TWI383463B - 基板收容容器及其製造方法 - Google Patents

基板收容容器及其製造方法 Download PDF

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Description

基板收容容器及其製造方法
在製造半導體晶圓等物件之生產線，乃將基板收容容器設置於預定位置，自動地打開基板收容容器之蓋體取出並處理半導體晶圓等物件並加以處理後，再收容到基板收容容器並搬運往下一個步驟進行製造。本發明係關於進行半導體晶圓等之精密基板的製造、運搬、保存時使用之基板收容容器及其製造方法，更詳細而言係關於針對半導體晶圓之生產線的加工裝置等器具之定位精確度高的基板收容容器及其製造方法。
以往，基板收容容器，有如第13圖(a)及第13圖(b)所示者，該基板收容容器係由設置有支撐半導體晶圓的支撐肋狀片(rib)2之容器主體1；以及裝卸自如地設置在容器主體1之開口部，且由裝設有密封墊(seal gasket)3之蓋體4所構成，而在蓋體4係設置有操作孔5。在容器主體1之底部，設置底板(bottom plate)6，並在容器主體1之上部設置有自動式凸緣(Robotic flange)7。在底板6之底面，係設有：用以將基板收容容器定位在生產線的預定位置之定位構件8及利用輸送帶搬運時防止脫落用之輸送帶接觸軌9等。如第13圖(c)所示，基板收容容器之定位構件8靠接在設置於生產線的加工裝置等之定位銷(pin)P，進行基板收容容器之正確的定位。之後，利用自動機打開蓋體4並從容器主體1取出半導體晶圓加以處理，處理後，再收容半導體晶圓到容器主體1內且封閉蓋體4。如此防止微小粉塵黏著於半導體晶圓而進行用以製造高度積體化之電路的基板之製造(參照專利文獻1)。
在上述的基板收容容器中，定位構件之定位精確度對於半導體晶圓等的生產力極為重要。若基板收容容器本身之定位精確度不足，則從基板收容容器取出放入半導體晶圓時，會有自動機的手部擦過半導體晶圓，或接觸而使半導體晶圓破損，以致降低半導體晶圓的良率之虞。
在上述之基板收容容器中，定位構件8係在底板6的底面設置於三個位置，來進行基板收容容器之定位。定位構件8如第13圖(c)所示，係具備有截面V字狀溝，以誘導加工裝置等之定位銷P到此截面V字狀溝的斜面，而正確地將基板收容容器定位在預定位置。
此外也有如下之方案：即基板收容容器之定位構件，為了提高定位精確度，在截面V字狀溝之最深部設置嵌入定位銷之定中心(centering)部，並對於截面V字狀溝之傾斜面的角度使定中心部形成銳角而可正確地進行定位。(參照專利文獻2)。
專利文獻1：日本特開2005－64378號公報專利文獻2：日本特開2002－353299號公報
在上述以往之基板收容容器，如第13圖(c)所示，相對於容器主體1側之底板6的壁厚定位構件8之厚度顯得非常厚。此係基於如下理由。定位構件之靠接位置縱使有些偏離亦可藉由傾斜面之向心效應來修正位置並在V字狀溝之最深部以可與定位銷靠接之方式，一對傾斜面之各面，為了吸收搭載位置的誤差必需要有某些程度之長度(定位銷之粗細的2倍程度)。因此定位構件容易形成較厚之形狀。又，收容半導體晶圓之基板收容容器的重量加在定位構件上，定位構件係必須要有足夠支撐其重量之強度，不能使壁厚太薄。將容器主體1與定位構件8成為一體地進行樹脂成形時，存在定位構件之壁厚部的冷卻需要較長之時間而生產效率差之缺點。因此藉由不同的樹脂成形步驟製造定位構件，並於容器主體之樹脂成形時藉由將定位構件安裝於成形金屬模具而進行插件成形(insert molding)，來提高生產效率。
第14圖(a)係表示定位構件8壁厚之情況，定位構件8，係於樹脂成形之冷卻步驟樹脂收縮兩傾斜面8a與上面8b容易發生縮陷(shrinkage cavity)，以目視很清楚可判斷發生縮陷時雖可作為不良品而排除但亦有難以判斷之情況。以高精確度對基板收容容器進行位置對準時，若使用發生此種縮陷之定位構件8時，基板收容容器之定位精確度將惡化，而可能有難進行半導體晶圓之高品質的加工處理。
因此，如第14圖(b)所示，有一種技術，係於對定位構件8進行樹脂成形時，藉由氣體輔助(Gas Assist)成形從澆口(gate)部8c注入高壓氣體設置模穴A，而一邊保持必要的強度，一邊使壁厚變薄，但因需要特別的設備而有使生產成本增高之缺點。又，在氣體輔助成形中，定位構件8之定位部為V字狀溝，從構成該V字狀溝之兩傾斜面8a之接觸部分散高壓氣體到左右，在藉由注入氣體形成之模穴A亦可能發生偏向一方，而有無法從外觀辨識所有的部分是否具有必需的厚度之缺點。此外，因氣體注入孔開口於澆口部8c，故為了提高基板收容容器的生產效率，在插件成形後，要用水冷卻容器主體，或於要使用基板收容容器而清洗基板收容容器時，將會從氣體注入孔流入冷卻水或清洗水到定位構件8之模穴A內，而要將此水去除之作業並不容易因而成為降低生產效率之要因。
再且，在進行容器主體之樹脂成形時，雖亦可考慮以使定位構件的壁厚均等之構件作為插件來進行插件成形，但於充填熔融樹脂到容器主體成形金屬模具時，由於容器主體與定位構件之接觸面形成凹凸，故會有因熔融樹脂迂迴地流過定位構件，或阻礙熔融樹脂流動之情形，而於熔融樹脂流動時形成波紋(flow mark)，或容易造成氣體滯留，而可能降低良率，有改善的必要。
本發明係鑒於上述課題而研創者，其目的係在提供一種基板收容容器及其製造方法，俾可以高精確度進行基板收容容器之位置對準，而提高基板收容容器之生產效率。
本發明係為解決上述課題而研創者，本發明之基板收容容器，係具有可取出放入基板的開口部之基板收容容器，在前述基板收容容器之一面配設複數個定位構件，且前述複數個定位構件之各個，在其一方至少具有一對定位用斜面，而在另一方具有開口部之框體，以及封閉前述框體的開口部之板狀構件，而前述基板收容容器，係以將前述定位構件成為一體地固著在前述基板收容容器之方式藉由插件成形(insert-molding)來成形。
依據本發明之一實施態樣，前述基板收容容器，係由設有開口部以收容基板之容器主體，以及封閉前述容器主體的開口部之蓋體所構成，且在前述容器主體之底部成為一體地設置有前述複數個定位構件。
又，依據本發明之一實施態樣，前述框體係具有：從前述框體之開口部朝外方向側方突出之凸緣(flange)；形成於述框體的開口部內側之段差部；以及大略設置在中央部，用以支撐前述板狀構件之支撐部，而前述板狀構件係嵌合於前述段差部。
並且依據本發明之一實施態樣，前述框體係具有其開口部由前述板狀構件封閉之中空部。
又，依據本發明之一實施態樣，前述板狀構件之外面，與前述基板收容容器之內面或前述容器主體之內面成為齊平。
再者，依據本發明的一實施態樣，前述框體由均勻的壁厚所形成，該壁厚係與前述基板收容容器或前述容器主體之一體地固著有前述定位構件之部分的壁厚相等。
並且，本發明之基板收容容器的製造方法，係具有可取出放入基板的開口部之基板收容容器的製造方法，其特徵在具有：形成複數個由框體與板狀構件所構成並形成有熔融樹脂之流路的定位構件之步驟；將以在前述框體的開口部封閉該開口部之方式嵌合前述板狀構件之前述定位構件配置於基板收容容器的容器主體成形用金屬模具之步驟；以及在前述容器主體成形用金屬模具注入容器主體用的樹脂而以前述定位構件成為一體地固定在容器主體之方式並藉由插件成形將容器主體加以成形之步驟。
依據本發明之一實施態樣，前述框體具有：從前述框體的開口部朝外方向側方突出之凸緣部與形成在該開口部內側之段差部；以及大略設置在中央部的用以支撐前述板狀構件之支撐部，且將前述板狀構件設成嵌入於前述段差部之構造，並於前述凸緣部的面，及在該凸緣部與前述板狀構件的周圍之間各自形成缺口(notch)與間隙，以作為熔融樹脂之流路。
依據本發明的基板收容容器，可一邊確保定位構件之框體的厚度達到機械強度所需的厚度，而無極厚的部分，且在樹脂成形時不會發生縮陷，而可提高定位構件之定位精確度。此外定位構件的開口部由板狀構件所阻塞，故有冷卻水或洗淨水不會流入定位構件內部之優點。
依據本發明之較佳的實施態樣，將容器主體進行樹脂成形時，形成容器主體之熔融樹脂流入凸緣部與板狀構件之間隙，而成為形成容器主體之樹脂咬進框體與板狀構件之構造，定位構件具有足夠的強度而可與容器主體形成為一體之構造。
此外，依據本發明的基板收容容器之製造方法，熔融樹脂流動在形成於定位構件之流路而予於充填，定位構件藉由樹脂成為一體地固著在容器主體，並且藉由形成在定位構件之流路熔融樹脂一樣地流動到容器主體成形用金屬模具的模穴(cavity)而予充填，可防止波紋與氣體滯留的發生，而可提供提高定位構件的定位精確度之基板收容容器。
再者，依據本發明之較佳的實施態樣，設置在框體的凸緣部的面之缺口，以及嵌合於設置在框體之段差部之板狀構件的周圍與凸緣部之間所形成之間隙，成為熔融樹脂的流路，藉由不因定位構件阻礙熔融樹脂之流動而使熔融樹脂流動，而有有效地抑制波紋或氣體滯留的發生之優點。
以下，就本發明的基板收容容器及其製造方法之實施形態，參照圖式加以說明。本發明之基板收容容器係利用自動機處理半導體晶圓等精密基板時使用者，可正確進行定位之基板收容容器。
首先，就本發明的基板收容容器之一實施形態，參照第1圖至第5加以說明。基板收容容器10，係具備有容器主體11以及裝卸自如地設置在容器主體11的開口部之蓋體14，而在蓋體14係設置操作孔15之同時亦裝設有密封墊14a。在容器主體11之內部，係設置支撐半導體晶圓W之支撐肋狀物11a以及接收半導體晶圓W之溝11b，而在蓋體14係設置有以預定的彈力按壓半導體晶圓W之按壓構件14b。於容器主體11之底部係設置底板12，而在容器主體11之上部係設置有自動式凸緣(robotic flange)13。在底板12，如第2圖及第3圖所示，係在三個位置設置有誘導處理半導體晶圓W之加工裝置等的定位銷並靠接保持之定位構件16。藉由誘導定位銷到定位構件16而嵌合在預定位置，基板收容容器10係針對加工裝置等正確地定位在預定位置。再者，容器主體11之構造，係並非限定於上述形態者。
定位構件16係於與基板收容容器10之容器主體11不同的樹脂成形步驟預先製造，而容器主體11係在容器主體成形用金屬模具以定位構件16作為插件(insert member)予以配置且藉由插件成形來成形。定位構件16，如第4圖及第5圖所示，係由內部形成為中空且一端開口之框體17以及封閉框體17的開口部之板狀構件18所構成。框體17之外殼係大致以均勻的壁厚形成，並於框體17之開口部側設有朝外方向朝側方(在第4圖及第5圖中為水平)突出之方形框狀的凸緣部17a，並於框體17之縱向的相反側亦即底部側形成有由一對的傾斜面17c、17d來誘導定位銷之V字狀溝17b。
定位構件16之框體17，係在凸緣部17a上面，設置突出部17a1 ，並在凸緣部17a的內周部設置有段差部17a3 。在凸緣部17a上面之突出部17a1 係於凸緣部17a之周方向隔著間隔設置缺口17a2 ，該缺口17a2 係在凸緣部 17a之相對的2邊之上的突出部17a1 之部位以相互面對之方式對稱地形成。又，在定位構件16之框體17內部，係設置有從V字狀溝17b的內側尖端部朝開口部側突出之支撐部17e。支撐部17e係形成在於框體17內側之大略中央部。於段差部17a3 載置板狀構件18時，板狀構件18之中央部靠接在支撐部17e。於利用V字狀溝17b定位時，支撐部17e係於定位銷靠接於V字狀溝17b時保持框體17不致破壞的程度之機械的強度，框體17之壁厚係可薄到與容器主體11的壁厚相同的厚度。
在注入樹脂用以成形容器主體11之前，定位構件16係在凸緣部17a的突出部17a1 與載置在段差部17a3 的板狀構件18的外周之間形成有間隙21a。此板狀構件18之外周的間隙21a，以及凸緣部17a上部的突出部17a1 間之缺口17a2 ，係形成容器主體11之樹脂成形時的熔融樹脂之流路。藉由此流路，縱使有定位構件16存在亦不妨礙熔融樹脂的流動，使熔融樹脂遍及容器主體成形用金屬模具的模穴之各部分之同時，並充填樹脂到這些間隙，而堅固地固定定位構件16在容器主體11。不用說，凸緣部17a的突出部17a1 上面與載置在段差部17a3 之板狀構件18的上面，係與容器主體11的內面成為齊平。再者定位構件16係亦可取代一對的傾斜面而藉由3個以上傾斜面來構成定部。
其次，關於本發明之上述實施形態的基板收容容器之造方法，參照第6圖至第9圖加以說明。第6圖係對基 板收容容器的容器主體11進行樹脂成形之容器主體成形用金屬模具的概略截面圖。第7圖至第9圖係表示製造步驟之主要部分截面圖。如第6圖所示，容器主體成形用金屬模具係由陰模(cavity block)19與型芯塊(core block)20所構成，在陰模19係設置有注入熔融樹脂之澆口孔19a。將容器主體11進行射出成形時，作為插件安裝另外形成好之定位構件16於陰模19，並設置型芯塊20，而於陰模19與型芯塊20之間係形成模穴21。之後從澆口孔19a注入熔融樹脂，並藉由插件成形來形成充填到模穴21內而與定位構件16成一體化之容器主體11。
定位構件16之框體17，係將與容器主體11相同之樹脂材料，譬如耐磨耗性佳的聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚醚酮、環烯聚合物、聚醚醯亞胺、聚醚碸等熔融樹脂進行射出成形來形成。相同地板狀構件18，係使用聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚醚醚酮、聚環烯烴聚合物、聚醚醯亞胺、聚醚碸等樹脂材料來成形。此外，於定位構件16之這些樹脂材料，係視需要使之含有碳纖或金屬纖維而賦予導電性，以防止與基板收容容器的自動搬運裝置之摩擦等引起的靜電之帶電。再者，框體17及板狀構件18之材質係並非限定於上述的樹脂材料。
在陰模19，如第7圖所示，係形成有嵌合且收容比定位構件16的框體17之凸緣部17a更下方的部分之凹嵌部19b，而在凹嵌部19b裝設框體17。然後藉由載置板狀構件18於框體17之段差部17a3 ，阻塞定位構件16的框體 17之開口部。板狀構件18係亦受到形成在框體17的中央部之支撐部17e所支撐。
接著，如第8圖(a)所示，移動型芯塊20並挿入到陰模19，而形成用以形成容器主體11之模穴21。型芯塊20係與板狀構件18接觸而固定定位構件16。在此狀態中，於板狀構件18與突出部17a1 之間形成間隙21a，而此間隙21a係形成於板狀構件18之全周。此間隙21a係經由在突出部17a1 以預定的間隔形成之缺口17a2 而與模穴21相通。
在陰模19設置型芯塊20後，從澆口孔19a藉由射出裝置(未圖示)注入熔融樹脂，則如第8圖(b)所示在模穴21係充填熔融樹脂。熔融樹脂係充填於定位構件16之板狀構件18的周圍之間隙21a與凸緣部17a上的缺口17a2 ，熔融樹脂冷卻後，形成有以插件成形的方式將具有中空部之定位構件16與容器主體11堅固地成為一體地固定之容器主體11。充填在模穴21內之熔融樹脂經冷卻步驟硬化後，如第9圖所示分離陰模19與型芯塊20，而取出容器主體11。
再者，定位構件16係各自在框體17的凸緣部17a形成缺口17a2 ，在板狀構件18之外周形成間隙21a，此外，藉由形成缺口17a2 在相互地面對之位置，而於注入熔融樹脂時，熔融樹脂係以這些缺口17a2 及間隙21a作為流路通過定位構件16之方式而流動。因此藉由定位構件16，使朝模穴21內之熔融樹脂的流量之均衡性與流速的平衡不至極端失衡，此外由於定位構件16不妨礙熔融樹脂的流動，故於容器主體11可防止發生波紋與氣體滯留。
如上所述，本實施形態之基板收容容器的製造方法係由下列步驟所構成：形成由設置有缺口17a2 、間隙21a之熔融樹脂的流路之大致均等的壁厚之框體17以及板狀構件18所構成之定位構件16的樹脂成形步驟；以封閉框體17的開口部之方式嵌合板狀構件18，並將其配置在基板收容容器10的陰模19(容器主體成形用金屬模具)之步驟；以及裝設型芯塊20於陰模19，並注入熔融樹脂到該模穴21內且以成為一體地固定定位構件16與容器主體11之方式而藉由插件成形而予成形容器主體11之步驟。藉由將定位構件16之框體17設成大致均勻之壁厚防止因不均勻的收縮引起的變形，而將預先高精確度地樹脂成形之定位構件16作為插件對容器主體11進行插件成形，故解除因定位構件16的熱收縮所引起之變形，且由於形成V字狀溝17b之傾斜面17c、17d不變形，而可製造以極高精確度達成定位構件16的位置對準之基板收容容器。
此外，在定位構件16，係形成有缺口17a2 及間隙21a之熔融樹脂的流路，在所成形之容器主體11不易發生波紋與氣體滯留，良率良好。又，在定位構件16沒存在不需要的孔，且定位構件16之壁厚薄，故可縮短冷卻步驟且縮短製造所需時間。而冷卻水與洗淨水不流入定位構件16內，故有可提高利用基板收容容器或此基板收容容器加工之半導體晶圓或半導體裝置的生產效率之優點。
其次就本發明之基板收容容器的別的實施形態，參照第10圖至第12圖加以說明。在第10圖至第12圖之實施形態中，基板收容容器係以半導體晶圓保持用之匣盒所構成。在本實施形態的匣盒30中，容器主體31係具備有略呈圓盤狀之上部端壁32及下部端壁33，以及以連結上部端壁32與下部端壁33且在內壁支撐半導體晶圓W之支撐部35相對向之方式所形成之一對的側壁34，並在這些構件的前端側形成有取出放入半導體晶圓W之開口部。並且，於容器主體31係在與前述開口部之相反側，設置有形成限制半導體晶圓W的支撐溝37之後支架(rear support)38。於本實施形態之匣盒30的容器主體31之下部端壁33的底部，係設置有與之前記載的實施形態相同之定位構件36於三個位置。這些定位構件36係藉由與之前記載的實施形態相同之製造方法，而與容器主體31之下部端壁33成為一體。
定位構件36係在與容器主體31不同的樹脂成形步驟製造，而容器主體31，係以定位構件36作為插件配置在容器主體成形用金屬模具而藉由進行插件成形而成形。定位構件36如第12圖所示，係由框體47以及封閉框體47的開口部之板狀構件48所構成。本實施形態之定位構件36，以俯視來看前方的2個略呈平行四邊形，後方的1個為矩形，但由於與上述之實施形態的定位構件16實質上為相同的構造，故省略其詳細的說明。再者，圖中符號47a、47b係個別表示凸緣部、V字狀溝，符號47c及47d係表示傾斜面，符號47e係表示支撐部，符號47a1 、47a3 係表示突出部、段差部。本實施形態之情況亦得到與之前記載的實施形態相同之效果。
再者，在與上述實施形態相關之基板收容容器的容器主體，係設置有3個位置的定位構件，但並非限定此形態。又，在基板收容容器，係亦可對應設置在半導體生產線等之自動搬運機、自動機或加工機等，而適當地形成導溝或導軌。此外，在上述基板收容容器之製造方法中，陰模係亦可為分割構造，或亦可於進行熔融樹脂之射出成形時，組合氣體輔助法或發泡成形。
(產業上之利用可能性)
如以上所述，與本發明相關之基板收容容器及其製造方法，係於進行半導體晶圓等精密基板之製造、搬運、保存時有用，尤其適合於以高精確度定位基板收容容器，來處理半導體晶圓等精密基板。
1,31．．．容器主體
2．．．支撐肋狀物
3．．．密封墊
4,14．．．蓋體
5．．．操作孔
6,12．．．底板
7．．．自動式凸緣
8,16．．．定位構件
8a．．．傾斜面
8b．．．上面
8c．．．澆口部
10．．．基板收容容器
11．．．容器主體
11a．．．支撐肋狀物
11b．．．溝
13．．．自動式凸緣
14a．．．密封墊
14b．．．按壓構件
15．．．操作孔
17,47．．．框體
17a,47a．．．凸緣部
17a1 ,47a1 ．．．突出部
17a2 ．．．缺口
17a3 ,47a3 ．．．段差部
17b,47b．．．V字狀溝
17c,17d．．．傾斜面
17e,35,47e．．．支撐部
18．．．板狀構件
19．．．陰模
19a．．．澆口孔
19b．．．凹嵌部
20．．．型芯塊
21．．．模穴
21a．．．間隙
30．．．基板收容容器
32．．．上部端壁
33．．．下部端壁
34．．．側壁
36．．．定位構件
37．．．支撐溝
38．．．後方支架
47c,47d．．．傾斜面
48．．．板狀構件
A．．．模穴
P．．．定位銷
W．．．半導體晶圓
第1圖係本發明之基板收容容器的一實施形態之透視圖。
第2圖係沿著第1圖的2－2線之水平截面圖。
第3圖係沿著第1圖的3－3線之垂直截面圖。
第4圖係第1圖之實施形態的定位構件之分解透視圖。
第5圖係第1圖之實施形態之定位構件之截面圖。
第6圖係用以說明本發明之基板收容容器的製造方法之一實施形態的容器主體成形金屬模具之概略截面圖。
第7圖係表示基板收容容器的製造步驟之主要部分的容器主體成形用金屬模具及定位構件之概略分解截面圖。
第8圖(a)係注入熔融樹脂到容器主體成形用金屬模具前之主要部分概略截面圖，第8圖(b)係注入熔融樹脂到容器主體成形用金屬模具後之主要部分概略截面圖。
第9圖係分離容器主體成形用金屬模具取出成形後之容器主體時之主要部分概略截面圖。
第10圖係表示本發明的基板收容容器之別的實施形態之透視圖。
第11圖係第10圖的實施形態之基板收容容器的底視圖。
第12圖係沿著第11圖的12－12線之截面圖。
第13圖(a)係習知的基板收容容器之透視圖，第13圖(b)係習知的基板收容容器之底視圖，第13圖(c)係表示習知的定位之說明圖。
第14圖(a)係表示習知的定位構件之一例的截面圖，第14圖(b)係藉由習知的定位構件之其他的例子之氣體輔助法成形的定位構件之截面圖。
11．．．容器主體
11a．．．支撐肋狀物
11b．．．溝
12．．．底板
13．．．自動式凸緣
14．．．蓋體
16．．．定位構件
14a．．．密封墊
14b．．．按壓構件
W．．．半導體晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板收容容器，係具有可取出放入基板的開口部，其特徵為：在前述基板收容容器之一面配設複數個定位構件，前述複數個定位構件之各個係具有：在其一方至少具有一對定位用斜面，而在另一方具有開口部之框體；以及封閉前述框體的開口部之板狀構件，而前述基板收容容器係將前述定位構件以成為一體之方式固定在前述基板收容容器並藉由插件成形(insert molding)而成形，前述框體具有：形成在前述框體之開口部內側之段差部；及大致設置於中央部，而支撐前述板狀構件之支撐部，且前述板狀構件係嵌合在前述段差部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板收容容器，其中，前述基板收容容器係由：設有開口部以收容基板之容器主體；以及封閉前述容器主體的開口部之蓋體所構成，而在前述容器主體的底部以成為一體之方式設置有前述複數個定位構件。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板收容容器，其中，前述框體具有：從前述框體的開口部朝外方向側方突出之凸緣部。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板收容容器，其中，前述框體係具有藉由前述板狀構件封閉其開口部之中空部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板收容容器，其中，前 述板狀構件的外面與前述基板收容容器之內面係成為齊平。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之基板收容容器，其中，前述板狀構件的外面與前述容器主體的內面係成為齊平。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板收容容器，其中，前述框體係由均勻的壁厚所形成，而該壁厚係與前述基板收容容器之一部分，亦即一體地固定有前述定位構件之部分的壁厚相等。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之基板收容容器，其中，前述框體由均勻的壁厚所形成，該壁厚係與前述容器主體之一體地固定有前述定位構件之部分的壁厚相等。
  9. 一種基板收容容器的製造方法，係具有可取出放入基板的開口部之基板收容容器的製造方法，其特徵在具有：形成複數個由框體與板狀構件所構成並形成有熔融樹脂的流路之定位構件的步驟；將以在前述框體的開口部封閉該開口部之方式嵌合前述板狀構件之前述定位構件配置於基板收容容器的容器主體成形用金屬模具之步驟；以及注入容器主體用的樹脂到前述容器主體成形用金屬模具而以前述定位構件成為一體地固定在容器主體之方式進行插件成形而成形容器主體之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板收容容器的製造方法，其中，前述框體具備有：形成有從前述框體的開口部朝外方向側方突出之凸緣部與形成在該開口部內側 之段差部；以及大致設置在中央部的支撐前述板狀構件之支撐部，且將前述板狀構件設成嵌入到前述段差部之構造，而各自在前述凸緣部的面形成缺口，以及在該凸緣部與前述板狀構件的周圍之間形成間隙，以作為熔融樹脂的流路。
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