TWI396272B - 光電裝置及用於操作該光電裝置之方法 - Google Patents

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Description

光電裝置及用於操作該光電裝置之方法
本發明係有關一種光電裝置及用於操作該光電裝置之方法。
[優先權之主張]
本專利申請案主張德國專利申請案10 2006 061 941.2之優先權，於此併入該專利申請案之內容，以供參照。
光電裝置可包含複數個發光二極體。該光電裝置之發射光譜係因個別發光二極體之發射光譜而產生。由於該等發光二極體在連續生產期間的發射光譜之變化，所以可能使在預定間隔中得到該光電裝置的輻射之色座標複雜化。
文件WO 2006/002607揭示了一種包含兩個發光二極體之發光二極體裝置。該兩個發光二極體係相互反向並聯。 該發光二極體裝置包含用來提供具有該等兩個發光二極體的交替方向的之電流之裝置。
文件US5,861,990說明了一種結合了光散射及集中之裝置，其中材料之第一表面自入射角度範圍接收光，且該材料之第二表面在發射角度範圍中發光。
本發明之目的在於說明一種光電裝置及用於操作該光電裝置之方法，該裝置及方法能夠彈性地設定該光電裝置之輻射。
係利用本發明申請專利範圍第1項之主題以及根據本 發明申請專利範圍第23項之方法而達到該目的。各申請專利範圍附屬項係分別有關發展及結構。
根據本發明的光電裝置包含功率發光二極體及設定發光二極體。該功率發光二極體可提供第一電磁輻射。該設定發光二極體可發射第二電磁輻射。該第一輻射具有第一發射光譜，且該第二輻射具有第二發射光譜。該光電裝置之總輻射包含該第一輻射及該第二輻射。
係利用該功率發光二極體而有利地實現該光電裝置的總輻射之主要部分。為了得到可預先決定的總輻射，將該設定發光二極體提供之該第二輻射加入該第一輻射。
該第二發射光譜最好是不同於該第一發射光譜。該第一發射光譜可包含第一波長，且該第一波長不同於該第二發射光譜包含的波長。該第二發射光譜可包含第二波長，且該第二波長不同於該第一發射光譜包含的波長。在替代實施例中，該第一及該第二發射光譜包含相同的波長，其中該第一發射光譜中之第一強度分佈不同於該第二發射光譜中之第二強度分佈。
在一個實施例中，係使用該設定發光二極體來精確地設定該總輻射之發射光譜。
在一個實施例中，將該第二輻射與該第一輻射混合，而在可預先決定的間隔中得到該光電裝置的總輻射之色座標。在此種情形中，該等色座標係在國際照明委員會色度圖(CIE chromaticity diagram)中標出X座標及Y座標。因此，可利用該設定發光二極體發射的該第二輻射，使單 獨由該功率發光二極體的操作而得到的但不在該預定間隔中的色座標有利地移動，因而該第一及該第二輻射的總和產生了在該預定間隔中之色座標。
在一個實施例中，第一半導體本體(其中該半導體本體也被稱為晶粒或晶片)具有該功率發光二極體，且第二半導體本體具有該設定發光二極體。
在一個發展中，該第一半導體本體具有第一輻射離去區，而自該第一輻射離去區發生具有該第一發射光譜之該第一輻射，且該第二半導體本體具有第二輻射離去區，而自該第二輻射離去區發生具有該第二發射光譜之該第二輻射。在一個實施例中，該第一輻射離去區比該第二輻射離去區至少大四倍。該第一輻射離去區最好是比該第二輻射離去區大五倍。該第一輻射與該第二輻射間之強度比是該第一輻射離去區與該第二輻射離去區間之面積比的函數。
在一個實施例中，該光電裝置包含載體，而該第一及該第二半導體本體被固定在該載體上。可將該載體實施為該第一及該第二半導體本體之外殼。
在一個發展中，第一電源被供應到該功率發光二極體，且第二電源被供應到該設定發光二極體。在一個實施例中，該第一電源的值比該第二電源的值至少大四倍。該第一電源的值比該第二電源的值最好是大五倍。可以該第一電源與該第二電源間之比率設定該第一輻射與該第二輻射間之強度比。在一個較佳實施例中，該第一輻射的值大於該第二輻射的值。
在一個實施例中，係以使該光電裝置的總輻射之色座標在CIE色度圖中之該預定間隔內之方式，提供該第二發射光譜及該第二電源。
在一個實施例中，該光電裝置包含至少一個另外的設定發光二極體。為了發射至少一個另外的輻射而提供該至少一個另外的設定發光二極體。該至少一個另外的輻射具有至少一個另外的發射光譜。因此，該光電裝置之總輻射也額外地包含該至少一個另外的輻射。
該至少一個另外的發射光譜最好是不同於該第一發射光譜，且同樣地不同於該第二發射光譜。
最好是可將該另外的設定發光二極體用於該光電裝置的總輻射的發射光譜之更精確的細微設定。因此，藉由將該設定發光二極體之該第二輻射及該至少一個另外的設定發光二極體之該至少一個另外的輻射與該第一輻射混合，而有助於可能使該光電裝置的總輻射之色座標被更精確地設定在該預定間隔。
在一個實施例中，至少一個另外的半導體本體包含該至少一個另外的設定發光二極體。該至少一個另外的半導體本體具有至少一個另外的輻射離去區。在此種情形中，在一個實施例中，該第一半導體本體之該第一輻射離去區比該至少一個另外的輻射離去區至少大四倍。
在一個實施例中，至少一個另外的電源被饋入到該至少一個另外的設定發光二極體。該第一電源最好是比該至少一個另外的電源至少大四倍。藉由選擇該至少一個另外 的發射光譜以及該第一發射光譜，即可得到在CIE色度圖中之該預定間隔內之色座標。
在一個實施例中，該光電裝置包含至少一個另外的功率發光二極體。該至少一個另外的功率發光二極體提供至少一個額外的輻射。該至少一個額外的輻射具有至少一個額外的發射光譜。利用兩個或更多個功率發光二極體，而有利地提供該光電裝置的總輻射之主要部分。該一個或多個設定發光二極體可被用來更細微地設定CIE色度圖中之色座標。
最好是在相同的極性下並聯該功率發光二極體及該設定發光二極體、以及(在適當的情形下)該另外的功率及(或)設定發光二極體。
在一個實施例中，該光電裝置包含光混合裝置，且係朝發射方向而在該功率發光二極體及該設定發光二極體以及(在適當的情形下)該另外的功率及(或)設定發光二極體的下游處(down sfream)配置該光混合裝置。該第一及該第二輻射被供應到該光混合裝置。該第一及該第二輻射被多次內反射，且因而係在該光混合裝置中被混合。該光電裝置因而根據該第一及該第二輻射以及(亦在適當的情形下)該另外的設定及功率發光二極體的輻射之混合，而在輸出側上提供總輻射。因而有利地實現了下列結果：經由該光電裝置而朝不同方向發射的輻射有大致相同的發射光譜。因而利用該光混合裝置而得到了總輻射的發射光譜之角度不相關性(angle independence)。在此種情形中，總輻射 的強度可具有角度相關性。
在一個實施例中，該光混合裝置包含用於結合光散射及集中之配置，其中材料之第一表面自入射角度範圍接收光，且該材料之第二表面在發射角度範圍中發光。
在一個發展中，該光電裝置包含至少一個磷光質(phophor)。係朝該發射方向而在該功率發光二極體及該設定發光二極體以及(在適當的情形下)該另外的功率及(或)設定發光二極體的下游處配置該磷光質。可將該磷光質加入被施加到該功率發光二極體及該設定發光二極體以及(在適當的情形下)該另外的設定及功率發光二極體之封裝灌注化合物(potting compound)中。在一個實施例中，該光混合裝置包含該至少一個磷光質。
利用該磷光質，可在至少一個波長下至少部分地轉換該第一輻射及(或)該第二輻射及(或)(在適當的情形下)由該另外的功率及(或)設定發光二極體發射之另外的輻射。該磷光質通常吸收該等發光二極體所發射的輻射之至少一個部分，且最好是立即發射具有大於原先被該發光二極體發射的輻射的波長的波長之輻射。將該發光二極體原先發射的輻射的經過波長轉換之部分與該原先發射的輻射混合，而產生最終的輻射。該磷光質被有利地用來設定該光電裝置的總輻射之發射光譜。
可將該功率發光二極體及(或)該設定發光二極體以及該等另外的功率發光二極體及(或)該等另外的設定發光二極體實現為薄膜發光二極體晶片。
薄膜發光二極體晶片不同之處尤其在於下列特徵： ﹡在輻射產生磊晶層序列的面對載體元件之第一主要區上施加或形成反射層，該反射層將該磊晶層序列中產生的電磁輻射之至少一個部分反射回該磊晶層序列； ﹡半導體層序列沒有生長基材。在本例子中，“沒有生長基材”意指自半導體層序列去除了或至少大幅削薄了可能被用於生長之生長基材。尤其係以單獨的方式，或在該生長基材並非單獨自行支承之情形下以連同該磊晶層序列之方式，將該生長基材削薄。被大幅削薄的生長基材之殘餘物尤其不適用於生長基材的功能； ﹡該磊晶層序列具有範圍在20微米或更小且尤其是範圍在10微米的區域之厚度；以及 ﹡該磊晶層序列包含至少一個半導體層，其中該至少一個半導體層之至少一個區域具有混合結構，該混合結構理想上將導致該磊晶層序列中之光的大致各態歷經的分佈(ergodic distribution)，亦即，該磊晶層序列具有所能達到的最大各態歷經隨機散射特性。
例如，在I. Schnitzer等人在Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174-2176所發表的論文中述及了薄膜發光二極體晶片之基本原理，本發明特此引用該論文在這一方面之揭示內容以供參照。
薄膜發光二極體晶片是朗伯表面發射器(Lambertian surface emitter)之良好近似，且因而特別適用於車前大燈中之應用。
可根據根據波長而以不同的半導體材料系統製造該功率發光二極體及該設定發光二極體以及該另外的功率及(或)另外的設定發光二極體。例如，基於Inx Gay Al1-x-y As的半導體本體適於長波輻射；例如，基於Inx Gay Al1-x-y P的半導體本體適於可見光紅色至黃色輻射；且例如，基於Inx Gay Al1-x-y N的半導體本體適於短波可見光(尤其是綠色至藍色)輻射或紫外光輻射，其中在0x1且0y1的情形下都適用。
該磊晶層序列最好是包含適於產生電磁輻射之至少一個主動區。為達到此目的，該主動區可具有諸如PN接面、雙異質結構(double heterostructure)、以及單量子井或尤其最好是多量子井(Multiple Quantum Well；簡稱MQW)結構。
在本申請案的上下文中，術語量子井結構尤其包含可使電荷載子因侷限而經歷其能階的量化之任何結構。術語量子井結構尤其並不包含與量化的維度有關之指示。因此，量子井結構尤其包含量子井、量子線(quantum wire)、量子點(quantum dot)、以及這些結構之任何組合。
根據本發明，一種操作光電裝置之方法包含：利用功率發光二極體提供第一輻射。該第一輻射具有第一發射光譜。又利用設定發光二極體提供第二輻射。該第二輻射包含第二發射光譜。利用該第二輻射更精確地設定該光電裝置的總輻射之發射光譜。
在有利的方式下，該功率發光二極體可提供總輻射之 主要部分，且該設定發光二極體可提供較小部分。
在一個實施例中，係實質上同時地發射該第一及該第二輻射。
在一個實施例中，第一電源被饋入到該功率發光二極體，且第二電源被饋入到該設定發光二極體。在一個實施例中，該第一電源的值是該第二電源的值之至少四倍。該第一電源的值最好是該第二電源的值之五倍。可利用該第一電源與該第二電源間之比率設定該第一輻射與該第二輻射間之比率。因此，可精確地設定該光電裝置的總輻射之發射光譜。
在一個實施例中，該第一及該第二電源實質上被分別同時饋入到該功率發光二極體及該設定發光二極體。該兩個電源可分別是恆定的。
在另一實施例中，經過脈寬調變之第一電流被供應到該功率發光二極體，且經過脈寬調變之第二電流被供應到該設定發光二極體。因此，該第一及該第二電源不是恆定的，而是被時脈驅動的。對該兩個電流之調變可以是大致相同的。因此，該兩個電源可在實質上分別被同時饋入到該功率發光二極體及該設定發光二極體。在替代實施例中，可以不同於該第二電流的方式調變該第一電流。
該第一及(或)該第二電源可以是暫時可變的。因此，色座標在操作期間的改變是可能的。因此，可於操作期間有利地設定不同的色座標。
在該第一及(或)該第二電源有可暫時可變的值之情形 下，亦可補償色座標自原始色座標的長期性偏移。可能因該功率及(或)設定發光二極體的發射光譜中之個別波長的不同衰減而造成此種長期性偏移。
下文中將參照各圖式而根據複數個實施例更詳細地說明本發明。功能上相同或效果上相同的結構元件及組件將有相同的代號。只要各結構元件及組件在功能上相互對應，則將不參照每一圖式而重複對該等結構元件及組件之說明。
第1A圖是根據本發明的光電裝置的實施例之橫斷面圖。光電裝置(1)包含功率發光二極體(10)、設定發光二極體(20)、以及載體(2)。功率發光二極體(10)及設定發光二極體(20)被配置在載體(2)上。功率發光二極體(10)具有第一半導體本體(11)，且設定發光二極體(20)具有第二半導體本體(21)。第一半導體本體(11)包含第一輻射離去區FL。第二半導體本體(21)相應地包含第二輻射離去區FE。
載體(2)包含第一連接墊(31)，而功率發光二極體(10)被配置在第一連接墊(31)上；以及第二連接墊(32)，而設定發光二極體(20)被配置在第二連接墊(32)上。第一半導體本體(11)在導電性上被連接到第一連接墊(31)，且第二半導體本體(21)在導電性上被連接到第二連接墊(32)。此外，載體(2)包含第三及第四連接墊(33)、(34)。第一半導體本體(11)被耦合到第三連接墊(33)，且第二半導體本體(21)被耦合到第四連接墊(34)。為達到此目的，利用打線 (35)將該第一輻射離去區FL上的連接區連接到第三連接墊(33)，且利用另外的打線(36)將第二輻射離去區FE上的連接區連接到第四連接墊(34)。功率發光二極體(10)被配置在接近光電裝置(1)的中點或對稱軸(7)。因此，係以一種與對稱軸(7)間隔開之方式配置設定發光二極體(20)。光電裝置(1)進一步包含光混合裝置(5)。光混合裝置(5)被配置在載體(2)上。
第一電源PL被供應到功率發光二極體(10)。第二電源PE被相應地饋入到設定發光二極體(20)。利用第一連接墊(31)、第三連接墊(33)、及打線(35)實現該第一電源PL的饋入。利用第二連接墊(32)、第四連接墊(34)、及另外的打線(36)相應地執行該第二電源PE的饋入。功率發光二極體(10)發射第一輻射SL。該第一輻射SL具有第一發射光譜EL。以類似的方式，設定發光二極體(20)發射第二輻射SE。該第二輻射SE包含第二發射光譜EE。係在該第一輻射離去區FL上發射該第一輻射SL，且係在該第二輻射離去區FE上發射該第二輻射SE。係以一種與該第一電源PL相依之方式執行該第一輻射SL之發射，且係以一種與該第二電源PE相依之方式執行該第二輻射SE之發射。係以一種使光電裝置(1)具有總輻射SO之方式提供該第一及該第二輻射SL、SE。該總輻射SO是該第一及該第二輻射SL、SE之總和。該第一輻射SL之值大於該第二輻射SE之值。利用光混合裝置(5)混合該第一及該第二輻射SL、SE。因而達到了下列目的：光電裝置(1)之該總輻射SO朝任何 輻射方向有大致相同的發射光譜。該總輻射之總強度係與方向相依。
利用該第二輻射SE與該第一輻射SL之混合而有利地達到了下列目的：總輻射SO具有在可預先決定的範圍中之發射光譜EO。
光混合裝置(5)有利地補償了下列現象：功率發光二極體(10)及設定發光二極體(20)無法被同時地配置在光電裝置(1)的對稱軸(7)或中點上。
在替代實施例中，光電裝置(1)又包含磷光質(6)。磷光質(6)被加入光電裝置(1)之方式為使磷光質(6)被配置在該第一及該第二輻射SL、SE的光束路徑上。磷光質(6)被用來設定光電裝置(1)的總輻射SO之發射光譜EO。因此，可相對於該第一及該第二發射光譜EL、EE而有利地改變總輻射SO之發射光譜EO。利用磷光質(6)，而相對於該第一及該第二發射光譜EL、EE使該發射光譜EO變寬。
第1B圖是第1A圖的橫斷面圖所示的根據本發明的光電裝置(1)的實施例之平視圖。
第一及第三連接墊(31)、(33)被用來將功率發光二極體(10)在導電性上連接到光電裝置(1)的兩個外部連線(47)、(48)。第二及第四連接墊(32)、(34)相應地被用來將設定發光二極體(20)在導電性上連接到光電裝置(1)的兩個另外的外部連線(49)、(50)。
在替代實施例(圖中未示出)中，光電裝置(1)包含至少一個另外的設定發光二極體。
在替代實施例(圖中未示出)中，光電裝置(1)具有至少一個另外的功率發光二極體。
第2圖是根據本發明的光電裝置的實施例之平視圖。根據第2圖的光電裝置(1)是根據第1A及1B圖的光電裝置(1)之發展。根據第2圖的光電裝置(1)包含被配置在載體(2)上之第一及第二串聯電阻(37)、(38)。載體(2)包含第一及第二電氣連線(3)、(4)。第一連接墊(31)及第二連接墊(32)被連接到第一電氣連線(3)。功率發光二極體(10)係經由第一串聯電阻(37)而被連接到第二電氣連線(4)。設定發光二極體(20)係相應地經由第二串聯電阻(38)而被連接到第二電氣連線(4)。為達到此目的，第一串聯電阻(37)被配置在第三連接墊(33)與第二電氣連線(4)之間。第二串聯電阻(38)被相應地配置在第四連接墊(34)與第二電氣連線(4)之間。該第一及該第二電氣連線(3)、(4)被用來作為光電裝置(1)之外部連線。光電裝置(1)因而包含由其中包括功率發光二極體(10)及第一串聯電阻(37)的第一串聯電路以及其中包括設定發光二極體(20)及第二串聯電阻(38)的第二串聯電路構成之並聯電路。
係利用第一及第二電氣連線(3)、(4)將該第一及該第二電源PL、PE之總和饋入到光電裝置(1)。第一及第二串聯電阻(37)、(38)因而可被用來將總電源分割成第一電源PL及第二電源PE。可利用對該第一及該第二電源PL、PE之設定，而分別設定該第一輻射SL及該第二輻射SE之輻射功率。因此，可細微地調整總輻射SO的發射光譜EO中 之強度分佈。
在替代實施例(圖中未示出)中，光電裝置(1)包含至少一個另外的串聯電路，該至少一個另外的串聯電路具有另外的設定發光二極體及另外的串聯電阻。該至少一個另外的串聯電路被連接到第一與第二電氣連線(3)、(4)之間。
在替代實施例(圖中未示出)中，光電裝置(1)具有至少一個額外的串聯電路，該至少一個額外的串聯電路包含另外的功率發光二極體及另外的串聯電阻。該至少一個額外的串聯電路被連接到第一與第二電氣連線(3)、(4)之間。
第3圖是根據本發明的光電裝置的實施例之平視示意圖。根據第3圖之該光電裝置是第1A、1B、及2圖所示該光電裝置之發展。根據第3圖，光電裝置(1)包含功率發光二極體(10)及第一設定發光二極體(20)。此外，光電裝置(1)包含第二、第三、及第四設定發光二極體(22)、(24)、(26)。係以與對稱軸(7)對稱之方式配置功率發光二極體(10)以及四個設定發光二極體(20)、(22)、(24)、(26)。係以一種在圓弧(8)上均勻分佈之方式配置該四個設定發光二極體(20)、(22)、(24)、(26)。圓弧(8)係以對稱軸(7)為中點。第二設定發光二極體(22)具有第三半導體本體(23)，該第三半導體本體(23)具有第三輻射離去區FE1。第三設定發光二極體(24)相應地具有第四半導體本體(25)，該第四半導體本體(25)具有第四輻射離去區FE2。在類似的方式下，第四設定發光二極體(26)包含第五半導體本體(27)，該第五半導體本體(27)具有第五輻射離去區 FE3。
功率發光二極體(10)以一種與第一電源PL相依之方式發射第一輻射SL。設定發光二極體(20)以一種與第二電源PE相依之方式發射第二輻射SE。第三電源PE1被相應地饋入到第二設定發光二極體(22)。第二設定發光二極體(22)發射第三輻射SE1。第三輻射SE1包含第三發射光譜EE1。第四電源PE2被類似地供應到第三設定發光二極體(24)。第三設定發光二極體(24)發射第四輻射SE2。第四輻射SE2包含第四發射光譜EE2。在類似的方式下，第五電源PE3被供應到第四設定發光二極體(26)。第四設定發光二極體(26)發射第五輻射SE3。第五輻射SE3包含第五發射光譜EE3。光電裝置(1)的總輻射SO是第一至第五輻射SL、SE、SE1、SE2、SE3的函數。光電裝置(1)的總輻射SO是第一至第五輻射SL、SE、SE1、SE2、SE3的總和。總輻射SO的發射光譜EO係取決於第一至第五發射光譜EL、EE、EE1、EE2、EE3。總輻射SO的發射光譜EO之強度分佈是該五個發射光譜EL、EE、EE1、EE2、EE3的強度分佈之函數。
在有利的方式下，可利用該四個設定發光二極體(20)、(22)、(24)、(26)細微地設定總輻射SO之發射光譜EO。
在替代實施例中，提供了磷光質(6)，該磷光質(6)轉換功率發光二極體(10)及(或)四個設定發光二極體(20)、(22)、(24)、(26)所提供的輻射SL、SE、SE1、SE2、SE3 的部分。因此，比只加入該等五個發射光譜EL、EE、EE1、EE2、EE3更有利地改變總輻射SO之發射光譜EO。
在替代實施例(圖中未示出)中，係以一種在橢圓形上均勻分佈之方式配置該四個設定發光二極體(20)、(22)、(24)、(26)。
在替代實施例(圖中未示出)中，光電裝置(1)包含至少一個另外的設定發光二極體。
在替代實施例(圖中未示出)中，光電裝置(1)具有至少一個另外的功率發光二極體。
第4圖示出根據本發明的光電裝置之實施例，該實施例代表根據第1A、1B、及2圖的光電裝置之發展。根據第4圖之光電裝置(1)包含功率發光二極體(10)及另外的功率發光二極體(12)。係以鄰接之方式配置功率發光二極體(10)及另外的功率發光二極體(12)。另外的功率發光二極體(12)具有另外的半導體本體(13)。另外的半導體本體(13)包含另外的輻射離去區FL1。光電裝置(1)又包含設定發光二極體(20)及第二設定發光二極體(22)。功率發光二極體(10)及另外的功率發光二極體(12)被配置在設定發光二極體(20)與第二設定發光二極體(22)之間。係在直線(9)上配置該四個發光二極體(10)、(12)、(20)、(22)。該四個發光二極體(10)、(12)、(20)、(22)之裝置係與對稱軸(7)對稱。
另外的電源PL1被饋入到另外的功率發光二極體(12)。另外的功率發光二極體(12)在另外的輻射離去區 FL1上發射另外的輻射SL1。該另外的輻射SL1包含另外的發射光譜EL1。總輻射SO之發射光譜EO因而實質上是第一發射光譜EL及另外的發射光譜EL1之函數，且係利用該第二及該第三發射光譜EE、EE1更細微地設定該發射光譜EO。
因此，係以一種與兩個功率發光二極體的第一輻射SL及另外的輻射SL1相依之方式有利地提供總輻射SO之發射光譜EO。
在替代實施例中，光電裝置(1)包含至少一個另外的設定發光二極體。在替代實施例中，光電裝置(1)具有至少一個另外的功率發光二極體。
本發明並不限於根據該等實施例之說明。更確切地說，本發明包含任何新的特徵及任何特徵之組合，且尤其包含本發明申請專利範圍中之特徵的任何組合，縱然在本發明申請專利範圍或實施例中並未明確地指明該特徵或該組合本身，本發明也包含該特徵或該組合本身。
1‧‧‧光電裝置
2‧‧‧載體
3‧‧‧第一電氣連線
4‧‧‧第二電氣連線
5‧‧‧光混合裝置
6‧‧‧磷光質
7‧‧‧對稱軸
8‧‧‧圓弧
9‧‧‧直線
10‧‧‧功率發光二極體
11‧‧‧第一半導體本體
12‧‧‧另外的功率發光二極體
13‧‧‧另外的半導體本體
20‧‧‧設定發光二極體
21‧‧‧第二半導體本體
22‧‧‧第二設定發光二極體
23‧‧‧第三半導體本體
24‧‧‧第三設定發光二極體
25‧‧‧第四半導體本體
26‧‧‧第四設定發光二極體
27‧‧‧第五半導體本體
31‧‧‧第一連接墊
32‧‧‧第二連接墊
33‧‧‧第三連接墊
34‧‧‧第四連接墊
35‧‧‧打線
36‧‧‧另外的打線
37‧‧‧第一串聯電阻
38‧‧‧第二串聯電阻
47至50‧‧‧外部連線
EE‧‧‧第二發射光譜
EE1‧‧‧第三發射光譜
EE2‧‧‧第四發射光譜
EE3‧‧‧第五發射光譜
EL‧‧‧第一發射光譜
EL1‧‧‧另外的發射光譜
FE‧‧‧第二輻射離去區
FE1‧‧‧第三輻射離去區
FE2‧‧‧第四輻射離去區
FE3‧‧‧第五輻射離去區
FL‧‧‧第一輻射離去區
FL1‧‧‧另外的輻射離去區
PE‧‧‧第二電源
PE1‧‧‧第三電源
PE2‧‧‧第四電源
PE3‧‧‧第五電源
PL‧‧‧第一電源
PL1‧‧‧另外的電源
SE‧‧‧第二輻射
SE1‧‧‧第三輻射
SE2‧‧‧第四輻射
SE3‧‧‧第五輻射
SL‧‧‧第一輻射
SL1‧‧‧另外的輻射
SO‧‧‧總輻射
EO‧‧‧發射光譜
第1A及1B圖是根據本發明的光電裝置的實施例之橫斷面圖及平視圖；第2圖是根據本發明的光電裝置的替代實施例之平視圖；第3圖是根據本發明的光電裝置的替代實施例之平視示意圖；以及第4圖是根據本發明的光電裝置的另外的實施例之平 視示意圖。
1‧‧‧光電裝置
2‧‧‧載體
5‧‧‧光混合裝置
6‧‧‧磷光質
7‧‧‧對稱軸
10‧‧‧功率發光二極體
20‧‧‧設定發光二極體
21‧‧‧第二半導體本體
31‧‧‧第一連接墊
32‧‧‧第二連接墊
33‧‧‧第三連接墊
34‧‧‧第四連接墊
35‧‧‧打線
36‧‧‧另外的打線
EE‧‧‧第二發射光譜
EL‧‧‧第一發射光譜
FL‧‧‧第一輻射離去區
PE‧‧‧第二電源
PL‧‧‧第一電源
SE‧‧‧第二輻射
SL‧‧‧第一輻射
SO‧‧‧總輻射
EO‧‧‧發射光譜

Claims (20)

  1. 一種光電裝置，包括：功率發光二極體(10)，該功率發光二極體(10)可發射具有第一發射光譜(EL)之第一輻射(SL)；以及設定發光二極體(20)，該設定發光二極體(20)可發射具有第二發射光譜(EE)之第二輻射(SE)，使該光電裝置(1)之總輻射(SO)包括該第一輻射(SL)及該第二輻射(SE)；第一半導體本體(11)，包括該功率發光二極體(10)；第二半導體本體(21)，包括該設定發光二極體(20)，其中，該第一半導體本體(11)的第一輻射離去區(FL)比該第二半導體本體(21)的第二輻射離去區(FE)至少大四倍；以及光混合裝置(5)，用以混合該第一輻射(SL)及該第二輻射(SE)。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，該第二發射光譜(EE)不同於該第一發射光譜(EL)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中，係為了細微地設定該光電裝置(1)的總輻射(SO)之發射光譜(EO)而提供該設定發光二極體(20)。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中，可利用該第二輻射(SE)與該第一輻射(SL)的混合，而將該光電裝置(1)的總輻射(SO)之色座標設定在可預先決定的間 隔中。
  5. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，復包括載體(2)，而該第一半導體本體(11)及該第二半導體本體(21)被配置在該載體(2)上。
  6. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，復包括：第一串聯電阻(37)，該第一串聯電阻(37)被串聯到該功率發光二極體(10)；以及第二串聯電阻(38)，該第二串聯電阻(38)被串聯到該設定發光二極體(20)，該兩個串聯電路係相互並聯。
  7. 如申請專利範圍第5及6項之光電裝置，其中，該第一及該第二串聯電阻(37)、(38)被配置在該載體(2)上，且該載體(2)包括第一及第二電氣連線(3)、(4)，其中，包括該第一串聯電阻(37)及該功率發光二極體(10)之該第一串聯電路被連接到該第一與該第二電氣連線(3)、(4)之間，且包括該第二串聯電阻(38)及該設定發光二極體(20)之該第二串聯電路被連接到該第一與該第二電氣連線(3)、(4)之間。
  8. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，被供應到該功率發光二極體(10)之第一電源(PL)比被供應到該設定發光二極體(20)之第二電源(PE)至少大四倍。
  9. 如申請專利範圍第8項之光電裝置，其中，該設定發光二極體(20)之第二發射光譜(EE)及該第二電源(PE)被設定成使該光電裝置(1)的總輻射(SO)之色座標在可預先決定的間隔中。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，復包括至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)，該至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)可發射具有至少一個另外的發射光譜(EE1、EE2、EE3)之至少一個另外的輻射(SE1、SE2、SE3)，因而使該光電裝置(1)之總輻射(SO)包括該至少一個另外的輻射(SE1、SE2、SE3)。
  11. 如申請專利範圍第10項之光電裝置，其中，該至少一個另外的發射光譜(EE1、EE2、EE3)不同於該第一發射光譜(EL)及該第二發射光譜(EE)。
  12. 如申請專利範圍第10項之光電裝置，其中，係為了細微地設定該光電裝置(1)的總輻射(SO)之發射光譜而提供該至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)。
  13. 如申請專利範圍第10項之光電裝置，其中，可利用該設定發光二極體(20)的該第二輻射(SE)及該至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)的該至少一個另外的輻射(SE1、SE2、SE3)與該功率發光二極體(10)的該第一輻射(SL)的混合，而將該光電裝置(1)的總輻射(SO)之色座標設定在可預先決定的間隔中。
  14. 如申請專利範圍第10項之光電裝置，其中，至少一個另外的半導體本體(23、25、27)包括該至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)。
  15. 如申請專利範圍第14項之光電裝置，其中，該第一半導體本體(11)的該第一輻射離去區(FL)比該至少一個另外的半導體本體(23、25、27)的至少一個另外的輻射 離去區(FE1、FE2、FE3)至少大四倍。
  16. 如申請專利範圍第10項之光電裝置，其中，該第一電源(PL)比被供應到該至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)之另外的電源(PE1、PE2、PE3)至少大四倍。
  17. 如申請專利範圍第16項之光電裝置，其中，提供該至少一個另外的設定發光二極體(22、24、26)之該至少一個另外的發射光譜(EE1、EE2、EE3)，且設定該至少一個另外的電源(PE1、PE2、PE3)，因而使該光電裝置(1)之色座標在可預先決定的間隔中。
  18. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，復包括至少一個另外的功率發光二極體(12)，該至少一個另外的功率發光二極體(12)可發射具有至少一個另外的發射光譜(EL1)之至少一個另外的輻射(SL1)。
  19. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，復包括至少一個磷光質(6)，用以設定該光電裝置(1)的總輻射(SO)之發射光譜(EO)。
  20. 一種操作光電裝置之方法，包括：利用功率發光二極體(10)發射具有第一發射光譜(EL)之第一輻射(SL)；利用設定發光二極體(20)發射具有第二發射光譜(EE)之第二輻射(SE)，而細微地設定該光電裝置(1)的總輻射(SO)之發射光譜(EO)；第一電源(PL)被供應到該功率發光二極體(10)，第 二電源(PE)被供應到該設定發光二極體(20)，且該第一電源(PL)的值是該第二電源(PE)的值之至少四倍；以及該第一輻射(SL)及該第二輻射(SE)被光混合裝置(5)混合。
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