TWI414767B - 具有灰濾色鏡之波前感測器及包含該感測器之微影裝置 - Google Patents

具有灰濾色鏡之波前感測器及包含該感測器之微影裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI414767B
TWI414767B TW096120816A TW96120816A TWI414767B TW I414767 B TWI414767 B TW I414767B TW 096120816 A TW096120816 A TW 096120816A TW 96120816 A TW96120816 A TW 96120816A TW I414767 B TWI414767 B TW I414767B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation
camera
carrier plate
filter
distribution
Prior art date
Application number
TW096120816A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200806966A (en
Inventor
Der Sijs Arie Johan Van
Haico Victor Kok
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200806966A publication Critical patent/TW200806966A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI414767B publication Critical patent/TWI414767B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

具有灰濾光鏡之波前感測器及包含該感測器之微影裝置
本發明係關於用於量測輻射光束之相位分佈及/或投影系統之光瞳分佈的輻射分佈量測系統。
微影裝置為將所要圖案施加於基板上(通常施加於基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，一圖案化設備(或者，其被稱為光罩或主光罩)可用於產生一待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至被提供於基板上之輻射敏感材料(光阻)層上。一般而言，單一基板將含有被順次圖案化之相鄰目標部分的網路。已知之微影裝置包括：步進機，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及掃描器，其中藉由經由輻射光束在一給定方向("掃描"方向)上掃描圖案、同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化設備轉印至基板。
用於低k1 微影之高級光學系統需要各種成像參數之精確特徵化以確保可維持光學鄰近校正策略(OPC)。在此等參數之中，透鏡像差及照明分佈為待考慮之光學柱(optical column)特徵。可將一相位量測干涉計整合至微影投影工 具中以量測及控制工具效能參數。此量測系統之主要功能性係以高的精確度及速度來量測及分析跨越全像場之波前像差。除了根據任尼克多項式(Zernike polynomial)之波前像差之獲取以外，高解析度波前之詳細量測係可能的。
為了量測一微影裝置之投影系統之像差，可將一相位量測干涉計置放於該微影裝置之基板臺上或附近。此整合之相位量測干涉計可基於使用攝像機前部之繞射格柵的橫向剪切干涉量測法。
除了投影系統特性以外，為系統操作考慮照明光瞳分佈之詳細形狀及投影系統之傳輸(切趾法)。可藉由一非常接近地類似上文所提及之相位量測干涉計的感測器來量測光瞳分佈及切趾法。然而，在此情況下，不存在繞射格柵且其由在感測器上或在主光罩上之小孔徑(針孔)代替。當然，在彼情況下，感測器並非干涉計。下文中，術語"輻射分佈量測系統"用作包含相位量測干涉計及光瞳分佈感測器兩者。可藉由將繞射格柵置放於感測器之一部分上且將針孔置放於感測器之另一部分上來將繞射格柵及針孔整合在同一感測器中。
當前相位量測干涉計經組態以量測一光強度分佈。此光強度分佈由雷射光產生，該雷射光由一格柵結構繞射且隨後借助於感測器前部之轉換層而被轉換成光譜之可見部分。該轉換層並非總是必要的，如在(例如)使用深紫外線(DUV)敏感攝像機時。由一針孔代替格柵，以便量測一光瞳分佈。自此等強度量測，(由干涉計)擷取關於投影系統 之像差的資訊且(由光瞳分佈感測器)擷取關於照明光瞳之形狀及強度的資訊。可使用CMOS攝像機或CCD攝像機或包含複數個攝像機像素之任何其他攝像機來量測光強度分佈。
攝像機上之光分佈通常具有在光瞳之影像之中心附近的最大強度及朝向光瞳之影像之邊緣的遞減強度。關於此情況之原因在於：在光瞳之邊緣處，光係在較大角度下入射於攝像機上，與在光瞳之中心處相比，此在更多像素上擴展光。
此非均一強度分佈結合典型攝像機之有限動態範圍給出了朝向投影系統的光瞳之邊緣之信雜比(S/N)的非吾人所樂見之降級。
需要在維持令人滿意之S/N比的同時改良一用於量測投影系統之像差及/或透鏡之光瞳分佈的輻射分佈量測系統之動態範圍。
根據本發明之一實施例，提供一種輻射分佈量測系統，其經組態以量測輻射光束之相位分佈及/或投影系統之光瞳分佈。該量測系統包含：一透明載體板；組態於該透明載體板之第一側處之一格柵及一針孔中的至少一者；一組態於與透明載體板之第一側相反之第二側處的攝像機，其中該量測系統亦包含一組態於透明載體板與該攝像機之間的輻射濾光鏡，該輻射濾光鏡具有一在濾光鏡之中心處最低且朝向濾光鏡之外部逐漸並同心地增加的透射率。
根據本發明之另一實施例，提供一種微影裝置，其包含：一經組態以調節輻射光束之照明系統；一經組態以支撐圖案化設備之支撐物，該圖案化設備經組態以將一圖案賦予輻射光束之橫截面中以形成一圖案化輻射光束；一經組態以固持一基板之基板台；及一經組態以將該圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上的投影系統，其中該裝置包含如上文所描述之輻射分佈量測系統。
根據本發明之另一實施例，提供一種量測輻射光束之相位分佈及/或投影系統之光瞳分佈的方法，該方法包含：提供一透明載體板；將一格柵及/或一針孔組態於該透明載體板之第一側處；將一攝像機組態於與透明載體板之第一側相反之第二側處；將一輻射濾光鏡組態於透明載體板與該攝像機之間，該輻射濾光鏡具有一在濾光鏡之中心處最低且朝向濾光鏡之外部逐漸並同心地增加的透射率。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)。一支撐物(例如，光罩台)MT經組態以支撐一圖案化設備(例如，光罩)MA且連接至一第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據特定參數來精確地定位該圖案化設備。一基板台(例如，晶圓臺)WT經組態以固持一基板(例如，塗覆光阻之晶圓)W且連接至一第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據特定參數來精確地定位該基板。一投影系統 (例如，折射投影透鏡系統)PS經組態以將由圖案化設備MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐物支撐(例如，承載)圖案化設備之重量。其以一視圖案化設備之方位、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化設備是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化設備。支撐物可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化設備。支撐物可為框架或台，例如，其可按需要為固定的或可移動的。支撐物可確保圖案化設備(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文之術語"主光罩"或"光罩"之任何使用與更通用之術語"圖案化設備"同義。
本文所使用之術語"圖案化設備"應被廣義地解釋為係指可用於將圖案賦予輻射光束之橫截面中(諸如)以在基板之目標部分中產生圖案的任何設備。應注意，被賦予輻射光束之圖案可能不精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案，例如，在圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵時即如此。通常，被賦予輻射光束之圖案將對應於設備中在目標部分中產生之特定功能層(諸如積體電路)。
圖案化設備可為透射性或反射性的。圖案化設備之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩 在微影中為吾人所熟知，且包括：光罩類型，諸如二元、交變相移型及衰減相移型；以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣排列，其中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣所反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣義地解釋為包含適於所使用之曝光輻射或適於諸如使用浸液或使用真空之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。本文中術語"投影透鏡"之任何使用應被認為與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描述，該裝置為透射類型(例如，使用透射性光罩)。或者，該裝置可為反射類型(例如，使用以上所指之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射性光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等"多平臺"機器中，可並行地使用額外之台，或在一或多個其他台正用於曝光時，可對一或多個台執行預備步驟。
微影裝置亦可為以下類型：其中基板之至少一部分可由一具有相對較高之折射率的液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸液施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間。在此項技術中浸漬技術被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語"浸漬"並不意謂一結構(諸如，基板)必須 浸沒於液體中，而是僅意謂在曝光期間液體位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自一輻射源SO接收輻射。舉例而言，當該源為準分子雷射器時，該源與微影裝置可為獨立實體。在此等情況下，不認為該源形成微影裝置之一部分，且輻射借助於一光束傳遞系統BD而自源SO傳至照明器IL，該光束傳遞系統BD包含(例如)適當的導向鏡及/或光束擴展器。在其他情況下，例如，當源為汞燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束傳遞系統BD(若需要)可稱為輻射系統。
照明器IL可包含一調整器AD以調整輻射光束之角強度分佈。通常，至少可調整照明器之光瞳平面中強度分佈之外部及/或內部徑向範圍(一般分別稱為σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。
輻射光束B入射至被固持於支撐物(例如，光罩台MT)上之圖案化設備(例如，光罩MA)上，且由圖案化設備來圖案化。在已橫穿光罩MA之後，輻射光束B穿過投影系統PS，其將光束聚焦至基板W之一目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測設備、線性編碼器或電容式感測器)，可使基板台WT精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中 加以明確地描述)以相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA(例如，在自一光罩庫以機械方式取得之後或在一掃描期間)。一般而言，光罩台MT之移動可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現。類似地，基板台WT之移動可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現。在步進機(與掃描器相對)的情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來將光罩MA與基板W對準。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但是其可位於目標部分之間的間隔(此等稱為劃道對準標記)中。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上的情形下，光罩對準標記可位於晶粒之間。
所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，使光罩台MT及基板台WT保持基本上固定，同時一次性將被賦予輻射光束之整個圖案投影至一目標部分C上(亦即，單一靜態曝光)。接著將基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光一不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制在單一靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，同步地掃描光罩台MT及基板台WT，同時將被賦予輻射光束之圖案投影至一目標部分C上(亦即，單一動態曝光)。基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向可由投影系統PS之放大(縮小)及影像反轉特徵來判定。在 掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單一動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，使光罩台MT保持基本上固定以固持一可程式化圖案化設備，且移動或掃描基板台WT，同時將被賦予輻射光束之圖案投影至一目標部分C上。在此模式中，通常使用一脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的連續輻射脈衝之間，按需要來更新可程式化圖案化設備。此操作模式可容易應用於利用可程式化圖案化設備(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)的無光罩微影。
亦可使用對以上所描述之使用模式或完全不同之使用模式的組合及/或變型。
根據一實施例，微影裝置包含一組態於基板台WT上或附近之波前感測器10。可在曝光基板之前的量測階段期間使用感測器10。移動基板台WT，使得將波前感測器10定位於投影系統PS下方。接著，將輻射投影至波前感測器10上。將來自感測器之信號朝向一處理器12傳輸。處理器12經組態以計算投影系統PS之像差。所計算之像差可用於限定或調整透鏡。
圖2示意性地展示波前感測器10之一實施例。波前感測器10包含一透明載體板20、一組態於透明載體板20之第一側處的格柵22，及一組態於透明載體板20之相反側處的攝像機24、26。載體板20可(例如)包含熔融矽石、藍寶石或 任何其他適當材料。格柵22可包含對所涉及之輻射不透明的複數個桿體。在一實施例中，載體板20對DUV(157-248 nm)透明。攝像機24、26包含一組態於一印刷電路板上之攝像機晶片24。攝像機晶片24包含對可見光敏感之複數個攝像機像素。攝像機晶片24可為(例如)CMOS晶片。波前感測器10進一步包含一組態於載體板20與攝像機24、26之間的轉換層28。轉換層28經組態以將DUV輻射34轉換成可見光。波前感測器10亦包含一組態於轉換層28與攝像機24、26之間的輻射濾光鏡30。在一實施例中，波前感測器10包含一彈簧32，該彈簧32經組態以按壓攝像機24、26及輻射濾光鏡30與轉換層28相抵。在一實施例中，(藉由膠合或另一方法)將轉換層28固定至載體板20。在另一實施例中，在載體板20與轉換層28之間存在一空氣層，因此，在此情況下，不將轉換層28直接固定至載體板20。
輻射濾光鏡30具有一在濾光鏡之中心處最低且朝向濾光鏡之外部逐漸並同心地增加的透射率。在沒有此輻射濾光鏡30的情況下，由一攝像機像素所量測之光強度可能隨離攝像機24、26之中心的距離而遞減。此係因為光在一角度下抵達感測器。結果，信雜比在攝像機24、26之中心區域與外部區域之間可能顯著不同。隨增加之NA，尤其NA>1(如在浸漬系統中)，入射角可能增加，且因此增加對信雜比差及感測器效能之影響。藉由置放具有其特定透射率之輻射濾光鏡30，補償了跨越波前感測器10之強度差(亦即，強度梯度)。使入射於攝像機晶片24上之光強度更均 一。此意謂在攝像機晶片24之中心區域處的攝像機像素及在外部區域處的攝像機像素將接收相同的強度或至少較相等的強度。此結果可用於偏壓攝像機24、26及轉換層28，以便在沒有削波危險的情況下，為所有像素獲得一最佳S/N比，且因此獲得波前感測器10之改良效能。
參見圖2，可將輻射濾光鏡30直接組態於攝像機晶片24之頂部上，恰好在轉換層28下方。輻射濾光鏡30亦可為DUV濾光鏡，在此情況下，可將其施加至恰好在石英載體板20下方。轉換層28可包含已知用以將DUV轉換成可見光之磷光體。輻射濾光鏡30可包含由玻璃、塑膠或其類似物製成之透明板，該透明板具有一金屬層，無機物或其氧化物被蒸鍍於該層上。
圖3展示輻射濾光鏡30及攝像機晶片24之俯視圖。參見圖2，經過格柵22之DUV輻射光束34將由轉換層28轉換成可見光，且將抵達輻射濾光鏡30。輻射濾光鏡30將在光抵達攝像機晶片24之前改變光強度之分佈。
圖4展示根據一實施例作為離輻射濾光鏡之中心之距離x的函數之輻射濾光鏡30之透射率分佈T r ，參見曲線40。自圖中可見，透射率在輻射濾光鏡之中心處最低且朝向輻射濾光鏡之外部區域增加。在圖5中，根據分佈為高斯形狀之另一實施例而展示一透射率分佈50。應瞭解，其他形狀為可能的，例如，非對稱曲線。可視入射於輻射濾光鏡30上之輻射的分佈而選擇透射率曲線之形狀。
圖6展示輻射濾光鏡30之透射率T r 之分佈的另一實施 例，參見曲線60，連同展示入射於輻射濾光鏡上之輻射的分佈I ，參見曲線62。抵達攝像機晶片24之所得強度分佈由曲線64描繪。自圖6中可見，曲線64並非直線。實務上，由於非常難以製造具有為抵達輻射濾光鏡30之光之強度分佈的精確反函數之理想分佈之輻射濾光鏡，所以曲線64將不會為直線。應注意，精確直線並不為改良感測器10之效能所需要。
圖7展示一光瞳分佈感測器10'之一實施例。光瞳分佈感測器10'包含與上文參看圖2所描述之波前感測器10幾乎相同的組件。但代替格柵22，光瞳分佈感測器10'包含一在沈積於載體板20之頂部上之非透明層72中的針孔70。由攝像機24偵測經過針孔70之輻射。藉由使用針孔來代替格柵，可判定微影裝置之光瞳分佈。
儘管可在此本文中進行對微影裝置在IC之製造中之使用的特定參考，但是應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。應瞭解，在此等替代性應用之情形中，本文之術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用可被認為分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。本文所涉及之基板可在曝光之前或之後在(例如)一軌道(通常將一光阻層施加至一基板且顯影經曝光之光阻的工具)、一度量工具及/或一檢查工具中進行處理。在可應用之處，本文之揭示內容可應用於此等及其他基板處理工具。另外，基板可被處理一次以 上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管已在上文對本發明之實施例在光學微影之情形中的使用進行特定參考，但應瞭解，本發明可用於其他應用，例如，壓印微影，且在情形允許之處，不限於光學微影。在壓印微影中，一圖案化設備中之構形界定被產生於一基板上之圖案。可將該圖案化設備之構形按壓至一被供應至該基板之光阻層中，在該基板上，藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來固化光阻。在光阻固化之後，將圖案化設備移出光阻，從而在光阻中留下一圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"包含所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，波長為或為約365、355、248、193、157或126 nm)及遠紫外(EUV)輻射(例如，波長在5-20 nm之範圍內)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
在情形允許之處，術語"透鏡"可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然已在上文描述了本發明之特定實施例，但應瞭解，本發明可以與所描述之方式不同的其他方式來實施。舉例而言，本發明可採取含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列之電腦程式、或一儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)的形式。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可對所描述之本發明做出修改而不脫離下文所陳述之申請專利範圍的範疇。
10‧‧‧波前感測器
10'‧‧‧光瞳分佈感測器
12‧‧‧處理器
20‧‧‧透明載體板
22‧‧‧格柵
24‧‧‧攝像機/攝像機晶片
26‧‧‧攝像機
28‧‧‧轉換層
30‧‧‧輻射濾光鏡
32‧‧‧彈簧
34‧‧‧DUV輻射
40‧‧‧曲線
50‧‧‧透射率分佈
60‧‧‧曲線
62‧‧‧曲線
64‧‧‧曲線
70‧‧‧針孔
72‧‧‧非透明層
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳遞系統
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧光罩
MT‧‧‧光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪波前感測器之一實施例；圖3描繪輻射濾光鏡及攝像機晶片之俯視圖；圖4描繪根據一實施例作為離輻射濾光鏡之中心之距離x的函數之輻射濾光鏡之透射率分佈；圖5描繪根據分佈為高斯形狀之另一實施例之透射率分佈；圖6描繪輻射濾光鏡之透射率之分佈連同入射於輻射濾光鏡的輻射之分佈的另一實施例；圖7描繪光瞳分佈感測器之一實施例。
10‧‧‧波前感測器
12‧‧‧處理器
20‧‧‧透明載體板
22‧‧‧格柵
24‧‧‧攝像機/攝像機晶片
26‧‧‧攝像機
28‧‧‧轉換層
30‧‧‧輻射濾光鏡
32‧‧‧彈簧
34‧‧‧DUV輻射
PS‧‧‧投影系統
WT‧‧‧基板台

Claims (6)

  1. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐物，其經組態以支撐一圖案化設備，該圖案化設備經組態以將一圖案賦予該輻射光束之橫截面中以形成一圖案化輻射光束；一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一輻射分佈量測系統，其經組態以量測該輻射光束之一相位分佈及/或該投影系統之一光瞳分佈，該量測系統包含：一透明載體板，置於該基板台上；一格柵或一針孔，其被組態於該透明載體板之一第一側處；一攝像機，其被組態於與該透明載體板之該第一側相對之一第二側處；及一輻射濾光鏡，其被組態於該透明載體板與該攝像機之間，其中該輻射濾光鏡具有一在該輻射濾光鏡之中心處最低且朝向該輻射濾光鏡之外部逐漸並同心地增加的透射率，及其中該載體板對於DUV輻射為透明的，該量測系統進一步包含：一位於該載體板與該輻射濾光鏡之間的轉換層，該 轉換層經組態以將DUV輻射轉換成可見光；及一彈簧，其按壓該攝像機及該輻射濾光鏡以與該轉換層相抵，該彈簧係置於該基板台及該攝像機之間。
  2. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含一在該投影系統與該基板台之間的浸液。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其進一步包含一處理器，該處理器經組態以自該輻射分佈量測系統接收信號且使用該等信號來判定該投影系統之像差。
  4. 如請求項1或2之微影裝置，其進一步包含一處理器，該處理器經組態以自該輻射分佈量測系統接收信號且使用該等信號來判定該投影系統之一光瞳分佈。
  5. 如請求項1或2之微影裝置，其中該輻射濾光鏡之一透射率分佈為高斯形狀。
  6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該攝像機包含一CMOS攝像機晶片。
TW096120816A 2006-06-15 2007-06-08 具有灰濾色鏡之波前感測器及包含該感測器之微影裝置 TWI414767B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/453,247 US7388652B2 (en) 2006-06-15 2006-06-15 Wave front sensor with grey filter and lithographic apparatus comprising same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200806966A TW200806966A (en) 2008-02-01
TWI414767B true TWI414767B (zh) 2013-11-11

Family

ID=38523432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096120816A TWI414767B (zh) 2006-06-15 2007-06-08 具有灰濾色鏡之波前感測器及包含該感測器之微影裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7388652B2 (zh)
EP (1) EP1868034A1 (zh)
JP (1) JP4745292B2 (zh)
KR (1) KR100874737B1 (zh)
CN (1) CN101105639A (zh)
SG (1) SG138552A1 (zh)
TW (1) TWI414767B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109294A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Canon Inc 測定装置、露光装置およびデバイス製造方法
NL2004942A (en) * 2009-07-30 2011-01-31 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and monitoring method.
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung
WO2012072090A1 (en) * 2010-11-29 2012-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of determining a border of an intensity distribution
KR101991405B1 (ko) * 2012-09-19 2019-06-20 삼성전자주식회사 빔 형상기, 이를 구비하는 레이저 어닐링 시스템 및 이 시스템을 이용하여 반사형 포토 마스크를 제작하는 방법
WO2016192917A1 (en) * 2015-06-02 2016-12-08 Asml Netherlands B.V. Filter, method of formation thereof, and image sensor
WO2017202546A1 (en) 2016-05-25 2017-11-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP6984228B2 (ja) * 2016-11-17 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体
US10558125B2 (en) 2016-11-17 2020-02-11 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus, exposure apparatus adjustment method and storage medium
DE102017200428B3 (de) 2017-01-12 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers
JP2019211353A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 日本電信電話株式会社 ビーム品質評価方法
CN112839148B (zh) * 2020-12-23 2023-03-14 北京市农林科学院智能装备技术研究中心 摄像头组件、电子设备及紫外辐射强度检测方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07270235A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Endo Shomei:Kk 調光用照度センサーの光電素子方向特性補正フィルター
TW200513788A (en) * 2003-08-29 2005-04-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3318980C2 (de) 1982-07-09 1986-09-18 Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
JPS62163043A (ja) 1986-01-14 1987-07-18 Ricoh Co Ltd フラツシユ照明装置
JPS6380203A (ja) * 1986-09-25 1988-04-11 Aisin Seiki Co Ltd 撮像光学装置の像面照度補正方法
US4979042A (en) 1989-05-30 1990-12-18 Eastman Kodak Company Apparatus for correcting shading effects in video images
JPH08128806A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Ricoh Co Ltd 光学式変位センサ
JPH0915044A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Matsushita Electric Works Ltd 照度センサ
JPH09187993A (ja) * 1995-10-30 1997-07-22 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JPH09145469A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Electric Corp 照度計受光装置
JP2002184667A (ja) * 2000-12-14 2002-06-28 Nikon Corp 補正部材の製造方法、投影光学系の製造方法および露光装置の調整方法
DE10130175A1 (de) 2001-06-22 2003-01-02 Bacher Graphische Geraete Gmbh Verlaufsfilter
US7268945B2 (en) * 2002-10-10 2007-09-11 Xradia, Inc. Short wavelength metrology imaging system
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10329793A1 (de) 2003-07-01 2005-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP1510870A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20170058458A (ko) * 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07270235A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Endo Shomei:Kk 調光用照度センサーの光電素子方向特性補正フィルター
TW200513788A (en) * 2003-08-29 2005-04-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7388652B2 (en) 2008-06-17
TW200806966A (en) 2008-02-01
JP2007335863A (ja) 2007-12-27
KR100874737B1 (ko) 2008-12-19
CN101105639A (zh) 2008-01-16
JP4745292B2 (ja) 2011-08-10
US20070291245A1 (en) 2007-12-20
EP1868034A1 (en) 2007-12-19
KR20070119558A (ko) 2007-12-20
SG138552A1 (en) 2008-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI414767B (zh) 具有灰濾色鏡之波前感測器及包含該感測器之微影裝置
KR101066626B1 (ko) 정렬 마크 제공 방법, 디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치
TWI557513B (zh) 疊對測量裝置及使用該疊對測量裝置之微影裝置及器件製造方法
TWI431439B (zh) 微影裝置之位準感測器配置及器件製造方法
JP4578494B2 (ja) オーバーレイ測定を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI476538B (zh) 定位測量系統及微影裝置
TWI383273B (zh) 微影投射裝置之焦點測量方法及微影投射裝置之校準方法
JP4812712B2 (ja) 基板の特性を測定する方法及びデバイス測定方法
JP4578495B2 (ja) オーバーレイ測定品質表示を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI383269B (zh) 一光學聚焦感應器、一檢視裝置及一微影裝置
TWI383268B (zh) 器件製造方法、電腦可讀取媒體及微影裝置
TWI426354B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI435182B (zh) 角度分辨散射計及檢查方法
JP4564976B2 (ja) リソグラフィ装置、レンズ干渉計およびデバイス製造方法
JP4559461B2 (ja) 接合基板の接合性測定
TW201800875A (zh) 微影裝置
JP5066140B2 (ja) リソグラフィ装置
TWI448822B (zh) 微影裝置，輻射感測器，及製造一輻射感測器之方法
TWI460554B (zh) 光罩總成、微影裝置、微影處理中之用途及於微影處理之單一掃描移動中投影二或多個影像場之方法
US20090207399A1 (en) Lithographic method
JP2007013153A (ja) リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法
JP2009147332A (ja) リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイス及びこのようなリソグラフィ装置のパターニングデバイス及び／又は投影システムの３次歪みを割り出す方法
TWI440992B (zh) 微影裝置
JP4567658B2 (ja) デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品
JP4469820B2 (ja) 照明ビーム測定

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees