KR20090099000A - 광전자 어레인지먼트 그리고 이와 같은 광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트(1)는 파워 발광 다이오드(10) 및 조정-발광 다이오드(20)를 포함한다. 상기 파워 발광 다이오드(10)로부터는 제 1 방출 스펙트럼(EL)을 갖는 제 1 방사선(SL)이 방출될 수 있다. 상기 조정 발광 다이오드(20)로부터는 제 2 방출 스펙트럼(EL)을 갖는 제 2 방사선(SE)이 방출될 수 있다. 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)은 제 1 방사선(SL)과 제 2 방사선(SE)을 포함한다.
Description
본 발명은 광전자 어레인지먼트 그리고 이와 같은 광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법과 관련이 있다.
본 출원서는 독일 특허 출원서 10 2006 061 941.2호를 우선권으로 청구하고 있으며, 상기 우선권의 공개 내용은 인용의 방식으로 본 출원서에 수용된다.
광전자 어레인지먼트는 다수의 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 광전자 어레인지먼트의 방출 스펙트럼은 개별 발광 다이오드의 방출 스펙트럼들로부터 얻어진다. 대량 제조시에는 발광 다이오드 방출 스펙트럼의 분산으로 인해 사전에 설정된 간격 안에서 광전자 어레인지먼트의 방사선 컬러 좌표를 얻는 과정이 복잡해질 수 있다.
문서 WO 2006/002607호에는 두 개의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 어레인지먼트가 공지되어 있다. 상기 두 개의 발광 다이오드는 상호 반대방향으로 병렬 접속되어 있다. 상기 발광 다이오드 어레인지먼트는 두 개의 발광 다이오드에 방향이 교체되는 전류를 공급하는 장치를 포함한다.
문서 US 5,861,990호는 광학적 분산 및 집중을 조합하기 위한 어레인지먼트를 기술하며, 이 경우 재료의 제 1 표면은 입사각 범위로부터 광을 받고, 상기 재료의 제 2 표면은 방출 각의 범위 안에서 광을 방출한다.
본 발명의 과제는 광전자 어레인지먼트 그리고 이와 같은 광전자 어레인지먼트의 방사선의 유연한 조정을 가능하게 하는, 광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제는 특허 청구항 1의 대상에 의해서 그리고 특허 청구항 23에 따른 방법에 의해서 해결된다. 개선예들 및 실시예들은 각각 종속 청구항들의 대상이다.
본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트는 파워 발광 다이오드 및 조정-발광 다이오드를 포함한다. 상기 파워 발광 다이오드로부터는 제 1 전자기 방사선이 제공될 수 있다. 상기 조정-발광 다이오드로부터는 제 2 전자기 방사선이 방출될 수 있다. 상기 제 1 방사선은 제 1 방출 스펙트럼을 갖고, 상기 제 2 방사선은 제 2 방출 스펙트럼을 갖는다. 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선은 제 1 방사선 및 제 2 방사선을 포함한다.
광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 주요 부분은 바람직하게 파워 발광 다이오드에 의해서 구현된다. 사전에 설정된 전체 방사선을 얻기 위하여, 상기 조정-발광 다이오드로부터 제공되는 제 2 방사선이 제 1 방사선에 가산된다.
바람직하게 제 2 방출 스펙트럼은 제 1 방출 스펙트럼과 상이하다. 제 1 방출 스펙트럼은 제 2 방출 스펙트럼에 의해서 둘러싸인 파장과 상이한 제 1 파장을 가질 수 있다. 상기 제 2 방출 스펙트럼은 제 1 방출 스펙트럼에 의해서 둘러싸인 파장과 상이한 제 2 파장을 가질 수 있다. 대안적으로는 상기 제 1 방출 스펙트럼 및 제 2 방출 스펙트럼이 동일한 파장을 가지며, 이 경우 제 1 방출 스펙트럼 내부에서의 제 1 세기 분포는 제 2 방출 스펙트럼 내부에서의 제 2 세기 분포와 상이하다.
한 실시예에서 조정-발광 다이오드는 전체 방사선의 방출 스펙트럼을 정확하게 조정할 목적으로 사용되었다.
한 실시예에서 간격을 사전 설정할 수 있는 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 컬러 좌표는 제 1 방사선에 제 2 방사선이 혼합됨으로써 성취된다. 이 경우에는 상기 컬러 좌표에 의해서 CIE-다이어그램(영어 CIE chromaticity diagram)에 X-좌표 및 Y-좌표가 표기되어 있다. 그럼으로써, 바람직하게는 오로지 파워 발광 다이오드의 동작에 의해서만 성취되고 사전에 설정된 간격 안에 있지 않은 컬러 좌표들이 상기 조정-발광 다이오드로부터 방출되는 제 2 방사선에 의해 이동됨으로써, 결과적으로 제 1 방사선과 제 2 방사선의 총합은 사전에 설정된 간격 안에서 컬러 좌표를 제공한다.
한 실시예에서는 제 1 반도체 몸체(영어로는 die 또는 chip으로 표기됨)가 파워 발광 다이오드를 포함하고, 제 2 반도체 몸체가 조정-발광 다이오드를 포함한다.
한 개선예에서 제 1 반도체 몸체는 제 1 방사선 방출면을 갖고, 상기 제 1 방사선 방출면으로부터는 제 1 방출 스펙트럼을 갖는 제 1 방사선이 방출되며, 상기 제 2 반도체 몸체는 제 2 방사선 방출면을 갖고, 상기 제 2 방사선 방출면으로부터는 제 2 방출 스펙트럼을 갖는 제 2 방사선이 방출된다. 한 실시예에서 제 1 방사선 방출면은 제 2 방사선 방출면보다 적어도 4배만큼 더 크다. 바람직하게는 제 1 방사선 방출면이 제 2 방사선 방출면보다 적어도 5배만큼 더 크다. 제 1 방사선 대 제 2 방사선의 세기 비율은 제 1 방사선 방출면 대 제 2 방사선 방출면의 면적 비율의 함수이다.
한 실시예에서 광전자 어레인지먼트는 캐리어를 포함하고, 상기 캐리어 상에는 제 1 반도체 몸체 및 제 2 반도체 몸체가 고정되어 있다. 캐리어는 제 1 반도체 몸체 및 제 2 반도체 몸체를 위한 하우징으로서 형성될 수 있다.
한 개선예에서는 파워 발광 다이오드의 제 1 전기 파워 및 조정-발광 다이오드의 제 2 전기 파워가 공급된다. 한 실시예에서 제 1 전기 파워의 양은 제 2 전기 파워보다 적어도 4배만큼 더 크다. 바람직하게는 제 1 전기 파워의 양이 제 2 전기 파워의 양보다 5배만큼 더 크다. 상기 제 1 전기 파워 대 제 2 전기 파워의 비율에 의해서는 제 1 방사선 대 제 2 방사선의 세기 비율이 조정될 수 있다. 한 바람직한 실시예에서 제 1 방사선의 양은 제 2 방사선의 양보다 더 크다.
한 실시예에서 제 2 방출 스펙트럼 및 제 2 전기 파워는 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 컬러 좌표가 CIE-다이어그램에서 사전에 설정된 간격 안에 있도록 제공되었다.
한 실시예에서 광전자 어레인지먼트는 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드를 포함한다. 상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드는 적어도 하나의 추가 방사선을 방출시킬 목적으로 제공되었다. 상기 적어도 하나의 추가 방사선은 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼을 갖는다. 따라서, 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선은 추가로 적어도 하나의 추가 방사선도 포함하게 된다.
바람직하게 상기 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼은 제 1 방출 스펙트럼과 상이하고, 제 2 방출 스펙트럼과도 상이하다.
상기 추가의 조정-발광 다이오드는 바람직하게 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 방출 스펙트럼을 더욱 정확하게 정밀 조정할 목적으로 사용된다. 따라서, 바람직하게는 조정-발광 다이오드의 제 2 방사선 및 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드의 적어도 하나의 추가 방사선을 상기 제 1 방사선에 혼합함으로써 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 컬러 좌표는 사전에 설정된 간격 안에서 더욱 정확하게 조정될 수 있다.
한 실시예에서 적어도 하나의 추가 반도체 몸체는 상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드를 포함한다. 상기 적어도 하나의 추가 반도체 몸체는 적어도 하나의 추가 방사선 방출면을 갖는다. 이 경우 한 실시예에서 제 1 반도체 몸체의 제 1 방사선 방출면은 적어도 하나의 추가 방사선 방출면보다 적어도 4배만큼 더 크다.
한 실시예에서 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드에는 적어도 하나의 추가 전기 파워가 공급된다. 바람직하게 제 1 전기 파워는 적어도 하나의 추가 전기 파워보다 적어도 4배만큼 더 크다. 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼 및 제 1 방출 스펙트럼을 선택함으로써 CIE-다이어그램의 사전에 설정된 간격 안에 있는 컬러 좌표를 얻을 수 있게 된다.
한 실시예에서 광전자 어레인지먼트는 적어도 하나의 추가 파워 발광 다이오드를 포함한다. 상기 적어도 하나의 추가 파워 발광 다이오드는 적어도 하나의 추가 방사선을 제공한다. 상기 적어도 하나의 추가 방사선은 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼을 갖는다. 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 주요 부분은 바람직하게 두 개 이상의 파워 발광 다이오드에 의해서 제공된다. CIE-다이어그램에서 컬러 좌표를 더욱 정밀하게 조정하기 위하여 조정-발광 다이오드(또는 조정-발광 다이오드들)가 이용될 수 있다.
바람직하게 상기 파워 발광 다이오드 및 조정-발광 다이오드 그리고 경우에 따라서 상기 추가의 파워- 및/또는 조정-발광 다이오드는 동일한 극성으로 병렬 접속되어 있다.
한 실시예에서 광전자 어레인지먼트는 광학적으로 혼합하기 위한 장치를 포함하며, 상기 광학적 혼합 장치는 방출 방향으로 볼 때 상기 파워 발광 다이오드 및 조정-발광 다이오드 뒤에 그리고 경우에 따라서는 상기 추가의 파워- 및/또는 조정-발광 다이오드 뒤에 배치되어 있다. 제 1 방사선 및 제 2 방사선이 상기 광학적 혼합 장치에 제공된다. 상기 제 1 방사선 및 제 2 방사선은 광학적 혼합 장치 내에서 다중으로 내부에서 반사되고 그로 인해 혼합된다. 따라서, 광전자 어레인지먼트는 제 1 방사선과 제 2 방사선의 혼합을 근거로 하여 그리고 경우에 따라서는 상기 추가 조정- 및 파워 발광 다이오드의 방사선의 혼합을 근거로 하여 전체 방사선을 출력 측에서 제공한다. 그로 인해 광전자 어레인지먼트로부터 다양한 방향으로 방출되는 방사선들은 바람직하게 거의 동일한 방출 스펙트럼을 갖게 된다. 따라서, 광학적 혼합 장치에 의해서는 전체 방사선의 방출 스펙트럼의 각도 의존성이 얻어진다. 이때 전체 방사선의 세기는 각도에 의존할 수 있다.
한 실시예에서 광학적 혼합 장치는 광학적 분산 및 집중을 조합하기 위한 장치를 포함하며, 이 경우 재료의 제 1 표면은 입사각 영역으로부터 광을 받고, 상기 재료의 제 2 표면은 방출 각 범위 안에서 광을 방출한다.
한 개선예에서 광전자 어레인지먼트는 적어도 하나의 발광체를 포함한다. 상기 발광체는 방출 방향으로 볼 때 파워- 및 조정-발광 다이오드 뒤에 그리고 경우에 따라서는 추가 파워- 및/또는 조정-발광 다이오드 뒤에 배치되어 있다. 상기 발광체는 파워 발광 다이오드 및 조정-발광 다이오드 그리고 경우에 따라서는 추가 조정- 및 파워 발광 다이오드 상에 제공되는 캐스팅 컴파운드 안에 삽입될 수 있다. 한 실시예에서는 광학적 혼합 장치가 상기 적어도 하나의 발광체를 포함한다.
상기 발광체에 의해서는 제 1 방사선 및/또는 제 2 방사선 및/또는 경우에 따라 추가의 파워- 및/또는 조정-발광 다이오드로부터 방출되는 추가의 방사선이 적어도 하나의 파장에서 적어도 부분적으로 변환될 수 있다. 통상적으로 상기 발광체는 발광 다이오드로부터 방출되는 방사선의 적어도 일부분을 흡수하고, 그 다음에 바람직하게는 원래 발광 다이오드로부터 방출된 방사선의 파장보다 더 큰 파장의 방사선을 방출한다. 결과적으로 나타나는 방사선은 발광 다이오드로부터 처음에 방출된 방사선과 파장 변환된 방사선 부분의 혼합에 의해서 얻어진다. 발광체는 바람직하게 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 방출 스펙트럼을 조정할 목적으로 이용된다.
파워 발광 다이오드 및/또는 조정-발광 다이오드 또는 추가의 파워 발광 다이오드 및/또는 추가의 조정-발광 다이오드는 박막-발광 다이오드-칩으로서 구현될 수 있다.
박막-발광 다이오드-칩은 특히 다음과 같은 특징들을 갖는다:
● 방사선을 방출하는 에피택셜 성장층 시퀀스의 캐리어 소자 쪽으로 향한 제 1 주 표면에는 반사 층이 제공되거나 형성되며, 상기 반사 층은 에피택셜 성장층 시퀀스 안에서 발생하는 전자기 방사선의 적어도 일부분을 상기 에피택셜 성장층 시퀀스 안으로 역반사 한다;
● 상기 반도체 층 시퀀스는 성장 기판이 없다. 본 경우에 "성장 기판이 없다"라는 표현은 "경우에 따라 성장을 위해서 이용되는 성장 기판이 반도체 층 시퀀스로부터 제거되었거나 또는 적어도 심하게 얇아졌다"라는 내용을 의미한다. 특히, 단독으로 또는 에피택셜 성장층 시퀀스와 함께 지지 작용을 할 수 있을 정도로 얇아졌다. 심하게 얇아진 성장 기판의 나머지 부분은 특히 그 자체로서 성장 기판의 기능을 하기에는 적합하지 않다;
● 에피택셜 성장층 시퀀스는 20㎛ 미만의 범위 안에 있는, 특히 10㎛의 범위 안에 있는 두께를 갖는다; 그리고
● 상기 에피택셜 성장층 시퀀스는 혼합 구조물을 갖는 적어도 하나의 면을 갖춘 적어도 하나의 반도체 층을 포함하며, 상기 혼합 구조물에 의해서는 이상적인 경우에는 에피택셜 방식의 에피택셜 성장층 시퀀스 내에서 광이 거의 에르고드적으로 분포되는데, 다시 말하자면 상기 혼합 구조물은 에르고드적으로 가능한 확률론적인 분산 특성을 갖는다.
박층-발광 다이오드 칩의 기본 원리는 예를 들어 I. Schnitzer 등, Appl. Phys. Lett. 63 (16), 1993년 10월 18일, 2174-217페이지에 기재되어 있으며, 상기 간행물의 공개 내용은 인용의 방식으로 본 출원서에 수용된다.
박막-발광 다이오드-칩은 람베르트적인 표면 방사체에 매우 가깝고, 그렇기 때문에 특히 서치 라이트에 적용하기에 매우 적합하다.
파워 발광 다이오드 및 조정-발광 다이오드 또는 추가의 파워 발광 다이오드 및/또는 추가의 조정-발광 다이오드는 파장에 따라 다양한 반도체 재료 계를 토대로 하여 제조될 수 있다. 파장이 긴 방사선을 위해서는 예컨대 InxGayAl1-x-yAs를 기본으로 하는 반도체 몸체가 적합하며, 가시적인 적색 내지 황색 방사선을 위해서는 예컨대 InxGayAl1-x-yP를 기본으로 하는 반도체 몸체가 적합하고, 파장이 짧고 가시적인, 특히 녹색 내지 청색 방사선 또는 UV-방사선을 위해서는 예컨대 InxGayAl1-x-yN을 기본으로 하는 반도체 몸체가 적합하며, 이 경우에는 0 ≤ x ≤ 1이고, 0 ≤ y ≤ 1이다.
에피택셜 성장층 시퀀스는 바람직하게 적어도 하나의 활성 구역을 포함하며, 상기 활성 구역은 전자기 방사선을 발생시키기에 적합하다. 이 목적을 위하여 상기 활성 구역은 예를 들어 pn-접합, 이중 헤테로 구조물, 단일-양자 웰을 포함하거나 또는 특히 바람직하게는 다중-양자 웰 구조물, 간략히 말해서 MQW를 포함할 수 있다.
양자 웰 구조물이라는 명칭은 본 출원의 틀 안에서는 특히 전하 캐리어에서 구속(confinement)에 의해 자체 에너지 상태의 양자화를 경험할 수 있는 모든 구조물을 포함한다. 특히 상기 양자 웰 구조물이라는 명칭은 양자화의 차원(dimensionality)에 대한 표시는 전혀 포함하지 않는다. 따라서, 양자 웰 구조물은 다른 무엇보다도 양자 웰, 양자 와이어 및 양자 점(quantum dot) 그리고 상기 구조물들의 각각의 조합을 포함한다.
본 발명에 따르면, 광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법은 파워 발광 다이오드를 이용해서 제 1 방사선을 제공하는 과정을 포함한다. 상기 제 1 방사선은 제 1 방출 스펙트럼을 포함한다. 또한, 제 2 방사선은 조정-발광 다이오드에 의해서 제공된다. 상기 제 2 방사선은 제 2 방출 스펙트럼을 포함한다. 상기 제 2 방출 스펙트럼에 의해서는 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 방출 스펙트럼이 더욱 정확하게 조정된다.
바람직하게 전체 방사선의 주요 부분은 파워 발광 다이오드에 의해서 제공될 수 있고, 더 작은 부분은 조정-발광 다이오드에 의해서 제공될 수 있다.
한 실시예에서 제 1 방사선 및 제 2 방사선은 실제로 동시에 방출된다.
한 실시예에서 제 1 전기 파워는 파워 발광 다이오드에 공급되고, 제 2 전기 파워는 조정-발광 다이오드에 공급된다. 한 실시예에서 제 1 전기 파워는 제 2 전기 파워의 적어도 4배에 달한다. 바람직하게 제 1 전기 파워는 제 2 전기 파워의 5배에 달한다. 상기와 같은 제 1 전기 파워와 제 2 전기 파워 간의 비율에 의해서는 제 1 방사선과 제 2 방사선의 비율이 조정될 수 있다. 따라서, 광전자 어레인지먼트의 전체 방사선의 방출 스펙트럼은 정확하게 조정될 수 있다.
한 실시예에서 제 1 전기 파워 및 제 2 전기 파워는 실제로 동시에 파워 발광 다이오드에 공급되거나 또는 조정-발광 다이오드에 공급된다. 두 가지 전기 파워는 각각 일정할 수 있다.
다른 한 실시예에서 파워 발광 다이오드에는 펄스 폭 변조된 제 1 전류가 공급되고, 조정-발광 다이오드에는 펄스 폭 변조된 제 2 전류가 공급된다. 그렇기 때문에 상기 제 1 전기 파워 및 제 2 전기 파워는 일정하지 않고, 오히려 주기적으로 순환된다. 두 가지 전류의 변조는 거의 동일할 수 있다. 그렇기 때문에 두 가지 파워는 실제로 동시에 파워 발광 다이오드 또는 조정-발광 다이오드에 공급될 수 있다. 대안적으로 제 1 전류는 제 2 전류와 상이하게 변조될 수 있다.
제 1 전기 파워 및/또는 제 2 전기 파워는 시간적으로 변경될 수 있다. 따라서, 동작 중에는 컬러 좌표의 변경이 가능할 수 있다. 그로 인해 바람직하게는 동작 중에 상이한 컬러 좌표들이 조정될 수 있다.
제 1 전기 파워 및/또는 제 2 전기 파워에 대한 값들이 시간적으로 가변적이기 때문에 컬러 좌표들의 장기간에 걸친 편차도 원래의 컬러 좌표에 의해서 보상될 수 있다. 이와 같은 장기간에 걸친 편차들은 개별 파장에서의 상이한 하강(degradation)에 의하여 파워 발광 다이오드 및/또는 조정-발광 다이오드의 방출 스펙트럼에서 야기될 수 있다.
본 발명은 다수의 실시예에서 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다. 기능적으로 동일하거나 또는 작용이 동일한 부품들 및 소자들은 동일한 도면 부호를 갖는다. 부품들 또는 소자들이 기능 측면에서 서로 상응하는 한, 상기 부품들 또는 소자들에 대한 설명은 아래의 각 도면들에서 반복되지 않는다.
도 1A 및 도 1B는 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 실시예를 횡단면도 및 평면도로 도시하고 있으며,
도 2는 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 대안적인 실시예를 평면도로 도시하고 있고,
도 3은 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 대안적인 실시예를 개략적인 평면도로 도시하고 있으며,
도 4는 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 추가의 한 실시예를 개략적인 평면도로 도시하고 있다.
도 1A는 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 실시예를 횡단면도로 도시하고 있다. 광전자 어레인지먼트(1)는 파워 발광 다이오드(10), 조정-발광 다이오드(20) 및 캐리어(2)를 포함한다. 파워 발광 다이오드(10) 및 조정-발광 다이오드(20)는 캐리어(2) 상에 배치되어 있다. 파워 발광 다이오드(10)는 제 1 반도체 몸체(11)를 포함하고, 조정-발광 다이오드(20)는 제 2 반도체 몸체(21)를 포함한다. 제 1 반도체 몸체(11)는 제 1 방사선 방출면(FL)을 포함한다. 그에 상응하게 제 2 반도체 몸체(21)는 제 2 방사선 방출면(FE)을 포함한다.
캐리어(2)는 제 1 접속면(31) 및 제 2 접속면(31)을 포함하며, 상기 제 1 접속면에는 파워 발광 다이오드(10)가 배치되어 있고, 상기 제 2 접속면에는 조정-발광 다이오드(20)가 배치되어 있다. 제 1 반도체 몸체(11)는 제 1 접속면(31)에 도전 접속되어 있고, 제 2 반도체 몸체(21)는 제 2 접속면(32)에 도전 접속되어 있다. 더 나아가 캐리어(2)는 제 3 및 제 4 접속면(33, 34)을 포함한다. 제 1 반도체 몸체(11)는 제 3 접속면(33)에 도전 접속되어 있고, 제 2 반도체 몸체(21)는 제 4 접속면(34)에 도전 접속되어 있다. 이 목적을 위하여 제 1 방사선 방출면(FL)에 있는 접속 영역은 본딩 와이어(35)에 의해서 제 3 접속면(33)에 연결되어 있고, 제 2 방사선 방출면(FE)에 있는 접속 영역은 추가의 본딩 와이어(35)에 의해서 제 4 접속면(34)에 연결되어 있다. 파워 발광 다이오드(10)는 중심점 가까이에 또는 광전자 어레인지먼트(1)의 대칭축(7) 가까이에 배치되어 있다. 그 결과 조정-발광 다이오드(20)는 대칭축(7)으로부터 이격된 상태로 배치되어 있다. 광전자 어레인지먼트(1)는 또한 광학적으로 혼합하기 위한 장치(5)도 포함한다. 상기 광학적 혼합 장치(5)는 캐리어(2) 상에 배치되어 있다.
파워 발광 다이오드(10)에는 제 1 전기 파워(PL)가 공급된다. 그에 상응하게 조정-발광 다이오드(20)에는 제 2 전기 파워(PE)가 공급된다. 제 1 전기 파워(PL)의 공급은 제 1 접속면(31) 또는 제 3 접속면(33) 및 본딩 와이어(35)에 의해서 실현된다. 그에 상응하게 제 2 전기 파워(PE)의 공급은 제 1 접속면(32) 및 제 4 접속면(34) 그리고 추가의 본딩 와이어(35)에 의해서 실시된다. 파워 발광 다이오드(10)는 제 1 방사선(SL)을 방출한다. 제 1 방사선(SL)은 제 1 방출 스펙트럼(EL)을 포함한다. 그와 유사한 방식으로 조정-발광 다이오드(20)는 제 2 방사선(SE)을 방출한다. 제 2 방사선(SE)은 제 2 방출 스펙트럼(EE)을 포함한다. 제 1 방사선(SL)은 제 1 방사선 방출면(FL)에서 방출되고, 제 2 방사선(SE)은 제 2 방사선 방출면(FE)에서 방출된다. 제 1 방사선(SL)의 방출은 제 1 전기 파워(PL)에 따라서 실시되고, 제 2 방사선(SE)의 방출은 제 2 전기 파워(PE)에 따라서 실시된다. 제 1 및 제 2 방사선(SL, SE)은 광전자 어레인지먼트(1)가 전체 방사선(SO)을 갖도록 제공된다. 전체 방사선(SO)은 제 1 방사선(SE)과 제 2 방사선(SE)의 총합이다. 제 1 방사선(SL)은 양에 있어서 제 2 방사선(SE)보다 더 크다. 광학적 혼합 장치(5)에 의해서는 제 1 방사선(SL)과 제 2 방사선(SE)이 혼합된다. 그럼으로써, 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)은 각각의 방사 방향으로 거의 동일한 방출 스펙트럼을 갖게 된다. 전체 방사선의 전체 세기는 방향에 의존한다.
바람직하게 제 2 방사선(SE)을 제 1 방사선(SL)에 혼합함으로써는 전체 방사선(SO)이 사전 설정 가능한 범위 안에서 방출 스펙트럼(EO)을 갖게 된다.
광학적 혼합 장치(5)에 의해서는 바람직하게 파워 발광 다이오드(10) 및 조정-발광 다이오드(20)가 동시에 광전자 어레인지먼트(1)의 중심점에 또는 대칭축(7) 내부에 배치될 수 없다는 내용이 보상된다.
대안적인 한 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 추가로 발광체(6)를 포함한다. 발광체(6)는 이 발광체가 제 1 및 제 2 방사선(SL, SE)의 방사 경로 안에 배치되도록 광전자 어레인지먼트(1) 내부에 삽입되어 있다. 상기 발광체(6)는 광 전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)을 조정하기 위해서 이용된다. 그럼으로써, 바람직하게 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)은 제 1 및 제 2 방출 스펙트럼(EL, EE)에 대하여 변경될 수 있다. 발광체(6)에 의해서 방출 스펙트럼(EO)은 제 2 방출 스펙트럼(EL, EE)에 대하여 확장되었다.
도 1B는 도 1A에 횡단면도로 도시되어 있는 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트(1)의 한 실시예를 평면도로 보여주고 있다.
제 1 및 제 3 접속면(31, 33)은 광전자 어레인지먼트(1)의 두 개의 외부 단자(47, 48)와 파워 발광 다이오드(10)의 도전 접속을 위해서 이용된다. 그에 상응하게 제 2 및 제 4 접속면(32, 34)은 광전자 어레인지먼트(1)의 두 개의 추가 외부 단자(49, 50)와 조정-발광 다이오드(20)의 도전 접속을 위해서 이용된다.
도면에 도시되어 있지 않은 대안적인 한 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드를 포함한다.
도면에 도시되어 있지 않은 대안적인 한 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 파워 발광 다이오드를 포함한다.
도 2는 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트(1)의 한 실시예를 평면도로 보여주고 있다. 도 2에 따른 광전자 어레인지먼트(1)는 도 1A 및 도 1B에 따른 광전자 어레인지먼트(1)의 한 개선예이다. 도 2에 따른 광전자 어레인지먼트(1)는 캐리어(2) 상에 배치되어 있는 제 1 및 제 2 보호 저항기(37, 38)를 포함한다. 캐리어(2)는 제 1 및 제 2 전기 접속부(3, 4)를 포함한다. 제 1 접속면(31) 및 제 2 접속면(32)은 제 1 전기 단자(3)에 연결되어 있다. 파워 발광 다이오드(10)는 제 1 보호 저항기(37)를 통해서 제 2 전기 단자(4)에 연결되어 있다. 그에 상응하게 조정-발광 다이오드(20)는 제 2 보호 저항기(38)를 통해서 제 2 전기 단자(4)에 연결되어 있다. 이 목적을 위하여 제 1 보호 저항기(37)는 제 3 접속면(33)과 제 2 전기 단자(4) 사이에 배치되어 있다. 그에 상응하게 제 2 보호 저항기(38)는 제 4 접속면(34)과 제 2 전기 단자(4) 사이에 배치되어 있다. 제 1 및 제 2 전기 단자(3, 4)는 광전자 어레인지먼트(1)의 외부 단자들로서 이용된다. 따라서, 광전자 어레인지먼트(1)는 파워 발광 다이오드(10) 및 제 1 보호 저항기(37)를 포함하는 제 1 직렬 회로 그리고 조정-발광 다이오드(20) 및 제 2 보호 저항기(38)를 포함하는 제 2 직렬 회로로 이루어진 병렬 회로를 포함한다.
제 1 및 제 2 전기 파워(PL, PE)의 총합은 제 1 및 제 2 전기 단자(3, 4)에 의해서 광전자 어레인지먼트(1)에 공급된다. 따라서, 제 1 및 제 2 보호 저항기(37, 38)에 의해서는 전체 전기 파워가 제 1 전기 파워(PL) 및 제 2 전기 파워(PE)로 분할될 수 있다. 제 1 또는 제 2 전기 파워(PL, PE)의 조정에 의해서는 제 1 방사선(SL) 또는 제 2 방사선(SE)의 방사선 파워가 조정될 수 있다. 그럼으로써, 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO) 내부에서의 세기 분포가 정밀하게 조정될 수 있다.
도면에 도시되어 있지 않은 한 대안적인 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 직렬 회로를 포함하고, 상기 직렬 회로는 추가의 조정-발광 다이오드 및 추가의 보호 저항기를 구비한다. 상기 적어도 하나의 추가 직렬 회로는 제 1 전기 단자(3)와 제 2 전기 단자(4) 사이에 접속되어 있다.
도면에 도시되어 있지 않은 한 대안적인 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 직렬 회로를 포함하고, 상기 추가 직렬 회로는 추가의 파워 발광 다이오드 및 추가의 보호 저항기를 구비한다. 상기 적어도 하나의 추가 직렬 회로는 제 1 전기 단자(3)와 제 2 전기 단자(4) 사이에 접속되어 있다.
도 3은 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 실시예를 개략적인 평면도로 보여주고 있다. 도 3에 따른 광전자 어레인지먼트는 도 1A, 도 1B 및 도 2에 도시된 광전자 어레인지먼트의 한 개선예이다. 도 3에 따르면 광전자 어레인지먼트(1)는 파워 발광 다이오드(10) 그리고 제 1 조정-발광 다이오드(20)를 포함한다. 광전자 어레인지먼트(1)는 또한 제 2, 제 3 및 제 4 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)를 포함한다. 파워 발광 다이오드(10) 및 네 개의 조정-발광 다이오드(20, 22, 24, 26)는 대칭축(7)을 기준으로 하여 대칭으로 배치되어 있다. 네 개의 조정-발광 다이오드(20, 22, 24, 26)는 원호(8) 상에 동일하게 분배 배치되어 있다. 상기 원호(8)는 대칭축(7)을 중심점으로서 갖는다. 제 2 조정-발광 다이오드(22)는 제 3 방사선 방출면(FE1)을 갖는 제 3 반도체 몸체(23)를 포함한다. 그에 상응하게 제 3 조정-발광 다이오드(24)는 제 4 방사선 방출면(FE2)을 갖는 제 4 반도체 몸체(25)를 포함한다. 그와 유사한 방식으로 제 4 조정-발광 다이오드(26)는 제 5 방사선 방출면(FE3)을 갖는 제 5 반도체 몸체(27)를 포함한다.
파워 발광 다이오드(10)는 제 1 전기 파워(PL)에 따라서 제 1 방사선(SL)을 방출한다. 조정-발광 다이오드(20)는 제 2 전기 파워(PE)에 따라서 제 2 방사선(SE)을 방출한다. 그에 상응하게 제 2 조정-발광 다이오드(22)에는 제 3 전기 파워(PE1)가 공급된다. 제 2 조정-발광 다이오드(22)는 제 3 방사선(SE1)을 방출한다. 제 3 방사선(SE1)은 제 3 방출 스펙트럼(EE1)을 포함한다. 그와 유사한 방식으로 제 3 조정-발광 다이오드(24)에는 제 4 전기 파워(PE2)가 공급된다. 제 3 조정-발광 다이오드(24)는 제 4 방사선(SE2)을 방출한다. 제 4 방사선(SE2)은 제 4 방출 스펙트럼(EE2)을 포함한다. 그와 유사한 방식으로 제 4 조정-발광 다이오드(26)에는 제 5 전기 파워(PE3)가 공급된다. 제 4 조정-발광 다이오드(26)는 제 5 방사선(SE3)을 방출한다. 제 5 방사선(SE3)은 제 5 방출 스펙트럼(EE3)을 포함한다. 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)은 제 1 내지 제 5 방사선(SL, SE, SE1, SE2, SE3)의 함수이다. 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)은 제 1 내지 제 5 방사선(SL, SE, SE1, SE2, SE3)의 총합이다. 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)은 제 1 내지 제 5 방출 스펙트럼(EL, EE, EE1, EE2, EE3)에 의존한다. 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO) 내부에서의 세기 분포는 다섯 개의 방출 스펙트럼(EL, EE, EE1, EE2, EE3) 내부에서의 세기 분포들의 함수이다.
바람직하게 네 개의 조정-발광 다이오드(20, 22, 24, 26)에 의해서는 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)이 정밀하게 조정될 수 있다.
대안적인 한 실시예에서는 발광체(6)가 제공되며, 상기 발광체는 파워 발광 다이오드(10) 및/또는 네 개의 조정-발광 다이오드(20, 22, 24, 26)로부터 제공되는 방사선(SL, SE, SE1, SE2, SE3)의 일부분을 변환시킨다. 따라서, 바람직하게 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)은 다섯 개 방출 스펙트럼(EL, EE, EE1, EE2, EE3)의 순수한 가산에 대하여 변경되었다.
도면에 도시되어 있지 않은 한 대안적인 실시예에서 네 개의 조정-발광 다이오드(20, 22, 24, 26)는 타원 상에 균일하게 분배 배치되어 있다.
도면에 도시되어 있지 않은 한 대안적인 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드를 포함한다.
도면에 도시되어 있지 않은 한 대안적인 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 파워 발광 다이오드를 포함한다.
도 4는 도 1A, 도 1B 및 도 2에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 개선예인 본 발명에 따른 광전자 어레인지먼트의 한 실시예를 보여주고 있다. 도 4에 따른 광전자 어레인지먼트(1)는 파워 발광 다이오드(10) 그리고 추가의 파워 발광 다이오드(12)를 포함한다. 상기 파워 발광 다이오드(10) 및 추가의 파워 발광 다이오드(12)는 이웃하여 배치되어 있다. 상기 추가의 파워 발광 다이오드(12)는 추가의 반도체 몸체(13)를 포함한다. 상기 추가의 반도체 몸체(13)는 추가의 방사선 방출면(FL1)을 갖는다. 광전자 어레인지먼트(1)는 또한 조정-발광 다이오드(20) 그리고 제 2 조정-발광 다이오드(22)를 포함한다. 상기 파워 발광 다이오드(10) 및 추가의 파워 발광 다이오드(12)는 조정-발광 다이오드(20)와 제 2 조정-발광 다이오드(22) 사이에 배치되어 있다. 네 개의 발광 다이오드(10, 12, 20, 22)는 하나의 직선(9) 상에 배치되어 있다. 네 개 발광 다이오드(10, 12, 20, 22)의 배열 상태는 대칭축(7)을 기준으로 하여 대칭이다.
상기 추가의 파워 발광 다이오드(12)에는 추가의 전기 파워(PL1)가 공급된다. 상기 추가의 파워 발광 다이오드(12)는 추가의 방사선 방출면(FL1)에서 추가 의 방사선(SL1)을 방출한다. 상기 추가의 방사선(SL1)은 추가의 방출 스펙트럼(EL1)을 포함한다. 따라서, 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)은 실제로 제 1 방출 스펙트럼(EL) 그리고 추가 방출 스펙트럼(EL1)의 함수가 되며, 상기 추가 방출 스펙트럼(EL1)은 제 2 및 제 3 방출 스펙트럼(EE, EE1)에 의해서 더욱 정밀하게 조정된다.
따라서, 바람직하게 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)은 두 개 파워 발광 다이오드의 제 1 방사선(SL) 및 추가의 방사선(SL1)에 따라서 제공된다.
대안적인 한 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드를 포함한다. 대안적인 한 실시예에서 광전자 어레인지먼트(1)는 적어도 하나의 추가 파워 발광 다이오드를 포함한다.
본 발명은 실시예들을 참조한 설명에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 특히 상기 특징 또는 특징들의 조합 자체가 특허 청구범위 또는 실시예에 명시적으로 제시되어 있지 않더라도 각각의 특징 조합은 특허 청구범위에 포함되어 있는 것으로 간주된다.
Claims (24)
- 광전자 어레인지먼트로서,파워 발광 다이오드(10)를 포함하고, 상기 파워 발광 다이오드로부터는 제 1 방출 스펙트럼(EL)을 갖는 제 1 방사선(SL)이 방출될 수 있으며,조정-발광 다이오드(20)를 포함하고, 상기 조정-발광 다이오드로부터는 제 2 방출 스펙트럼(EE)을 갖는 제 2 방사선(SE)이 방출될 수 있음으로써, 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)은 제 1 방사선(SL) 및 제 2 방사선(SE)을 포함하게 되는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 방출 스펙트럼(EE)은 상기 제 1 방출 스펙트럼(EL)과 상이한,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 조정-발광 다이오드(20)는 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 상기 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)을 정밀하게 조정할 목적으로 제공된,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 방사선(SL)에 제 2 방사선(SE)이 혼합됨으로써 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)의 컬러 좌표가 사전 설정된 간격 안에서 조정될 수 있는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 반도체 몸체(11)는 상기 파워 발광 다이오드(10)를 포함하고, 제 2 반도체 몸체(21)는 상기 조정-발광 다이오드(20)를 포함하는,광전자 어레인지먼트.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 반도체 몸체(11)의 제 1 방사선 방출면(FL)은 상기 제 2 반도체 몸체(21)의 제 2 방사선 방출면(FE)보다 4배만큼 더 큰,광전자 어레인지먼트.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,캐리어(2)를 포함하며, 상기 캐리어 상에 상기 제 1 반도체 몸체(11) 및 상기 제 2 반도체 몸체(21)가 배치된,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광전자 어레인지먼트는 제 1 보호 저항기(37)를 포함하고, 상기 제 1 보호 저항기는 상기 파워 발광 다이오드(10)에 직렬로 접속되어 있으며, 상기 광전자 어레인지먼트는 제 2 보호 저항기(38)를 포함하고, 상기 제 2 보호 저항기는 상기 조정-발광 다이오드(20)에 대하여 직렬로 접속되어 있으며, 이 경우 상기 두 개의 직렬 회로는 서로 병렬로 접속된,광전자 어레인지먼트.
- 제 7 항 및 제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 보호 저항기(37, 38)는 상기 캐리어(2) 상에 배치되어 있고, 상기 캐리어(2)는 제 1 및 제 2 전기 단자(3, 4)를 포함하며, 상기 제 1 전기 단자와 제 2 전기 단자 사이에는 제 1 보호 저항기(37) 및 상기 파워 발광 다이오드(10)를 포함하는 제 1 직렬 회로 그리고 제 2 보호 저항기(38) 및 상기 조정-발광 다이오드(20)를 포함하는 제 2 직렬 회로가 접속되어 있는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파워 발광 다이오드(10)에 공급되는 제 1 전기 파워(PL)는 상기 조정-발광 다이오드(20)에 공급되는 제 2 전기 파워(PE)보다 적어도 4배만큼 더 큰,광전자 어레인지먼트.
- 제 10 항에 있어서,상기 조정-발광 다이오드(20)의 제 2 방출 스펙트럼(EE) 및 제 2 전기 파워(PE)는 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 상기 전체 방사선(SO)의 컬러 좌표가 사전 설정 가능한 간격 안에 있도록 조정되는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)를 포함하고, 상기 추가 조정-발광 다이오드로부터는 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼(EE1, EE2, EE3)을 갖는 적어도 하나의 추가 방사선(SE1, SE2, SE3)이 방출될 수 있음으로써, 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 상기 전체 방사선(SO)이 상기 적어도 하나의 추가 방사선(SE1, SE2, SE3)을 포함하게 되는,광전자 어레인지먼트.
- 제 12 항에 있어서,상기 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼(EE1, EE2, EE3)은 상기 제 1 방출 스펙트럼(EL) 및 상기 제 2 방출 스펙트럼(EE)과 상이한,광전자 어레인지먼트.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)는 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 상기 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼을 정밀하게 조정할 목적으로 제공된,광전자 어레인지먼트.
- 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 조정-발광 다이오드(20)의 제 2 방사선(SE) 및 상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)의 적어도 하나의 추가 방사선(SE1, SE2, SE3)을 상기 파워 발광 다이오드(10)의 제 1 방사선(SL)에 혼합함으로써, 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 상기 전체 방사선(SO)의 컬러 좌표가 사전 설정 가능한 간격 안에서 조정될 수 있는,광전자 어레인지먼트.
- 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 추가 반도체 몸체(23, 25, 27)가 상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)를 포함하는,광전자 어레인지먼트.
- 제 6 항만을 인용하는 제 16 항에 있어서,상기 제 1 반도체 몸체(11)의 제 1 방사선 방출면(FL)은 상기 적어도 하나의 추가 반도체 몸체(23, 25, 27)의 적어도 하나의 추가 방사선 방출면(FE1, FE2, FE3)보다 적어도 4배만큼 더 큰,광전자 어레인지먼트.
- 제 10 항만을 인용하는 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전기 파워(PL)는 상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)에 공급되는 추가의 전기 파워(PE1, PE2, PE3)보다 4배만큼 더 큰,광전자 어레인지먼트.
- 제 18 항에 있어서,상기 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼(EE1, EE2, EE3)이 상기 적어도 하나의 추가 조정-발광 다이오드(22, 24, 26)에 제공되고, 상기 적어도 하나의 추가 전기 파워(PE1, PE2, PE3)가 조정됨으로써, 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 컬러 좌표는 사전 설정 가능한 간격 안에 있게 되는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 추가 파워 발광 다이오드(12)를 포함하며, 상기 추가의 파워 발광 다이오드로부터는 적어도 하나의 추가 방출 스펙트럼(EL1)을 갖는 적어도 하나의 추가 방사선(SL1)이 방출될 수 있는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 방사선(SL)과 상기 제 2 방사선(SE)을 광학적으로 혼합하기 위한 장치(5)를 포함하는,광전자 어레인지먼트.
- 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광전자 어레인지먼트(1)의 상기 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EO)을 조정하기 위한 적어도 하나의 발광체(6)를 포함하는,광전자 어레인지먼트.
- 광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법으로서,파워 발광 다이오드(10)를 이용해서 제 1 방출 스펙트럼(SL)을 갖는 제 1 방사선(SL)을 방출시키는 단계, 그리고조정-발광 다이오드(20)를 이용해서 제 2 방출 스펙트럼(SE)을 갖는 제 2 방사선(SE)을 방출시킴으로써, 상기 광전자 어레인지먼트(1)의 전체 방사선(SO)의 방출 스펙트럼(EOA)을 정밀하게 조정하는 단계를 포함하는,광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 파워 발광 다이오드(10)에는 제 1 전기 파워(PL)가 공급되고, 상기 조정-발광 다이오드(20)에는 제 2 전기 파워(PE)가 공급되며, 상기 제 1 전기 파워(PL)의 양은 상기 제 2 전기 파워(PE)의 양의 적어도 4배인,광전자 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법.
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