TWI399576B - 液晶顯示器用基板之製造方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示器用基板之製造方法
本發明是關於在每個畫素區域具有薄膜電晶體的TFT基板上直接形成彩色濾光片和黑矩陣的液晶顯示器用基板的製造方法，特別是TFT基板以預定速度傳送並檢出所擷取畫素區域影像上的預設基準位置，控制曝光時間，在TFT基板預定位置上形成高精度曝光圖形的液晶顯示器用基板的製造方法。
液晶顯示器是在對向配置的一對透明基板間封入液晶。其中一邊的透明基板是由畫素電極和薄膜電晶體所形成的畫素區域陣列以及畫素區域周圍具有薄膜電晶體驅動線路所構成的TFT基板。另一邊的透明基板是在對應上述薄膜電晶體及線路位置上具有黑矩陣以及覆蓋黑矩陣畫素單元的彩色濾光片，黑矩陣及彩色濾光片上具有共通電極的彩色濾光片基板。為了避免上述結構的液晶顯示器中成對的透明基板產生對位誤差，一般黑矩陣會採寬線寬的設計。結果造成傳統液晶顯示器黑矩陣畫素單元的開口率過低，畫素區域不容易微細化等問題。
為了解決上述問題，有人提出一種在TFT基板的薄膜電晶體及畫素區域周圍的線路上覆蓋彩色濾光片稱為「color filter on TFT」的液晶顯示器用基板的製造方法(例如日本特開2004－70196號公報)。
但是這種傳統液晶顯示器用基板的製造方法，在TFT基板的薄膜電晶體及線路圖形上形成彩色濾光片及黑矩陣曝光圖形的曝光製程時，必須將TFT基板周圍所形成的對位鍵與彩色濾光片及黑矩陣光罩的對位鍵互相對位，因此對於對位鍵的位置及各圖形排列的絕對尺寸精度要求很高。特別是大型顯示器用基板，各圖形間的對位更困難，因此這項要求更嚴格。由於無法提高薄膜電晶體及線路圖形上所形成的彩色濾光片及黑矩陣的對位精度，使得黑矩陣的線寬無法縮小，無法提高開口率以及將各畫素區域微細化，因此也就無法達到高解析度的液晶顯示器。
為了解決上述問題，本發明的目的是提出一種在TFT基板預定位置上形成高精度彩色濾光片和黑矩陣曝光圖形的液晶顯示器用基板的製造方法。
為了達成上述目的，根據本發明液晶顯示器用基板的製造方法是在TFT基板預定位置形成彩色濾光片和黑矩陣曝光圖形的液晶顯示器用基板的製造方法，該方法的形成步驟包括：在上述TFT基板上塗佈彩色濾光片及黑矩陣感光材料的塗佈步驟、以預定速度傳送塗佈上述感光材料的TFT基板以及擷取上述畫素區域影像的影像擷取步驟、檢出該擷取畫素區域影像上預設基準位置的檢出步驟並以該檢出的基準位置為基準控制曝光時間在TFT基板預定位置上形成彩色濾光片和黑矩陣的曝光圖形形成步驟。
根據上述方法，在每個畫素區域上具有薄膜電晶體及畫素區域周圍具有驅動該該薄膜電晶體線路的TFT基板上塗佈彩色濾光片及黑矩陣的感光材料、以預定速度傳送上述TFT基板並擷取畫素區域的影像、檢出該擷取畫素區域影像上的預設基準位置、以該基準位置為基準控制曝光時間。如此可以在TFT基板的預定位置上形成高精度的彩色濾光片和黑矩陣的曝光圖形。達到縮小黑矩陣的線寬，提高開口率以及微細化各畫素區域，實現高解析度的液晶顯示器的目的。
擷取上述畫素區域影像的步驟是以在上述TFT基板傳送方向，形成上述曝光圖形位置前方的撮像位置的攝像裝置來擷取影像。如此，以攝像裝置在TFT基板傳送方向形成曝光圖形的位置前方擷取影像。因此可以確定在預定曝光區域上形成所需的曝光圖形。
上述攝像裝置的受光元件呈列狀排列。如此，可以用具有列狀受光元件的攝像裝置取得畫素區域一次元的影像資料。藉以抑制攝像裝置的成本並提高資料處理速度。
上述基準位置的檢出步驟是將上述擷取畫素區域的影像進行二進位處理，將該二進位處理的畫素區域影像資料與上述預設基準位置的影像資料相比較，檢出兩個資料一致的部份。藉由將所擷取畫素區域的影像進行二進位處理、比較該二進位處理的畫素區域影像資料與預設基準位置相當的影像資料、檢出兩個資料一致的部份作為基準位置。因此可以快速即時地檢出基準位置。
接下來以圖面詳細說明本發明的實施例。
第1圖是根據本發明液晶顯示器用基板的製造方法所用曝光裝置的結構圖。該曝光裝置利用曝光系統的曝光源照射該曝光系統光軸上的彩色濾光片及黑矩陣的光罩在TFT基板上形成曝光圖形，具有：曝光系統1、攝像裝置2、傳送裝置3、控制裝置4。
曝光系統1在塗佈彩色濾光片及黑矩陣感光性染色光阻(感光材料)的TFT基板6上照射曝光源曝光預定的彩色濾光片及黑矩陣圖形，具有：光源7、光罩平台8、成像透鏡9等。
光源7是藉由控制裝置4控制的間歇性閃光燈，例如紫外光燈。承載光罩10的光罩平台8位於光源7和成像透鏡9間的光軸上。與TFT基板6對向配置的成像透鏡9利用光罩10的開口部10a在TFT基板6上成像。光罩10與TFT基板6的表面平行並在垂直移動方向(箭頭A方向)上形成長方形的開口部10a，開口部10a如第2圖在垂直箭頭A的方向上並列形成例如五個的畫素區域11。光源7如果不是閃光燈也可以使用一般的紫外光燈，這時曝光源的間歇照射可以利用光源7照射方向前方的擋板來進行開閉控制。
在上述TFT基板6的移動方向(箭頭A方向)上，曝光系統1曝光位置前方的撮像位置上具有攝像裝置2。攝像裝置2以列狀排列例如列狀CCD的受光元件來擷取TFT基板6上預先形成的畫素區域影像。如第2圖，上述攝像裝置2的撮像位置和曝光系統1的曝光位置間的間隔距離D，在攝像裝置2擷取上述畫素區域11的影像後，經過預定時間後畫素區域11到達上述的曝光位置。上述的距離D越小越好。如此，可以減少TFT基板6的移動誤差，在上述畫素區域11得到正確的曝光位置。如同圖所示，上述光罩10的開口部10a中心與成像透鏡9的光軸中心Z必須一致，TFT基板6的傳送方向(箭頭A方向)與攝像裝置2的攝像中心也必須一致。攝像裝置2附近具有未圖示的照明裝置來照明攝像裝置2的撮像區域。
曝光系統1的下方具有傳送裝置3。傳送裝置3可以藉由未圖示的傳送馬達以控制裝置4控制承載在平台3a上的TFT基板6往XY軸方向移動。上述的X軸方向與Y軸方向分別與TFT基板6的傳送方向(箭頭A方向)平行和垂直。傳送裝置3上具有未圖示例如編碼器或線性感應器等位置感應器和速度感應器，這些感應器的輸出回饋給控制裝置4進行位置控制及速度控制。傳送裝置3具有對位裝置5以上述基準位置為基準計算每個畫素曝光預定位置和上述光罩10開口部10a的曝光位置之間的誤差，誤差可以藉由平台3a的旋轉角度θ和Y軸方向的位置移動來補償。平台3a的角度θ可以用角度感應器來檢出。
控制裝置4與上述光源7、攝像裝置2、及傳送裝置3連接。可以對整體裝置進行適當的驅動控制的控制裝置4具有：以攝像裝置2擷取上述畫素區域11上預設基準位置影像的檢出影像處理部13、儲存畫素區域11CAD資料以及對應上述基準位置對應表資料的記憶記憶部14、利用上述撮像位置和曝光位置間的距離D以及TFT基板6移動速度V計算出畫素區域11從撮像位置到曝光位置的移動時間t、以上述基準位置為基準求出曝光預定位置(以下稱「被曝光區域」)和光罩10開口部10a間的位置偏移的演算計算部15、以上述基準位置為基準控制光源7曝光源照射時間的燈源控制器16、以預定速度驅動平台3a往X軸方向移動的傳送裝置3以及驅動傳送裝置3上的對位裝置5的傳送裝置控制器17，和控制裝置整體系統的控制部18。
第3圖及第4圖是影像處理部13的構成區塊圖。如第3圖，影像處理部13具有：例如三個並列連接的環緩衝記憶體19A、19B、19C，該環緩衝記憶體19A、19B、19C每個分別並列連接例如三個列緩衝記憶體20A、20B、20C，與該列緩衝記憶體20A、20B、20C連接與臨界值比較輸出二進位灰階資料的比較電路21，上述九個列緩衝記憶體20A、20B、20C的輸出資料與第1圖記憶部14被曝光區域左邊設定的第1基準位置的影像資料對應表(以下稱「左邊LUT」)相比較，當兩個資料一致時輸出左邊辨識結果的左邊辨識電路22，上述九個列緩衝記憶體20A、20B、20C的輸出資料與第1圖記憶部14被曝光區域右邊設定的第2基準位置的影像資料對應表(以下稱「右邊LUT」)相比較，當兩個資料一致時輸出右邊辨識結果的右邊辨識電路23。
如第4圖影像處理部13具有輸入上述左邊辨識結果並計算與第1基準位置對應影像資料一致次數的計數電路24A、將該計數電路24A的輸出與第1圖記憶部14所得到的左邊畫素號碼相比較，當兩數值一致時將左邊指定訊號輸出給記憶部14的比較電路25A、輸入上述右邊辨識結果並計算第2基準位置對應影像資料一致次數的計數電路24B，將該計數電路24B的輸出與記憶部14所得到的右邊畫素號碼相比較，當兩數值一致時輸出右邊指定訊號給上述記憶部14的比較電路25B、根據上述計數電路24A的輸出計算左邊畫素數n的左邊畫素計數電路26、將該左邊畫素計數電路26的輸出與記憶部14所得到曝光結束畫素列號碼N相比較，當兩數值一致時輸出曝光結束畫素列指定訊號給上述記憶部14的比較電路27。計數電路24A、24B藉由攝像裝置2開始讀取動作的開始讀取訊號進行重設。左邊畫素計數電路26在預定區域曝光結束時藉由曝光結束訊號進行重設。
接下來説明液晶顯示器用基板的製造方法。
首先第1製程如第5(a)圖及第6(a)圖在習知技術適用的TFT基板上形成具有TFT 12和畫素電極28的陣列狀畫素區域11，TFT基板6的畫素區域周圍具有驅動TFT 12的閘極線(橫線路)和資料線(縱線路)的線路29。
第2製程如第6(b)圖在TFT基板6覆上例如有機膜所形成的平坦化層30。
第3製程，在如第6(c)圖的平坦化層30上塗佈例如負型紅色感光性光阻。接著以上述的曝光裝置形成紅色(R)的彩色濾光片31R的曝光圖形。接下來參考第7圖的流程圖來説明上述曝光裝置的曝光順序。
首先將曝光裝置通入電源，起動第1圖的攝像裝置2，照明裝置及控制裝置4呈待機狀態。接下來將TFT基板6承載到傳送裝置3的平台3a上，操作未圖示的開關，藉由控制裝置4的傳送裝置控制器17控制傳送裝置3將TFT基板6以定速度往箭頭A方向傳送。當TFT基板6到達攝像裝置2的攝像位置時，根據以下的順序進行曝光。
首先步驟S1，以攝像裝置2擷取畫素區域11的影像。擷取的影像資料輸入第3圖影像處理部13的三個環緩衝記憶體19A、19B、19C進行處理。並從各個環緩衝記憶體19A、19B、19C輸出最新的三個資料。例如從環緩衝記憶體19A輸出前兩個資料，從環緩衝記憶體19B輸出前一個資料，從環緩衝記憶體19C輸出最新的資料。這些資料分別與三個列緩衝記憶體20A、20B、20C例如3×3的CCD畫素區域的影像位於同一時脈(時間軸)。結果可以得到如第8(a)圖的影像。將該影像進行數位化，得到如第8(b)圖3×3的對應數值。這些位於同－個時脈上的數位化影像，以比較電路和臨界值比較進行二進位處理。例如臨界值為"45"時、同第8(a)圖的影像變成第8(c)圖的二進位資料。
接著步驟S2檢出被曝光區域左右邊的基準位置。基準位置的檢出是利用左邊辨識電路22，將上述二進位資料與第1圖記憶部14所得到的左邊LUT資料相比較。
如果被曝光區域的左邊設定為第1基準位置是如第9(a)圖畫素區域11左上角的線路29的交叉部份時，上述的左邊LUT變成如第9(b)圖，這時左邊LUT的資料變成"111100100"。上述二進位資料與上述左邊LUT的資料"111100100"相比較，當兩個資料一致時，以辨識攝像裝置2所擷取的影像資料設定為第1基準位置，並從左邊辨識電路22輸出左邊的辨識結果。如第12圖畫素區域11為五個並列時，以各畫素區域11的左上角為第1基準位置。
根據上述辨識結果，由第4圖的計數電路24A計算上述一致的次數。接著以比較電路25A比較計算次數與第1圖記憶部14所得到的左邊畫素號碼，當兩數值一致時輸出左邊指定訊號到上述記憶部14。這時，如第12圖將左邊畫素號碼設定為第1號的畫素區域111 ，設定該畫素區域111 的左上角為第1基準位置P1。並將攝像裝置2列狀CCD中對應該第1基準位置P1的畫素位址例如EL1 儲存在記憶部14中。
另一方面上述的二進位資料以右邊辨識電路23與第1圖記憶部14所得到的右邊LUT資料相比較。例如被曝光區域右邊設定為第2基準位置是如第10(a)圖畫素區域11右上角線路29的交叉部份時，上述右邊LUT如第10(b)圖，這時右邊LUT的資料變為"111001001"。將上述的二進位資料與上述右邊LUT的資料"111001001"相比較，當兩個資料一致時，以攝像裝置2擷取的影像資料設定為被曝光區域右邊的基準位置，從右邊辨識電路23輸出右邊辨識結果。如上述，如第12圖畫素區域11為五個並列時，各畫素區 域11的右上角為第2基準位置P2。
根據上述辨識結果，由第4圖的計數電路24B計算上述一致的次數。將該計算數與第1圖記憶部14所得到的右邊畫素號碼以比較電路25B相比較，當兩數值一致時，輸出右邊指定訊號給上述的記憶部14。這時，如第12圖將右邊畫素號碼設定為第5號的畫素區域115 ，並以該畫素區域115 的右上角為第2基準位置P2。並將攝像裝置2列狀CCD中對應該第2基準位置P2的畫素位址例如EL5 儲存在記憶部14中。如上述檢出被曝光區域左邊及右邊的基準位置後，進入步驟S3。
步驟S3如第11圖，根據上述第1基準位置P1及第2基準位置P2的檢出時間t1 、t2 以計算部份15來計算TFT基板6相對傳送方向的傾斜角度θ。例如傳送速度為V，第1基準位置P1和第2基準位置P2相對傳送方向的偏移量為(t1 -t2 )V。如第12圖第1基準位置P1和第2基準位置P2的間隔，可以由攝像裝置2對應第1基準位置P1的畫素位址EL1 和攝像裝置2對應第2基準位置P2的畫素位址EL5 由K(EL5 -EL1 )求得。其中的K為撮像倍率。TFT基板6的傾斜角θ為θ=arctan(t1 -t2 )V/{K(EL5 -EL1 )}計算求得。上述間隔也可由CAD資料求得。
計算出傾斜角θ後，利用傳送裝置控制器17控制傳送裝置3的對位裝置5驅動平台3a旋轉角度θ。結果 如第12圖，畫素區域11被曝光區域的各邊與光罩10的開口部10a的各邊變成平行。
接下來步驟S4以計算部份15計算第1基準位置P1和第2基準位置P2的中間位置。實際方法是從記憶部14讀取攝像裝置2對應第1基準位置P1的畫素位址EL1 和攝像裝置2對應第2基準位置P2的畫素位址EL5 ，從(EL1 +EL5 )/2求出上述的中間位置。
接下來步驟S5，辨識由步驟S4所求得的中間位置是否與攝像裝置2的攝像中心(畫素位址ELc )一致。如果辨識"NO"時進入步驟S6。
步驟S6，藉由傳送裝置控制器17控制對位裝置5的平台3a移動，如第12圖根據K{ELc -(EL1 +EL5 )/2}的公式往Y軸箭頭B方向移動TFT基板6。如第2圖被曝光區域的中心位置和攝像裝置2的攝像中心(及光罩10開口部10a的中心位置)變成一致，並進入步驟S7。
如果步驟S5辨識為"YES"時，直接進入步驟S7。
步驟S7，辨識畫素區域11被曝光區域是否為曝光系統1的曝光位置。其辨識方法是利用記憶部14所儲存的第1基準位置的檢出時間t1 ，第2圖傳送方向上的畫素區域11寬度W、傳送速度V以及撮像位置和曝光位置間的距離D資料，以計算部份15計算攝像裝置2所擷取的畫素列中心位置影像到TFT基板6傳送距離D的傳送時間t，控制該時間t。也就是經過時間t之後，被曝光區域被辨識為設定曝光位置後(辨識"YES")，便進入步驟S8。
步驟S8，起動燈源控制器16，讓光源7以預設時間發光。這時，由於TFT基板6以定速度移動，因此曝光圖形在傳送方向上的邊緣有可能會較差。因此必須根據誤差的容許值設定傳送速度、曝光時間以及光源7的功率。
步驟S9，左邊畫素數n可由第4圖的左邊畫素計數電路26計算求得。接著進入步驟S10，將上述左邊畫素數n與記憶部14中儲存的曝光結束畫素列號碼N以比較器27相比較，辨識兩數值是否一致。
步驟S10，辨識為"NO"時，回到步驟S1進行下一個基準位置的檢出動作。這時，根據攝像裝置2的開始讀取訊號，重設第4圖的計數電路24A、24B。
另一方面，步驟S10辨識為"YES"時，結束TFT基板6預定區域的曝光，根據曝光結束訊號重設第4圖的左邊畫素計數電路26。傳送裝置3的平台3a快速地回到開始位置。
根據上述曝光系統1，可曝光區域比TFT基板6的寬度小時，可以在結束上述步驟S10之後將平台3a往Y軸方向移動預定距離，接著重複上述步驟S1~S10，在已經曝光區域的相鄰區域進行曝光。同時也可以在上述曝光系統1及攝像裝置2的Y軸方向上配置多個列狀排列的TFT基板6進行一次全寬度的曝光。如果攝像裝置2的影像擷取區域比被曝光區域小時，可以在Y軸方向上並列多台攝像裝置2。
為了方便起見，以下說明步驟S1~S10的連續動作，基準位置的檢出與上述各步驟為並行處理並將檢出的資料即時儲存在記憶部14中。上述步驟S3中TFT基板6的θ調整及步驟S6中TFT基板6的Y軸調整，從記憶部14讀取必要資料必須在TFT基板6從前一個曝光位置到下一個曝光位置的移動時間內完成。
如上述，結束曝光以及顯像之後，必須進行例如200℃~230℃的烘烤，形成如第5(b)圖及第6(c)圖的紅色(R)彩色濾光片31R。重複上述同樣的製程分別形成綠色(G)及藍色(B)的彩色濾光片31G、31B(參考第5(c)圖)。
第4製程為彩色濾光片上塗佈例如正型感光性黒色光阻。接著如第5(c)圖曝光上述的感光性黒色光阻(感光材料)，形成在TFT 12及線路29上重疊位置的遮光黑矩陣32。這時如第13圖，黑矩陣32光罩10的開口部10a與被曝光區域的畫素區域11對應成橫列並列。
由於TFT基板6覆蓋塗佈感光性黒色光阻，所以無法從基板上方擷取畫素區域11的影像，這時曝光裝置，如第14圖攝像裝置2必須裝設在平台3a下方，從TFT基板6下方穿透基板，擷取畫素區域11的影像。這時的曝光順序和第3工程一樣。如上述結束曝光、顯像及烘烤後，如第5(c)圖及第6(d)圖製作完成在彩色濾光片上形成黑矩陣32的液晶顯示器用基板。
黑矩陣32不限於使用感光性黒色光阻，也可以使用例如Cr等的金屬膜。這時，彩色濾光片31R、31G、31B上濺鍍形成例如Cr的膜，在該Cr膜上塗佈光阻使用上述曝光裝置形成黑矩陣32的光阻圖形，以該光阻圖形作為保護層蝕刻上述Cr膜可以形成Cr的黑矩陣32。
根據本發明液晶顯示器用基板的製造方法，TFT基板6以預定速度傳送並擷取畫素區域11的影像，在該擷取的畫素區域11影像上檢出預設基準位置，以該基準位置為基準控制曝光時間，可以在TFT基板6預定位置上形成高精度的彩色濾光片及黑矩陣的曝光圖形。
上述實施例所使用的曝光裝置其光罩10與塗佈光阻的TFT基板6間具有一定的距離，但是將光罩10的圖形利用成像透鏡9成像在TFT基板6光阻上的方法並不限於此，例如第15圖中的攝像裝置2位於平台3a下方，由TFT基板6下方透過基板擷取畫素區域11的影像，並將光罩10非常接近塗佈光阻的TFT基板6，將光罩10的圖形轉寫到TFT基板6光阻上的近接曝光方式，或是光罩10與TFT基板10互相接觸，將光罩10的圖形轉寫到TFT基板6光阻上的接觸曝光方式。使用上述這些方式的曝光裝置，根據本發明在以預定速度傳送TFT基板6並擷取畫素區域11的影像，在該擷取畫素區域11的影像上檢出預設基準位置，以該基準位置為基準控制曝光時間，都可以在TFT基板6的預定位置上形成高精度的彩色濾光片及黑矩陣的曝光圖形。
上述曝光裝置並不限於使用光罩，也可以使用以攝像裝置2擷取畫素區域11的影像，檢出該畫素區域11上的預設基準位置，以該基準位置為基準控制例如雷射掃描或微鏡片陣列驅動直接在TFT基板6上曝光形成彩色濾光片31R、31G、31B和黑矩陣32的圖形曝光的裝置。
1．．．曝光系統
2．．．攝影裝置
3．．．傳送裝置
4．．．控制裝置
5．．．對位裝置
6．．．TFT基板
7．．．光源
8．．．光罩平台
9．．．成像透視鏡
10．．．承載光罩
10a．．．承載光罩開口部
13．．．影像處理部份
14．．．記憶部
15．．．計算部
16．．．燈源控制器
17．．．傳送裝置控制器
18．．．控制部
11．．．畫素區域
19A、19B、19C．．．環緩衝記憶體
20A、20B、20C．．．列緩衝記憶體
21．．．二進位灰階資料的比較電路
22．．．左邊辨識電路
23．．．右邊辨識電路
24A、24B．．．計數線路
25A、25B、27．．．比較回路
26．．．左邊畫素計數線路電路
EL1 、ELc 、EL5 ．．．畫素位址
第1圖是根據本發明液晶顯示器用基板的製造方法實施所用的曝光裝置結構圖。
第2圖是上述曝光裝置中攝像裝置、光罩開口部及畫素區域的被曝光區域之間相對關係的説明圖。
第3圖是上述曝光裝置內部影像處理部的前半部處理系統的區塊圖。
第4圖是同一曝光裝置內部影像處理部的後半部處理系統的區塊圖。
第5圖是根據本發明液晶顯示器用基板製程説明的平面圖。
第6圖是上述製程說明的橫截面圖。
第7圖是上述曝光裝置曝光順序的流程圖。
第8圖是上述影像處理部的環緩衝記憶體二進位輸出的方法説明圖。
第9圖是上述TFT基板畫素區域上預設第1基準位置的影像及其對應表的説明圖。
第10圖是上述TFT基板畫素區域上預設第2基準位置的影像及其對應表的説明圖。
第11圖是TFT基板傾斜調整的平面說明圖。
第12圖是TFT基板Y軸方向對位調整的平面說明圖。
第13圖是在上述TFT基板上形成黑矩陣的光罩實施例平面圖。
第14圖是在形成上述黑矩陣時所用的曝光裝置其他部份的説明圖。
第15圖是根據本發明的液晶顯示器用基板的製造方法實施所用的曝光裝置其他部份的説明圖。
1．．．曝光系統
2．．．攝影裝置
3．．．傳送裝置
4．．．控制裝置
5．．．對位裝置
6．．．TFT基板
7．．．光源
8．．．光罩平台
9．．．成像透視鏡
10．．．承載光罩
10a．．．承載光罩開口部
13．．．影像處理部份
14．．．記憶部
15．．．計算部
16．．．燈源控制器
17．．．傳送裝置控制器
18．．．控制部

Claims (3)

  1. 一種在TFT基板預定位置形成彩色濾光片和黑矩陣曝光圖形的液晶顯示器用基板之製造方法，該TFT基板之每個畫素區域設有薄膜電晶體(TFT)，且同時，在所述畫素區域周邊縱橫交錯地設有為了驅動該薄膜電晶體(TFT)之線路，且該TFT基板一方面向一定方向傳送，一方面在其上利用光罩形成彩色濾光片和黑色矩陣曝光圖形，該方法的形成步驟包括：在上述TFT基板上塗佈彩色濾光片及黑矩陣感光材料的塗佈步驟；以預定速度傳送塗佈上述感光材料的TFT基板，以及，塗佈了感光材料的TFT基板被傳送時，在該垂直TFT基板之傳送方向，以形成上述曝光圖形位置前方之攝像位置的攝像裝置來擷取影像，而跨過所述TFT基板之多數個所述畫素區域，攝像裝置以列狀排列之CCD的受光元件來擷取上述畫素區域影像的影像擷取步驟；依據已被攝像的畫像之畫像資料，於所述畫素區域之角隅，檢出在所述縱橫線路之交叉部的該擷取畫素區域影像上預設基準位置的檢出步驟；以該檢出的基準位置為基準，根據被檢出了的基準位置，修正TFT基板上之曝光預定位置與對 應所述畫素區域所形成的所述光罩之開口部位置之間的誤差，同時，所述基準位置被檢出後，所述TFT基板只被傳送至預定距離，TFT基板上之曝光預定位置到達該圖形的曝光位置時，曝光源乃僅照射該移動中的TFT基板預定的時間，該TFT基板上的該曝光預定位置乃曝光形成彩色濾光片和黑色矩陣曝光圖形形成步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項的液晶顯示器用基板之製造方法，其中所述基準位置的檢出步驟是依據上述以成列的CCD所擷取之最新三個影像資料得到灰階的二次元影像，將該影像進行二進位處理的畫素區域影像資料與上述預設之記憶基準位置的影像資料相比較，檢出兩個影像資料一致的部份。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項的液晶顯示器用基板之製造方法，其中所述TFT基板上的曝光預定位置與所述光罩之開口部位置之間的誤差係，在所述TFT基板之傳送方向，所述光罩的中心與攝像中心一致時，演算所設的該列狀CCD受光元件預先設定的基準位置與該縱橫線路的交叉部所預先設定的基準位置之間的位置誤差量，而該TFT基板並於垂直該基板傳送方向上移動該誤差量。
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