CN101573793A - 光电子装置以及用于操作光电子装置的方法 - Google Patents

光电子装置以及用于操作光电子装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101573793A
CN101573793A CNA2007800489942A CN200780048994A CN101573793A CN 101573793 A CN101573793 A CN 101573793A CN A2007800489942 A CNA2007800489942 A CN A2007800489942A CN 200780048994 A CN200780048994 A CN 200780048994A CN 101573793 A CN101573793 A CN 101573793A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radiation
emitting diode
photoelectron device
emission spectrum
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007800489942A
Other languages
English (en)
Inventor
E·K·M·冈瑟
R·温迪希
M·罗斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN101573793A publication Critical patent/CN101573793A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种光电子装置(1)包括功率发光二级管(10)和调节发光二级管(20)。由功率发光二级管(10)来发射具有第一发射光谱(EL)的第一辐射(SL)。由调节发光二极管(20)发射具有第二发射光谱(EE)的第二辐射(SE)。光电子装置(1)的总辐射(SO)包括第一辐射(SL)和第二辐射(SE)。

Description

光电子装置以及用于操作光电子装置的方法
本发明涉及一种光电子装置以及一种用于操作光电子装置的方法。
该专利申请要求德国专利申请102006061941.2的优先权，其公开内容以此通过引用的方式纳入本文中。
光电子装置可以包括多个发光二极管。光电子装置的发射光谱由各个发光二级管的发射光谱产生。根据在批量制造时的发光二极管的发射光谱的散射，可能要非常费事地在预先设定的区间内获得光电子装置的辐射的颜色坐标。
在文件WO 2006/002607中已知一种包括两个发光二极管的发光二极管装置。这两个发光二级管彼此反并联(并联反向)地连接。该发光二极管装置包括为两个发光二极管提供具有变换方向的电流的设备。
文件US 5,861,990描述了一种用于组合光学散射和聚焦的装置，其中材料的第一表面从入射角的区域中接收光，并且该材料的第二表面在反射角的区域中发出光。
本发明的目的在于，提供一种光电子装置和用于操作这种光电子装置的方法，所述光电子装置可以对光电子装置的辐射进行灵活地调节。
本发明的目的利用权力要求1的主题以及根据权利要求23的方法来实现。改进方案和设计方案分别是从属权利要求的主题。
根据本发明的光电子装置包括功率发光二级管和调节发光二级管。可由功率发光二级管来提供第一电磁辐射。可由调节发光二极管发出第二电磁辐射。第一辐射具有第一发射光谱并且第二辐射具有第二发射光谱。光电子装置的总辐射包括第一辐射和第二辐射。
其优点在于，光电子装置的总辐射的主要部分借助功率发光二极管来实现。为了获得可预先设定的总辐射，由调节发光二级管提供的第二辐射加入第一辐射。
优选地，第二发射光谱不同于第一发射光谱。第一发射光谱可以包括不同于由第二发射光谱所包括的波长的第一波长。第二发射光谱可以包括不同于由第一发射光谱所包括的波长的第二波长。可选择地，第一和第二发射光谱包括同一波长，其中在第一发射光谱中的第一强度分布与在第二发射光谱中的第二强度分布不同。
在一实施形式中，使用调节发光二级管来精确地调节总辐射的发射光谱。
在一实施形式中，在可预先设定的区间内由此获得光电子装置的总辐射的颜色坐标，使得将第二辐射混合到第一辐射。在此利用颜色坐标标示出在CIE色度图(英语为CIE chromaticity diagram)中的X坐标和Y坐标。其优点在于，由此仅通过操作功率发光二级管来获得的且未处于预先设定的区间内的颜色坐标借助于由调节发光二极管发射的第二辐射如此被位移，使得由第一和第二辐射组成的总和在预先设定的区间内得出颜色坐标。
在一实施形式中，第一半导体(英语称为die或chip)具有功率发光二级管，并且第二半导体具有调节发光二极管。
在一改进方案中，第一半导体具有从其射出具有第一发射光谱的第一辐射的第一辐射出射面，并且第二半导体具有从其射出具有第二发射光谱的第二辐射的第二辐射出射面。在一实施形式中，第一辐射出射面至少比第二辐射出射面大4倍。优选地，第一辐射出射面比第二辐射出射面大5倍。第一辐射和第二辐射的强度比例随第一辐射出射面和第二辐射出射面的面积比例变化。
在一实施形式中，光电子装置包括载体，在其上固定有第一和第二半导体。所述载体可以形成为用于第一和第二半导体的壳体。
在一改进方案中，第一电功率输送给功率发光二极管，并且第二电功率提供给调节发光二极管。在一实施形式中，第一电功率的数值至少比第二电功率的数值大4倍。优选地，第一电功率的数值比第二电功率的数值大5倍。可以利用第一电功率与第二电功率的比例来调节第一辐射与第二辐射的强度比例。在一优选的实施形式中，第一辐射按照数值比第二辐射更大。
在一实施形式中，如此设置第二发射光谱和第二电功率，使得光电子装置的总辐射的颜色坐标在CIE色度图中的预先设定区间内。
在一实施形式中，光电子装置包括至少一个另外的调节发光二极管。对此，设置至少一个另外的调节发光二极管来发射至少一个另外的辐射。至少一个另外的辐射具有至少一个另外的发射光谱。因此光电子装置的总辐射附加地还包括至少一个另外的辐射。
优选地，至少一个另外的发射光谱不同于第一发射光谱并且同样不同于第二发射光谱。
另一调节发光二极管优选地可以用于更为精确地细微调节光电子装置的总辐射的发射光谱。其优点在于，由此通过将调节发光二极管的第二辐射和该至少一个另外的调节发光二极管的至少一个另外的辐射混合到第一辐射，还可以在预先设定的区间内更为精确地调节光电子装置的总辐射的颜色坐标。
在一实施形式中，至少一个另外的半导体包括至少一个另外的调节发光二极管。至少一个另外的半导体具有至少一个另外的辐射出射面。由此在一实施形式中，第一半导体的第一辐射出射面比至少一个另外的辐射出射面至少大4倍。
在一实施形式中，给至少一个另外的调节发光二级管输送至少一个另外的电功率。优选地，第一电功率至少比至少一个另外的电功率大4倍。通过选择该至少一个另外的发射光谱和第一发射光谱，可以在CIE色度图中的预先设定区间内获得颜色坐标。
在一实施形式中，光电子装置包括至少一个另外的功率发光二极管。所述至少一个另外的功率发光二极管提供至少一附加的辐射。所述至少一附加的辐射具有至少一附加的发射光谱。其优点在于，光电子装置的总辐射的主要部分借助于两个或多个功率发光二级管来提供。一个调节发光二极管或多个调节发光二级管可用于在CIE色度图中更为细微地调节颜色坐标。
优选地，该功率发光二极管和该调节发光二极管以及必要时其他的功率发光二极管和/或调节发光二极管极性相同地并联。
在一实施形式中，光电子装置包括用于光学混合的设备，其在辐射方向上后置于功率发光二极管和调节发光二极管以及必要时其他的功率发光二极管和/或调节发光二极管。第一和第二辐射输送给所述用于光学混合的设备。第一和第二辐射在用于光学混合的设备中多次在内部反射并且由此混合。因此，光电子装置基于混合第一和第二辐射以及在必要时其他的调节发光二极管和功率发光二极管的辐射而在输出侧提供总辐射。其优点在于，由此实现了，在不同的方向上由光电子装置发出的辐射以近似的方式具有相同的发射光谱。因此借助用于光学混合的设备来获得总辐射的发射光谱的角度无关性。在此总辐射的强度可以是与角度相关的。
在一实施方式中，用于光学混合的设备包括用于组合光学散射和聚焦的装置，其中材料的第一表面从入射角的区域中接收光，并且材料的第二表面在反射角的区域中发出光。
在一改进方案中，光电子装置包括至少一发光体。所述发光体在辐射方向上后置于功率发光二极管和调节发光二极管以及必要时其他的功率发光二极管和/或调节发光二极管。所述发光体可以引入填料(Vergussmasse)中，所述填料施加到功率发光二极管和调节发光二极管以及必要时其他的调节发光二极管和功率发光二级管上。在一实施形式中，用于光学混合的设备包括该至少一发光体。
借助发光体，第一辐射和/或第二辐射和/或另一在必要时由其他的功率发光二极管和/或调节发光二极管发射的辐射至少在一波长中至少部分地被改变。典型地，发光体吸收至少一部分由发光二极管发射的辐射并且由此优选地发射比最初由发光二极管发射的辐射的波长更大波长的辐射。合成的辐射通过将辐射的波长改变的部分与由发光二极管最初发出的辐射混合而产生。其优点在于，发光体用于调节光电子装置的总幅射的发射光谱。
功率发光二级管和/或调节发光二级管或者其他的功率发光二极管和/或其他的调节发光二极管可以作为薄膜发光二极管芯片来实现。
薄膜发光二极管芯片特别是通过下面描述的特征来表征：
-在产生辐射的外延层组的、朝向载体元件的第一主面上施加或形成反射层，所述反射层将至少一部分在外延层组中产生的电磁辐射反射回所述外延层组中；
-半导体层组从生长衬底中释放。所述“从生长衬底中释放”意味着，必要时用于生长的生长衬底从半导体层组中去除或者至少极大地被变薄。特别是所述衬底如此变薄，使得所述生长衬底本身或者与外延层组一起是无支撑的。像这样极大变薄的生长衬底的剩余的残留部尤其不适于生长衬底功能；
-外延层组具有20μm或者更小的范围内的厚度，特别是在10μm的范围内的厚度；以及
-外延层组包含至少一具有至少一平面的半导体层，所述平面具有在理想情况下致使在外延的外延层组中大致遍历的光分布的混合结构，这就是说所述混合结构具有尽可能遍历随机的散射特性。
薄层发光二极管芯片的基本原理例如在I.Schnitzer等人的Appl.phy.Lett.63(16)，18.Oktober1993，2174-2176中描述，其公开内容以此通过引用纳入本文中。
薄膜发光二极管芯片非常近似地是(Lambert′scher)表面辐射器并且由此特别好地适用于在探照灯中的应用。
功率发光二极管和调节发光二极管或者其他的功率发光二极管和/或其他的调节发光二极管可以根据基于不同半导体材料系统的波长来制造。例如基于InxGayAl1-x-yAs的半导体适用于长波辐射，例如基于InxGayAl1-x-yP的半导体适用于可视的红色至黄色辐射，并且例如基于InxGayAl1-x-yN的半导体适用于短波的、可视的、特别是绿色至蓝色辐射或者UV辐射，其中0≤x≤1并且0≤y≤1。
优选地，外延层组包括至少一适用于产生电磁辐射的活性区。对此，活性区例如可以具有pn结、双异质结构、单量子阱结构或者特别优选地是多量子阱结构(缩写MQW)。
在本申请的范围内，名称量子阱结构特别是包括其中载流子通过限制(英语confinement)可以获得其能量状态量子化的每一个结构。特别是名称量子阱结构未包含有关量子化的维度(Dimensionalitaet)的说明。由此，除其它的之外，所述量子阱结构包括量子槽、量子线和量子点以及所述结构的各个组合。
根据本发明，用于操作光电子装置的方法包括借助功率发光二级管来提供第一辐射。所述第一辐射具有第一发射光谱。此外借助调节发光二极管来提供第二辐射。第二辐射包括第二发射光谱。通过第二辐射来更为精确地调节光电子装置的总幅射的发射光谱。
其优点在于，可以从功率发光二极管提供总幅射的主要部分以及从调节发光二级管提供较小的部分。
在一实施形式中，基本上同时发射第一和第二辐射。
在一实施形式中，第一电功率被输送给功率发光二极管并且第二电功率被输送给调节发光二极管。在一实施形式中，第一电功率为第二电功率的至少4倍。优选地，第一电功率为第二电功率的5倍。通过在第一功率和第二功率之间的比例可以调节第一辐射和第二辐射的比例。因此可以精确地调节光电子装置的总幅射的发射光谱。
在一实施形式中，第一和第二电功率基本上被同时输送给功率发光二级管或者调节发光二极管。这两个电功率可以分别是恒定的。
在另一实施形式中，脉冲宽度调制的第一电流输送给功率发光二极管，并且脉冲宽度调制的第二电流输送给调节发光二级管。第一和第二电功率由此不是恒定的而是以时钟脉冲形式(getaktet)。两个电流的调制大致相同。由此两个功率基本上能被同时输送给功率发光二极管或者调节发光二极管。可选择地，可以不同于第二电流地调制第一电流。
第一和/或第二电功率在时间上是可变的。因此在操作中可以实现颜色坐标的改变。其优点在于，由此可以在操作中调节不同的颜色坐标。
利用第一和/或第二电功率的时间上可变的值，还可以补偿颜色坐标与初始的颜色坐标的长期的偏差。这种长期的偏差可能由在功率发光二极管和/或调节发光二极管的发射光谱中的各个波长中的不同的降级(degradation)而引起。
下面，借助实施例参照附图对本发明进行阐述。功能或者作用相同的元件和组件使用相同的参考标号。只要元件或组件在其功能上相符，其描述未在随后的附图中的每一个中重复。示出了：
图1A和1B以横截面图和俯视图示出了根据本发明的光电子装置的示例性实施例，
图2以俯视图示出了根据本发明的光电子装置的备选的示例性实施例，
图3以示意性的俯视图示出了根据本发明的光电子装置的备选的示例性实施例，以及
图4以示意性的俯视图示出了根据本发明的光电子装置的另一示例性实施例。
图1A以横截面示出了根据本发明的光电子装置的示例性实施例。光电子装置1包括功率发光二极管10、调节发光二极管20以及载体2。功率发光二极管10和调节发光二极管20设置在载体2上。该功率发光二极管10具有第一半导体11并且调节发光二极管20具有第二半导体21。该第一半导体11包括第一辐射出射面FL。相应地，第二半导体21包括第二辐射出射面FE。
载体2包括：第一连接面31，在该第一连接面上设置功率发光二极管10；以及第二连接面32，在该第二连接面上设置调节发光二极管20。第一半导体11与第一连接面31导电连接并且第二半导体21与第二连接面32导电连接。此外，载体2包括第三和第四连接面33、34。第一半导体11与第三连接面33耦合，并且第二半导体21与第四连接面34耦合。对此，在第一辐射出射面FL上的连接区域借助于接合线35与第三连接面33连接，以及在第二辐射出射面FE上的连接区域借助于另一接合线35与第四连接面34连接。功率发光二极管10设置在光电子装置1的中点或对称轴线7附近。因此调节发光二极管20与对称轴线7相隔一定距离地设置。此外，光电子装置1包括用于光学混合的设备5。该用于光学混合的设备5设置在载体2上。
第一电功率PL被提供给功率发光二极管10。相应地，第二电功率PE被提供给调节发光二极管20。第一电功率PL的输送借助第一连接面31或者第三连接面33以及接合线35来实现。相应地，第二电功率PE的输送借助第二连接面32和第四连接面34以及另一接合线36来实施。功率发光二极管10发出第一辐射SL。第一辐射SL具有第一发射光谱EL。以类似的方式，调节发光二极管20发出第二辐射SE。第二辐射SE包括第二发射光谱EE。第一辐射SL在第一辐射出射面FL上发出，并且第二辐射SE在第二辐射出射面SE上发出。第一辐射SL的发射依赖于第一电功率PL来实施，并且第二辐射SE的发射依赖于第二电功率PE来实施。如此提供第一和第二辐射SL、SE，使得光电子装置1具有总辐射SO。该总辐射SO是由第一和第二辐射SE、SL组成的总和。第一辐射SL按照数值是大于第二辐射SE的。借助于所述用于光学混合的设备5使第一和第二辐射SL、SE混合。由此实现了，光电子装置1的总辐射SO在每个辐射方向上近似地具有相同的发射光谱。总辐射的总强度是方向相关的。
其优点在于，借助将第二辐射SE混入第一辐射SL实现了总辐射SO在可预先设定区域中具有发射光谱EO。
利用所述用于光学混合的设备5以有利的方式补偿了，功率发光二极管10和调节发光二极管20可以不同时地设置在光电子装置1的对称轴线7或中点中。
在一个优选的实施例中，光电子装置1额外地包括发光体6。该发光体6如此引入光电子装置中1，使得该发光体设置在第一和第二辐射SL、SE的射线路径中。该发光体6用于调节光电子装置1的总辐射SO的发射光谱EO。其优点在于，总辐射SO的发射光谱EO因此可以相对于第一和第二发射光谱EL、EE而改变。通过发光体6使发射光谱EO相对于第一和第二发射光谱EL、EE变宽。
图1B以俯视图示出了根据本发明的光电子装置1的示例性实施例，该光电子装置在图1A中以横截面示出。
第一和第三连接面31、33用于使功率发光二极管10与光电子装置1的两个外部连接部47、48进行导电连接。相应地，第二和第四连接面32、34用于使调节发光二极管20与光电子装置1的另外两个外部连接部49、50进行导电连接。
在一个未示出的备选实施例中，光电子装置1包括至少一个另外的调节发光二极管。
在一个未示出的备选实施例中，光电子装置1具有至少一个另外的功率发光二极管。
图2以俯视图示出了根据本发明的光电子装置的示例性实施例。根据图2的光电子装置1是根据图1A和1B的光电子装置1的改进方案。根据图2的光电子装置1包括设置在载体2上的第一和第二串联电阻37、38。该载体2包括第一和第二电连接部3、4。第一连接面31和第二连接面32与第一电连接部3连接。功率发光二极管10通过第一串联电阻37与第二电连接部4连接。相应地，调节发光二极管20通过第二串联电阻38与第二电连接部4连接。此外，第一串联电阻37设置在第三连接面33和第二电连接部4之间。相应地，第二串联电阻38设置在第四连接面34和第二电连接部4之间。第一和第二电连接部3、4用作光电子装置1的外部连接部。由此光电子装置1包括由第一串联电路以及第二串联电路组成的并联电路，所述第一串联电路包括功率发光二极管10和第一串联电阻37，所述第二串联电路包括调节发光二极管20和第二串联电阻38。
借助于光电子装置1的第一和第二电连接部3、4输送由第一和第二电功率PL、PE组成的总和。由此可以借助于第一和第二串联电阻37、38将总电功率分为第一电功率PL和第二电功率PE。借助于对第一或第二电功率PL、PE的调节可以调节第一辐射SL或者第二辐射SE的辐射功率。由此可以在总辐射SO的发射光谱EO中细微地调节强度分布。
在一个未示出的备选实施例中，光电子装置1包括至少一个另外的串联电路，该串联电路具有另一调节发光二极管以及另一串联电阻。在第一和第二电连接部3、4之间联接至少一个另外的串联电路。
在一个未示出的备选实施例中，光电子装置1具有至少一个附加的串联电路，该串联电路包括另一功率发光二极管以及另一串联电阻。在第一和第二电连接部3、4之间联接至少一个附加的串联电路。
图3以示意性俯视图示出了根据本发明的光电子装置的示例性实施例。根据图3的光电子装置是在图1A、图1B以及图2中示出的光电子装置的改进方案。根据图3，光电子装置1包括功率发光二极管10以及第一调节发光二极管20。此外，光电子装置1包括第二、第三以及第四调节发光二极管22、24、26。功率发光二极管10和四个调节发光二极管20、22、24、26关于对称轴线7对称地设置。四个调节发光二极管20、22、24、26均匀分布地设置在圆弧8上。该圆弧8具有作为中点的对称轴线7。第二调节发光二极管22具有带第三辐射出射面FE1的第三半导体23。相应地，第三调节发光二极管24具有带第四辐射出射面FE2的第四半导体25。以类似的方式，第四调节发光二极管26包括带第五辐射出射面FE3的第五半导体27。
功率发光二级管10依赖于第一电功率PL来发出第一辐射SL。调节发光二极管20依赖于第二电功率PE来发出第二辐射SE。相应地，第三电功率PE1被输送至第二调节发光二极管22。第二调节发光二极管22发出第三辐射SE1。第三辐射SE1包括第三发射光谱EE1。以类似的方式，第四电功率PE2被输送到第三调节发光二极管24。第三调节发光二极管24发出第四辐射SE2。第四辐射SE2包括第四发射光谱EE2。以类似的方式，第五电功率PE3被输送到第四调节发光二极管26。第四调节发光二极管26发射第五辐射SE3。第五辐射SE3包括第五发射光谱EE3。光电子装置1的总辐射SO随第一至第五辐射SL、SE、SE1、SE2、SE3的变化而变化。光电子装置1的总辐射SO是第一至第五辐射SL、SE、SE1、SE2、SE3的总和。总辐射SO的发射光谱EO取决于第一至第五发射光谱EL、EE、EE1、EE2、EE3。在总辐射SO的发射光谱EO中的强度分布随着五个发射光谱EL、EE、EE1、EE2、EE3中的强度分布的变化而变化。
其优点在于，可以借助四个调节发光二极管20、22、24、26来细微地调节总辐射SO的发射光谱EO。
在一个备选实施例中，设置发光体6，其转变由功率发光二极管10和/或四个调节发光二级管20、22、24、26提供的辐射SL、SE、SE1、SE2、SE3的一部分。其优点在于，因此总辐射SO的发射光谱EO相对于五个发射光谱EL、EE、EE1、EE2、EE3的纯粹的相加变化。
在一个未示出的备选实施例中，四个调节发光二极管20、22、24、26均匀分布地设置在椭圆上。
在一个未示出的备选实施例中，光电子装置1包括至少一个另外的调节发光二极管。
在一个未示出的备选实施例中，光电子装置1具有至少一个另外的功率发光二极管。
图4示出了根据本发明的光电子装置的示例性实施例，其为根据图1A、1B和图2的光电子装置的改进方案。根据图4的光电子装置1包括功率发光二级管10以及另一功率发光二极管12。功率发光二级管10和另一功率发光二极管12相邻地设置。另一功率发光二级管12具有另一半导体13。此外，所述另一半导体13包括另一辐射出射面FL1。此外，光电子装置1包括调节发光二极管20以及第二调节发光二极管22。功率发光二级管10和另一功率发光二极管12设置在调节发光二级管20和第二调节发光二极管22之间。四个发光二极管10、12、20、22设置在直线9上。四个发光二极管10、12、20、22的布置关于对称轴线7对称。
另一电功率PL1被输送给另一功率发光二极管12。另一功率发光二极管12在另一辐射出射面FL1上发出另一辐射SL1。另一辐射SL1包括另一发射光谱EL1。因此总辐射SO的发射光谱EO基本上随着第一发射光谱EL以及另一发射光谱EL1的变化而变化，其借助于第二和第三发射光谱EE、EE1更细微地调节。
其优点在于，总辐射SO的发射光谱EO由此依赖于两个功率发光二极管的第一辐射SL和另一辐射SL1来提供。
在一个备选的实施例中，光电子装置1包括至少一个另外的调节发光二极管。在一个备选的实施例中，光电子装置1具有至少一个另外的功率发光二极管。
本发明没有由于借助实施例的描述而受到限制。而本发明包括每个新特征以及每个特征组合，这特别是包含在权利要求中的每个特征组合，即使所述特征和所述组合本身并未详尽地在权利要求或者实施例中给出。

Claims (24)

1.一种光电子装置，包括
-功率发光二级管(10)，可由所述功率发光二级管发出具有第一发射光谱(EL)的第一辐射(SL)，以及
-调节发光二级管(20)，可由所述调节发光二极管如此发出具有第二发射光谱(EE)的第二辐射(SE)，使得所述光电子装置(1)的总辐射(SO)包括所述第一辐射(SL)和所述第二辐射(SE)。
2.如权利要求1所述的光电子装置，其中，所述第二发射光谱(EE)不同于所述第一发射光谱(EL)。
3.如权利要求1或2所述的光电子装置，其中，所述调节发光二级管(20)设置用于细微地调节所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的发射光谱(EO)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光电子装置，其中，借助于将所述第二辐射(SE)混合到所述第一辐射(SL)，可在可预先设定的区间内调节所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的颜色坐标。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光电子装置，其中，第一半导体(11)包括功率发光二级管(10)，并且第二半导体(21)包括调节发光二极管(20)。
6.如权利要求5所述的光电子装置，其中，所述第一半导体(11)的第一辐射出射面(FL)至少比所述第二半导体(21)的第二辐射出射面(FE)大4倍。
7.如权利要求5或6中所述的光电子装置，包括载体(2)，在所述载体上设置有所述第一半导体(11)和所述第二半导体(21)。
8.如权利要求1至7中任一项所述的光电子装置，包括：第一串联电阻(37)以及第二串联电阻(38)，所述第一串联电阻与所述功率发光二极管(10)串联，所述第二串联电阻与所述调节发光二极管(20)串联，其中两个串联电路彼此并联。
9.如权利要求7或8所述的光电子装置，其中，所述第一串联电阻和所述第二串联电阻(37、38)设置在载体(2)上，并且所述载体(2)包括第一电连接部和第二电连接部(3、4)，在所述第一电连接部和第二电连接部之间联接包括所述第一串联电阻(37)和所述功率发光二极管(10)的第一串联电路，并且在所述第一电连接部和第二电连接部之间联接包括所述第二串联电阻(38)和调节发光二极管(20)的第二串联电路。
10.如权利要求1至9中任一项所述的光电子装置，其中，输送给所述功率发光二极管(10)的第一电功率(PL)至少比输送给所述调节发光二极管(20)的第二电功率(PE)大4倍。
11.如权利要求10所述的光电子装置，其中，如此调节所述调节发光二极管(20)的第二发射光谱(EE)和所述第二电功率(PE)，使得所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的颜色坐标在可预先设定的区间内。
12.如权利要求1至11中任一项所述的光电子装置，包括至少一个另外的调节发光二极管(22、24、26)，可由其如此发出具有至少一个另外的发射光谱(EE1、EE2、EE3)的至少一个另外的辐射(SE1、SE2、SE3)，使得所述光电子装置(1)的总辐射(SO)包括所述至少一个另外的辐射(SE1、SE2、SE3)。
13.如权利要求12所述的光电子装置，其中，所述至少一个另外的发射光谱(EE1、EE2、EE3)不同于所述第一发射光谱(EL)以及所述第二发射光谱(EE)。
14.如权利要求12或13所述的光电子装置，其中，所述至少一个另外的调节发光二极管(22、24、26)设置用于细微地调节所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的发射光谱。
15.如权利要求12至14中任一项所述的光电子装置，其中，借助于将所述调节发光二极管(20)的第二辐射(SE)和所述至少一个另外的调节发光二极管(22、24、26)的至少一个另外的辐射(SE1、SE2、SE3)混合到所述功率发光二极管(10)的第一辐射(SL)，可以在可预先设定的区间内调节所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的颜色坐标。
16.如权利要求12至15中任一项所述的光电子装置，其中，至少一个另外的半导体(23、25、27)包括所述至少一个另外的调节发光二极管(22、24、26)。
17.如权利要求16所述的光电子装置，只要引用权利要求6，其中所述第一半导体(11)的第一辐射出射面(FL)比所述至少一个另外的半导体(23、25、27)的至少一个另外的辐射出射面(FE1、FE2、FE3)至少大4倍。。
18.如权利要求12至17中任一项的光电子装置，只要引用权利要求10，其中，所述第一电功率(PL)至少比向所述至少一个另外的调节发光二级管(22、24、26)输送的另外的电功率(PE1、PE2、PE3)大4倍。
19.如权利要求18所述的光电子装置，其中，如此设置所述至少一个另外的调节发光二极管(22、24、26)的另外的发射光谱(EE1、EE2、EE3)以及如此调节所述至少一个另外的电功率(PE1、PE2、PE3)，使得所述光电子装置(1)的颜色坐标在可预先设定的区间内。
20.如权利要求1或19中任一项所述的光电子装置，包括至少一个另外的功率发光二极管(12)，可由所述至少一个另外的功率发光二极管发出至少一个附加的辐射(SL1)，所述至少一个附加的辐射具有至少一个附加的发射光谱(EL1)。
21.如权利要求1至20中任一项所述的光电子装置，包括用于光学混合所述第一辐射(SL)和所述第二辐射(SE)的设备(5)。
22.如权利要求1至21中任一项所述的光电子装置，包括至少一个发光体(6)，所述发光体用于调节所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的发射光谱(EO)。
23.一种用于操作光电子装置的方法，包括以下步骤：
-借助功率发光二级管(10)来提供具有第一发射光谱(SL)的第一辐射(SL)，以及
-通过借助调节发光二极管(20)提供具有第二发射光谱(SE)的第二辐射(SE)来细微地调节所述光电子装置(1)的总辐射(SO)的发射光谱(EOA)。
24.如权利要求23所述的方法，其中，将第一电功率(PL)输送给所述功率发光二极管(10)，并且将第二电功率(PE)输送给所述调节发光二极管(20)，第一电功率(PL)的数值为所述第二电功率(PE)的数值的至少4倍。
CNA2007800489942A 2006-12-29 2007-12-14 光电子装置以及用于操作光电子装置的方法 Pending CN101573793A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006061941.2 2006-12-29
DE102006061941A DE102006061941A1 (de) 2006-12-29 2006-12-29 Optoelektronische Anordnung und Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101573793A true CN101573793A (zh) 2009-11-04

Family

ID=39312968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007800489942A Pending CN101573793A (zh) 2006-12-29 2007-12-14 光电子装置以及用于操作光电子装置的方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2054937A1 (zh)
KR (1) KR20090099000A (zh)
CN (1) CN101573793A (zh)
DE (1) DE102006061941A1 (zh)
TW (1) TWI396272B (zh)
WO (1) WO2008080383A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100924912B1 (ko) 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
DE102009015963A1 (de) 2009-04-02 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5381309A (en) * 1993-09-30 1995-01-10 Honeywell Inc. Backlit display with enhanced viewing properties
US5861990A (en) 1996-03-08 1999-01-19 Kaiser Optical Systems Combined optical diffuser and light concentrator
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP3940596B2 (ja) * 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
CN100477210C (zh) * 2001-09-13 2009-04-08 卢西雅股份公司 发光板和载板
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US20070001177A1 (en) * 2003-05-08 2007-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated light-emitting diode system
DE10347463A1 (de) * 2003-10-02 2005-04-21 Pintsch Bamag Ag LED-Signalleuchte für Schienenfahrzeuge
US7514867B2 (en) * 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light
KR100658700B1 (ko) * 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
JP2008504698A (ja) 2004-06-30 2008-02-14 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光ダイオード装置、光学式記録装置および少なくとも１つの発光ダイオードをパルス状に作動させる方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200837924A (en) 2008-09-16
KR20090099000A (ko) 2009-09-18
DE102006061941A1 (de) 2008-07-03
EP2054937A1 (de) 2009-05-06
WO2008080383A1 (de) 2008-07-10
TWI396272B (zh) 2013-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102893365B (zh) 形成具有高显色指数值的暖白光发光器件的方法和相关的发光器件
DE102008021572B4 (de) Festkörperlampe und Leuchte damit
CN102272923B (zh) 固态照明部件
US8022388B2 (en) Broadband light emitting device lamps for providing white light output
CN107256861B (zh) 用于具有多种磷光体的选择泵浦led的系统和方法
CN103828487B (zh) 具有可选择和/或可调节色点的半导体发光器件以及相关方法
EP3553835B1 (en) Semiconductor light emitting devices comprising recipient luminophoric mediums having narrow-spectrum luminescent materials
US8026532B2 (en) Single chip LED as compact color variable light source
CN101960601B (zh) 单片的光电子半导体本体及其制造方法
US9219201B1 (en) Blue light emitting devices that include phosphor-converted blue light emitting diodes
CN103717705A (zh) 镓取代的钇铝石榴石荧光粉和包含它的发光装置
CN107004751B (zh) 发光装置以及照明器具
US20180231191A1 (en) Light source with tunable emission spectrum
CN102679208A (zh) 用于照明的发光器件装置
KR20040062374A (ko) 혼색 발광 다이오드
Lin et al. Excellent color quality of white-light-emitting diodes by embedding quantum dots in polymers material
US20160254421A1 (en) White light emitting devices including both red and multi-phosphor blue-shifted-yellow solid state emitters
TWI507641B (zh) 照明裝置及產生白光之方法
CN102473816A (zh) 基于电流拥挤调节颜色的电致发光装置
CN101573793A (zh) 光电子装置以及用于操作光电子装置的方法
DE102008022834A1 (de) Beleuchtungseinrichtung
DE102011013504A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
US20040089864A1 (en) Light emitting diode and method of making the same
US20070272899A1 (en) Fluorescent powder for blue-light emitting diodes
Jang et al. Utilization of Solvothermally Grown InP/ZnS Quantum Dots as Wavelength Converters for Fabrication of White Light-Emitting Diodes

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20091104