TWI403858B - 資訊處理設備、測量設備、電腦可讀取儲存媒體、以及處理干涉訊號之方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於測量測量標的表面的形狀之形狀測量設備、包含形狀測量設備的曝光設備、以及電腦,電腦係處理決定測量標的表面的形狀之干涉儀所提供的干涉訊號。
有不同的方法使用光干涉以測量測量標的表面的三維形狀。在這些方法中,使用白光干涉設計的方法利用白光具有低相干性的特性、並有效執行測量標的表面的三維形狀的精確測量。
有不同型式的白光干涉設計,包含米勞(Mirau)、邁克生(Michelson)、及林尼克(Linnik)。米勞型白光干涉設計的一設備是產品序列名「New View」的三維表面結構分析顯微鏡並可由市場上從Zygo公司取得。將參考圖6及7,說明三維表面結構分析顯微鏡(干涉儀)。
如圖6所示,物鏡610容納半鏡611和內部參考鏡612,形成參考光。在此顯微鏡中,參考光與測量標的表面620所反射的測量光相干涉。如圖7所示,在與測量標的表面620共軛的影像感測器650的影像感測平面上形成干涉影像。舉例而言,白光源640使用鹵素燈。驅動單元660垂直地驅動物鏡610。驅動單元660控制例如電容式感測器等位置感測器以偵測物鏡610的位置,以及,根據偵測結果,控制例如壓電元件等驅動元件以驅動物鏡610
。雖然驅動單元660改變物鏡610的位置(結果,改變測量光的光路徑長度),但是,影像感測器650感測每一位置的干涉影像。電腦捕捉影像感測器650感測的干涉影像,以及,執行頻域分析處理以取得垂直解析度0.1nm的測量標的表面的高度資料。此頻域分析處理使用FFT(快速傅立葉轉換),稱為FDA(頻域分析)。水平解析度的偵測範圍由從測量標的表面620至影像感測器650的成像放大倍數及影像感測器650的像素間距所決定。美國專利號5398113揭示此技術。
圖8顯示來自影像感測器650的給定像素之白光干涉訊號。白光干涉訊號也稱為干涉圖。橫軸表示由例如壓電元件等驅動元件驅動物鏡之後由電容感測器所取得的測量值。縱軸表示由影像感測器650的給定像素的輸出。測量白光干涉訊號的峰值位置,以及,與其對應並由例如電容感測器等位置感測器取得的測量值會作為在給定像素處的測量標的表面的高度測量值。在影像感測器650的所有像素處的測量標的表面之高度測量會允許三維形狀測量。
上述FDA方法,使用傅立葉光譜的相位梯度,計算對比的峰值位置。
在白光干涉設計中,測量解析度及精確度的關鍵在於取得光程差為零的位置之準確度。除了FDA方法之外,尚有數種條紋分析法被提出,例如相位交錯法及計算白光干涉條紋的包絡之方法,此計算方法使用相位偏移法或傅立葉轉換法以從條紋對比的最大位置取得光程差的零交會
點。
上述白光干涉設計使用與實際上的「白光」相當不同的光。更具體而言,大部份設備使用具有幾乎不是「白光」光譜分佈的光源。圖9顯示市場上可取得的白光LED之光源的光譜分佈的實施例。此白光LED使用藍光雷射作為原始光源,並因而在440nm的波長附近呈現具有高光強度峰值之部份凸出的的光譜分佈以及在500nm至700nm的波長範圍中580nm波長附近具有光強度峰值。使用此光源的白光干涉設計增加圖8中所示的白光干涉訊號的相干長度。由於白光干涉訊號的相干特性與原始的相干特性有偏差,所以,其無法取得高對比。這對於高精度的取得是一障礙。
除了光源之外,尚有不同的因素抑制理想的白光干涉。舉例而言,光學系統的光譜透射特徵、光電轉換器的分光光電轉換效率特徵、等等由於在所使用的頻率區中不是平坦的,所以它們會增加白光干涉訊號的相干長度。這將難以取得高對比的白光干涉訊號。
產生理想的白光干涉所需的光源、光學系統、及光電轉換器會造成龐大成本。
慮及上述問題而產生本發明,舉例而言,本發明以訊號處理來取得高對比干涉訊號作為其目的。
根據本發明的第一態樣,提供測量測量標的表面的形
狀之設備,其包括:干涉儀,配置成藉由光電轉換器感測來自測量標的表面的測量光與來自參考表面的參考光所形成的干涉光;及電腦,配置成將光電轉換器感測的第一干涉訊號作傅立葉轉換以取得相位分佈和振幅分佈、將振幅分佈整型、將相位分佈及經過整型的振幅分佈作反傅立葉轉換以取得第二干涉訊號、以及根據第二干涉訊號來決定測量標的表面的形狀。
根據本發明的第二態樣,提供電腦,其包括:傅立葉轉換單元,配置成將干涉儀的光電轉換器感測的第一干涉訊號作傅立葉轉換以取得相位分佈和振幅分佈,干涉儀以光電轉換器感測來自測量標的表面的測量光與參考光所形成的干涉光;整型單元,配置成將傅立葉轉換單元所取得的振幅分佈整型;反傅立葉轉換單元,配置成將傅立葉轉換單元所取得的相位分佈及整型單元所取得的振幅分佈作反傅立葉轉換,以取得第二干涉訊號;以及形狀判斷單元,配置成根據第二干涉訊號以判斷測量標的表面的形狀。
根據本發明的第三態樣,提供使電腦作為設備的程式,包括:傅立葉轉換單元,配置成將干涉儀的光電轉換器感測的第一干涉訊號作傅立葉轉換以取得相位分佈和振幅分佈
,光電轉換器是感測來自測量標的表面的測量光與參考光所形成的干涉光;整型單元,配置成將傅立葉轉換單元所取得的振幅分佈整型;反傅立葉轉換單元,配置成將傅立葉轉換單元所取得的相位分佈及整型單元所取得的振幅分佈作反傅立葉轉換,以取得第二干涉訊號;以及形狀判斷單元,配置成根據第二干涉訊號以判斷測量標的表面的形狀。
根據本發明的第四態樣,提供設備,用於測量具有膜塗著的表面之基底的表面形狀,其包括:干涉儀,配置成將來自光源的寬頻光分成測量光及參考光,以及藉由光電轉換器以感測來自基底表面的測量光與參考光所形成的干涉光;及電腦,配置成將光電轉換器感測的第一干涉訊號作傅立葉轉換以取得相位分佈和振幅分佈、將預定頻率區中的振幅分佈整型、及將相位分佈及經過整型的振幅分佈作反傅立葉轉換以取得第二干涉訊號、以及根據第二干涉訊號來決定基底的表面形狀,
其中,電腦根據對第一參考訊號作傅立葉轉換而取得的相位分佈,取得預定頻率區中的不正常頻率區,以及,根據不正常頻率區上的資訊,將振幅分佈整型,以及,不正常頻率區包含表示預定頻率區中的相位分佈之曲線的斜率與曲線的斜率的中值相差預定量或更多之頻率區
。
根據本發明的第五態樣,提供形狀測量設備,用於測量具有膜塗著的表面之基底的表面形狀,其包括:干涉儀,配置成將來自光源的寬頻光分成測量光及參考光,以及藉由光電轉換器干涉以感測來自基底表面的測量光與參考光所形成的光;及電腦,配置成將光電轉換器感測的第一干涉訊號作傅立葉轉換以取得相位分佈和振幅分佈、將預定頻率區中的振幅分佈整型、及將相位分佈及經過整型的振幅分佈作反傅立葉轉換以取得第二干涉訊號、以及根據第二干涉訊號來決定基底的表面形狀,其中,電腦根據對第一參考訊號作傅立葉轉換而取得的相位分佈,取得預定頻率區中的不正常頻率區,以及,根據不正常頻率區上的資訊,將振幅分佈整型,以及,不正常頻率區包含藉由對第一干涉訊號作傅立葉轉換的而取得的預定頻率區中的振幅分佈的振幅相對於參考振幅的比例不大於預定值之頻率區。
根據本發明的第六態樣,提供設備,用於測量具有膜塗著的表面之基底的表面形狀,其包括:干涉儀,配置成將來自光源的寬頻光分成測量光及參考光,以及藉由光電轉換器以感測來自基底表面的測量光與參考光所形成的干涉光;及電腦,配置成將光電轉換器感測的第一干涉訊號作傅立葉轉換以取得相位分佈和振幅分佈、將預定頻率區中的
振幅分佈整型、及將相位分佈及經過整型的振幅分佈作反傅立葉轉換以取得第二干涉訊號、以及根據第二干涉訊號來決定基底的表面形狀,其中,電腦根據基底表面的光譜反射特徵,將藉由對第一參考訊號作傅立葉轉換而取得的振幅分佈整型。
根據本發明,舉例而言,能夠藉由訊號處理而取得高對比干涉訊號。
此外,從參考附圖的下述舉例說明的說明中,可清楚本發明的更多特點。
在下述中,將參考附圖以說明本發明的較佳實施例。
藉由傅立葉轉換(嚴格來講,複數傅立葉轉換)白光干涉訊號(亦即,干涉圖)而取得的資訊代表所使用的干涉儀的譜頻分佈特徵。將首先說明此事實。
在米勞干涉中,藉由驅動例如壓電元件以改變干涉條件(亦即,二光線之間的光程差)而偵測到的白光干涉訊號是在白光的分別波長(頻率)之光干涉強度的總合。當白光干涉訊號被傅立葉轉換時,能夠取得在對應於每一波長的頻率處之振幅及相位的資訊。
使用頻率作為參數的振幅分佈(振幅與頻率相依)取決於干涉儀的特徵(測量條件)。更具體而言,振幅分佈取決於例如光源的光譜分佈、光學系統的光譜透射比、影像感測器的光電轉換器的分光光電轉換效率、以及測量標
的表面的光頻反射比。
藉由傅立葉轉換白光干涉訊號(亦即,干涉圖)而取得的資訊含有代表干涉計的光譜分佈特徵的資訊。將參考圖4及5中的觀念視圖以更詳細地說明此事實。圖4的左側顯示白光干涉訊號。圖4的右側顯示傅立葉轉換干涉訊號時其在波長λ1、λ2、和λ3的白光干涉訊號的成分。從傅立葉轉換白光干涉訊號而取得的結果的實數部份及虛數部份,計算振幅a1、a2、及a3。亦即,振幅a1、a2、及a3與對應於波長λ1、λ2、和λ3之頻率f1、f2、及f3處的振幅的量值成比例。
圖5顯示藉由傅立葉轉換白光干涉訊號而取得的振幅分佈。頻率f1、f2、及f3分別對應於圖4中所示的波長λ1、λ2、和λ3。在頻率f1、f2、及f3的振幅分別對應於圖4中所示的振幅a1、a2、及a3。參考圖4,從傅立葉轉換白光干涉訊號而取得的結果之實數部份和虛數部份,計算在波長λ1、λ2、和λ3之白光干涉訊號的成份的相位。
藉由傅立葉轉換白光干涉訊號而取得的振幅分佈具有凸狀的事實意指振幅視頻率而變;換言之,藉由具有與白光的光譜分佈特徵相偏移的光譜分佈特徵之干涉儀,偵測白光干涉訊號。
在圖4的左側上顯示的白光干涉訊號的相位對應於藉由傅立葉轉換白光干涉訊號而取得的振幅分佈的相位,以及與振幅無關。另一方向,白光干涉訊號的包絡形狀對應
於藉由傅立葉轉換白光干涉訊號而取得的結果中的振幅,以及與相位無關。
在本實施例中,由傅立葉轉換取得的結果的相位保持相同,而振幅被整型以取得相對於頻率之固定值。之後,執行反傅立葉轉換以取得高對比的白光干涉訊號。
此後,為了精確,使用「寬頻光」一詞以取代「白光」一詞。這是因為即使藉由使用未包含藍光的波長範圍(例如500 nm至800 nm)內的寬頻光,仍可取得本發明的效果。這也是因為寬頻光可以被定義為含有可由使用電腦的訊號處理所分離的複數波長(或頻率)的光。
圖1顯示根據本發明的較佳實施例的形狀測量設備的配置。
根據本發明的較佳實施例之形狀測量設備200包括干涉儀10及電腦100,電腦100根據干涉儀10輸出的訊號,產生代表測量標的表面的形狀之資訊。干涉儀10控制光電轉換器(典型地,有光電轉換器二維地配置的影像感測器),以便當改變測量光或參考光的光程長度時,感測來自測量標的表面的測量光與來自參考表面的參考光所形成的干涉光。在由測量標的表面反射之後,測量光會與參考光干涉以形成干涉光。當使用有光電轉換器二維地配置的影像感測器時,測量標的表面相對於參考表面傾斜,以致於測量光與參考光具有波前角度差。這能夠使以傾斜方向進入個別的光電轉換器之測量光的光程長度產生差異。當改變測量光或參考光的光程長度時,此配置無需使用影
像感測器以測量干涉光。干涉儀10的較佳實施例是如圖6和7所示的米勞干涉儀。雖然此後為了說明而假定干涉儀10為圖6及7中所示的干涉儀,但是,可以使用不同種類的干涉儀作為干涉儀10。
電腦100可以執行干涉訊號取得步驟110、傅立葉轉換步驟120、整型步驟130、反傅立葉轉換步驟140、及形狀判斷步驟150。電腦100典型上特徵在於安裝有可以執行下述步驟的程式(軟體):干涉訊號取得步驟110、傅立葉轉換步驟120、整型步驟130、反傅立葉轉換步驟140、及形狀判斷步驟150。換言之,電腦100包括干涉訊號取得單元、傅立葉轉換單元、整型單元、反傅立葉轉換單元、及形狀判斷單元。干涉訊號取得單元、傅立葉轉換單元、整型單元、反傅立葉轉換單元、及形狀判斷單元分別執行干涉訊號取得步驟110、傅立葉轉換步驟120、整型步驟130、反傅立葉轉換步驟140、及形狀判斷步驟150。
圖10顯示以模擬使用寬頻光而取得的干涉訊號的實施例。此處,假定干涉儀10為圖6及7中所示的米勞干涉儀,以及,藉由驅動物鏡610而改變光程長度。
在模擬中,所使用的寬頻光具有中心波長550nm以及高斯光強度分佈(6σ=300nm)。寬頻光幾乎垂直地撞擊測量標的表面620。波長間隔為10nm。在每一波長,測量標的表面620及內部參考鏡612的反射比為1.5。驅動元件(壓電元件)用以驅動物鏡610的間距為20nm。
圖14顯示藉由傅立葉轉換圖10中所示的干涉訊號(第一干涉訊號)而取得的振幅分佈,干涉訊號是藉由使用上述寬頻光而取得的。圖14的右側顯示其左側的放大視圖。圖14顯示振幅分佈具有反應光源的光譜分佈之高斯分佈形狀。在干涉訊號取得步驟110中,電腦100從干涉儀10取得如圖10所示的干涉訊號(第一干涉訊號)。在傅立葉轉換步驟120中,電腦100將干涉訊號取得步驟110中取得的干涉訊號作傅立葉轉換,以取得如圖14所示的相位分佈及振幅分佈。
在整型步驟130中,電腦100將傅立葉轉換步驟120中藉由傅立葉轉換干涉訊號而取得的振幅分佈整型。可以執行此整型以形成如圖15所示的具有平坦部之振幅分佈或形成具有比以前更寬的平坦部之振幅分佈。較佳地執行整型以防止平坦部的二端呈現微分不連續性。
將參考圖2及3,更詳細地說明整型。圖2及3顯示經過整型的振幅分佈。圖3放大圖2中所示的具有正頻率f的部份。
在整型步驟130中,舉例而言,根據下述分佈函數W,將振幅分佈整型:
W(f)=EXP(-(f-fs)2/σ
):f<fs
W(f)=1:fsffe
W(f)=EXP(-(f-fe)2/σ
):f>fs
其中,σ是高斯函數的收斂速度且在此情形中取頻率間距5倍的值。
這意指在每一頻率的振幅會改變以符合分佈函數W的振幅,或是,在每一頻率的振幅由分佈函數W的振幅取得。注意,在傅立葉轉換步驟120中由傅立葉轉換所取得的相位分佈在整型步驟130中不會被改變(操作)。
稍後,將說明分佈函數W的頻率fs和fe的判斷。
在反傅立葉轉換步驟140中,電腦100會將整型步驟130中整型的振幅分佈的振幅及傅立葉轉換步驟120中取得的相位分佈的相位作反傅立葉轉換。藉由此操作,取得如圖11所示的干涉訊號(第二干涉訊號)。如同從圖10(處理前)及圖11(處理後)明顯可見般,電腦100藉由訊號處理以增加干涉訊號的對比。
在形狀判斷步驟150中,電腦100根據以反傅立葉轉換取得的干涉訊號,判斷測量標的表面620的三維形狀。
現在將說明使用電腦100以增加干涉訊號的對比之效果。圖12及13顯示假定圖10(處理前)及圖11(處理後)中所示的訊號的最大強度為一而將它們歸一化後的結果。
如圖8所示,「相干長度」定義為具有最大強度的振幅的20%或更多的振幅之頻率區中的訊號沿著橫軸(垂直位置)的長度。在此情形中,圖12及13中所示的測量到的訊號的相干長度分別為約3.6μm及2.6μm。亦即,圖13中所示的訊號的相干長度會縮短約30%(1-2.6/3.6)。
為了根據使用高對比寬頻光的干涉訊號(第二干涉訊
號),在形狀判斷步驟150中決定測量標的表面的形狀,可以採用上述FDA方法、相位移方法、或傅立葉轉換方法。
將解釋如何在分佈函數W的平坦部的二端判斷頻率fs和fe以將振幅整型。
為了取得高對比訊號,重要的是設定分佈函數W的平坦部的二端之頻率fs和fe以充分地利用關於圖5或14中所示的振幅分佈的凸出部的資訊,此振幅分佈是對使用寬頻光而產生的干涉訊號作傅立葉轉換而取得的。另一方面,應避免使用會降低測量精確度之用於分佈函數W的超寬平坦部份。當增加未含有相位資訊的資訊時,使用凸部以外的訊號成份會降低測量精確度。
為了避免此情形,根據對使用寬頻光所產生的干涉訊號作傅立葉轉換而取得的相位分佈的相位變化程度,較佳地設定頻率fs和fe。根據白光干涉的原理,在理想的情形中,在每一波長之干涉訊號的相位隨著波長改變而逐漸地改變。上述FDA使用此現象。慮及此點,假定高度可靠的頻率訊號成份的相位逐漸地改變,且在相位變化呈現高線性度之頻率區的二端之頻率較佳地設定為頻率fs和fe。亦即,在表示相位分佈的曲線具有高於參考值的線性度之頻率區中,振幅分佈較佳地被整型成為具有平坦部的振幅分佈。
舉例而言,根據有用的區域是否具有高於參考值的線性度,可以決定高線性度區及低線性度區。更具體而言,
可以判定相位相對於頻率的微分值低於參考值的區域具有高線性度,而值高於參考值的區域具有低線性度。
圖16顯示藉由對圖10中所示的干涉訊號作傅立葉轉換而取得的振幅及相位分佈。如同從圖16清楚可見般,即使在傅立葉轉換之後的振幅是小的區域中,經過傅立葉轉換的干涉訊號的相位仍然幾乎為直線的。因此,分佈函數W較佳地設定成相位值幾乎線性地改變的區域之二端的頻率變成頻率fs和fe。
雖然以米勞型干涉設計為例說明,但是,本發明不特別受限於此。舉例而言,本發明也可以應用至例如邁克生型、及林尼克型等其它干涉設計。
根據本實施例,舉例而言,能夠使用寬頻光以取得高對比的干涉訊號但對光源的光譜特徵、光學系統、及光電轉換器無任何影響。
本發明也適用於測量複數個透明膜(多層膜)所形成的垂直結構(堆疊結構)的具體表面。
圖17顯示用於半導體裝置的製造之微影術的結構,更具體而言,光阻20塗敷於矽晶圓30上的結構。考慮使用波長約500 nm的光以測量光阻的表面形狀之情形。用於目前的微影術之光阻受具有例如365 nm、248 nm、及193 nm的波長之曝照光曝光,但對波長500 nm的測量光是透明的。因此,如圖17所示,結構不僅產生如光線1般標示
由光阻的上表面所反射的光線,也產生如光線2所標示般由矽基底與光阻的下表面之間的界面表面所反射的光線。由包含參考光線(未顯示)之全部三個光線如此形成干涉影像。由於干涉影像產生測量誤差,所以,無法正確地測量光阻的表面形狀。
反制此問題的有效技術是稱為「頂切片(Top Slice)」或「頂表面(Top Surface)」的功能且可從Zygo公司取得。US2005/0078318A1揭示此技術。
應用本發明至「頂切片」功能能夠進一步增進光阻的上表面的偵測精確度。
首先,將說明「頂切片」的功能。圖18A顯示藉由使用寬頻光而產生的干涉訊號。參考圖18A,橫軸的左側是矽基底的方向,且其右側是光阻的上表面的方向。干涉訊號的峰值404對應於矽基底與光阻的下表面之間的邊界表面,而干涉訊號的峰值402對應於光阻的上表面。換言之,圖18A中顯示的訊號包含二干涉訊號成份。隨著光阻厚度降低至對應於矽基底與光阻的下表面之間的邊界表面的干涉訊號成份會對對應於光阻的上表面上的干涉訊號成份有影響的程度,偵測精確度會變差。
為了避免此情形,如圖18B所示,「頂切片」使用對應於干測訊號的右側上的峰值402(對應於光阻的上表面之峰值)之波形315作為樣本。在樣本與圖18A中所示的訊號之間執行比對處理。根據比對程度(圖18C),偵測光阻的上表面(圖18C的最右方峰值的位置)。
依此方式,此技術偵測堆疊結構的最上表面,因此,其稱為「頂切片」或「頂表面」。為了偵測矽基底與光阻的下表面之邊界表面,改變設定以偵測圖18C的最左方峰值的位置。
「頂切片」可以如此根據由多個表面所反射的光線所產生的干涉訊號來偵測最上方表面。
即使當使用「頂切片」時,隨著光阻厚度進一步降低及對應於矽基底與光阻的下表面之間的邊界表面的干涉訊號成份會對對應於光阻的上表面的干涉訊號成份有影響,偵測精確度跟著變差。
在此情形中,可以採用本發明以產生高對比訊號,藉以增進偵測精度。更具體而言,在形狀判斷步驟150中,電腦100選取反傅立葉轉換所產生的干涉訊號(第二干涉訊號)的包絡的複數個峰值之一。根據選取的峰值,電腦100判斷測量標的表面的形狀。
在真實的微影術中,稱為抗反射層及蓋層的層會施加於光阻上。這些層具有的折射率幾乎與光阻的折射率相同。當本發明應用於這些層施加於光阻上的堆疊結構時,能夠精確地測量堆疊結構的表面。
本發明不特別受限於寬頻光幾乎垂直地撞擊測量標的表面之配置。如圖19所示,本發明也可以應用至以寬頻光歪斜地照射測量標的表面之干涉系統。
圖20顯示藉由在圖19中所示的配置中模擬而取得的干涉訊號。
用於此模擬的寬頻光具有從400 nm至700 nm的波長(間距:10 nm),以及75°的入射角(θ in)。測量標的為光阻。光阻的厚度設定為20μm或更多以將光阻的下表面所反射的光分開。參考表面為SiO2
。壓電元件用以驅動參考鏡40的間距為77.2 nm。
光源是所謂的白光LED,其具有如圖9所示的光譜分佈。
圖24顯示將藉由使用此寬頻光所產生的干涉訊號傅立葉轉換而取得的振幅分佈。圖24的右側顯示其左側的放大視圖。圖24顯示振幅分佈的形狀與圖9中所示的形狀相反,此振幅分佈形狀反應光源的光譜分佈(圖24中所示的放大分佈部份與圖9中所示的分佈由於在頻率上彼此共軛,所以,它們的分佈相反)。
圖21顯示使用如圖25所示的分佈函數W的反傅立葉轉換的結果。圖22及23分別顯示假定圖20及21中所示的訊號之最大強度為一並將它們歸一化而取得的訊號。以同於上述的方式,「相干長度」定義為具有最大強度的振幅的20%或更多的振幅之頻率區中的訊號沿著橫軸(垂直位置)的長度。在此情形中,圖22及23中所示的測量到的訊號的相干長度分別為約13.9μm及5.8μm。亦即,藉由應用本發明,圖23中所示的訊號的相干長度會縮短至圖22中所示的相干長度的約40%(5.8/13.9)。
即使當本發明應用至測量標的表面具有複數個反射表面並被歪斜地照射的情形(例如,以「應用至微影術的實施例」中所述的方法處理根據第一實施例的配置而取得的干涉訊號之情形)。
假定根據圖3中所示的分佈函數W,將藉由使用上述方法以將干涉訊號傅立葉轉換而取得的振幅分佈整型。即使在此情形中,仍然無法視多個透明膜(多層膜)所形成的垂直結構(堆疊結構)而取得高偵測精度。這是因為視堆疊結構而有反射相位(反射光的相位)不正常的頻率存在。將於下說明反射相位不正常的頻率。
圖27顯示240 nm厚的光阻50、78 nm厚的巴爾克(BARK)60、180 nm厚的SiO2
70堆疊於銅基底上的結構實施例。光阻50、BARK 60、及SiO2
70的折射率分別為1.54、1.53、及1.46。銅基底80的折射率的實數部份及虛數部份分別為0.38及2.9。圖28及29分別顯示由此堆疊結構所反射的S極化光及P極化光的反射強度和反射相位,其為波長的函數。參考圖28,縱軸表示反射強度(當反射強度為一時反射比為100%),以及橫軸表示波長(μm)。參考圖29,緃軸表示相位(弳度),橫軸表示波長(μm)。波長範圍設定為從0.4μm(400 nm)至0.8μm(800 nm)而以下述情形為例說明:使用圖19中所示的干涉儀取得干涉訊號以及白光LED光源在圖9中所示的波長範圍
(400nm至800nm)。
在圖28中所示的實施例中,S極化光的反射強度在波長500nm附近快速地下降,而P極化光的反射強度在波長650nm附近快速地降低。另一方面,在圖29中所示的實施例中,S極化光的反射相位在波長500nm附近快速地改變,而P極化光的反射強度在650nm附近快速地變化。由於S極化光的相位在波長600nm附近為3弳度至-3弳度,所以,反射相位維持相同。以此方式,在反射相位快速地變化的波長附近,反射強度會快速地減少。注意,在反射強度及反射相位快速地改變之波長被定義為反射相位不正常的不正常波長(不正常頻率)。
如上所述,理想上,如同從白光干涉的原理可知般,干涉訊號的相位隨著其波長變化而逐漸地改變。但是,來自如圖27中所示的堆疊結構之干涉訊號的反射相位會在圖28和29中所示的反射相位不正常的不正常波長(不正常頻率)處快速地變化,造成不理想的干涉訊號。這從白光干涉訊號為具有複數個波長(頻率)的干涉訊號成份的總合之事實更明顯。
藉由對含有具有反射相位不正常的頻率之成份的干涉訊號執行參考圖1說明的處理,可以視堆疊結構而增強此成份。結果,對應於光阻的上表面之干涉訊號成份會被不利地影響,以致於無法取得高偵測精確度。
於下,將詳細地說明本發明的第三實施例。第三實施例的特點在於參考圖1說明的振幅分佈整型步驟130。在參考圖3所說明的實施例中,相位分佈具有良好的線性度之頻率區為整型標的。作為整型標的之頻率區中的振幅被平坦化。
圖30顯示根據第三實施例之整型步驟130的順序。在根據第三實施例之整型步驟130中,在振幅大於或等於預定值的頻率區於步驟3010中被判定為整型標的。在步驟3020中,從相位分佈計算相位變化。在步驟3030中,判斷在整型標的頻率區中相位變化不正常的不正常頻率區。在步驟3040中,在整型標的頻率區中振幅分佈被整型以致於相位變化被判定為不正常的不正常頻率區中的振幅變成低於其它頻率區中的振幅。於下,將說明步驟3010至3040中每一步驟的更詳細實施例。
反射相位不正常的不正常頻率通常被包含在具有光譜資訊的區域的二端。當相位分佈被使用時,會錯誤地判定整型標的頻率區。為了避免此情形,在步驟3010中,從振幅分佈決定整型標的頻率區。振幅大於或等於參考振幅相對於經過傅立葉轉換的振幅分佈的最大振幅之比例的頻率區可以被判定為整型標的。或者,強度高於經過傅立葉轉換的振幅分佈的所有頻率區中的光譜強度的中值之頻率區可以判定為整型標的。或者,對應於光源的波長範圍之頻率區可以判定為整型標的。
於下,將以下述情形為例說明:被判定為整型標的之
頻率區具有的強度高於經過傅立葉轉換的振幅分佈的所有區域中的光譜強度的中值。
圖31顯示藉由在圖19中所示的配置之模擬而取得干涉訊號。計算條件設定成光源為圖9中所示的白光LED光源(波長:400nm至800nm,間距:10nm),以及,入射角(θin)為75∘。測量標的為具有圖27中所示的240nm厚的堆疊結構之光阻。參考表面為SiO2
。壓電元件用以驅動參考表面的間距為77.2nm。以參考表面接近測量標的之方向來驅動參考表面。參考圖31,橫軸代表壓電元件驅動位置,相鄰位置之間的間隔為77.2nm,位置總數為512。縱軸表示干涉訊號的強度。在由參考表面及光阻的上表面反射之光線的光程長度相符合的位置數目為312。
圖32及33顯示傅立葉轉換圖31中所示的干涉訊號的結果。圖32對應於第一實施例中所參考的圖24中所示的放大視圖(經過傅立葉轉換的振幅分佈的放大視圖)。假定振幅分佈的最大振幅為一,將干涉訊號歸一化。縱軸代表歸一化之後的光譜強度,以及,橫軸代表頻率。由於在將所有頻率區歸一化之後的光譜強度的中值為0.1,所以,在歸一化後的光譜值為0.1或更多的頻率區被判定為整型標的。在此干涉訊號中,從460至488的頻率區及與其共軛的頻率區被判定為整型標的。
所有的頻率區未對應於光源的整個波長光譜,但包含頻率等於或低於圖31中所示的干涉訊號所判定的截止頻
率之頻率區(直流成份以外)。
接著,將詳細地說明步驟3020。圖33顯示步驟3010中決定的整型標的頻率區中經過傅立葉轉換的相位分佈(從460至488)。縱座標表示相位(弳度),橫座標表示頻率。使用相位分佈,對整型標的頻率區(從460至488)中的相鄰頻率計算相位改變(相位分佈的斜率)。圖34顯示計算結果。
在步驟3030中,在整型標的頻率區(從460至488)中計算步驟3020中計算的相位變化(相位分佈的斜率)的中值。在本實施例中,中值為2.7弳度。在相位變化與中值相差的絕對值大於或等於預定量的頻率被判定為不正常頻率。根據藉由使用具有圖19中所示的配置之干涉儀的模擬而取得的干涉訊號,預先對堆疊結構計算最佳的預定量。
舉例而言,預定量可以是標準偏差的0.1倍(含)至3.0倍(含)的值。
相位變化量的發生率分佈可以為如圖44A所示的均勻分佈、如圖44B中所示的一般分佈、或如圖44C中所示的雙峰分佈。參考圖44A至44C,橫軸代表相位變化量,縱軸代表其發射率。假使發生率分佈是如圖44A中所示的均勻分佈,則與中值相差例如1.5倍或更多σ(σ:標準偏差)的相位變化量可以被視為離群值。在圖44A中所示的實施例中,b1或更少或是b2或更多的相位變化量是離群值。假使發生率分佈是如圖4B中所示的一般分
佈,則與中值相差例如3.0σ(σ:標準偏差)的相位變化量可以被視為離群值。在圖44B中所示的實施例中,b1或更少或是b2或更多的相位變化量是離群值。對應於被視為離群值的相位變化量的頻率被判定為不正常頻率。
圖44C以對應於b或更多的相位變化量之頻率為不正常頻率的情形為例說明。值b大於或等於中值並小於或等於b2,b2是中值與1.5倍σ(σ:標準偏差)的總合。假使發生率分佈是雙峰分佈,則與上述一般分佈及均勻分佈不同,與中值相差n倍σ(σ:標準偏差)或更多的相位變化量會被判定為離群值。這是因為相位變化量的離群值隨著個別測量標的產生不同的干涉訊號而變。在此分佈中,與中值相差n倍σ(σ:標準偏差)或更多的相位改變量被視為離群值。更具體而言,根據實驗,值n可為0.1(含)至3.0(含)。也根據實驗,取得最佳測量精確度的值n為0.3。
當測量標的具有如圖27所示的堆疊結構時,預定量可為0.5弳度,為整型標的頻率區(從460至488)中的相位變化量的標準偏差的0.3倍。根據此預定量,從2.2至3.2弳度的相位變化量被判定為正常的:在此範圍之外的量被判定為不正常的。結果,在整型標的頻率區間(從460至488)中從460至462、從468至469、從480至481、以及從486至488的頻率被判定為不正常頻率。
最後,在步驟3040中,在步驟3030中判定的不正常頻率區中的振幅被設定為低於整型標的頻率區(從460至
488)中的其它頻率區(正常頻率區)中的振幅。以此方式,將與頻率區(從460至488)共軛的頻率區整型。舉例而言,如上所述般,根據圖35中所示的分佈函數W,將振幅分佈整型,以防止平坦部的二端呈現微分不連續性。或者,可以將振幅分佈平坦化以致於不正常頻率區中的振幅變成零且在其它頻率區中的振幅變成彼此相等。在本實施例中,從460至462、從468至469、從480至481、及從486至488的區域被判定為不正常區域,且在不正常頻率區中的振幅被設定為零而在其它頻率區中的幅振被設定為一。圖36顯示經過整型之振幅分佈。對於具有3的窗寬度之此振幅分佈的移動平均允許取得經過整型的最後振幅分佈。圖37顯示最後整型的振幅分佈。對共軛頻率執行相同操作。
上述以光阻厚度240nm的情形為例說明。圖38顯示當以20nm的間距將光阻厚度從100nm改變至300nm時對藉由模擬而取得的干涉訊號,根據第一及第三實施例而計算的光阻表面位置的平均誤差量(nm)。縱軸表示平均誤差量(nm)。在第一實施例中的平均誤差量為14nm,而在第三實施例中的平均誤差量稍微小於8nm,改進45%。
如同上述所述般,根據第三實施例,根據於正常頻率區中的振幅,能夠藉由抑制不正常頻率區中的振幅而增進偵測精確度。
接著,將詳細地說明本發明的第四實施例。第三實施例使用相位分佈以決定不正常頻率區。另一方面,第四實施例根據振幅分佈以決定不正常頻率區。如同參考圖28及29所述般,反射相位快速變化的頻率區與反射強度快速下降有相關性。基於此理由,第四實施例使用振幅分佈以取代使用相位分佈。
圖39顯示根據第四實施例的順序。在第四實施例中,在圖39中所示的順序(圖1中的步驟110)之前,取得來自測量標的之干涉訊號,並將其作傅立葉轉換(圖1中的步驟120)。之後,執行圖39中所示的順序。首先,在步驟3910中,以同於圖1的步驟110中所使用的干涉儀,取得來自非由透明膜形成的參考板(例如光學平板或SiO2
板)之干涉訊號。在步驟3920中,將來自參考板的干涉訊號作傅立葉轉換以計算振幅分佈,並儲存代表它的資料。之後,在步驟3930中,振幅等於或高於此振幅分佈中的預定值之頻率區被判定為整型標的頻率區。
在步驟3940中,歸一化用於測量標的之振幅分佈及用於參考板的振幅分佈。在步驟3950中,計算來自測量標的之干涉訊號經過傅立葉轉換而取得的振幅分佈的振幅相對於來自參考板經過傅立葉轉換而取得的振幅分佈的振幅之比例。在步驟3960中,振幅比例等於或低於整型標的頻率區中的預定值之頻率區被判定為不正常頻率區。最後,在步驟3970中,在整型標的頻率區中頻率分佈被整
型以致於在不正常頻率區中的振幅變成低於其它頻率區中的振幅。
步驟3910中所使用的參考板必須是頻率特徵相對於反射強度為平坦的參考板,以及,反射相位不會快速地改變。
於下將說明每一步驟的更詳細實施例。在步驟3910中,參考板為SiO2
板。圖40顯示使用與圖1的步驟110中所使用的干涉儀相同的干涉儀之模擬而取得的干涉訊號。SiO2
板具有足夠防止由其下表面所反射的光線免於彼此干涉的厚度、1.46的折射率、及全部512點。
在步驟3920中,將步驟3910中取得的干涉訊號經過傅立葉轉換以計算振幅分佈,以及,儲存代表它的資料。圖41顯示將來自圖40中所示的SiO2
參考板之干涉訊號經過傅立葉轉換而取得的振幅分佈歸一化的結果。
在步驟3930中,在來自根據第三實施例之測量標的之干涉訊號中(圖31),將從460至488的頻率區及與其共軛的頻率區被判定為整型標的。
在步驟3940中,將第三實施例中來自測量標的的干涉訊號經過傅立葉轉換而取得的振幅分佈、以及在步驟3930中計算的來自參考板的干涉訊號經由傅立葉轉換而取得的振幅分佈(圖40)歸一化。圖32顯示將來自測量標的之干涉訊號經過傅立葉轉換而取得的振幅分佈歸一化而取得的分佈(於下稱為用於測量標的之歸一化振幅分佈)。圖42顯示將來自參考板之干涉訊號經過傅立葉轉換
而取得的振幅分佈歸一化而取得的分佈(於下稱為用於參考板之歸一化振幅分佈)。圖42中所示的頻率範圍是如圖32中的整型標的頻率區(從460至488)。圖42顯示整型標的頻率區(從460至488)中用於測量標的之歸一化振幅分佈以及用於參考板的歸一化振幅分佈。
在步驟3950中,根據步驟3940中計算的用於測量標的之歸一化振幅分佈及用於參考板之歸一化振幅分佈,對每一頻率計算用於參考板之歸一化振幅分佈的振幅相對於用於測量標的之歸一化振幅分佈的振幅之比例。圖43顯示此結果,縱座標代表比例,橫軸代表頻率。
根據來自測量標的之模擬干涉訊號的振幅分佈、以及來自參考板之模擬干涉訊號的振幅分佈,預先計算步驟3960中所使用的最佳預定值。舉例而言,根據實驗,最佳值為0(含)至1.0(未含)。而且,根據實驗,取得最佳測量精確度之最佳值為0.8。
在第四實施例中,預定值為0.8。結果,在整型標的頻率區中從460至462、從468至469、從480至481、及從486至488的頻率區(從460至488)被判定為不正常頻率區。
在步驟3970中,執行與第三實施例中的步驟3040相同的操作。只要光源的波長分佈及感測器的光譜靈敏度是固定的,則僅執行步驟3910及3920一次。之後,可以使用儲存的用於參考板之振幅資料。當光源或感測器被改變時執行這些程序。
可以以相反的次序,取得來自測量標的之干涉訊號及來自參考板的干涉訊號。雖然以來自參考板的干涉訊號經過傅立葉轉換以計算及儲存圖39的步驟3920中的振幅分佈之情形為例說明,但是,可以儲存及使用步驟3940中歸一化的用於參考板的振幅分佈。
雖然第三及第四實施例以從相位分佈決定的不正常頻率區與從振幅分佈決定的不正常頻率區相同的,但是,不正常頻率區通常在它們之間不同。
在此情形中,首先,取得第三實施例中從相位分佈決定的不正常頻率區(於下稱為頻率區P)以及第四實施例中從振幅分佈決定的不正常頻率區(此後稱為頻率區A
)。接著,取得頻率區P及A
共同的頻率區。使用此共同頻率區作為不正常頻率區以將振幅分佈整型。根據第三實施例中的步驟3040,執行整型。
或者,首先,取得頻率區P及A
。接著,取得包含頻率區P及A中至少之一的頻率區。使用此頻率區作為不正常頻率區,將振幅分佈整型。可以根據第三實施例中的步驟3040,執行整型。
在第三、第四、及第五實施例中,從干涉訊號取得不正常頻率。在第六實施例中,根據測量標的之結構,從基
底表面的光譜反射特徵(例如,光譜反射比分佈)取得不正常頻率區。
首先,根據測量標的之結構,計算S極化光及P極化光的光譜反射相位。接著,根據第三實施例之S極化光和P極化光的光譜反射相位,取得不正常頻率區。接著,根據第三實施例之S極化光和P極化光的光譜反射相位,取得不正常頻率區。更具體而言,不正常頻率區是對應於一波長範圍的頻率區,在此波長範圍中,光譜反射相位分佈的相位變化量(光譜反射相位分佈的斜率)與光譜反射相位分佈的斜率的中值相差預定量或更多。
或者,首先,根據測量的之結構,計算S極化光與P極化光的光譜反射比。接著,根據S極化光與P極化光的光譜反射比,將對應於反射比佔有局部最小值的波長之鄰近區的頻率區判定為不正常頻率區。
最後,將干涉訊號作傅立葉轉換。振幅分佈被整型,但允許相位分佈維持相同。
根據第三實施例中的步驟3040,執行整型。
圖26顯示根據本發明的第七實施例之曝光設備的配置。根據本發明的第七實施例之曝光設備500配置成在施加於基底550上的光阻上形成潛在影像圖案。曝光設備500包括固持基底550的基底台560、固持原物530的原物台520、及將原物530的圖案投射至基底550的投射光學系統540。曝光設備500也包括上述形狀測量設備200,配置成測量基底550的表面形狀(典型上,光阻表面形
狀)。
雖然已參考舉例說明的實施例來說明本發明,但是,要瞭解本發明不侷限於所揭示的舉例說明的實施例。後附的申請專利範圍的範圍依據最寬廣的解釋以涵蓋所有這些修改及等效結構和功能。
10‧‧‧干涉儀
20‧‧‧光阻
30‧‧‧矽晶圓
40‧‧‧參考鏡
50‧‧‧光阻
60‧‧‧巴爾克
70‧‧‧SiO2
80‧‧‧銅基底
200‧‧‧形狀測量設備
500‧‧‧曝光設備
520‧‧‧原物台
530‧‧‧原物
540‧‧‧投射光學系統
550‧‧‧基底
560‧‧‧基底台
610‧‧‧物鏡
611‧‧‧半鏡
612‧‧‧內部參考鏡
620‧‧‧測量標的表面
640‧‧‧白光源
650‧‧‧影像感測器
660‧‧‧驅動單元
圖1顯示根據本發明的較佳實施例之形狀測量設備的示意性配置;圖2顯示分佈函數W,其用以將傅立葉轉換取得的振幅分佈整型;圖3是圖2的部份放大視圖;圖4顯示傅立葉轉換干涉訊號時其在波長λ1、λ2、和λ3的干涉訊號的成分;圖5顯示傅立葉轉換干涉訊號取得的振幅分佈;圖6顯示米勞干涉儀的原理;圖7顯示米勞干涉儀的示意性配置;圖8顯示干涉訊號、包絡、及相干長度;圖9顯示白光LED的光譜分佈;圖10顯示藉由使用寬頻光而取得的干涉訊號的實例;圖11顯示藉由用本發明而取得的高對比干涉訊號;圖12顯示藉由將圖10中所示的訊號歸一化而取得的訊號;
圖13顯示藉由將圖11中所示的訊號歸一化而取得的訊號;圖14顯示藉由將寬頻光所產生的干涉訊號作傅立葉轉換而取得的振幅分佈;圖15顯示分佈函數W;圖16顯示由傅立葉轉換取得的振幅分佈、分佈函數W、及相位分佈之間的關係;圖17示意性顯示測量光由複數個表面反射之狀態;圖18A顯示頂切片(Top Slice)的原理;圖18B顯示頂切片(Top Slice)的原理;圖18C顯示頂切片(Top Slice)的原理;圖19顯示用於干涉測量的歪斜入射光學系統;圖20顯示在歪斜入射條件下藉由模擬而取得的干涉訊號;圖21顯示藉由增加圖20中所示的干涉訊號的對比而取得的干涉訊號;圖22顯示藉由歸一化圖20中所示的訊號而取得的訊號;圖23顯示藉由歸一化圖21中所示的訊號而取得的訊號;圖24顯示藉由傅立葉轉換圖20中所示的干涉訊號而取得的振幅分佈;圖25顯示分佈函數W;圖26顯示根據本發明的應用實例之曝光設備的示意
性配置;圖27顯示堆疊結構的實例;圖28顯示由圖27中所示的堆疊結構所反射的S極化光與P極化光的反射強度;圖29顯示由圖27中所示的堆疊結構所反射的S極化光與P極化光的反射相位;圖30顯示根據第三實施例之振幅分佈整型順序;圖31顯示藉由圖19中所示的配置的模擬而取得的干涉訊號;圖32顯示藉由傅立葉轉換圖31中所示的干涉訊號而取得的振幅分佈歸一化的結果;圖33顯示藉由傅立葉轉換圖31中所示的干涉訊號而取得的相位分佈;圖34顯示圖33中所示的相位變化;圖35顯示根據第三實施例之分佈函數W;圖36顯示根據第三實施例在將整型標的頻率區中的振幅分佈整型以致於在不正常頻率區中的振幅變成零且在其它頻率區中的振幅變成一之結果;圖37顯示根據第三實施例之計算圖36中所示的振幅分佈的移動平均的結果;圖38顯示當圖27中所示的堆疊結構中光阻厚度以20nm的間距從100nm至300nm變化時,第一及第三實施例中的平均誤差量(nm);圖39顯示根據第四實施例之振幅分佈整型順序;
圖40顯示藉由圖19中所示的配置的模擬而取得的來自SiO2
參考板的干涉訊號;圖41顯示藉由傅立葉轉換圖40中所示的來自SiO2
參考板之干涉訊號而取得的振幅分佈歸一化的結果;圖42模擬顯示圖32及41中所示的振幅分佈;圖43顯示在每一頻率之圖42中所示的振幅對圖41中所示的振幅之比例;圖44A顯示相位改變量的發生率分佈;圖44B顯示相位改變量的另一發生率分佈;及圖44C顯示相位改變量的又另一發生率分佈。
10‧‧‧干涉儀
100‧‧‧電腦
110‧‧‧取得藉由使用寬頻光而產生的干涉訊號
120‧‧‧執行傅立葉轉換
130‧‧‧將振幅分佈整型
140‧‧‧執行反傅立葉轉換
150‧‧‧決定形狀(使用高對比干涉訊號)
200‧‧‧形狀測量設備
Claims (7)
- 一種資訊處理設備,處理藉由感測干涉光而取得的干涉訊號,該干涉光係由參考光與測量光所形成,該設備包含:單元,配置成根據該干涉訊號來計算振幅分佈,該振幅分佈指示出該干涉光之振幅與波長之間的關係;單元,配置成改變該振幅分佈,以使該振幅分佈具有平坦部份;以及單元,配置成計算對應於具有該被改變的振幅分佈的干涉光之訊號。
- 根據申請專利範圍第1項之設備,其中係藉由傅立葉轉換該干涉訊號而計算該振幅分佈。
- 根據申請專利範圍第1項之設備,其中對應於具有該被改變的振幅分佈的干涉光之該訊號是由反傅立葉轉換該被改變的振幅分佈及相位分佈而取得的訊號,該相位分佈係藉由傅立葉轉換該干涉訊號而取得。
- 根據申請專利範圍第1項之設備,其中該振幅分佈被改變,致使取得該振幅分佈做為該被改變的振幅分佈,該振幅分佈於頻率區域中具有該平坦部份,其中藉由傅立葉轉換該干涉訊號而取得的相位分佈具有高於參考值的線性。
- 一種電腦可讀取儲存媒體,其儲存程式,該程式致使電腦處理藉由感測干涉光而取得的干涉訊號,該干涉光係由參考光與測量光所形成,該程式包含: 步驟,根據該干涉訊號來計算振幅分佈,該振幅分佈指示出該干涉光之振幅與波長之間的關係;步驟,改變該振幅分佈,以使該振幅分佈具有平坦部份;以及步驟,計算對應於具有該被改變的振幅分佈的干涉光之訊號。
- 一種處理干涉訊號之方法,該干涉訊號係藉由感測干涉光而取得,該干涉光係由參考光與測量光所形成,該方法包含:步驟,根據該干涉訊號來計算振幅分佈,該振幅分佈指示出該干涉光之振幅與波長之間的關係;步驟,改變該振幅分佈,以使該振幅分佈具有平坦部份;以及步驟,計算對應於具有該被改變的振幅分佈的干涉光之訊號。
- 一種測量設備,感測由參考光與測量光所形成的干涉光且根據該被感測之干涉光而計算測量標的之結構,該設備包含:單元,配置成根據藉由感測由參考光與該測量光所形成的該干涉光而取得的干涉訊號來計算振幅分佈,該振幅分佈指示出該干涉光之振幅與波長之間的關係;單元,配置成改變該振幅分佈,以使該振幅分佈具有平坦部份;單元,配置成計算對應於具有該被改變的振幅分佈的 干涉光之訊號;以及單元,配置成根據對應於具有該被改變的振幅分佈的干涉光之該訊號而計算該測量標的之該結構。
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