TWI421913B - 一種在爐管中沉積多晶矽的方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於半導體晶片製造方法，特別是關於一種在爐管中沉積多晶矽的方法。
參見附圖1，在爐管中沉積多晶矽的傳統方法為：首先，在常壓和第一溫度下用晶舟將晶片送到爐管內，然後，在一預定壓力和第二溫度下沉積多晶矽薄膜，最後，在常壓和第三溫度下將晶片從爐管內拿出來。根據製程的需要，第一溫度和第三溫度可以相同，也可以不同。這種方法產生的問題是：當爐管在高溫、低壓的情況下沉積多晶矽薄膜的時候，由於溫度和壓力的同時變化容易造成沉積在爐管內壁上的薄膜剝落而產生微粒(如圖2所示)，造成晶片的污染，進而影響產品的良率。
針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提出一種在爐管中沉積多晶矽的方法，該方法能夠較佳地避免溫度和壓力同時變化造成爐管內壁上的薄膜變脆而剝落的問題。
為了達到本發明的上述和其他目的，根據本發明的在爐管中沉積多晶矽的方法採用包括如下步驟的技術方案：步驟一，在常壓和第一預定溫度下將晶片送入爐管內；步驟二，在一預定壓力和上述第一預定溫度下沉積多晶矽薄膜；步驟三，在常壓和第二預定溫度下將晶片從爐管中取出。
較佳地，上述第一預定溫度高於第二預定溫度。
較佳地，上述第一預定溫度為540－600℃，第二預定溫度為350－450℃。
較佳地，上述預定壓力的值為18－30帕。
採用本發明的技術方案，並未改變多晶矽薄膜沉積時的溫度、壓力和薄膜沉積後到晶片拿出爐管前爐管內的溫度，因此可以保證多晶矽沉積時的熱量預算和薄膜的品質不受影響；通過改變晶片在進入爐管時的溫度使其與多晶矽薄膜沉積時的溫度相同，可以避免溫度和壓力同時變化造成的爐管內壁上的薄膜剝落的問題，進而提高產品的良率。
下面結合附圖對本發明的具體實施方式作更詳細的描述。參見圖3，一種在爐管中沉積多晶矽的方法，包括：步驟一，在常壓和第一預定溫度下將晶片送到爐管內；步驟二，在一預定壓力和上述第一預定溫度下沉積多晶矽薄膜；步驟三，在常壓和第二預定溫度下將晶片從爐管中拿出。
上述步驟一與步驟二中的第一預定溫度為多晶矽薄膜的沉積溫度，該溫度高於步驟三中的第二預定溫度，較佳地，第一預定溫度為540－600℃，第二預定溫度為350－450℃，最好是400℃；步驟二中的預定壓力是指多晶矽薄膜沉積時的壓力，該壓力的數值範圍為18－30帕。
一種在爐管中沉積多晶矽的方法，包括如下步驟：步驟一，在常壓和540℃溫度下，用晶舟將晶片送入爐管內；步驟二，在18帕的氣壓條件和
540℃溫度下，沉積多晶矽薄膜；步驟三，在常壓和350℃溫度下將晶片從爐管中取出。
一種在爐管中沉積多晶矽的方法，包括如下步驟：步驟一，在常壓和600℃溫度下，用晶舟將晶片送入爐管內；步驟二，在30帕的氣壓條件和600℃溫度下，沉積多晶矽薄膜；步驟三，在常壓和450℃溫度下將晶片從爐管中取出。
一種在爐管中沉積多晶矽的方法，包括如下步驟：步驟一，在常壓和570℃溫度下，用晶舟將晶片送入爐管內；步驟二，在24帕的氣壓條件和570℃溫度下，沉積多晶矽薄膜；步驟三，在常壓和400℃溫度下將晶片從爐管中取出。
採用本發明的方法所產生的有益效果是：在將晶片送到爐管內時，由於使該溫度與多晶矽薄膜沉積時的溫度一致，因此爐管內壁的溫度和壓力不會在多晶矽薄膜沉積時發生變化，避免了爐管內壁薄膜剝落的問題。
以上描述了本發明的較佳實施例及其效果，當然，本發明還可有其他實施例，在不背離本發明之精神及實質的情況下，所屬技術領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬於本發明的權利要求的保護範圍。
圖1為在爐管中沉積多晶矽的傳統方法的示意圖；圖2為在爐管中使用沉積多晶矽的傳統方法產生微粒的效果示意圖；圖3為根據本發明的一種在爐管中沉積多晶矽的方法示意圖。
Claims (2)
- 一種在爐管中沉積多晶矽的方法，該方法包括：步驟一，在常壓和第一預定溫度下將晶片送入爐管內；步驟二，在一預定壓力和該第一預定溫度下沉積多晶矽薄膜；及步驟三，在常壓和第二預定溫度下將晶片從爐管中取出，其中該第一預定溫度為540-600℃，該第二預定溫度為350-450℃。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該預定壓力的值為18-30帕。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW97132606A TWI421913B (zh) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 一種在爐管中沉積多晶矽的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| TW97132606A TWI421913B (zh) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 一種在爐管中沉積多晶矽的方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| TW201009897A TW201009897A (en) | 2010-03-01 |
| TWI421913B true TWI421913B (zh) | 2014-01-01 |
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ID=44828011
Family Applications (1)
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| TW97132606A TWI421913B (zh) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 一種在爐管中沉積多晶矽的方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| TW (1) | TWI421913B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897360A (en) * | 1987-12-09 | 1990-01-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon thin film process |
| US5067437A (en) * | 1988-03-28 | 1991-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for coating of silicon semiconductor surface |
| TW378342B (en) * | 1998-08-26 | 2000-01-01 | Lian Jia Semiconductor Corp | Method of controlling temperature of a furnace pipe |
| TW448491B (en) * | 1999-07-03 | 2001-08-01 | United Microelectronics Corp | Method to reduce particle number in polysilicon doping furnace |
| TW510922B (en) * | 1998-11-06 | 2002-11-21 | Mosel Vitelic Inc | Apparatus and method to improve low pressure chemical vapor deposition process and reduce particle generation |
-
2008
- 2008-08-26 TW TW97132606A patent/TWI421913B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897360A (en) * | 1987-12-09 | 1990-01-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon thin film process |
| US5067437A (en) * | 1988-03-28 | 1991-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for coating of silicon semiconductor surface |
| TW378342B (en) * | 1998-08-26 | 2000-01-01 | Lian Jia Semiconductor Corp | Method of controlling temperature of a furnace pipe |
| TW510922B (en) * | 1998-11-06 | 2002-11-21 | Mosel Vitelic Inc | Apparatus and method to improve low pressure chemical vapor deposition process and reduce particle generation |
| TW448491B (en) * | 1999-07-03 | 2001-08-01 | United Microelectronics Corp | Method to reduce particle number in polysilicon doping furnace |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201009897A (en) | 2010-03-01 |
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