TWI399998B - 有機ｅｌ顯示裝置 - Google Patents

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TWI399998B TW097140190A TW97140190A TWI399998B TW I399998 B TWI399998 B TW I399998B TW 097140190 A TW097140190 A TW 097140190A TW 97140190 A TW97140190 A TW 97140190A TW I399998 B TWI399998 B TW I399998B
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Hironori Toyoda
Hajime Murakami
Shinichi Kato
Masahiro Tanaka
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Hitachi Displays Ltd
Panasonic Liquid Crystal Displ
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Description

有機EL顯示裝置
本發明係關於一種有機EL顯示裝置，特別是關於一種可抑制因水分而產生暗點、且可靠性較高的頂部發光型有機EL顯示裝置。
有機EL顯示裝置有：讓自有機EL層發出之光朝向形成有有機EL層等之玻璃基板方向射出的底部發光型，以及朝向與形成有有機EL層等之玻璃基板為相反方向射出的頂部發光型。由於頂部發光型可獲得較多有機EL層之面積，故而具有可增大顯示器之亮度的優點。
有機EL顯示裝置中，將有機EL層夾持於像素電極(下部電極)與上部電極之間，對上部電極施加固定電壓，並對下部電極施加資料信號電壓來控制有機EL層之發光，從而形成圖像。對下部電極供給資料信號電壓係經由薄膜電晶體(TFT，thin film transistor)來進行。頂部發光型有機EL顯示裝置中，亦可於該TFT等上形成有機EL層，因此可增大發光面積。
若用於有機EL顯示裝置之有機EL材料中存在水分，則發光特性劣化，進行長時間運作後，因水分而劣化之部位會變得不發光。其表現為顯示區域之暗點。該暗點隨著時間經過而變大，形成圖像缺陷。
為防止暗點產生或變大，必須除去有機EL顯示裝置內之水分。為此，用密封基板將形成有有機EL層之元件基板密封，以防止水分自外部滲入至有機EL顯示裝置內。另一方面，為除去已進入至有機EL顯示裝置內之水分，而於有機EL顯示裝置內設置乾燥劑。
於日本專利特開2000-195661號公報中，記載有將乾燥劑與有機化合物之混合物塗布於密封基板之內側的構成。於日本專利特開2002-33187號公報中，記載有將作為乾燥劑之有機金屬化合物塗布於密封基板之內側的構成。另外，於日本專利特開2006-4721號公報中，記載有使用與有機EL層相同之材料以作為乾燥劑或水分捕捉劑的構成。
日本專利特開2000-195661號公報所記載之技術中，必須製成乾燥劑與有機化合物之混合材料。並且，由於將該混合材料塗布於密封基板之內側，因此於頂部發光之情形時，來自有機EL層之光的射出效率會因該乾燥劑而降低。
日本專利特開2002-33187號公報所記載之技術中，必須準備有機金屬化合物來用作乾燥劑。並且，必須將該有機金屬化合物塗布於密封基板上。該等步驟會提高有機EL顯示裝置之製造成本。
日本專利特開2006-4721號公報中，記載將構成有機EL顯示裝置之有機EL層的有機EL材料用作水分捕捉劑的構成。日本專利特開2006-4721號公報所記載之技術中，與進行發光之有機EL層重疊而形成該水分捕捉劑。因此，來自有機EL層之發光的射出效率降低。而且，由於是與有機EL層相同的成分，故而有時並不具有充分的水分捕捉效果。
本發明之課題在於利用簡易之製程來防止頂部發光型有機EL顯示裝置之發光效率降低，捕捉有機EL顯示裝置內之水分，並抑制暗點產生或變大。
[解決問題之技術手段]
本發明係用以解決上述課題者，其特徵在於作為有機EL顯示裝置之乾燥劑，係使用包含材料與形成電子傳輸層之材料相同，且鹼金屬或鹼土金屬之組成比大於電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑。並且，包含共蒸鍍層之乾燥劑係與發光層不重疊地設置。具體方法如下所述。
(1)一種頂部發光型有機EL顯示裝置，其特徵在於包含有顯示區域的元件基板係以密封基板加以密封，且圖像形成於上述密封基板側，前述顯示區域係具有由上部電極與下部電極夾持之有機EL層的像素形成為矩陣狀者；上述有機EL層包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層，上述電子傳輸層係藉由有機材料與鹼金屬或鹼土金屬之共蒸鍍而形成；並且包含材料與形成上述電子傳輸層之材料相同、且上述鹼金屬或上述鹼土金屬之組成比大於上述電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑，係與上述發光層不重疊地設置。
(2)如(1)之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述鹼金屬或上述鹼土金屬之組成比，係較上述電子傳輸層的上述鹼金屬或上述鹼土金屬之組成比大50%以上。
(3)一種頂部發光型有機EL顯示裝置，其特徵在於包含有顯示區域的元件基板係以密封基板加以密封，且圖像形成於上述密封基板側，前述顯示區域係具有由上部電極與下部電極夾持之有機EL層的像素形成為矩陣狀者；上述有機EL層包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層，上述電子傳輸層係藉由有機材料與銫之共蒸鍍而形成；並且包含材料與形成上述電子傳輸層之材料相同、且上述銫之組成比大於上述電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑，係與上述發光層不重疊地設置。
(4)如(3)之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述銫之組成比，係較上述電子傳輸層的上述銫之組成比大50%以上。
(5)如(3)之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述銫之組成比，係較上述電子傳輸層的上述銫之組成比大100%以上。
(6)如(3)至(5)中任一項之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述銫之組成量為0.225g/cm3 以上。
(7)一種頂部發光型有機EL顯示裝置，其特徵在於包含有顯示區域的元件基板係以密封基板加以密封，且圖像形成於上述密封基板側，前述顯示區域係具有由上部電極與下部電極夾持之有機EL層的像素形成為矩陣狀者；上述下部電極形成於有機鈍化膜上，上述有機EL層形成於由觸排(bank)所劃分之內部，且上述上部電極亦在上述觸排上延伸；上述有機EL層包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層，上述電子傳輸層係藉由有機材料與銫之共蒸鍍而形成；並且包含材料與形成上述電子傳輸層之材料相同、且上述銫之組成比大於上述電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑，係與上述發光層不重疊地設置。
(8)如(7)之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述有機鈍化膜上。
(9)如(7)至(8)中任一項之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述上部電極上。
(10)如(7)至(9)中任一項之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中上述觸排係由有機膜所形成，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述觸排上及上述上部電極上。
(11)如(7)至(9)中任一項之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中上述觸排係由無機膜所形成，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述觸排上及上述上部電極上。
(12)如(7)至(11)中任一項之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中由金屬所形成之輔助電極係在上述觸排上延伸，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係在上述輔助電極上延伸。
(13)如(7)至(12)中任一項之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中由金屬所形成之輔助電極係在第1上述觸排上延伸，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係在第2上述觸排上延伸，且上述輔助電極與由上述共蒸鍍層所構成之乾燥劑互不接觸。
根據本發明，可使用組成與有機EL層之電子傳輸層不同的相同材料作為乾燥劑，因此可抑制設置乾燥劑所帶來之成本上升。即，藉由改變各材料之蒸鍍速度，而形成組成與電子傳輸層不同之乾燥劑，因此可抑制形成乾燥劑所伴隨的成本上升。
而且，藉由將由共蒸鍍層所構成之乾燥劑設置於並不與有機EL層相重疊之區域中，可確保乾燥劑之成分比及膜厚等之自由度，並可提高有機EL顯示裝置內之除濕效果。
在具體說明本發明之實施例之前，首先就適用本發明之頂部發光型有機EL顯示裝置的構成進行說明。圖1係本發明之頂部發光型有機EL顯示裝置之顯示區域的平面圖。圖2係圖1之A-A剖面圖。圖1中，紅像素101、綠像素102、藍像素103係排列成橫方向。同色像素排列成縱方向。各像素分別具有發出紅、綠、藍等色之有機EL層22。各有機EL層22之上側係由作為上部電極23之透明電極的IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)加以覆蓋。透明電極亦可為ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、ZnO等。
輔助電極30在縱方向之像素與像素之間沿橫方向延伸。該輔助電極30係藉由蒸鍍而形成於由實體(同時覆蓋所有像素之圖案)形成的上部電極23上。輔助電極30可藉由使用遮罩之蒸鍍、或濺鍍而形成。或者亦可將輔助電極30黏附於整個顯示區域之後，藉由光微影步驟而形成。縱方向上之像素與像素之間為25μm~30μm左右。因此，輔助電極30之寬度比其窄，形成為10μm~15μm。上述程度之寬度的蒸鍍可藉由遮罩蒸鍍或濺鍍而實現。
由於必須減小輔助電極30之電阻，故而使用金屬。輔助電極30之材料可列舉Al、Al合金、Zn、Mg等。Al或Al合金之電阻較低，因此適合用作輔助電極30，且可藉由蒸鍍或者濺鍍等而容易黏附。Zn可藉由電阻加熱、感應加熱、Eb(electron beam，電子束)蒸鍍或濺鍍而黏附。另外，使用Zn時，輔助配線為黑色，因此輔助配線具有黑色矩陣之作用，有助於提高畫質之對比度。Mg可藉由電阻加熱、感應加熱、Eb蒸鍍或濺鍍而黏附。
若使形成有輔助配線後之顯示區域的薄片電阻在10Ω/□以下，則可減小上部電極23之電位下降。再者，此時之薄片電阻係指將輔助電極30與上部電極23組合時之薄片電阻。即，與僅為上部電極23時相比，薄片電阻大幅減小。
圖2係圖1之A-A剖面圖。頂部發光型有機EL顯示裝置有：於有機EL層22上存在陽極之頂部陽極型、以及於有機EL層22上存在陰極之頂部陰極型。圖2係頂部陽極型之情形，頂部陰極之情形亦可同樣地適用本發明。
圖2中，於元件基板10上，形成有由SiN所形成之第1基礎膜11、由SiO2 所形成之第2基礎膜12。如此設置係用以防止來自玻璃基板之雜質污染半導體層13。於第2基礎膜12上，形成有半導體層13。半導體層13係藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)而形成a-Si膜(amorphous silicon film，非晶矽膜)之後，利用雷射照射而轉變成poly-Si膜(polysilicon film，多晶矽膜)。
形成有由SiO2 所形成之閘極絕緣膜14來覆蓋半導體層13。於夾持閘極絕緣膜14並與半導體層13相對向的部分，形成有閘極電極15。以閘極電極15為遮罩，利用離子植入法將磷或硼等雜質打入至半導體層13中，而賦予導電性，從而於半導體層13中形成源極部或者汲極部。
由SiO2 形成層間絕緣膜16來覆蓋閘極電極15。此種設置係用以使閘極配線與汲極配線171之間絕緣。汲極配線171形成於層間絕緣膜16上。汲極配線171經由設置於層間絕緣膜16及閘極絕緣膜14上之通孔與半導體層13之汲極相連接。
然後，為保護TFT而黏附由SiN所形成之無機鈍化膜18。於無機鈍化膜18上形成有機鈍化膜19。有機鈍化膜19與無機鈍化膜18一起具有更徹底地保護TFT之作用，並且具有使形成有有機EL層22之面平坦化的作用。因此，形成較厚為1~4μm之有機鈍化膜19。
於有機鈍化膜19上，以Al或Al合金而形成反射電極24。Al或Al合金之反射率較高，故而適合用作反射電極24。反射電極24經由形成於有機鈍化膜19及無機鈍化膜18上之通孔與汲極配線171相連接。
本實施例中之有機EL顯示裝置為頂部陽極型，故而有機EL層22之下部電極21形成為陰極。此處，用作反射電極24之Al或者Al合金可兼用作有機EL層22之下部電極21。其原因在於，由於Al或Al合金之功函數相對較小，故而可發揮陰極之功能。
於下部電極21上，形成有機EL層22。有機EL層22自下層開始包含電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層而構成。另外，亦可於電子傳輸層與下部電極21之間設置電子注入層。而且，亦可於電洞傳輸層與上部電極23之間設置電洞注入層。於有機EL層22上形成有作為陽極之上部電極23。本實施例中，上部電極23係使用IZO。IZO可不使用遮罩而蒸鍍於整個顯示區域中。至於IZO之厚度，為維持光之透過率，將其形成為30nm左右。亦可使用ITO來代替IZO。
作為電子傳輸層，只要為表現出電子傳輸性，且可藉由與鹼金屬共蒸鍍而容易形成電荷轉移複合物的材料，則並無特別限定，例如可使用：三(8-羥基喹啉(quinolinolato))鋁、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基酚鋁、雙[2-[2-羥基苯基]苯并唑]鋅等金屬錯合物或2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑、1,3-雙[5-(對第三丁基苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯等。
進而，本發明中，作為對上述有機材料表現出供電子性之材料，可共蒸鍍銫。由於銫表現出吸濕性，故而於本發明中，使用材料與電子傳輸層中所使用之材料相同、且增加了銫成分的共蒸鍍物質作為乾燥劑40。該共蒸鍍物之設置部位如後述之實施例所示。
再者，表現出供電子性之材料並不限於銫，例如亦可為鋰等鹼金屬，鎂、鈣等鹼土金屬等。或者亦可為其等之氧化物、鹵化物、碳酸化物等。
作為發光層材料，只要係於具有電子、電洞之傳輸能力之主體材料中，添加了利用電子、電洞之再結合而發出螢光或磷光之摻雜劑，且可藉由共蒸鍍而形成為發光層的材料，則並無特別限定，例如作為主體材料，可為：三(8-羥基喹啉)鋁、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙(苯并{f}-8-羥基喹啉)鋅、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)氧化鋁、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣、5,7-二氯-8-羥基喹啉鋁、三(5,7-二溴-8-羥基羥基喹啉)鋁、聚[鋅(II)-雙(8-羥基-5-喹啉基)甲烷]等錯合物，蒽衍生物，咔唑衍生物等。
另外，摻雜劑係於主體中捕捉電子及電洞並進行再結合而發光者，例如可為：紅色有吡喃衍生物、綠色有香豆素衍生物、藍色有蒽衍生物等發出螢光之物質，或銥錯合物、吡啶鹽(pyridinate)衍生物等發出磷光之物質。
電洞傳輸層例如可使用：四芳基聯苯胺化合物(三苯基二胺：TPD)、芳香族三級胺、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、具有胺基之二唑衍生物、聚噻吩衍生物、銅酞菁衍生物等。
另外，為了防止有機EL層22被端部段割損壞，而在像素與像素之間形成觸排20。觸排20有時由有機材料所形成，亦有時由SiN等無機材料所形成。於使用有機材料時，通常由丙烯酸系樹脂形成。由於丙烯酸系樹脂容易含有水分，故而有時丙烯酸系樹脂中所含之水分會在長時間運作過程中釋放至有機EL顯示裝置內，從而引起有機EL層22之發光特性劣化。
觸排20上形成有輔助電極30。如上述說明所示，輔助電極30係輔助上部電極23之導通者。於本實施例中，如圖1所示，輔助電極30成條狀在觸排20上延伸。
圖3係表示形成了有機EL層22之元件基板10藉由密封基板50加以密封之狀態的剖面示意圖。圖3中，由玻璃所形成之元件基板10上係形成有機鈍化膜19。而且，實際上如圖2中所說明，於有機鈍化膜19與元件基板10之間係存在有TFT、閘極絕緣膜、層間絕緣膜等，但圖3中將其等省略。
圖3中，於有機鈍化膜19上，形成有可兼用作反射電極24之下部電極21。於下部電極21上，形成有將像素間分隔之觸排20。自下部電極21側開始依序形成有電子傳輸層221、發光層間絕緣膜222、電洞傳輸層223，而覆蓋觸排20內以及觸排20之一部分。於電洞傳輸層223上，形成有由IZO所構成之陽極。
元件基板10經由密封劑51而以由玻璃所形成之密封基板50氣密性密封。而且，內部封入有氮氣等惰性氣體。另外，亦可於有機EL顯示裝置之內側不填充氣體，而是填充樹脂。
以上就頂部陽極型進行了說明，頂部陰極型之情形亦僅係將各電極之順序調換，與頂部陽極型之結構並無本質差異。例如，頂部陰極型之情形時，可於反射電極24上將透明且功函數較大之IZO等用作成為陽極之下部電極21。
有機EL層22之順序與頂部陽極之情形相調換，自下部電極21側起為電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層。有機EL層22之材料可使用與頂部陽極型之情形相同的材料。於電子傳輸層上可使用有透明電極，該透明電極可使用IZO。而且，於頂部陰極型時，亦可使用材料與電子傳輸層中所使用之材料相同、且增加了銫成分之共蒸鍍物質作為乾燥劑40。
[實施例1]
圖4係表示本發明之第1實施例的剖面示意圖。圖4中，於由玻璃所形成之元件基板10上形成有機鈍化膜19。將形成於有機鈍化膜19下方的TFT、閘極絕緣膜、層間絕緣膜等省略。於有機鈍化膜19上，由IZO形成作為陽極之上部電極23。而且，將上部電極23下方之有機EL層、下部電極等省略。
本實施例中，於不存在上部電極23之有機鈍化膜19膜上，對物質與電子傳輸層相同、且成分組成改變之材料進行共蒸鍍而形成乾燥劑40。具體而言，乾燥劑40係上述有機材料與銫共蒸鍍而形成者。乾燥劑40中，銫成分多於電子傳輸層所使用之材料。於電子傳輸層中，銫之量為0.15g±0.3g/cm3 ，乾燥劑40中，銫之量較該值多50%以上，更好的是多100%以上。即，共蒸鍍乾燥劑40中銫之量為0.225g/cm3 以上，更好的是0.3g/cm3 以上。另外，由實驗得出，乾燥劑40中銫之量為0.6g/cm3 左右時亦可提高效果，而不會產生問題。
再者，亦可使用鹼金屬或鹼土金屬代替銫。此時，較好的是，共蒸鍍乾燥劑40中的鹼金屬或鹼土金屬之組成比，較之電子傳輸層中的鹼金屬或鹼土金屬之組成比大50%以上。更好的是，共蒸鍍乾燥劑40中的鹼金屬或鹼土金屬之組成比，較之電子傳輸層中的鹼金屬或鹼土金屬之組成比大100%以上。
於本發明中，設置共蒸鍍乾燥劑40之位置與進行發光之有機EL層22並不重疊。藉此，發光效率不會因乾燥劑40而降低。而且，由於乾燥劑40與有機EL層22並不重疊，因此可將乾燥劑40之膜厚形成為可充分發揮出乾燥效果的任意之厚度。例如，電子傳輸層之厚度為60nm左右，而乾燥劑40之厚度可形成為幾百nm。
進而，於本發明中，由於乾燥劑40與有機EL層22並不重疊，故而無須考慮由乾燥劑40引起之反射，可使乾燥劑40之折射率為任意大小。即，來自有機EL層22之發光通過上部電極23，但在上部電極23上設有乾燥劑40之情形時，若上部電極23與乾燥劑40之折射率不同，則光發生反射，用於形成圖像之光會減少掉光發生反射之部分。若改變乾燥劑40之材料，則折射率亦改變，會使光之利用效率產生問題。相對於此，於本發明中係避開有機EL層22而設置乾燥劑40，故而無須考慮折射率之問題，可僅考慮乾燥能力來確定乾燥劑40之組成。
於本發明中，無須準備其他材料作為乾燥劑40，可使用共蒸鍍電子傳輸層所用之材料。即，乾燥劑40亦與電子傳輸層同樣地藉由蒸鍍而形成，在改變乾燥劑40之成分時，將共蒸鍍材料之蒸鍍速度改變即可。因此，可在有機EL顯示裝置內形成乾燥劑40，而不會伴隨成本之大幅上升。
另外，用作乾燥劑之共蒸鍍層之膜厚多數情況厚於電子傳輸層之共蒸鍍層，當然該膜厚藉由延長用作乾燥劑之共蒸鍍層之蒸鍍時間而形成即可。而且，由於用作乾燥劑之共蒸鍍層係使用與電子傳輸層不同之遮罩，因此用作乾燥劑之共蒸鍍層之形狀當然無須與電子傳輸層相同。
[實施例2]
圖5係表示本發明之第2實施例的剖面示意圖。圖5中，於由玻璃所形成之元件基板10上形成有機鈍化膜19。將形成於有機鈍化膜19下方之TFT、閘極絕緣膜、層間絕緣膜等省略。於有機鈍化膜19上，由IZO形成作為陽極之上部電極23。而且，將上部電極23下方之有機EL層、下部電極等省略。
本實施例中，於不存在有機EL層22的部分之上部電極23上藉由共蒸鍍而形成乾燥劑40。上部電極23與有機EL層22不同，係由覆蓋元件基板10之除端子部等之外的整個面之實體圖案蒸鍍而成。因此，形成上部電極23之區域較廣，於本實施例中，設置共蒸鍍乾燥劑40的面積較廣。
本實施例中的共蒸鍍乾燥劑40之成分、膜厚、形成方法等與實施例1中所說明者相同。
[實施例3]
圖6係表示本發明之第3實施例的剖面示意圖。圖6中，於由玻璃所形成之元件基板10上形成有機鈍化膜19。將形成於有機鈍化膜19下方之TFT、閘極絕緣膜、層間絕緣膜等省略。於有機鈍化膜19上，由丙烯酸系樹脂形成將像素分隔之觸排20。由IZO所形成之上部電極23在觸排20上延伸。
本實施例中，藉由共蒸鍍而形成覆蓋上部電極23及觸排20兩者的乾燥劑40。形成觸排20之丙烯酸系樹脂具有容易內含水分之性質。丙烯酸系樹脂所內含之水分會於有機EL顯示裝置之長時間運作過程中釋放出來，該水分會使有機EL層22之發光效率降低，並引發暗點等。
本實施例中，藉由共蒸鍍而形成覆蓋由丙烯酸系樹脂所形成之觸排20的乾燥劑40，故而內含於丙烯酸系樹脂中並釋放至有機EL顯示裝置內之水分會被該乾燥劑40吸收，從而可防止有機EL層22之發光效率劣化。本實施例中的共蒸鍍乾燥劑40之成分、膜厚、形成方法等與實施例1中所說明者相同。
[實施例4]
圖7係表示本發明之第4實施例的剖面示意圖。圖7中，於由玻璃所形成之元件基板10上形成有機鈍化膜19。將形成於有機鈍化膜19下方之TFT、閘極絕緣膜、層間絕緣膜等省略。於有機鈍化膜19上，由SiN等無機材料形成觸排20。作為陽極之由IZO所形成之上部電極23，在由無機膜所形成之觸排20上延伸。
本實施例中，藉由共蒸鍍而形成覆蓋上部電極23以及由無機材料所形成之觸排20兩者的乾燥劑40。本實施例中，被共蒸鍍乾燥劑40被覆之面積大於實施例1或實施例2等，故而除濕效果亦相應地較高。
本實施例中的共蒸鍍乾燥劑40之成分、膜厚、形成方法等與實施例1中所說明者相同。
[實施例5]
圖8係表示本發明之第5實施例的平面圖。圖8與圖1所示的有機EL顯示裝置之顯示區域之平面圖相似，但圖8中，由共蒸鍍膜所形成的乾燥劑40在縱方向上之像素與像素之間延伸，此點與圖1不同。圖8中，共蒸鍍乾燥劑40所形成之寬度與輔助電極30之寬度相同。
圖9係圖8之A-A剖面圖。圖9中，於由玻璃所形成之元件基板10上形成有機鈍化膜19。將形成於有機鈍化膜19下方之TFT、閘極絕緣膜、層間絕緣膜等省略。於有機鈍化膜19上，由丙烯酸系樹脂形成將像素分隔之觸排20。由IZO所形成之上部電極23在觸排20上延伸。
於上部電極23上形成有輔助電極30。輔助電極30係由Al等金屬所形成。本實施例中，輔助電極30與共蒸鍍乾燥劑40均藉由蒸鍍而形成。若輔助電極30之寬度與共蒸鍍乾燥劑40之寬度相同，則可共用蒸鍍遮罩，在製造成本方面較為有利。由於蒸鍍輔助電極30或共蒸鍍乾燥劑40之遮罩的圖案形狀大於蒸鍍有機EL層22之遮罩等，故而容易實現遮罩共用。
當然，使輔助電極30與共蒸鍍乾燥劑40之蒸鍍遮罩不同，從而可使輔助電極30與共蒸鍍乾燥劑40之寬度不同。本實施例中的共蒸鍍乾燥劑40之成分、膜厚、形成方法等與實施例1中所說明者相同。
[實施例6]
圖10係表示本發明之第6實施例的平面圖。圖10中，由共蒸鍍膜所形成的乾燥劑40在縱方向上之像素與像素之間延伸，此點與圖8相同，但本實施例中，該共蒸鍍乾燥劑40係每隔一列而形成，此點與圖8不同。並且，存在共蒸鍍乾燥劑40之列不存在輔助電極30。另一方面，不存在共蒸鍍乾燥劑40之列存在輔助電極30。
共蒸鍍乾燥劑40可吸收水分。因此，若Al等金屬與共蒸鍍乾燥劑40相接觸而存在，則該金屬有被共蒸鍍乾燥劑40中所吸附之水分腐蝕之擔憂。本實施例中，為防止該現象，係將共蒸鍍乾燥劑40與輔助電極30設置於不同列中，以使其等互不接觸。
本實施例中的共蒸鍍乾燥劑40之成分、膜厚、形成方法等與實施例1中所說明者相同。
10．．．元件基板
11．．．第1基礎膜
12．．．第2基礎膜
13．．．半導體層
14．．．閘極絕緣膜
15．．．閘極電極
16．．．層間絕緣膜
18．．．無機鈍化膜
19．．．有機鈍化膜
20．．．觸排
21．．．下部電極
22．．．有機EL層
23．．．上部電極
30．．．輔助電極
40．．．共蒸鍍乾燥劑
50．．．密封基板
51．．．密封劑
101．．．紅像素
102．．．綠像素
103．．．藍像素
171．．．汲極配線
221．．．電子傳輸層
222．．．發光層間絕緣膜
223．．．電洞傳輸層
圖1係有機EL顯示裝置之顯示區域之平面圖。
圖2係圖1之A-A剖面圖。
圖3係有機EL顯示裝置之剖面示意圖。
圖4係實施例1之剖面示意圖。
圖5係實施例2之剖面示意圖。
圖6係實施例3之剖面示意圖。
圖7係實施例4之剖面示意圖。
圖8係實施例5之有機EL顯示裝置的顯示區域之平面圖。
圖9係圖8之A-A剖面圖。
圖10係實施例6之有機EL顯示裝置的顯示區域之平面圖。
10．．．元件基板
19．．．有機鈍化膜
23．．．上部電極
40．．．共蒸鍍乾燥劑

Claims (13)

  1. 一種頂部發光型有機EL顯示裝置，其特徵在於包含有顯示區域的元件基板係以密封基板加以密封，且圖像形成於上述密封基板側，前述顯示區域係具有由上部電極與下部電極夾持之有機EL層的像素形成為矩陣狀者；上述有機EL層包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層，上述電子傳輸層係藉由有機材料與鹼金屬或鹼土金屬之共蒸鍍而形成；並且由材料與形成上述電子傳輸層之材料相同、且包含上述鹼金屬或上述鹼土金屬之組成比大於上述電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑，係與上述發光層不重疊地設置。
  2. 如請求項1之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述鹼金屬或上述鹼土金屬之組成比，係較上述電子傳輸層的上述鹼金屬或上述鹼土金屬之組成比大50%以上。
  3. 一種頂部發光型有機EL顯示裝置，其特徵在於包含有顯示區域的元件基板係以密封基板加以密封，且圖像形成於上述密封基板側，前述顯示區域係具有由上部電極與下部電極夾持之有機EL層的像素形成為矩陣狀者；上述有機EL層包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層，上述電子傳輸層係藉由有機材料與銫之共蒸鍍而形成；並且由材料與形成上述電子傳輸層之材料相同、且包含上述銫之組成比大於上述電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑，係與上述發光層不重疊地設置。
  4. 如請求項3之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述銫之組成比，係較上述電子傳輸層的上述銫之組成比大50%以上。
  5. 如請求項3之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述銫之組成比，係較上述電子傳輸層的上述銫之組成比大100%以上。
  6. 如請求項3之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑的上述銫之組成量為0.225g/cm3 以上。
  7. 一種頂部發光型有機EL顯示裝置，其特徵在於包含有顯示區域的元件基板係以密封基板加以密封，且圖像形成於上述密封基板側，前述顯示區域係具有由上部電極與下部電極夾持之有機EL層的像素形成為矩陣狀者；上述下部電極形成於有機鈍化膜上，上述有機EL層形成於由觸排(bank)所劃分之內部，且上述上部電極亦在上述觸排上延伸；上述有機EL層包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層，上述電子傳輸層係藉由有機材料與銫之共蒸鍍而形成；並且包含材料與形成上述電子傳輸層之材料相同、且上述銫之組成比大於上述電子傳輸層的共蒸鍍層之乾燥劑，係與上述發光層不重疊地設置。
  8. 如請求項7之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述有機鈍化膜上。
  9. 如請求項7之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述上部電極上。
  10. 如請求項7之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中上述觸排係由有機膜所形成，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述觸排上及上述上部電極上。
  11. 如請求項7之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中上述觸排係由無機膜所形成，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係形成於上述觸排上及上述上部電極上。
  12. 如請求項7之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中由金屬所形成之輔助電極係在上述觸排上延伸，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係在上述輔助電極上延伸。
  13. 如請求項7之頂部發光型有機EL顯示裝置，其中由金屬所形成之輔助電極係在第1上述觸排上延伸，包含上述共蒸鍍層之乾燥劑係在第2上述觸排上延伸，且上述輔助電極與包含上述共蒸鍍層之乾燥劑互不接觸。
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