KR20070119558A - 그레이 필터를 갖는 파면 센서 및 이 파면 센서를 포함한리소그래피 장치 - Google Patents

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

방사선 빔의 위상 분포 및/또는 상기 투영 시스템의 퓨필 분포를 측정하는 방사선 분포 측정 시스템은 투명한 캐리어 플레이트, 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면에 구성된 격자 및/또는 핀홀, 및 투명한 캐리어 플레이트의 맞은편 측면의 카메라를 포함한다. 또한, 상기 측정 시스템은 필터의 중심에서 가장 낮고 상기 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적으로 증가하는 투과율을 갖는 투명한 캐리어 플레이트와 카메라 사이의 방사선 필터를 포함한다. 특정한 투과율을 갖는 필터를 배치시킴으로써, 파면 센서(10)를 가로지른 세기의 차이(즉, 세기에 있어서 구배)가 보상된다. 카메라 상에 입사한 광의 세기는 더 균일하게 되어 측정 시스템의 개선된 성능을 유도한다.

Description

그레이 필터를 갖는 파면 센서 및 이 파면 센서를 포함한 리소그래피 장치{WAVE FRONT SENSOR WITH GREY FILTER AND LITHOGRAPHIC APPARATUS COMPRISING SAME}
이하 대응하는 참조 부호가 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 파면 센서의 일 실시예를 도시하는 도면;
도 3은 방사선 필터 및 카메라 칩의 평면도;
도 4는 일 실시예에 따른 방사선 필터의 중심으로부터 거리(x)의 함수로서 방사선 필터의 투과율 분포를 도시하는 도면;
도 5는 분포가 가우시안(Gaussian) 형상인 또 다른 실시예에 따른 투과율 분포를 도시하는 도면;
도 6은 방사선 필터 상에 입사한 방사선의 분포와 함께 방사선 필터의 투과율의 분포의 또 다른 실시예를 도시하는 도면; 및
도 7은 퓨필 분포 센서의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
본 발명은 투영 시스템의 퓨필 분포(pupil distribution) 및/또는 방사선 빔의 위상 분포를 측정하는 방사선 분포 측정 시스템(radiation distribution measurement system)들에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
낮은 k1 리소그래피에 대한 진보된 광학 시스템들은, 광 근접성 보정 방법(Optical Proximity Correction strategy(OPC))들이 유지될 수 있음을 보장(insure)하도록 다양한 이미징 파라미터들의 정확한 특성화(characterization)를 필요로 한다. 이 파라미터들 중에서, 렌즈 수차(lens aberration) 및 조명 프로파일들은 고려될 광학 칼럼(optical column) 특성들이다. 위상 측정 간섭계는 툴 성능 파라미터들을 측정하고 제어하도록 리소그래피 투영 툴들로 통합될 수 있다. 이러한 측정 시스템의 주요한 기능성은, 높은 정확성과 스피드로 전체 이미지 필드에 걸쳐 파면 수차(wave front aberration)들을 측정하고 분석하는 것이다. 제르니케 다항식(Zernike polynomial)에 의한 파면 수차들의 획득(acquisition) 외에도, 높은 분해능 파면들의 상세한 측정들이 가능하다.
리소그래피 장치의 투영 시스템의 수차들을 측정하기 위해, 리소그래피 장치의 기판 테이블 상에 또는 그 근처에 위상 측정 간섭계가 배치될 수 있다. 이러한 통합된 위상 측정 간섭계는 카메라 앞의 회절 격자(diffraction grating)를 이용한 층밀리기 간섭법(lateral shearing interferometry)에 기초할 수 있다.
투영 시스템 특성들 이외에도, 투영 시스템의 투과(애포다이제이션(apodisation)) 및 조명 퓨필 분포의 상세한 형상이 시스템 작동을 위해 고려된다. 퓨필 분포 및 애포다이제이션은 앞서 언급된 위상 측정 간섭계와 매우 많이 비슷한 센서에 의해 측정될 수 있다. 하지만, 이 경우에 회절 격자는 존재하지 않으며, 센서 또는 레티클 중 하나 상에서 작은 어퍼처(aperture)(핀홀(pinhole))로 교 체된다. 물론, 그 경우에 센서는 간섭계가 아니다. 아래에서, '방사선 분포 측정 시스템'이라는 용어는 위상 측정 간섭계 및 퓨필 분포 센서를 포함하는 것으로서 사용된다. 회절 격자 및 핀홀은 센서의 일부분 상에 회절 격자를 배치하고 센서의 다른 부분 상에 핀홀을 배치함으로써 동일한 센서 내에 통합될 수 있다.
현재의 위상 측정 간섭계들은 광 세기 분포(light intensity distribution)를 측정하도록 구성된다. 이 광 세기 분포는, 격자 구조체에 의해 회절되고 실질적으로 센서 앞의 전환층(conversion layer)에 의해 스펙트럼의 가시광 부분(visible part)으로 전환되는 레이저 광에 의해 발생된다. 예를 들어, DUV(극자외선)에 민감(sensitive)한 카메라가 사용되는 경우처럼 전환층이 항상 필요한 것은 아니다. 퓨필 분포를 측정하기 위해 격자는 핀홀로 교체된다. 이 세기 측정들로부터, (간섭계에 의한) 투영 시스템의 수차들에 대한 정보 및 (퓨필 분포 센서에 의한) 조명 퓨필의 형상 및 세기에 대한 정보가 회수된다. 광 세기 분포는 CMOS 카메라 또는 CCD 카메라, 또는 복수의 카메라 픽셀들을 포함한 여하한의 다른 카메라를 이용하여 측정될 수 있다.
카메라 상의 광 분포는, 전형적으로 퓨필의 이미지의 중심 근처에서 최대 세기를 가지며 퓨필의 이미지의 에지(edge)를 향할수록 세기가 감소된다. 이러한 이유는, 퓨필의 에지에서는 광이 카메라 상에 큰 각도로 입사하여 퓨필의 중심에서보다 더 많은 픽셀들에 걸쳐 광을 확산(spread)시키기 때문이다.
전형적인 카메라의 제한된 동적 범위와 조합하여 이 균일하지 않은(non-uniform) 세기 분포는 투영 시스템의 퓨필의 에지를 향하는 신호대 잡음비(signal to noise ratio: S/N)의 바람직하지 않은 하락(degradation)을 설명한다.
투영 시스템의 수차들 및/또는 렌즈의 퓨필 분포들을 측정하는 한편 만족스러운 S/N 비를 유지하는데 사용되는 방사선 분포 측정 시스템의 동적 범위를 개선하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 방사선 빔의 위상 분포 및/또는 투영 시스템의 퓨필 분포를 측정하도록 구성되는 방사선 분포 측정 시스템이 제공된다. 측정 시스템은 투명한 캐리어 플레이트(transparent carrier plate); 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면에 구성된 핀홀 및 격자 중 1 이상; 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면 맞은편인 제 2 측면에 구성된 카메라를 포함하고, 또한 측정 시스템은 투명한 캐리어 플레이트와 카메라 사이에 구성된 방사선 필터(radiation filter)를 포함하며, 방사선 필터는 필터의 중심에서 가장 낮고 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적(concentrically)으로 증가하는 투과율(transmissivity)을 갖는다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 장치는 앞서 설명된 방사선 분포 측정 시스템을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방사선 빔의 위상 분포 및/또는 투영 시스템의 퓨필 분포를 측정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 투명한 캐리어 플레이트를 제공하는 단계; 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면에 격자 및/또는 핀홀을 구성하는 단계; 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면 맞은편인 제 2 측면에 카메라를 구성하는 단계; 투명한 캐리어 플레이트와 카메라 사이에 방사선 필터를 구성하는 단계를 포함하며, 방사선 필터는 필터의 중심에서 가장 낮고 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적으로 증가하는 투과율을 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된다. 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된다. 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)은 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 및/또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합 과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한 다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포 의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대 조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부 의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치는 기판 테이블 상에 또는 그 근처에 구성된 파면 센서(10)를 포함한다. 센서(10)는 기판들의 노광 이전에 측정 위상동안 사용될 수 있다. 파면 센서(10)가 투영 시스템(PS) 아래에 위치되도록 기판 테이블(WT)이 이동된다. 그 후, 파면 센서(10) 상으로 방사선이 투영된다. 센서로부터의 신호들은 프로세서(12)를 향해 전송된다. 프로세서(12)는 투영 시스템(PS)의 수차들을 계산하도록 구성된다. 계산된 수차들은 렌즈를 적격으로 하거나(qualify) 조정하는데 사용될 수 있다.
도 2는 파면 센서(10)의 일 실시예를 개략적으로 나타낸다. 파면 센서(10)는 투명한 캐리어 플레이트(20), 투명한 캐리어 플레이트(20)의 제 1 측면에 구성된 격자(22) 및 투명한 캐리어 플레이트(20)의 맞은편 측면에 구성된 카메라(24, 26)를 포함한다. 캐리어 플레이트(20)는, 예를 들어 용융 실리카(fused silica), 사파이어(sapphire) 또는 여하한의 다른 적절한 재료를 포함할 수 있다. 격자(22)는 관련된 방사선에 투명하지 않은 복수의 바아(bar)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캐리어 플레이트(20)는 DUV(157 내지 248 nm)에 투명하다. 카메라(24, 26)는 인쇄 회로 기판(printed circuit board: 26) 상에 구성된 카메라 칩(24)을 포함한다. 카메라 칩(24)은 가시광에 민감한 복수의 카메라 픽셀을 포함한다. 카메라 칩(24)은 예를 들어 CMOS 칩일 수 있다. 또한, 파면 센서(10)는 캐리어 플레이트(20)와 카메라(24, 26) 사이에 구성된 전환층(28)을 포함한다. 전환층(28)은 DUV 방사선(34)을 가시광으로 전환하도록 구성된다. 또한, 파면 센서(10)는 전환층(28)과 카메라(24, 26) 사이에 구성된 방사선 필터(30)를 포함한다. 일 실시예에서, 파면 센서(10)는 전환층(28)에 카메라(24, 26) 및 방사선 필터(30)를 압착(press)하도록 구성된 스프링(spring: 32)을 포함한다. 일 실시예에서, 전환층(28)은 (접착하거나 또 다른 방법에 의해) 캐리어 플레이트(20)에 고정된다. 또 다른 실시예에서, 캐리어 플레이트(20)와 전환층(28) 사이에는 공기층(air layer)이 존재하여, 이 경우에 전환층(28)은 캐리어 플레이트(20)에 직접 고정되지 않는다.
방사선 필터(30)는 필터의 중심에서 가장 낮고 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적으로 증가하는 투과율을 갖는다. 이 방사선 필터(30)가 없다면, 카메라 픽셀에 의해 측정된 광의 세기는 카메라(24, 26)의 중심으로부터의 거리에 따라 감 소될 것이다. 이는, 이 광이 각도의 영향을 받아 센서에 도달하기 때문이다. 결과적으로, 신호대 잡음비는 카메라(24, 26)의 중심과 외부 구역들 사이에서 상당히 다를 것이다. NA가 증가됨에 따라, 특히 침지 시스템에서와 같이 NA > 1인 경우, 입사 각도가 증가할 것이므로 신호대 잡음비 차이들 및 센서 성능에 대한 영향이 증가할 것이다. 특정한 투과율을 갖는 방사선 필터(30)를 배치시킴으로써, 파면 센서(10)를 가로지른 세기의 차이(즉, 세기에 있어서 구배(gradient))가 보상된다. 카메라 칩(24) 상에 입사하는 광의 세기는 더 균일하게 된다. 이는, 카메라 칩(24)의 중심 구역에서의 카메라 픽셀들 및 외부 구역에서의 카메라 픽셀들이 동일하거나, 적어도 더 대등(equal)한 세기들을 수용할 것임을 의미한다. 이 결과는 클리핑(clipping)의 위험 없이 모든 픽셀들에 대한 최적 S/N 비를 얻으므로 파면 센서(10)의 개선된 성능을 얻기 위해, 카메라(24, 26) 및 전환층(28)을 바이어싱(bias)하는데 사용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 방사선 필터(30)는 카메라 칩(24)의 최상부 상에서, 전환층(28)의 바로 아래에 직접 구성될 수 있다. 전환층(28)은 DUV를 가시광으로 전환하는 것으로 알려진 형광체(phosphor)를 포함할 수 있다. 방사선 필터(30)는 금속, 무기(inorganic) 또는 그 산화물의 층이 증착(evaporate)되어 있는 유리, 플라스틱 등으로 구성된 투명한 플레이트를 포함할 수 있다.
도 3은 방사선 필터(30) 및 카메라 칩(24)의 평면도를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 격자(22)를 통해 들어오는 DUV 방사선 빔(34)은 전환층(28)에 의해 가시광으로 전환되어 방사선 필터(30)에 도달할 것이다. 방사선 필터(30)는 광이 카메라 칩(24)에 도달하기 이전에 광 세기의 분포를 변화시킬 것이다.
도 4는 일 실시예에 따른 방사선 필터의 중심으로부터 거리(x)의 함수로서 방사선 필터(30)의 투과율 분포(T r )를 나타낸다(곡선 40 참조). 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 투과율은 방사선 필터의 중심에서 가장 낮고 방사선 필터의 외부 구역을 향해 증가한다. 도 5에서, 분포가 가우시안 형상인 또 다른 실시예에 따른 투과율 분포(50)가 도시된다. 예를 들어, 비대칭 곡선과 같은 다른 형상들이 가능하다는 것을 이해하여야 한다. 투과율 곡선의 형상은 방사선 필터(30) 상에 입사한 방사선의 분포에 의존하여 선택될 수 있다.
도 6은 방사선 필터 상에 입사한 방사선의 분포(I)와 함께(곡선 62 참조), 방사선 필터(30)의 투과율(T r )의 분포(곡선 62 참조)의 또 다른 실시예를 나타낸다. 카메라 칩(24)에 도달한 결과적인 세기 분포는 곡선 64에 의해 도시된다. 도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 곡선 64는 직선이 아니다. 실제로, 방사선 필터(30)에 도달하는 광의 세기 분포의 정확한 역함수인 이상적인 분포를 갖는 방사선 필터를 제작하는 것은 매우 어렵기 때문에, 곡선 64는 직선이 아닐 것이다. 센서(10)의 성능을 개선하기 위해 정확한 직선이 요구되지는 않는다는 것을 유의한다.
도 7은 퓨필 분포 센서(10')의 일 실시예를 나타낸다. 퓨필 분포 센서(10')는 도 2를 참조하여 앞서 설명된 파면 센서(10)와 동일한 구성요소들을 거의 포함한다. 하지만 격자(22) 대신에, 퓨필 분포 센서(10')는 캐리어 플레이트(20)의 최상부 상에 배치된 투명하지 않은 층(72) 내에 핀홀(70)을 포함한다. 핀홀(70)을 통 해 들어오는 방사선이 카메라(24)에 의해 검출된다. 격자 대신에 핀홀을 이용함으로써, 리소그래피 장치의 퓨필 분포가 결정될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래 피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장 또는 그 정도를 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 광의 세기를 더 균일하게 하여 측정 시스템의 성능을 개선하도록 방사선 분포 측정 시스템을 포함한 리소그래피 장치가 제공된다.

Claims (18)

  1. 방사선 빔의 위상 분포 및/또는 투영 시스템의 퓨필 분포(pupil distribution)를 측정하도록 구성된 방사선 분포 측정 시스템(radiation distribution measurement system)에 있어서:
    투명한 캐리어 플레이트(transparent carrier plate);
    상기 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면에 구성된 격자(grating) 및/또는 핀홀(pinhole);
    상기 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면 맞은편인 제 2 측면에 구성된 카메라; 및
    상기 투명한 캐리어 플레이트와 상기 카메라 사이에 구성된 방사선 필터(radiation filter)를 포함하여 이루어지고, 상기 방사선 필터는 상기 필터의 중심에서 가장 낮고 상기 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적(concentrically)으로 증가하는 투과율(transmissivity)을 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 분포 측정 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 필터의 투과율 분포는 가우시안(Gaussian) 형상인 것을 특징으로 하는 방사선 분포 측정 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    DUV 방사선을 가시광(visible light)으로 전환하도록 구성된 전환층(conversion layer)을 더 포함하여 이루어지는 방사선 분포 측정 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전환층은 상기 방사선 필터와 상기 카메라 사이에 구성되는 것을 특징으로 하는 방사선 분포 측정 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 전환층은 상기 캐리어 플레이트와 상기 방사선 필터 사이에 구성되는 것을 특징으로 하는 방사선 분포 측정 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 카메라는 CMOS 카메라 칩(camera chip)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방사선 분포 측정 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어 플레이트는 DUV 방사선에 대해 투명한 것을 특징으로 하는 방사선 분포 측정 시스템.
  8. 리소그래피 장치에 있어서:
    방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성되는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    상기 방사선 빔의 위상 분포 및/또는 상기 투영 시스템의 퓨필 분포를 측정하도록 구성된 방사선 분포 측정 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 측정 시스템은
    투명한 캐리어 플레이트;
    상기 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면에 구성된 격자 및/또는 핀홀;
    상기 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면 맞은편인 제 2 측면에 구성된 카메라; 및
    상기 투명한 캐리어 플레이트와 상기 카메라 사이에 구성된 방사선 필터를 포함하여 이루어지며, 상기 방사선 필터는 상기 필터의 중심에서 가장 낮고 상기 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적으로 증가하는 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 투영 시스템과 상기 기판 테이블 사이에 침지 액체를 더 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 방사선 분포 측정 시스템으로부터 신호들을 수신하고, 상기 신호들을 이용하여 상기 투영 시스템의 수차(aberration)들을 결정하도록 구성된 프로세서를 더 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 방사선 분포 측정 시스템으로부터 신호들을 수신하고, 상기 신호들을 이용하여 상기 투영 시스템의 퓨필 분포를 결정하도록 구성된 프로세서를 더 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 방사선 필터의 투과율 분포는 가우시안 형상인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    DUV 방사선을 가시광으로 전환하도록 구성된 전환층을 더 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전환층은 상기 방사선 필터와 상기 카메라 사이에 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 전환층은 상기 캐리어 플레이트와 상기 방사선 필터 사이에 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 카메라는 CMOS 카메라 칩을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  17. 제 8 항에 있어서,
    상기 캐리어 플레이트는 DUV 방사선에 대해 투명한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  18. 방사선 빔의 위상 분포 및/또는 투영 시스템의 퓨필 분포를 측정하는 방법에 있어서:
    투명한 캐리어 플레이트를 제공하는 단계;
    상기 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면에 격자 또는 핀홀을 구성하는 단계;
    상기 투명한 캐리어 플레이트의 제 1 측면 맞은편인 제 2 측면에 카메라를 구성하는 단계; 및
    상기 투명한 캐리어 플레이트와 상기 카메라 사이에 방사선 필터를 구성하는 단계를 포함하여 이루이지고, 상기 방사선 필터는 상기 필터의 중심에서 가장 낮고 상기 필터의 외부를 향해 점진적이고 집중적으로 증가하는 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140043950A (ko) * 2012-09-19 2014-04-14 삼성전자주식회사 빔 형상기, 이를 구비하는 레이저 어닐링 시스템 및 이 시스템을 이용하여 반사형 포토 마스크를 제작하는 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109294A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Canon Inc 測定装置、露光装置およびデバイス製造方法
NL2004942A (en) * 2009-07-30 2011-01-31 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and monitoring method.
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung
WO2012072090A1 (en) * 2010-11-29 2012-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of determining a border of an intensity distribution
US20180299792A1 (en) * 2015-06-02 2018-10-18 Asml Netherlands B.V. Filter, method of formation thereof, and image sensor
JP6740370B2 (ja) 2016-05-25 2020-08-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
JP6984228B2 (ja) * 2016-11-17 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体
US10558125B2 (en) * 2016-11-17 2020-02-11 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus, exposure apparatus adjustment method and storage medium
DE102017200428B3 (de) 2017-01-12 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers
JP2019211353A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 日本電信電話株式会社 ビーム品質評価方法
CN112839148B (zh) * 2020-12-23 2023-03-14 北京市农林科学院智能装备技术研究中心 摄像头组件、电子设备及紫外辐射强度检测方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3318980C2 (de) 1982-07-09 1986-09-18 Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
JPS62163043A (ja) 1986-01-14 1987-07-18 Ricoh Co Ltd フラツシユ照明装置
JPS6380203A (ja) * 1986-09-25 1988-04-11 Aisin Seiki Co Ltd 撮像光学装置の像面照度補正方法
US4979042A (en) * 1989-05-30 1990-12-18 Eastman Kodak Company Apparatus for correcting shading effects in video images
JPH07270235A (ja) 1994-03-31 1995-10-20 Endo Shomei:Kk 調光用照度センサーの光電素子方向特性補正フィルター
JPH08128806A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Ricoh Co Ltd 光学式変位センサ
JPH0915044A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Matsushita Electric Works Ltd 照度センサ
JPH09187993A (ja) * 1995-10-30 1997-07-22 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JPH09145469A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Electric Corp 照度計受光装置
JP2002184667A (ja) * 2000-12-14 2002-06-28 Nikon Corp 補正部材の製造方法、投影光学系の製造方法および露光装置の調整方法
DE10130175A1 (de) 2001-06-22 2003-01-02 Bacher Graphische Geraete Gmbh Verlaufsfilter
US7268945B2 (en) * 2002-10-10 2007-09-11 Xradia, Inc. Short wavelength metrology imaging system
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10329793A1 (de) 2003-07-01 2005-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1510870A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101289918B1 (ko) * 2003-09-29 2013-07-25 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140043950A (ko) * 2012-09-19 2014-04-14 삼성전자주식회사 빔 형상기, 이를 구비하는 레이저 어닐링 시스템 및 이 시스템을 이용하여 반사형 포토 마스크를 제작하는 방법

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