JP4559461B2 - 接合基板の接合性測定 - Google Patents
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Description
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは本質的に静止状態に維持され、一方、放射ビームに与えられた全パターンが一挙にターゲット部分C上に投影(すなわち、単一静止露光)される。次いで、基板テーブルWTが、別のターゲット部分Cが露光可能となるようにXおよび/またはY方向に位置を変えられる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静止露光で結像されるターゲット部分Cの寸法を制限する。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影される(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率およびイメージ反転特性によって決定されてよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一動的露光内のターゲット部分の幅(非スキャン方向の)を制限し、一方、スキャン動作の長さが、ターゲット部分の高さ(スキャン方向の)を決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが、プログラマブルパターニングデバイスを本質的に静止状態に保持し続け、基板テーブルWTが移動され、またはスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cの上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動後、あるいはスキャンの間の連続する放射パルスの合間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述した形式のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用可能である。
Claims (18)
- 下部基板の上面に上部基板を有する接合基板の接合特性を測定する方法であって、
前記上部基板上のオーバレイ測定アライメントマークが測定システムによって認識され、前記下部基板上のオーバレイ測定アライメントマークが前記測定システムによって認識されることができるように、前記上部基板内で1つまたは複数の窓をエッチングすること、
前記オーバレイ測定アライメントマークの位置を測定するために前記測定システムを使用すること、
前記上部および下部基板上の対応する前記オーバレイ測定アライメントマークの間の間隔を決定すること、
前記上部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークと前記下部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークの間のオフセットを考慮して前記決定された間隔を調整すること、
を含む、測定方法。 - 前記エッチングに対して終点として作用する絶縁層が前記基板の間に提供され、したがって前記1つまたは複数の窓内で前記上部基板が前記絶縁体層までエッチングされて除去される、請求項1に記載の方法。
- 前記上部基板の前記オーバレイ測定アライメントマークが、前記絶縁体層にレリーフで形成される、請求項2に記載の方法。
- 前記測定システムが、前記オーバレイ測定アライメントマークの前記位置を測定するために可視スペクトルまたは紫外スペクトルの波長の放射を用いる、請求項1に記載の方法。
- 前記上部基板上に提供されている前記オーバレイ測定アライメントマークが、前記下部基板上に提供されている前記オーバレイ測定アライメントマークの鏡像である、請求項1に記載の方法。
- 前記接合基板がMEMSデバイスを形成するために用いることができるフィーチャを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記オフセットが100ミクロンより大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記オーバレイ測定アライメントマークの前記位置の測定がリソグラフィ装置内で実施される、請求項1に記載の方法。
- 下部基板の上面に上部基板を有する接合基板の接合特性を測定する方法であって、
前記上部基板上のオーバレイ測定アライメントマークが測定システムによって認識され、前記下部基板上のオーバレイ測定アライメントマークが前記測定システムによって認識されることができるように、前記上部基板の厚さを減少させること、
前記オーバレイ測定アライメントマークの位置を測定するために前記測定システムを使用すること、
前記上部および下部基板上の対応する前記オーバレイ測定アライメントマークの間の間隔を決定すること、
前記上部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークと前記下部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークの間のオフセットを考慮して前記決定された間隔を調整すること、
を含む、測定方法。 - 前記基板の前記減少させた厚さが50ミクロン未満である、請求項9に記載の方法。
- 前記基板の前記減少させた厚さが10ミクロン未満である、請求項10に記載の方法。
- 前記測定システムが、前記オーバレイ測定アライメントマークの前記位置を測定するために可視スペクトルまたは紫外スペクトルの波長の放射を用いる、請求項9に記載の方法。
- 前記上部基板上に提供されている前記オーバレイ測定アライメントマークが、前記下部基板上に提供されている前記オーバレイ測定アライメントマークの鏡像である、請求項9に記載の方法。
- 前記接合基板がMEMSデバイスを形成するために用いることができるフィーチャを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記オフセットが100ミクロンより大きい、請求項9に記載の方法。
- 前記オーバレイ測定アライメントマークの前記位置の測定がリソグラフィ装置内で実施される、請求項9に記載の方法。
- 下部基板の上面に上部基板を有する接合基板であって、
前記上部および下部基板には複数のオーバレイ測定アライメントマークが設けられ、前記上部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークが前記下部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークの鏡像であり、前記上部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークと、前記下部基板上の前記オーバレイ測定アライメントマークとの間にオフセットが提供される、接合基板。 - 前記オーバレイ測定アライメントマークに加えて前記基板が、MEMSデバイスを形成するために用いることができるフィーチャを含む、請求項17に記載の接合基板。
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