TWI420983B - 陶瓷電路基板與製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係為一種陶瓷電路基板與製造方法,尤其是有關於一種具有防焊功能的陶瓷電路基板與製造方法。
隨著電子技術的日新月異,電子產品也朝向輕、薄、短、小的趨勢設計。針對此種電子產品的電路佈線設計,線路板(wired board)是經常使用的構裝元件,例如是印刷電路板(printing circuit board)、晶片載板(chip carrier)或是低溫共燒陶瓷基板(LTCC)等線路板。
傳統上,受限於印刷開孔僅在200um以下,且具有解析度不佳與印刷尺寸偏差等問題,僅能作局部防焊並無法在接合墊(pad)周圍印防焊層(solder mask),進而造成錫球與錫球間會互相接觸而形成錫橋,並產生短路現象。此外,由於印刷線徑較大,在使用陶瓷石膏印刷時,因為印刷面積較大,使得陶瓷膏收縮率和基板材料不同,造成共燒過程中,產品產生翹曲的現象。
鑑於傳統的方法並無有效解決錫橋與基板翹曲的問題,因此亟需提出一種新穎的陶瓷電路基板,可用於防止錫橋與基板翹曲。
本發明之一目的在於提供一陶瓷電路基板,此陶瓷電路基板具有一防焊層,用以防止在焊接的過程中,錫球與錫球相互接觸而形成錫橋,並產生短路現象。
本發明之另一目的在於提供一陶瓷電路基板,用於防止在共燒的過程中,產生基板翹曲的問題。
本發明係關於一種陶瓷電路基板,包括:一基板,其表面具有複數個接合墊;以及一生胚,堆疊於該基板之表面上,該生胚具有複數個通孔,其中該些通孔之位置對應於該些接合墊,且該些通孔之直徑大於該些接合墊之直徑。
本發明係關於一種陶瓷電路基板之製造方法,包括:提供表面具有複數個接合墊之一基板;以及提供堆疊於該基板表面上之一生胚,該生胚具有複數個通孔,其中該些通孔之位置對應於該些接合墊,且該些通孔之直徑大於該些接合墊之直徑。
為使 貴審查委員對於本發明之結構目的和功效有更進一步之了解與認同,茲配合圖示範例詳細說明如後。
以下將參照隨附之圖式來描述本發明為達成目的所使用的技術手段與功效,而以下圖式所列舉之實施例僅為輔助說明,以利 貴審查委員瞭解,但本案之技術手段並不限於所列舉圖式。
圖一之剖面圖係顯示根據本發明之一實施例之一陶瓷電路基板1,其包括:一基板11,其表面具有複數個接合墊12,且基板11係可為一低溫共燒陶瓷基板,其中上述之低溫共燒陶瓷基板係可由複數個陶瓷層15所構成;以及一生胚13,堆疊於基板11之表面上,生胚13具有複數個通孔14,其中該些通孔14之位置對應於該些接合墊12,且該些通孔14之直徑大於該些接合墊12之直徑。此外,生胚13的厚度介於10~50um之間,且可透過透過一雷射或機械通孔裝置(未圖示)形成該些通孔14。需特別說明的是基板11與生胚13的收縮率相同,且構成兩者之材料也相同。如圖一所示,當將IC晶片16之錫球17焊接至基板11的接合墊12時,生胚13將可作為一防焊層,以避免錫球間產生錫橋,進而產生短路現象。另外,生胚13的厚度可根據實際情況,設計成與基板11的厚度相同。
圖二A-B之俯視圖係顯示根據本發明之一實施例之一氣密陶瓷層1的製造方法。如圖二A所示,本發明提供表面具有複數個接合墊之一基板11,且基板11係可為一低溫共燒陶瓷基板,其中上述之低溫共燒陶瓷基板係可由複數個陶瓷層所構成。此外,基板11之中央設有電子線路18。如圖二B所示,本發明提供堆疊於該基板表面上之一生胚13,生胚13具有複數個通孔14,其中該些通孔14之位置對應於該些接合墊12,且該些通孔14之直徑大於該些接合墊之直徑12。此外,生胚13的厚度介於10~50um之間,且可透過透過一雷射或機械通孔裝置(未圖示)形成該些通孔14。需特別說明的是基板11與生胚13的收縮率相同,且構成兩者之材料也相同。接著,以燒結的方式將生胚13與基板11堆疊起來,並僅露出所需要的接合墊12(如圖一所示)。
唯以上所述者,僅為本發明之範例實施態樣爾,當不能以之限定本發明所實施之範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾,皆應仍屬於本發明專利涵蓋之範圍內,謹請 貴審查委員明鑑,並祈惠准,是所至禱。
1‧‧‧陶瓷電路基板
11‧‧‧基板
12‧‧‧接合墊
13‧‧‧生胚
14‧‧‧通孔
15‧‧‧陶瓷層
16‧‧‧晶片
17‧‧‧錫球
18‧‧‧線路
圖一之剖面圖係顯示根據本發明之一實施例之一陶瓷電路基板1。
圖二A-B之俯視圖係顯示根據本發明之一實施例之一氣密陶瓷層1的製造方法。
1...陶瓷電路基板
11...基板
12...接合墊
13...生胚
14...通孔
15...陶瓷層
16...晶片
17...錫球
Claims (10)
- 一種陶瓷電路基板,包括:一基板,其表面具有複數個接合墊;以及一生胚,堆疊於該基板之表面上,該生胚具有複數個通孔,其中該些通孔之位置對應於該些接合墊,且該些通孔之直徑大於該些接合墊之直徑;其中該基板與該生胚的收縮率相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷電路基板,該生胚之材料與該基板相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷電路基板,其中該基板為一低溫共燒陶瓷基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷電路基板,其中透過一雷射或機械通孔裝置形成該些通孔。
- 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷電路基板,該生胚之厚度介於10~50um之間。
- 一種陶瓷電路基板之製造方法,包括:提供表面具有複數個接合墊之一基板;以及提供堆疊於該基板表面上之一生胚,該生胚具有複數個通孔,其中該些通孔之位置對應於該些接合墊,且該些通孔之直徑大於該些接合墊之直徑;其中該基板與該生胚的收縮率相同。
- 如申請專利範圍第6項所述之陶瓷電路基板之製造方法,其中該生胚之材料與該基板相同。
- 如申請專利範圍第6項所述之陶瓷電路基板之製造方法,其中該基板為一低溫共燒陶瓷基板。
- 如申請專利範圍第6項所述之陶瓷電路基板之製造方法,其中透過一雷射或機械通孔裝置形成該些通孔。
- 如申請專利範圍第6項所述之陶瓷電路基板之製造方法,該生胚之厚度介於10~50um之間。
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TW99144575A TWI420983B (zh) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 陶瓷電路基板與製造方法 |
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TW201228486A TW201228486A (en) | 2012-07-01 |
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TW99144575A TWI420983B (zh) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 陶瓷電路基板與製造方法 |
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Citations (2)
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TW200620577A (en) * | 2004-08-31 | 2006-06-16 | Nec Electronics Corp | Package substrate for a semiconductor device, a fabrication method for same, and a semiconductor device |
TW201041056A (en) * | 2009-03-20 | 2010-11-16 | Stats Chippac Ltd | Semiconductor substrate and method of forming conformal solder wet-enhancement layer on bump-on-lead site |
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2010
- 2010-12-17 TW TW99144575A patent/TWI420983B/zh not_active IP Right Cessation
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TW201041056A (en) * | 2009-03-20 | 2010-11-16 | Stats Chippac Ltd | Semiconductor substrate and method of forming conformal solder wet-enhancement layer on bump-on-lead site |
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