TWI385377B - 處理室粒子之監測組件、處理室及其資訊收集方法 - Google Patents

Description

處理室粒子之監測組件、處理室及其資訊收集方法

本發明係關於一處理室顆粒偵測系統。

在半導體基板(例如：矽晶圓)的加工處理中，粒子性能是被考量的，因為由附著於此類基板的表面上的粒子會引起良率的降低。在基板處理過程中或之後，掉落於基板表面之處理室中的粒子會降低良率。由此，將處理室的粒子數目控制在最小以確保優良的良率是非常重要的。

處理室中的粒子可來自許多出處。處理氣體與基板處理均會產生粒子。不管是來自處理氣體或是來自製程的副產品，沈積於處理室內之元件上或處理室壁上的薄膜亦會產生粒子。在處理室硬體維修的過程中，藉由許多機構亦可引進粒子進入處理室中，例如當將元件置回處理室時，餘留在處理室中的殘留清潔液。若處理室匣閥被夾得過緊或者O型環的品質不良，處理室匣閥上的O型環也會產生粒子。

傳統上，處理室中的粒子性能係藉由量測加工處理後基板上粒子大小與數量(或計數)來監測。可定期完成粒子性能的衡量，以監測處理室性能，或是在處理室硬體維修後執行粒子性能衡量，以使此處理室可合格運作。若檢測到基板上有高含量的粒子則需辨識其粒子源，並且在進一步的基板處理繼續之前或在判定處理室合格之前，需要解決其問題。

傳統上，粒子源辨識係藉由執行多個腔室處理(chamber processing)與/或硬體的參數之實驗設計(DOE；design of experiment)來完成。量測實驗設計下之基板處理後的粒子性能以判定影響粒子大小與計數的參數。然而，如此的粒子源辨識工作是非常勞力與時間密集的。

前述的觀點中，需要一種方法或設備，其具有改良之處理室粒子源辨識機構，以減少用於粒子源辨識的時間與資源。此改良之處理室粒子源辨識機構可改善整體的處理室粒子性能與產率效能。

概略來說，本發明之實施例藉由提供一改良之處理室粒子源辨識機構以滿足需求。處理室粒子源原地(in－situ)辨識方法與設備可大幅縮短辨識處理室粒子源的時間，其可改善生產系統的處理室產率。此方法與設備亦可於處理室工程發展階段中針對粒子性能來測試元件。應可明瞭的是，本發明可以極多的方法來實行(包含以製程、設備或系統)。以下描述了本發明之數個具原創性的實施例。

在一實施例中，一半導體處理室之處理室粒子原地監測組件係包含至少一個雷射光源，此至少一個雷射光源可於處理室之處理室容積內發散出雷射光。此處理室粒子原地監測組件亦包含至少一個雷射光收集器，此至少一個雷射光收集器可收集從至少一個雷射光源放射出的雷射光。處理室粒子監測組件亦包含一在處理室外部的分析器，其分析表示著至少一個雷射光收集器所收集之雷射光線的信號，以提供處理室粒子資訊。

在另一實施例中，一具有處理室粒子原地監測組件以辨識處理室粒子源的處理室包含了一在處理室中的基板支架。此處理室亦包含一裝設於基板支架之上的處理室頂板。此外，處理室含有至少一個雷射光源，其中此至少一個雷射光源可於處理室之處理室容積內散發出雷射光，而處理室容積係界定為介於基板支架與處理室頂板之間。處理室亦包含至少一個雷射光收集器，其中至少一個雷射光收集器可收集從至少一個雷射光源所放射出的雷射光線。此外，該處理室包含一外接於處理室之分析器，其分析代表著由至少一個雷射光收集器所收集的雷射光線的信號，以提供處理室粒子資訊。

在又另一實施例中，一原地收集處理室粒子資訊的方法包含於處理室內的處理容積中掃描從雷射光源放射出的雷射光線。此方法亦包含藉由多個雷射光收集器來收集處理室中的雷射光線。此外，此方法包含將所收集的雷射光線進行分析以求得處理室粒子資訊。

本發明之其他實施態樣與優點將明顯地呈現在接下來的與附圖結合的細部說明，並藉由本發明原則之舉例方式來闡明。

接下來將描述一改良且更有效的處理室粒子辨識系統、方法與設備之數個示範實施例。對於熟稔本技藝者而言，無須此文中部分或全部之具體細節即可明瞭本發明是可行的。

如前所述，習知技術中執行多個腔室處理與/或硬體參數之實驗設計的粒子源辨識工作是非常耗時與耗資源的。快速的粒子源辨識對減少使處理室回復到製造狀態所花費時間是非常重要的。有效的處理室粒子原地辨識方法與設備可提供處理室中的即時粒子資訊。藉由調查包含粒子大小、數量以及位置的粒子資訊，可揭露其粒子源或可確認進一步研究的方向。舉例來說，若許多處理室中的粒子坐落在傳輸埠附近，則可懷疑傳輸埠造成了此粒子問題。傳輸埠的元件，例如O型環，可受檢驗或置換，看看此粒子問題能否被解決。此外，亦可研究該傳輸埠之操作參數以檢測它們在粒子問題上的影響。舉例來說，可減少作用在傳輸埠門上的夾緊力(clamping force)以測試是否此粒子問題能改善，因為過於夾緊傳輸埠門會傷害O型環而造成粒子問題。

直接且即時的處理室粒子資訊可大幅縮短用以辨識處理室粒子源的時間，可促進製造系統之處理室產率。此外，在處理室工程開發階段，此方法與設備亦可用以針對粒子性能來測試元件以縮短處理室開發時間。

本發明之一實施例藉由至少一個雷射光源發散出雷射光至處理室中的處理容積內。在一實施例中，處理容積的區域是在處理室的基板支架週圍及之上且在處理室頂板之下。處理室可為任何之形式，如化學蒸氣沈積室、電漿蝕刻室或熱蒸氣沈積室，只要該腔室是封閉的即可。被雷射光源覆蓋(或掃描)之區域中的粒子會反射雷射光並影響該檢查區域中的雷射光線圖形。雷射是較佳之光源，因為其光線為單一波長(因而光線的顏色為單色－通常用於粒子計數器係為紅色或紅外線的)。可在一實施例中使用固態雷射二極管(solid statelaser diodes)，因為其小尺寸、輕量以及其平均故障時間(MTBF；mean time between failures)。

雷射光可由至少一個安裝於處理室內的雷射光檢測器(如光檢波器或攝像機)所檢測到。光檢波器(photodectecor)係為一感光靈敏的電子裝置。任何照射到光檢波器的光線都會使光檢波器放出電脈衝(electric pulse)。電脈衝可被解析成與粒子數量、大小與位置相關。數位攝像機由於其感光性而亦可被使用。光檢測器可達續收集粒子數據以監測處理室粒子性能，或可僅在解決問題時收集粒子數據。

圖1A為一橫剖面圖，顯示一具有處理室頂板110的處理室100之一實施例，其包含配氣板(gas distribution plate)120(或噴淋頭)。在一實施例中，配氣板120亦可為電漿處理室之上電極。處理室100亦具有一可支撐基板140之基板支架130。處理室壁150具有可傳送基板140進出於處理室100的基板傳輸埠160。處理室壁150可為單片或多片(壁)。雷射光源170安裝於處理室壁150中。藉由控制器175以控制雷射光源170之掃描頻率與掃描方向。在一實施例中，雷射光源170掃描位於基板支架130之周圍及上方之腔室處理區域180。腔室處理區域180係由虛線185表示，並與該處理室之處理容積一致。在粒子源辨識過程中，基板140可在場或是不在場。雷射光係由放置於處理室壁150上的雷射光收集器190所收集。由於處理室中的粒子會反射雷射光線並影響雷射光線圖形，雷射光收集器190可獲取處理室中粒子的數量與位置。雷射光收集器190係連接至分析器195以分析所收集的信號(或脈衝)。

分析過的脈衝可與處理室中的粒子計數、大小與位置相關。若在處理室中只有一個雷射光收集器190，從處理室中收集的粒子影像將會是二維的(2－D；two－dimensional)。從所收集的粒子影像中，吾人可知悉粒子計數、粒子大小與粒子位於相對於雷射光收集器190的方向。為了取得處理室中粒子的三維(3－D；three－dimensional)影像結構，需要多個雷射光收集器190。應安置這複數個雷射光收集器，使這些雷射光收集器不具有共同之軸。

圖1B顯示圖1A中的處理室100之一實施例的橫剖頂視圖，其具有一雷射光源170與兩個雷射光收集器190_I 與190_Ⅱ 。雷射光源170掃描橫跨整個腔室處理區域180，其邊界由虛線185所示。二雷射光收集器190_I 與190_Ⅱ 收集自雷射光源170所發射之雷射光。在腔室處理區域180中的粒子數量、粒子大小以及粒子的所在位置會影響反射的雷射光線之數量與位置。故，由兩雷射光收集器190所收集的雷射光可藉由分析器195的分析以描述出處理室100中粒子的數量、大小以及三度空間位置。

在一實施例中，可有一個以上的雷射光源以確保處理室100內有更好的雷射光掃描覆蓋度。圖1C顯示處理室100之一實施例，其具有3個雷射光源170與3個雷射光收集器190。熟稔本技藝者將可明瞭：其他數量組合的雷射光源與雷射光收集器均為可能的。

除了安裝雷射光源與雷射光收集器於處理室壁上，此雷射光源與雷射光收集器也可安裝於處理室內襯上。在一些處理系統內，如電漿蝕刻系統，處理室內襯係用來減少積沉於處理室壁上的薄膜。處理室內襯可由單片材料所組成，或是由多片(內襯)所組成。於本案受讓人所有之美國專利第6277237號之中，描述了如何將處理室內襯安裝於電漿蝕刻處理室中的細節。

圖2A顯示一與圖1A之處理室100相似之處理室100’，其含有一處理室內襯155。至少一雷射光源170與至少一雷射光收集器190安裝於處理室內襯155上。雷射光源170掃描橫跨腔室處理區域180’，由於內襯155的插入，使其略小於圖1A中的腔室處理區域180。內襯上有一基板傳輸埠165，其相配於處理室壁上的傳輸埠160。由於處理室內襯是可更換的，雷射光源與雷射光收集器可於需要辨識粒子源時再行安裝至處理室中。一旦解決了粒子問題，雷射光源170與雷射光收集器190可連同處理室內襯155移除，並可安裝一不具有雷射光源170與雷射光收集器190之新處理室內襯155’(未顯示於圖上)處理室中，以繼續生產製程。

圖2B係為處理室100’之橫剖頂視圖，其具有安裝於處理室內襯155上之一雷射光源170’與兩個雷射光收集器190_I ’與190_Ⅱ ’。此二雷射光收集器190_I ’與190_Ⅱ ’使處理室100’中的粒子之3－D影像得以建構，並使可求出處理室100’中腔室處理區域180’內粒子之數量、大小與3－D位置。類似於處理室壁上的雷射光源與雷射光收集器，可使用一個以上的雷射光源以確保橫跨腔室處理區域180’的雷射掃描有更佳的覆蓋度。不同數量之雷射光源與雷射光收集器的組合均是可能的。

圖3為一示範的3－D略圖，顯示由虛線界線185包圍的腔室處理區域180。由圖2B的雷射光收集器190所收集的雷射光線圖形顯示出在傳輸埠160附近有大量的粒子沈積。基於圖3所描述的粒子資訊，可在傳輸埠160上進行更進一步的粒子研究。附加的分析可導出此結論：由於傳輸埠門夾得過緊而導致O型環的損壞，因此使得O型環釋放大量的粒子。藉由將處理室粒子的3－D影像視為時間的函數，亦可追蹤出粒子的位移與起始點。3－D影像在處理室粒子源辨識的加速上可以是非常有幫助的。

圖4顯示了在處理室中使用處理室粒子偵測系統來偵測粒子的流程。流程400從步驟410開始，其在處理容積中掃描雷射光。在一實施例中，處理容積被定義為介於處理室頂板與基板支架之間，其中藉由一個或多個的雷射光源提供雷射光。隨後的流程為：在步驟420中，使用至少一個雷射光收集器，收集處理室中來自處理容積的雷射光線。假若想收集三度空間的處理室粒子資訊，則需要至少兩個雷射光收集器。至少兩個雷射光收集器的安置位置應互相遠離，並且不會直接彼此相對。在雷射光收集器收集了雷射光線之後，藉由分析器將信號分析以在步驟430中求出處理室粒子資訊。

處理室粒子資訊包含粒子計數、粒子大小、粒子粒度分佈(size distribution)以及粒子的位置。藉由觀察處理室中分佈的粒子圖形，可揭露其粒子源或確認近一步研究的方向。

雖然為了清楚描述的目的，上述發明描述了一些細部的地方，顯而易見地，在附加的專利申請範圍內，某些變形與修正是可被實行的。如前所述，本實施例應被視為舉例性而非限制性，而本發明並非被此文件中的細部說明所限制，但可在附加的專利請求項之均等物和範圍內做出修正。

100．．．處理室

110．．．處理室頂板

120．．．配氣板(或噴淋頭)

130．．．基板支架

140．．．基板

150．．．處理室壁

155．．．處理室內襯

160．．．基板傳輸埠

160．．．傳輸埠

165．．．傳輸埠

170．．．雷射光源

175．．．控制器

180．．．腔室處理區域

185．．．虛線(與處理容積一致)

190．．．雷射光收集器

190_I ．．．雷射光收集器

190_Ⅱ ．．．雷射光收集器

100’．．．處理室

155’．．．處理室內襯

170’．．．雷射光源

180’．．．腔室處理區域

190_I ’．．．雷射光收集器

190_Ⅱ ’．．．雷射光收集器

195．．．分析器

410．．．於處理室中掃描雷射光，其中雷射光係由至少一個雷射光源所提供

420．．．於處理室中收集雷射光，藉由至少一個雷射光收集器

430．．．分析分析器所收集的雷射光信號，以求得處理室粒子資訊

圖1A為處理室粒子原地(in－situ)偵測系統之一實施例之橫剖面略圖。

圖1B為圖1A之處理室粒子原地偵測系統之一實施例之俯視圖。

圖1C為圖1A之處理室粒子原地偵測系統之另一實施例之俯視圖。

圖2A為具有處理室內襯的處理室粒子原地偵測系統之一實施例的橫剖面略圖。

圖2B為圖2A之處理室粒子偵測系統之一實施例之俯視圖。

圖3為由粒子偵測系統中所研究的處理室容積之示意圖。

圖4顯示在處理室中決定處理室粒子資訊之處理流程。

100’．．．處理室

110．．．處理室頂板

130．．．基板支架

140．．．基板

150．．．處理室壁

155．．．處理室內襯

160．．．傳輸埠

165．．．傳輸埠

175．．．控制器

190．．．雷射光收集器

170’．．．雷射光源

180’．．．腔室處理區域

185’．．．虛線(與處理容積一致)

195．．．分析器

Claims (39)

1. 一種處理室粒子原地監測組件，用於處理室，包含：至少一個雷射光源，其中該至少一個雷射光源係藉由控制掃描頻率及掃瞄方向之控制器加以控制，以在該處理室中的處理室容積內掃描雷射光，該掃描方向係遍及在該處理室的基板支架周圍及之上的該處理室容積；複數個雷射光收集器，其中該複數個雷射光收集器可收集從該至少一個雷射光源所放射出的雷射光，其中該複數個雷射光收集器設置在該處理室中，俾使該複數個雷射光收集器之其中任二者位於不同之軸線上，且在掃描雷射光時，該處理室中該複數個雷射光收集器每一者係在啟動狀態；以及一分析器，外接於該處理室，其分析代表著由該複數個雷射光收集器所收集之雷射光的信號，以提供處理室粒子資訊，其中該複數個雷射光收集器使該處理室容積內粒子分佈的三維(3-D)影像得以建構。
2. 如申請專利範圍第1項之處理室粒子原地監測組件，其中該處理室粒子資訊包含粒子數量、粒子大小與粒子的所在位置。
3. 如申請專利範圍第1項之處理室粒子原地監測組件，其中該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分係嵌入一處理室壁內。
4. 如申請專利範圍第1項之處理室粒子原地監測組件，其中該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分係嵌入一處理室內襯內。
5. 如申請專利範圍第1項之處理室粒子原地監測組件，其中該處理室容積包圍一界定於該處理室內的該基板支架上方的平面。
6. 一種處理室，具有一處理室粒子原地監測組件以辨識處理室粒子源，該處理室包含：一基板支架，位於該處理室內；一處理室頂板，裝設於基板支架之上；至少一個雷射光源，其中該至少一個雷射光源係藉由控制掃描頻率及掃瞄方向之控制器加以控制，以在該處理室內之一處理室容積中掃描雷射光線，而該處理室容積係界定於該基板支架與該處理室頂板之間，該掃描方向係遍及在該處理室的該基板支架周圍及之上的該處理室容積；複數個雷射光收集器，其中該複數個雷射光收集器可收集從該至少一個雷射光源所放射的雷射光線，其中該複數個雷射光收集器設置在該處理室中，俾使該複數個雷射光收集器之其中任二者位於不同之軸線上，且在掃描雷射光時，該處理室中該複數個雷射光收集器每一者係在啟動狀態；以及一分析器，外接於該處理室，其分析代表著由該複數個雷射光收集器所收集之雷射光線的信號，以提供處理室粒子資訊，其中該複數個雷射光收集器使該處理室容積內粒子分佈的三維(3-D)影像得以建構。
7. 如申請專利範圍第6項之處理室，其中有至少兩個雷射光源，將該兩個雷射光源彼此分隔配置以提供光源至該處理室。
8. 如申請專利範圍第6項之處理室，其中該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分係嵌入一處理室壁內。
9. 如申請專利範圍第6項之處理室，其中一處理室壁係界定於該基板支架的周圍，該處理室壁內並裝設一內襯。
10. 如申請專利範圍第9項之處理室，其中該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分嵌入該處理室內襯內。
11. 如申請專利範圍第9項之處理室，其中具有複數個處理室內襯，且該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分嵌入該複數個處理室內襯內。
12. 如申請專利範圍第10項之處理室，其中具有三個雷射光源與三個雷射光收集器。
13. 一種原地收集處理室粒子資訊的方法，包含有：在一處理室內之一處理容積中，掃描從一雷射光源所放射之雷射光線，該掃描係遍及在該處理室的基板支架周圍及之上的該處理室容積；藉由多個雷射光收集器來收集該處理室中的雷射光線，其中該複數個雷射光收集器設置在該處理室中，俾使該多個雷射光收集器之其中任二者位於不同之軸線上，且在掃描雷射光時，該處理室中該多個雷射光收集器每一者係在啟動狀態；以及分析已收集之雷射光線以求得處理室粒子資訊，其中該多個雷射光收集器使該處理容積內粒子分佈的三維(3-D)影像得以建構。
14. 如申請專利範圍第13項之原地收集處理室粒子資訊的方法，其中該處理容積係界定於一處理室頂板與該基板支架之間。
15. 如申請專利範圍第13項之原地收集處理室粒子資訊的方法，更包含：將該雷射光源與該多個雷射光收集器嵌入至一處理室壁內。
16. 如申請專利範圍第13項之原地收集處理室粒子資訊的方法，更包含：將該雷射光源與該多個雷射光收集器嵌入至一處理室內襯內。
17. 如申請專利範圍第16項之原地收集處理室粒子資訊的方法，其中具有該雷射光源與該多個雷射光收集器之該處理室內襯係為可移除的。
18. 如申請專利範圍第13項之原地收集處理室粒子資訊的方法，其中該處理室粒子資訊包含在該處理室內粒子大小、粒子分佈與粒子所在位置的資訊。
19. 如申請專利範圍第13項之原地收集處理室粒子資訊的方法，其中該3-D影像包含粒子大小資訊。
20. 一種處理室粒子監測組件，用於處理室，包含：至少一個雷射光源，其中該至少一個雷射光源係藉由控制掃描頻率及掃瞄方向之控制器加以控制，以在該處理室中的處理室容積內掃描雷射光，該掃描方向係遍及在該處理室的基板支架周圍及之上的該處理室容積；複數個雷射光收集器，其中該複數個雷射光收集器可連續收集從該至少一個雷射光源所放射出的雷射光，以監測該處理室內的粒子性能，其中該複數個雷射光收集器設置在該處理室中，俾使該複數個雷射光收集器之其中任二者位於不同之軸線上，且在掃描雷射光時，該處理室中該複數個雷射光收集器每一者係在啟動狀態；以及一分析器，其分析代表著由該複數個雷射光收集器所收集之雷射光的信號，以提供處理室粒子資訊，其中該複數個雷射光收集 器使該處理室容積內粒子分佈的三維(3-D)影像得以建構。
21. 如申請專利範圍第20項之處理室粒子監測組件，其中該處理室粒子資訊包含粒子數量、粒子大小與粒子的所在位置。
22. 如申請專利範圍第20項之處理室粒子監測組件，其中該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分係嵌入一處理室壁或處理室內襯內。
23. 如申請專利範圍第20項之處理室粒子監測組件，其中該處理室容積包圍一界定於該處理室內的該基板支架上方的平面。
24. 如申請專利範圍第20項之處理室粒子監測組件，其中該處理室粒子監測組件係用來在選自於由該處理室的處理室容積、處理室壁、處理室內襯、傳輸埠、傳輸埠O型環、基板、基板支架、處理室頂板及氣體分配板所組成之群組中至少一者內或其附近偵測粒子。
25. 如申請專利範圍第20項之處理室粒子監測組件，其中該處理室是化學蒸氣沉積室、電漿蝕刻室或熱蒸氣沉積室。
26. 一種處理室，具有一處理室粒子監測組件以辨識處理室粒子源，該處理室包含：一基板支架，位於該處理室內；至少一個雷射光源，其中該至少一個雷射光源係藉由控制掃描頻率及掃瞄方向之控制器加以控制，以在該處理室內之一處理室容積中掃描雷射光線，而該處理室容積係界定於該基板支架與處理室頂板之間，該掃描方向係遍及在該處理室的該基板支架周圍及之上的該處理室容積； 複數個雷射光收集器，其中該複數個雷射光收集器可連續收集從該至少一個雷射光源所放射的雷射光線，以監測該處理室內的粒子性能，其中該複數個雷射光收集器設置在該處理室中，俾使該複數個雷射光收集器之其中任二者位於不同之軸線上，且在掃描雷射光時，該處理室中該複數個雷射光收集器每一者係在啟動狀態；以及一分析器，其分析代表著由該複數個雷射光收集器所收集之雷射光線的信號，以提供處理室粒子資訊，其中該複數個雷射光收集器使該處理室容積內粒子分佈的三維(3-D)影像得以建構。
27. 如申請專利範圍第26項之處理室，其中有至少兩個雷射光源，將該兩個雷射光源彼此分隔配置以提供光源至該處理室。
28. 如申請專利範圍第26項之處理室，其中該粒子資訊係用來在選自於由該處理室的處理室容積、處理室壁、處理室內襯、傳輸埠、傳輸埠O型環、基板、基板支架、處理室頂板及氣體分配板所組成之群組中至少一者內或其附近偵測粒子。
29. 如申請專利範圍第26項之處理室，其中該處理室是化學蒸氣沉積室、電漿蝕刻室或熱蒸氣沉積室。
30. 如申請專利範圍第26項之處理室，其中一處理室壁係界定於該基板支架的周圍，該處理室壁內並裝設一內襯。
31. 如申請專利範圍第26項之處理室，其中具有複數個裝襯於處理室壁之處理室內襯，且該至少一個雷射光源與該複數個雷射光收集器兩者之至少部分嵌入該複數個處理室內襯內。
32. 如申請專利範圍第27項之處理室，其中具有三個雷射光源與 三個雷射光收集器。
33. 一種收集處理室粒子資訊的方法，包含有：在一處理室內之一處理容積中，掃描從至少一雷射光源所放射之雷射光線，該掃描係遍及在該處理室的基板支架周圍及之上的該處理室容積；藉由多個雷射光收集器來連續收集該處理室中的雷射光線，以監測該處理室內的粒子性能，其中該多個雷射光收集器設置在該處理室中，俾使該多個雷射光收集器之其中任二者位於不同之軸線上，且在掃描雷射光時，該處理室中該多個雷射光收集器每一者係在啟動狀態；以及分析已收集之雷射光線以求得處理室粒子資訊，其中該多個雷射光收集器使該處理容積內粒子分佈的三維(3-D)影像得以建構。
34. 如申請專利範圍第33項之收集處理室粒子資訊的方法，其中該處理室粒子資訊係用來在選自於由該處理室的處理室容積、處理室壁、處理室內襯、傳輸埠、傳輸埠O型環、基板、基板支架、處理室頂板及氣體分配板所組成之群組中至少一者內或其附近偵測粒子。
35. 如申請專利範圍第33項之收集處理室粒子資訊的方法，其中該處理室是化學蒸氣沉積室、電漿蝕刻室或熱蒸氣沉積室。
36. 如申請專利範圍第33項之收集處理室粒子資訊的方法，更包含：將該雷射光源與該多個雷射光收集器嵌入至一處理室壁或處理室內襯內。
37. 如申請專利範圍第36項之收集處理室粒子資訊的方法，其中 具有該雷射光源與該多個雷射光收集器之該處理室內襯係為可移除的。
38. 如申請專利範圍第33項之收集處理室粒子資訊的方法，其中該處理室粒子資訊包含在該處理室內粒子大小、粒子分佈與粒子所在位置的資訊。
39. 如申請專利範圍第33項之收集處理室粒子資訊的方法，其中該3-D影像包含粒子大小資訊。