KR20100049673A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100049673A
KR20100049673A KR1020107006845A KR20107006845A KR20100049673A KR 20100049673 A KR20100049673 A KR 20100049673A KR 1020107006845 A KR1020107006845 A KR 1020107006845A KR 20107006845 A KR20107006845 A KR 20107006845A KR 20100049673 A KR20100049673 A KR 20100049673A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
peak wavelength
light
emitting device
phosphor
Prior art date
Application number
KR1020107006845A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101152066B1 (ko
Inventor
요시노리 무라자끼
마사후미 하라다
스구루 다까시마
Original Assignee
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20100049673A publication Critical patent/KR20100049673A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101152066B1 publication Critical patent/KR101152066B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7732—Halogenides
    • C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774—Borates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

우수한 연색성을 갖는 발광 장치를 제공한다. 　발광 장치는, 발광 소자와, 질화물 형광체로 이루어지고, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 적색 형광체와, 할로실리케이트로 이루어지고, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 녹색 형광체와, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 YAG계 형광체를 포함한다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEⅥCE}
본 발명은 발광 장치, 특히 발광 소자와 적색 형광체와 녹색 형광체와 YAG계 형광체를 포함하며 백색광을 발광하는 발광 장치에 관한 것이다.
높은 광속과 높은 연색(演色)성을 갖는 난색계의 백색광을 발하는 발광 장치로서, 청색 반도체 발광 소자와, 그 발광 소자가 발하는 광에 의해 여기되어 발광하는 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 발광 장치가 제공되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
이들 발광 장치는, 적색계 발광 성분의 강도가 강하여, 각종 용도에 널리 이용되고 있다.
일본 특허 공개 제2007-27796호 공보
그러나, 백색 발광 장치의 용도는 다방면에 걸쳐 있고, 상기 종래의 청색 반도체 발광 소자(청색 LED)와 적색 형광체와 녹색 형광체를 포함하는 발광 장치를 이용하여도 충분한 연색성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
즉 이와 같은 용도로서, 예를 들면 일반 조명 용도가 있다. 상술한 종래의 백색 발광 장치에서는, 예를 들면 평균 연색 평가수 Ra가 70 이하로 충분한 연색성을 확보할 수 없는 경우가 있다. 이와 같은 연색성이 충분하지 않은 조명 장치를 이용하면 일반적인 조명 용도의 형광 램프와 비교하여 색이 눈에 들어오는 방향에 따라 변하게 된다고 하는 문제를 발생시킨다.
본 발명은, 연색성이 요구되는 용도에 이용할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 양태 1은, 발광 소자와, 질화물 형광체로 이루어지고, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 적색 형광체와, 할로실리케이트로 이루어지고, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 녹색 형광체와, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 YAG계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
본 발명의 양태 2는, 발광 스펙트럼이, 440㎚ 이상 470㎚ 이하인 제1 피크 파장과, 510㎚ 이상 550㎚ 이하인 제2 피크 파장과, 630㎚ 이상 670㎚ 이하인 제3 피크 파장을 갖고, 상기 제2 피크 파장과 상기 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값이, 상기 제2 피크 파장에서의 상대 발광 강도값과 상기 제3 피크 파장에서의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 80％ 보다 큰 것을 특징으로 하는 양태 1에 기재된 발광 장치이다.
본 발명의 양태 3은, 상기 적색 형광체가, Eu에 의해 부활(賦活)되고, 하기 일반식 (I)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 양태 1 또는 2에 기재된 발광 장치이다.
(일반식 I)
Figure pct00001
여기서, M1은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, 0.056≤w≤9, x=1, 0.056≤y≤18, 0≤z≤0.5이다.
본 발명의 양태 4는, 상기 녹색 형광체가 하기 일반식 (Ⅱ)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 양태 1∼3 중 어느 하나에 기재된 발광 장치이다.
(일반식 Ⅱ)
Figure pct00002
여기서, M2는 Ca, Sr, Ba, Zn 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M3은 Si, Ge 및 Sn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M4는 B, Al, Ga 및 In으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, X는 F, Cl, Br 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, R은 Eu를 필수로 하는 희토류 원소로부터 선택되는 적어도 1종이며, 0.0001≤y≤0.3, 7.0≤a<10.0, 3.0≤b<5.0, 0≤c<1.0이다.
본 발명의 양태 5는, 상기 녹색 형광체가 하기 일반식 (Ⅲ)으로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 양태 1∼3 중 어느 하나에 기재된 발광 장치이다.
(일반식 Ⅲ)
Figure pct00003
여기서 M5는 Ca, Sr, Ba, Zn 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, X는 F, Cl, Br 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, 6.5≤x<8.0, 0.01≤y≤2.0, 3.7≤z≤4.3, 0<w≤0.5, a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c, 1.0≤b≤1.9, 0≤c≤3.0이다.
본 발명의 양태 6은, 상기 발광 소자의 피크 파장과 상기 녹색 형광체의 피크 파장과의 차가 80㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 양태 1∼5 중 어느 하나에 기재된 발광 장치이다.
본 발명의 양태 7은, 상기 YAG계 형광체가 하기 일반식 (Ⅳ)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 양태 1∼6 중 어느 하나에 기재된 발광 장치이다.
(일반식 Ⅳ)
Figure pct00004
여기서, M6은 희토류 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M7은 B, Al, Ga 및 In으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
발광 소자와 적색 형광체와 녹색 형광체와 YAG계 형광체를 조합하는 것에 의해, 우수한 연색성을 갖는 발광 장치를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 장치(100)를 도시하는 단면도.
도 2는 실시예 1에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 3은 실시예 2에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 4는 실시예 3에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 5는 실시예 4에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 6은 실시예 5에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 7은 실시예 6에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 8은 실시예 7에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 9는 실시예 8에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 10은 실시예 9에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 11은 실시예 10에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 12는 실시예 11에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 13은 냉음극 형광관(CCFL)의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 14는 종래의 백색 LED 장치의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 1은, 발광 장치(100)를 도시하는 단면도이며, 본 발명에 따른 발광 장치의 구성예를 도시한다.
본 발명에 따른 발광 장치(100)는 발광 소자(예를 들면 청색 LED)(2)와, 발광 소자(2)가 발하는 광에 의해 여기되어 적색으로 발광하는 적색 형광체(적색 발광 형광체)(3A)와, 발광 소자(2)가 발하는 광에 의해 여기되어 녹색으로 발광하는 녹색 형광체(녹색 발광 형광체)(3B)와, 또한 발광 소자(2)가 발하는 광에 의해 여기되어 황녹으로부터 황색으로 발광하는 YAG계 형광체(YAG계 발광 형광체)(3C)를 갖고 있다.
적색 형광체(3A)는, 질화물 형광체이며, 녹색 형광체(3B)는 할로실리케이트이다. 이와 같이, 발광 장치(100)는, 종래의 청색 반도체 발광 소자(청색 LED)와 적색 형광체와 녹색 형광체를 포함하는 발광 장치와 달리, 발광 소자(청색 반도체 발광 소자)(2)가 발하는 광과, 질화물 형광체(적색 형광체)(3A)가 발하는 광과, 할로실리케이트(녹색 형광체)(3B)가 발하는 광과, YAG계 형광체(3C)가 발하는 황녹 또는 황색의 혼색 발광으로 되어 있다.
이 결과, 발광 장치(100)는, 청, 녹, 황색, 적색의 각각의 발광이 강한 백색 발광을 얻을 수 있다. 특히 YAG계 형광체(3C)를 이용하는 것에 의해 황색이나 등색의 발광을 보충하는 것이 가능하게 되고 연색성을 크게 개선할 수 있어, 광속을 크게 향상시킬 수 있다. 발광 장치(100)가 발하는 광은, 예를 들면 평균 연색 평가수 Ra가 75 이상으로 우수한 연색성을 나타낸다.
또한, 평균 연색 평가수 Ra란, 일본 공업 규격, JIS　Z　8726에 규정되는 연색성의 평가 방법이며, 기준 광원과 비교하여 색채를 충실히 재현하고 있는지를 지수로 나타낸 것으로, 원칙으로서 Ra가 100에 가까울수록 연색성이 좋다고 판단된다.
도 1은 본 실시 형태(실시예 1)에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼을 예시하는 도면이다. 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼은, 파장이 짧은 쪽으로부터 순서대로 제1 내지 제3 피크(피크 파장)를 갖고 있다.
제1 피크 파장(제1 발광 피크 파장)은, 주로 발광 소자(청색 LED)(2)의 발광에 기인하여 생긴다. 제2 피크 파장(제2 발광 피크 파장)은, 주로 녹색 형광체(3B)와 YAG계 형광체(3C)가 발광 소자(2)가 발하는 광에 의해 여기되어 발광하는 것에 의해 생긴다. 제3 피크 파장(제3 발광 피크 파장)은, 주로 적색 형광체(3A)가 발광 소자(2)가 발하는 광에 의해 여기되어 발광하는 것에 의해 생긴다.
또한, 비교를 위해 종래부터 화상 표시 장치의 백라이트에 이용되고 있는 음극 형광관(CCFL)의 발광 스펙트럼을 도 13에 도시하고, 청색 LED의 광 및 그 청색 LED로부터 발하는 광에 의해 여기되는 YAG(이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛)계 형광체의 2색 혼합으로 이루어지는 발광 장치의 발광 스펙트럼을 도 14에 도시한다.
음극 형광관(CCFL)의 발광 스펙트럼은, 수은에 의한 435㎚ 부근의 피크와 녹색 형광체에 의한 545㎚ 부근의 메인 피크와 490㎚ 부근 및 585㎚ 부근의 2개의 서브 피크를 포함하는 예리한 피크를 5개 갖고 있다. 한편 2색 혼합으로 이루어지는 발광 장치의 발광 스펙트럼은 피크가 2개만 인식되고, 음극 형광관(CCFL)과 색혼합으로 이루어지는 발광 장치의 어느 쪽의 발광 스펙트럼도, 도 1에 도시한 본 발명에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼과 다르다.
발광 장치(100)는, 이하에 기재하는 4개의 바람직한 조건을 만족함으로써, 그 발광의 연색성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 6은, 보다 우수한 연색성을 나타내는 실시 형태에 따른 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼의 예(실시예 5)이다.
첫째로 발광 소자(2)에 대해서, 그 발광 스펙트럼의 피크 파장이 적정한 범위 내(예를 들면 440㎚ 이상 470㎚ 이하)로 되도록 선택하고, 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼의 제1 피크 파장을 440㎚ 이상 470㎚ 이하로 한다.
둘째로 상세를 후술하는 녹색 형광체(3B) 및 YAG계 형광체(3C)를 이용함으로써 제2 피크 파장을 510㎚ 이상 550㎚ 이하로 한다.
셋째로 상세를 후술하는 적색 형광체(3A)를 이용함으로써 제3 피크 파장을 630㎚ 이상 670㎚ 이하로 한다.
넷째로, 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값(발광 스펙트럼의 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이에서, 가장 낮은 상대 발광 강도값)을, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 및 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 보다 크게 한다.
이상의 4개의 조건을 만족함으로써, 예를 들면 Ra(평균 연색 평가수)가 85 이상으로 매우 높은 연색성을 실현할 수 있다.
이와 같이, 높은 연색성을 달성할 수 있는 것은, 청, 녹, 황색 및 적색의 발광의 어느 하나에 대해서도 높은 강도를 갖는 백색 발광을 얻을 수 있기 때문이다.
또한, 이 제4 조건에 대해서는, 예를 들면 발광 소자(2)의 피크 파장과 녹색 형광체(3B)의 피크 파장의 차를 80㎚ 이상으로 함으로써, 발광 스펙트럼의 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값을, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 및 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 보다 크게 할 수 있다.
또한 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 파장 영역의 광을 발광하는 YAG계 형광체(3C)의 첨가량을 늘리는 것에 의해서도, 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값을, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 및 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 보다 크게 할 수 있다.
한편, 상기의 제1 내지 제3 조건을 만족하고, 또한 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값을, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 및 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 이하로 함과 함께, YAG계 형광체(3C)의 첨가량을 중량비로 전체 형광체의 첨가량(적색 형광체(3A)와 녹색 형광체(3B)와 YAG계 형광체(3C)의 첨가량의 합계)의 50％ 이하로 함으로써 색재현성이 우수한 발광 장치(100)를 얻을 수 있다.
즉, 연색성에 대해서 예를 들면 평균 연색 평가수 Ra가 75 이상으로 양호한 레벨로 또한, 색재현성에 대해서도 예를 들면 NTSC비 72％ 이상으로 우수한, 연색성과 색재현성의 양방이 우수한 레벨로 밸런스가 잡힌 조명 장치를 얻는 것이 가능하다.
여기서, NTSC비란, 미국 텔레비전 표준화 위원회(National Television Standards Committee)에 의해 CIE1931　XYZ표 색계의 색도(x, y)에서 정해진 표준 방식의 3원색, 적(0.670, 0.330), 녹(0.210, 0.710), 청(0.140, 0.080)을 연결하는 삼각형을 기준으로 하여, 평가하는 표시 디바이스의 적ㆍ녹ㆍ청 단색의 색도를 연결하여 얻어지는 삼각형을 비교한 면적비를 말한다. 이 면적비가 즉 색재현 범위로서 정의되고, 그 비율이 높을수록 색재현성이 높다고 판정된다. 통상적으로, 방송 규격에서는, NTSC비 72％가 표준으로 되어 있기 때문에, NTSC비가 72％ 이상이면 색재현 범위로서 양호하다.
이상과 같이 본원 발명에서는, 예를 들면 조명 장치에 이용할 수 있는 연색성이 우수한 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 소정의 조건 하에서는, 연색성과 색재현성이 높은 차원에서 양립하는 발광 장치도 얻는 것이 가능하다. 이와 같은 연색성과 색재현성의 양방이 우수한 조명 장치는 예를 들면, 모니터, 디지털 카메라, 프린터 등의 표시 장치의 액정 백라이트로서 이용하는 것이 가능하다.
또한, 제1 피크 파장은 주로 발광 소자(2)가 발하는 광에 의해 형성되지만, 적색 형광체(3A)가 발하는 광, 녹색 형광체(3B)가 발하는 광 및 YAG계 형광체(3C)가 발하는 광도 제1 피크 파장의 형성에 기여하고 있다. 이 때문에, 제1 피크 파장은, 발광 소자(2)가 발하는 광의 피크 파장과 다른 경우가 있다.
마찬가지로, 제2 피크 파장은 주로 녹색 형광체(3B)가 발하는 광과 대부분의 경우 녹색 형광체(3B)보다도 브로드한 발광 피크를 갖는 YAG 형광체(3C)가 발하는 광에 의해 형성되지만, 발광 소자(2)가 발하는 광 및 적색 형광체(3A)가 발하는 광도 제2 피크 파장의 형성에 기여하고 있다. 이 때문에, 제2 피크 파장은, 녹색 형광체(3B)가 발하는 광의 피크 파장과 다른 경우가 있다.
또한, 제3 피크 파장은 주로 적색 형광체(3A)가 발하는 광에 의해 형성되지만, 발광 소자(2)가 발하는 광, 녹색 형광체(3B)가 발하는 광 및 YAG 형광체(3C)가 발하는 광도 제3 피크 파장의 형성에 기여하고 있다. 이 때문에, 제3 피크 파장은, 적색 형광체(3A)가 발하는 광의 피크 파장과 다른 경우가 있다.
이하, 적색 형광체(3A), 녹색 형광체(3B), YAG계 형광체(3C), 청색 LED(2) 등, 발광 장치(100)의 상세를 설명한다.
1. 적색 형광체
적색 형광체(적색 발광 형광체)(3A)는, 질화물 형광체이며, 발광 소자(2)가 발하는 자외선 내지 청색광을 흡수하여 적색으로 발광한다. 적색 형광체(3A)로서, 바람직하게는, Eu에 의해 부활되고, 제Ⅱ족 원소 M1, Si, Al, B, 및 N을 함유하는, 하기 일반식 (I)로 나타내어지는 질화물 형광체를 이용할 수 있다.
(일반식 I)
Figure pct00005
상기 식 (I)에서, M1은 Mg, Ca, Sr, 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, w, x, y, z는, 바람직하게는 0.056≤w≤9, x=1, 0.056≤y≤18, 0.0005≤z≤0.5이다.
보다 바람직하게는 0.4≤w≤3, x=1, 0.143≤y≤8.7, 0≤z≤0.5이며, 가장 바람직하게는 0.5≤w≤3, x=1, 0.167≤y≤8.7, 0.0005≤z≤0.5이다. 보다 바람직한 색조, 고휘도 및 보다 바람직한 발광 반값폭을 얻을 수 있기 때문이다. 또한, z는, 바람직하게는 0.5 이하, 보다 바람직하게는 0.3 이하이며, 0.0005 이상인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 붕소의 몰 농도는, 0.001 이상이며, 0.2 이하로 설정된다. 이와 같은 질화물 형광체는, Eu에 의해 부활되지만, Eu의 일부를, Sc, Tm, Yb, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Lu로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 희토류 원소에 의해 치환하는 것도 가능하다.
상기 식 (I)에서, M1은 Ca 혹은 Sr 중 적어도 1종인 것이 바람직하고, w, x, y, z는 각각, 0.5≤w≤1.5, x=1, 0.5≤y≤1.5, 0≤z≤0.3인 것이 바람직하다. 보다 바람직한 색조, 고휘도 및 보다 바람직한 발광 반값폭을 얻을 수 있고, 또한 등색 발광이 적은 것 보다 깊은 적색 발광을 얻을 수 있기 때문이다.
다른 바람직한 질화물 형광체로서, 하기의 일반식 (I')에 의해 나타내어지는 것이 있다.
(일반식 I')
Figure pct00006
식 (I') 중, M1은 Mg, Ca, Sr, 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, x의 범위는, 0.001≤x≤0.3, z의 범위는, 0.0005≤z≤0.5이다.
또한, 또 다른 바람직한 질화물 형광체로서, 일반식 (I'')로 나타내어지는 질화물 형광체가 있다.
(일반식 I'')
Figure pct00007
식 (I'') 중, M1은 Mg, Ca, Sr, 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, w 및 z의 범위는, 각각 0.04≤w≤3, 0.0005≤z≤0.5이다.
상기 식 (I), (I') 및 (I'')에서, M1로서 Ca를 이용하는 경우, Ca는 바람직하게는 단독으로 사용한다. 단, Ca의 일부를, Sr, Mg, Ba, Sr와 Ba 등에 의해 치환할 수도 있다. Ca의 일부를 Sr로 치환하여, 질화물 형광체의 발광 파장의 피크를 조정할 수 있다.
Si도 바람직하게는 단독으로 사용되지만, 그 일부를 제Ⅳ족 원소인 C나 Ge로 치환할 수도 있다. Si만을 사용한 경우에는, 저렴하고 결정성이 양호한 질화물 형광체를 얻을 수 있다.
적색 형광체(3A)로부터의 발하여진 광은, 바람직하게는 590㎚ 이상 700㎚ 이하, 보다 바람직하게 630㎚ 이상 670㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 640㎚ 이상 670㎚ 이하의 피크 파장을 갖는다.
적색 형광체(3A)의 피크 파장이 상술한 바람직한 범위 내로 되도록 적색 형광체(3A)의 조성을 상술한 조성 범위 내로 조정하여도 된다. 그리고, 적색 형광체(3A)의 피크 파장을 시프트시킴으로써, 발광 장치(100)의 제3 피크 파장을 바람직한 범위 내로 조정(시프트)할 수 있다.
예를 들면 상기 M1이 Ca인 경우는, Eu를 늘임으로써 장파장측으로, 줄임으로써 단파장측으로 피크 파장을 조정(시프트)할 수 있다. 보다 구체적으로는, Ca의 3㏖％를 Eu로 치환하면 발광 피크는 660㎚, 또한 Ca의 1㏖％를 Eu로 치환하면 발광 피크는 650㎚로 된다.
또한, M1로서 Sr을 일부 혹은 전량 이용함으로써, 피크 파장을 단파장측으로 시프트할 수 있다.
통상적으로, 적색 형광체(3A)의 피크 파장을 단파장측으로 시프트하면 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼의 제3 피크 파장도 단파장측으로 시프트하고, 적색 형광체(3A)의 피크 파장을 장파장측으로 시프트하면 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼의 제3 피크 파장도 장파장측으로 시프트한다.
또한, 상술한 바와 같이 적색 형광체(3A)의 피크 파장과 제3 피크 파장은 일치하지 않는 경우가 있고, 적색 형광체(3A)의 피크 파장이 630㎚∼670㎚의 사이에 없어도, 제3 피크 파장을 630㎚∼670㎚의 사이로 하는 것이 가능하다.
부활제인 Eu는, 바람직하게는 단독으로 사용되지만, Eu의 일부를, Sc, Tm, Yb, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Lu에 의해 치환하여도 된다. Eu의 일부를 다른 원소로 치환한 경우에는, 다른 원소는 공(共)부활제로서 작용한다. 공부활제를 이용하는 것에 의해, 색조를 변화시킬 수 있어, 발광 특성의 조정을 행하는 것이 가능하게 된다.
질화물 형광체인 적색 형광체(3A)는, 또한, Cu, Ag, Au로 이루어지는 제I족 원소, Ga, In으로 이루어지는 제Ⅲ족 원소, Ti, Zr, Hf, Sn, Pb로 이루어지는 제Ⅳ족 원소, P, Sb, Bi로 이루어지는 제V족 원소, 및 S로 이루어지는 제Ⅵ족 원소로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 원소를 합계로 1∼500ppm 이하 함유할 수도 있다. 이들 원소는 제조 공정의 소성 시에 비산하기 때문에, 원료에의 첨가량보다, 소성 후의 함유량의 쪽이, 적어져 있다. 그 때문에, 원료에는 1000ppm 이하의 양을 첨가하는 것이 바람직하다. 이들 원소를 첨가하는 것에 의해, 발광 효율의 조정을 행할 수 있다.
Fe, Ni, Cr, Ti, Nb, Sm 및 Yb의 몰 농도는, M1의 몰 농도에 대한 비율이 0.01 이하인 것이 바람직하다. Fe, Ni, Cr, Ti, Nb, Sm 및 Yb를 다량으로 함유하면, 발광 휘도가 저하되는 경우가 있기 때문이다.
2. 녹색 형광체
다음으로 녹색 형광체(녹색 발광 형광체)(3B)에 대해서 설명한다. 녹색 형광체(3B)는, 할로실리케이트로 이루어진다. 녹색 형광체(3B)는, 발광 소자(2)가 발하는 자외선 내지 청색광을 흡수하여 녹색으로 발광한다.
녹색 형광체(3B)로서 이용할 수 있는 형광체의 예로서, 하기 일반식 (Ⅱ)로 나타내어지는 것을 예로 들 수 있다.
(일반식 Ⅱ)
Figure pct00008
식 (Ⅱ)에서, M2는 Ca, Sr, Ba, Zn, 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M3은 Si, Ge, 및 Sn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M4는 B, Al, Ga, 및 In으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, X는 F, Cl, Br, 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, R은 희토류 원소로부터 선택되는 Eu를 필수로 하는 적어도 1종이다. 또한 y, a, b, 및 c는, 0.0001≤y≤0.3, 7.0≤a<10.0, 3.0≤b<5.0, 0≤c<1.0이다.
일반식 (Ⅱ)의 녹색 형광체는 Ca, Sr, Ba, Zn, 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소, 보다 바람직하게는 Ca를 함유한다. Ca를 함유하는 경우, Ca의 일부를 Mn, Sr, Ba로 치환한 것을 사용하여도 된다.
상기 식 (Ⅱ)의 형광체의 중에서도 보다 바람직한 녹색 형광체를 이하의 일반식 (Ⅱ')로 나타낼 수 있다. 일반식 (Ⅱ')로 나타내어지는 녹색 형광체(3B)는, 휘도가 높고, 발광 반값폭이 좁아, 청록이나 등색의 성분이 적으므로 색재현성이 보다 우수하다.
(일반식 Ⅱ')
Figure pct00009
식 (Ⅱ')에서, M2는 Ca 혹은 Mn의 적어도 1종, M3은 Si 및 Ge의 적어도 1종, X는 F, Cl, Br, 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
또한 y, a 및 b는, 0.001≤y≤0.3, 7.0≤a<10.0, 3.0≤b<5.0이다.
상기 일반식 (Ⅱ) 및 (Ⅱ')의 녹색 형광체는, Ca, Sr, Ba, Zn, 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소, 보다 바람직하게는 Ca를 함유한다. Ca를 함유하는 경우, Ca의 일부를 Mn, Sr, Ba로 치환한 것을 사용하여도 된다.
상기 일반식 (Ⅱ) 및 (Ⅱ')의 녹색 형광체는, Si, Ge, 및 Sn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소, 보다 바람직하게는 Si를 함유한다. Si를 함유하는 경우, Si의 일부를 Ge, Sn으로 치환한 것을 사용하여도 된다.
상기 일반식 (Ⅱ) 및 (Ⅱ')의 녹색 형광체는, F, Cl, Br, 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소, 보다 바람직하게는 Cl을 함유한다. Cl을 함유하는 경우, Cl의 일부를 F, Br, I로 치환한 것도 사용하여도 된다.
상기 일반식 (Ⅱ)의 녹색 형광체는, Eu를 필수로 하는 적어도 1종의 희토류 원소를 함유한다. 희토류는, 스칸듐, 이트륨 및 란타노이드 제반(諸) 원소의 계 17의 원소의 총칭이며, 이 중 Eu가 가장 바람직하다. Eu의 일부를 Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 치환한 것을 사용하여도 된다. 보다 바람직하게는, Eu의 일부를 Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Tm으로 치환한 것을 사용하여도 된다.
상기 일반식 (Ⅱ) 및 (Ⅱ')로 나타내어지는 녹색 형광체는, 490㎚ 이상 584㎚ 이하인 녹색 영역으로부터 황색 영역의 파장 범위에 피크 파장을 갖는다. 예를 들면, Ca, Eu, Mg, Si, O, Cl의 원소를 갖는 경우는 500㎚ 내지 520㎚ 부근에, Ca, Mn, Eu, Mg, Si, O, Cl의 원소를 갖는 경우는 530㎚ 내지 570㎚ 부근에, 피크 파장을 갖는 것도 있다. 함유하는 원소량이나 조성에 의해 이 피크 파장은 변동함으로, 녹색 형광체(3B)는, 소망의 피크 파장을 갖도록 필요에 따라서 조정된다.
녹색 형광체(3B)는, 바람직하게는 490㎚ 이상 560㎚ 이하, 보다 바람직하게 500㎚ 이상 550㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 505㎚ 이상 540㎚의 피크 파장을 갖는다.
녹색 형광체(3B)로부터 발하여지는 광의 피크 파장을 상기의 바람직한 범위 내로 시프트시킴으로써, 발광 장치(100)의 제2 피크 파장을 원하는 범위 내로 조정(시프트)할 수 있다.
예를 들면, (Ca,Eu)8MgSi4O16Cl2의 조성에서, Eu의 비율을 Ca의 10㏖％까지 늘리는 것에 의해 피크 파장을 525㎚까지 장파장측으로 조정(시프트)할 수 있다. 한편, Eu의 비율을 Ca에 대해 내림으로써 피크 파장을 단파장측으로 시프트할 수 있다. 예를 들면, Eu의 비율을 Ca의 1㏖％까지 내림으로써 피크 파장을 500㎚ 정도까지 단파장화할 수 있다.
또한, (Ca,Eu,Mn)8MgSi4O16Cl2의 조성에서는, Mn의 비율을 Ca의 5㏖％로 늘림으로써, Eu만의 발광 피크를 Mn 발광의 545㎚ 부근의 발광으로 변화시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 바와 같이 녹색 형광체(3B)의 피크 파장과 제2 피크 파장은 일치하지 않는 경우가 있고, 녹색 형광체(3B)의 피크 파장이 510㎚∼550㎚의 사이에 없어도, 제2 피크 파장을 510㎚∼550㎚의 사이로 하는 것이 가능하다.
또한, 상술한 바와 같이, 발광 소자(2)의 피크 파장과 녹색 형광체(3B)의 피크 파장과의 차를 80㎚ 이상으로 함으로써, 발광 스펙트럼의 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값을 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 및 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 보다 크게 할 수 있다. 상기한 녹색 형광체(3B)의 피크 파장의 조정 방법은, 이 조건을 달성하기 위해 이용하여도 된다.
다음으로 녹색 형광체(3B)로서 이용할 수 있는 다른 녹색 형광체로서, 하기의 일반식 (Ⅲ)으로 나타낼 수 있는 형광체에 대해서 설명한다.
(일반식 Ⅲ)
Figure pct00010
일반식 (Ⅲ)에서, M5는 Ca, Sr, Ba, Zn, 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, X는 F, Cl, Br, 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다. 또한 x, y, w, a, b, 및 c는, 6.5≤x<8.0, 0.01≤y≤2.0, 3.7≤z≤4.3, 0<w≤0.5, a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c, 1.0≤b≤1.9, 0≤c≤3.0이다.
보다 우수한 휘도를 얻을 수 있으므로, 상기 일반식 (Ⅲ)으로 나타내어지는 녹색 형광체는, w=0 및 c=0인 것이 바람직하다. 이 경우, 식 (Ⅲ)은, M5 xEuyMgSizOaXb로 기재할 수 있다.
3. YAG계 형광체
본 발명에 따른 발광 장치(100)는, 적색 형광체(3A)와 녹색 형광체(3B) 외에, 또한, 황녹으로부터 황색으로 발광하는 YAG계 형광체(YAG계 발광 형광체)(3C)를 갖는다.
YAG계 형광체(3C)를 이용하는 것에 의해 황색이나 등색의 발광을 보충하는 것이 가능하게 되고 연색성을 크게 개선할 수 있어, 광속을 크게 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼의 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값이, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 및 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 보다 커지는 것을 보다 용이하게 달성하도록, YAG계 형광체(3C)의 발광 피크와 녹색 형광체(3B)의 피크 파장과의 차를 많게 하는 것을 목적으로, 필요에 따라서 YAG계 형광체(3C)의 피크 파장을 조정하여도 된다.
YAG계 형광체(3C)의 피크 파장은, Y를 Gd로 치환하는 것에 의해 장파장측으로, Al을 Ga로 치환하는 것에 의해 단파장측으로, 조정(시프트)할 수 있다. 또한, Ce의 양을 증가하면 피크 파장은 장파장측으로, Ce의 양을 감소시키면 피크 파장은 단파장측으로, 미세 조정할 수 있다.
YAG계 형광체의 피크 파장은, 녹색 형광체(3B)의 피크 파장과 비교적 가까우므로, 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼에서는, YAG계 형광체(3C)의 발광 피크에 대응하는 발광 피크는, 주로 녹색 형광체(3B)의 파장 피크에 기인하는 제2 피크 파장에서의 피크에 가려, 인식되지 않는 경우가 많다.
황녹으로부터 황색으로 발광하는 YAG계 형광체(3C)는, 특별히 한정되지 않으며, 공지되어 있는 YAG계 형광체(YAG계 발광 형광체)를 이용할 수 있다. 바람직한 YAG계 형광체(3C)로서, 하기 일반식 (Ⅳ)로 나타내어지는 발광체를 예시한다.
(일반식 Ⅳ)
Figure pct00011
식 (Ⅳ)에서, M6은 희토류 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M7은 B, Al, Ga 및 In으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
4. 발광 장치의 구성
이하에 발광 장치(100)의 일 실시 형태에 대해서 도 1을 이용하여 상세하게 설명한다. 도 1에 도시한 발광 장치(100)는, 표면 실장형 발광 장치이지만, 이에 한정되는 것이 아니라, 포탄형 발광 다이오드 등의 종래부터 이용되고 있는 발광 장치의 형태에 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.
발광 장치(100)는, 상방에 개구하는 오목부를 갖는 발광 소자 탑재 케이스(케이스)(1)를 갖고 있다. 케이스(1)의 오목부의 저면에는, 다이 본드제에 의해 발광 소자(청색 LED)(2)가 고정되고, 형광체(3A, 3B)를 분산한 투광성 수지(4)가 발광 소자(2) 위를 덮고 있다. 발광 소자(2)의 상부 전극은, 제1 와이어(도전성 와이어)(5)에 의해 제1 외부 전극(6)과 접속되고, 발광 소자(2)의 하부 전극은, 제2 와이어(도전성 와이어)(7)에 의해 제2 외부 전극(8)과 접속되어 있다. 또한, 케이스(1)의 오목부의 내면에는, 광 반사재(9)가 피복되어 있다.
이하, 발광 장치(100)의 각 구성 요소에 대해서 설명한다.
(발광 소자)
발광 소자(2)는 예를 들면 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어지는 발광층을 갖고, 본 발명에서 이용되는 백색 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼에서의 제1 피크 파장을 형성하는 광을 발광하는 것이며, 또한, 적색 형광체(3A), 녹색 형광체(3B) 및 YAG계 형광체(3C)의 여기 광원으로 되는 것이다.
질화물계 화합물 반도체(일반식 IniGajAlkN, 단, 0≤i, 0≤j, 0≤k, i+j+k=1)로서는, InGaN이나 각종 불순물이 도프된 GaN을 비롯하여, 여러 가지의 것이 있다. 발광 소자(2)는, MOCVD법 등에 의해 기판 상에 InGaN이나 GaN 등의 반도체를 발광층으로 하여 성장시키는 것에 의해 형성할 수 있다. 반도체의 구조로서는, MIS 접합, PI 접합이나 PN 접합 등을 갖는 호모 구조, 헤테로 구조 혹은 더블 헤테로 구조의 것을 들 수 있다. 질화물 반도체층의 재료나 그 혼정도에 따라서 발광 파장을 여러 가지 선택하는 것에 의해, 발광 소자(2)의 피크 파장을 440㎚ 이상, 470㎚ 이하로 할 수 있다. 또한, 발광 소자(2)는, 반도체 활성층을 양자 효과가 생기는 박막으로 형성한 단일 양자 웰 구조나 다량자 웰 구조로 할 수도 있다.
(발광 소자 탑재 케이스)
발광 소자 탑재 케이스(1)는, 발광 소자(2)로부터의 광을 외부로 누설시키지 않게 하기 위해 차광율이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한 외부 전극(6 및 8) 등과 접촉하므로 절연성을 갖는 재료로 이루어질 필요가 있다.
구체적 재료로서는, 예를 들면 글래스 에폭시 적층판, BT 레진 적층판, 세라믹스, 액정 폴리머, 폴리이미드가 있다. 케이스(1)는, 예를 들면 금형 내에 외부 전극(6 및 8)으로 되는 금속편을 배치한 후, 상기 재료를 주입하여 인서트 형성하고, 냉각 후, 금형으로부터 취출하는 것에 의해 형성할 수 있다.
(외부 전극)
외부 전극(6 및 8)은, 제1 와이어(5) 및 제2 와이어(7)를 통하여 발광 소자(2)를 케이스(1)의 외부와 전기적으로 접속시키기 위한 전극이며, 전기 전도성이 우수한 것이 바람직하다. 예를 들면 니켈 등의 메탈라이즈 혹은 인 청동, 철, 구리 등의 전기 양도체를 외부 전극(6 및 8)에 이용할 수 있다.
(광 반사재)
광 반사재(9)로서, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리프로필렌 수지 등의 수지 중에 반사재로서 티탄산 바륨, 산화 알루미늄, 산화 티탄, 산화 규소, 인산 칼슘 등을 함유시켜 형성시킨 필름 형상 부재를 이용하는 것이 가능하다. 광 반사재(9)는 예를 들면 실리콘 수지나 에폭시 수지 등에 의해 케이스(1)의 측벽에 고정할 수 있다.
또한, Al, Ag, Cu 등의 금속막을 케이스(1)의 측벽의 내면 또는 외면, 또는 양면에 도금, 스퍼터링에 의해 형성하여 광 반사재(9)로서 이용하여도 된다.
(다이 본드제)
다이 본드제는, 발광 소자(2)를 케이스(1)의 오목부 내에 고정시키는 것이다. 다이 본드제는, 발광 소자(2)로부터 방출되는 열에 의해 특성이 손상되지 않도록 내열성을 가질 필요가 있다. 다이 본드제로서, 예를 들면 에폭시 수지, Ag 페이스트, 공정(共晶) 재료를 이용할 수 있다.
(도전성 와이어)
제1 와이어(5) 및 제2 와이어(7)는, 도전성 와이어로 이루어진다. 제1 와이어(5) 및 제2 와이어(7)는, 발광 소자(2)의 전극과의 오믹성, 기계적 접속성, 전기 전도성 및 열 전도성이 양호한 것이 요구된다. 제1 와이어(5) 및 제2 와이어(7)로서 이용하는 도전성 와이어의 재료로서, 예를 들면 금, 구리, 백금, 알루미늄 등의 금속 및 그들 합금을 이용할 수 있다.
(투광성 수지)
케이스(1)의 오목부 내에 충전하는 투광성 수지(4)는, 그의 적색 형광체(3A), 녹색 형광체(3B) 및 YAG계 형광체(3C)를 분산시킴과 함께, 발광 소자(2), 도전성 와이어(제1 와이어 및 제2 와이어)(5 및 7)를 밀봉하여 외부 응력으로부터 보호하는 기능이 있다. 투광성 수지(밀봉 수지)(4)로서, 각종 수지를 이용하는 것이 가능하며, 예를 들면 에폭시 수지, 우레아 수지, 실리콘 등의 내후성이 우수한 투명 수지가 바람직하게 이용된다. 또한, 투광성 수지(4)에 확산제를 함유시키는 것에 의해 발광 소자(2)로부터의 지향성을 완화하고, 시야각을 늘릴 수 있다. 확산제로서는, 예를 들면 티탄산 바륨, 산화 티탄, 산화 알루미늄, 산화 규소 등이 바람직하게 이용된다. 또한, 발광 소자(2)의 발광색에 따라서, 투광성 수지에 여러 가지의 형광체를 함유시켜, 임의의 발광색의 발광 장치로 할 수 있다.
<실시예>
이하에 본 발명의 실시예를 나타낸다. 이들 실시예는, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위한 것이며, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것을 목적으로 하는 것은 아니다.
(실시예 1)
플러스 및 마이너스의 한 쌍의 외부 전극(6 및 8)이 인서트되어 닫혀진 금형 내에, 용융한 폴리프탈아미드 수지를 유입시키고, 경화시켜, 케이스(1)를 형성한다. 케이스(1)는, 발광 소자(2)를 수납 가능한 개구부(오목부)를 갖고 있다. 금형을 냉각함으로써 케이스(1)와 외부 전극(6 및 8)을 일체적으로 성형한다.
이와 같이 형성한 케이스(1)의 오목부의 저면에, 피크 파장(주파장 피크)이 455㎚인 발광 소자(LED칩)(2)를 에폭시 수지로 다이 본드한 후, 외부 전극(6 및 8)과 발광 소자(2)를 도전성 와이어(5 및 7)에 의해 전기적으로 접속한다.
다음으로, 실리콘 수지 조성물 3g에, 520㎚ 부근에 피크 파장을 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6, Eu0.4)MgSi4O16Cl2) 약 0.3g와, 540㎚ 부근에 발광 피크를 갖고 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95(Al0.8, Ga0.2)5O12:Ce0.05) 0.1g와, 660㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97, Eu0.03)AlSiBN3) 약 0.11g를 첨가하여 혼합한다. 얻어진 투광성 수지(4)를 케이스(1)의 개구부 내에, 개구부의 양단부 상면과 동일 평면 라인까지 충전한다. 마지막으로, 70℃에서 3시간, 150℃에서 1시간 더 열 처리를 실시한다.
도 2는 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 650㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은 0.32이며, 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값 0.64보다도 낮은 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값 0.62에 대해 52％이다. 연색성을 나타내는 평균 연색 평가수 Ra는 79이며 높은 연색성을 나타낸다.
얻어진 발광 장치(100)를 14 인치 액정의 백라이트 광원으로서 이용하면, 색재현성을 나타내는 NTSC비가 72％ 이상으로 되고, 백색에서의 휘도가 상승된다.
즉, 본 실시예 1에 따른 발광 장치(100)는, 본원의 목적인 우수한 연색성을 갖는 것 외에, 더욱 색재현성에도 우수하는 것을 나타내고 있다.
(실시예 2)
실리콘 수지 조성물 3g에 520㎚ 부근에 피크 파장을 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6, Eu0.4)MgSi4O16Cl2) 약 0.3g와, 540㎚ 부근에 피크 파장을 갖고, 발광 스펙트럼이 녹색 형광체와 비교하여 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95(Al0.8, Ga0.2)5O12:Ce0.05)를 0.15g, 660㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97, Eu0.03)AlSiBN3) 약 0.11g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 3은, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 650㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 61％이다. 그리고 Ra가 84라고 하는 높은 연색성을 나타낸다.
이 발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비 72％ 이상이며, 백색에서의 휘도가 더 상승된다.
(실시예 3)
실리콘 수지 조성물 3g에 대해, 520㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6, Eu0.4)MgSi4O16Cl2) 약 0.3g와, 540㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95(Al0.8, Ga0.2)5O12:Ce0.05) 0.25g와, 660㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97, Eu0.03)AlSiBN3) 약 0.13g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 4는, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 640㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 75％이다. Ra은 89라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비 70％이었다. 백색에서의 휘도가 상승된다.
(실시예 4)
실리콘 수지 조성물 3g에, 515㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7, Eu0.3)MgSi4O16Cl2) 약 0.28g와, 540㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95(Al0.8, Ga0.2)5O12:Ce0.05) 0.16g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99, Eu0.01)AlSiN3) 약 0.2g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 5는, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 640㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 73％이다. Ra는 80이라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 72％이며, 백색에서의 휘도가 더 상승된다.
(실시예 5)
실리콘 수지 조성물 3g에, 520㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6, Eu0.4)MgSi4O16Cl2) 약 0.1g와, 540㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 스펙트럼의 YAG계 형광체(Y2.95(Al0.8, Ga0.2)5O12:Ce0.05) 0.3g와, 660㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97, Eu0.03)AlSiBN3) 약 0.11g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 6은, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 530㎚ 부근, 제3 피크 파장은 640㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 96％이다. Ra는 93이라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비 64％이었다.
(실시예 6)
실리콘 수지 조성물 3g에, 515㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7, Eu0.3)MgSi4O16Cl2) 약 0.22g와, 560㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 브로드한 스펙트럼의 YAG계 형광체(Y2.95Al5O12:Ce0.05) 0.2g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99, Eu0.01)AlSiBN3) 약 0.1g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
본 실시예에서, 발광 소자(청색 LED)(2)의 피크 파장과 녹색 형광체(2B)의 피크 파장과의 차는, 55㎚이다.
도 7은, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 530㎚ 부근, 제3 피크 파장은 630㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 97％이다. Ra가 90이라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 68％이며, 백색에서의 휘도는 실시예 1보다도 상승한다.
(실시예 7)
실리콘 수지 조성물 3g에, 515㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7, Eu0.3)MgSi4O16Cl2) 약 0.18g와, 560㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 스펙트럼의 YAG계 형광체(Y2.95Al5O12:Ce0.05) 0.08g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu(Ca0.99, Eu0.01)AlSiBN3) 약 0.26g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 8은, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
발광 소자(2)에 의한 발광 피크와 형광체(3A, 3B, 3C)에 의한 브로드한 발광 피크를 하나 갖고, 명확한 제3 피크는 인식되지 않는다.
Ra는 92라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
이 발광 장치를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 62％이며, 백색에서의 휘도는 실시예 1보다도 저하한다.
(실시예 8)
실리콘 수지 조성물 3g에, 515㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7, Eu0.3)MgSi4O16Cl2) 약 0.28g와, 560㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95Al5O12:Ce0.05) 0.14g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu(Ca0.99, Eu0.01)AlSiBN3) 약 0.14g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 9는, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 630㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 82％이다.
Ra는 88이라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
이 발광 장치를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 70％이며, 백색에서의 휘도는 실시예 1보다도 상승한다.
(실시예 9)
실리콘 수지 조성물 3g에, 515㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7, Eu0.3)MgSi4O16Cl2) 약 0.28g와, 570㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체((Y0.8, Gd0.2)2.85Al5O12:Ce0.15) 0.14g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99, Eu0.01)AlSiBN3) 약 0.2g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 10은, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 630㎚ 부근에 있다.
이와 같이 하여 얻어진 발광 장치는, 제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 약 83％이다.
Ra는 89라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
이 발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 67％이며, 백색에서의 휘도는 실시예 1보다도 상승한다.
(실시예 10)
실리콘 수지 조성물 3g에, 525㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.5, Eu0.5)MgSi4O16Cl2) 약 0.16g와, 560㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95Al5O12:Ce0.05) 0.12g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99, Eu0.01)AlSiBN3) 약 0.2g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 11은, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
발광 소자(2)에 의한 발광 피크와 형광체(3A, 3B, 3C)에 의한 브로드한 발광 피크를 하나 갖고, 명확한 제3 피크는 인식되지 않는다.
Ra는 88이라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 66％이며, 백색에서의 휘도는 실시예 1보다도 저하한다.
(실시예 11)
실리콘 수지 조성물 3g에, 515㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 할로실리케이트 Ca7.85Eu0.3MgSi4.3O15.91Cl1.84 약 0.22g와, 560㎚ 부근에 발광 피크를 갖고, 발광 스펙트럼이 브로드한 YAG계 형광체(Y2.95Al5O12:Ce0.05) 0.2g와, 650㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 질화물 형광체 CaAlSiBN3:Eu(Ca0.99, Eu0.01)AlSiBN3) 약 0.1g를 첨가하고, 혼합하는 이외는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 발광 장치(100)를 제작한다.
도 12는, 얻어진 발광 장치(100)의 발광 스펙트럼이다.
제1 피크 파장은 450㎚ 부근, 제2 피크 파장은 520㎚ 부근, 제3 피크 파장은 630㎚ 부근에 있다.
제2 피크 파장과 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값은, 제2 피크 파장의 상대 발광 강도값보다도 낮은 제3 피크 파장의 상대 발광 강도값에 대해 97％이다.
Ra이 89라고 하는 매우 높은 연색성을 나타낸다.
발광 장치(100)를 실시예 1과 마찬가지로 백라이트 광원으로서 이용하면, NTSC비는 68％이며, 백색에서의 휘도는 실시예 1보다도 상승한다.
본 발명은, 조명 장치뿐만 아니라, 높은 연색성이 필요한 모니터, 디지털 카메라, 프린터 등의 표시 장치의 백라이트로서 이용할 수 있다.
1 : 케이스
2 : 발광 소자
3A : 적색 형광체
3B : 녹색 형광체
3C : YAG계 형광체
4 : 투광성 수지
5, 7 : 도전성 와이어
6, 8 : 외부 전극
9 : 광 반사재
100 : 발광 장치

Claims (7)

  1. 발광 소자와,
    질화물 형광체로 이루어지고, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 적색 형광체와,
    할로실리케이트로 이루어지고, 상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 녹색 형광체와,
    상기 발광 소자의 광에 의해 여기되어 발광하는 YAG계 형광체
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    발광 스펙트럼이 440㎚ 이상 470㎚ 이하인 제1 피크 파장과, 510㎚ 이상 550㎚ 이하인 제2 피크 파장과, 630㎚ 이상 670㎚ 이하인 제3 피크 파장을 갖고, 상기 제2 피크 파장과 상기 제3 피크 파장 사이의 최저 상대 발광 강도값이, 상기 제2 피크 파장에서의 상대 발광 강도값과 상기 제3 피크 파장에서의 상대 발광 강도값 중 어느 쪽인가 낮은 쪽의 값의 80％ 보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 적색 형광체가, Eu에 의해 부활되고, 하기 일반식 (I)
    Figure pct00012
    (I)
    (여기서, M1은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, 0.056≤w≤9, x=1, 0.056≤y≤18, 0≤z≤0.5)
    로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 녹색 형광체가 하기 일반식 (Ⅱ)
    Figure pct00013
    (Ⅱ)
    (여기서, M2는 Ca, Sr, Ba, Zn 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M3은 Si, Ge 및 Sn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M4는 B, Al, Ga 및 In으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, X는 F, Cl, Br 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, R은 Eu를 필수로 하는 희토류 원소로부터 선택되는 적어도 1종이며, 0.0001≤y≤0.3, 7.0≤a<10.0, 3.0≤b<5.0, 0≤c<1.0)
    로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 녹색 형광체가 하기 일반식 (Ⅲ)
    Figure pct00014
    (Ⅲ)
    (여기서 M5는 Ca, Sr, Ba, Zn 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, X는 F, Cl, Br 및 I로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, 6.5≤x<8.0, 0.01≤y≤2.0, 3.7≤z≤4.3, 0<w≤0.5, a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c, 1.0≤b≤1.9, 0≤c≤3.0)
    로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자의 피크 파장과 상기 녹색 형광체의 피크 파장과의 차가 80㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 YAG계 형광체가 하기 일반식 (Ⅳ)
    Figure pct00015
    (Ⅳ)
    (여기서, M6은 희토류 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종, M7은 B, Al, Ga 및 In으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종)
    로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
KR1020107006845A 2007-08-30 2008-08-29 발광 장치 KR101152066B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-224034 2007-08-30
JP2007224034 2007-08-30
PCT/JP2008/065521 WO2009028657A1 (ja) 2007-08-30 2008-08-29 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100049673A true KR20100049673A (ko) 2010-05-12
KR101152066B1 KR101152066B1 (ko) 2012-06-11

Family

ID=40387367

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107006845A KR101152066B1 (ko) 2007-08-30 2008-08-29 발광 장치
KR1020107006816A KR101173741B1 (ko) 2007-08-30 2008-08-29 발광 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107006816A KR101173741B1 (ko) 2007-08-30 2008-08-29 발광 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8648523B2 (ko)
JP (2) JPWO2009028656A1 (ko)
KR (2) KR101152066B1 (ko)
CN (2) CN101785120B (ko)
RU (2) RU2423757C1 (ko)
TW (2) TWI416756B (ko)
WO (2) WO2009028657A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190117640A (ko) * 2017-03-28 2019-10-16 가부시키가이샤 아사히 러버 조명 장치의 제조 방법

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
RU2423757C1 (ru) 2007-08-30 2011-07-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство
JP5310087B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
US8592829B2 (en) 2009-08-17 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
US8796715B2 (en) 2009-08-17 2014-08-05 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
JP5824676B2 (ja) * 2009-09-29 2015-11-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄ照明光源及び照明装置
KR101098006B1 (ko) * 2009-09-29 2011-12-23 한국화학연구원 (할로)실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
US8963178B2 (en) * 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
JP5498145B2 (ja) * 2009-12-11 2014-05-21 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 潤滑油劣化モニター装置
KR20110076447A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
US9142715B2 (en) 2010-06-24 2015-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
EP2599133A2 (en) * 2010-07-28 2013-06-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having distributed bragg reflector
JP5864851B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
WO2012118310A2 (ko) * 2011-02-28 2012-09-07 성균관대학교산학협력단 형광체, 및 이의 제조 방법
JP2013004692A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
US8704440B2 (en) * 2011-07-06 2014-04-22 Osram Sylvania Inc. LED lighting device having a phosphor composition
TWI464241B (zh) 2011-08-02 2014-12-11 Everlight Electronics Co Ltd 螢光粉組成及使用該螢光粉組成的白色發光裝置
CN105932141A (zh) * 2011-08-02 2016-09-07 亿光电子(中国)有限公司 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
DE102011113802A1 (de) 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
WO2013118330A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
RU2518181C2 (ru) * 2012-03-20 2014-06-10 Амтай Медикал Эквипмент, Инк. Источник света на светодиодах для медицинских светильников
WO2014014079A1 (ja) * 2012-07-20 2014-01-23 三菱化学株式会社 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
KR101476000B1 (ko) * 2012-08-03 2014-12-24 에스앤비인더스트리 주식회사 원예용 ｌｅｄ조명장치의 ｌｅｄ칩 제조방법
WO2014054290A1 (ja) * 2012-10-04 2014-04-10 株式会社 東芝 白色発光装置、照明装置、および歯科用照明装置
US8890196B2 (en) * 2013-03-14 2014-11-18 Goldeneye, Inc. Lightweight self-cooling light sources
JP6853614B2 (ja) * 2013-03-29 2021-03-31 株式会社朝日ラバー Ｌｅｄ照明装置、その製造方法及びｌｅｄ照明方法
JP6356018B2 (ja) * 2014-09-03 2018-07-11 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6356005B2 (ja) * 2013-12-27 2018-07-11 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の設計方法
CN105849920B (zh) 2013-12-27 2020-11-06 西铁城电子株式会社 发光装置和发光装置的设计方法
US9328878B2 (en) 2014-07-02 2016-05-03 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
CN106796976B (zh) 2014-10-08 2019-04-19 首尔半导体株式会社 发光装置
EP3343279A3 (en) * 2015-01-13 2018-07-25 Samsung Display Co., Ltd Display device
JPWO2016159141A1 (ja) * 2015-04-03 2018-01-18 シャープ株式会社 発光装置
US9974138B2 (en) 2015-04-21 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Multi-channel lamp system and method with mixed spectrum
CN110959201B (zh) * 2017-06-28 2023-05-09 京瓷株式会社 发光装置和照明装置
JP6940764B2 (ja) * 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6741056B2 (ja) * 2017-10-31 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 希土類アルミン酸塩蛍光体の製造方法
US11251338B2 (en) * 2018-04-20 2022-02-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Deep ultraviolet light-emitting element
EP3576168B1 (en) * 2018-05-31 2023-05-31 Nichia Corporation Light emitting device
JP2021133557A (ja) 2020-02-26 2021-09-13 セイコーエプソン株式会社 記録装置
WO2023074525A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び光源装置
WO2023107239A1 (en) * 2021-12-09 2023-06-15 Lumileds Llc Oxonitridoberyllosilicate phosphors

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100319624B1 (ko) * 1999-05-20 2002-01-09 김영환 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
US6504179B1 (en) * 2000-05-29 2003-01-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh Led-based white-emitting illumination unit
KR100412128B1 (ko) 2001-04-19 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조방법
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US6763269B2 (en) * 2001-11-02 2004-07-13 Pacesetter, Inc. Frequency agile telemetry system for implantable medical device
AU2003221442A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-08 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
KR20050118210A (ko) * 2003-03-28 2005-12-15 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 입자 또는 물질의 표면 상에 코팅을 형성시키는 방법 및이에 의한 생성물
JP4274843B2 (ja) * 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
CN100341163C (zh) 2004-03-29 2007-10-03 宏齐科技股份有限公司 白光发光二极管单元
KR100887489B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US7404652B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission
EP1837386B1 (en) * 2004-12-28 2016-11-23 Nichia Corporation Nitride phosphor, method for producing same and light-emitting device using nitride phosphor
JP2006219636A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及びその製造方法、発光装置
JP5066786B2 (ja) 2005-04-27 2012-11-07 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2006332134A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Ijin Jo 白色発光ダイオード
US20060279196A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-14 Wei-Jen Hsu White LED
JP4898332B2 (ja) 2005-09-15 2012-03-14 セイコーインスツル株式会社 表示装置
JP2007088248A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujikura Ltd 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
JP2007145958A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及び発光装置
JP2007157831A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Sharp Corp 発光装置
JP2007165728A (ja) 2005-12-15 2007-06-28 Toshiba Discrete Technology Kk 発光装置及び可視光通信用照明装置
JP2007180377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置
JP2007231250A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4931628B2 (ja) 2006-03-09 2012-05-16 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
JP4802923B2 (ja) * 2006-08-03 2011-10-26 日本電気硝子株式会社 波長変換部材
WO2008018548A1 (en) 2006-08-11 2008-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating apparatus
US20080147032A1 (en) * 2006-10-02 2008-06-19 Weyerhaeuser Co. Methods for the preparation crosslinked carboxyalkyl cellulose fibers having non-permanent and temporary crosslinks
TWI359857B (en) * 2006-12-25 2012-03-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
RU2423757C1 (ru) * 2007-08-30 2011-07-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190117640A (ko) * 2017-03-28 2019-10-16 가부시키가이샤 아사히 러버 조명 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
RU2423756C1 (ru) 2011-07-10
RU2423757C1 (ru) 2011-07-10
CN101785120A (zh) 2010-07-21
WO2009028656A1 (ja) 2009-03-05
US8384092B2 (en) 2013-02-26
US8648523B2 (en) 2014-02-11
CN101785120B (zh) 2012-02-29
JPWO2009028656A1 (ja) 2010-12-02
TWI416756B (zh) 2013-11-21
US20100224895A1 (en) 2010-09-09
KR101173741B1 (ko) 2012-08-13
WO2009028657A1 (ja) 2009-03-05
KR101152066B1 (ko) 2012-06-11
CN101785121B (zh) 2013-04-03
JPWO2009028657A1 (ja) 2010-12-02
TW200921951A (en) 2009-05-16
CN101785121A (zh) 2010-07-21
TW200933930A (en) 2009-08-01
KR20100047342A (ko) 2010-05-07
US20100225226A1 (en) 2010-09-09
TWI492413B (zh) 2015-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101152066B1 (ko) 발광 장치
EP1830418B1 (en) Light emitting device
EP1630877B1 (en) LED with fluorescent material
JP5692445B2 (ja) 発光装置と表示装置
JP5644112B2 (ja) 発光装置
JPH10247750A (ja) Ｌｅｄランプ
JP2006306981A (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
WO2006117984A1 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
KR20110056186A (ko) 백색 발광 다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150416

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160419

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170420

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180427

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 8