TWI408762B - 基板處理裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置及其製造方法
在本文中所揭露的本發明有關於基板處理裝置及其製造方法，且更特定而言，有關於一種模組總成(module assembly)式基板處理裝置及其製造方法。
在半導體元件的製造中，各種材料以薄膜形式沈積於晶圓上，然後經圖案化以形成半導體元件。為此，需要各種不同製程，諸如沈積製程、蝕刻製程、清洗製程和乾燥製程。在該等製程中之每一者期間，晶圓被載入至具有相應製程的最佳條件之製程腔室(process chamber)內/在具有相應製程的最佳條件之製程腔室中進行處理。
進來，隨著半導體元件小型化和高積集度之趨勢，需要高度準確和複雜的製程和較大直徑的晶圓。因此，由於單晶圓加工之組合製程或實施的增加而隨之造成的產量改良，使用多腔室方法之半導體製造裝置目前已備受關注。
多腔室方法之半導體製造裝置包括製程設備，和用於將晶圓從製程設備轉移進入或出來的設備前端模組(equipment front end module,EFEM)。製程設備包括載入單元/卸載單元、分度機器人(indexing robot)、緩衝單元、製程腔室和基板轉移機器人(substrate transfer robot)。
本發明提供一種基板處理裝置及其製造方法，該基板處理裝置模組化構件中之每一者以便容易地組裝/拆解和 維護/維修製程設備。
但本發明並不限於此，且參看下文的具體實施方式的詳細描述，本發明之其它目的可藉由熟習此項技術者容易地理解。
本發明之實施例提供一種基板處理裝置，包括：製程設備，其中執行基板處理製程；以及，安置在製程設備前側之設備前端模組，該設備前端模組將基板載入至製程設備內及自製程設備卸載基板。該製程設備包括：主架(main frame)；以及，可拆卸地安置到主架上的多個處理單元，多個處理單元以模組形式提供，使得根據基板處理製程之功能而相互作用的部件安置於一個獨立外殼內。
在某些實施例中，處理單元可包括：垂直於設備前端模組安置之基板轉移單元，該基板轉移單元轉移基板；以及，平行地安置於基板轉移單元兩側之多個基板處理單元，多個基板處理單元處理基板。
在其它實施例中，加工單元還可包括緩衝單元，該緩衝單元安置於基板轉移單元與設備前端模組之間並提供一空間，在該空間中暫時存放將要載入至製程設備內或將要自製程設備卸載之基板。
在另外的實施例中，基板處理單元中之每一者可包括：外殼；上部腔室和下部腔室，在其中執行基板處理製程，上部腔室和下部腔室竪直地安置於外殼內；以及，處理流體供應構件，其向上部腔室和下部腔室供應用於處理基板之處理流體，並自上部腔室和下部腔室排放處理基板 用過的處理流體，該處理流體供應部件安置於下部腔室的下方，並安置於該外殼內。
在另外的實施例中，加工單元還可包括處理流體分配單元，其分配流體至基板處理單元中之每一者的處理流體供應構件內，該處理流體分配單元垂直於基板轉移單元的端部安置。
在其它的實施例中，基板轉移單元可具有雙重結構(duplex structure)，使得基板轉移單元對應於基板處理單元的上部腔室和下部腔室。
在另外的實施例中，主架可為線性結構材料組成的空間形式。
在本發明的其它實施例中，基板處理裝置包括：製程設備，在其中執行單晶圓式基板清洗製程；以及，安置於製程設備前側之設備前端模組，該設備前端模組將基板載入至製程設備內或自製程設備卸載基板。其中製程設備包括：主架，其具有由線性結構材料組成的空間形式；以及，可拆卸地安置於主架上的多個處理單元，多個處理單元以模組形式提供，使得根據基板清洗製程的功能而相互作用的部件安置於一個獨立外殼內。
在某些實施例中，處理單元可包括：垂直於設備前端模組安置之基板轉移單元，該基板轉移單元轉移基板；以及，平行地安置於基板轉移單元兩側之多個清洗單元，多個清洗單元清洗基板。
在其它實施例中，加工單元還可包括緩衝單元，該緩 衝單元安置於基板轉移單元與設備前端模組之間並提供一空間，在該空間中暫時存放將要載入至製程設備內的基板或將要自製程設備卸載的基板。
在另外的實施例中，清洗單元中之每一者可包括：外殼；垂直地安置於外殼內的上部清洗腔室和下部清洗腔室，該上部清洗腔室和下部清洗腔室使用單晶圓加工方法來清洗基板；以及，處理流體供應構件，其向上部腔室和下部腔室供應處理溶液，並自上部清洗腔室和下部腔室排放清洗基板用過的處理溶液，該處理溶液供應構件安置於下部清洗腔室下方，並安置於該外殼內。
在其它實施例中，處理流體供應構件可包括：循環管線，其將處理流體循環至上部清洗腔室和下部清洗腔室內；以及，安置於循環管線上的泵、過濾器和加熱器。
在其它實施例中，處理單元還可包括處理流體分配單元，其分配處理流體至清洗單元中之每一者的處理流體供應構件內，該處理流體分配單元垂直於基板轉移單元端部安置。
在另外的實施例中，處理流體分配單元可包括：化學溶液分配單元，其分配化學溶液至清洗單元用於基板之化學處理製程；以及，沖洗溶液分配單元，其分配沖洗溶液至清洗單元用於基板之沖洗製程。
在另外的實施例中，基板轉移單元可包括雙重結構使得基板轉移單元對應於清洗單元的上部清洗腔室和下部清洗腔室。
在本發明的另外的實施例中，製造基板處理裝置之方法包括：根據執行基板處理製程的製程設備的佈局來構建主架；以及在主架中可拆卸地安裝處理單元，處理單元以獨立模組的形式提供。
在某些實施例中，加工單元可能以模組形式提供，使得根據基板處理製程的功能而相互作用的部件，安置於一個獨立的外殼內。為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式詳細說明如下。
在下文中，將參看附圖在下文更詳細地描述根據本發明之較佳實施例的基板處理裝置及其製造方法。在任何可能的情況下也應注意的是在理解附圖時類似的元件符號表示類似元件。在下文的描述中，在此描述中省略了熟知功能或構造，因為對熟知功能或構造的描述會因不必要的細節使本發明不清楚。
(實施例)
儘管在此實施例中示範性地描述了基板清洗裝置，但本發明並不限於此。本發明可適用於執行除了清洗製程之外的不同基板處理製程之多腔室型半導體製造裝置。
圖1是根據本發明之基板處理裝置的正視圖，且圖2是根據本發明之基板處理裝置的頂視圖。
參看圖1和圖2，根據本發明之用於清洗基板的基板處理裝置1，包括製程設備10和設備前端模組20。在製程 設備10中，使用單晶圓加工方法來執行清洗製程。設備前端模組20安置於製程設備10的前側。設備前端模組20在接納基板之容器C與製程設備10之間轉移基板。
設備前端模組20包括多個載入埠(load port)22和框架24。多個載入埠在一方向佈置成一排。框架24安置於載入埠22與製程設備10之間。接納基板之容器C通過諸如架空式轉移器(overhead transfer)、架空式輸送機(overhead conveyor)或無人搬運車(automatic guided vehicle)之轉移單元(未圖示)安置於載入埠22中之每一者上。諸如前開式晶圓盒(front open unified pod,FOUP)之關閉型容器(closed-type of container)可用作容器C。框架機器人(frame robot)(未圖示)和開門器(door opener)(未圖示)安置於框架24內。框架機器人在安置於載入埠22中之每一者上的容器C與製程設備10之間轉移基板。開門器自動地打開和關閉容器C的門。風機過濾器單元(fan filter unit)(未圖示)可安置於框架24中。風機過濾器單元供應潔淨空氣至框架24內使下降的空氣流流經框架24。
製程設備10包括主架100和多個加工單元200、300、400和500。主架是根據製程設備10之佈局構成製程設備10構架之結構。參看圖2，主架100可包括具有線性構件之結構。加工單元200、300、400和500根據製程設備10之佈局安置於主架100中。
提供加工單元200、300、400和500以清洗基板並根據清洗製程之功能而分成基板轉移單元200、緩衝單元 300、清洗單元400和處理溶液分配單元500。
基板轉移單元200垂直於設備前端模組20的另一側安置。緩衝單元300安置於基板轉移單元200與設備前端模組20之間。緩衝單元300提供一空間，其中暫時存放將要載入至製程設備10內或將要自製程設備10卸載的基板。清洗單元400(400a、400b、400c和400d)沿縱向平行地安置於基板轉移單元200的兩側以執行基板清洗製程。基板轉移單元200在緩衝單元300與清洗單元400a、400b、400c和400d之間和清洗單元400a、400b、400c和400d之間轉移基板。處理流體分配單元500垂直於基板轉移單元200的縱向端部安置。處理流體分配單元500將待自處理流體供應源(未圖示)供應且用於處理基板之處理流體供應至清洗單元400中之每一者(400a、400b、400c和400d)。
基板轉移單元200、緩衝單元300、清洗單元400和處理流體分配單元500可以安裝或獨立模組形式提供。模組表示相關部件安裝於一個獨立外殼中，以便允許加工單元200、300、400和500中之每一者獨立地執行上述功能中之每一者。參看圖3和圖4，以獨立模組形式提供之基板轉移單元200、緩衝單元300、清洗單元400和處理溶液分配單元500根據製程設備10之佈局可拆卸地安裝於主架100中。為了方便起見，在圖3和圖4中未說明基板轉移單元200和緩衝單元300。
清洗單元400a、400b、400c和400d平行地安置於基板轉移單元200的兩側。舉例而言，如圖3所說明，四個 清洗單元400a、400b、400c和400d可安置成基板轉移單元200的兩側各兩個。清洗單元400a、400b、400c和400d具有相同的組態。清洗單元400a和清洗單元400c，與清洗單元400b和清洗單元400d關於基板轉移單元200對稱地安置。該等清洗單元400a、400b、400c和400d中之一個清洗單元400a將在下文中示範性地描述。
參看圖5，清洗單元400a包括上部清洗腔室420、下部清洗腔室440和處理流體供應構件460。上部清洗腔室420、下部清洗腔室440和處理流體供應構件460被提供成一個模組。上部清洗腔室420和下部清洗腔室440在竪向安置。在腔室420和440中，使用單晶圓加工方法來執行清洗製程。基板轉移單元200具有雙重結構，使得第一基板轉移單元200a和第二基板轉移單元200b可分別對應於上部清洗腔室420和下部清洗腔室440。處理流體供應構件460安置於下部清洗腔室440的下方。處理流體供應構件460向上部清洗腔室450和下部清洗腔室440供應用於清洗基板之處理流體，並自上部清洗腔室420和下部清洗腔室440排放基板處理用過的處理流體。
上部清洗腔室420包括可旋轉的基板支撐構件422、噴嘴總成424和收集構件426。基板安置於基板支撐構件422上。噴嘴總成424向安置於基板支撐構件422上的基板供應處理流體。收集構件426安置於基板支撐構件422周圍。處理流體自噴嘴總成424供應至基板。在使用處理流體對基板執行清洗製程後，藉由收集構件426來收集用 過的處理溶液。在處理期間，基板支撐構件422可由驅動器423旋轉。在上部處理腔室420中進行處理期間，由於安置於上部清洗腔室420上部的風機過濾器單元428所形成的下降空氣流的作用，潔淨空氣自上部流向下部，且藉由排放構件(未圖示)來排放潔淨空氣。由於下部清洗腔室440和上部清洗腔室420具有相同的組態，因此將省略對下部清洗腔室440之描述。儘管在本文中未描述，元件符號422表示基板支撐構件，元件符號443表示驅動器，元件符號444表示噴嘴總成，元件符號446表示收集構件，且元件符號448表示風機過濾單元。
圖6是說明處理流體分配單元的管路系統之配置圖，且圖7是說明清洗單元之管路系統的配置圖。
參看圖6和圖7，處理流體供應構件460包括入口461a、461b和461c，可自處理流體分配單元500通過入口461a、461b和461c來供應用於清洗基板之化學溶液和沖洗溶液，處理流體分配單元500將在下文中描述。自入口461a和461c供應化學溶液且自入口461b供應沖洗溶液。自入口461a和461c供應之化學溶液儲存於化學溶液槽462a和462c中，且自入口461b供應之沖洗溶液儲存於沖洗溶液槽462b中。HF溶液、H3 SO4 溶液、NHO3 溶液、H3 PO4 溶液和SC-1溶液(NH4 OH、H2 O2 和H2 O的混合溶液)中之至少一者用作基板清洗製程中之化學溶液。去離子水(DIW)可用作沖洗溶液。
在加工期間，儲存於化學溶液槽462a和462c中之化 學溶液通過化學溶液供應管線463a、463’a、463c和463’c供應至上部清洗腔室420和下部清洗腔室440的噴嘴總成(圖5的元件符號424和444)。在上部清洗腔室420和下部清洗腔室440中清洗製程用過之化學溶液藉由收集構件(圖5中的元件符號426和446)和化學溶液排放管線464a、464’a、464c和464’c收集到化學溶液槽462a和462c內。收集到化學溶液槽462a和462c內的化學溶液通過排放管線465a和465c和出口466a和466c排放到外部。而且，收集到化學溶液槽462a和462c內的化學溶液可通過化學溶液供應管線463a、463’a、463c和463’c再次供應至上部清洗腔室420和下部清洗腔室440。化學溶液供應管線463a、463’a、463c和463’c與化學溶液排放管線464a、464’a、464c和464’c一起構成循環管線。泵467a、467’a、467c和467’c安置於化學溶液供應管線463a、463’a、463c和463’c上。此外，過濾器(未圖示)和加熱器(未圖示)可安置於化學溶液供應管線463a、463’a、463c和463’c上。
在處理期間儲存於沖洗溶液槽462b中之沖洗溶液通過沖洗溶液供應管線463b和463’b供應至上部清洗腔室420和下部清洗腔室440的噴嘴總成(圖5中的元件符號424和444)。在上部清洗腔室420和下部清洗腔室440中之清洗製程用過的沖洗溶液，通過沖洗溶液排放管線464b和464’b收集到沖洗溶液槽462b內。收集到沖洗溶液槽462b內之沖洗溶液，通過排泄管線465b和出口466b排放到外部。泵467b和467’b安置於沖洗溶液供應管線463b 和463’b上。
處理流體分配單元500包括第一化學溶液分配單元520、第二化學溶液分配單元540和沖洗溶液分配單元560。第一化學溶液分配單元520和第二化學溶液分配單元540分配自化學溶液供應源570a和570b所供應的之學溶液，以將所分配的化學溶液供應至清洗單元400a、400b、400c和400d。沖洗溶液分配單元560分配自沖洗溶液供應源580所供應之沖洗溶液，以將所分配的沖洗溶液供應至清洗單元400a、400b、400c和400d。儘管在圖6和圖7中處理流體分配單元500將化學溶液和沖洗溶液供應至清洗單元400a、400b、400c和400d中之清洗單元400a，但處理流體分配單元500也藉由相同組態將化學溶液和沖洗溶液供應至其它清洗單元400b、400c和400d。
第一化學溶液分配單元520和第二化學溶液分配單元540包括入口521和541，自化學溶液供應源570a和570b所供應之化學溶液流經入口521和541。入口521和541分別連接至化學溶液管線522和542。化學溶液管線522分成四個分配管線523a、523b、523c和523d。分配管線523a、523b、523c和523d分別連接至出口524a、524b、524c和524d。出口524a、524b、524c和524d中之出口524a連接至處理流體供應構件460之入口461a。化學溶液管線542分成四個分配管線543a、543b、543c和543d。分配管線543a、543b、543c和543d分別連接至出口544a、544b、544c和544d。出口544a、544b、544c和544d中之 出口544a連接至處理流體供應構件460之入口461c。
沖洗溶液分配單元560包括入口561，自沖洗溶液供應源580供應之沖洗溶液流經入口561。入口561連接至沖洗溶液管線562。沖洗溶液管線562分成四個分配管線563a、563b、563c和563d。分配管線563a、563b、563c和563d分別連接至出口564a、564b、564c和564d。出口564a、564b、564c和564d中之出口564a連接至處理流體供應構件460的入口461b。
如上文所述，本發明使製程設備10之處理單元，諸如基板轉移單元200、緩衝單元300、清洗單元400和處理溶液分配單元500模組化，且經模組化之處理單元200、300、400和500可拆卸地安裝於主架100中。因此，減少了製造該製程設備100所需的工作時間和工作勞動强度(work effort)。此外，還可更容易地執行處理單元200、300、400和500中之每一者的維護/維修。
上文所揭露的主旨應被認為是說明性的，而不是限制性的，且所附申請專利範圍預期涵蓋屬於本發明之精神和範疇內的所有該等修改、改進和其它實施例。因此，在法律許可的最大範圍內，可藉由對所附申請專利範圍和其均等物的最廣泛許可的解釋來決定本發明之範疇，且本發明之範疇不應認為受到前文的具體實施方式的描述限定或限制。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧製程設備
20‧‧‧設備前端模組
22‧‧‧載入埠
24‧‧‧框架
100‧‧‧主架
200‧‧‧基板轉移單元
200a‧‧‧第一基板轉移單元
200b‧‧‧第二基板轉移單元
300‧‧‧緩衝單元
400‧‧‧清洗單元
400a‧‧‧清洗單元
400b‧‧‧清洗單元
400c‧‧‧清洗單元
400d‧‧‧清洗單元
420‧‧‧上部清洗腔室
422‧‧‧基板支撐構件
423‧‧‧驅動器
424‧‧‧噴嘴總成
426‧‧‧收集構件
428‧‧‧風機過濾器單元
440‧‧‧下部清洗腔室
443‧‧‧驅動器
444‧‧‧噴嘴總成
446‧‧‧收集構件
448‧‧‧元件符號
460‧‧‧處理流體供應構件
461a‧‧‧入口
461b‧‧‧入口
461c‧‧‧入口
462a‧‧‧化學溶液槽
462b‧‧‧沖洗溶液槽
462c‧‧‧化學溶液槽
463a‧‧‧化學溶液供應管線
463b‧‧‧沖洗溶液供應管線
463c‧‧‧化學溶液供應管線
463’a‧‧‧化學溶液供應管線
463’b‧‧‧沖洗溶液供應管線
463’c‧‧‧化學溶液供應管線
464a‧‧‧化學溶液排放管線
464b‧‧‧沖洗溶液排放管線
464c‧‧‧化學溶液排放管線
464’a‧‧‧化學溶液排放管線
464’b‧‧‧沖洗溶液排放管線
464’c‧‧‧化學溶液排放管線
465a‧‧‧排放管線
465b‧‧‧排泄管線
465c‧‧‧排放管線
466a‧‧‧出口
466b‧‧‧出口
466c‧‧‧出口
467a‧‧‧泵
467b‧‧‧泵
467c‧‧‧泵
467’a‧‧‧泵
467’b‧‧‧泵
467’c‧‧‧泵
500‧‧‧處理溶液分配單元
520‧‧‧第一化學溶液分配單元
521‧‧‧入口
522‧‧‧化學溶液管線
523a‧‧‧分配管線
523b‧‧‧分配管線
523c‧‧‧分配管線
523d‧‧‧分配管線
524a‧‧‧出口
524b‧‧‧出口
524c‧‧‧出口
524d‧‧‧出口
540‧‧‧第二化學溶液分配單元
541‧‧‧入口
542‧‧‧化學溶液管線
543a‧‧‧分配管線
543b‧‧‧分配管線
543c‧‧‧分配管線
543d‧‧‧分配管線
544a‧‧‧出口
544b‧‧‧出口
544c‧‧‧出口
544d‧‧‧出口
560‧‧‧沖洗溶液分配單元
561‧‧‧入口
562‧‧‧沖洗溶液管線
563a‧‧‧分配管線
563b‧‧‧分配管線
563c‧‧‧分配管線
563d‧‧‧分配管線
564a‧‧‧出口
564b‧‧‧出口
564c‧‧‧出口
564d‧‧‧出口
570a‧‧‧化學溶液供應源
570b‧‧‧化學溶液供應源
580‧‧‧沖洗溶液供應源
C‧‧‧容器
圖1是根據本發明之基板處理裝置的正視圖。
圖2是根據本發明之基板處理裝置的頂視圖。
圖3是說明圖1和圖2之製程設備的組態的透視圖。
圖4是說明圖3之製程設備的組裝過程的視圖。
圖5是沿著圖2的線A-A’所截取的截面圖。
圖6是說明處理流體分配單元之管路系統的視圖。以及圖7是說明清洗單元之管路系統的視圖。
100‧‧‧主架
400a‧‧‧清洗單元
400b‧‧‧清洗單元
400c‧‧‧清洗單元
400d‧‧‧清洗單元
500‧‧‧處理溶液分配單元
520‧‧‧第一化學溶液分配單元
560‧‧‧沖洗溶液分配單元

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，包括：製程設備，其中執行基板處理製程；以及設備前端模組，將基板載入至所述製程設備內及自所述製程設備卸載基板，所述設備前端模組安置於所述製程設備的前側，其中所述製程設備包括：主架；可拆卸地安置於所述主架上之多個處理單元，所述多個處理單元以模組形式提供，安置於一個獨立的外殼內，所述多個處理單元包括：處理所述基板的多個基板處理單元以及轉移所述基板的基板轉移單元；至少一處理流體分配單元，安置於所述多個基板處理單元中的第一基板處理單元附近；所述多個基板處理單元平行地安置於所述基板轉移單元的一側；以及其中所述多個基板處理單元與所述基板轉移單元可拆卸地安置於所述主架上；以及其中所述多個基板處理單元包括竪直地安置於所述多個基板處理單元的底部上方的一或多個腔室，所述一或多個腔室接收或排放至少一處理流體，可操作所述基板處理裝置以從所述多個基板處理單元的所述底部接收所述至少一處理流體，以及其中所述底部接收來自所述至少一處理 流體分配單元的流體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中：所述基板轉移單元垂直於所述設備前端模組安置；以及所述多個基板處理單元平行地安置於所述基板轉移單元的兩側。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述處理單元還包括可拆卸地安置於所述主架上的緩衝單元，所述緩衝單元安置於所述基板轉移單元與所述設備前端模組之間以提供一空間，其中暫時存放將要載入至所述製程設備內或將要自所述製程設備卸載之所述基板。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述基板處理單元中之每一者包括：外殼；其中所述一或多個腔室包括上部腔室和下部腔室，在其中執行所述基板處理製程，所述上部腔室和下部腔室竪直地安置於所述外殼內；以及其中所述底部包括處理流體供應構件，其向所述上部腔室和下部腔室供應用於處理所述基板之處理流體，和自所述上部腔室和下部腔室排放處理所述基板用過的所述處理流體，所述處理流體供應構件安置於所述下部腔室下方，並安置於所述外殼內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基板處理裝置，其中所述至少一處理流體分配單元經由一或多個出口分配所述 處理流體至所述基板處理單元中之每一者的所述處理流體供應構件內，所述處理流體分配單元垂直於所述基板轉移單元的端部安置，以及其中所述處理流體分配單元可拆卸地安置於所述主架上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中所述基板轉移單元具有雙重結構，使得所述基板轉移單元對應於所述基板處理單元之所述上部腔室和所述下部腔室。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中所述主架是由線性結構材料組成之空間。
  8. 一種基板處理裝置，包括：製程設備，在其中執行單晶圓式基板清洗製程；以及安置於所述製程設備前側之設備前端模組，所述設備前端模組將晶圓載入至所述製程設備內及自所述製程設備卸載晶圓，其中所述製程設備包括：主架，具有由線性結構材料組成之空間；可拆卸地安置於所述主架上之多個處理單元，所述多個處理單元以模組形式提供，使得根據所述基板清洗製程的功能而相互作用的部件安置於一個獨立的外殼內，所述多個處理單元包括：轉移所述基板的至少一基板轉移單元；清洗所述基板的多個清洗單元，其中所述多個清洗單元平行地安置於所述基板轉移單元之一側；以及 至少一處理流體分配單元，安置於所述多個清洗單元中的第一清洗單元附近；其中所述多個清洗單元包括竪直地安置於所述清洗單元的底部上方的一或多個腔室，所述一或多個腔室接收或排放至少一處理流體，可操作所述基板處理裝置以從所述多個基板處理單元的所述底部接收所述至少一處理流體，以及其中所述底部接收來自所述至少一處理流體分配單元的流體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板處理裝置，其中：所述基板轉移單元垂直於所述設備前端模組安置；以及所述多個清洗單元平行地安置於所述基板轉移單元兩側。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中所述處理單元還包括緩衝單元，其安置於所述基板轉移單元與所述設備前端模組之間並提供一空間，其中暫時存放將要載入至所述製程設備內及將要自所述製程設備卸載之所述基板。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中所述清洗單元中之每一者包括：外殼；其中所述一或多個腔室包括竪直地安置於所述外殼內的上部清洗腔室和下部清洗腔室，所述上部清洗腔室和所述下部清洗腔室，使用單晶圓處理方法來清洗所述基板； 以及其中所述底部包括處理流體供應構件，其向所述上部腔室和下部腔室供應用於處理所述基板之所述處理流體，和自所述上部腔室和下部腔室排放處理所述基板用過的所述處理流體，所述處理流體供應構件安置於所述下部腔室下方，並安置於所述外殼內。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板處理裝置，其中所述處理流體供應構件包括：循環管線，循環所述處理流體至所述上部清洗腔室和下部清洗腔室內；以及安置於所述循環管線上之泵、過濾器和加熱器。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中所述至少一處理流體分配單元分配所述處理流體至所述清洗單元中之每一者的所述處理流體供應構件內，其中所述至少一處理流體分配單元的至少一部分垂直於所述基板轉移單元的端部安置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理裝置，其中所述處理流體分配單元包括：化學溶液分配單元，分配化學溶液至所述清洗單元用於所述基板之化學處理製程；以及沖洗溶液分配單元，分配沖洗溶液至所述清洗單元用於所述基板之清洗製程。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之基板處理裝置，其中所述基板轉移單元具有雙重結構，使得所述基板轉移單 元對應於所述基板單元之所述上部清洗腔室和所述下部清洗腔室。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中所述一或多個腔室與所述底部安置於所述主架上，使得其可同時由所述主架拆卸。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中多個所述基板轉移單元安置於所述主架上，使得其可同時由所述主架拆卸。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中所述基板轉移單元的長度對應於平行地安置於所述基板轉移單元的一側的所述基板處理單元的長度總合。
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