TWI391331B - 純水製造裝置 - Google Patents
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Description
本發明關於一種適於裝入超純水製造系統中的純水製造裝置，特別是關於一種用於製造硼濃度低之純水的純水製造裝置。
超純水製造系統通常由前期處理系統、一次純水系統、輔助系統構成。前期處理系統由利用凝集過濾和MF膜(精密過濾膜)、UF膜(半透膜過濾)等的除濁處理裝置、利用活性炭等的除鹽處理裝置構成。
一次純水系統由逆滲透(RO)(反浸透膜)裝置、脫氣膜裝置、電脫離子裝置等構成，可除去大部分的離子成分和總有機碳(TOC)成分。
輔助系統由UV裝置(紫外線氧化裝置)、非再生型離子交換裝置、UF裝置(半透膜過濾裝置)等構成，可進行微量離子的除去，特別是低分子的微量有機物的除去、微粒的除去。
由輔助系統所製作的超純水被送至使用點，剩餘的超純水一般是被送回到輔助系統的前段的容器中。
然而，超純水的要求水質逐年變得嚴格，現在在最尖端的電子產業領域要求硼濃度10ppt以下的超純水。
為了製造硼濃度低的純水，在日本專利早期公開之特開平8-89956號公報中記述了一種使原水由逆滲透(RO)裝置等的脫鹽裝置進行脫鹽後，在硼吸附樹脂塔中進行流
通的方法。
在日本專利早期公開之特開平9-192661號公報的第0040段中，記述了一種如附加的圖3所示，使原水依次通過逆滲透(RO)裝置31、電脫離子裝置32及硼吸附樹脂塔33而進行處理的方法。
而且，在日本專利早期公開之特開2001-113281號公報及日本專利早期公開之特開2002-205069號公報中，記述了一種可充分除去二氧化矽及硼的電脫離子裝置。
〔專利文獻1〕日本專利早期公開之特開平8-89956號公報
〔專利文獻2〕日本專利早期公開之特開平9-192661號公報
〔專利文獻3〕日本專利早期公開之特開2001-113281號公報
〔專利文獻4〕日本專利早期公開之特開2002-205069號公報
當使原水如圖3所示，通過逆滲透(RO)裝置31、電脫離子裝置32及硼吸附樹脂塔33時，硼可由電脫離子裝置32及硼吸附樹脂塔33這兩者被除去，所以能夠製造硼濃度低的處理水。但是，如果像這樣將硼吸附樹脂塔33配置在電脫離子裝置32的後段，從使硼吸附樹脂塔的流出水中的硼濃度水準與目標水質水準吻合時開始，在如圖2所示有微量的硼發生滲漏之貫流點P1
的階段，需要再生或更換硼吸附樹脂塔的樹脂。意即，在上述日本專利早期公開之
特開平9-192661號的純水製造裝置中，存在硼吸附樹脂的再生或交換頻次高，純水的製造效率差之問題。
本發明的目的是提供一種具有逆滲透(RO)裝置的脫鹽裝置、電脫離子裝置、硼吸附樹脂裝置之純水製造裝置，可使硼吸附樹脂裝置的樹脂再生或交換頻次較習知技術顯著降低，且可得到硼濃度也足夠低的純水。
另外，為了提高電脫離子裝置的水回收率，考慮使電脫離子裝置的濃縮水返回逆滲透(RO)裝置的上流側並加到原水中，但在這種情況下，含有硼的水在電脫離子裝置和逆滲透(RO)裝置之間循環，且硼在此期間使被濃縮。意即，逆滲透(RO)裝置的硼除去率約為50%左右，來自電脫離子裝置之濃縮水中大約一半的硼通過逆滲透(RO)裝置流入電脫離子裝置。其反復進行的結果是，從逆滲透(RO)裝置流入電脫離子裝置的水中的硼濃度增高，導致電脫離子裝置之後段的硼吸附樹脂裝置的硼負擔增高。
本發明的目的是提供一種純水製造裝置，在其一實施例中，即使電脫離子裝置的濃縮水返回逆滲透(RO)裝置上流側，也可效率良好地製造硼濃度低的純水之純水製造裝置。
本發明的純水製造裝置為具有逆滲透膜裝置、電脫離子裝置及硼吸附裝置的純水製造裝置，其特徵在於：以使來自逆滲透膜裝置的脫鹽水流過硼吸附裝置，接著通過電脫離子裝置而製造純水之形態將上述各裝置進行連結。
如利用本發明的純水製造裝置，原水中的硼由逆滲透(RO)裝置及硼吸附裝置被除去例如80~99%左右後，再流入電脫離子裝置中，直至降低到目標的硼濃度水準。像這樣將電脫離子裝置配置在最終段，使來自該電脫離子裝置的處理水的硼濃度水準達到目標水準，所以在該電脫離子裝置的前段所配置之硼吸附裝置的流出水中的硼濃度水準與目標水準相比，可以為相當高的值，例如圖2的貫流點P2
程度的值。所以，將硼吸附裝置內的硼吸附物質進行再生或交換之頻次變得足夠低。
在本發明中，由於硼吸附裝置能夠充分地吸附除去硼成分，所以即使將從電脫離子裝置流出的濃縮水送回至逆滲透(RO)裝置的上流側，硼也不會在逆滲透(RO)裝置和電脫離子裝置之間進行濃縮，可從電脫離子裝置得到低硼濃度的純水。
作為本發明所使用的電脫離子裝置，以日本專利早期公開之特開2001-113281號公報或日本專利早期公開之特開2002-205069號公報所說明的為佳。
日本專利早期公開之特開2001-113281號公報的純水製造裝置為電脫離子裝置，具有陰極及陽極、藉由在該陰極和陽極之間排列陽離子交換膜和陰離子交換膜而形成的濃縮室及脫鹽室、在該脫鹽室中所填充的離子交換體；並對脫鹽室的厚度、操作電壓及/或電流、或通水量(SV)進行設定，以在不添加鹼性藥劑的情況下對pH8.5以下的原水進行處理時，得到較該原水的pH高1.0以上之pH的
處理水。特別是採用一種當電脫離子裝置複數段串聯連接，且最前段的電脫離子裝置如上述那樣，對脫鹽室的厚度、操作電壓及/或電流、或通水量(SV)進行設定，以在不添加鹼性藥劑的情況下對pH8.5以下的原水進行處理時，得到較該原水的pH高1.0以上pH的處理水之電脫離子裝置為佳。
日本專利早期公開之特開2002-205069號公報的純水製造裝置為電脫離子裝置，包括具有陽極的陽極室、具有陰極的陰極室、藉由在這些陰極室和陽極室之間排列陽離子交換膜和陰離子交換膜而形成的濃縮室及脫鹽室、在該脫鹽室中所填充的離子交換體、在該濃縮室所填充的離子交換體，活性炭或電導電體、分別在該陽極室及陰極室中通入電極水的裝置、在該濃縮室中通入濃縮水的濃縮水通水裝置、在該脫鹽室中通入原水並取出脫離子水的裝置；該濃縮水通水裝置為將較原水的二氧化矽或硼濃度低的水，從脫鹽室的脫離子水取出口附近導入到該濃縮室內，並從該濃縮室中靠近脫鹽室的原水入口側流出，且將從該濃縮室流出的濃縮水的至少一部分向系統外部排出之裝置。
另外，在本發明中，最好是使用硼吸附裝置內的硼吸附劑所產生之總有機碳(TOC)洗提量盡可能少的。這是因為，雖然從該吸附劑所洗提的總有機碳(TOC)成分可如前述那樣由電脫離子裝置被除去，但是其除去量是有限度的，過剩的總有機碳(TOC)洗提會對後段的二次純水製造
設備帶來影響。在本發明中，最好是採用在通水初期硼吸附裝置內所收納之吸附劑產生的總有機碳(TOC)洗提量，於全通水時間的1/10時刻，為1小時每1升吸附劑容積0.8mg以下，最好為0.5mg以下的。另外，吸附劑的洗提量以下式定義。
總有機碳(TOC)洗提量(mg/h．L)=[處理水總有機碳(TOC)濃度(ppb)-被處理水總有機碳(TOC)濃度(ppb)]．(通水量(L/h))/(吸附量填充量(L))
這裏所說的[全通水時間]，是指到將硼吸附裝置內的吸附劑進行再生或吸附劑的交換間的通水時間。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
下面參照圖示對實施例進行說明。圖1(a)、(b)為關於本發明的實施例之純水製造裝置的通水系統圖。
在圖1(a)中，被處理水首先流入逆滲透(RO)裝置1中，透過水流入硼吸附裝置2，且通過該硼吸附裝置2而使硼被吸附除去處理的水流入電脫離子裝置3，而經過電脫離子處理的水作為處理水被取出。逆滲透(RO)裝置1的濃縮排水被廢棄。而且，在該圖1(a)的實施例中，電脫離子裝置3的濃縮水也被廢棄。雖然未圖示，但電脫離子裝置3的電極室排水也被廢棄。
圖1(b)的純水製造裝置是在圖1(a)的純水製造裝置中，使電脫離子裝置3的濃縮水通過送回配管4返回到逆滲透(RO)裝置1的上流側，並加到被處理水中的。圖1(b)的其他構成與圖1(a)相同。
在圖1(a)、(b)的純水製造裝置中，來自電脫離子裝置3的脫鹽室的流出水形成處理水，且該脫鹽室流出水的硼濃度滿足目標水質即可，所以從硼吸附裝置2流入電脫離子裝置3之水中的硼濃度也可如前述圖2的貫流點P2
那樣，與習知例相比處於相當高的水準。因此，可使硼吸附裝置2內之吸附劑的再生或交換頻次顯著降低。
另外，如利用圖1(b)的純水製造裝置，可使電脫離子裝置3的濃縮水被再利用，所以水回收率提高。而且，在這種情況下，硼吸附裝置2可充分地吸附除去硼成分，所以即使將電脫離子裝置3的濃縮水送回到逆滲透(RO)裝置1的上流側，沿從逆滲透(RO)裝置1到電脫離子裝置3之循環線進行循環的水中，也不會形成硼的積蓄，能夠長期生產硼濃度低的處理水。
作為被處理水，以將工業用水、生活用水、井水等原水中所包含的懸濁物質利用前期處理裝置除去的，硼濃度5~100ppb左右特別是10~30ppb左右的水為佳，但並不限定於此。在逆滲透(RO)裝置1中，除了該被處理水中的離子成分、微粒及總有機碳(TOC)成分以外，對二氧化矽、硼等弱電解性成分也可按照需要水準加以去除。利用逆滲透(RO)裝置1的硼除去率為30~70%左右。
作為由硼吸附裝置2所收納的吸附劑，以選擇性地對硼進行吸附的硼選擇性吸附劑為佳。作為硼選擇性吸附劑，以可利用離子交換作用吸附硼成分的硼選擇性吸附劑，和可利用螯合作用吸附硼成分的硼選擇性吸附劑為佳，例如是硼選擇性螯合樹脂的[甲醛系樹脂CRB(三菱化學(株)製)]、硼選擇性螯合纖維的[CHELEST fiber GRY(CHELEST(株)製)]、陰離子交換體的[Read-B(旭電子(株)製)]等，但並不以此限定本發明之範圍。
另外，如前所述，作為該硼吸附劑以總有機碳(TOC)洗提量少的為佳，具體地說，最好是採用在通水初期該硼吸附裝置內所填充之吸附劑產生的總有機碳(TOC)洗提量，於全通水時間的1/10時刻，為1小時每1升吸附劑容積0.8mg以下，最好為0.5mg以下的。
這樣，總有機碳(TOC)洗提量少的吸附劑可藉由例如將前述吸附劑進行攝氏50~90度下的溫水洗淨及利用鹼性藥劑的洗淨等處理而得到，而且也可購入降低了總有機碳(TOC)洗提量的製品，例如是[甲醛系樹脂UCBT02(三菱化學(株)製)]等而且可以直接採用。
填充了硼選擇性吸附劑的硼除去裝置2，可為只填充上述這樣的吸附劑的，也可為將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂等其他的離子交換體與吸附劑進行混合、層疊並填充的。
硼除去裝置2為可由酸，鹼性藥劑進行再生處理的[再生型]、或是在吸附解析透過後進行交換的[非再生型]的任
一種。
硼除去裝置2的通水量(SV)，考慮總有機碳(TOC)洗提性及再生頻次或吸附劑交換頻次，採用10~100/hr，特別是20~50/hr為佳。
在收納有該硼選擇性除去吸附劑的硼吸附裝置中，硼被有選擇地除去。在本發明中，由於在硼吸附裝置2的後段設置有電脫離子裝置3，所以該硼吸附裝置2的流出水中的硼濃度無需達到在一次純水裝置的要求濃度，利用該硼吸附裝置2的硼除去率可設定為80~99%。通常情況下，來自硼吸附裝置2的流出水的水質，為導電率0.2~1.0mS/m，硼濃度0.1~1ppb，總有機碳(TOC)濃度為10~50ppb左右。藉由將該水通入電脫離子裝置中，可生產達到一次純水製造裝置的設計水質，例如電阻率>17.5M Ω．cm，硼濃度<0.01ppb，總有機碳(TOC)<10ppb的水。
而且，由於利用硼除去裝置2使被處理水中的大部分的硼被除去，所以電脫離子裝置的硼負擔量低，因此，如圖1(b)所示，即使將該電脫離子裝置的濃縮水送回逆滲透(RO)膜裝置的上流側，再從逆滲透(RO)裝置1到電脫離子裝置3之間進行此循環的水中，也不會產生硼濃縮的現象。
電脫離子裝置3也被稱作電再生式脫鹽裝置，採用在由陰離子交換膜和陽離子交換膜形成的空隙中填充離子交換體，並形成脫鹽室、濃縮室，且施加直流電流而除去被處理水中的離子之構成。例如在日本專利早期公開之特開平4-72567號、日本專利2751090號、日本專利2699256
號、日本專利早期公開之2001-239270號中所說明的就是這種裝置。
在像電子產業領域等所使用的超純水這樣，必須對硼濃度進行嚴格管理的情況下，作為該電脫離子裝置，最好具有優良的硼除去能力。
該電脫離子裝置其硼除去率在80%以上為較佳，在90%以上為更佳，在99%以上為特佳。
這種硼除去率高的純水製造裝置的例子，可舉出一種具有陰極及陽極、藉由在陰極和陽極之間排列陽離子交換膜和陰離子交換膜而形成的濃縮室及脫鹽室、在脫鹽室中所填充的離子交換體；並對脫鹽室的厚度、操作電壓及/或電流、或通水量(SV)進行設定，以在不添加鹼性藥劑的情況下對pH8.5以下的原水進行處理時，得到較該原水的pH高1.0以上pH的處理水之電脫離子裝置(日本專利早期公開之特開2001-113281號公報的電脫離子裝置)。特別是在日本專利早期公開之特開2001-113281號公報的電脫離子裝置的後段，還串聯有其他的電脫離子裝置為佳。具體而言，以前段的電脫離子裝置的脫鹽室的厚度為7mm以上，脫鹽室所填充之離子交換體為陰離子交換體和陽離子交換體的混合物或陰離子交換體，且施加電壓為1~50V/cell，而且通水量(SV)為30~150/hr之形態進行設定為佳。後段的電脫離子裝置為任意的。作為這種由前段電脫離子裝置和後段電脫離子裝置構成的多段式電脫離子裝置，可以[KCDI-UP(栗田工業株式會社製)]進行例示。在多
段式裝置中，由前段的電脫離子裝置除去部分硼、二氧化矽、二氧化碳，並使較原水具有高pH的前段處理水利用後段電脫離子裝置，再除去硼、二氧化矽、其他的離子，使硼除去率提高。
而且，作為電脫離子裝置，一種包括具有陽極的陽極室、具有陰極的陰極室、藉由在這些陰極室和陽極室之間排列陽離子交換膜和陰離子交換膜而形成的濃縮室及脫鹽室、在該脫鹽室中所填充的離子交換體、在該濃縮室所填充的離子交換體，活性炭或電導電體、分別在該陽極室及陰極室中通入電極水的裝置、在該濃縮室中通入濃縮水的濃縮水通水裝置、在該脫鹽室中通入原水並取出脫離子水的裝置；該濃縮水通水裝置為將較原水的二氧化矽或硼濃度低的水，從脫鹽室的脫離子水取出口附近導入到該濃縮室內，並從該濃縮室中靠近脫鹽室的原水入口側流出，且將從該濃縮室流出的濃縮水的至少一部分向系統外部排出的裝置之電脫離子裝置(日本專利早期公開之特開2002-205069號公報)也較為適合。
這些電脫離子裝置的水回收率為60~98%，可將該電脫離子裝置所排出之濃縮水的一部分或全部利用逆滲透(RO)膜裝置送回上流側，能夠提高超純水製造裝置的水回收率。
本發明的純水製造裝置包括逆滲透(RO)膜裝置、硼吸附裝置及電脫離子裝置，但依據原水水質、要求處理水質，也可還具有脫氣裝置、活性碳吸附裝置、半透膜過濾裝置、
紫外線殺菌/氧化裝置、非再生型離子交換裝置等。而且，也可將逆滲透(RO)裝置和電脫離子裝置以2次通水以上進行處理。在原水比較潔淨的情況和要求水質不很嚴格的情況下，也可省略前期處理裝置或二次純水裝置而構成超純水製造裝置。
下面列舉實施例及比較例對本發明進行更加具體地說明。實施例及比較例中所使用的裝置如下所示。
逆滲透(RO)膜裝置：栗田工業(株)製[MASKN]電脫離子裝置：栗田工業(株)製[KCDI]或[KCDI-UP]硼除去裝置的吸附劑：三菱化學(株)製[甲醛系樹脂CBR02]或三菱化學(株)製[甲醛系樹脂UCBT02]吸附劑填充量=50L
而且，硼、總有機碳(TOC)、電阻率的測定使用以下裝置。
硼：ICP-MS(橫河電機(株)製)總有機碳(TOC)計：總有機碳(TOC)810(C-Birth社製)電阻率計：MX-4(栗田工業(株)製)原水(被處理水)為野木鎮水(pH6.9、導電率：13mS/m、硼濃度：20ppb、總有機碳(TOC)濃度：500ppb)，供給量、回收率如下所示。
原水供給量：1m3
/h逆滲透(RO)裝置的水回收率：60%
電脫離子裝置的水回收率：85%
為了方便說明，首先對比較例進行說明。另外，將各實施例及比較例所生產之處理水的水質從通水開始一個月內的時效變化，在表1中表示。
如圖6(a)所示，使原水按照逆滲透(RO)裝置1、電脫離子裝置3、硼吸附裝置2的順序流通。將來自逆滲透(RO)1的處理水分取出一部分，使其通向電脫離子裝置3的濃縮室及電極室。電脫離子裝置3的濃縮室排水及電極室排水被廢棄。
硼吸附劑使用甲醛系樹脂CBR02，電脫離子裝置使用KCDI。
如圖6(b)所示，除了使電脫離子裝置3的濃縮室排水返回逆滲透(RO)裝置1的上流側以外，與比較例1相同。
如圖4(a)所示，使原水按照逆滲透(RO)裝置1、硼吸附裝置2、電脫離子裝置3的順序流通。
使硼吸附裝置2的處理水通向電脫離子裝置3的電極室。將來自該電脫離子裝置3的脫鹽室的流出水(處理水)分取出一部分，使其通向電脫離子裝置3的濃縮室。濃縮室排水被廢棄。其他採用與比較例1相同的條件。
除了將電脫離子裝置3的濃縮室排水送回到逆滲透
(RO)裝置1的上流側以外，與實施例1相同。
除了使硼吸附劑為總有機碳(TOC)洗提量少的甲醛系樹脂UCBT02以外，與實施例2相同。
作為電脫離子裝置，如圖5所示，使用2基串聯連接的KCDI-UP。硼吸附劑使用甲醛系樹脂UCBT02。將來自硼吸附裝置2的處理水分取出一部分，使其通向前段的電脫離子裝置3A的電極室及濃縮室。將來自前段的電脫離子裝置3A的脫鹽室流出水分取出一部分，使其通向後段的電脫離子裝置3B的電極室及濃縮室。各電脫離子裝置3A、3B的濃縮室排水被送回到逆滲透(RO)裝置1的上流側。除此以外，與實施例1相同。
對關於表1的測試結果的考察如下所示。
(1)在比較例1的通水試驗結果中，雖然在通水初期，脫鹽水製造裝置處理水的硼濃度<0.01ppb，但20日後從處理水中檢測出2ppb的硼，且呈現增加的傾向。與硼的滲漏一起，處理水電阻率也下降，30日後下降到17.5M Ω．cm。處理水總有機碳(TOC)濃度在10日後也高達73ppb，不能達到容許濃度10ppb以下。
(2)在比較例2中，由於將電脫離子裝置的濃縮水送回到逆滲透(RO)裝置的上流側，所以在系統內部產生硼的濃縮，從而使硼除去裝置的負擔增大，在通水3日後，處理水中出現硼的滲漏。
(3)在實施例1的測試結果中，即使經過30日，處理水的硼濃度仍為0.01ppb以下，電阻率為18M Ω．cm以上。但是，處理水總有機碳(TOC)濃度在通水10日後就高達35ppb。
(4)在實施例2中，儘管使電氣脫離子裝置的濃縮水進行循環，但處理水的硼濃度仍為0.01ppb以下，電阻率為18M Ω．cm以上。另外，在此條件下也是總有機碳(TOC)濃度高。
(5)在實施例3中，由於採用了總有機碳(TOC)洗提少的硼吸附劑(甲醛系樹脂UCBT02)，所以通水10日後，處理水總有機碳(TOC)顯示為7.5ppb。處理水的硼濃度及電阻率與實施例1、2同樣良好。
(6)在實施例4中，將電脫離子裝置變換為KCDI-UP，但與實施例3一樣，也是處理水的硼濃度、總有機碳
(TOC)濃度低，而且電阻率足夠高。另外，總有機碳(TOC)濃度與實施例3相比，雖然差別很小，但還是稍低一點。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧逆滲透(RO)裝置
2‧‧‧硼吸附裝置
3、3A、3B‧‧‧電脫離子裝置
4‧‧‧送回配管
31‧‧‧逆滲透(RO)裝置
32‧‧‧電脫離子裝置
33‧‧‧硼吸附樹脂塔
圖1為本發明實施例之純水製造裝置的系統圖。
圖2為硼吸附裝置的硼轉效曲線。
圖3為習知的純水製造裝置的系統圖。
圖4為實施例1~4之純水製造裝置的系統圖。
圖5為實施例5之純水製造裝置的系統圖。
圖6為比較例之純水製造裝置的系統圖。
1‧‧‧逆滲透(RO)裝置
2‧‧‧硼吸附裝置
3‧‧‧電脫離子裝置
4‧‧‧送回配管
Claims (5)
- 一種純水製造裝置，為具有一逆滲透膜裝置、一電脫離子裝置及一硼吸附裝置，其特徵在於：使來自該逆滲透膜裝置的脫鹽水流過該硼吸附裝置，接著通過該電脫離子裝置而製造出純水，並將上述各裝置進行連結，其中在該硼吸附裝置內配置有由硼吸附樹脂構成的一吸附劑，該吸附劑產生的總有機碳(TOC)的洗提量，於通水開始到還原或交換該硼吸附裝置內的該吸附劑之通水時間的1/10時刻，為1小時每1升吸附劑容積0.8mg以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之純水製造裝置，其特徵在於：還具有將從該電脫離子裝置流出的濃縮水送回到該逆滲透膜裝置的上流側之送回裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之純水製造裝置，其特徵在於：該電脫離子裝置為具有一陰極及一陽極、藉由在該陰極和該陽極之間排列一陽離子交換膜和一陰離子交換膜而形成的一濃縮室及一脫鹽室、在該脫鹽室中所填充的一離子交換體；以及對該脫鹽室的厚度、操作電壓及/或電流、或通水量(SV)進行設定，以在不添加鹼性藥劑的情況下對pH8.5以下的原水進行處理時，得到較該原水的pH高1.0以上pH的處理水之該電脫離子裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之純水製造裝置，其特 徵在於：該電脫離子裝置為複數段串聯連接；最前段的該電脫離子裝置具有一陰極及一陽極、藉由在該陰極和該陽極之間排列一陽離子交換膜和一陰離子交換膜而形成的一濃縮室及一脫鹽室、在該脫鹽室中所填充的一離子交換體；以及對脫鹽室的厚度、操作電壓及/或電流、或通水量(SV)進行設定，以在不添加鹼性藥劑的情況下對pH8.5以下的原水進行處理時，得到較該原水的pH高1.0以上pH的處理水之電脫離子裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之純水製造裝置，其特徵在於：該電脫離子裝置為包括具有一陽極的一陽極室、具有一陰極的一陰極室、藉由在該陰極室和該陽極室之間排列該陽離子交換膜和該陰離子交換膜而形成的該濃縮室及該脫鹽室、在該脫鹽室中所填充的一離子交換體、在該濃縮室所填充的該離子交換體，一活性炭或一電導電體、分別在該陽極室及該陰極室中一通入電極水的裝置、在該濃縮室中通入濃縮水的一濃縮水通水裝置、在該脫鹽室中一通入原水並取出脫離子水的裝置；以及該濃縮水通水裝置為將較原水的二氧化矽或硼濃度 低的水，從該脫鹽室的一脫離子水取出口側導入到該濃縮室內，並從該濃縮室中靠近該脫鹽室的一原水入口側流出，且將從該濃縮室流出的濃縮水的至少一部分向系統外部排出的裝置之該電脫離子裝置。
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