TWI420999B - 軟硬結合電路板之製作方法 - Google Patents

Description

軟硬結合電路板之製作方法

本發明涉及電路板製作領域，尤其涉及一種具有凹槽結構之電路板製作方法。

印刷電路板因具有裝配密度高等優點而得到了廣泛之應用。關於電路板之應用請參見文獻Takahashi,A.Ooki,N.Nagai,A.Akahoshi,H.Mukoh,A.Wajima,M.Res.Lab,High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880，IEEE Trans.on Components,Packaging,and Manufacturing Technology,1992,15(4)：418-425。

軟硬結合電路板係同時包括有相互連接之軟板與硬板之電路板結構，其既能夠具有軟硬電路板之撓折性，也可以包括硬性電路板之硬度。於軟硬結合電路板之製作過程中，通常採用於軟硬電路板上通過半固化膠片壓合硬性基板形成。於進行壓合之前，會將硬性基板及半固化膠片對應軟板之彎折區域形成有開口，於壓合之後，於軟板露出之彎折區域之表面形成可剝離之保護層以保護軟板表面之導電線路於硬板之線路製作過程中不被藥水腐蝕。然而，這樣之製作方法存於著如下不足：首先，由於軟板之彎折區 域與硬板之厚度差較大，於壓合時，由於壓合不平整而容易折傷軟板上之線路。其次，於進行硬性基板之導電線路之製作過程中，藥水往往會侵蝕半固化膠片與軟性電路板板結合處，從而使得軟硬結合電路板於後續制程中存於爆板之風險。

有鑑於此，提供一種能夠有效避免於壓合過程中折傷軟板中之導電線路，並防止軟板於硬板之線路製作過程中被藥水侵蝕之軟硬結合電路板之製作方法實屬必要。

以下將以實施例說明一種軟硬結合電路板製作方法。

一種軟硬結合電路板製作方法，包括步驟：提供軟性電路板，所述軟性電路板包括相互連接之彎折區域和固定區域；提供膠片及硬性之覆銅基板，所述膠片內形成有與所述彎折區域相對應之開口，所述覆銅板包括基板及銅箔層，所述覆銅板具有開窗區域和產品區域，所述開窗區域與所述彎折區域相對應；沿著所述開窗區域之邊界於所述基板內遠離銅箔層之一側形成有第一切口，所述第一切口未貫穿所述基板；依次堆疊並壓合覆銅基板、膠片及所述軟性電路板，所述覆銅基板之基板與所述膠片相接觸，所述銅箔層遠離所述膠片，所述開窗區域與所述彎折區域相重疊；將所述銅箔層製作形成所述外層導電線路；以及沿著所述開窗區域之邊界於基板內形成第二切口，所述第二切口與所述第一切口相連通，並將所述開窗區域內之材料從基板去除。

相較於先前技術，本技術方案提供之軟硬結合電路板之製作方法，於軟性電路板與硬性覆銅基板壓合之前，於硬性覆銅基板之基 板中開設有與開窗區域對應之第一切口，第一切口並不貫穿基板，從而，於將軟性電路板與硬性基板進行壓合時，沒有斷差結構，得到之壓合結構平整。而且，由於基板之開窗區域沒有去除，於形成外層線路時能夠防止藥水與軟性電路板之導電線路相接觸。

110‧‧‧軟性電路板

111‧‧‧絕緣層

1111‧‧‧第一表面

1112‧‧‧第二表面

112‧‧‧第一導電線路

113‧‧‧第二導電線路

114‧‧‧彎折區域

115‧‧‧固定區域

120‧‧‧第一膠片

121‧‧‧第一開口

130‧‧‧第一覆銅基板

1301‧‧‧第一產品區域

1302‧‧‧第一開窗區域

131‧‧‧第一切口

132‧‧‧第一基板

133‧‧‧第一銅箔層

134‧‧‧第一外層線路

135‧‧‧第二切口

140‧‧‧第二膠片

141‧‧‧第二開口

150‧‧‧第二覆銅基板

1501‧‧‧第二產品區域

1502‧‧‧第二開窗區域

151‧‧‧第三切口

152‧‧‧第二基板

153‧‧‧第二銅箔層

154‧‧‧第二外層線路

155‧‧‧第四切口

圖1係本技術方案實施例提供之軟性電路板之剖面示意圖。

圖2係本技術方案實施例提供之第一膠層和第二膠層示意圖。

圖3係本技術方案實施例提供之第一覆銅基板和第二覆銅基板之剖面示意圖。

圖4係本技術方案實施例提供之依次壓合第一覆銅基板、第一膠層、軟性電路板、第二膠層及第二覆銅基板後之剖面示意圖。

圖5係圖4形成外層導電線路後之剖面示意圖。

圖6係圖5中之第一基板形成第二切口及第二基板形成第四切口後之剖面示意圖。

圖7係本技術方案實施例提供之將第一開窗區域和第二開窗區域去除後之剖面示意圖。

下面結合附圖及實施例對本技術方案提供之軟硬結合電路板製作方法作進一步說明。

本技術方案提供之軟硬結合電路板製作方法包括如下步驟：

第一步，請參閱圖1，提供一個軟性電路板110。

軟性電路板110為製作有導電線路之電路板。軟性電路板110可以為單面電路板也可以為雙面電路板。本實施例中，以軟性電路板110為雙面電路板為例進行說明。軟性電路板110包括第一絕緣層111、第一導電線路112及第二導電線路113。第一絕緣層111包括相對之第一表面1111和第二表面1112，第一導電線路112形成於第一絕緣層111之第一表面1111，第二導電線路113形成於第一絕緣層111之第二表面1112。軟性電路板110包括彎折區域114及連接於彎折區域114相對兩側之固定區域115。彎折區域114用於形成軟硬結合電路板板之彎折區相對應。固定區域115用於與硬性電路板相互固定連接。於彎折區域114內均分佈有第一導電線路112和第二導電線路113。

第二步，請一併參閱圖2及圖3，提供第一膠片120、第一覆銅基板130、第二膠片140及第二覆銅基板150，第一膠片120形成有與軟性電路板110之彎折區域114相對應之第一開口121，所述第一覆銅基板130內形成有與彎折區域114相對應之第一切口131，第二膠片140內形成有與軟性電路板110之彎折區域114相對應之第二開口141，第二覆銅基板150內形成有與彎折區域114相對應之第三切口151。

本實施例中，第一膠片120為半固化膠片(prepreg，PP)。於第一膠片120內形成第一開口121可以通過雷射切割之方式形成。即通過雷射於第一膠片120中形成於彎折區域114相對應之切口，從而將切口內與彎折區域114相對應之形狀之膠片之材料去除，從 而形成第一開口121。

第一覆銅基板130為硬性銅箔基板，其包括第一基板132及第一銅箔層133。第一基板132由玻璃纖維及膠組成。所述玻璃纖維呈網狀，所述膠填充於玻璃纖維之空隙中。第一覆銅基板130包括第一產品區域1301和第一開窗區域1302。第一產品區域1301與軟性電路板110之固定區域115相對應，用於與軟性電路板110之固定區域115相固定。第一開窗區域1302與軟性電路板110之彎折區域114相對應，於後續制程中將其去除。於第一覆銅基板130之第一基板132之一側沿著第一開窗區域1302和第一產品區域1301之邊界形成第一切口131，第一切口131之深度方向垂直於第一基板132所於之平面，且並不貫穿第一基板132。第一切口131也可以通過雷射切割之方式形成。第一切口131之深度為第一基板132之厚度之1/4至1/2。優選地，第一切口131之深度為第一基板132厚度之1/3。第一切口131之寬度為0.1毫米至0.4毫米。

第二膠片140也為半固化膠片，第二膠片140內也通過雷射切割之方式形成第二開口141，第二開口141也與彎折區域114相對應。

第二覆銅基板150也為硬性銅箔基板，其包括第二基板152和第二銅箔層153。第二基板152之結構與第一基板132相同。第二覆銅基板150包括第二產品區域1501和第二開窗區域1502。第二產品區域1501與軟性電路板110之固定區域115相對應，用於與軟性電路板110之固定區域115相固定。第二開窗區域1502與軟性電路板110之彎折區域114相對應，於後續制程中將其去除。於第二覆銅基板150之第二基板152之一側沿著第二開窗區域1502和第二產品 區域1501之邊界形成第三切口151，第三切口151之深度方向垂直於第二基板152所於之平面，且並不貫穿第二基板152。第三切口151也可以通過雷射切割之方式形成。第三切口151之深度為第二基板152之厚度之1/4至1/2。優選地，第三切口151之深度為第二基板152厚度之1/3。第三切口151之寬度為0.1毫米至0.4毫米。

第三步，請參閱圖4，依次堆疊並壓合第一覆銅基板130、第一膠片120、軟性電路板110、第二膠片140及第二覆銅基板150，並使得第一覆銅基板130之第一基板132與第一膠片120相接觸，第二覆銅基板150之第二基板152與第二膠片140相接觸，第一膠片120和第二膠片140之開口均與軟性電路板110之彎折區域114相對應，第一切口131和第三切口151均與彎折區域114與固定區域115之交界處相對應。

於本步驟中，由於第一覆銅基板130之第一開窗區域1302和第二覆銅基板150之第二開窗區域1502之基板並未被去除，因此，於進行壓合時，能過防止損傷軟性電路板110之第一導電線路112和第二導電線路113。

第四步，請參閱圖5，將第一銅箔層133製作形成第一外層線路134，將第二銅箔層153製作形成第二外層線路154。

將第一銅箔層133和第二銅箔層153製作形成導電線路可以採用影像轉移工藝及蝕刻工藝。於此過程中，第一開窗區域1302對應之第一銅箔層133和第二開窗區域1502對應之第二銅箔層153之材料也被蝕刻去除。由於第一切口131並未貫穿第一基板132，第三切 口151並未貫穿第二基板152，於進行第一外層線路134和第二外層線路154之製作過程中採用之藥水不能透過第一基板132和第二基板152，從而避免了藥水與軟性電路板110之導電線路相接觸，防止軟性電路板110之彎折區域114處之導電線路被腐蝕。

第五步，請一併參閱圖6及圖7，沿著第一開窗區域1302之邊界形成第二切口135，所述第二切口135與第一切口131相互連通，從而將第一基板132之第一開窗區域1302內之材料去除，沿著第二開窗區域1502之邊界形成第四切口155，第四切口155與第三切口151相互連通，從而將第二基板152之第二開窗區域1502內之材料去除。

本實施例中，採用雷射切割之方式形成第二切口135和第四切口155。於形成第二切口135和第四切口155時，通過設置雷射能量，使得第二切口135之深度為第一基板132厚度之1/2至3/4。優選為第一基板132深度之2/3，第一切口131和第二切口135之深度之和等於第一基板132之厚度，保證第一切口131和第二切口135相互連通。第四切口155之深度為第二基板152厚度之1/2至3/4。優選為第二基板152深度之2/3，第二切口135和第四切口155之深度之和等於第二基板152之厚度，保證第三切口151與第四切口155相互連通。優選地，第二切口135之寬度小於第一切口131之寬度，第四切口155之寬度小於第三切口151之寬度，以方便將第一開窗區域1302內之第一基板132和第二開窗區域1502內之第二基板152之材料去除，從而可以得到通過彎折區域114進行彎折之軟硬結合電路板。

本步驟中，由於第一基板132已經形成有第一切口131，第二基板152已經形成有第三切口151，從而，於形成第二切口135和第四切口155時，可以有效地避免由於能量設定過大損傷軟性電路板110，或者能量設定過小由不能將第一基板132或第二基板152貫穿之問題。

可以理解，本技術方案提供之軟硬結合電路板之製作方法，也可以只於軟性電路板110之一側覆銅基板，即只於第一導電線路112之一側形成第一膠片120和第一覆銅基板130，而並不於第二導電線路113之一側形成第二膠片140和第二覆銅基板150。

本技術方案提供之軟硬結合電路板之製作方法，於軟性電路板與硬性覆銅基板壓合之前，於硬性覆銅基板之基板中開設有與開窗區域對應之第一切口，第一切口並不貫穿基板，從而，於將軟性電路板與硬性基板進行壓合時，沒有斷差結構，得到之壓合結構平整。而且，由於基板之開窗區域沒有去除，於形成外層線路時能夠防止藥水與軟性電路板之導電線路相接觸。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

1302‧‧‧第一開窗區域

131‧‧‧第一切口

135‧‧‧第二切口

1502‧‧‧第二開窗區域

151‧‧‧第三切口

155‧‧‧第四切口

Claims (6)

1. 一種軟硬結合電路板之製作方法，包括步驟：提供軟性電路板，所述軟性電路板包括相互連接之彎折區域和固定區域；提供一個膠片及一個硬性之覆銅基板，所述膠片內形成有與所述彎折區域相對應之開口，所述覆銅板包括基板及銅箔層，所述覆銅板具有開窗區域和產品區域，所述開窗區域與所述彎折區域相對應；沿著所述開窗區域之邊界於所述基板內遠離銅箔層之一側形成有第一切口，所述第一切口未貫穿所述基板；依次堆疊並壓合所述覆銅基板、膠片及所述軟性電路板，所述覆銅基板之基板與所述膠片相接觸，所述銅箔層遠離所述膠片，所述開窗區域與所述彎折區域相重疊；將所述銅箔層製作形成所述外層導電線路；以及沿著所述開窗區域之邊界於基板內形成第二切口，所述第二切口與所述第一切口相連通，並將所述開窗區域內之材料從所述覆銅基板去除，所述第一切口之寬度大於所述第二切口之寬度，所述第一切口和第二切口均通過雷射切割形成。
2. 如申請專利範圍第1項所述之軟硬結合電路板之製作方法，其中，所述第一切口之深度為所述基板厚度之1/4至1/2，所述第二切口之深度為所述基板厚度之1/2至3/4。
3. 如申請專利範圍第1項所述之軟硬結合電路板之製作方法，其中 ，所述第一切口之寬度為0.1毫米至0.4毫米，所述第二切口之寬度為0.1毫米至0.2毫米。
4. 一種軟硬結合電路板之製作方法，包括步驟：提供軟性電路板，所述軟性電路板包括相互連接之彎折區域和固定區域；提供第一膠片、硬性之第一覆銅基板、第二膠片及硬性之第二覆銅基板，所述第一膠片內形成有與所述彎折區域相對應之第一開口，所述第二膠片內形成有與所述彎折區域相對應之第二開口，所述第一覆銅板包括第一基板及第一銅箔層，所述第一覆銅基板具有第一開窗區域和第一產品區域，所述第一開窗區域與所述彎折區域相對應，沿著所述第一開窗區域之邊界於所述第一基板內遠離第一銅箔層之一側形成有第一切口，所述第一切口未貫穿所述第一基板，所述第二覆銅基板包括第二基板及第二銅箔層，所述第二覆銅基板具有第二開窗區域和第二產品區域，所述第二開窗區域與所述彎折區域相對應，沿著所述第二開窗區域之邊界於所述第二基板內遠離第二銅箔層之一側形成第三切口，所述第三切口未貫穿所述第二基板；依次堆疊並壓合第一覆銅基板、第一膠片、軟性電路板、第二膠片及第二覆銅基板，所述第一覆銅基板之第一基板與所述第一膠片相接觸，所述第一銅箔層遠離所述第一膠片，所述第二覆銅基板之第二基板與所述第二膠片相接觸，所述第二銅箔層遠離所述第二膠片，所述第一開窗區域及所述第二開窗區域均與所述彎折區域相重疊；將所述第一銅箔層製作形成所述第一外層線路，將所述第二銅箔 層製作形成所述第二外層線路；以及沿著所述第一開窗區域之邊界於第一基板內形成第二切口，所述第二切口與所述第一切口相連通，沿著所述第二開窗區域之邊界形成第四切口，所述第三切口與所述第四切口相互連通，並將所述第一開窗區域內之材料從第一覆銅基板去除，將所述第二開窗區域內之材料從所述第二覆銅基板去除，所述第一切口之寬度大於所述第二切口之寬度，所述第二切口之寬度大於第四切口之寬度，所述第一切口、第二切口、第三切口及第四切口均通過雷射切割形成。
5. 如申請專利範圍第4項所述之軟硬結合電路板之製作方法，其中，所述第一切口之深度為所述第一基板厚度之1/4至1/2，所述第二切口之深度為所述第一基板厚度之1/2至3/4，所述第三切口深度為所述第二基板厚度之1/4至1/2，所述第四切口之深度為所述第二基板厚度之1/2至3/4。
6. 如申請專利範圍第4項所述之軟硬結合電路板之製作方法，其中，所述第一切口之寬度和第三切口之寬度為0.1毫米至0.4毫米，所述第二切口之寬度和第四切口之寬度均為0.1毫米至0.2毫米。