TWI410472B - 黏著帶 - Google Patents
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Description
本發明係關於黏著帶。
近年隨電子機器的高密度化,其所使用的印刷佈線板正朝多層化演進,可撓性印刷佈線板亦多使用多層構造。該印刷佈線板係屬於可撓性印刷佈線板與剛性印刷佈線板的複合基板之剛柔結合印刷佈線板,且用途正在擴大中。
習知的多層可撓性印刷佈線板或剛柔結合印刷佈線板之製造方法,係有提案如:將單面電路基板與黏著劑層交錯積層複數層後而積層形成,再於此處鑿開層間耦接用貫通孔,經對該貫通孔施行層間耦接用貫穿孔鍍敷後,再施行最外層電路等加工的方法;或在單面電路基板的絕緣材側鑿開未貫通銅箔的孔,並利用金屬或合金形成導體柱,且施行整層表面被覆處理,再將黏著劑層與佈線板施行加壓,並重複施行必要次數而多層化的工法(例如專利文獻1)。
前者之製造方法係一般所使用的層間電氣式耦接方式,將採取鑿開貫穿整層的貫通孔,並依對其施行貫穿孔鍍敷的形式將各層間電氣式耦接的手法。但是,該電氣式耦接方法的加工方法雖較為簡單,但是在電路的設計上卻多有所限制。另,最差的事項係因為利用貫通貫穿孔鍍敷將整層施行電氣式耦接,因而最外層將出現較多的貫穿孔鍍敷耦接島,且所佔的面積比例亦將增加。此外,並無法藉此而提升電路安裝密度,因而將構成零件安裝與電路佈線的致命傷。況且,爾後市場要求提高的高密度安裝、高密度佈線之製作將屬於高難度的規格。
可撓性印刷佈線板之製造方法係為能廉價進行製造,便利用在一片薄片上排列複數個的多層圖案進行製作。所以,多層可撓性印刷佈線板亦可利用同樣的製造方法而廉價製造。但是,該製造方法中,若在薄片內出現圖案化不良,則圖案化不良部分所積層的多層可撓性印刷佈線板便將呈不良,導致積層步驟的製程良率降低。
再者,多層可撓性印刷佈線板與剛柔結合印刷佈線板、和多層剛性印刷佈線板間之最大差異點在於:有無具柔軟性的部分。該具柔軟性部分的製作係依具柔軟性的部分不致積層的方式將外層剝除,或在積層後再必需將外層剝除,但當薄片積層的情況,將出現每層薄片的可用佈線板數量惡化。且,當屬於各層大小不同的圖案設計時,每1薄片的可用佈線板取數將侷限於各層電路基板可用數內的最少電路基板可用數,造成每層薄片的佈線板可用數惡化。
後者的製造方法係包括有對承接導體柱側的基材利用雷射加工施行鑿孔,經施行去膠渣,而製作表面被覆開口部的特殊步驟,但是該等在技術確立及良率方面將有問題。況且,隨層數的增加,在製造時將耗費時間與成本,且亦有表面被覆的材料成本提高之問題。
專利文獻1:日本專利特開平11-54934號公報
本發明係提供可確實使焊錫凸塊熔融而施行電路基板層間電氣式接合的黏著帶。
依照本發明所提供的黏著帶,係含有:具羧基及/或酚性羥基的助熔劑活性化合物、熱硬化性樹脂、及薄膜形成性樹脂。藉由上述構造,在使焊錫凸塊熔融而施行層間電氣式接合時,焊錫表面的氧化膜及被耦接面的銅箔表面之氧化膜將還原,便可進行強度較大的良好接合。此外,本發明的黏著帶係在焊錫接合後並不需要利用洗淨等方式去除,將可直接施行加熱,而形成三維交聯的樹脂,便成為密接力優越的電路基板與多層可撓性印刷佈線板之層間材料。
上述黏著帶中,熱硬化性樹脂係可為環氧樹脂。藉由該構造,便可獲得硬化性、保存性、硬化物耐熱性、耐濕性、及耐藥性等均優越的黏著帶。
上述黏著帶中,熱硬化性樹脂係可含有硬化劑。藉由該構造,便可提升黏著帶硬化特性的控制性。
上述黏著帶中,硬化劑係可為咪唑化合物及/或磷化合物。藉由該構造,便可提升黏著帶的硬化性。
上述黏著帶中,薄膜形成性樹脂係可為苯氧基樹脂或丙烯酸橡膠。藉由使用苯氧基樹脂,便可抑制硬化前的黏著帶流動性,可使層間厚度呈均勻。藉由使用丙烯酸橡膠,將可提升薄膜狀黏著帶製作時的成膜安定性,且將可提升被黏著物與黏著帶間之密接性。
上述黏著帶係可更含有矽烷偶合劑。藉由該構造,便可提升黏著帶與被黏著物間之密接性。
上述黏著帶係當在經氧化處理過的銅板表面上貼附黏著帶,並於大氣中、230℃下施行1分鐘還原處理時,依下式(1)所示之銅板氧化銅還原率係達70%以上。
氧化銅還原率(%)={1-(還原處理後的O原子濃度)/(氧化處理後的O原子濃度)}×100………式(1)
上述黏著帶係在黏著帶上配置著直徑500 μm的含錫之焊錫球,並依較焊錫球融點高出30℃的溫度施行20秒加熱時,依下式(2)所示之焊錫潤濕擴散率將達40%以上。
焊錫潤濕擴散率(%)=[{(焊錫球直徑)-(潤濕擴散後的焊錫厚度)}/(焊錫球直徑)]×100………式(2)
上述黏著帶係厚度100 μm、223℃的熔融黏度係10~10000Pa.s。
上述黏著帶係將厚度100 μm的上述黏著帶利用黏彈性測定裝置,依升溫速度10℃/min、頻率0.1Hz施行測定時,25~250℃的最低熔融黏度係1Pa.s以上、且10000Pa.s以下。
根據本發明,將可提供能確實地使焊錫凸塊熔融,能施行電路基板層間電氣式接合的黏著帶。
以下,針對本發明黏著帶的較佳實施形態進行詳細說明。
本發明的黏著帶係包括有:具羧基及/或酚性羥基的助熔劑活性化合物、熱硬化性樹脂、及薄膜形成性樹脂。以下,就各成分進行說明。
本發明所使用「具有羧基及/或酚性羥基的助熔劑活性化合物」,係指分子中至少存在1以上羧基及/或酚性羥基的化合物,可為液狀亦可為固態。
含有羧基的助熔劑活性化合物係可舉例如:脂肪族酸酐、脂環式酸酐、芳香族酸酐、脂肪族羧酸、芳香族羧酸等。具酚性羥基的助熔劑活性化合物係可舉例如酚類。
脂肪族酸酐係可舉例如:琥珀酸酐、聚己二酸酐、聚壬二酸酐、聚癸二酸酐等。
脂環式酸酐係可舉例如:甲基四氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、甲基腐植酸酐、六氫酞酸酐、四氫酞酸酐、三烷基四氫酞酸酐、甲基環己烯二羧酸酐等。
芳香族酸酐係可舉例如:酞酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、二苯基酮四羧酸酐、乙二醇雙偏苯三酸酯、丙三醇三偏苯三酸酯等。
脂肪族羧酸係可舉例如依下述式(3)所示化合物:HOOC-(CH2
)n
-COOH (3)
上述式(3)中,n係0以上、20以下的整數。
再者,就從助熔劑活性、黏著時的逸氣及黏著帶經硬化後的彈性率與玻璃轉移溫度等的均衡觀之,上述式(3)中的n最好為3以上、且10以下。藉由將n設定在3以上,將可抑制黏著帶經硬化後的彈性率增加情形,將可提升與被黏著物問之黏著性。此外,藉由將n設定在10以下,便可抑制彈性率降低,俾可更加提升耦接可靠度。
上述式(3)所示化合物係可舉例如:n=3的戊二酸(HOOC-(CH2
)3
-COOH)、n=4的己二酸:(HOOC-(CH2
)4
-COOH)、n=5的庚二酸:(HOOC-(CH2
)5
-COOH)、n=8的癸二酸(HOOC-(CH2
)8
-COOH)、及n=10的HOOC-(CH2
)10
-COOH。
其他的脂肪族羧酸係可舉例如:甲酸、醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、三甲基乙酸、己酸、辛酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、油酸、反式丁烯二酸、順丁烯二酸、草酸、丙二酸、琥珀酸等。
芳香族羧酸係可舉例如:苯甲酸、酞酸、異酞酸、對酞酸、1,2,3-苯三甲酸、偏苯三酸、均苯三甲酸、偏苯四甲酸、1,2,3,4-苯四甲酸、均苯四甲酸、苯六甲酸、三苯甲酸、二苯甲酸、2,3-苯三甲酸、3,5-二甲苯甲酸(mesitylenic acid)、2,3,4-三甲苯甲酸(prehnitylic acid)、甲苯酸、肉桂酸、水楊酸、2,3-二羥基苯甲酸、2,4-二羥基苯甲酸、龍膽酸(2,5-二羥基苯甲酸)、2,6-二羥基苯甲酸、3,5-二羥基苯甲酸、沒食子酸(3,4,5-三羥基苯甲酸)、1,4-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物;酚酞啉;二酚酸等。
具有酚性羥基的助熔劑活性化合物係可舉例如:酚、o-甲酚、2,6-二甲酚、p-甲酚、m-甲酚、o-乙酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、m-乙酚、2,3-二甲酚、酚、3,5-二甲酚、p-第三丁酚、鄰苯二酚、p-第三戊酚、間苯二酚、p-辛酚、p-苯基酚、雙酚A、雙酚F、雙酚AF、雙酚、二烯丙基雙酚F、二烯丙基雙酚A、三酚、四苯酚等含有酚性羥基的單體類、酚酚醛樹脂、o-甲酚酚醛樹脂、雙酚F酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等。
助熔劑活性化合物係藉由與如環氧樹脂之類的熱硬化性樹脂間之反應而三維式融入,因而最好在1分子中至少具有2個能加成於環氧樹脂的酚性羥基,且對金屬氧化膜將顯示助熔劑作用,1分子中至少具有1個直接鍵結於芳香族之羧基的化合物。此種化合物係可舉例如:2,3-二羥基苯甲酸、2,4-二羥基苯甲酸、龍膽酸(2,5-二羥基苯甲酸)、2,6-二羥基苯甲酸、3,4-二羥基苯甲酸、没食子酸(3,4,5-三羥基苯甲酸)等苯甲酸衍生物;1,4-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸、3,7-二羥基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物;酚酞啉;及二酚酸等。
該等助熔劑活性化合物係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。
助熔劑活性化合物的調配量,係就從提升助熔劑活性的觀點,相對於黏著帶調配成分的合計量,將設定為1重量%以上,最好5重量%以上。若有殘留著熱硬化性樹脂與未反應助熔劑活性化合物,便將成為遷移的肇因。所以,為使熱硬化性樹脂、與未反應助熔劑活性化合物不致殘留,助熔劑活性化合物的調配量將設定在30重量%以下,最好25重量%以下。此外,若設定在上述範圍內,銅箔表面的氧化膜便將還原,將可獲得強度較大的良好接合。
本發明所使用的熱硬化性樹脂係可使用諸如:環氧樹脂、氧雜環丁烷樹脂、酚樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、酞酸二烯丙酯樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂等。其中,最好使用硬化性、保存性、硬化物耐熱性、耐濕性、及耐藥性均優越的環氧樹脂。
環氧樹脂係可使用室溫下呈固態的環氧樹脂、與室溫下呈液狀的環氧樹脂中之任一種。此外,樹脂亦可含有室溫下呈固態的環氧樹脂、與室溫下呈液狀的環氧樹脂。藉此,將可更加提高樹脂熔融過程的設計自由度。
室溫下呈固態的環氧樹脂並無特別的限制,可舉例如:雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、3官能基環氧樹脂、4官能基環氧樹脂等。更具體而言,亦可含有固態3官能基環氧樹脂與甲酚酚醛型環氧樹脂。
再者,室溫呈液狀的環氧樹脂係有如:雙酚A型環氧樹脂或雙酚F型環氧樹脂。且,亦可將該等組合使用。
該等熱硬化性樹脂的調配量,係相對於黏著帶調配成分的合計量,最好25重量%以上、75重量%以下,尤以45重量%以上、70重量%以下為佳。藉由設定為上述範圍,便可獲得良好硬化性,且將可設計良好的熔融過程。
熱硬化性樹脂亦可含有硬化劑。硬化劑係可舉例如:酚類、胺類、硫醇類。當熱硬化性樹脂係使用環氧樹脂的情況,就能獲得與該環氧樹脂間之良好反應性、硬化時的低尺寸變化、及硬化後的適當物性(例如耐熱性、耐濕性等)之觀點,最好使用酚類。
酚類並無特別的限制,當考慮黏著帶硬化後的物性時,最好為2官能基以上。例如:雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、雙酚、雙酚F、二烯丙基雙酚F、三酚、四苯酚、酚酚醛類、甲酚酚醛類等,而就考慮熔融黏度、及與環氧樹脂間之反應性、以及硬化後物性時,則最好使用酚酚醛類及甲酚酚醛類。
當硬化劑係使用酚酚醛類的情況,調配量係就從確實使樹脂硬化的觀點,例如相對於黏著帶調配成分的合計量,將設定為5重量%以上,最好10重量%以上。若有殘留著環氧樹脂與未反應酚酚醛類,將成為遷移(migration)的肇因。所以,為不致依殘渣形式殘留,便設定在30重量%以下,最好25重量%以下。
當熱硬化性樹脂係環氧樹脂的情況,酚酚醛樹脂的調配量係可依相對於環氧樹脂的當量比進行規範。具體而言,酚酚醛類相對環氧樹脂的當量比係0.5以上、1.2以下,最好0.6以上、1.1以下,尤以0.7以上、0.98以下為佳。藉由將酚酚醛樹脂相對環氧樹脂的當量比設定在0.5以上,便可確保硬化後的耐熱性、耐濕性,藉由將該當量比設定在1.2以下,便可減少硬化後的環氧樹脂、與未反應殘留酚酚醛樹脂的量,將使耐遷移性呈良好。
其他的硬化劑係可舉例如:咪唑化合物及磷化合物。咪唑化合物係可使用例如融點150℃以上的咪唑化合物。若咪唑化合物的融點過低,焊錫凸塊的氧化膜將遭去除,在焊錫凸塊與電極進行金屬接合之前,黏著帶便將硬化,將有導致耦接呈不安定,黏著帶保存性降低的顧慮。所以,咪唑的融點最好達150℃以上。融點達150℃以上的咪唑化合物,係可舉例如:2-苯基羥基咪唑、2-苯基-4-甲基羥基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑等。另外,咪唑化合物的融點上限並無特別的限制,例如可配合黏著帶的黏著溫度而適當設定。
當硬化劑係使用咪唑化合物的情況,調配量係例如相對於黏著帶調配成分的合計量,將設定為0.005重量%以上、10重量%以下,最好0.01重量%以上、5重量%以下。藉由將咪唑化合物的調配比設定在0.005重量%以上,便可更有效地發揮熱硬化性樹脂的硬化觸媒機能,將可提升黏著帶的硬化性。此外,藉由將咪唑化合物的調配比設定在10重量%以下,在焊錫熔融的溫度下,樹脂的熔融黏度將不致過高,可獲得良好的焊錫接合構造。且,將可更加提升黏著帶的保存性。
磷化合物係可舉例如:三苯膦;四取代鏻與多官能基酚化合物的分子性化合物;四取代鏻、質子授體及三烷氧基矽烷化合物的分子性化合物等磷化合物。該等之中,最好為黏著薄膜的速硬化性、對半導體元件鋁墊的腐蝕性、以及黏著薄膜保存性更優越的四取代鏻與多官能基酚化合物之分子性化合物、以及四取代鏻、質子授體及三烷氧基矽烷化合物的分子性化合物。
四取代鏻與多官能基酚化合物的分子性化合物、以及四取代鏻、質子授體及三烷氧基矽烷化合物的分子性化合物,並非僅單純為該等各化合物的混合物而已,而是具有鹽構造或超分子構造等構造的分子性化合物。
四取代鏻係就從黏著薄膜硬化性與保存性均衡的觀點,最好在磷原子上配位著4個烷基或芳香族化合物的四取代鏻。
四取代鏻的取代基並無特別的限制,取代基係可為互同,亦可互異,諸如取代或無取代的芳香基或烷基。最好為具有取代或無取代芳香基或烷基的四取代鏻離子,因為對熱與水解均將呈安定。具體的四取代鏻係可舉例如:四苯鏻、四甲苯鏻、四乙基苯鏻、四甲氧基苯鏻、四萘鏻、四苄鏻、乙基三苯鏻、正丁基三苯鏻、2-羥基乙基三苯鏻、三甲基苯鏻、甲基二乙基苯鏻、甲基二烯丙基苯鏻、四正丁鏻等。該等之中,就從黏著薄膜的速硬化性與保存性均衡觀點,最好為四苯鏻。
四取代鏻與多官能基酚化合物的分子性化合物中之多官能基酚化合物,係指酚性羥基中至少1個羥基的氫將脫離,而形成苯氧基的酚化合物。具體係可舉例如:羥基苯化合物、雙酚化合物、雙酚化合物、羥基萘化合物、酚酚醛樹脂、酚芳烷樹脂等。
此種多官能基酚化合物係可舉例如:雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)甲烷(通稱:四甲基雙酚F)、4,4’-磺酸基二酚、及4,4’-異亞丙基二酚(通稱:雙酚A)、雙(4-羥苯基)甲烷、雙(2-羥苯基)甲烷、(2-羥苯基)(4-羥苯基)甲烷、以及雙(4-羥苯基)甲烷與雙(2-羥苯基)甲烷與(2-羥苯基)(4-羥苯基)甲烷的混合物(例如本州化學工業(股)製、雙酚F-D)等雙酚類;1,2-苯二醇、1,3-苯二醇、及1,4-苯二醇等二羥基苯類;1,2,4-苯三醇等三羥基苯類;1,2-二羥基萘、及1,6-二羥基萘等二羥基萘類、及其異構物;2,2’-雙酚、及4,4’-雙酚等雙酚類、及其異構物等。其中,就從速硬化性與保存性的均衡優越之觀點,最好為1,2-二羥基萘、及4,4’-磺酸基二酚。
四取代鏻、質子授體及三烷氧基矽烷化合物的分子性化合物中之質子授體,並無特別的限制,可舉例如:1,2-環己二醇、1,2-乙二醇、3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮及甘油等脂肪族羥基化合物;甘醇酸及硫代醋酸等脂肪族羧酸化合物;苯偶姻、鄰苯二酚、五倍子酚、没食子酸丙酯、鞣酸、2-羥基苯胺、2-羥基苄醇、1,2-二羥基萘及2,3-二羥基萘等芳香族羥基化合物;水楊酸、1-羥基-2-萘甲酸及3-羥基-2-萘甲酸等芳香族羧酸化合物等等。
質子授體中,就從磷化合物的安定性觀點,最好為芳香族二羥化合物。
芳香族二羥化合物係可舉例如:鄰苯二酚、五倍子酚、没食子酸丙酯、1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1,8-二羥基萘、2,2’-雙酚及鞣酸等具有含芳香族環之有機基的芳香族羥基化合物;2,3-二羥基吡啶及2,3-二羥基喹啉等具有含雜環之有機基的二羥化合物。該等之中,最好為鄰苯二酚、2,2’-雙酚、1,2-二羥基萘、及2,3-二羥基萘。
三烷氧基矽烷化合物係可舉例如:含有具取代或無取代芳香族環之取代基的三烷氧基矽烷化合物、具有取代或無取代脂肪族基的三烷氧基矽烷化合物、含有具取代或無取代雜環之取代基的三烷氧基矽烷化合物等。
含芳香族環的基係可舉例如:苯基、五氟苯基、苯基、甲氧基苯基、甲苯基、氟苯基、氯苯基、溴苯基、硝化苯基、氰基苯基、胺苯基、胺苯氧基、N-苯基苯胺基、N-苯基苯胺基丙基、苯氧基丙基、苯基乙炔基、茚基、萘基、及聯苯基等。
脂肪族基係可舉例如:甲基、乙基、丙基、丁基、己基、環氧丙醇丙基、硫醇基丙基、胺丙基、苯胺基丙基、丁基、己基、辛基、氯甲基、溴甲基、氯丙基、氰基丙基、二乙胺基、乙烯基、烯丙基、甲基丙烯醯氧基甲基、甲基丙烯醯氧基丙基、戊二烯基、雙環庚基、雙環庚烯基、及乙炔基等。
含雜環的基係可舉例如:吡啶基、吡咯啉基、咪唑基、吲哚基、三唑基、苯并三唑基、咔唑基、三基、哌啶基、喹啉基、嗎啉基、呋喃基、糠基及噻嗯基等。該等之中,就從內涵觸媒(latent catalyst)的矽酸酯陰離子安定性觀點,最好為乙烯基、苯基、萘基、及環氧丙醇丙基。
含有具取代或無取代芳香族環之基的三烷氧基矽烷化合物,係可舉例如:苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、五氟苯基三乙氧基矽烷、1-萘基三甲氧基矽烷、及(N-苯胺基丙基)三甲氧基矽烷等。
具有取代或無取代脂肪族基的三烷氧基矽烷化合物,係可舉例如:甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、3-環氧丙醇丙基三甲氧基矽烷、3-硫醇基丙基三甲氧基矽烷、及3-胺丙基三甲氧基矽烷等。
含有具取代或無取代雜環之基的三烷氧基矽烷化合物,係可舉例如:2-(三甲氧基矽烷基乙基)吡啶、及N-(3-三甲氧基矽烷基丙基)吡咯等。另外,脂肪族基的取代基係可舉例如:環氧丙基、硫醇基、及胺基等,而芳香族環與雜環的取代基係可舉例如:甲基、乙基、羥基、及胺基等。
當硬化劑係使用磷化合物的情況,調配量係例如相對於黏著帶調配成分的合計量,將設定在0.005重量%以上、10重量%以下,最好0.01重量%以上、5重量%以下。藉由將磷化合物的調配比設定在0.005重量%以上,便可更加發揮熱硬化性樹脂的硬化觸媒機能,將可提升黏著帶的硬化性。此外,藉由將磷化合物的調配比設定在10重量%以下,便可使焊錫熔融溫度下的樹脂熔融黏度不致過高,俾可獲得良好的焊錫接合構造。且,將可更加提升黏著帶的保存性。
該等硬化劑係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。
薄膜形成性樹脂係可使用例如:苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽氧烷改質聚醯亞胺樹脂、聚丁二烯、聚丙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、聚縮醛樹脂、聚乙烯基縮丁醛樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、丁基橡膠、氯丁二烯橡膠、聚醯胺樹脂、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚醋酸乙烯酯、尼龍、丙烯酸橡膠等。該等係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。
當薄膜形成性樹脂係使用苯氧基樹脂的情況,最好為數量平均分子量5000~15000的苯氧基樹脂。藉由使用此種苯氧基樹脂,便可抑制硬化前的黏著帶流動性,俾可將層間厚度形成均勻。苯氧基樹脂的骨架係有如:雙酚A型、雙酚F型、聯苯骨架型等,惟並不僅侷限於該等。最好為飽和吸水率1%以下的苯氧基樹脂,因為在接合時、或在焊錫安裝時的高溫下,仍可抑制發生發泡與剝離等情況,故將屬較佳狀況。
再者,上述薄膜形成性樹脂係在提升黏著性、以及與其他樹脂間之相溶性之目的下,將可使用具有腈基、環氧基、羥基、羧基的樹脂,此種樹脂係可使用例如丙烯酸橡膠。
當薄膜形成性樹脂係使用丙烯酸橡膠的情況,將可提升薄膜狀黏著帶製作之際的成膜安定性。且,因為將使黏著帶的彈性率降低、減少被黏著物與黏著帶間之殘留應力,因而將可提升對被黏著物的密接性。
丙烯酸橡膠最好為所含有的單體單位係具環氧基、羥基、羧基、或腈基等的(甲基)丙烯酸酯共聚物。藉此,將可提升半導體元件背面、及半導體元件上的防護材等對被黏著物的密接性。此種(甲基)丙烯酸酯共聚物所使用的單體係可舉例如:具環氧丙基的(甲基)丙烯酸環氧丙酯、具羥基的(甲基)丙烯酸酯、具羧基的(甲基)丙烯酸酯、具腈基的(甲基)丙烯腈等。
該等之中,特別以使用所含單體單位為具有羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物為佳。藉此,便可更加促進黏著薄膜的硬化,俾可提升對被黏物的黏著性。
當使用所含單體單位係具有羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物時,具有羧基的單體單位在共聚物中的含有量,係就從更加提升對被黏著物的黏著性之觀點,將設定為例如(甲基)丙烯酸酯共聚物整體的0.5重量%以上,最好1重量%以上。此外,具有羧基的單體單位含有量,係就從更加提升黏著薄膜保存性的觀點,將設定為例如(甲基)丙烯酸酯共聚物整體的10重量%以下,最好5重量%以下。
(甲基)丙烯酸酯共聚物的重量平均分子量係例如1000以上、100萬以下,最好3000以上、80萬以下。藉由設定為上述範圍,便可更加提升黏著薄膜的成膜性,且可確保黏著時的流動性。
(甲基)丙烯酸酯共聚物的重量平均分子量係例如可利用凝膠滲透色層分析儀(GPC)施行測定,測定條件例係例如使用Tosoh(股)製、高速GPC SC-8020裝置,且管柱係使用TSK-GEL GMHXL-L,溫度40℃,溶劑係使用四氫呋喃。
(甲基)丙烯酸酯共聚物的玻璃轉移溫度係就抑制黏著薄膜的黏著過強,俾更加提升作業性的觀點,將設定為例如0℃以上,最好5℃以上。此外,(甲基)丙烯酸酯共聚物的玻璃轉移溫度,係就從更加提升低溫下的黏著性觀點,將設定為例如30℃以下,最好20℃以下。
(甲基)丙烯酸酯共聚物的玻璃轉移溫度係例如使用熱機械特性分析裝置(精工儀器(股)製、TMA/SS6100),並依一定荷重(10mN),一邊從-65℃依升溫速度5℃/分進行溫度上升,一邊施行拉伸時,從轉變點便可進行測定。
薄膜形成性樹脂的調配量係例如相對於黏著帶調配成分的合計量,將可設定為5重量%以上、45重量%以下。當薄膜形成性樹脂係依上述範圍內進行調配時,便可抑制成膜性降低情形,且將抑制黏著帶經硬化後的彈性率增加,因而將可更加提升與被黏著物間之密接性。此外,藉由設定為上述範圍內,便可抑制黏著帶的熔融黏度增加。
再者,本發明的黏著帶亦可更含有矽烷偶合劑。藉由設為含有矽烷偶合劑的構造,便可更加提高黏著帶對被黏著物的密接性。矽烷偶合劑係可舉例如:環氧矽烷偶合劑、含芳香族的胺基矽烷偶合劑等。該等係可單獨使用、亦可組合使用2種以上。矽烷偶合劑的調配量係相對於黏著帶調配成分的合計量,將可設定為例如0.01~5重量%。
再者,本發明的黏著帶尚可含有除上述以外的成分。例如為提升樹脂相溶性、安定性、作業性等各種特性,亦可適當添加各種添加劑。
相關本發明黏著帶之製作方法進行說明。黏著帶係將助熔劑活性化合物、熱硬化性樹脂、及薄膜形成性樹脂進行混合,再塗佈於聚酯薄片等剝離基材上,經依既定溫度施行乾燥後便可獲得。
本發明一實施形態中,黏著帶係在經氧化處理過的銅板表面上貼附著黏著帶,並在大氣中,於230℃下施行1分鐘還原處理時,依上述式(1)所示銅板氧化銅還原率將達70%以上。助熔劑活性化合物係具有將電路基板的電極表面之氧化膜還原,而將氧化膜摘除的還原力。將氧化膜摘除,並防止發生耦接不良情況的足夠氧化銅還原率係70%以上。此外,若考慮提高接合機率、以及經接合後在各種環境下的接合可靠度等因素,氧化銅還原率最好達75%以上,尤以80%以上為佳。
其次,針對該氧化銅還原條件(230℃、1分鐘)進行說明。因為助熔劑活性化合物對氧化銅的還原作用,將在較高於助熔劑活性化合物融點的高溫度下顯現,因而氧化銅還原溫度將可依照助熔劑活性化合物而適當變更。另一方面,電路基板進行層間耦接之際,將使用Sn/3.5Ag(221℃)、Sn-3.0Ag-0.5Cu(217℃)、Sn-58Bi(139℃)等無鉛焊錫,該等的融點幾乎均在230℃以下。所以,本發明實施形態中,將使用230℃的氧化銅還原溫度。此外,還原時間係就考慮助熔劑活性化合物的熔融、對氧化銅表面的潤濕、及顯示出還原作用的時間、以及還原作用不均等因素,將設定為1分鐘。
氧化銅(CuO)還原率係可從下式(1)所示,並依照下述測定方法進行求取。
(定義)氧化銅還原率(%)={1-(還原處理後的O原子濃度)/(氧化處理後的O原子濃度)}×100………式(1)
(測定方法)(1)將70 μm厚的銅板(三井金屬(股)製、3EC-3、2~3 μm厚),利用市售蝕刻液施行軟蝕刻。
(2)將經軟蝕刻過的銅板利用烤箱,於大氣中、220℃下,施行30分鐘的氧化處理。
(3)在經氧化處理過的銅板表面上,貼附著25 μm厚的黏著帶,並在大氣中、230℃下,施行1分鐘的還原處理。
(4)經步驟(3)的還原處理後,於1分鐘以內,利用丙酮將經還原處理過的銅板表面之黏著帶成分去除。
(5)將經去除樹脂成分後的銅板,迅速移入真空乾燥器中,實施真空乾燥,而使銅板面乾燥。且,銅板係直到施行ESCA測定為止前,均依維持真空狀態保存。
(6)利用電漿處理,僅去除經氧化處理過的銅板且經還原處理過的銅板表面40。接著,利用ESCA(ULVAC PHI公司製)施行Cu及O原子濃度的測定。電漿處理與ESCA測定係在真空中環境中實施。利用電漿處理將銅板表面40去除之目的,係為排除當施行測定時的處置之際,受表面遭氧化部分的影響。再者,所使用的ESCA測定條件係如下:(i)光電子逃逸角 45deg(ii)X線源 Alk α線(單色)(iii)分析範圍 0.8mm。
(7)利用上述式(1),計算出氧化銅還原率。
本發明一實施形態中,黏著帶係在黏著帶上配置著直徑500 μm的含錫之焊錫球,當依較焊錫球融點高出30℃的溫度施行20秒加熱時,依上述式(2)所示焊錫潤濕擴散率將達40%以上。助熔劑活性化合物係具有將焊錫凸塊的氧化膜還原,而降低焊錫的表面張力,俾使焊錫的潤濕呈良好的作用。當使用焊錫凸塊將電路基板施行金屬接合時,焊錫的潤濕擴散率越大,將越能助長金屬間的鍵結,俾增加接合強度。能防止接合不良情況發生的足夠焊錫潤濕擴散率係40%以上。此外,若考慮提高接合機率,以及在接合後的各種環境下之接合可靠度等因素,焊錫潤濕擴散率最好達45%以上,尤以50%以上為佳。
其次,針對焊錫潤濕擴散率的測定條件(較焊錫球融點高出30℃的溫度、20秒加熱)進行說明。必需至少高於Sn/Ag(221℃)、Sn-3.0Ag-0.5Cu(217℃)、Sn-58Bi(139℃)等無鉛焊錫球的融點。此外,為能減輕焊錫球潤濕擴散程度的偏差,本發明實施形態中,將依較焊錫球融點高出30℃的溫度施行加熱。加熱時間係經考慮助熔劑活性化合物的熔融、在焊錫球表面上的移動、焊錫球截至潤濕擴散的時間、以及焊錫潤濕擴散程度的偏差等因素,將設定為20秒。
焊錫潤濕擴散率係從下式(2)所示,並依照下述測定方法進行求取。
(定義)焊錫潤濕擴散率(%)=[{(焊錫球直徑)一(潤濕擴散後的焊錫厚度)}/(焊錫球直徑)]×100………式(2)
(測定方法)(1)在配對Cu板(平井精密工業公司(股)製)上,貼附著厚度15 μm黏著帶。
(2)在黏著帶上靜置下述直徑500 μm焊錫球。(i)Sn/63Pb(融點183℃、千住金屬工業(股)製)(ii)M31(Sn/Ag/Cu、融點217℃、千住金屬工業(股)製)(iii)L20(Sn/Bi、融點138℃、千住金屬工業(股)製)
(3)根據ASTM B 545,將加熱板加熱至較各焊錫融點高出30℃的溫度,再將上述樣品在加熱板上施行20秒鐘加熱。
(4)測量在配對Cu板上潤濕擴散的焊錫球高度。
(5)從上述式(2)計算出焊錫潤濕擴散率。
本發明一實施形態中,黏著帶係厚度100 μm、223℃下的熔融黏度10Pa.s以上、且10000Pa.s以下。藉由設定為10Pa.s以上的熔融黏度,便可抑制在加熱時黏著帶因從被黏著物中滲出而降低黏著可靠度的情況發生,且,亦可抑制因滲出而導致周邊構件遭受污染的情形。此外,尚可防止氣泡發生、上下電路基板未填充等不良情形。更可防止焊錫過度潤濕擴散,導致鄰接電極間出現短路的問題。藉由設定在10000Pa.s以下,當將焊錫凸塊與電路基板電極進行金屬接合之際,便可抑制因焊錫凸塊與電路基板電極間的樹脂遭受排除而發生接合不良的情況。熔融黏度最好100Pa.s以上、3000Pa.s以下,尤以300Pa以上、1500Pa.s以下為佳。
本發明一實施形態中,黏著帶係將厚度100 μm黏著帶,利用黏彈性測定裝置依升溫速度10℃/min、頻率0.1Hz施行測定時,在25~250℃下的最低熔融黏度將為1Pa.s以上、10000Pa.s以下。此處所謂「最低熔融黏度」係指依上述測定條件施行熔融黏度測定時,在25~250℃範圍內的最低熔融黏度。藉由設定為1Pa.s以上的最低熔融黏度,便可無關焊錫凸塊的種類,均能抑制在加熱時黏著帶因從被黏著物中滲出而降低黏著可靠度的情況發生,且,亦可抑制因滲出而導致周邊構件遭受污染的情形。此外,尚可防止氣泡發生、上下電路基板未填充等不良情形。更可防止焊錫過度潤濕擴散,導致鄰接電極間出現短路的問題。藉由將最低熔融黏度設定在10000Pa.s以下,當將焊錫凸塊與電路基板電極進行金屬接合之際,便可抑制因焊錫凸塊與電路基板電極間的樹脂遭受排除而發生接合不良的情況。最低熔融黏度最好3Pa.s以上、3000Pa.s以下,尤以5Pa以上、500Pa.s以下為佳。
黏著帶的熔融黏度係依照以下的測定方法進行求取。
(測定方法)將厚度100 μm黏著帶使用黏彈性測定裝置(Rheo Stress RS-10 HAAKE(股)製),依升溫速度10℃/min、頻率0.1Hz,利用應變一定-應力檢測進行測定,將Sn/3.5Ag融點之環境溫度為223℃時的黏度,視為223℃下的熔融黏度測定值。此外,將25℃~250℃間的最低熔融黏度視為「最低熔融黏度測定值」。
本發明的黏著帶係滿足上述範圍的氧化銅還原率、焊錫潤濕擴散率、及熔融黏度中之1種,最好2種,尤以全部滿足為佳。
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分,惟並不僅侷限於該等。所示的各成分調配量,係以調配成分合計為基準的重量%。
(i)苯氧基樹脂 5~30重量%(ii)液狀雙酚A型環氧樹脂 40~70重量%(iii)酚酚醛樹脂 10~25重量%(iv)具有酚性羥基的助熔劑活性化合物 5~20重量%。
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)苯氧基樹脂 5~30重量%(ii)液狀雙酚A型環氧樹脂 40~70重量%(iii)酚酚醛樹脂 10~25重量%(iv)具有羧基的助熔劑活性化合物 5~20重量%。
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)苯氧基樹脂 5~30重量%(ii)液狀雙酚A型環氧樹脂 40~70重量%(iii)酚酚醛樹脂 10~25重量%(iv)具有酚性羥基與羧基的助熔劑活性化合物5~20重量%
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)苯氧基樹脂 5~30重量%(ii)液狀雙酚A型環氧樹脂 40~70重量%(iii)咪唑 0.01~5重量%(iv)具有酚性羥基及羧基的助熔劑活性化合物5~20重量%。
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)丙烯酸橡膠 15~45重量%(ii)固態3官能基環氧樹脂 15~60重量%(iii)雙酚F型環氧樹脂 9~10重量%(iv)酚酚醛樹脂 10~25重量%(v)咪唑 0.01~5重量%(vi)具有羧基的助熔劑活性化合物 5~20重量%(vii)矽烷偶合劑 0.01~1重量%。
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)丙烯酸橡膠 15~45重量%(ii)固態3官能基環氧樹脂 15~60重量%(iii)雙酚P型環氧樹脂 9~10重量%(iv)酚酚醛樹脂 5~25重量%(v)磷系化合物 0.01~5重量%(vi)具有酚性羥基與羧基的助熔劑活性化合物5~20重量%
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)丙烯酸橡膠 15~45重量%(ii)固態3官能基環氧樹脂 15~60重量%(iii)酚酚醛樹脂 5~25重量%(iv)咪唑 0.01~5重量%(v)具有酚性羥基與羧基的助熔劑活性化合物5~20重量%
藉由上述配方,將可更加提升加熱時的熔融黏度降低與硬化性的均衡,因而將可使焊錫凸塊熔融而確實地施行電路基板的層間耦接。另外,上述調配例中,藉由將丙烯酸橡膠(i)的調配量設為15~45重量%,便可兼顧黏著帶的黏著性與加熱時的熔融黏度均衡。此外,藉由將固態3官能基環氧樹脂(ii)、酚酚醛樹脂(iii)、及咪唑(iv)的調配量設定為上述範圍,便可降低黏著帶在硬化前的熔融黏度降低,因而將可獲得良好的焊錫耦接構造,且可獲得過度硬化性。更,藉由將具有酚性羥基與羧基的助熔劑活性化合物(v)設定為上述範圍,便可兼顧焊錫接合時的助熔劑活性與黏著帶硬化後的離子遷移性。
本發明較佳實施形態中,黏著帶係含有以下的成分:(i)丙烯酸橡膠 15~45重量%(ii)固態3官能基環氧樹脂 15~60重量%(iii)酚酚醛樹脂 5~25重量%(iv)磷系化合物 0.01~5重量%(v)具有酚性羥基與羧基的助熔劑活性化合物5~20重量%
藉由上述配方,將可更加提升加熱時的熔融黏度降低與硬化性的均衡,因而將可使焊錫凸塊熔融而確實地施行電路基板的層間耦接。另外,上述調配例中,藉由將丙烯酸橡膠(i)的調配量設為15~45重量%,便可兼顧黏著帶的黏著性與加熱時的熔融黏度均衡。此外,藉由將固態3官能基環氧樹脂(ii)、酚酚醛樹脂(iii)、及磷系化合物(iv)的調配量設定為上述範圍,便可降低黏著帶在硬化前的熔融黏度降低,因而將可獲得良好的焊錫耦接構造,更可兼顧適度的硬化性與保存性。更,藉由將具有酚性羥基與羧基的助熔劑活性化合物(v)設定為上述範圍,便可兼顧焊錫接合時的助熔劑活性與黏著帶硬化後的離子遷移性。
黏著帶係使用例如圖1所示積層體的製作。圖1所示係被耦接電路基板與具導通孔之單面電路基板,包夾黏著帶而接合的積層體。圖2所示係圖1所示積層體耦接部分的示意圖。就上基板L2s,將依將疊層絕緣層1覆蓋的方式設置銅箔2,並依覆蓋該銅箔2的方式設置核心材層3。在疊層絕緣層4中將設置介層柱7,並依覆蓋介層柱7的方式設置焊錫電鍍層6。黏著帶5係適用於將疊層絕緣層4與焊錫電鍍層6覆蓋。另一方面,就下基板L1,在核心材層9上將相隔間隔設置焊墊8。將上基板L2s與下基板L1施行加熱加壓而相互黏著,便獲得積層體。
雖已記載本發明的較佳實施形態,惟本發明並不僅侷限於該等。
以下,針對實施例進行說明。本發明並不僅侷限於下述實施例。
(黏著帶之製作)將依以下表1所示成分,溶解於諸如:甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑、或諸如醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系有機溶劑、或諸如丙酮、甲乙酮等酮系有機溶劑中,再將所獲得的清漆塗佈於聚酯薄片上,並依上述溶劑將揮發的溫度施行乾燥,便獲得黏著帶。另外,表中的調配量係相對於調配成分合計量的重量%。
使用以下表2所示成分,並使用與實施例1~33所記載的相同方法,獲得黏著帶。
(氧化銅還原率之測定)使用實施例1~33、以及比較例1與2的各黏著帶,依照上述測定方法施行氧化銅還原率的測定。結果如以下表1與2所示。
(焊錫潤濕擴散率之測定)使用實施例1~33的各黏著帶,依照上述測定方法施行焊錫潤濕擴散率的測定。結果如以下表1所示。
(熔融黏度之測定)使用實施例1~29、以及比較例1與2的各黏著帶,依照上述測定方法施行熔融黏度測定。結果如以下表1與2所示。此外,使用實施例30~33的各黏著帶,根據上述測定方法,施行最低黏著黏度的測定。結果如以下表1所示。
(樹脂流動係數之測定)測定實施例1~33、以及比較例1與2的各黏著帶之樹脂流動係數測定。
樹脂流動係數係從下式(4)所示,依照以下的測定方法進行求取。
(定義)樹脂流動係數=(加熱後的面積)/(加熱前的面積)………式(4)
(測定方法)將5mm四方、厚度13 μm的黏著帶,黏貼於30mm×40mm、厚度1.1 μm玻璃基板上。接著,配設另外的30mm×40mm、厚度1.1 μm玻璃基板,並依1.0MPa且於加熱溫度250℃下施行30秒鐘加熱。從加熱前與加熱後的面積比計算出樹脂流動係數。結果如以下表1與2所示。
(耦接率之測定)使用實施例1~33、以及比較例1與2的各黏著帶,施行耦接率的測定。
(測定方法)(1)具導通孔之單面電路基板的製作對銅箔為12 μm、且支撐基材為預浸體(厚度200 μm)的雙層雙面板施行蝕刻,便形成佈線圖案。雙面形成厚度40 μm的疊層層,從佈線圖案側利用CO2
雷射形成直徑70 μm疊層開口部,利用過錳酸鉀水溶液施行去膠渣。對該疊層開口部施行電解銅電鍍,經形成距疊層層表面的高度為15 μm銅柱(直徑70 μm)後,再對該銅柱依形成厚度15 μm的方式施行焊錫(Sn/3.5Ag)電鍍,便形成導體柱。然後,個片化為25mm四方,便獲得具導通孔之單面電路基板。
(2)被耦接電路基板之製作對銅箔為12 μm、且支撐基材為預浸體(厚度400 μm)的雙層雙面板施行蝕刻,便形成佈線圖案。接著,經個片化為40mm四方角便獲得被耦接電路基板。另外,與具導通孔之單面電路基板的導體柱相接合的焊墊部分,係直徑400 μm。
(3)多層電路基板之製作在具導通孔之單面電路基板與被耦接電路基板的雙面上,使用對位用具導栓之夾具進行積層。接著,依260℃、0.5MPa施行60秒鐘壓合,便將具焊錫電鍍之導體柱與內層電路基板的焊墊進行焊錫熔融接合,而將層間接合。然後,為使黏著帶硬化,便施加180℃、60分鐘的熱經歷便獲得多層電路基板。
(4)耦接率之測定將依上述方法所獲得多層電路基板的層間耦接抵抗,利用數位電錶測定20個地方。測定係就多層電路基板製作後,以及依照-65℃且1小時、150℃且1小時的溫度循環施行1000循環後的二種情況進行測定。結果如以下表1與2所示。
判定基準○:20/20導通。
△:18~20/20導通。
×:18以下/20導通。
(樹脂滲出之測定)使用實施例1~33、以及比較例1與2的各黏著帶,施行樹脂滲出的測定。
(測定方法)依照如同上述耦接率之測定方法中所記載的相同方法,製作多層電路基板,觀察從多層電路基板中滲出的樹脂量。結果如以下表1與2所示。
判定基準○:完全無觀察到樹脂滲出。
△:雖有觀察到樹脂滲出,但是並未將多層電路基板的層間橋接。
×:樹脂將多層電路基板的層間橋接。
(接合部截面之測定)使用實施例1~33、以及比較例1與2的各黏著帶,施行接合部截面的觀察。
(測定方法)依照如同上述耦接率中所記載的相同方法,製作多層電路基板,並利用環氧樹脂硬化物埋藏,且對截面施行研磨,再就層間耦接部分的10個地方利用SEM(掃描式電子顯微鏡)進行觀察。截面的觀察係就多層電路基板製作後,以及依照-65℃且1小時、150℃且1小時的溫度循環施行1000循環後的二種情況進行測定。結果如以下表1與2所示。
判定基準○:與初期並無變化△:相較於初期之下,正開始出現變形或部分龜裂×:發生斷路不良(耦接部龜裂等)、或短路(耦接部橋接)
依照上述結果,實施例1~29的黏著帶均具有70%以上的氧化銅還原率、40%以上的焊錫潤濕擴散率、以及100Pa.s以上、10000Pa.s以下的熔融黏度。實施例30~33的黏著帶均具有1Pa.s以上、10000Pa.s以下的最低熔融黏度。且,就樹脂流動係數、耦接率、樹脂滲出、及接合部截面的測定,均全部獲得良好結果。
1...疊層絕緣層
2...銅箔
3...核心材層
6...焊錫電鍍層
7...介層柱
8...焊墊
9...核心材層
L1...下基板
L2s...上基板
圖1為使用黏著帶的多層電路基板。
圖2係圖1所示多層電路基板耦接部分的示意圖。
L1...下基板
L2s...上基板
Claims (10)
- 一種黏著帶,係用以配置於設有具備含銅電極之一面的電路基板之上述一面上者,其特徵在於含有:具羧基的助熔劑活性化合物及/或含有酚性羥基之單體類所構成的助熔劑活性化合物、熱硬化性樹脂、及薄膜形成性樹脂;上述助熔劑活性化合物的調配量係相對於上述黏著帶調配成分的合計量為5重量%以上且30重量%以下;上述薄膜形成性樹脂的調配量係相對於上述黏著帶調配成分的合計量為5重量%以上且45重量%以下;當在經氧化處理過的銅板表面上貼附該黏著帶,並於大氣中、230℃下施行1分鐘還原處理時,依下式(1)所示之該銅板的氧化銅還原率為70%以上,上述氧化銅還原率係依照下述[1]至[7]所示之條件予以測定;氧化銅還原率(%)={1-(還原處理後的O原子濃度)/(氧化處理後的O原子濃度)}×100…式(1);[1]將70μm厚的銅板施行軟蝕刻;[2]將經軟蝕刻過的銅板於大氣中、220℃下,施行30分鐘氧化處理;[3]在經氧化處理過的銅板表面上貼附25μm厚的該黏著帶,並在大氣中、230℃下,施行1分鐘還原處理;[4]經步驟[3]的還原處理後,於1分鐘以內,利用丙酮將位於經還原處理過的銅板表面之該黏著帶去除;[5]使經去除該黏著帶後的銅板於真空乾燥器內真空乾燥; [6]利用電漿處理,去除僅進行步驟[1]及[2]所獲得之經氧化處理後的銅板、及進行步驟[1]至[5]所獲得之經還原處理後的銅板之各表面40Å後,利用ESCA分別測定O原子濃度,而獲得經上述氧化處理後的O原子濃度、及經上述還原處理後的O原子濃度;[7]利用上述式(1),計算出氧化銅還原率。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶,其中,上述熱硬化性樹脂係環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第2項之黏著帶,其中,上述熱硬化性樹脂係含有硬化劑。
- 如申請專利範圍第3項之黏著帶,其中,上述硬化劑係咪唑化合物。
- 如申請專利範圍第3項之黏著帶,其中,上述硬化劑係磷化合物。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶,其中,上述薄膜形成性樹脂係苯氧基樹脂或丙烯酸橡膠。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶,其中,更含有矽烷偶合劑。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶,其中,在該黏著帶上配置著直徑500μm的含錫之焊錫球,並依較該焊錫球融點高出30℃的溫度施行20秒加熱時,依下式(2)所示之焊錫潤濕擴散率將達40%以上;焊錫潤濕擴散率(%)=[{(焊錫球直徑)-(潤濕擴散後的焊錫厚度)}/(焊錫球直徑)]×100…式(2)。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶,其中,厚度100μm的該黏著帶在223℃下的熔融黏度係10Pa.s以上且10000Pa.s以下。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶,其中,將厚度100μm的該黏著帶利用黏彈性測定裝置,依升溫速度10℃/min、頻率0.1Hz施行測定時,25~250℃的最低熔融黏度係1Pa.s以上且10000Pa.s以下。
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