JPWO2009028657A1 - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

優れた演色性を有する発光装置を提供する。発光素子と、窒化物蛍光体より成り、前記発光素子の光により励起されて発光する赤色蛍光体と、ハロシリケートより成り、前記発光素子の光により励起されて発光する緑色蛍光体と、前記発光素子の光により励起されて発光するＹＡＧ系蛍光体と、を含みことを特徴とする発光装置である。

Description

本発明は発光装置、とりわけ発光素子と赤色蛍光体と緑色蛍光体とＹＡＧ系蛍光体とを含み白色光を発光する発光装置に関する。
高い光束と高い演色性とを有する暖色系の白色光を放つ発光装置として、青色半導体発光素子と、該発光素子の発する光により励起され発光する赤色蛍光体および緑色蛍光体とを有する発光装置が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
これら発光装置は、赤色系発光成分の強度が強く、各種用途に広く用いられている。
特開２００７−２７７９６号公報
しかしながら、白色発光装置の用途は多岐に亘っており、上記の従来の青色半導体発光素子（青色ＬＥＤ）と赤色蛍光体と緑色蛍光体とを含む発光装置を用いても十分な演色性が得られない場合がある。
即ちこのような用途として、例えば一般照明用途がある。上述の従来の白色発光装置では、例えば平均演色評価数Ｒａが７０以下と十分な演色性を確保できない場合がある。このような演色性が十分でない照明装置を用いると一般的な照明用途の蛍光ランプと比較し色の見え方が変わってしまうという問題を生じる。
本発明は、演色性が求められる用途に用いることができる発光装置を提供することを目的とする。
本発明の態様１は、発光素子と、窒化物蛍光体より成り、前記発光素子の光により励起されて発光する赤色蛍光体と、ハロシリケートより成り、前記発光素子の光により励起されて発光する緑色蛍光体と、前記発光素子の光により励起されて発光するＹＡＧ系蛍光体と、を含むことを特徴とする発光装置である。
本発明の態様２は、発光スペクトルが、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の第１のピーク波長と、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の第２のピーク波長と、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の第３のピーク波長とを有し、前記第２のピーク波長と前記第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値が、前記第２のピーク波長における相対発光強度値と前記第３のピーク波長における相対発光強度値とのいずれか低い方の値の８０％より大きいことを特徴とする態様１に記載の発光装置である。
本発明の態様３は、前記赤色蛍光体が、Ｅｕにより賦活され、下記一般式（I）で表されることを特徴とする態様１または２に記載の発光装置である。
Ｍ１ ｗＡｌｘＳｉｙＢｚＮ（（２／３）ｗ＋ｘ＋（４／３）ｙ＋ｚ）：Ｅｕ２＋ （I）
ここで、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、０．０５６≦ｗ≦９、ｘ＝１、０．０５６≦ｙ≦１８、０≦ｚ≦０．５である。
本発明の態様４は、前記緑色蛍光体が下記一般式（II）で表されることを特徴とする態様１〜３の何れかに記載の発光装置である。
（Ｍ２ １−ｙＲｙ）ａＭｇＭ３ ｂＭ４ ｃＯａ＋２ｂ＋（３／２）ｃＸ２ （II）
ここで、Ｍ２はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ３はＳｉ、ＧｅおよびＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ４はＢ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＲはＥｕを必須とする希土類元素から選択される少なくとも１種であり、０．０００１≦ｙ≦０．３、７．０≦ａ＜１０．０、３．０≦ｂ＜５．０、０≦ｃ＜１．０である。
本発明の態様５は、前記緑色蛍光体が下記一般式（III）で表されることを特徴とする態様１〜３の何れかに記載の発光装置である。
Ｍ５ ｘＥｕｙＭｇＳｉｚＡｌｗＯａＸｂＮｃ （III）
ここでＭ５はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、６．５≦ｘ＜８．０、０．０１≦ｙ≦２．０、３．７≦ｚ≦４．３、０＜ｗ≦０．５、ａ＝ｘ＋ｙ＋１＋２ｚ＋（３／２）ｗ−ｂ／２−（３／２）ｃ、１．０≦ｂ≦１．９、０≦ｃ≦３．０である。
本発明の態様６は、前記発光素子のピーク波長と前記緑色蛍光体のピーク波長との差が８０ｎｍ以下であることを特徴とする態様１〜５の何れかに記載の発光装置である。
本発明の態様７は、前記ＹＡＧ系蛍光体が下記一般式（IV）で表されることを特徴とする態様１〜６の何れかに記載の発光装置である。
Ｍ６ ３Ｍ７ ５Ｏ１２：Ｃｅ （IV）
ここで、Ｍ６は希土類元素からなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ７はＢ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種である。
である。
発光素子と赤色蛍光体と緑色蛍光体とＹＡＧ系蛍光体とを組み合わせることにより、優れた演色性を有する発光装置を得ることができる。
本発明に係る発光装置１００を示す断面図である。 実施例１に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例２に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例３に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例４に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例５に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例６に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例７に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例８に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例９に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例１０に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 実施例１１に係る発光装置１００の発光スペクトルを示す図である。 冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）の発光スペクトルを示す図である。 従来の白色ＬＥＤ装置の発光スペクトルを示す図である。
符号の説明
１ 筐体
２ 発光素子
３Ａ 赤色蛍光体
３Ｂ 緑色蛍光体
３Ｃ ＹＡＧ系蛍光体
４ 透光性樹脂
５，７ 導電性ワイヤ
６，８ 外部電極
９ 光反射材
１００ 発光装置
図１は、発光装置１００を示す断面図であり、本発明にかかる発光装置の構成例を示す。
本発明にかかる発光装置１００は発光素子（例えば青色ＬＥＤ）２と、発光素子２が発する光により励起され赤色に発光する赤色蛍光体（赤色発光蛍光体）３Ａと、発光素子２が発する光により励起され緑色に発光する緑色蛍光体（緑色発光蛍光体）３Ｂと、更に発光素子２が発する光により励起され黄緑から黄色に発光するＹＡＧ系蛍光体（ＹＡＧ系発光蛍光体）３Ｃを有している。
赤色蛍光体３Ａは、窒化物蛍光体であり、緑色蛍光体３Ｂはハロシリケートである。このように、発光装置１００は、従来の青色半導体発光素子（青色ＬＥＤ）と赤色蛍光体と緑色蛍光体とを含む発光装置と異なり、発光素子（青色半導体発光素子）２の発する光と、窒化物蛍光体（赤色蛍光体）３Ａの発する光と、ハロシリケート（緑色蛍光体）３Ｂの発する光と、ＹＡＧ系蛍光体３Ｃの発する黄緑または黄色の混色発光となっている。
この結果、発光装置１００は、青、緑、黄色、赤色のそれぞれの発光が強い白色発光を得ることができる。とりわけＹＡＧ系蛍光体３Ｃを用いることにより黄色や橙色の発光を補うことが可能となり演色性を大きく改善でき、光束を大きく向上できる。発光装置１００の発する光は、例えば平均演色評価数Ｒａが７５以上と優れた演色性を示す。
なお、平均演色評価数Ｒａとは、日本工業規格、ＪＩＳ Ｚ ８７２６に規定される演色性の評価方法であり、基準光源と比較し色彩を忠実に再現しているかを指数で表したもので、原則としてＲａが１００に近いほど演色性が良いと判断される。
図１は本実施形態（実施例１）にかかる発光装置１００の発光スペクトルを例示する図である。発光装置１００の発光スペクトルは、波長の短い方から順に第１乃至第３のピーク（ピーク波長）を有している。
第１のピーク波長（第１の発光ピーク波長）は、主に発光素子（青色ＬＥＤ）２の発光に起因して生じる。第２のピーク波長（第２の発光ピーク波長）は、主に緑色蛍光体３ＢとＹＡＧ系蛍光体３Ｃとが発光素子２の発する光により励起され発光することにより生ずる。第３のピーク波長（第３の発光ピーク波長）は、主に赤色蛍光体３Ａが発光素子２の発する光により励起され発光することにより生ずる。
なお、比較のために従来から画像表示装置のバックライトに用いられている陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）の発光スペクトルを図１３に示し、青色ＬＥＤの光および該青色ＬＥＤから発する光により励起されるＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体の２色混合からなる発光装置の発光スペクトルを図１４に示す。
陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）の発光スペクトルは、水銀による４３５ｎｍ付近のピークと緑色蛍光体による５４５ｎｍ付近のメインピークならびに４９０ｎｍ付近および５８５ｎｍ付近の２つのサブピークを含む鋭いピークを５つ有している。一方２色混合からなる発光装置の発光スペクトルはピークが２つしか認められず、陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）と色混合からなる発光装置のどちらの発光スペクトルも、図１に示す本発明に係る発光装置１００の発光スペクトルと異なる。
発光装置１００は、以下に示す４つの好ましい条件を満足することで、その発光の演色性をさらに向上させることができる。
図６は、より優れた演色性を示す実施形態に係る発光装置１００の発光スペクトルの例（実施例５）である。
第１に発光素子２について、その発光スペクトルのピーク波長が適正な範囲内（例えば４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下）となるように選択し、発光装置１００の発光スペクトルの第１のピーク波長を４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下とする。
第２に詳細を後述する緑色蛍光体３ＢおよびＹＡＧ系蛍光体３Ｃを用いることで第２のピーク波長を５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下とする。
第３に詳細を後述する赤色蛍光体３Ａを用いることで第３のピーク波長を６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下とする。
第４に、第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値（発光スペクトルの第２のピーク波長と第３のピーク波長との間において、最も低い相対発光強度値）を、第２のピーク波長の相対発光強度値及び第３のピーク波長の相対発光強度値のいずれか低い方の値の８０％より大きくする。
以上の４つの条件を満足することで、例えばＲａ（平均演色評価数）が８５以上と非常に高い演色性を実現できる
このように、高い演色性が達成できるのは、青、緑、黄色および赤色の発光の何れについても高い強度を有する持つ白色発光を得られるからである。
なお、この第４の条件については、例えば発光素子２のピーク波長と緑色蛍光体３Ｂのピーク波長の差を８０ｎｍ以上とすることで、発光スペクトルの第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値を、第２のピーク波長の相対発光強度値及び第３のピーク波長の相対発光強度値のいずれか低い方の値の８０％より大きくできる。
また第２ピーク波長と第３ピーク波長との間の波長域の光を発光するＹＡＧ系蛍光体３Ｃの添加量を増やすことによっても、第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値を、第２のピーク波長の相対発光強度値及び第３のピーク波長の相対発光強度値のいずれか低い方の値の８０％より大きくすることができる。
一方、上記の第１乃至第３の条件を満足し、かつ第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値を、第２のピーク波長の相対発光強度値及び第３のピーク波長の相対発光強度値のいずれか低い方の値の８０％以下とするとともに、ＹＡＧ系蛍光体３Ｃの添加量を重量比で全蛍光体の添加量（赤色蛍光体３Ａと緑色蛍光体３ＢとＹＡＧ系蛍光体３Ｃの添加量の合計）の５０％以下とすることで色再現性に優れた発光装置１００を得ることができる。
すなわち、演色性について例えば平均演色評価数Ｒａが７５以上と良好なレベルでかつ、色再現性についても例えばＮＴＳＣ比７２％以上と優れた、演色性と色再現性の両方が優れたレベルでバランスしている照明装置を得ることが可能である。
ここで、ＮＴＳＣ比とは、アメリカテレビジョン標準化委員会（National Television Standards Committee）によりＣＩＥ１９３１ ＸＹＺ表色系の色度（ｘ，ｙ）にて定められた標準方式の３原色、赤（０．６７０，０．３３０）、緑（０．２１０，０．７１０）、青（０．１４０，０．０８０）を結ぶ三角形を基準として、評価する表示デバイスの赤・緑・青単色の色度を結んで得られる三角形を比較した面積比のことである。この面積比が即ち色再現範囲として定義され、その比率が高いほど色再現性が高いと判定される。通常、放送規格では、ＮＴＳＣ比７２％が標準となっているため、ＮＴＳＣ比が７２％以上であれは色再現範囲として良好である。
以上のように本願発明では、例えば照明装置に用いることができる演色性に優れた発光装置を得ることができる。
また、上述の所定の条件下では、演色性と色再現性が高い次元で両立する発光装置も得ることが可能である。このような演色性と色再現性の両方に優れた照明装置は例えば、モニター、デジカメ、プリンタ等の表示装置の液晶バックライトとして用いることが可能である。
なお、第１のピーク波長は主に発光素子２の発する光により形成されるが、赤色蛍光体３Ａの発する光、緑色蛍光体３Ｂの発する光およびＹＡＧ系蛍光体３Ｃの発する光も第１のピーク波長の形成に寄与している。このため、第１のピーク波長は、発光素子２の発する光のピーク波長と異なる場合がある。
同様に、第２のピーク波長は主に緑色蛍光体３Ｂの発する光と多くの場合緑色蛍光体３Ｂよりもブロードな発光ピークを有するＹＡＧ蛍光体３Ｃの発する光とにより形成されるが、発光素子２の発する光および赤色蛍光体３Ａの発する光も第２のピーク波長の形成に寄与している。このため、第２のピーク波長は、緑色蛍光体３Ｂの発する光のピーク波長と異なる場合がある。
さらに、第３のピーク波長は主に赤色蛍光体３Ａの発する光により形成されるが、発光素子２の発する光、緑色蛍光体３Ｂの発する光およびＹＡＧ蛍光体３Ｃの発する光も第３のピーク波長の形成に寄与している。このため、第３のピーク波長は、赤色蛍光体３Ａの発する光のピーク波長と異なる場合がある。
以下、赤色蛍光体３Ａ、緑色蛍光体３Ｂ、ＹＡＧ系蛍光体３Ｃ、青色ＬＥＤ２等、発光装置１００の詳細を説明する。
１．赤色蛍光体
赤色蛍光体（赤色発光蛍光体）３Ａは、窒化物蛍光体であり、発光素子２が発する紫外線ないし青色光を吸収して赤色に発光する。赤色蛍光体３Ａとして、好ましくは、Ｅｕにより賦活され、第II族元素Ｍ１、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＮを含む、下記一般式（I）で示される窒化物蛍光体を用いることができる。
Ｍ１ ｗＡｌｘＳｉｙＢｚＮ（（２／３）ｗ＋ｘ＋（４／３）ｙ＋ｚ）：Ｅｕ２＋ （I）
上記式（Ｉ）において、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、好ましくは０．０５６≦ｗ≦９、ｘ＝１、０．０５６≦ｙ≦１８、０．０００５≦ｚ≦０．５である。
より好ましくは０．４≦ｗ≦３、ｘ＝１、０．１４３≦ｙ≦８．７、０≦ｚ≦０．５であり、最も好ましくは０．５≦ｗ≦３、ｘ＝１、０．１６７≦ｙ≦８．７、０．０００５≦ｚ≦０．５である。より望ましい色目、高輝度及びより望ましい発光半値幅を得ることができからである。また、ｚは、好ましくは０．５以下、より好ましくは０．３以下であり、０．０００５以上であることが望ましい。さらに好ましくは、ホウ素のモル濃度は、０．００１以上であって、０．２以下に設定される。このような窒化物蛍光体は、Ｅｕにより賦活されるが、Ｅｕの一部を、Ｓｃ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上の希土類元素により置換することも可能である。
上記式（Ｉ）において、Ｍ１はＣａもしくはＳｒの少なくとも１種であることが好ましく、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、０．５≦ｗ≦１．５、ｘ＝１、０．５≦ｙ≦１．５、０≦ｚ≦０．３であることが好ましい。より好ましい色目、高輝度及びより好ましい発光半値幅を得ることができ、また橙色発光の少ないより深い赤色発光を得ることができるからである。
別の好ましい窒化物蛍光体として、下記の一般式（I'）により表されるものがある。
Ｍ１ １−ｚＡｌＳｉＢｚＮ（（２／３）（１−ｚ）＋（７／３）＋ｚ）：Ｅｕ２＋ （I'）
式（I'）中、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、ｘの範囲は、０．００１≦ｘ≦０．３、ｚの範囲は、０．０００５≦ｚ≦０．５である。
また、さらに別の好ましい窒化物蛍光体として、一般式（I''）に表される窒化物蛍光体がある
Ｍ１ ｗＡｌＳｉＢzＮ（（２／３）ｗ＋（７／３）＋Ｚ：Ｅｕ２＋ （I''）
式（I''）中、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、ｗ及びｚの範囲は、それぞれ０．０４≦ｗ≦３、０．０００５≦ｚ≦０．５である。
上記式（I）、（I'）および（I''）において、Ｍ１としてＣａを用いる場合、Ｃａは好ましくは単独で使用する。ただし、Ｃａの一部を、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、ＳｒとＢａなどにより置換することもできる。Ｃａの一部をＳｒで置換して、窒化物蛍光体の発光波長のピークを調整することができる。
Ｓｉも好ましくは単独で使用されるが、その一部を第ＩＶ族元素であるＣやＧｅで置換することもできる。Ｓｉのみを使用した場合には、安価で結晶性の良好な窒化物蛍光体を得ることができる。
赤色蛍光体３Ａからの発せられた光は、好ましくは５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、より好ましく６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６４０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下のピーク波長を有する。
赤色蛍光体３Ａのピーク波長が上述の好ましい範囲内になるように赤色蛍光体３Ａの組成を上述した組成範囲内で調整してもよい。そして、赤色蛍光体３Ａのピーク波長をシフトさせることにより、発光装置１００の第３のピーク波長を好ましい範囲内に調整（シフト）できる。
例えば前記Ｍ１がＣａの場合は、Ｅｕを増やすことで長波長側に、減らすことで短波長側にピーク波長を調整（シフト）することができる。より具体的には、Ｃａの３ｍｏｌ％をＥｕで置換すると発光ピークは６６０ｎｍ、またＣａの１ｍｏｌ％をＥｕで置換すると発光ピークは６５０ｎｍになる。
また、Ｍ１としてＳｒを一部もしくは全量用いることで、ピーク波長を短波長側にシフトすることができる。
通常、赤色蛍光体３Ａのピーク波長を短波長側へシフトすると発光装置１００の発光スペクトルの第３のピーク波長も短波長側にシフトし、赤色蛍光体３Ａのピーク波長を長波長側へシフトすると発光装置１００の発光スペクトルの第３のピーク波長も長波長側にシフトする。
なお、上述したように赤色蛍光体３Ａのピーク波長と第３のピーク波長とは一致しない場合があり、赤色蛍光体３Ａのピーク波長が６３０ｎｍ〜６７０ｎｍの間になくても、第３のピーク波長を６３０ｎｍ〜６７０ｎｍの間とすることが可能である。
賦活剤であるＥｕは、好ましくは単独で使用されるが、Ｅｕの一部を、Ｓｃ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｌｕにより置換してもよい。Ｅｕの一部を他の元素で置換した場合には、他の元素は共賦活剤として作用する。共賦活剤を用いることにより、色調を変化させることができ、発光特性の調整を行うことが可能となる。
窒化物蛍光体である赤色蛍光体３Ａは、さらに、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕからなる第Ｉ族元素、Ｇａ、Ｉｎからなる第III族元素、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂからなる第ＩＶ族元素、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉからなる第Ｖ族元素、及びＳからなる第ＶＩ族元素から選ばれる少なくとも１種以上の元素を合計で１〜５００ｐｐｍ以下含むこともできる。これらの元素は製造工程の焼成時に飛散するため、原料への添加量より、焼成後の含有量の方が、少なくなっている。そのため、原料には１０００ｐｐｍ以下の量を添加することが好ましい。これらの元素を添加することにより、発光効率の調整を行うことができる。
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｓｍ及びＹｂのモル濃度は、Ｍ１のモル濃度に対する比率が０．０１以下であることが好ましい。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｓｍ及びＹｂを多量に含むと、発光輝度が低下する場合があるからである。
２．緑色蛍光体
次に緑色蛍光体（緑色発光蛍光体）３Ｂについて説明する。緑色蛍光体３Ｂは、ハロシリケートより成る。緑色半導体３Ｂは、発光素子２が発する紫外線ないし青色光を吸収して緑色に発光する。
緑色蛍光体３Ｂとして用いることができる蛍光体の例としては、下記一般式（II）で示されるものを挙げることができる。
（Ｍ２ １−ｙＲｙ）ａＭｇＭ３ ｂＭ４ ｃＯａ＋２ｂ＋（３／２）ｃＸ２ （II）
式（II）において、Ｍ２はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ３はＳｉ、Ｇｅ、及びＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ４はＢ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｒは希土類元素から選択されるＥｕを必須とする少なくとも１種である。またｙ、ａ、ｂ、及びｃは、０．０００１≦ｙ≦０．３、７．０≦ａ＜１０．０、３．０≦ｂ＜５．０、０≦ｃ＜１．０である。
一般式（II）の緑色蛍光体はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＭｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素、より好ましくはＣａを含む。Ｃａを含む場合、Ｃａの一部をＭｎ、Ｓｒ、Ｂａで置換したものを使用してもよい。
上記式（II）の蛍光体のなかでもより好ましい緑色蛍光体を以下の一般式（II'）で表すことができる。一般式（II'）で表される緑色蛍光体３Ｂは、輝度が高く、発光半値幅が狭く、青緑や橙色の成分が少ないことから色再現性により優れる。
（Ｍ２ １−ｙＥｕｙ）ａＭｇＭ３ ｂＯａ＋２ｂＸ２ （II'）
式（II'）において、Ｍ２はＣａもしくはＭｎの少なくとも１種、Ｍ３はＳｉ及びＧｅの少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種である。
またｙ、ａ及びｂは、０．００１≦ｙ≦０．３、７．０≦ａ＜１０．０、３．０≦ｂ＜５．０である。
上記一般式（II）および（II'）の緑色蛍光体は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＭｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素、より好ましくはＣａを含む。Ｃａを含む場合、Ｃａの一部をＭｎ、Ｓｒ、Ｂａで置換したものを使用してもよい。
上記一般式（II）および（II'）の緑色蛍光体は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素、より好ましくはＳｉを含む。Ｓｉを含む場合、Ｓｉの一部をＧｅ、Ｓｎで置換したものを使用してもよい。
上記一般式（II）および（II'）の緑色蛍光体は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群から選択される少なくとも１種の元素、より好ましくはＣｌを含む。Ｃｌを含む場合、Ｃｌの一部をＦ、Ｂｒ、Ｉで置換したものも使用してもよい。
上記一般式（II）の緑色蛍光体は、Ｅｕを必須とする少なくとも１種の希土類元素を含む。希土類は、スカンジウム、イットリウムおよびランタノイド諸元素の計１７の元素の総称であり、このうちＥｕが最も好ましい。Ｅｕの一部をＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂで置換したものを使用してもよい。より好ましくは、Ｅｕの一部をＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍで置換したものを使用してもよい。
上記一般式（II）および（II'）で表される緑色蛍光体は、４９０ｎｍ以上５８４ｎｍ以下の緑領域から黄色領域の波長範囲にピーク波長を有する。例えば、Ｃａ、Ｅｕ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌの元素を有する場合は５００ｎｍから５２０ｎｍ付近に、Ｃａ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌの元素を有する場合は５３０ｎｍから５７０ｎｍ付近に、ピーク波長を有するものもある。含有する元素量や組成によってこのピーク波長は変動することから、緑色蛍光体３Ｂは、所望のピーク波長を有するよう必要に応じて調整される。
緑色蛍光体３Ｂは、好ましくは４９０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下、より好ましく５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０５ｎｍ以上５４０ｎｍのピーク波長を有する。
緑色蛍光体３Ｂから発せられる光のピーク波長を上記の好ましい範囲内でシフトさせることにより、発光装置１００の第２のピーク波長を所望の範囲内に調整（シフト）できる。
例えば、（Ｃａ,Ｅｕ）8 ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２の組成において、Ｅｕの比率をＣａの１０ｍｏｌ％まで増やすことによりピーク波長を５２５ｎｍまで長波長側に調整（シフト）することができる。一方、Ｅｕの比率をＣａに対して下げることでピーク波長を短波長側にシフトできる。例えば、Ｅｕの比率をＣａの１ｍｏｌ％まで下げることでピーク波長を５００ｎｍぐらいまで短波長化できる。
また、（Ｃａ,Ｅｕ，Ｍｎ）８ ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２の組成では、Ｍｎの比率をＣａの５ｍｏｌ％に増やすことで、Ｅｕのみの発光ピークをＭｎ発光の５４５ｎｍ付近の発光に変化させることが可能となる。
なお、上述したように緑色蛍光体３Ｂのピーク波長と第２のピーク波長とは一致しない場合があり、緑色蛍光体３Ｂのピーク波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍの間になくても、第２のピーク波長を５１０ｎｍ〜５５０ｎｍの間とすることが可能である。
また、上述したように、発光素子２のピーク波長と緑色蛍光体３Ｂのピーク波長との差を８０ｎｍ以上とすることで、発光スペクトルの第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値を第２のピーク波長の相対発光強度値及び第３のピーク波長の相対発光強度値のいずれか低い方の値の８０％より大きくできる。上記した緑色蛍光体３Ｂのピーク波長の調整方法は、この条件を達成するために用いてもよい。
次に緑色蛍光体３Ｂとして用いことができる別の緑色蛍光体として、下記の一般式（III）で表すことができる蛍光体について説明する。
Ｍ５ ｘＥｕｙＭｇＳｉｚＡｌｗＯａＸｂＮｃ （III）
一般式（III）において、Ｍ５はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種である。またｘ、ｙ、ｗ、ａ、ｂ、及びｃは、６．５≦ｘ＜８．０、０．０１≦ｙ≦２．０、３．７≦ｚ≦４．３、０＜ｗ≦０．５、ａ＝ｘ＋ｙ＋１＋２ｚ＋（３／２）ｗ−ｂ／２−（３／２）ｃ、１．０≦ｂ≦１．９、０≦ｃ≦３．０である。
より優れた輝度を得ることができることから、上記一般式（III）で表される緑色蛍光体は、ｗ＝０およびｃ＝０であることが好ましい。この場合、（III)式は、Ｍ５ ｘＥｕｙＭｇＳｉｚＯａＸｂと記載することができる。
３．ＹＡＧ系蛍光体
本発明に係る発光装置１００は、赤色蛍光体３Ａと緑色蛍光体３Ｂとに加え、さらに、黄緑から黄色に発光するＹＡＧ系蛍光体（ＹＡＧ系発光蛍光体）３Ｃを有する。
ＹＡＧ系蛍光体３Ｃを用いることにより黄色や橙色の発光を補うことが可能となり演色性を大きく改善でき、光束を大きく向上できる。
例えば、発光装置１００の発光スペクトルの第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値が、第２のピーク波長の相対発光強度値及び第３のピーク波長の相対発光強度値のいずれか低い方の値の８０％より大きくなるのをより容易に達成するように、ＹＡＧ系蛍光体３Ｃの発光ピークと緑色蛍光体３Ｂのピーク波長との差を多くすることを目的に、必要に応じてＹＡＧ系蛍光体３Ｃのピーク波長を調整してもよい。
ＹＡＧ系蛍光体３Ｃのピーク波長は、ＹをＧｄで置換することにより長波長側に、ＡｌをＧａで置換することにより短波長側に、調整（シフト）することができる。また、Ｃｅの量を増加するとピーク波長は長波長側に、Ｃｅの量を減少させるとピーク波長は短波長側に、微調整することができる
ＹＡＧ系蛍光体のピーク波長は、緑色蛍光体３Ｂのピーク波長と比較的近いことから、発光装置１００の発光スペクトルでは、ＹＡＧ系蛍光体３Ｃの発光ピークに対応する発光ピークは、主に緑色蛍光体３Ｂの波長ピークに起因する第２のピーク波長でのピークに隠れ、認められないことが多い。
黄緑から黄色に発光するＹＡＧ系蛍光体３Ｃは、特に限定されるものではなく、公知となっているＹＡＧ系蛍光体（ＹＡＧ系発光蛍光体）を用いることができる。好ましいＹＡＧ系蛍光体３Ｃとして、下記一般式（IV）で示される発光体を例示する。
Ｍ６ ３Ｍ７ ５Ｏ１２：Ｃｅ （IV）
式（IV）において、Ｍ６は希土類元素からなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ７はＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種である。
４．発光装置の構成
以下に発光装置１００の一実施形態について図１を用いて詳述する。図１に示す発光装置１００は、表面実装型発光装置であるが、これに限定されるものではなく、砲弾型発光ダイオード等の従来から用いられている発光装置の形態に本発明を適用することが可能である。
発光装置１００は、上方に開口する凹部を有する発光素子搭載筐体（筐体）１を有している。筐体１の凹部の底面には、ダイボンド剤により発光素子（青色ＬＥＤ）２が固定され、蛍光体３Ａ、３Ｂを分散した透光性樹脂４が発光素子２の上を覆っている。発光素子２の上部電極は、第１のワイヤ（導電性ワイヤ）５により第１の外部電極６と接続され、発光素子２の下部電極は、第２のワイヤ（導電性ワイヤ）７により第２の外部電極８と接続されている。なお、筐体１の凹部の内面には、光反射材９が被覆されている。
以下、発光装置１００の各構成要素について説明する。
（発光素子）
発光素子２は例えば窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有し、本発明で用いられる白色発光装置１００の発光スペクトルにおける第１のピーク波長を形成する光を発光するものであり、かつ、赤色蛍光体３Ａ、緑色蛍光体３ＢおよびＹＡＧ系蛍光体３Ｃの励起光源となるものである。
窒化物系化合物半導体（一般式ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ、但し、０≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝１）としては、ＩｎＧａＮや各種不純物がドープされたＧａＮをはじめ、種々のものがある。発光素子２は、ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮやＧａＮ等の半導体を発光層として成長させることにより形成できる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構造のものが挙げられる。窒化物半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することにより、発光素子２のピーク波長を４４０ｎｍ以上、４７０ｎｍ以下とすることができる。また、発光素子２は、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜で形成した単一量子井戸構造や多量子井戸構造とすることもできる
（発光素子搭載筐体）
発光素子搭載筐体１は、発光素子２からの光を外部に漏らさないために遮光率の高い材料からなることが好ましい。また外部電極６および８等と接触することから絶縁性を有する材料からなる必要がある。
具体的材料としては、例えばガラスエポキシ積層板、ＢＴレジン積層板、セラミックス、液晶ポリマー、ポリイミドがある。筐体１は、例えば金型内に外部電極６および８となる金属片を配置した後、前記材料を注入しインサート形成し、冷却後、金型から取り出すことにより形成できる。
（外部電極）
外部電極６および８は、第１のワイヤ５および第２のワイヤ７を介して発光素子２を筐体１の外部と電気的に接続させるための電極であり、電気伝導性に優れたものが好ましい。例えばニッケル等のメタライズあるいはリン青銅、鉄、銅等の電気良導体を外部電極６および８に用いることができる。
（光反射材）
光反射材９として、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂等の樹脂中に反射材としてチタン酸バリウム、酸化アルミニュウム、酸化チタン、酸化珪素、燐酸カルシュウム等を含有させて形成させたフィルム状部材を用いることが可能である。光反射材９は例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等によって筐体１の側壁に固定することができる。
また、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属膜を筐体１の側壁の内面または外面、または両面にメッキ、スパッタリングにより形成し光反射材９として用いてもよい。
（ダイボンド剤）
ダイボンド剤は、発光素子２を筐体１の凹部内に固定させるものである。ダイボンド剤は、発光素子２から放出される熱により特性が損なわれないように耐熱性を有する必要がある。ダイボンド剤として、例えばエポキシ樹脂、Ａｇペースト、共晶材料を用いることができる。
（導電性ワイヤ）
第１のワイヤ５および第２のワイヤ７は、導電性ワイヤよりなる。第１のワイヤ５および第２のワイヤ７は、発光素子２の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性が良好であるものが求められる。第１のワイヤ５および第２のワイヤ７として用いる導電性ワイヤの材料として、例えば金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いることができる。
（透光性樹脂）
筐体１の凹部内に充填する透光性樹脂４は、その赤色蛍光体３Ａ、緑色蛍光体３ＢおよびＹＡＧ蛍光体３Ｃを分散させるとともに、発光素子２、導電性ワイヤ（第１のワイヤおよび第２のワイヤ）５および７を封止し外部応力から保護する機能がある。透光性樹脂（封止樹脂）４として、各種樹脂を用いることが可能であり、例えばエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂が好適に用いられる。また、透光性樹脂４に拡散剤を含有させることによって発光素子２からの指向性を緩和し、視野角を増やすことができる。拡散剤のとしては、例えばチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。なお、発光素子２の発光色に応じて、透光性樹脂に種々の蛍光体を含有させ、任意の発光色の発光装置とすることができる。
以下に本発明の実施例を示す。これらの実施例は、本発明の理解を容易にするためにものであり、本発明の技術的範囲を限定することを目的とするものではない。
（実施例１）
正及び負の一対の外部電極６および８がインサートされて閉じられた金型内に、溶融したポリフタルアミド樹脂を流し込み、硬化させて、筺体１を形成する。筺体１は、発光素子２を収納可能な開口部（凹部）を有している。金型を冷却することで筐体１と外部電極６および８とを一体的に成形する。
このように形成した筐体１の凹部の底面に、ピーク波長（主波長ピーク）が４５５ｎｍである発光素子（ＬＥＤチップ）２をエポキシ樹脂にてダイボンドした後、外部電極６および８と発光素子２とを導電性ワイヤ５および７にて電気的に接続する。
次に、シリコーン樹脂組成物３ｇに、５２０ｎｍ付近にピーク波長を持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．６,Ｅｕ０．４）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．３ｇと、５４０ｎｍ付近に発光ピークを持ち発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５（Ａｌ０．８，Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．１ｇと、６６０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（（Ｃａ０．９７,Ｅｕ０．０３）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１１ｇとを添加し混合する。得られた透光性樹脂４を筺体１の開口部内に、開口部の両端部上面と同一平面ラインまで充填する。最後に、７０℃で３時間、更に１５０℃で１時間熱処理を施す。
図２は得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６５０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は０．３２であり、第３のピーク波長の相対発光強度値０．６４よりも低い第２のピーク波長の相対発光強度値０．６２に対して５２％である。演色性を示す平均演色評価数Ｒａは７９であり高い演色性を示す。
得られた発光装置１００を１４インチ液晶のバックライト光源として用いると、色再現性を示すＮＴＳＣ比が７２％以上となり、白色での輝度が上昇する。
すなわち、本実施例１にかかる発光装置１００は、本願の目的である優れた演色性を有することに加えて、さらに色再現性にも優れていることを示している。
（実施例２）
シリコーン樹脂組成物３ｇに５２０ｎｍ付近にピーク波長を持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．６,Ｅｕ０．４）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．３ｇと、５４０ｎｍ付近にピーク波長を持ち、発光スペクトルが緑色蛍光体と比べブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５（Ａｌ０．８，Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）を０．１５ｇ、６６０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（（Ｃａ０．９７,Ｅｕ０．０３）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１１ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法で発光装置１００を作製する。
図３は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６５０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第３のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第２のピーク波長の相対発光強度値に対して６１％である。そしてＲａが８４という高い演色性を示す。
この発光装置１００を実施例１と同じようにバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比７２％以上であり、さらに白色での輝度が上昇する。
（実施例３）
シリコーン樹脂組成物３ｇに対して、５２０ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．６,Ｅｕ０．４）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．３ｇと、５４０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５（Ａｌ０．８，Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．２５ｇと、６６０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（（Ｃａ０．９７,Ｅｕ０．０３）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１３ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法で発光装置１００を作製する。
図４は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６４０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第３のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第２のピーク波長の相対発光強度値に対して７５％である。Ｒａは８９というかなり高い演色性を示す。
発光装置１００を実施例１同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比７０％であった。白色での輝度が上昇する。
（実施例４）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５１５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ7.7,Ｅｕ０．３）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．２８ｇと、５４０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５（Ａｌ０．８，Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．１６ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＮ３）約０．２ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法で発光装置１００を作製する。
図５は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６４０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第２のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第３のピーク波長の相対発光強度値に対して７３％である。Ｒａは８０というかなり高い演色性を示す。
発光装置１００を実施例１同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は７２％であり、さらに白色での輝度が上昇する。
（実施例５）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５２０ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．６,Ｅｕ０．４）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．１ｇと、５４０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなスペクトルのＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５（Ａｌ０．８，Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．３ｇと、６６０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（（Ｃａ０．９７,Ｅｕ０．０３）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１１ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法で発光装置１００を作製する。
図６は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５３０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６４０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第３のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第２のピーク波長の相対発光強度値に対して９６％である。Ｒａは９３というかなり高い演色性を示す。
発光装置１００を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比６４％であった。
（実施例６）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５１５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（Ｃａ７．７,Ｅｕ０．３）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．２２ｇと、５６０ｎｍ付近に発光ピークを持つブロードなスペクトルのＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．２ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法により発光装置１００を作製する。
本実施例において、発光素子（青色ＬＥＤ）２のピーク波長と緑色蛍光体２Ｂのピーク波長との差は、５５ｎｍである。
図７は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５３０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６３０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第２のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第３のピーク波長の相対発光強度値に対して９７％である。Ｒａが９０というかなり高い演色性を示す。
発光装置１００を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は６８％であり、白色での輝度は実施例１よりも上昇する。
（実施例７）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５１５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．７,Ｅｕ０．３）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．１８ｇと、５６０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなスペクトルのＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．０８ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．２６ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法で発光装置１００を作製する。
図８は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
発光素子２による発光ピークと蛍光体３Ａ、３Ｂ、３Ｃによるブロードな発光ピークを一つ有し、明確な第３のピークは認められない。
Ｒａは９２というかなり高い演色性を示す。
この発光装置を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は６２％であり、白色での輝度は実施例１よりも低下する。
（実施例８）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５１５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．７,Ｅｕ０．３）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．２８ｇと、５６０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．１４ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１４ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法により発光装置１００を作製する。
図９は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６３０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第２のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第３のピーク波長の相対発光強度値に対して８２％である。
Ｒａは８８とかなり高い演色性を示す。
この発光装置を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は７０％であり、白色での輝度は実施例１よりも上昇する。
（実施例９）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５１５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．７,Ｅｕ０．３）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．２８ｇと、５７０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（（Ｙ０．８,Ｇｄ０．２）２．８５Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．１５）０．１４ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．２ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法により発光装置１００を作製する。
図１０は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６３０ｎｍ付近にある。
このようにして得られた発光装置は、第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第２のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第３のピーク波長の相対発光強度値に対して約８３％である。
Ｒａは８９というかなり高い演色性を示す。
この発光装置１００を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は６７％であり、白色での輝度は実施例１よりも上昇する。
（実施例１０）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５２５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ（（Ｃａ７．５,Ｅｕ０．５）ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２）約０．１６ｇと、５６０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．１２ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．２ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法により発光装置１００を作製する。
図１１は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
発光素子２による発光ピークと蛍光体３Ａ、３Ｂ、３Ｃによるブロードな発光ピークを一つ有し、明確な第３のピークは認められない。
Ｒａは８８というかなり高い演色性を示す。
発光装置１００を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は６６％であり、白色での輝度は実施例１よりも低下する。
（実施例１１）
シリコーン樹脂組成物３ｇに、５１５ｎｍ付近に発光ピークを持つハロシリケートＣａ７．８５Ｅｕ０．３ＭｇＳｉ４．３Ｏ１５．９１Ｃｌ１．８４約０．２２ｇと、５６０ｎｍ付近に発光ピークを持ち、発光スペクトルがブロードなＹＡＧ系蛍光体（Ｙ２．９５Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．０５）０．２ｇと、６５０ｎｍ付近に発光ピークを持つ窒化物蛍光体ＣａＡｌＳｉＢＮ３：Ｅｕ（Ｃａ０．９９,Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＢＮ３）約０．１ｇとを添加し、混合する以外は、実施例１と同じ方法により発光装置１００を作製する。
図１２は、得られた発光装置１００の発光スペクトルである。
第１のピーク波長は４５０ｎｍ付近、第２のピーク波長は５２０ｎｍ付近、第３のピーク波長は６３０ｎｍ付近にある。
第２のピーク波長と第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値は、第２のピーク波長の相対発光強度値よりも低い第３のピーク波長の相対発光強度値に対して９7％である。
Ｒａが８９というかなり高い演色性を示す。
発光装置１００を実施例１と同様にバックライト光源として用いると、ＮＴＳＣ比は６８％であり、白色での輝度は実施例１よりも上昇する。
本発明は、照明装置のみならず、高い演色性が必要なモニター、デジカメ、プリンタ等の表示装置のバックライトとして用いることができる。

Claims (7)

  1. 発光素子と、
    窒化物蛍光体より成り、前記発光素子の光により励起されて発光する赤色蛍光体と、
    ハロシリケートより成り、前記発光素子の光により励起されて発光する緑色蛍光体と、
    前記発光素子の光により励起されて発光するＹＡＧ系蛍光体と、
    を含むことを特徴とする発光装置。
  2. 発光スペクトルが、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の第１のピーク波長と、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の第２のピーク波長と、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の第３のピーク波長とを有し、前記第２のピーク波長と前記第３のピーク波長との間の最低相対発光強度値が前記第２のピーク波長における相対発光強度値と前記第３のピーク波長における相対発光強度値とのいずれか低い方の値の８０％より大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記赤色蛍光体が、Ｅｕにより賦活され、下記一般式（I）で表されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。

    Ｍ１ ｗＡｌｘＳｉｙＢｚＮ（（２／３）ｗ＋ｘ＋（４／３）ｙ＋ｚ）：Ｅｕ２＋ （I）

    ここで、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、０．０５６≦ｗ≦９、ｘ＝１、０．０５６≦ｙ≦１８、０≦ｚ≦０．５である。
  4. 前記緑色蛍光体が下記一般式（II）で表されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光装置。

    （Ｍ２ １−ｙＲｙ）ａＭｇＭ３ ｂＭ４ ｃＯａ＋２ｂ＋（３／２）ｃＸ２ （II）

    ここで、Ｍ２はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ３はＳｉ、ＧｅおよびＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ４はＢ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＲはＥｕを必須とする希土類元素から選択される少なくとも１種であり、０．０００１≦ｙ≦０．３、７．０≦ａ＜１０．０、３．０≦ｂ＜５．０、０≦ｃ＜１．０である。
  5. 前記緑色蛍光体が下記一般式（III）で表されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光装置。

    Ｍ５ ｘＥｕｙＭｇＳｉｚＡｌｗＯａＸｂＮｃ （III）

    ここでＭ５はＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、６．５≦ｘ＜８．０、０．０１≦ｙ≦２．０、３．７≦ｚ≦４．３、０＜ｗ≦０．５、ａ＝ｘ＋ｙ＋１＋２ｚ＋（３／２）ｗ−ｂ／２−（３／２）ｃ、１．０≦ｂ≦１．９、０≦ｃ≦３．０である。
  6. 前記発光素子のピーク波長と前記緑色蛍光体のピーク波長との差が８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の発光装置。
  7. 前記ＹＡＧ系蛍光体が下記一般式（IV）で表されることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の発光装置。

    Ｍ６ ３Ｍ７ ５Ｏ１２：Ｃｅ （IV）

    ここで、Ｍ６は希土類元素からなる群から選ばれる少なくとも１種、Ｍ７はＢ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種である。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
RU2423757C1 (ru) * 2007-08-30 2011-07-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство
JP5310087B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
US8796715B2 (en) 2009-08-17 2014-08-05 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
US8592829B2 (en) 2009-08-17 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
KR101098006B1 (ko) * 2009-09-29 2011-12-23 한국화학연구원 (할로)실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법
JP5824676B2 (ja) * 2009-09-29 2015-11-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄ照明光源及び照明装置
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
JP5498145B2 (ja) * 2009-12-11 2014-05-21 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 潤滑油劣化モニター装置
KR20110076447A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
JP5706962B2 (ja) 2010-06-24 2015-04-22 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード
CN103053036B (zh) * 2010-07-28 2015-11-25 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
JP5864851B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
WO2012118310A2 (ko) * 2011-02-28 2012-09-07 성균관대학교산학협력단 형광체, 및 이의 제조 방법
JP2013004692A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
US8704440B2 (en) 2011-07-06 2014-04-22 Osram Sylvania Inc. LED lighting device having a phosphor composition
TWI464241B (zh) 2011-08-02 2014-12-11 Everlight Electronics Co Ltd 螢光粉組成及使用該螢光粉組成的白色發光裝置
CN102916113B (zh) * 2011-08-02 2016-06-15 亿光电子(中国)有限公司 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
DE102011113802A1 (de) 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
KR101643753B1 (ko) * 2012-02-09 2016-07-29 덴카 주식회사 형광체 및 발광 장치
RU2518181C2 (ru) * 2012-03-20 2014-06-10 Амтай Медикал Эквипмент, Инк. Источник света на светодиодах для медицинских светильников
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
WO2014014079A1 (ja) * 2012-07-20 2014-01-23 三菱化学株式会社 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
KR101476000B1 (ko) * 2012-08-03 2014-12-24 에스앤비인더스트리 주식회사 원예용 ｌｅｄ조명장치의 ｌｅｄ칩 제조방법
CN104718633B (zh) * 2012-10-04 2017-09-26 株式会社东芝 白色发光装置、照明装置、以及牙科用照明装置
US8890196B2 (en) * 2013-03-14 2014-11-18 Goldeneye, Inc. Lightweight self-cooling light sources
JP6853614B2 (ja) * 2013-03-29 2021-03-31 株式会社朝日ラバー Ｌｅｄ照明装置、その製造方法及びｌｅｄ照明方法
CN105849920B (zh) 2013-12-27 2020-11-06 西铁城电子株式会社 发光装置和发光装置的设计方法
JP6356005B2 (ja) * 2013-12-27 2018-07-11 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の設計方法
JP6356018B2 (ja) * 2014-09-03 2018-07-11 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9328878B2 (en) 2014-07-02 2016-05-03 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
CN106796976B (zh) 2014-10-08 2019-04-19 首尔半导体株式会社 发光装置
EP3045963B1 (en) * 2015-01-13 2018-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JPWO2016159141A1 (ja) * 2015-04-03 2018-01-18 シャープ株式会社 発光装置
US9974138B2 (en) 2015-04-21 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Multi-channel lamp system and method with mixed spectrum
KR102298935B1 (ko) * 2017-03-28 2021-09-08 가부시키가이샤 아사히 러버 Led 장치의 제조 방법
WO2019004119A1 (ja) * 2017-06-28 2019-01-03 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP6940764B2 (ja) * 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6741056B2 (ja) * 2017-10-31 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 希土類アルミン酸塩蛍光体の製造方法
US11251338B2 (en) * 2018-04-20 2022-02-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Deep ultraviolet light-emitting element
EP3576168B1 (en) * 2018-05-31 2023-05-31 Nichia Corporation Light emitting device
JP2021133557A (ja) 2020-02-26 2021-09-13 セイコーエプソン株式会社 記録装置
WO2023074525A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び光源装置
WO2023107239A1 (en) * 2021-12-09 2023-06-15 Lumileds Llc Oxonitridoberyllosilicate phosphors

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327492A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Sharp Corp Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
JP2006219636A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及びその製造方法、発光装置
JP2006523245A (ja) * 2003-03-28 2006-10-12 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 粒子または原材料上に被覆物を形成させる方法および属する製品
JP2006306981A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2006332134A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Ijin Jo 白色発光ダイオード
JP2007088248A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujikura Ltd 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
JP2007145958A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及び発光装置
JP2007157831A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Sharp Corp 発光装置
JP2007180377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100319624B1 (ko) * 1999-05-20 2002-01-09 김영환 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
CA2380444A1 (en) * 2000-05-29 2001-12-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Led-based white-emitting illumination unit
KR100412128B1 (ko) 2001-04-19 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조방법
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US6763269B2 (en) * 2001-11-02 2004-07-13 Pacesetter, Inc. Frequency agile telemetry system for implantable medical device
EP1433831B1 (en) * 2002-03-22 2018-06-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
CN100341163C (zh) 2004-03-29 2007-10-03 宏齐科技股份有限公司 白光发光二极管单元
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
EP1980605B1 (en) 2004-04-27 2012-02-22 Panasonic Corporation Light-emitting Device
US7404652B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission
US7854859B2 (en) * 2004-12-28 2010-12-21 Nichia Corporation Nitride phosphor, method for producing this nitride phosphor, and light emitting device that uses this nitride phosphor
US20060279196A1 (en) 2005-06-02 2006-12-14 Wei-Jen Hsu White LED
JP4898332B2 (ja) * 2005-09-15 2012-03-14 セイコーインスツル株式会社 表示装置
JP2007165728A (ja) 2005-12-15 2007-06-28 Toshiba Discrete Technology Kk 発光装置及び可視光通信用照明装置
JP2007231250A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4931628B2 (ja) * 2006-03-09 2012-05-16 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
JP4802923B2 (ja) 2006-08-03 2011-10-26 日本電気硝子株式会社 波長変換部材
WO2008018548A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating apparatus
US20080147032A1 (en) * 2006-10-02 2008-06-19 Weyerhaeuser Co. Methods for the preparation crosslinked carboxyalkyl cellulose fibers having non-permanent and temporary crosslinks
TWI359857B (en) * 2006-12-25 2012-03-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
RU2423757C1 (ru) * 2007-08-30 2011-07-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006523245A (ja) * 2003-03-28 2006-10-12 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 粒子または原材料上に被覆物を形成させる方法および属する製品
JP2004327492A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Sharp Corp Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
JP2006219636A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及びその製造方法、発光装置
JP2006306981A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2006332134A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Ijin Jo 白色発光ダイオード
JP2007088248A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujikura Ltd 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
JP2007145958A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及び発光装置
JP2007157831A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Sharp Corp 発光装置
JP2007180377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置

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