TWI387045B - 位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法 - Google Patents

位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI387045B
TWI387045B TW097124973A TW97124973A TWI387045B TW I387045 B TWI387045 B TW I387045B TW 097124973 A TW097124973 A TW 097124973A TW 97124973 A TW97124973 A TW 97124973A TW I387045 B TWI387045 B TW I387045B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical
optical axis
wafer alignment
optical member
wafer
Prior art date
Application number
TW097124973A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200919619A (en
Inventor
Hironori Maeda
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Publication of TW200919619A publication Critical patent/TW200919619A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI387045B publication Critical patent/TWI387045B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法
本發明係關於位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法。
習知上，已利用投影曝光設備藉由光微影術來製造半導體裝置，該投影曝光設備將形成在光罩(掩膜)上的電路圖案經由投影光學系統而投射及轉移至例如晶圓上。
隨著半導體裝置的微形圖案化，需要投影曝光設備以較高解析能力藉由曝光將光罩圖案轉移至晶圓上。投影曝光設備可轉移之最小線寬(解析度)係與曝光用光的波長成正比，而與投影光學系統的數值孔徑(NA)成反比。有鑑於此，曝光用光的波長縮短而投影光學系統的NA增大。
曝光用光源目前已自超高壓水銀燈(i線(波長：約365nm))移至KrF準分子雷射(波長：248nm)及ArF準分子雷射(波長：193nm)，以及甚至F2 雷射(波長：157nm)的實際應用正在進步中。並且，具有約10nm至15nm的波長之EUV(極紫外線)光的採用被預期。
已有建議浸漬式曝光，其針對以液體(例如，具有高於1的折射率之光)來充填投影光學系統及晶圓間的空間的至少一部份而增大投影光學系統的NA。浸漬式曝光藉由增大晶圓側上之投影光學系統的NA而改善解析度。
隨著解析度的此種改善，亦需要投影曝光設備來改善重疊準確性，亦即，將數個圖案重疊在晶圓上的準確性。通常，重疊準確性必須是解析度的1/5。隨著半導體裝置的微形圖案化，改善重疊準確性漸增地變重要。為獲得想要的重疊準確性，需要以高準確地來對準光罩及晶圓。為此目的，投影曝光設備包括數個對準偵測系統(亦即，位置偵測設備)。
晶圓對準偵測系統大致分類成二類型，亦即，軸外偵測系統及TTL－AA(經由透鏡自動對準)偵測系統。軸外偵測系統無需使用投影光學系統來偵測晶圓上的對準標記。TTL－AA偵測系統經由投影光學系統以非曝光用光的對準波長來偵測晶圓上的對準標記。
近年來，半導體裝置生產模式係自低變化、高體積生產移至高變化、低體積生產。隨著此趨勢，在(關於例如，材料、厚度、膜厚度及線寬)的各種條件下可最小化晶圓製程中的偵測誤差之對準偵測系統被要求。例如，當對準偵測系統包括TIS(工具感應移位)，該系統產生甚至當以對稱步進結構偵測對準標記之偵測誤差。偵測誤差係由於像差(特別是，由於分散的彗形像差)，及光學系統的光軸的傾斜(光學軸移位)而產生，該等像差造成TIS且留於對準偵測系統的光學系統。為提供在各種條件下可最小化晶圓製程中的偵測誤差之對準偵測系統，需要減小對準偵測系統的光學系統的彗形像差及光學軸移位。
在該等情況下，已提議用於對準偵測系統之調整方法 ，該方法藉由移動對準偵測系統的光學構件來減小光學軸移位(調整重力的光學中心)，使得在偵測調整標記時所獲得之不對稱波形變對稱。見日本專利先行公開申請案第9－167738號，關於技術的細節。
然而，習知調整方法實施該調整使得對準偵測系統的光學系統的彗形像差及光學軸移位完全被消除，因此該方法不會減小對準偵測系統的光學系統的彗形像差及光學軸移位(使它們接近零)。
不僅由於彗形像差的影響而且由於光學軸移位的影響，在偵測調整標記所獲得之波形變不對稱。於某些例中，彗形像差及光學軸移位的影響甚至在藉由移動對準偵測系統的光學構件所調整光學軸移位時僅僅地相互抵銷，因此造成偵測誤差之彗形像差及光學軸移位事實上仍存在。因此，習知調整方法所調整之對準偵測系統在某一條件下可最小化晶圓製程中的偵測誤差，而在各種條件下不可能最小化晶圓製程中的偵測誤差。換言之，習知調整方法所調整之對準偵測系統的偵測準確性(對準準確性)因為每一晶圓製程而改變。
本發明提供一種調整方法，其以高準確性獨立地調整諸如對準偵測系統的位置偵測設備中之光學系統的彗形像差及光學軸移位，在各種條件下可減小晶圓製程中的偵測誤差。
依據本發明的一個形態，提供一種用於位置偵測設備的調整方法，該位置偵測設備包含：具有其位置可被改變的第一光學構件及第二光學構件之光學系統，且係配置來偵測受偵測物體的位置，該調整方法包含以下步驟：設定數個不同位置以定位該第一光學構件於垂直至該光學系統的光軸之方向；在相對地移動該受偵測物體於該光軸的方向時，為設定於該設定步驟之該數個位置的每一者而偵測經由該光學系統進入光電轉換裝置之光；為該數個位置的每一者，計算代表偵測於該偵測步驟之該光的偵測信號的不對稱性之評估值；用於該數個位置的每一者，指定該受偵測物體於該光軸的該方向的位置，計算於該計算步驟之該評估值在該位置係不敏感的；及在該偵測物體於指定於該指定步驟之該光軸的該方向的該位置，基於該評估值來調整該第二光學構件於垂直至該光軸之該方向的位置。
依據本發明的另一形態，提供一種曝光設備，包含：照明光學系統，其配置成以來自光源的光束來照亮光罩；投影光學系統，其配置來將該光罩的圖案投影至基板上；及位置偵測設備，其包含具有其位置可被改變的第一光學構件及第二光學構件之光學系統，且係配置來偵測該光罩的位置及該基板的位置的至少一者。該位置偵測設備包含：設定單元，其配置來設定數個不同位置以定位該第一光學構件於垂直至該光學系統的光軸之該方向；偵測單元，其配置為該設定單元所設定之該數個位置的每一者，在相對地移動代表該光罩的該位置及該基板的該位置的該至少 一者之標記於該光軸的方向時，偵測經由該光學系統進入光電轉換裝置之光；計算單元，其配置為該數個位置的每一者而計算代表該偵測單元所偵測之該光的偵測信號的不對稱性之評估值；指定單元，其配置用於該數個位置的每一者來指定該偵測物體於該光軸的該方向的位置，該計算單元所計算之該評估值在該位置係不敏感的；及調整單元，其配置成在該指定單元所指定之該偵測物體於該光軸的該位置的該位置，基於該評估值來調整該第二光學構件於垂直至該光軸之該方向的位置。
依據本發明的另一形態，提一種裝置製造方法，包含以下步驟：使用上述之曝光設備使基板曝光；及實施用於所曝光基板之顯影處理。
自參照附圖之示範性實施例的以下說明，本發明的進一步特徵將更為清楚。
以下將參照附圖說明本發明的較佳實施例。相同參考號碼在所有圖式中表示相同構件，且將不給予其重複說明。
圖1係顯示依據本發明的一個形態的曝光設備1的配置之簡要方塊圖。於此實施例，曝光設備1係掃瞄式曝光設備(掃瞄器)，其在掃瞄方向中同步掃瞄光罩20及晶圓40的同時藉由曝光將光罩20的圖案轉移至晶圓40上。然而，曝光設備1可以是投影式曝光設備(步進器)， 其在固定光罩20的同時藉由曝光將光罩20的圖案轉移至晶圓40上。
如圖1所示，曝光設備1包括：照明設備10、用於支承光罩20之光罩載台25、投影光學系統30、及用於支承晶圓之晶圓載台45。曝光設備1亦包括：載台參考板50、焦點偵測系統60、光罩對準偵測系統70及75、晶圓對準偵測系統80與控制單元90。於以下說明，平行於投影光學系統30的光軸之方向係界定為Z軸方向，垂直至Z軸方向的平面上之20與晶圓40的掃瞄方向係界定為Y軸方向，及垂直至Z軸及Y軸方向之方向(非掃瞄方向)係界定為X軸方向。繞著X、Y、Z軸之旋轉方向分別界定為θ X、θ Y、θ Z方向。
照明設備10照亮其上形成有待轉移的電路圖案之光罩20，且包括光源12及照明光學系統14。
光源12例如為準分子雷射，諸如具有約248nm的波長之KrF準分子雷射或具有約193nm的波長之ArF準分子雷射。然而，光源12未特別受限於準分子雷射，且可例如為具有約157nm的波長之F2 雷射。
照明光學系統14以來自光源12的光束來照亮光罩20。於此實施例，照明光學系統14以顯示均勻照度分佈之光(曝光用光)來照亮光罩20上之預定照明區。
光罩20具有電路圖案且係藉由光罩載台25來支承及驅動。光罩20所產生之繞射光係經由投影光學系統30而投射至晶圓40。
光罩載台25支承光罩20。於此實施例，光罩載台25可精密二維地移動在垂直至投影光學系統30的光軸之平面上，亦即，在X－Y平面上，且可精密地旋轉於θ Z方向。雖然光罩載台25可繞著至少一軸而驅動，較佳地可繞著六軸而驅動。光罩載台25係藉由諸如線性馬達的光罩載台驅動機構來驅動。
鏡27係配置在光罩載台25上。用於量測鏡27於X及Y軸方向的位置之雷射干涉儀29係配置正對鏡27。光罩載台25所支承之光罩20於二維方向的旋轉角度及位置藉由雷射干涉儀29而即時量測。雷射干涉儀29所獲得之量測結果係輸出至控制單元90。
投影光學系統30包括數個光學元件，且以預定投影放大率將光罩20的圖案投影至晶圓40。於此實施例，投影光學系統30係具有例如1/4或1/5的投影放大率之縮小型投影光學系統。
晶圓40係將光罩20的圖案投影(轉移)至其上之基板。然而，亦可能使用玻璃板或另一基板來取代晶圓40。晶圓40係以光阻(光敏劑)而塗佈。
晶圓載台45支承且驅動晶圓40。於此實施例，晶圓載台45包括用於經由晶圓夾盤固持晶圓40的Z載台、用於支承Z載台的X－Y載台、與用於支承X－Y載台的底座。晶圓載台45係藉由諸如線性馬達的晶圓載台驅動機構來驅動。
鏡47係配置在晶圓載台45上。用於量測鏡47於X 及Y軸方向的位置之雷射干涉儀49a及用於量測鏡47於Z軸方向的位置之雷射干涉儀49b係配置正對鏡47。晶圓載台45於X軸及Y軸方向與θ Z方向的位置係藉由雷射干涉儀49a即時量測。晶圓載台45於Z軸方向及θ X及θ Y方向的位置係藉由雷射干涉儀49b即時量測。雷射干涉儀49a及49b所獲得之量測結果係輸出至控制單元90。
載台參考板50係配置在晶圓載台45上之角。圖2係顯示載台參考板50在晶圓載台45上的配置之示意圖。載台參考板50係幾乎與晶圓40的表面齊平。如圖2所示，載台參考板50具有由光罩對準偵測系統70(或光罩對準偵測系統75)所偵測之光罩對準偵測系統參考標記52。載台參考板50亦具有由晶圓對準偵測系統80所偵測之晶圓對準偵測系統參考標記54。
載台參考板50可以是配置在晶圓載台45上的一角，或載台參考板50可被配置在晶圓載台45上之複數角。載台參考板50可具有數個光罩對準偵測系統參考標記52及數個晶圓對準偵測系統參考標記54。預定位置關係(沿著X軸與Y軸方向)係預先設定在光罩對準偵測系統參考標記52及晶圓對準偵測系統參考標記54之間。光罩對準偵測系統參考標記52及晶圓對準偵測系統參考標記54可以是共同標記。
焦點偵測系統60具有偵測晶圓40的焦點(Z軸方向的位置)的功能。於此實施例，焦點偵測系統60包括用於將偵測光投射至晶圓40的表面之光投射系統、及用於 接收晶圓40的表面所反射的偵測光之光接收系統。焦點偵測系統60所獲得之偵測結果係輸出至控制單元90。
光罩對準偵測系統70係配置接近光罩載台25附近。光罩對準偵測系統70偵測光罩載台25所支承之光罩20上的光罩參考標記(未顯示)。光罩對準偵測系統70亦經由投影光學系統30而偵測配置在晶圓載台45上之載台參考板50的光罩對準偵測系統參考標記52。
光罩對準偵測系統70使用如使晶圓40實際曝光的光源12之相同光源來照射光罩參考標記及光罩對準偵測系統參考標記52，且使用光電轉換裝置(例如，CCD相機)來偵測這些標記所反射之光束。藉由調整光罩20上之光罩參考標記及載台參考板50上的光罩對準偵測系統參考標記52的焦點及位置，在光罩載台25及晶圓載台45間之相對位置關係可被調整成想要位置關係。光罩對準偵測系統70所獲得之偵測結果係輸出至控制單元90。
光罩對準偵測系統75為透明型，且在光罩對準偵測系統參考標記52係透明型的標記時而使用。光罩對準偵測系統75使用如光源12的相同光源來照射光罩參考標記及光罩對準偵測系統參考標記52，且藉由光量感知器來偵測這些標記所傳輸的光束。光罩對準偵測系統75偵測所傳輸光束的量同時將晶圓載台45驅動於X軸方向(或Y軸方向)及Z軸方向。這使其可能調整光罩20上之光罩參考標記及載台參考板50上之光罩對準偵測系統參考標記52的位置與焦點。因此，這係可能將光罩載台25及晶 圓載台45間的相對位置關係調整成想要位置關係。光罩對準偵測系統75所獲得之偵測結果係輸出至控制單元90。
以此方式，光罩對準偵測系統70或75可被使用來將光罩載台25及晶圓載台45間的相對位置關係調整成想要位置關係。
晶圓對準偵測系統80包括具有第一光學構件及第二光學構件(例如，照明光源801、孔徑光闌803或光學構件810(將後述))之光學系統，第一與第二光學構件的位置可被改變，且偵測一偵測物件的位置(例如，對準標記)。更特別地，晶圓對準偵測系統80包括用於將偵測光束投射至晶圓40上的晶圓對準標記42及載台參考板50上的晶圓對準偵測系統參考標記54之光投射系統、及用於接收這些標記所反射的光束之光接收系統。晶圓對準偵測系統80所獲得之偵測結果係輸出至控制單元90。
控制單元90包括CPU及記憶體(未顯示)且控制曝光設備1的操作。控制單元90係電連接至光罩載台25、雷射干涉儀29、晶圓載台45、及雷射干涉儀49a與49b。控制單元90亦電連接至焦點偵測系統60、光罩對準偵測系統70(或光罩對準偵測系統75)、及晶圓對準偵測系統80。
基於雷射干涉儀29所獲得之量測結果，控制單元90控制光罩載台25(亦即光罩載台驅動機構)以定位光罩載台25所支承光罩20。基於雷射干涉儀49a與49b所獲得 之量測結果，控制單元90控制晶圓載台45(亦即晶圓載台驅動機構)以定位晶圓載台45所支承晶圓40。基於焦點偵測系統60所獲得之偵測結果，控制單元90調整晶圓載台45所支承的晶圓40於Z軸方向之傾斜角度與位置(焦點位置)。基於光罩對準偵測系統70或75所獲得之偵測結果，控制單元90使光罩載台25與晶圓載台45對準。基於晶圓對準偵測系統80所獲得之偵測結果，控制單元90將晶圓載台45驅動於X軸及Y軸方向以調整晶圓40於X軸及Y軸方向的位置。並且，控制單元90控制諸如光罩對準偵測系統70或75及晶圓對準偵測系統80之位置偵測設備的調整處理(將後述)(亦即執行調整方法)。
現將參照圖3詳細解說晶圓對準偵測系統80。圖3係顯示晶圓對準偵測系統80的詳細配置之簡要剖面圖。於此實施例，晶圓對準偵測系統80包括：照明光源801、延遲光學系統802、孔徑光闌803、照明系統804、偏振分束器805、λ/4板806、及物鏡807。照明光源801包括例如纖維。晶圓對準偵測系統80亦包括：延遲透鏡808、第一成像光學系統809、用於調整彗形像差之光學構件810、第二成像光學系統811、光電轉換裝置812及驅動單元813至815。在控制單元90的控制下，驅動單元813將照明光源801(更明確地，照明光源801的光束出口埠)驅動於垂直至晶圓對準偵測系統80的光學系統(包括例如此實施例中之延遲光學系統802及照明系統804)的光軸 之方向。在控制單元90的控制下，驅動單元814將孔徑光闌803(更明確地，孔徑光闌803的孔徑)驅動於垂直至晶圓對準偵測系統80的光學系統(包括例如此實施例中之延遲光學系統802及照明系統804)的光軸之方向。在控制單元90的控制下，驅動單元815將光學構件810驅動於垂直至晶圓對準偵測系統80的光學系統(包括例如此實施例中之延遲透鏡808、第一成像光學系統809、及第二成像光學系統811)的光軸之方向。對於熟習此項技藝者而言之任何配置都可應用於驅動單元813至815的每一者。雖然依據此實施例之晶圓對準偵測系統80包括含有照明光源801至照明系統804之光學系統的光軸及含有偏振分束器805至光電轉換裝置812之光學系統的光軸，它們在下文中通稱為光軸。
參照圖3，照明光源801所射出之光束經由延遲光學系統802而達到插置在晶圓對準偵測系統80的光瞳平面上(相對於物面的光學傅立葉轉換平面)上之孔徑光闌803。如圖4所示，孔徑光闌803的光束直徑LD803 係足夠地小於照明光源801之光束直徑LD801 。已達到孔徑光闌803之光束係經由照明系統804導引至偏振分束器805。導引至偏振分束器805之光束中，垂直至紙表面之S偏振光分量係藉由偏振分束器805所反射，且係在通過λ/4板806之時轉換成圓形偏振光束。已通過λ/4板806之光束經由物鏡807以Kohler式照亮形成在晶圓40上之晶圓對準標記42。注意到，圖4係顯示照明光源801的光束直 徑LD801 及孔徑光闌803的光束直徑LD803 間的關係之示意圖。
來自晶圓對準標記42之反射光、繞射光及散射光係經由物鏡807在通過λ/4板806時轉換成平行於紙表面之P偏振光束，且P偏振光束通過偏振分束器805。已通過偏振分束器805之光束經由延遲透鏡808、第一成像光學系統809、光學構件810及第二成像光學系統811將晶圓對準標記42的影像形成在光電轉換裝置812上。
晶圓對準偵測系統80基於晶圓對準標記42的影像的位置來偵測晶圓40的位置，晶圓對準標記42係藉由光電轉換裝置812而光電地轉換。當晶圓對準偵測系統80以單色光偵測晶圓40上的晶圓對準標記42時，因為光阻(透明層)被施加(形成)在晶圓對準標記42上，干涉圖案被產生。因為干涉圖案信號被加至來自光電轉換裝置812輸出之偵測信號(對準信號)，使其不可能高度準確地偵測晶圓對準標記42。為解決此問題，此實施例使用具有相對寬的波長範圍之光源作為照明光源801以防止干涉圖案信號加至來自光電轉換裝置812的偵測信號。
為了高度準確地偵測晶圓40上之晶圓對準標記42，這亦需要清楚地偵測晶圓對準標記42的影像。換言之，晶圓對準偵測系統80需要聚焦在晶圓對準標記42上。為此目的，此實施例中之晶圓對準偵測系統80包括AF偵測系統(未顯示)，且基於AF偵測系統所獲得的偵測結果將晶圓對準標記42驅動至最佳焦點位置，藉此偵測晶圓 對準標記42。
雖然晶圓對準偵測系統80於此實施例中係軸外偵測系統，它可能係TTL－AA偵測系統。當晶圓對準偵測系統80係TTL－AA偵測系統時，它以如軸外偵測系統的相同基本配置經由投影光學系統30來偵測晶圓對準標記42。
在此將解說彗形像差的調整及產生於晶圓對準偵測系統80的光學軸移位。此實施例將例示晶圓對準偵測系統80在其矽(Si)表面上(如圖5所示)來偵測具有步階DL之晶圓對準標記42的例子。圖5係顯示晶圓對準標記42的實例之簡要剖面圖。
首先將解說晶圓對準偵測系統80的彗形像差的調整。例如，假設圖5所示的彗形像差的步階DL係設定成λ/4，其中λ係來自照明光源801之光束的波長。亦假設藉由晶圓對準偵測系統80之0.4的照度σ值來照亮(偵測)晶圓對準標記42已在晶圓對準標記42的焦點位置Z獲得如圖6A所示之不對稱偵測波形。圖6A所示之偵測波形的不對稱性由於晶圓對準偵測系統80的光學系統的彗形像差及光學軸移位而發生。然而，此實施例假設該不對稱性已由於晶圓對準偵測系統80的光學系統的彗形像差而發生。晶圓對準標記42的焦點位置Z係於光軸方向之晶圓對準標記42相對於晶圓對準偵測系統80的位置。
為了將如圖6A所示之不對稱偵測波形轉換成如圖6B所示的對稱偵測波形，光學構件810經由驅動單元815驅動於垂直至光軸之方向，且調整晶圓對準偵測系統80的 整個光學系統的彗形像差。更明確地，光學構件810被驅動於垂直至光軸的方向直到圖6A所示的不對稱偵測波形轉換成圖6B所示的對稱偵測波形。
以此方式，晶圓對準偵測系統80的彗形像差可藉由驅動光學構件810於垂直至晶圓對準偵測系統80的光學系統的光軸之方向而調整。
接著，將解說晶圓對準偵測系統80的光學系統的光學軸移位的調整。如果晶圓對準偵測系統80的光學系統不具如圖7所示的光學軸移位，來自照明光源801之光束的主要射線垂直進入晶圓40(晶圓對準標記42)。於此例中，只要完全地調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差，可獲得如圖6B所示的對稱偵測波形。圖7係解說晶圓對準偵測系統80不具光學軸移位的例子之簡要剖面圖。
如果晶圓對準偵測系統80的孔徑光闌803係相對於如圖8所示的光軸而移位，來自照明光源801之光束的主要射線非垂直而是以角度θ傾斜地進入晶圓40。如圖4所示，孔徑光闌803中之光束直徑LD803 ’的中央位置係相對於照明光源801中光束直徑LD801 的中央位置而移位。此狀態以下將被認為是”晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位”。於此例中，即使當完全地調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差時，如圖6A所示之不對稱偵測波形係藉由晶圓對準偵測系統80而獲得。注意到，圖8係解說晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位的例子之簡要剖面圖。
於此實施例，如圖8所示，已採用孔徑光闌803的位 置移位作為實例來解說晶圓對準偵測系統80的光學軸移位。然而，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位甚至由於例如，照明光源801的位置移位而發生。當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位時，它產生不對稱偵測波形。此導致如於晶圓對準偵測系統80具有彗形像差的例子中之偵測誤差。
當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位時，照明光源801或孔徑光闌803係經由驅動單元813或814而驅動於垂直至光軸的方向，且調整晶圓對準偵測系統80的光學軸移位。更明確地，照明光源801及孔徑光闌803的至少一者係驅動於垂直至光軸的方向直到圖6A所示的不對稱偵測波形轉換成圖6B所示的對稱偵測波形。
以此方式，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位可藉由驅動照明光源801或孔徑光闌803於垂直至晶圓對準偵測系統80的光學系統的光軸之方向而調整。
以上已說明彗形像差的調整及晶圓對準偵測系統80的光學軸移位。實際上，然而，當彗形像差及晶圓對準偵測系統80的光學軸移位相互混合時，產生如圖6A所示的不對稱偵測波形。例如，假設如圖6A所示的不對稱偵測波形係由於晶圓對準偵測系統80的光學軸移位而產生。於此例中，光學構件810於垂直至光軸的方向的驅動導致晶圓對準偵測系統80的彗形像差的產生。因此需要確認偵測波形不對稱性的原因(該原因是否為晶圓對準偵測系統80的彗形像差或光學軸移位)。換言之，晶圓對準偵 測系統80的彗形像差及光學軸移位不可能高度準確地調整，除非它們是分開地(獨立地)調整。
現將解說分開地(獨立地)調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位的方法。首先將解說調整在偵測波形不對稱性免受晶圓對準偵測系統80的光學系統的光學軸移位的影響之焦點位置之彗形像差的方法。
圖9係顯示圖6A所示的偵測波形的波形不對性E及晶圓對準標記42相對於晶圓對準偵測系統80的焦點位置Z間的關係之曲線圖。於圖9，縱座標表示波形不對性E，而橫座標表示焦點位置Z。波形不對性E係代表由於圖6B所示的偵測波形的內及外上峰值WU1、WU2的存在之偵測波形不對性之估算值，亦即，所謂的晶圓對準標記42的影像的邊緣的黑點(連結)。波形不對性E係由(Ia－Ib)/Ic[%]所界定，其中Ia係左邊之內上峰值的強度，Ib係右邊之內上峰值的強度，及Ic係基線的強度，如圖10所示之不對稱偵測波形。換言之，波形不對性E代表圖6B的偵測波形的上峰值WU1及WU2間之強度差，且作為晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位的指標。圖10係用於解說偵測波形不對稱性的定義之圖表。
於圖9，參考符號E1表示當晶圓對準偵測系統80不具光學軸移位而僅有彗形像差時之波形不對稱性。參考符號E2表示當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位而與E1相等量的彗形像差時之波形不對稱性。參考符號E3表示以下的波形不對稱性，其中晶圓對準偵測系統80的光 學軸移位具有如E2之相同絕對量而其方向與E2的方向相反，且具有與E1相等量的彗形像差。
習知技術在例如，焦點位置A調整晶圓對準偵測系統的光學系統的彗形像差。在焦點位置A，當晶圓對準偵測系統80除了有彗形像差(E2及E3)以外還有光學軸移位時，相較於晶圓對準偵測系統80具有彗形像差(E1)之例子，波形不對稱性由於光學軸移位的影響而改變。
考慮到當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位以及彗形像差時之波形不對稱性E3。於此例中，甚至當晶圓對準偵測系統80的彗形像差係在焦點位置A藉由驅動光學構件810於垂直至光軸的方向而調整使得偵測波形變對稱時，彗形像差事實上保持如圖11所示。圖11係顯示在彗形像差被調整的波形不對稱性直到波形不對稱性E3變零之後及晶圓對準標記42的焦點位置Z相對於晶圓對準偵測系統80間的關係之曲線圖。
參照圖11，波形不對稱性E3在焦點位置A係零。實際上，然而，如波形不對稱性E3及E1間的差之彗形像差C留於晶圓對準偵測系統80。波形不對稱性E3在焦點位置A為何是零之理由在於，由於光學軸移位及彗形像差之波形不對稱性相互抵銷(亦即，相互作用在相反方向)。
考慮到晶圓對準偵測系統80的光學系統的彗形像差係在圖9所示的焦點位置B所調整之例子。在焦點位置B，甚至當晶圓對準偵測系統80除了有彗形像差(E2及E3)以外還有光學軸移位時，如於晶圓對準偵測系統80僅 具有彗形像差(E1)的例子之相同波形不對稱性被獲得。波形不對稱性係免於在焦點位置B之晶圓對準偵測系統80的光學軸移位的影響。換言之，焦點位置B對光學軸移位不敏感。當晶圓對準偵測系統80的彗形像差係在焦點位置B藉由驅動光學構件810於垂直至光軸的方向而調整使得偵測波形變對應時，僅彗形像差可高準確地調整而無光學軸移位的影響。
圖12顯示在晶圓對準偵測系統80的彗形像差係在焦點位置(在該焦點位置，波形不對稱性係免於光學軸移位的影響(同軸地)，諸如焦點位置B)被調整後之波形不對稱性E及晶圓對準標記42的焦點位置間的關係。以下，波形不對稱性免於晶圓對準偵測系統80的光學軸移位的影響之焦點位置將稱為彗形像差調整焦點位置。
於圖12，當晶圓對準偵測系統80的彗形像差係完全地調整及僅光學軸移位留在晶圓對準偵測系統80時，參考符號E2a相當於圖9所示的波形不對稱性E2。同樣地，當晶圓對準偵測系統80的彗形像差係完全地調整及僅光學軸移位留在晶圓對準偵測系統80時參考符號E3a相當於圖9所示的波形不對稱性E3。
因為無彗形像差留在晶圓對準偵測系統80，圖12所示的波形不對稱性E2a及E3a的每一者係歸因於晶圓對準偵測系統80的光學系統的光學軸移位。晶圓對準偵測系統80的光學軸移位係較佳地在波形不對稱性相對高的焦點位置D而調整。焦點位置D可藉由例如驅動(散焦) 晶圓對準標記42而偵測。如上述，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位可經由驅動單元813或814藉由驅動照明光源801或孔徑光闌803於垂直至光軸的方向而調整。
晶圓對準偵測系統80的光學軸移位可使用晶圓對準標記42相對於驅動(散焦)的位置移位量作為參考而調整。當位置移位量被使用作為參考時，光學軸移位係調整使得晶圓對準標記42在每一焦點位置的偵測波形在使晶圓對準標記42散焦之時無關焦點位置而保持恆定。晶圓對準標記42的位置由於晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位兩者而移位。於此例中，然而，晶圓對準偵測系統80的彗形像差係完全地調整，因此晶圓對準標記42的位置僅由於晶圓對準偵測系統80的光學軸移位而移位。
圖13係顯示在晶圓對準偵測系統80的光學軸移位係在焦點位置D調整之後的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的焦點位置間的關係之曲線圖。參照圖13，因為作為波形不對稱性的原因之晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位係完全地調整，無相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性發生。
以此方式，晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位可在彗形像差調整焦點位置藉由調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差而分開地(獨立地)調整。
現將參考圖14解說用於晶圓對準偵測系統80之詳細調整方法(特別是，彗形像差調整焦點位置規格)。圖14 係解說依據本發明的一形態之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法之流程圖。
為指定晶圓對準偵測系統80的彗形像差調整焦點位置，需要取得相對於兩個不同光瞳位置(孔徑光闌803的位置)的每一者之晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性E。於步驟S1002，一光瞳位置係設定用於晶圓對準偵測系統80的光學系統(設定步驟)。換言之，光學軸移位係藉由驅動孔徑光闌803的位置於垂直至光軸的方向而產生於晶圓對準偵測系統80。步驟S1004，晶圓對準標記42的偵測波形係在相對地改變晶圓對準標記42的焦點位置(偵測步驟)時而偵測。更明確地，藉由重複晶圓對準標記42的驅動(散焦)及在焦點位置之晶圓對準標記42的偵測，如圖6B所示的偵測波形可在數個焦點位置的每一者而獲得。
於步驟S1006，代表步驟S1004所偵測的偵測波形的不對稱性之波形不對稱性(評估值)被計算(計算步驟)。更明確地，波形不對稱性係依據參照圖10說明之波形不對稱性的定義而計算。使其可能為一光瞳位置取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性。
於步驟S1008，決定是否已為兩個或更多光瞳位置的每一者取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性。如果尚未為兩個或更多光瞳位置的每一者取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性，過程回到步驟S1002以取得用於另一光瞳位置之波形不對稱性 。
如果已為兩個或更多光瞳位置的每一者取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性，於步驟S1010，彗形像差調整焦點位置係基於所取得波形不對稱性而計算(指定)(指定步驟)。更明確地，步驟S1006所計算的波形不對稱性保持恆定在兩個或更多光瞳位置之間之焦點位置，亦即，波形不對稱性特性線的交點(如圖9所示之焦點位置B)，係指定為彗形像差調整焦點位置。
於步驟S1012，晶圓對準偵測系統80的彗形像差係在步驟S1010所指定之彗形像差調整焦點位置而調整(第一調整步驟)。更明確地，晶圓對準偵測系統80的彗形像差係藉由將晶圓對準標記42移動至彗形像差調整焦點位置以及驅動光學構件810於垂直至光軸的方向使得步驟S1006所計算的波形不對稱性變為零而調整。
於步驟S1014，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位被調整(第二調整步驟)。更明確地，晶圓對準標記42係自彗形像差調整焦點位置移動至焦點位置(例如，圖12所示的焦點位置D)，在該焦點位置，波形不對稱性係相對於高。在此焦點位置，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位係藉由驅動照明光源801或孔徑光闌803於垂直至光軸的方向而調整使得波形不對稱性變成零。如上述，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位可使用晶圓對準標記42相對於該散焦的位置移位量作為參考而調整。
以此方式，依據實施例之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法可完全地調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位(亦即，將晶圓對準偵測系統80調整至不具有彗形像差或光學軸移位之狀態)。
雖然於此實施例為兩個光瞳位置的每一者而取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性，可為兩個或更多光瞳位置的每一者而取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性。不需在每次指定彗形像差調整焦點位置時實施為兩個或更多光瞳位置的每一者取得波形不對稱性的過程(亦即，步驟S1002至S1006)。例如，考慮到取得如圖9所示之相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性的例子。於此例中，形成在相同晶圓上且在相同照度條件下設定之晶圓對準標記可藉由取得最佳焦點位置及彗形像差調整焦點位置間的差而容易地移動至指定彗形像差調整焦點位置。最佳焦點位置意指偵測波形的對比之位置係最大。
圖15係顯示當晶圓對準標記42係在某一照度條件下照亮時的波形不對稱性E1及晶圓對準標記42的焦點位置Z間的關係之曲線圖。於圖15，焦點位置F係最佳焦點位置。為了將晶圓對準標記42移動至作為彗形像差調整焦點位置之焦點位置B，首先，計算焦點位置(最佳焦點位置)F以及取得焦點位置F及B間的差G。在移動至焦點位置F之後，晶圓對準標記42移動達差G。藉由此操作，晶圓對準標記42可被移動至作為彗形像差調整焦點位 置之焦點位置B。藉由取得最佳焦點位置及彗形像差調整焦點位置間的關係，晶圓對準標記42可為第二次及後續者於晶圓對準偵測系統80的調整中在短時間內容易地移動至彗形像差調整焦點位置。藉由將晶圓對準標記42自最佳焦點位置移動至彗形像差調整焦點位置來調整彗形像差的方法可在組裝晶圓對準偵測系統80時或在將晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備後而使用。
雖然此實施例中已說明使用具有λ/4的步階DL之晶圓對準標記42來調整晶圓對準偵測系統80的方法，此方法未特別受限於具有λ/4的步階DL之晶圓對準標記42的使用。只要有波形不對稱性免於光學軸移位的影響之彗形像差調整焦點位置，可使用諸如光阻晶圓及處理晶圓的任何晶圓。然而，較佳地使用對彗形像差顯示相對高靈敏度之晶圓以高準確地調整彗形像差。
圖16係顯示在彗形像差調整焦點位置的內上峰值間(圖6B所示的偵測波形的內上峰值WU1)之偵測波形的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的步進量間的關係之曲線圖。於圖16，縱座標表示波形不對性E，而橫座標表示晶圓對準標記42的步進量。參照圖16，當晶圓對準標記42的步進量約為λ/4時，波形不對性E係最高。
圖17係顯示在彗形像差調整焦點位置的外上峰值間(圖6B所示的偵測波形的外上峰值WU2)之偵測波形的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的步進量間的關係之曲線圖。於圖17，縱座標表示波形不對性E，而橫座標表 示晶圓對準標記42的步進量。參照圖17，當晶圓對準標記42的步進量約為λ/4時，波形不對性E係最高。
以此方式，於調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差，無關是否獲得偵測波形的內上峰值或外上峰值，具有約λ/4的步階DL之晶圓對準標記42顯示相對至彗形像差之最高靈敏度。因此，具有λ/4的步階DL之晶圓對準標記42的使用容許高準確地調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差。因此圖16及17所示之波形不對稱性E1對晶圓對準標記42的步進量的關係週期性地改變，可使用甚至具有λ/4的奇倍數的步階DL之晶圓對準標記42而高準確地調整彗形像差。
此實施例中已說明使用當以0.4的照度σ值照亮(偵測)晶圓對準標記42時之偵測波形來調整晶圓對準偵測系統80的方法。然而，只要可獲得具有如圖6B所示的上峰值WU1及WU2之偵測波形，可以任何照度σ值來照亮(偵測)晶圓對準標記42。
圖18A至18C係顯示以三個照度σ值照亮(偵測)具有λ/4的步階DL之晶圓對準標記42而獲得之偵測波形的內上峰值間的波形不對稱性及晶圓對準標記42的焦點位置Z間的關係之曲線圖。圖18A顯示照度σ值係0.3的例子，圖18B顯示照度σ值係0.4的例子，而圖18C顯示照度σ值係0.6的例子。
於圖18A至18C，參考符號E1表示當晶圓對準偵測系統80不具光學軸移位而僅有彗形像差時之波形不對稱 性。參考符號E2表示當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位而與E1相等量的彗形像差時之波形不對稱性。參考符號E3表示當晶圓對準偵測系統80具有如E2之相同絕對量而其方向與E2的方向相反之光學軸移位且具有與E1相等量的彗形像差時之波形不對稱性。
圖18A至18C中沿著縱座標的標度係相同。甚至當波形不對稱性E改變在不同照度σ值之間時，有用於各別照度σ值之彗形像差調整焦點位置。
圖19A至19C顯示當晶圓對準偵測系統80已經以各別照度σ值(0.3、0.4、0.6)照亮(偵測)同時沒有彗形像差或光學軸移位(理想狀態)之偵測波形。圖19A顯示照度σ值係0.3的例子，圖19B顯示照度σ值係0.4的例子，而圖19C顯示照度σ值係0.6的例子。
參照圖18A至18C及圖19A至19C，只要獲得具有如圖6B所示的上峰值WU1及WU2之偵測波形有用於任何照度σ值之彗形像差調整焦點位置，且然後，可在彗形像差調整焦點位置高準確地調整。
考慮到藉由光阻將步階DL形成在其矽表面上的光阻晶圓RW之例子，如圖20所示。圖21顯示當晶圓對準偵測系統80以0.4的照度σ值照亮(偵測)光阻晶圓RW時所獲得之偵測波形的內上峰值間的波形不對稱性及光阻晶圓RW的焦點位置Z間的關係。圖22顯示當晶圓對準偵測系統80已經以0.4的照度σ值照亮(偵測)光阻晶圓RW同時沒有彗形像差或沒有光學軸移位時(理想狀態) 之偵測波形。
圖21，參考符號E1表示當晶圓對準偵測系統80不具光學軸移位而僅有彗形像差時之波形不對稱性。參考符號E2表示當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位而與E1相等量的彗形像差時之波形不對稱性。參考符號E3表示當晶圓對準偵測系統80具有如E2之相同絕對量而其方向與E2的方向相反之光學軸移位且具有與E1相等量的彗形像差時之波形不對稱性。
參照21，有彗形像差調整焦點位置。只要獲得具有如圖6B所示的上峰值WU1及WU2之偵測波形，依據此實施例之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法可使用如圖20所示之處理晶圓或光阻晶圓RW。
雖然此實施例中已說明使用圖6B所示之偵測波形的的上峰值WU1及WU2間的波形不對稱性來調整晶圓對準偵測系統80的方法，可使用圖6B所示的偵測波形的下峰值WD1間的波形不對稱性。
圖23係顯示下峰值間(圖6B所示的偵測波形的下峰值WD1)之偵測波形的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的焦點位置Z相對於晶圓對準偵測系統80間的關係之曲線圖。圖23解說晶圓對準偵測系統80以0.4的照度σ值照亮(偵測)具有λ/4的步階DL之晶圓對準標記42(見圖5)的例子。
圖23，參考符號E11表示當晶圓對準偵測系統80不具光學軸移位而僅有彗形像差時之波形不對稱性。參考符 號E21表示當晶圓對準偵測系統80具有光學軸移位而與E11相等量的彗形像差時之波形不對稱性。參考符號E31表示當晶圓對準偵測系統80具有如E21之相同絕對量而其方向與E21的方向相反之光學軸移位且具有與E11相等量的彗形像差時之波形不對稱性。
參照圖23，有波形不對稱性E免於晶圓對準偵測系統80的光學軸移位的影響之焦點位置(彗形像差調整焦點位置)B。因此，可使用甚至如圖23所示之偵測波形的下峰值的波形不對稱性所指定之彗形像差調整焦點位置。
依據此實施例之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法(亦即，在彗形像差調整焦點位置之彗形像差調整)可在組裝晶圓對準偵測系統80時或在將晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備之後而使用。如果在將晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備之後而調整，控制單元90基於波形不對稱性經由驅動單元815自動地驅動光學構件810。如果在將晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備之後而調整光學軸移位，控制單元90基於波形不對稱性經由驅動單元813或814自動地驅動照明光源801或孔徑光闌803。。當晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備時，晶圓對準偵測系統80係較佳地於曝光設備的週期性維護或在故障發生於曝光設備時而調整。
先前已說明在波形不對稱性免於晶圓對準偵測系統80的光學軸移位的影響之焦點位置(彗形像差調整焦點位置)而調整彗形像差之後調整光學軸移位的方法。然而，甚 至在波形不對稱性免於晶圓對準偵測系統80的彗形像差的影響之焦點位置而調整光學軸移位之後，可調整彗形像差。
現將解說在偵測波形不對稱性免於晶圓對準偵測系統80的光學系統的彗形像差的影響之焦點位置而調整光學軸移位的方法。圖24A及24B係顯示當已經以0.9的照度σ值來照亮(偵測)具有λ/8的步階DL之晶圓對準標記42時(見圖5)所獲得之偵測波形的實例之圖表。圖24A顯示當晶圓對準偵測系統80不具彗形像差或光學軸移位所獲得之偵測波形。圖24B顯示當晶圓對準偵測系統80具有彗形像差或光學軸移位時所獲得之偵測波形。
圖25係顯示圖24A及24B所示之偵測波形的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的焦點位置Z相對於晶圓對準偵測系統80間的關係之曲線圖。於圖25，縱座標表示波形不對性E，而橫座標表示焦點位置Z。波形不對性E係由(Ie－Id)/If[%]所界定，其中Ie係左邊之下峰值的強度，Id係右邊之下峰值的強度，及If係於例如，圖24B所示的偵測波形中之基線的強度。
於圖25，參考符號E4表示當晶圓對準偵測系統80不具彗形像差而僅有光學軸移位時之波形不對稱性。參考符號E5表示當晶圓對準偵測系統80具有彗形像差而與E4相等量的光學軸移位時之波形不對稱性。參考符號E6表示當晶圓對準偵測系統80具有E5二倍量的彗形像差及與E4相等量的光學軸移位時之波形不對稱性。
參照圖25，焦點位置H，甚至當晶圓對準偵測系統80具有彗形像差以及光學軸移位(E5及E6)時，獲得如於晶圓對準偵測系統80僅具有光學軸移位的例子之相同波形不對稱性(E4)。波形不對稱性免於在焦點位置H之晶圓對準偵測系統80的彗形像差的影響。換言之，焦點位置H對彗形像差不敏感。藉由在焦點位置H驅動照明光源801或孔徑光闌803於垂直至光軸之方向使得偵測波形變對稱，僅可高準確地調整光學軸移位而無晶圓對準偵測系統80的彗形像差的影響。
圖26顯示在波形不對稱性免於彗形像差的影響(諸如焦點位置H)所調整之晶圓對準偵測系統80的光學軸移位之後的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的焦點位置間的關係。以下，波形不對稱性免於晶圓對準偵測系統80的彗形像差的影響之焦點位置將稱為光學軸移位調整焦點位置。
於圖26，當完全地調整晶圓對準偵測系統80的光學軸移位及僅彗形像差留在晶圓對準偵測系統80時，參考符號E5a相當於圖25所示的波形不對稱性E5。同樣地，當晶圓對準偵測系統80的光學軸移位係完全地調整及僅彗形像差(E5a的二倍量)留在晶圓對準偵測系統80時，參考符號E6a相當於圖25所示的波形不對稱性E6。
因為無光學軸移位留在晶圓對準偵測系統80，圖26所示的波形不對稱性E5a及E6a的每一者係歸因於晶圓對準偵測系統80的光學系統的彗形像差。晶圓對準偵測系 統80的彗形像差係較佳地在波形不對稱性相對高的焦點位置I而調整。焦點位置I可藉由例如驅動(散焦)晶圓對準標記42而偵測。如上述，晶圓對準偵測系統80的彗形像差可經由驅動單元815藉由驅動光學構件810於垂直至光軸的方向而調整。
晶圓對準偵測系統80的彗形像差可使用晶圓對準標記42相對於該驅動(散焦)的位置移位量作為參考而調整。當使用位置移位量作為參考時，彗形像差係調整使得在每一焦點位置之晶圓對準標記42的偵測波形在使晶圓對準標記42散焦之時無關焦點位置而保持恆定。晶圓對準標記42的位置由於晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位兩者而移位。於此例中，然而，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位係完全地調整，因此晶圓對準標記42的位置僅由於晶圓對準偵測系統80的彗形像差而移位。
在焦點位置I所調整之晶圓對準偵測系統80的彗形像差之後之波形不對稱性E及晶圓對準標記42的焦點位置間的關係係相似於圖13所示。因為作為波形不對稱性的原因之晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位係完全地調整，無相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性發生。
以此方式，晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位可在光學軸移位調整焦點位置藉由調整晶圓對準偵測系統80的光學軸移位而分開地(獨立地)調整。
現將參考圖27解說用於晶圓對準偵測系統80之詳細調整方法(特別是，光學軸移位調整焦點位置規格)。圖27係解說依據本發明的一形態之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法之流程圖。
為指定晶圓對準偵測系統80的光學軸移位調整焦點位置，需要取得用於光學構件810的兩個不同位置的每一者之相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性E。於步驟S1102，設定(設定步驟)晶圓對準偵測系統80中之光學構件810的位置。換言之，彗形像差係藉由驅動光學構件810於垂直至光軸的方向而產生於晶圓對準偵測系統80。於步驟S1104，晶圓對準標記42的偵測波形被偵測同時相對地改變晶圓對準標記42的焦點位置(偵測步驟)。更明確地，藉由重複晶圓對準標記42的驅動(散焦)及晶圓對準標記42在焦點位置的偵測，可獲得用於數個焦點位置之如圖24A及24B所示的偵測波形。
於步驟S1106，代表步驟S1104所偵測的偵測波形的不對稱性之波形不對稱性(評估值)被計算(計算步驟)。更明確地，波形不對稱性係依據參照圖24A及24B說明之波形不對稱性的定義而計算。使其可能為光學構件810的一位置取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性。
於步驟S1108，決定是否已為光學構件810的兩個或更多位置的每一者取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性。如果尚未為光學構件810的兩個或更 多位置的每一者取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性，過程回到步驟S1102以取得用於光學構件810的另一位置之波形不對稱性。
如果已為光學構件810的兩個或更多位置的每一者取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性，過程前進至步驟S1110。步驟S1110，光學軸移位調整焦點位置係基於計算於步驟S1106的波形不對稱性而計算(指定)(指定步驟)。更明確地，步驟S1106所計算的波形不對稱性之焦點位置保持恆定在光學構件810的兩個或更多位置之間，亦即，波形不對稱性特性線的交點(如圖25所示之焦點位置H)，係指定為光學軸移位調整焦點位置。
於步驟S1112，在步驟S1110所指定之光學軸移位調整焦點位置而調整晶圓對準偵測系統80的光學軸移位(第一調整步驟)。更明確地，晶圓對準偵測系統80的光學軸移位係藉由將晶圓對準標記42移動至光學軸移位調整焦點位置以及驅動照明光源801或孔徑光闌803於垂直至光軸的方向使得步驟S1106所計算的波形不對稱性變為零而調整。
於步驟S1114，晶圓對準偵測系統80的彗形像差被調整(第二調整步驟)。更明確地，晶圓對準標記42係自光學軸移位調整焦點位置移動至波形不對稱性係相對高之焦點位置(例如，圖26所示的焦點位置I)。在該焦點位置，晶圓對準偵測系統80的彗形像差係藉由驅動光學 構件810於垂直至光軸的方向而調整使得波形不對稱性變成零。如上述，晶圓對準偵測系統80的彗形像差可使用晶圓對準標記42相對於該散焦的位置移位量作為參考而調整。
以此方式，依據實施例之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法可完全地調整晶圓對準偵測系統80的彗形像差及光學軸移位(亦即，將晶圓對準偵測系統80調整至不具有彗形像差或光學軸移位之狀態)。
雖然於此實施例為光學構件810的兩個位置的每一者而取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性，可為光學構件810的三個或更多位置的每一者而取得相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性。每次指定光學軸移位調整焦點位置時不需實施為光學構件810的兩個或更多位置的每一者取得波形不對稱性的過程(亦即，步驟S1102至S1106)。例如，考慮到取得如圖25所示之相對於晶圓對準標記42的焦點位置之波形不對稱性的例子。於此例中，形成在相同晶圓上且在相同照度條件下設定之晶圓對準標記42可藉由取得最佳焦點位置及光學軸移位調整焦點位置間的差而容易地移動至指定光學軸移位調整焦點位置。
圖28係顯示當在某一照度條件下照亮晶圓對準標記42時之晶圓對準標記42的波形不對稱性E及焦點位置Z間的關係之曲線圖。於圖28，焦點位置J係最佳焦點位置。為了將晶圓對準標記42移動至作為光學軸移位調整焦 點位置之焦點位置H，首先計算焦點位置(最佳焦點位置)J及取得焦點位置J及H間的差K。在移動至焦點位置J之後，晶圓對準標記42被移動達差K。藉此操作，可將晶圓對準標記42移動至作為光學軸移位調整焦點位置之焦點位置H。藉由取得最佳焦點位置及光學軸移位調整焦點位置間的關係，晶圓對準標記42可於第二及後續次之晶圓對準偵測系統80的調整中在短時間內容易移動至光學軸移位調整焦點位置。藉由將晶圓對準標記42自最佳焦點位置移動至光學軸移位調整焦點位置來調整光學軸移位的方法可在組裝晶圓對準偵測系統80或在將晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備後而使用。
雖然此實施例中已說明具有λ/8的步階DL之晶圓對準標記42而調整晶圓對準偵測系統80的方法，此方法未特別地限制具有λ/8的步階DL之晶圓對準標記42的使用。只要有波形不對稱性之光學軸移位調整焦點位置免於彗形像差的影響，可使用諸如光阻晶圓及過程晶圓之任何晶圓。然而，較佳地使用顯示對光學軸移位的相對高敏感度之晶圓以高準確地調整光學軸移位。
圖29係顯示在光學軸移位調整焦點位置的下峰值間(圖24A所示的下峰值WU2)之偵測波形的波形不對稱性E及晶圓對準標記42的步進量間的關係之曲線圖。
於圖29，縱座標表示波形不對性E，而橫座標表示晶圓對準標記42的步進量。參照圖29，當晶圓對準標記42的步進量係約λ/8時，波形不對性E係較高。
以此方式，於調整晶圓對準偵測系統80的光學軸移位中，具有約λ/8的步階DL之晶圓對準標記42在偵測波形的下峰值顯示相對於光學軸移位之最高敏感度。因此，具有約λ/8的步階DL之晶圓對準標記42的使用容許高準確地調整晶圓對準偵測系統80的光學軸移位。因為圖29所示之波形不對稱性E對晶圓對準標記42的步進量的關係週期性地改變，可使用甚至具有λ/8的奇倍數的步階DL之晶圓對準標記42而高準確地調整。
此實施例中已說明當以0.9的照度σ值來照亮(偵測)晶圓對準標記42時而使用偵測波形予以調整晶圓對準偵測系統80的方法。然而，只要可獲得具有如圖24A所示的下峰值WU2之偵測波形，可以任何照度σ值來照亮(偵測)晶圓對準標記42。
圖30A至30C係顯示以三個照度σ值來照亮(偵測)具有λ/8的步階DL之晶圓對準標記42所獲得之偵測波形的下峰值間的波形不對稱性及晶圓對準標記42的焦點位置Z間的關係之曲線圖。圖30A顯示照度σ值係0.9的例子，圖30B顯示照度σ值係0.6的例子，而圖30C顯示照度σ值係0.4的例子。
於圖30A至30C，參考符號E4表示當晶圓對準偵測系統80不具彗形像差而僅有光學軸移位時之波形不對稱性。參考符號E5表示當晶圓對準偵測系統80具有彗形像差而與E4相等量的光學軸移位時之波形不對稱性。參考符號E6表示當晶圓對準偵測系統80具有如E5二倍量的 彗形像差且與E4相等量的光學軸移位時之波形不對稱性。
沿著圖30A至30C中的縱座標的標度係相同。甚至當波形不對稱性E改變在不同照度σ值之間時，有用於各別照度σ值之光學軸移位調整焦點位置。
圖31A至31C顯示當晶圓對準偵測系統80已經以各別照度σ值(0.9、0.6、0.4)照亮(偵測)同時沒有彗形像差或光學軸移位(理想狀態)之偵測波形。圖31A顯示照度σ值係0.9的例子，圖31B顯示照度σ值係0.6的例子，而圖31C顯示照度σ值係0.4的例子。
參照圖30A至30C及圖31A至31C，只要獲得具有如圖24A所示的下峰值WU2之偵測波形有用於任何照度σ值之光學軸移位調整焦點位置，且然後，可在光學軸移位調整焦點位置高準確地調整光學軸移位。
考慮到藉由光阻將步階DL形成在其矽表面上的光阻晶圓RW之例子，如圖20所示。圖32顯示當晶圓對準偵測系統80以0.9的照度σ值照亮(偵測)光阻晶圓RW時所獲得之偵測波形的下峰值間的波形不對稱性之間的關係。圖33顯示當晶圓對準偵測系統80已經以0.9的照度σ值照亮(偵測)光阻晶圓RW同時沒有彗形像差或沒有光學軸移位時(理想狀態)之偵測波形。
圖32，參考符號E4表示當晶圓對準偵測系統80不具彗形像差而僅有光學軸移位時之波形不對稱性。參考符號E5表示當晶圓對準偵測系統80具有彗形像差而與E4 相等量的光學軸移位時之波形不對稱性。參考符號E6表示當晶圓對準偵測系統80具有彗形像差於E5二倍量與E4相等量的光學軸移位時之波形不對稱性。
參照32，有光學軸移位調整焦點位置。只要獲得具有如圖24A所示的下峰值WU2之偵測波形，依據此實施例之用於晶圓對準偵測系統80之調整方法可使用如圖20所示之過程晶圓或光阻晶圓RW。
依據此實施例之用於晶圓對準偵測系統80的調整方法(亦即，在光學軸移位調整焦點位置的光學軸移位)可在組裝晶圓對準偵測系統80時或在將晶圓對準偵測系統80安裝於曝光設備之後。
依據上述的實施例之調整方法亦可應用於光罩對準偵測系統70或75或投影光學系統30，如於晶圓對準偵測系統80。
以下將解說依據此實施例之調整方法應用於光罩對準偵測系統70或投影光學系統30之例子。為了高準確地調整投影光學系統30的彗形像差，需要在調整光罩對準偵測系統70的彗形像差及光學軸移位之後而調整投影光學系統30，如而後所述。
現將解說用於光罩對準偵測系統70之調整方法。具有如曝光用光的相同波長且藉由光罩對準偵測系統70射出之光束來照亮光罩20上之光罩對準偵測系統調整標記(未顯示)。來自光罩對準偵測系統調整標記之反射光、繞射光及散射光係藉由光罩對準偵測系統70的光電轉換 裝置來偵測。藉此操作，可獲得如圖6A及6B所示之偵測波形。
為獲得如圖9所示之光罩對準偵測系統調整標記的偵測波形不對稱性及焦點位置間的關係，調整標記係藉由驅動光罩載台25於Z軸方向而散焦。調整標記的偵測波形不對稱性及焦點位置間的關係是為兩個或更多光瞳位置的每一者而取得。取代藉由驅動光罩載台25使光罩20上的調整標記散焦，光罩20上的調整標記可藉由固定光罩載台25且驅動光罩對準偵測系統70於Z軸方向而散焦。
當獲得光罩對準偵測系統調整標記的波形不對稱性及焦點位置間的關係，調整標記被移至波形不對稱性免於光罩對準偵測系統70的光學軸移位的影響之彗形像差調整焦點位置。光罩對準偵測系統70的彗形像差係在彗形像差調整焦點位置而調整。更明確地，調整光罩對準偵測系統70的彗形像差之光學構件被驅動於垂直至光軸的方向使得波形不對稱性變成零。
當調整光罩對準偵測系統70的彗形像差時，調整標記係自彗形像差調整焦點位置而散焦，且光罩對準偵測系統70的光學軸移位係基於波形不對稱性而調整。更明確地，設定在光罩對準偵測系統70的光學系統的光瞳平面上(相對於物面的光學傅立葉轉換平面)之孔徑光闌或光源被驅動於垂直至光軸的方向使得波形不對稱性變成零。
以此方式，光罩對準偵測系統70的彗形像差及光學軸移位可高準確地獨立(分開)調整。可基於波形不對稱 性或藉由使用調整標記相對於散焦的位置移位量作為參考而調整光罩對準偵測系統70的光學軸移位。當使用位置移位量作為參考時，光學軸移位被調整使得在每一焦點位置之調整標記的偵測波形在使調整標記散焦之時不受焦點位置支配而保持恆定。
於上述，在彗形像差調整焦點位置調整光罩對準偵測系統70的彗形像差之後，調整光罩對準偵測系統70的光學軸移位。然而，在波形不對稱性免於光學軸移位的影響之光學軸移位調整焦點位置所調整之光罩對準偵測系統70的光學軸移位之後，可調整光罩對準偵測系統70的彗形像差。
當高準確地調整光罩對準偵測系統70的彗形像差及光學軸移位時，可使用光罩對準偵測系統70的光源來調整投影光學系統30的彗形像差。
現將解說用於投影光學系統30之調整方法。具有如曝光用光的相同波長且由完全地調整彗形像差及光學軸移位之光罩對準偵測系統70所射出之光束在通過光罩20及投影光學系統30之時，照亮載台參考板50上之投影光學系統調整標記(未顯示)。藉由光罩對準偵測系統70的光電轉換裝置來偵測來自投影光學系統調整標記之反射光、繞射光及散射光。藉此操作，可獲得如圖6A及6B所示之偵測波形。如果所獲得偵測波形係不對稱，因為光罩對準偵測系統70的彗形像差及光學軸移位已被完全地調整，偵測波形不對稱性已經由於投影光學系統30的彗形像 差及光學軸移位而發生。
為獲得如圖9所示之投影光學系統調整標記的偵測波形不對稱性及焦點位置間的關係，調整標記係藉由驅動晶圓載台45於Z軸方向而散焦。為兩個或更多光瞳位置的每一者取得調整標記的偵測波形不對稱性及焦點位置間的關係。取代藉由驅動晶圓載台45使載台參考板50上的調整標記散焦，載台參考板50上的調整標記可藉由固定晶圓載台45且驅動光罩對準偵測系統70於Z軸方向而散焦。
當獲得投影光學系統調整標記的波形不對稱性及焦點位置間的關係時，調整標記被移至波形不對稱性免於投影光學系統30的光學軸移位的影響之彗形像差調整焦點位置。投影光學系統30的彗形像差被調整在彗形像差調整焦點位置。更明確地，調整投影光學系統30的彗形像差之光學構件被驅動於垂直至光軸的方向使得波形不對稱性變成零。
當調整投影光學系統30的彗形像差時，調整標記係自彗形像差調整焦點位置而散焦，且投影光學系統30的光學軸移位係基於波形不對稱性而調整。取代驅動投影光學系統30的光學構件，投影光學系統30的光學軸移位係藉由插置在與投影光學系統30的光瞳平面(相對於物面的光學傅立葉轉換平面)共軛的位置之光罩對準偵測系統70的孔徑光闌或光源而調整。換言之，光罩對準偵測系統70的孔徑光闌或光源被驅動於垂直至光軸的方向使得光罩 對準偵測系統70及投影光學系統30的整個光學軸移位變成零。
以此方式，可高準確地獨立(分開)調整投影光學系統30的彗形像差及光罩對準偵測系統70的光學軸移位。可基於波形不對稱性或藉由使用調整標記相對於散焦的位置移位量作為參考而調整光罩對準偵測系統70及投影光學系統30的整個光學軸移位。
於上述，在彗形像差調整焦點位置調整投影光學系統30的彗形像差之後，調整光罩對準偵測系統70及投影光學系統30的整個光學軸移位。然而，在波形不對稱性免於光學軸移位的影響之光學軸移位調整焦點位置而調整投影光學系統30的光學軸移位之後，可調整投影光學系統30的彗形像差。
如上述，為高準確地調整投影光學系統30，需要以來自完全地調整彗形像差及光學軸移位的光罩對準偵測系統70之光束而調整投影光學系統30。如果以來自不完全調整彗形像差及光學軸移位的光罩對準偵測系統70之光束而調整投影光學系統30，不可能決定偵測波形不對稱性是否歸因於投影光學系統30或光罩對準偵測系統70。使其不可能高準確地調整投影光學系統30的彗形像差。
當組裝光罩對準偵測系統70或投影光學系統30時或在將光罩對準偵測系統70及投影光學系統30安裝於曝光設備之後，可使用上述之用於光罩對準偵測系統70及投影光學系統30之調整方法。
於諸如光罩對準偵測系統70及晶圓對準偵測系統80之位置偵測設備中，依據此實施例之調整方法可高準確地獨立(分開)調整光學系統的彗形像差及光學軸移位。因此，在各種條件下，減少晶圓製程中的偵測誤差，調整於此實施例之光罩對準偵測系統70及晶圓對準偵測系統80的使用容許高準確地對準光罩20及晶圓40。因此，曝光設備1可以高重疊準確度而實施曝光。
於曝光設備1的操作中，首先調整光罩對準偵測系統70及晶圓對準偵測系統80。如上述，使用依據此實施例的調整方法，高準確地(完全地)調整光罩對準偵測系統70及晶圓對準偵測系統80的每一者的彗形像差及光學軸移位。在此時，可使用高準確地調整彗形像差及光學軸移位之光罩對準偵測系統70來調整投影光學系統30的彗形像差。
使用高準確地調整彗形像差及光學軸移位之光罩對準偵測系統70及晶圓對準偵測系統80來對準光罩20及晶圓40。因為光罩對準偵測系統70及晶圓對準偵測系統80不具彗形像差或光學軸移位，光罩20及晶圓40係以高準確度對準。
光罩20的圖案係藉由曝光轉移至晶圓40。光源12射出之光束經由照明光學系統14來照亮光罩20。反射光罩20的圖案之光分量經由投影光學系統30而將影像形成在晶圓40上。因為光罩20及晶圓40係以高準確度對準，光罩20的圖案可以高重疊準確度藉由曝光而轉移至晶圓 40。因為投影光學系統30亦以高準確度來調整，其獲得優質成像性能。因此，曝光設備1可提供具有高產量、高品質及良好經濟效率之裝置(例如，半導體裝置、LCD裝置、影像感知裝置(例如，CCD)及薄膜磁頭)。這些裝置係藉由使用曝光設備1使塗有光阻(光敏劑)的基板(例如，晶圓或玻璃板)曝光的步驟、使所曝光基板顯影的步驟、及其它已知步驟來製造。
雖然已參照示範性實施例說明本發明，應瞭解到，本發明未受限於所揭示的示範性實施例。以下請求項的範圍將依據最寬詮釋以含蓋所有此種修改及等效結構與功能。
‧‧‧預定投影放大率
LD803 ‧‧‧光束直徑
LD801 ‧‧‧之光束直徑
DL‧‧‧步階
NA‧‧‧數值孔徑
TIS‧‧‧工具感應移位
TTL－AA‧‧‧經由透鏡自動對準
EUV‧‧‧極紫外線
Z‧‧‧焦點位置
E‧‧‧波形不對性
WU1‧‧‧內上峰值
WU2‧‧‧外上峰值
E1‧‧‧波形不對稱性
E2‧‧‧波形不對稱性
E3‧‧‧波形不對稱性
Ia‧‧‧強度
Ib‧‧‧強度
Ic‧‧‧強度
A‧‧‧焦點位置
C‧‧‧彗形像差
B‧‧‧焦點位置
E2a‧‧‧波形不對稱性
D‧‧‧焦點位置
E3a‧‧‧波形不對稱性
F‧‧‧焦點位置
G‧‧‧差
RW‧‧‧光阻晶圓
WD1‧‧‧下峰值
E4‧‧‧波形不對稱性
E5‧‧‧波形不對稱性
E6‧‧‧波形不對稱性
Ie‧‧‧強度
Id‧‧‧強度
If‧‧‧強度
H‧‧‧焦點位置
I‧‧‧焦點位置
E5a‧‧‧波形不對稱性
E6a‧‧‧波形不對稱性
J‧‧‧焦點位置
K‧‧‧差
1‧‧‧曝光設備
10‧‧‧照明設備
12‧‧‧光源
14‧‧‧照明光學系統
20‧‧‧光罩
25‧‧‧光罩載台
27‧‧‧鏡
29‧‧‧雷射干涉儀
30‧‧‧投影光學系統
40‧‧‧晶圓
42‧‧‧晶圓對準標記
45‧‧‧晶圓載台
47‧‧‧鏡
49a‧‧‧雷射干涉儀
49b‧‧‧雷射干涉儀
50‧‧‧載台參考板
52‧‧‧光罩對準偵測系統參考標記
54‧‧‧晶圓對準偵測系統參考標記
60‧‧‧焦點偵測系統
70‧‧‧光罩對準偵測系統
75‧‧‧光罩對準偵測系統
80‧‧‧晶圓對準偵測系統
90‧‧‧控制單元
801‧‧‧光源
802‧‧‧延遲光學系統
803‧‧‧孔徑光闌
804‧‧‧照明系統
805‧‧‧偏振分束器
806‧‧‧λ/4板
807‧‧‧物鏡
808‧‧‧延遲透鏡
809‧‧‧第一成像光學系統
810‧‧‧光學構件
811‧‧‧第二成像光學系統
812‧‧‧光電轉換裝置
813‧‧‧驅動單元
814‧‧‧驅動單元
815‧‧‧驅動單元
圖1係顯示依據本發明的一個形態的曝光設備之簡要方塊圖。
圖2係顯示配置在圖1所示的曝光設備的晶圓載台上之載台參考板的配置之示意圖。
圖3係顯示圖1所示之曝光設備的晶圓對準偵測系統的詳細配置之簡要剖面圖。
圖4係顯示圖1所示之曝光設備的晶圓對準偵測系統中照明光源的光束直徑及孔徑光闌的光束直徑間的關係之示意圖。
圖5係顯示晶圓對準標記的實例之簡要剖面圖。
圖6A及6B係顯示當晶圓對準偵測系統已偵測到圖5所示的晶圓對準標記時之偵測波形的實例之圖表，其中圖 6A係顯示非對稱偵測波形之圖表，圖6B係顯示對稱偵測波形之圖表。
圖7係解說圖3所示之晶圓對準偵測系統沒有光學軸移位的例子之簡要剖面圖。
圖8係解說圖3所示之晶圓對準偵測系統具有光學軸移位的例子之簡要剖面圖。
圖9係顯示圖6A及6B所示之偵測波形的波形不對稱性及相對於晶圓對準偵測系統之晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖10係用於解說偵測波形不對稱性的定義之圖表。
圖11係顯示在晶圓對準偵測系統的彗形像差被調整之後的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置相對於晶圓對準偵測系統間的關係之曲線圖。
圖12係顯示在晶圓對準偵測系統的彗形像差被調整在彗形像差焦點系統之後的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置相對於晶圓對準偵測系統間的關係之曲線圖。
圖13係顯示在晶圓對準偵測系統的光學軸移位被調整之後的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖14係解說用於依據本發明的一形態之晶圓對準偵測系統的調整方法之流程圖。
圖15係顯示當在某一照明條件下照亮晶圓對準標記時的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖16係顯示在彗形像差焦點位置的內上峰值間之偵測波形的波形不對稱性及晶圓對準標記的步進量間的關係之曲線圖。
圖17係顯示在彗形像差焦點位置的外上峰值間之偵測波形的波形不對稱性及晶圓對準標記的步進量間的關係之曲線圖。
圖18A至18C係顯示以三個照度σ值照亮(偵測)具有λ/4的步進之晶圓對準標記而獲得之偵測波形的內上峰值間的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖19A至19C係顯示當晶圓對準偵測系統以各別照度σ值(0.3、0.4、0.6)照亮(偵測)晶圓對準標記時同時沒有彗形像差亦沒有光學軸移位(想要狀態)之偵測波形之圖表。
圖20係顯示藉由光阻將步進形成在其矽表面上之光阻晶圓之簡要剖面圖。
圖21係顯示圖20所示的光阻晶圓所獲得之偵測波形的內上峰值間的波形不對稱性及光阻晶圓的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖22係顯示當晶圓對準偵測系統以0.4的照度σ值照亮(偵測)圖20所示的光阻晶圓同時沒有彗形像差或沒有光學軸移位時(理想狀態)的偵測波形之流程圖。
圖23係顯示其較低峰值間的偵測波形的波形不對稱性及晶圓對準標記相對於晶圓對準偵測系統間的關係之曲 線圖。
圖24A及24B係顯示當以0.9的照度σ值來照亮具有λ/8的步進之晶圓對準標記時所獲得之偵測波形的實例之圖表。
圖25係顯示圖24A及24B所示之偵測波形的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置相對於晶圓對準偵測系統間的關係之曲線圖。
圖26係顯示在晶圓對準偵測系統的光學軸移位被調整在光學軸移位調整焦點位置之後的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖27係解說用於依據本發明的一個形態之晶圓對準偵測系統的調整方法之流程圖。
圖28係顯示當在某一照度條件下照亮晶圓對準標記時之波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖29係顯示在光學軸移位調整焦點位置其較低峰值間之偵測波形的波形不對稱性及晶圓對準標記的步進量間的關係之曲線圖。
圖30A至30C係顯示以三個照度σ值來照亮(偵測)具有λ/8的步進之晶圓對準標記所獲得之偵測波形的較低峰值間的波形不對稱性及晶圓對準標記的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖31A至31C係顯示當晶圓對準偵測系統以各別照度σ值(0.9、0.6、0.4)來照亮(偵測)晶圓對準標記同時 沒有彗形像差或沒有光學軸移位時(理想狀態)的偵測波形之圖表。
圖32係顯示當晶圓對準偵測系統以0.9的照度σ值來照亮(偵測)光阻晶圓時來獲得之偵測波形的較低峰值間的波形不對稱性及光阻晶圓的焦點位置間的關係之曲線圖。
圖33係顯示當晶圓對準偵測系統以0.9的照度σ值來照亮(偵測)光阻晶圓同時沒有光學軸移位或彗形像差時的偵測波形之圖表。
1‧‧‧曝光設備
10‧‧‧照明設備
12‧‧‧光源
14‧‧‧照明光學系統
20‧‧‧光罩
25‧‧‧光罩載台
27‧‧‧鏡
29‧‧‧雷射干涉儀
30‧‧‧投影光學系統
40‧‧‧晶圓
45‧‧‧晶圓載台
47‧‧‧鏡
49a‧‧‧雷射干涉儀
49b‧‧‧雷射干涉儀
50‧‧‧載台參考板
60‧‧‧焦點偵測系統
70‧‧‧光罩對準偵測系統
80‧‧‧晶圓對準偵測系統
90‧‧‧控制單元

Claims (16)

  1. 一種用於位置偵測設備的調整方法，該位置偵測設備包含：具有其位置可被改變的第一光學構件及第二光學構件之光學系統，且係配置來偵測受偵測物體的位置，該調整方法包含以下步驟：設定多數個不同位置以定位該第一光學構件於與該光學系統的光軸垂直之方向；在該受偵測物體於該光軸的方向的多個不同位置，針對設定於該設定步驟之該多數個位置的每一者，偵測經由該光學系統來自受偵測單元之光；針對設定於該設定步驟之該多數個位置的每一者，計算與偵測於該偵測步驟之該光的偵測信號的波形有關之評估值；針對設定於該設定步驟之該多數個位置的每一者，指定該受偵測物體於該光軸的該方向的位置，計算於該計算步驟之該評估值在該位置係不敏感的；及藉由基於該評估值來驅動該第二光學構件於與該光學系統的該光軸垂直之該方向，調整該第二光學構件的位置，該第二光學構件係於該受偵測物體被定位於設定於該指定步驟之該位置的狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項之調整方法，另包含藉由基於該評估值來驅動該第一光學構件於與該光軸垂直之該方 向，調整該第一光學構件之位置的步驟，該第一光學構件係於該受偵測物體係定位於與指定於該指定步驟之該位置不同的位置的狀態。
  3. 如申請專利範圍第2項之調整方法，其中該第一光學構件包括光源及該孔徑光闌的一者，該光源配置來發光以照亮該偵測物體，以及該孔徑光闌插置在該光學系統的光瞳平面上，該第二光學構件包括配置來調整該光學系統的像差之光學構件，於設定步驟中，多數個不同光軸移位係藉由設定該光源及該孔徑光闌的該一者的位置於與該光軸垂直之該方向而設定，於調整該第二光學構件的位置的步驟中，該光學系統的該像差係藉由驅動該光學構件於與該光軸垂直之該方向而調整，該光學構件係配置來調整該光學系統的像差，及於調整該第一光學構件的位置的步驟中，該光學系統的該光軸移位係藉由驅動該光源及該孔徑光闌的該一者於與該光軸垂直之該方向而調整。
  4. 如申請專利範圍第3項之調整方法，其中於調整該第二光學構件的位置的步驟中，該光學構件係藉由驅動單元來驅動，該光學構件係配置來調整該光學系統的像差。
  5. 如申請專利範圍第2項之調整方法，其中該第一光學構件包括配置來調整該光學系統的像差之光學構件， 該第二光學構件包括光源及該孔徑光闌的一者，該光源配置來發光以照亮該偵測物體，以及該孔徑光闌插置在該光學系統的光瞳平面上，於設定步驟中，多數個不同像差係藉由設定該光學構件的位置於與該光軸垂直之該方向而設定，該光學構件係配置來調整該光學系統的像差，於調整該第二光學構件的位置的步驟中，該光學系統的該光軸移位係藉由驅動該光源及該孔徑光闌於與該光軸垂直之該方向而調整，及於調整該第一光學構件的位置的步驟中，該光學系統的該像差係藉由驅動該光學構件於與該光軸垂直之該方向而調整，該光學構件係配置來調整該光學系統的像差。
  6. 如申請專利範圍第5項之調整方法，其中於調整該第二光學構件的位置的步驟中，該光源及該孔徑光闌的一者係藉由驅動單元來驅動。
  7. 如申請專利範圍第1項之調整方法，另包含使用該偵測信號的對比作為參考，將該偵測物體移至指定於該指定步驟之該偵測物體於該光軸的該方向的該位置的步驟。
  8. 如申請專利範圍第1項之調整方法，另包含使用該偵測信號的對比係最大之位置作為參考，將該偵測物體移至指定於該指定步驟之該偵測物體於該光軸的該方向的該位置的步驟。
  9. 如申請專利範圍第3項之調整方法，其中假設λ係照亮該偵測物體之該光的波長，該偵測物體具有λ/4的奇 數倍的步進。
  10. 如申請專利範圍第5項之調整方法，其中假設λ係照亮該偵測物體之該光的波長，該偵測物體具有λ/8的奇數倍的步進。
  11. 如申請專利範圍第1項之調整方法，其中於調整該第二光學構件的位置的步驟中，該第二光學構件的位置被調整使得來自該標記的該光的偵測信號變成對稱的。
  12. 如申請專利範圍第2項之調整方法，其中於調整該第一光學構件的位置的步驟中，該第一光學構件的位置被調整以便來自該標記的該光的偵測信號變成對稱的。
  13. 如申請專利範圍第1項之調整方法，其中於該計算步驟中，該評估值係與偵測信號的對稱性有關。
  14. 一種曝光設備，包含：照明光學系統，其配置成以來自光源的光束來照亮光罩；投影光學系統，其配置來將該光罩的圖案投影至基板上；及位置偵測設備，其包含具有其位置可被改變的第一光學構件及第二光學構件之光學系統，且係配置來偵測該光罩的位置及該基板的位置的至少一者，該位置偵測設備包含：設定單元，其配置來設定多數個不同位置以定位該第一光學構件於與該光學系統的光軸垂直之方向；偵測單元，其配置針對該設定單元所設定之該多數個 位置的每一者，在代表該光罩的該位置及該基板的該位置的該至少一者之標記於該光軸的方向的多個不同位置，偵測來自該標記的光；計算單元，其配置針對藉由該設定單元設定之該多數個位置的每一者，計算與該偵測單元所偵測之該光的偵測信號的波形有關之評估值；指定單元，其配置針對該多數個位置的每一者，指定該受偵測物體於該光軸的該方向的位置，該計算單元所計算之該評估值在該位置係不敏感的；及調整單元，藉由基於該評估值來驅動該第二光學構件於與該光學系統的該光軸垂直之該方向，調整該第二光學構件的位置，該第二光學構件係於該標記被定位於該指定位置的狀態。
  15. 一種裝置製造方法，包含以下步驟：使用依據申請專利範圍第14項之曝光設備使基板曝光；及實施用於所曝光基板之顯影處理。
  16. 一種位置偵測設備，包含：光學系統，具有其位置可被改變的第一光學構件及第二光學構件，且係配置來偵測受偵測物體的位置；設定單元，其配置來設定多數個不同位置以定位該第一光學構件於與該光學系統的光軸垂直之方向；偵測單元，其配置在該受偵測物體於該光軸的方向時，針對藉由該設定單元所設定之該多數個位置的每一者， 偵測經由該光學系統來自該受偵測物體的之光；計算單元，其配置針對該多數個位置的每一者，計算與該偵測單元所偵測之該光的偵測信號的波形有關之評估值；指定單元，其配置針對該多數個位置的每一者，指定該受偵測物體於該光學系統的該光軸的該方向的位置，該計算單元所計算之該評估值在該位置係不敏感的；及調整單元，藉由驅動該第二光學構件於與該光學系統的該光軸垂直之該方向，調整該第二光學構件的位置使得來自該受偵測物體的該光的偵測信號變成對稱的，該第二光學構件係於該受偵測物體被定位於該指定位置的狀態。
TW097124973A 2007-07-09 2008-07-02 位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法 TWI387045B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007180152A JP4944690B2 (ja) 2007-07-09 2007-07-09 位置検出装置の調整方法、位置検出装置、露光装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200919619A TW200919619A (en) 2009-05-01
TWI387045B true TWI387045B (zh) 2013-02-21

Family

ID=40252830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097124973A TWI387045B (zh) 2007-07-09 2008-07-02 位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8049891B2 (zh)
JP (1) JP4944690B2 (zh)
KR (1) KR100991067B1 (zh)
TW (1) TWI387045B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5203675B2 (ja) * 2007-11-02 2013-06-05 キヤノン株式会社 位置検出器、位置検出方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP5333151B2 (ja) * 2009-10-26 2013-11-06 セイコーエプソン株式会社 光学式位置検出装置および位置検出機能付き表示装置
CN103885295B (zh) * 2012-12-19 2016-09-28 上海微电子装备有限公司 一种曝光装置及其调焦调平方法
WO2015006233A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Kla-Tencor Corporation Aperture alignment in scatterometry metrology systems
US9726984B2 (en) * 2013-07-09 2017-08-08 Kla-Tencor Corporation Aperture alignment in scatterometry metrology systems
JP6366261B2 (ja) * 2013-12-05 2018-08-01 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
CN105988305B (zh) * 2015-02-28 2018-03-02 上海微电子装备（集团）股份有限公司 硅片预对准方法
US10785394B2 (en) * 2015-08-28 2020-09-22 Kla Corporation Imaging performance optimization methods for semiconductor wafer inspection
CN106569390B (zh) * 2015-10-08 2019-01-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种投影曝光装置及方法
CN107290937B (zh) * 2016-03-31 2018-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种投影曝光装置及方法
JP7054365B2 (ja) * 2018-05-25 2022-04-13 キヤノン株式会社 評価方法、露光方法、および物品製造方法
JP7220554B2 (ja) * 2018-12-04 2023-02-10 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置、及び、プローブ装置の調整方法
CN113132621B (zh) * 2020-01-10 2022-04-26 长鑫存储技术有限公司 拍摄装置位置校正系统及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5680200A (en) * 1995-01-13 1997-10-21 Nikon Corporation Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus
US20020060793A1 (en) * 2000-11-22 2002-05-23 Nikon Corporation Optical positional displacement measuring apparatus and adjustment method thereof
US6885450B2 (en) * 2000-07-10 2005-04-26 Nikon Corporation Apparatus for detecting optical positional deviation

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3327781B2 (ja) * 1995-10-13 2002-09-24 キヤノン株式会社 位置検出装置及びその検定方法と調整方法
JP3658378B2 (ja) 1995-10-13 2005-06-08 キヤノン株式会社 投影露光装置及び位置検出装置
JP4352614B2 (ja) * 1998-02-09 2009-10-28 株式会社ニコン 位置検出装置の調整方法
JP3994209B2 (ja) 1998-08-28 2007-10-17 株式会社ニコン 光学系の検査装置および検査方法並びに該検査装置を備えた位置合わせ装置および投影露光装置
US6975399B2 (en) * 1998-08-28 2005-12-13 Nikon Corporation mark position detecting apparatus
JP3634198B2 (ja) * 1998-09-10 2005-03-30 富士通株式会社 位置ずれ検査装置の光学的収差測定方法
JP4078953B2 (ja) * 2002-11-05 2008-04-23 株式会社ニコン マーク位置検出装置ならびにその調整用基板および調整方法
US20040227944A1 (en) * 2003-02-28 2004-11-18 Nikon Corporation Mark position detection apparatus
JP2004356193A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Canon Inc 露光装置及び露光方法
US7528954B2 (en) * 2004-05-28 2009-05-05 Nikon Corporation Method of adjusting optical imaging system, positional deviation detecting mark, method of detecting positional deviation, method of detecting position, position detecting device and mark identifying device
JP5036429B2 (ja) * 2007-07-09 2012-09-26 キヤノン株式会社 位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法及び調整方法
JP5203675B2 (ja) * 2007-11-02 2013-06-05 キヤノン株式会社 位置検出器、位置検出方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2009224523A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Canon Inc 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5680200A (en) * 1995-01-13 1997-10-21 Nikon Corporation Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus
US6885450B2 (en) * 2000-07-10 2005-04-26 Nikon Corporation Apparatus for detecting optical positional deviation
US20020060793A1 (en) * 2000-11-22 2002-05-23 Nikon Corporation Optical positional displacement measuring apparatus and adjustment method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW200919619A (en) 2009-05-01
KR100991067B1 (ko) 2010-10-29
US8049891B2 (en) 2011-11-01
JP2009016761A (ja) 2009-01-22
KR20090006003A (ko) 2009-01-14
JP4944690B2 (ja) 2012-06-06
US20090015836A1 (en) 2009-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI387045B (zh) 位置偵測設備的調整方法、曝光設備及裝置製造方法
KR101247898B1 (ko) 위치 검출 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 위치 검출 방법 및 노광 방법
US7528966B2 (en) Position detection apparatus and exposure apparatus
US7580116B2 (en) Exposure apparatus and device fabrication method
US6975384B2 (en) Exposure apparatus and method
US20070171392A1 (en) Wavelength selecting method, position detecting method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US7209215B2 (en) Exposure apparatus and method
US9939741B2 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
US7221434B2 (en) Exposure method and apparatus
KR20090098741A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8345220B2 (en) Aberration measurement method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20040135981A1 (en) Exposure apparatus and method
US8013976B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
JP2004279166A (ja) 位置検出装置
JP4497988B2 (ja) 露光装置及び方法、並びに、波長選択方法
US20100177290A1 (en) Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method
TW202244461A (zh) 測量設備、曝光設備及物品製造方法
US10222293B2 (en) Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees