TWI416756B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI416756B
TWI416756B TW097133303A TW97133303A TWI416756B TW I416756 B TWI416756 B TW I416756B TW 097133303 A TW097133303 A TW 097133303A TW 97133303 A TW97133303 A TW 97133303A TW I416756 B TWI416756 B TW I416756B
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Yoshinori Murazaki
Masafumi Harada
Suguru Takashima
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Nichia Corp
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Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置，尤其係關於一種包括發光元件、紅色螢光體及綠色螢光體而發出白色光之發光裝置。
作為具有較高之光束與較高之顯色性且發出暖色系之白色光之發光裝置，提供有如下發光裝置，該發光裝置包括藍色半導體發光元件、藉由該發光元件發出之光激發而發光之紅色螢光體以及綠色螢光體(例如，參照專利文獻1)。
該等發光裝置中紅色系發光成分之發光強度較大，可廣泛用於照明用途等。
專利文獻1：日本專利特開2007-27796號公報
然而，白色發光裝置之用途多種多樣，存在上述先前之包括藍色半導體發光元件(藍色LED(light-emitting diode，發光二極體))、紅色螢光體及綠色螢光體之發光裝置之色再現性並不充分之用途。即，如此之用途例如作為液晶等圖像裝置之背光。若將上述先前之白色發光裝置用作圖像裝置之背光，則背光之色再現性並不充分，由此引起所得之圖像的色再現性例如NTSC(National Television System Committee，全國電視系統委員會)比未滿70%，不充分。
為了亦可用於如此之用途，本發明之目的在於提供一種具有優良之色再現性之發光裝置。
本發明之第1態樣係一種發光裝置，其特徵在於，包括發光元件、由氮化物螢光體而成之紅色螢光體、以及由鹵矽酸鹽而成之綠色螢光體，發光光譜具有440nm以上且470nm以下之第1峰值波長、510nm以上且550nm以下之第2峰值波長、以及630nm以上且670nm以下之第3峰值波長，且上述第2峰值波長與上述第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係上述第2峰值波長之相對發光強度值與上述第3峰值波長之相對發光強度值中任一較低一方之值的80%以下。
本發明之第2態樣係如第1態樣之發光裝置，其中上述紅色螢光體係藉由Eu而活化，且由下述通式(I)而表示。
M1 w Alx Siy Bz N((2/3)w+x+(4/3)y+z) ：Eu2+ 　(I)
此處，M1 係選自由Mg、Ca、Sr及Ba組成之群中之至少一種，且0.056≦w≦9、x=1、0.056≦y≦18、0≦z≦0.5。
本發明之第3態樣係如第1態樣或第2態樣之發光裝置，其中上述綠色螢光體係由下述通式(II)而表示。
(M2 1-y Ry )a MgM3 b M4 c Oa+2b+(3/2)c X2 　(II)
此處，M2 係選自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn組成之群中之至少一種，M3 係選自由Si、Ge及Sn組成之群中之至少一種，M4 係選自由B、Al、Ga及In組成之群中之至少一種，X係選自由F、Cl、Br及I組成之群中之至少一種，R係選自以Eu為必須成分之稀土類元素中之至少一種，且0.0001≦y≦0.3、7.0≦a<10.0、3.0≦b<5.0、0≦c<1.0。
本發明之第4態樣係如第1態樣或第2態樣之發光裝置，其中上述綠色螢光體係由下述通式(III)而表示。
M5 x Euy MgSiz Alw Oa Xb Nc 　(III)
此處，M5 係選自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn組成之群中之至少一種，X係選自由F、Cl、Br及I組成之群中之至少一種，且6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0<w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≦b≦1.9、0≦c≦3.0。
本發明之第5態樣係如第1態樣至第4態樣中任一者之發光裝置，其中上述紅色螢光體之峰值波長與上述綠色螢光體之峰值波長之差為120nm以上。
本發明之第6態樣係如第1態樣至第5態樣中任一者之發光裝置，其中更包括藉由上述發光元件之光激發而發光之YAG(yttrium aluminum garnet，釔鋁石榴石)系螢光體，上述綠色螢光體之峰值波長與上述YAG系螢光體之峰值波長之差為30nm以下，且上述YAG系螢光體之添加量以重量比表示係全體螢光體之添加量的50%以下。
本發明之第7態樣係如第6態樣之發光裝置，其中上述YAG系螢光體係由下述通式(IV)而表示。
M6 3 M7 5 O12 ：Ce　(IV)
此處，M6 係選自由稀土類元素組成之群中之至少一種，M7 係選自由B、Al、Ga及In組成之群中之至少一種。
以具有特定之發光波長及峰值強度之方式組合發光元件、紅色螢光體及綠色螢光體，藉此可獲得具有優良之色再現性之發光裝置。
圖1表示詳情下述之本發明之實施形態(實施例1)之發光裝置100的發光光譜特性。圖2係表示發光裝置100之剖面圖，其表示本發明之發光裝置之構成例。
圖1之發光光譜於波長455nm附近具有主要引起發光元件(藍色LED)2之發光的第1峰值(第1峰值波長)。上述發光光譜於波長525nm附近具有第2峰值(第2峰值波長)。該第2峰值波長主要係藉由綠色螢光體3B因上述藍色LED2發出之光激發而發光所產生。上述發光光譜進而於波長660nm附近具有第3峰值(第3峰值波長)。該第3峰值波長主要係藉由紅色螢光體3A因上述藍色LED2發出之光激發而發光所產生。
如此，本發明之發光裝置100包括藍色LED(發光元件)2、藉由藍色LED2發出之光激發而發出紅色光之紅色螢光體(紅色發光螢光體)3A以及發出綠色光之綠色螢光體(綠色發光螢光體)3B。並且，發光裝置100藉由藍色LED2、紅色螢光體3A及綠色螢光體3B之混色發光，而獲得圖1中例示之發光光譜。
再者，為了進行比較，圖8及圖9分別表示自先前圖像顯示裝置之背光所使用之陰極螢光管(CCFL，cold-cathode-fluorescent lighting)之發光光譜、以及由藍色LED之光及藉由該藍色LED發出之光激發之YAG(釔-鋁-石榴石)等之螢光體之雙色混合而成的發光裝置之發光光譜。
陰極螢光管(CCFL)之發光光譜具有5個尖峰值，即包含汞於435nm附近之峰值、綠色螢光體於545nm附近之主峰值以及490nm附近及585nm附近之兩個子峰值。另一方面，雙色混合而成之發光裝置之發光光譜確認僅有兩個峰值，陰極螢光管(CCFL)及混色而成之發光裝置中之任一發光光譜均與圖1所示之本發明之發光裝置100的發光光譜不同。
本案發明者等經過銳意研究，結果發現藉由獲得滿足以下4個關係之發光光譜，可獲得具有優良之色再現性、即充分寬廣之色再現範圍之廣色域的發光裝置。
即，第1條件係關於發光元件2，以其發光光譜之峰值波長在適當範圍內(例如440nm以上且470nm以下)之方式進行選擇，並使發光光譜之第1峰值波長為440nm以上且470nm以下。
第2條件係使用詳情下述之鹵矽酸鹽作為綠色螢光休3B，並使第2峰值波長為510nm以上且550nm以下。
第3條件係使用詳情下述之氮化物螢光體作為紅色螢光體3A，藉此使第3峰值波長為630nm以上且670nm以下。
如此，限制第1至第3峰值波長(發光峰值波長)之範圍，藉此可減少會降低色再現性之深綠色與橙黃色之發光比率，故可提高色再現性。
第4條件係第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值(發光光譜之第2峰值波長與第3峰值波長之間，最低的相對發光強度值)，係第2峰值波長之相對發光強度值以及第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的80%以下。
再者，關於該第4條件，例如將紅色螢光體3A之峰值波長與綠色螢光體3B之峰值波長之差設為120nm以上，藉此可使發光光譜之第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，為第2峰值波長之相對發光強度值以及第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的80%以下。
其原因在於，詳情下述之紅色螢光體3A之發光光譜之半值寬度大致為110nm以下，且詳情下述之綠色螢光體3B之半值寬度大致為80nm以下。即，具有如此之半值寬度之紅色螢光體3A之峰值波長與綠色螢光體3B之峰值波長的間隔為120nm以上，藉此可將兩個峰值之間的谷部即第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，降低為第2峰值波長之相對發光強度值以及第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的80%以下。
藉由滿足上述4個條件，可使發光裝置100之發光光譜獲得例如NTSC比為70%之充分廣的色再現範圍。
此處，所謂NTSC比，係指美國電視標準委員會(National Television Standards Committee)將連結CIE(International Commission on Illumination，國際照明委員會)1931 XYZ表色系統之色度(x，y)規定之標準方式之3原色、紅色(0.670，0.330)、綠色(0.210，0.710)、藍色(0.140，0.080)之三角形作為基準，與連結需評價之顯示元件之紅-綠-藍單色之色度而獲得之三角形進行比較的面積比。該面積比係作為色再現範圍而定義，其比率越高則判定色再現性越高。通常，廣播規格中，標準係NTSC比為72%，因此若NTSC比至少為70%、較好的是NTSC比為72%以上，則色再現範圍良好，另一方面，於NTSC比未滿70%之情形時，存在無法顯示之範圍，故而較不佳。
如此，將具有較廣之色再現範圍之本發明之發光裝置用作監視器、數位相機、印表機等顯示裝置之背光的情形時，可深刻鮮明地再現各元件(顯示裝置)之RGB(Red-Green-Blue，紅-綠-藍)之各色。
車載用途之液晶顯示裝置中作為危險色顯示之紅色之再現性尤為重要，因此強烈期望可區分紅色與橙黃色。於上述第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值大於第2峰值波長之相對發光強度值以及第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的80%之情形時，紅色再現性惡化，會察覺到紅色之顯示變化為朱紅色或者橙黃色。又，於上述最低相對發光強度值為80%以下之情形時，y值在可察覺紅色之色度範圍內。再者，所謂y值，係指CIE1931 XYZ表色系統之色度，其作為表示色調之值之一，係與亮度(綠色系之發光)關係較大之數值。
該第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值越小於第2峰值波長與第3峰值波長中之任一較低一方，則越有助於提高背光之深紅化。第2峰值波長與第3峰值波長之間的波長區域相當於橙黃色。該波長區域之相對發光強度值較低則表示橙黃色之成分較少，因此相對而言深紅色成分增多。
再者，第1峰值波長主要係藉由發光元件2發出之光而形成，但紅色螢光體3A發出之光及綠色螢光體3B發出之光(尤其係綠色螢光體3B發出之光)亦有助於第1峰值波長之形成。因此，第1峰值波長有時與發光元件2發出之光之峰值波長不同。
同樣，第2峰值波長主要係藉由綠色螢光體3B發出之光而形成，但發光元件2發出之光及紅色螢光體3A發出之光亦有助於第2峰值波長之形成。因此，有時第2峰值波長與綠色螢光體3B發出之光之峰值波長不同。
進而，第3峰值波長主要係藉由紅色螢光體3A發出之光而形成，但發光元件2發出之光及綠色螢光體3B發出之光(尤其係綠色螢光體3B發出之光)亦有助於第3峰值波長之形成。因此，有時第3峰值波長與紅色螢光體3A發出之光之峰值波長不同。
以下，對紅色螢光體3A、綠色螢光體3B、發光元件(藍色LED)2等發光裝置100之詳細情況加以說明。
1.　紅色螢光體
紅色螢光體(紅色發光螢光體)3A係氮化物螢光體，其吸收發光元件2發出之紫外線至藍色光而發出紅色光。
作為紅色螢光體3A，可使用藉由Eu而活化、含有第二族元素M1 、Si、Al、B、以及N、且由下述通式(I)所表示之氮化物螢光體。
M1 w Alx Siy Bz N((2/3)w+x+(4/3)y+z) ：Eu2+ 　(I)
上述式(I)中，M1 係選自由Mg、Ca、Sr、以及Ba組成之群中之至少一種，且w、x、y、z較好的是0.056≦w≦9、x=1、0.056≦y≦18、0.0005≦z≦0.5。
更好的是0.4≦w≦3、x=1、0.143≦y≦8.7、0≦z≦0.5，最好的是0.5≦w≦3、x=1、0.167≦y≦8.7、0.0005≦z≦0.5。其原因在於可獲得更理想的色調、高亮度以及更理想的發光半值寬度。又，z較好的是0.5以下，更好的是0.3以下，理想的是0.0005以上。進而好的是，硼之莫耳濃度設定為0.001以上、且0.2以下。如此之氮化物螢光體3A係藉由Eu而活化，但Eu之一部分亦可使用選自由Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu組成之群中之至少一種以上的稀土類元素來取代。
上述式(I)中，M1 較好的是Ca或者Sr中之至少一種，且w、x、y、z分別較好的是0.5≦w≦1.5、x=1、0.5≦y≦1.5、0≦z≦0.3。其原因在於，可獲得更好的色調、高亮度以及更好的發光半值寬度，且可獲得橙黃色發光較少而紅色更深之發光。
作為其他較佳之氮化物螢光體，存有下述之通式(I')所表示者。
M1 1-z AlSiBz N((2/3)(1-z)+(7/3)+z) ：Eu2+ 　(I')
式(I')中，M1 係選自由Mg、Ca、Sr、及Ba組成之群中至少一種，x之範圍係0.001≦x≦0.3，而z之範圍係0.0005≦z≦0.5。
又，作為進而其他較佳之氮化物螢光體，存有通式(I")而表示之氮化物螢光體。
M1 w AlSiBz N((2/3)w+(7/3)+z) ：Eu2+ 　(I")
式(I")中，M1 係選自由Mg、Ca、Sr、及Ba組成之群中之至少一種，w以及z之範圍分別係0.04≦w≦3、0.0005≦z≦0.5。
上述式(I)、(I')及(I")中，於使用Ca作為M1 之情形時，Ca較佳為單獨使用。然而，Ca之一部分亦可由Sr、Mg、Ba、Sr及Ba等而取代。藉由Sr而取代Ca之一部分，可調整氮化物螢光體之發光波長之峰值。
Si亦單獨使用為佳，但其一部分亦可由第四族元素之C或Ge而取代。於僅使用Si之情形時，可獲得廉價且結晶性良好之氮化物螢光體。
紅色螢光體3A發出之光之峰值波長較好的是590nm以上且700nm以下，更好的是630nm以上且670nm以下，進而好的是640nm以上且670nm以下。
例如，使紅色螢光體3A發出之光之峰值波長於上述較佳範圍內位移，藉此可將發光裝置100之第3峰值波長調整(位移)至所需之範圍內。
例如於上述M1 為Ca之情形時，可藉由增加Eu而向長波長側調整紅色螢光體之峰值波長，藉由減少Eu而向短波長側調整紅色螢光體之峰值波長。更具體而言，若藉由Eu取代3mol%之Ca則紅色螢光體3A之峰值波長為660nm，又，若藉由Eu取代1mol%之Ca則紅色螢光體3A之峰值波長為650nm。
又，M1 使用部分Sr或全部使用Sr，藉此可向短波長側位移紅色螢光體3A之波長。
通常，若使紅色螢光體3A之峰值波長向短波長側位移則發光裝置100之發光光譜之第3峰值波長亦向短波長側位移，若使紅色螢光體3A之峰值波長向長波長側位移則發光裝置100之發光光譜之第3峰值波長亦向長波長側位移。
再者，如上所述有時紅色螢光體3A之峰值波長與第3峰值波長不一致，即便紅色螢光體3A之峰值波長不在630nm~670nm之間，亦可使第3峰值波長處於630nm~670nm之間。
作為活化劑之Eu較佳為單獨使用，但亦可藉由Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu而取代Eu之一部分。於藉由其他元素而取代Eu之一部分之情形時，其他元素用作共活化劑。藉由使用共活化劑，可改變色調，故可調整發光特性。
作為氮化物螢光體之紅色螢光體3A可進而含有共計1~500ppm以下之選自由含有Cu、Ag、Au之第一族元素、含有Ga、In之第三族元素、含有Ti、Zr、Hf、Sn、Pb之第四族元素、含有P、Sb、Bi之第五族元素、以及含有S之第六族元素之至少一種以上的元素。該等元素於製造步驟之燒成時飛散，因此與添加於原料中之添加量相比，燒成後之含量變少。因此，較好的是向原料中添加1000ppm以下之量。藉由添加該等元素，可調整發光效率。
Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm以及Yb之莫耳濃度與M1 之莫耳濃度之比率較好的是0.01以下。其原因在於，若含有大量Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm以及Yb，則有時發光亮度會降低。
2.　綠色螢光體
其次對綠色螢光體(綠色發光螢光體)3B加以說明。綠色螢光體3B係由鹵矽酸鹽而形成。綠色半導體3B吸收發光元件2發出之紫外線至藍色光而發出綠色光。
作為可用作綠色螢光體3B之螢光體的示例，可列舉由下述通式(II)所表示者。
(M2 1-y Ry )a MgM3 b M4 c Oa+2b+(3/2)c X2 　(II)
式(II)中，M2 係選自由Ca、Sr、Ba、Zn、以及Mn組成之群中之至少一種，M3 係選自由Si、Ge、以及Sn組成之群中之至少一種，M4 係選自由B、Al、Ga、以及In組成之群中之至少一種，X係選自由F、Cl、Br、以及I組成之群中之至少一種，R係選自以Eu為必須成分之稀土類元素之至少一種。又，y、a、b、以及c分別為0.0001≦y≦0.3、7.0≦a<10.0、3.0≦b<5.0、0≦c<1.0。
通式(II)之綠色螢光體含有選自由Ca、Sr、Ba、Zn、以及Mn組成之群中之至少一種，更好的是含有Ca。於含有Ca之情形時，亦可藉由Mn、Sr、Ba而取代Ca之一部分。
上述式(II)之螢光體中更好的綠色螢光體可藉由以下之通式(II')而表示。通式(II')所表示之綠色螢光體3B之亮度較高，發光半值寬度較小，且深綠色及橙黃色之成分較少，因此色再現性更優良。
(M2 1-y Euy )a MgM3 b Oa+2b X2 　(II')
式(II')中，M2 係Ca或者Mn之至少一種，M3 係Si以及Ge之至少一種，X係選自由F、Cl、Br、以及I組成之群中之至少一種。
又，y、a以及b分別係0.001≦y≦0.3、7.0≦a<10.0、3.0≦b<5.0。
上述通式(II)及(II')之綠色螢光體含有選自由Ca、Sr、Ba、Zn、以及Mn組成之群中之至少一種元素，更好的是含有Ca。於含有Ca之情形時，亦可藉由Mn、Sr、Ba而取代Ca之一部分。
上述通式(II)及(II')之綠色螢光體含有選自由Si、Ge、以及Sn組成之群中之至少一種元素，更好的是含有Si。於含有Si之情形時，亦可藉由Ge、Sn而取代Si之一部分。
上述通式(II)及(II')之綠色螢光體含有選自由F、Cl、Br、以及I組成之群中之至少一種元素，更好的是含有Cl。於含有Cl之情形時，亦可藉由F、Br、I而取代Cl之一部分。
上述通式(II)之綠色螢光體含有以Eu為必須成分之至少一種稀土類元素。稀土類係鈧、釔及鑭系諸多元素共計17種元素之總稱，其中最好的是Eu。亦可使用藉由Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb而取代Eu之一部分者。更好的是，亦可使用藉由Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Tm而取代Eu之一部分者。
上述通式(II)及(II')所表示之綠色螢光體，於490nm以上且584nm以下之綠色區域至黃色區域之波長範圍內具有峰值波長。例如，於含有Ca、Eu、Mg、Si、O、Cl元素之情形時，於500nm至520nm附近具有峰值波長，於含有Ca、Mn、Eu、Mg、Si、O、Cl元素之情形時，於530nm至570nm附近具有峰值波長。該峰值波長根據所含元素量及組成而變動，因此根據需要，將綠色螢光體3B調整為具有以下所示之較佳的峰值波長。
綠色螢光體3B較好的是具有490nm以上且560nm以下之峰值波長，更好的是具有500nm以上且550nm以下之峰值波長，進而好的是具有505nm以上且540nm以下之峰值波長。
使綠色螢光體3B發出之光之峰值波長於上述較佳範圍內位移，藉此可將發光裝置100之第2峰值波長調整(位移)至所需之範圍內。
例如，於(Ca,Eu)8 MgSi4 O16 Cl2 之組成中，可藉由將Eu之比率增加至Ca之10mol%而將綠色發光體3B之峰值波長調整(位移)至525nm為止之長波長側。另一方面，可藉由減小Eu相對於Ca之比率而使峰值波長位移至短波長側。例如，藉由將Eu之比率減小至Ca之1mol%為止，而將峰值波長短波長化至500nm左右。
又，於(Ca,Eu,Mn)8 MgSi4 O16 Cl2 之組成中，藉由將Mn之比率增加至Ca之5mol%，可使僅含Eu時之發光峰值變化為Mn發光之545nm左右之發光。
通常，若使綠色螢光體3B之峰值波長向短波長側位移則發光裝置100之發光光譜之第2峰值波長亦向短波長側位移，若使綠色螢光體3B之峰值波長向長波長側位移則發光裝置100之發光光譜之第2峰值波長亦向長波長側位移。
再者，如上所述有時綠色螢光體3B之峰值波長與第2峰值波長不一致，即便綠色螢光體3B之峰值波長不在510n m~550nm之間，亦可使第2峰值波長處於510nm~550nm之間。
其次，對使用可由下述通式(III)表示之螢光體作為可用作綠色螢光體3B之其他綠色螢光體加以說明。
M5 x Euy MgSiz Alw Oa Xb Nc 　(III)
通式(III)中，M5 係選自由Ca、Sr、Ba、Zn、及Mn組成之群中之至少一種，X係選自由F、Cl、Br、以及I組成之群中之至少一種。又，x、y、w、a、b、以及c分別係6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0<w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≦b≦1.9、0≦c≦3.0。
可獲得更優良之亮度，因此上述通式(III)所示之綠色螢光體中較好的是w=0及c=0。於該情形時，(III)式可揭示為M5 Euy MgSiz Oa Xb 。
使用以上說明之紅色螢光體3A與綠色螢光體3B，進而使紅色螢光體3A之峰值波長與綠色螢光體3B之峰值波長之差為120nm以上，藉此發光裝置100可使其發光光譜之第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，為上述第2峰值波長之相對發光強度值以及上述第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的80%以下。
3.　黃綠色或者黃色螢光體
本發明之發光裝置100除了使用紅色螢光體3A與綠色螢光體3B以外，亦可進而使用發出黃綠色至黃色光之YAG系螢光體(YAG系發光螢光體)3C。藉由使該YAG系螢光體3C滿足以下兩個條件，可獲得使發光裝置100之發光光譜之第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係第2峰值波長之相對發光強度值以及第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值之80%以下的發光裝置。
(1)綠色螢光體3B之峰值波長與YAG系螢光體3C之發光峰值之差為30nm以下。
(2)以重量比計算，YAG系螢光體3C之添加量係全體螢光體之添加量(紅色螢光體3A、綠色螢光體3B及YAG系螢光體3C之添加量之總量)的50%以下。
與僅使由紅色螢光體3A與綠色螢光體3B此兩種形成之螢光體相比，藉由添加YAG系螢光體3C，而發光裝置100可使色再現性幾乎不降低，且可實現高亮度、高可靠性。
YAG系螢光體3C之峰值波長例如可藉由Gd取代Y而向長波長側調整(移動)，藉由Ga取代Al而向短波長側調整(移動)。又，若增加Ce之量，則可使YAG系螢光體3C之峰值波長向長波長側微調整，若減少Ce之量則可使峰值波長向短波長側微調整。
發出黃綠色光至黃色光之YAG系螢光體3C若滿足上述兩個條件，則並無特別限定，可使用眾所周知之YAG系螢光體。較好的YAG系螢光體3C，例示有下述通式(IV)所示之發光體。
M6 3 M7 5 O12 ：Ce　(IV)
式(IV)中，M6 係選自由稀土類元素組成之群中之至少一種，M7 係選自由B、Al、Ga以及In組成之群中之至少一種。
4.發光裝置之構成
以下，使用圖2對發光裝置100之一實施形態進行詳細說明。圖2所示之發光裝置100係表面安裝型發光裝置，但並不限定於此，亦可將本發明應用至炮彈型發光二極體等自先前使用之發光裝置之形態中。
發光裝置100具有發光元件搭載框體(框體)1，該發光元件搭載框體(框體)1具有上方開口之凹部。於框體1之凹部之底面上，藉由晶片接合劑而固定有發光元件(藍色LED)2，且於發光元件2上覆蓋分散有螢光體3A、3B之透光性樹脂4。發光元件2之其中一方之電極藉由第1導線(導電性接線)5而與第1外部電極6連接，而發光元件2之另一方之電極藉由第2導線(導電性接線)7而與第2外部電極8連接。再者，於框體1之凹部之內面覆蓋有光反射材9。
以下，對發光裝置100之各構成要素加以說明。
(發光元件)
發光元件2具有例如由氮化鎵系化合物半導體而形成之發光層。發光元件2發出之光形成本發明中使用之白色發光裝置100之發光光譜之第1峰值波長，且激發紅色螢光體3A及綠色螢光體3B。
作為氮化物系化合物半導體(通式為Ini Gaj Alk N，其中0≦i、0≦j、0≦k、i+j+k=1)，以InGaN或摻雜各種雜質之GaN為首，存有多種。發光元件2可藉由使用MOCVD(metallo-organic chemical vapor deposition，金屬有機化學蒸氣沈積)法等使InGaN或GaN等之半導體作為發光層而於基板上成長而形成。作為半導體之構造，可列舉具有MIS(Metal-Insulator-Semiconductor，金屬-絕緣體-半導體)接面、PI接合或PN接面等之同質構造、異質構造或者雙異質構造者。根據氮化物半導體層之材料及其混晶度而選擇發光波長，藉此可使發光元件2之峰值波長為440nm以上且470nm以下。又，發光元件2可成為以產生量子效應之薄膜而形成半導體活性層之單一量子井構造或多重量子井構造。
(發光元件搭載框體)
為了不使發光元件2發出之光漏向外部，發光元件搭載框體(框體)1較好的是由遮光率較高之材料而形成。又，上述發光元件搭載框體(框體)1會與外部電極6及8等接觸，因此必須由具有絕緣性之材料而形成。
作為具體材料，例如存有玻璃環氧積層板、BT(Bismaleimide-Triazine，雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂積層板、陶瓷、液晶聚合物、及聚醯亞胺。框體1可藉由如下方式形成，例如在模具內配置外部電極6及8之金屬片後，注入上述材料而嵌入形成，冷卻後自模具中取出。
(外部電極)
外部電極6及8係用以經由第1導線5及第2導線7而使發光元件2與框體1之外部電性連接之電極，較好的是導電性優良者。例如可使用鎳等之金屬化或者磷青銅、鐵、銅等之良導電體作為外部電極6及8。
(光反射材)
作為光反射材9，例如可使用於聚對苯二甲酸乙二(醇)酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丙烯樹脂等樹脂中含有作為反射材之鈦酸鋇、氧化鋁、氧化鈦、氧化矽、磷酸鈣等而形成之薄膜狀構件。光反射材9例如可藉由矽氧樹脂或環氧樹脂等而固定於框體1之側壁上。
又，亦可藉由電鍍、濺鍍而於框體1之側壁之內面或者外面、或者兩面形成Al、Ag、Cu等之金屬膜，並將所形成者用作光反射材9。
(晶片接合劑)
晶片接合劑用以使發光元件2固定於發光元件搭載框體之凹部內。晶片接合劑必須具有耐熱性，使得其並不因發光元件2發出之熱而降低特性。作為晶片接合劑，例如可使用環氧樹脂、Ag漿、共晶材料。
(導電性接線)
第1導線5及第2導線7係導電性接線。第1導線5及第2導線7要求與發光元件2之電極具有良好之歐姆性、機械連接性、導電性以及導熱性。作為用作第1導線5及第2導線7之導電性接線之材料，例如可使用金、銅、鉑、鋁等金屬及彼等之合金。
(透光性樹脂)
填充於框體1之凹部內之透光性樹脂4具有分散紅色螢光體3A及綠色螢光體3B之功能，並且具有密封發光元件2、導電性接線(第1導線及第2導線)5及7並保護彼等免受外部應力影響的功能。作為透光性樹脂(密封樹脂)4，可使用各種樹脂，例如較佳可使用環氧樹脂、脲樹脂、矽氧樹脂等耐候性優良之透明樹脂。又，藉由使透光性樹脂4中含有擴散劑，可緩和發光元件2之定向性，增加視角。作為擴散劑，例如可較佳使用鈦酸鋇、氧化鈦、酸化鋁、氧化矽等。再者，根據發光元件2之發光色，可使透光性樹脂中含有各種螢光體，從而成為發出任意顏色光之發光裝置。
實施例
以下表示本發明之實施例。該等實施例係用以使本發明便於理解者，其目的並非限定本發明之技術範圍。
(實施例1)
於嵌入有正負一對外部電極6及8且關閉之模具內，流入熔融後之聚鄰苯二甲醯胺樹脂，使其硬化而形成框體1。框體1具有可收納發光元件2之開口部(凹部)。藉由冷卻模具而使框體1與外部電極6及8成形為一體。
於如此形成之框體1之凹部之底面上，藉由環氧樹脂而晶片接合峰值波長為455nm之發光元件(LED晶片)2後，藉由導電性接線5而電性連接外部電極6與發光元件2，並藉由導電性接線7而電性連接外部電極8與發光元件2。
其次，向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.25g之於525nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.5 ,Eu0.5 )MgSi4 O16 Cl2 )以及約0.06g之於660nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.97 ,Eu0.03 )AlSiBN3 )並加以混合。將所得之透光性樹脂4於框體1之開口部內，填充至與開口部之兩端部上面處於同一平面線。最後，於70℃下實施3小時之熱處理，進而於150℃下實施1小時之熱處理。
圖1係所得之發光裝置100之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於540nm附近，第3峰值波長位於660nm附近。
第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值為0.22(22%)，其係低於第3峰值波長之相對發光強度值0.39(39%)之第2峰值波長之相對發光強度值0.35(35%)的63%。
再者，所謂平均顯色評價數Ra，係指日本工業標準、JIS(Japanese Industrial Standard，日本工業標準)Z 8726所規定之顯色性之評價方法，以指數來表示是否忠實地再現基準光源之色彩，因此原則上Ra越接近100則判斷顯色性 越良好。
若將所得之發光裝置100用作14英吋液晶背光光源，則NTSC比為72%以上，可再現深紅色，且白色下之亮度亦無較大降低。
(實施例2)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.3g之於520nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.6 ,Eu0.4 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.1g之於540nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 (Al0.8 ,Ga0.2 )5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.11g之於660nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.97 ,Eu0.03 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置100。
本實施例中，綠色螢光體之峰值波長與YAG系螢光體之峰值波長之差為20nm，又，YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的20%。
圖3係所得之發光裝置100之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於650nm附近。
第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第3峰值波長之相對發光強度值之第2峰值波長之相對發光強度值的52%。
若與實施例1相同，將該發光裝置100用作背光光源，則NTSC比為72%以上，進而白色下之亮度上升。又，Ra為 79，表示較高之顯色性。
(實施例3)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.3g之於520nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.6 ,Eu0.4 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.15g之於540nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 (Al0.8 ,Ga0.2 )5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.11g之於660nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.97 ,Eu0.03 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置100。
本實施例中，綠色螢光體之峰值波長與YAG系螢光體之峰值波長之差為20nm，YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的27%。
圖4係所得之發光裝置100之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於640nm附近。
第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第3峰值波長之相對發光強度值之第2峰值波長之相對發光強度值的61%。
若與實施例1相同，將發光裝置100用作背光光源，則NTSC比為72%以上，進而白色下之亮度上升。又，Ra為84，表示較高之顯色性。
(實施例4)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.3g之於520nm附 近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.5 ,Eu0.5 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.25g之於540nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 (Al0.8 ,Ga0.2 )5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.13g之於660nm附近具有發光峰值之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.97 ,Eu0.03 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方式製作發光裝置100。
本實施例中，綠色螢光體之峰值波長與YAG系螢光體之峰值波長之差為20nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的37%。
圖5係所得之發光裝置100之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於640nm附近。
第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第3峰值波長之相對發光強度值之第2峰值波長之相對發光強度值的75%。
若與實施例1相同將該發光裝置100用作背光光源，則NTSC比為70%，進而白色下之亮度上升。又，Ra為89，表示相當高之顯色性。
(實施例5)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.28g之於515nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.7 ,Eu0.3 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.16g之於540nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體 (Y2.95 (Al0.8 ,Ga0.2 )5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.2g之於650nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置100。
本實施例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為25nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的31%。
圖6係所得之發光裝置100之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於640nm附近。
第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第2峰值波長之相對發光強度值之第3峰值波長之相對發光強度值的73%。若與實施例1相同將發光裝置100用作背光光源，則NTSC比為72%，進而白色下之亮度上升。又，Ra為80，表示相當高之顯色性。
(實施例6)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.26g之於525nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca7.65 Eu0.5 MgSi4.3 O15.91 Cl1.84 、以及約0.06g之於660nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.97 ,Eu0.03 )AlSiN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置100。
圖7係所得之發光裝置100之發光光譜。
發光裝置100具有與實施例1相同之發光光譜，第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於540nm附近，第3 峰值波長位於660nm附近。第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第2峰值波長之相對發光強度值之第3峰值波長之相對發光強度值的64%。
若與實施例1相同將發光裝置100用作背光光源，則NTSC比為72%，進而白色下之亮度上升。又，Ra為78，表示相當高之顯色性。
(比較例1)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加0.76g之於570nm附近具有峰值波長之YAG系螢光體((Y0.8 ,Gd0.2 )2.85 Al5 O12 ：Ce0.15 )並加以混合，除此以外藉由與實施例2相同之方法製作發光裝置。
本比較例中使用之YAG系螢光體之添加量，為全體螢光體之添加量的100%。
圖10係所得之發光裝置之發光光譜。如此所得之本比較例之發光裝置之發光光譜，僅係LED(發光元件)之峰值與YAG之較寬之峰值此兩個峰值。若將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為62%，表現較低之色再現，且Ra值亦為較低之66。
(比較例2)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.1g之於520nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.6 ,Eu0.4 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.3g之於540nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 (Al0.8 ,Ga0.2 )5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.11g之於660nm 附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.97 ,Eu0.03 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為20nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的59%。
圖11係所得之發光裝置之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於530nm附近，第3峰值波長位於640nm附近。
如此獲得之發光裝置之發光光譜中，第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第3峰值波長之相對發光強度值之第2峰值波長之相對發光強度值的96%。
若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為64%，表現較低之色再現。另一方面，Ra為93，表示相當高之顯色性。
(比較例3)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.22g之於515nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.7 ,Eu0.3 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.2g之於560nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 Al5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.1g之於650nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發 光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之峰值波長與YAG系螢光體之峰值波長之差為45nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的38%。
圖12係所得之發光裝置之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於630nm附近。
如此獲得之發光裝置之發光光譜中，第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第2峰值波長之相對發光強度值之第3峰值波長之相對發光強度值的97%。若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為68%，表現較低之色再現性。白色下之亮度較實施例5有所上升。又，Ra為90，表示相當高之顯色性。
(比較例4)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.18g之於515nm附近具有發光峰值之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.7 ,Eu0.3 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.08g之於560nm左右具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 Al5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.26g之於650nm附近具有發光峰值之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為45nm，且YAG系螢光體之添加量約為全 體螢光體之添加量的50%。
圖13係所得之發光裝置之發光光譜。
如此獲得之發光裝置之發光光譜具有LED之發光峰值與YAG系螢光體之較寬之發光峰值此兩個峰值，而無法確認明確的第3峰值。若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為62%，表現較低之色再現性。另一方面，白色下之亮度較實施例5有所上升。又，Ra為92，表示相當高之顯色性。
(比較例5)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.28g之於515nm附近具有發光峰值之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.7 ,Eu0.3 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.16g之於560nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 Al5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.14g之於650nm附近具有發光峰值之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為45nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的25%。
圖14係所得之發光裝置之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於640nm附近。
如此獲得之發光裝置之發光光譜中，第2峰值波長與第3 峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第2峰值波長之相對發光強度值之第3峰值波長之相對發光強度值的82%。若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為68%，表現較低之色再現性。另一方面，白色下之亮度較實施例5有所上升。又，Ra為88，表示相當高之顯色性。
(比較例6)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.28g之於515nm附近具有發光峰值之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.7 ,Eu0.3 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.14g之於570nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體((Y0.8 ,Gd0.2 )2.85 Al5 O12 ：Ce0.15 )、以及約0.2g之於650nm附近具有發光峰值之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為55nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的32%。
圖15係所得之發光裝置之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於630nm附近。
如此獲得之發光裝置之發光光譜中，第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，約為低於第2峰值波長之相對發光強度值之第3峰值波長之相對發光強度值 的83%。若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為67%，表現較低之色再現性。另一方面，白色下之亮度較實施例5有所上升。又，Ra為89，表示相當高之顯色性。
(比較例7)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.16g之於525nm附近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu((Ca7.5 ,Eu0.5 )MgSi4 O16 Cl2 )、0.12g之於560nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 Al5 O12 ：Ce0.05 )、以及0.2g之於650nm附近具有峰值波長之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為35nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的42%。
圖16係所得之發光裝置之發光光譜。如此獲得之發光裝置之發光光譜，僅具有LED之發光峰值以及螢光體之較寬之發光峰值此兩個峰值，不具有第3峰值。若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為66%，表現較低之色再現。另一方面，白色下之亮度較實施例1有所上升。又，Ra為88，表示相當高之顯色性。
(比較例8)
向3g之矽氧樹脂組合物中，添加約0.22g之於515nm附 近具有峰值波長之鹵矽酸鹽Ca7.85 Eu0.3 MgSi4.3 O15.91 Cl11.84 、0.2g之於560nm附近具有峰值波長且發光光譜較綠色螢光體更寬之YAG系螢光體(Y2.95 Al5 O12 ：Ce0.05 )、以及約0.1g之於650nm附近具有發光峰值之氮化物螢光體CaAlSiBN3 ：Eu((Ca0.99 ,Eu0.01 )AlSiBN3 )並加以混合，除此以外藉由與實施例1相同之方法製作發光裝置。
本比較例中，綠色螢光體之發光峰值與YAG系螢光體之發光峰值之差為45nm，且YAG系螢光體之添加量約為全體螢光體之添加量的38%。
圖17係所得之發光裝置之發光光譜。
第1峰值波長位於450nm附近，第2峰值波長位於520nm附近，第3峰值波長位於630nm附近。
如此獲得之發光裝置之發光光譜中，第2峰值波長與第3峰值波長之間的最低相對發光強度值，係低於第2峰值波長之相對發光強度值之第3峰值波長之相對發光強度值的97%。若與實施例1相同將該發光裝置用作背光光源，則NTSC比為68%，表現較低之色再現。另一方面，白色下之亮度較實施例5有所上升。又，Ra為89，表示相當高之顯色性。
產業上之可利用性
本發明不僅可用作照明裝置，亦可用作期望鮮明再現RGB之各色之監視器、數位相機、印表機等顯示裝置之背光。又，藉由進而添加YAG螢光體，可製作兼具高顯色性之發光裝置。
1．．．發光元件搭載框體
2．．．發光元件
3A．．．紅色螢光體
3B．．．綠色螢光體
4．．．透光性樹脂
5,7．．．導電性接線
6,8．．．外部電極
9．．．光反射材
100．．．發光裝置
圖1係表示實施例1之發光裝置100之發光光譜的圖。
圖2係表示本發明之發光裝置100之剖面圖。
圖3係表示實施例2之發光裝置100之發光光譜的圖。
圖4係表示實施例3之發光裝置100之發光光譜的圖。
圖5係表示實施例4之發光裝置100之發光光譜的圖。
圖6係表示實施例5之發光裝置100之發光光譜的圖。
圖7係表示實施例6之發光裝置100之發光光譜的圖。
圖8係表示冷陰極螢光管(CCFL)之發光光譜之圖。
圖9係表示先前之白色LED裝置之發光光譜的圖。
圖10係表示比較例1之發光裝置之發光光譜的圖。
圖11係表示比較例2之發光裝置之發光光譜的圖。
圖12係表示比較例3之發光裝置之發光光譜的圖。
圖13係表示比較例4之發光裝置之發光光譜的圖。
圖14係表示比較例5之發光裝置之發光光譜的圖。
圖15係表示比較例6之發光裝置之發光光譜的圖。
圖16係表示比較例7之發光裝置之發光光譜的圖。
圖17係表示比較例8之發光裝置之發光光譜的圖。
1．．．發光元件搭載框體
2．．．發光元件
3A．．．紅色螢光體
3B．．．綠色螢光體
4．．．透光性樹脂
5,7．．．導電性接線
6,8．．．外部電極
9．．．光反射材
100．．．發光裝置

Claims (6)

  1. 一種發光裝置，其特徵在於包括發光元件、包含氮化物螢光體之紅色螢光體、以及包含鹵矽酸鹽之綠色螢光體；發光光譜具有440nm以上且470nm以下之第1峰值波長、510nm以上且550nm以下之第2峰值波長、以及630nm以上且670nm以下之第3峰值波長，上述第2峰值波長與上述第3峰值波長之間的最低相對發光強度值係上述第2峰值波長之相對發光強度值、與上述第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的80%以下；上述紅色螢光體係藉由Eu而活化，且由下述通式(I)表示：M1 w Alx Siy Bz N((2/3)w+x+(4/3)y+z) ：Eu2+ (I)此處，M1 係選自由Mg、Ca、Sr及Ba所組成之群中之至少一種，且0.5≦w≦3、x=1、0.167≦y≦8.7、0≦z≦0.5；且上述綠色螢光體係由下述通式(II)或(III)表示：(M2 1-y Euy )a MgM3 b Oa+2b X2 (II)此處，M2 係選自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn所組成之群中之至少一種，M3 為Si，X為Cl，且0.001≦y≦0.3、7.0≦a<10.0、3.0≦b<5.0；M5 x Euy MgSiz Oa Xb (III)此處，M5 係選自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn所組成之群中之至少一種，X為Cl，且6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、 3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、1.0≦b≦1.9。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述第2峰值波長與上述第3峰值波長之間的最低相對發光強度值係上述第2峰值波長之相對發光強度值、與上述第3峰值波長之相對發光強度值中之任一較低一方之值的52%以上。
  3. 如請求項1之發光裝置，其中上述紅色螢光體之峰值波長與上述綠色螢光體之峰值波長之差為120nm以上。
  4. 如請求項2之發光裝置，其中上述紅色螢光體之峰值波長與上述綠色螢光體之峰值波長之差為120nm以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之發光裝置，其中更包括藉由上述發光元件之光激發而發光之YAG系螢光體，上述綠色螢光體之峰值波長與上述YAG系螢光體之峰值波長之差為30nm以下，且以重量比計算上述YAG系螢光體之添加量為全體螢光體之添加量的50%以下。
  6. 如請求項5之發光裝置，其中上述YAG系螢光體可藉由下述通式(IV)表示：M6 3 M7 5 O12 ：Ce (IV)此處，M6 係選自由稀土類元素所組成之群中之至少一種，M7 係選自由B、Al、Ga及In所組成之群中之至少一種。
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