）とが配置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、これに対応する感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の像形成面１１０Ａ（外周面）を一様に帯電させる。発光装置１０Ａ（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、各感光体ドラムの帯電した像形成面１１０Ａに静電潜像を書き込む。各発光装置１０Ａ（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）においては、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子２０が配列する。静電潜像の書き込みは、複数の発光素子２０によって感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に光を照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に顕像（すなわち可視像）を形成する。

このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次に一次転写されることによって中間転写ベルト１２０上で重ね合わされ、この結果としてフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。

最終的に画像を形成する対象（記録材）としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によって、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カセット上へ排出される。

次に、図１５を参照して、本発明に係る画像形成装置の他の形態について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形成装置である。図１５に示すように、感光体ドラム１１０の周囲には、コロナ帯電器１６８と、ロータリ式の現像ユニット１６１と、上記の実施形態に係る発光装置１０と、中間転写ベルト１６９とが設けられている。

コロナ帯電器１６８は、感光体ドラム１１０の外周面を一様に帯電させる。発光装置１０は、感光体ドラム１１０の帯電させられた像形成面（外周面）に静電潜像を書き込む。この発光装置１０においては、感光体ドラム１１０の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子３２が配列する。静電潜像の書き込みは、これらの発光素子３２から感光体ドラム１１０に光を照射することにより行う。

現像ユニット１６１は、４つの現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋが９０°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸１６１ａを中心にして反時計回りに回転可能である。現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋは、それぞれイエロー、シアン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム１１０に供給して、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０に顕像（すなわち可視像）を形成する。

無端の中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａ、従動ローラ１７０ｂ、一次転写ローラ１６６およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す向きに回転させられる。一次転写ローラ１６６は、感光体ドラム１１０から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラム１１０と一次転写ローラ１６６の間を通過する中間転写ベルト１６９に顕像を転写する。

具体的には、感光体ドラム１１０の最初の１回転で、発光装置１０によりイエロー（Ｙ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｙにより同色の顕像が形成され、さらに中間転写ベルト１６９に転写される。また、次の１回転で、発光装置１０Ａによりシアン（Ｃ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｃにより同色の顕像が形成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト１６９に転写される。そして、このようにして感光体ドラム１１０が４回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、黒の顕像が中間転写ベルト１６９に順次に重ね合わせられ、この結果としてフルカラーの顕像が転写ベルト１６９上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの両面に画像を形成する場合には、中間転写ベルト１６９に表面と裏面の同色の顕像を転写し、次に中間転写ベルト１６９に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラーの顕像を中間転写ベルト１６９上に形成する。

画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路１７４が設けられている。シートは、給紙カセット１７８から、ピックアップローラ１７９によって１枚ずつ取り出され、搬送ローラによってシート搬送路１７４を進行させられ、駆動ローラ１７０ａに接した中間転写ベルト１６９と二次転写ローラ１７１の間のニップを通過する。二次転写ローラ１７１は、中間転写ベルト１６９からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引することにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ１７１は、図示しないクラッチにより中間転写ベルト１６９に接近および離間させられるようになっている。そして、シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ１７１は中間転写ベルト１６９に当接させられ、中間転写ベルト１６９に顕像を重ねている間は二次転写ローラ１７１から離される。

以上のようにして画像が転写されたシートは定着器１７２に搬送され、定着器１７２の加熱ローラ１７２ａと加圧ローラ１７２ｂの間を通過させられることにより、シート上の顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆの向きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対１７６を通過した後、排紙ローラ対１７６が逆方向に回転させられ、矢印Ｇで示すように両面印刷用搬送路１７５に導入される。そして、二次転写ローラ１７１により顕像がシートの他面に転写され、再び定着器１７２で定着処理が行われた後、排紙ローラ対１７６でシートが排出される。

図１４および図１５に例示した画像形成装置は、ＯＬＥＤ素子を発光素子２３として採用した光源（露光手段）を利用しているので、レーザ走査光学系を用いた場合よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の電子写真方式の画像形成装置にも本発明の発光装置１０を採用することができる。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置にも本発明に係る発光装置１０を応用することが可能である。

本発明に係る発光装置の用途は感光体の露光に限定されない。例えば、本発明の発光装置は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、複数の発光素子（特に発光素子）を面状に配列した発光装置は、液晶パネルの背面側に配置されるバックライトユニットとしても採用される。また、複数の単位回路を行列状に配列した発光装置は各種の電子機器の表示装置として採用される。

第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 高位側電源線１６の位置と、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬ及びゲート電位と、の関係を示す図である。 第２実施形態に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 高位側電源線１６における各接続点Ｓの位置と、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬ及びゲート電位と、の関係を示す図である。 第３実施形態に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 第３実施形態における、高位側電源線１６の位置と、各単位回路Ｕ_１〜Ｕ_ｎの電流源トランジスタＴｇに供給される電源電位ＶＥＬ及びゲート電位と、の関係を示す図である。 変形例２の一例に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 変形例２の一例に係る発光装置１０の他の態様を示すブロック図である。 変形例２の一例に係る発光装置１０の他の態様を示すブロック図である。 変形例３に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 変形例４に係る発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。 低位側電源線１７における接続点Ｋの位置と電位との関係を示す図である。 本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。

符号の説明

１０……発光装置、１６……高位側電源線、１７……低位側電源線、１９……電源端子、２１……発光素子、２２……降圧回路、２３……ゲート電位供給線、２４……電源回路、２５……昇圧回路、Ｕ_１〜Ｕ_ｎ……単位回路、Ｔｇ……電流源トランジスタ、Ｔｒ……トランジスタ（スイッチ）、Ｃ……組、Ｄ_１〜Ｄ_ｎ……接続点、Ｅ……接続点、Ｆ_１〜Ｆ_ｎ……接続点、Ｋ_１〜Ｋ_ｎ……接続点、Ｓ_１〜Ｓ_ｎ……接続点、Ｉｄｓ……駆動電流。

Claims (7)

1. 電源端子を介して第１電位を供給する第１電源線と、第２電位を供給する第２電源線と、複数の単位回路とを備えた発光装置であって、
   前記複数の単位回路の各々は、
   前記第１電源線と接続され、前記発光素子に駆動電流を生成する電流源トランジスタと、
   前記電流源トランジスタによって生成される駆動電流に応じた輝度で発光する発光素子と、を備え、
   前記複数の単位回路は、
   前記第１及び第２電源線の延在方向に沿って前記第１及び第２電源線の間に順に接続された１以上の単位回路を１組とする複数の組で構成され、
   各組毎に、当該組における前記電流源トランジスタのゲートに供給する電位を生成するゲート電位生成手段が設けられ、
   前記複数の組の各々において前記電流源トランジスタのゲートに供給される電位は、前記電源端子から当該組における前記電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど前記第２電位に近い、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記電流源トランジスタはＰチャネルのトランジスタであり、
   前記第１電位は前記第２電位より高く、
   前記複数の組の各々において前記電流源トランジスタのゲートに供給される電位は、前記電源端子から当該組における前記電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど低い、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記ゲート電位生成手段は、前記第１電源線から供給される第１電位を一定の電位だけ降下させ、その降下させた電位を前記電流源トランジスタのゲートに供給する降圧回路で構成され、
   前記電源端子から前記第１電源線と前記降圧回路との接続点に至る電流経路の抵抗値は、前記電源端子から、ゲートに当該降圧回路で降下された電位が供給される前記電流源トランジスタに至るまでの抵抗値が大きいほど大きい
   ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記電流源トランジスタはＮチャネルのトランジスタであり、
   前記第２電位は前記第１電位より高く、
   前記複数の組の各々において前記電流源トランジスタのゲートに供給される電位は、前記電源端子から当該組における前記電流源トランジスタに至る電流経路の抵抗値が大きいほど高い、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
5. 前記ゲート電位生成手段は、前記第１電源線から供給される第１電位を一定の電位だけ昇圧させ、その昇圧させた電位を前記電流源トランジスタのゲートに供給する昇圧回路で構成され、
   前記電源端子から前記第１電源線と前記昇圧回路との接続点に至る電流経路の抵抗値は、前記電源端子から、ゲートに当該昇圧回路で昇圧された電位が供給される前記電流源トランジスタに至るまでの抵抗値が大きいほど大きい
   ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記複数の組の各々において、前記ゲート電位生成手段から当該組における前記電流源トランジスタのゲートへ延びるゲート電位供給線が設けられ、
   互いに隣り合う組の前記ゲート電位供給線同士が接続される
   ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の発光装置。
7. 請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の発光装置を具備する電子機器。
   

Images