TWI382442B - 電子束裝置 - Google Patents

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TWI382442B
TWI382442B TW098135924A TW98135924A TWI382442B TW I382442 B TWI382442 B TW I382442B TW 098135924 A TW098135924 A TW 098135924A TW 98135924 A TW98135924 A TW 98135924A TW I382442 B TWI382442 B TW I382442B
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Weiming Ren
Joe Wang
Xuedong Liu
Juying Dou
Fumin He
Feng Cao
Ren Yan
Xiaoli Guo
Wei He
Qingpo Xi
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Hermes Microvision Inc
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Description

電子束裝置
本發明是有關於一種使用掃描式電子顯微鏡，藉以進行樣本檢查(sample inspection)與缺陷複查(defect review)之帶電粒子束裝置。然而，應了解本發明具有更寬廣的應用領域。
帶電粒子束裝置通常使用一掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy：SEM)，其為半導體生產之已知技術。在半導體生產製程中，缺陷可發生於光罩或晶圓上。缺陷檢查系統(defect inspection system)與缺陷複查系統(defect review system)為監控半導體良率管理之兩種主要方式。
缺陷檢查系統可偵測粉塵(particle)、圖案缺陷(pattern defect)以及製程所產生的缺陷。典型地，由缺陷檢查系統所產生的偵測結果輸入至缺陷複查系統。缺陷複查系統可進一步分析缺陷之根源。對於大部分之帶電粒子束系統來說，成像解析度(決定可偵測之缺陷尺寸)以及生產能力(決定單位時間可偵測之缺陷數量)為進行樣本檢查與缺陷複查之主要考量。對於缺陷複查系統而言，用於形貌分析(topography analysis)之立體影像偵測也是一個需要的功能。第一圖為揭露於美國專利Petrov et al.(US 7,067,807)之檢查鏡筒(inspection column)，相關內容作為本案之參考。第二圖為揭露於美國專利Todokoro et al.(US 5,872,358)之高解析度掃描式電子顯微鏡(SEM)，相關內容作為本案之參考。
增加影像解析度是所有影像裝置的一個共同目標。影像解析度主要是根據電子束照射至樣本之光斑尺寸(spot size)而決定。為了將光斑尺寸縮減至奈米(nanometer)等級，通常使用數十仟伏或更高的加速電壓，來產生高速電子束。根據電子光學(electron optics)，當電子以高動能移動時可產生較小的像差。然而，對於造成樣本的放射性傷害乃是應用高動能電子束之另一個要考慮的問題。因此，電子束在撞擊樣本表面前需要減速。
生產能力主要是根據影像點(image spot)可多快掃描以及要掃描的視野有多大而決定。當視野較大時，電子光學(electron optics)可產生較大的偏軸像差(off-axis aberration)。對比地，磁性掃描偏轉裝置(magnetic scanning deflector)可產生較小的偏轉偏軸像差(deflection off-axis aberration)，但不能以較高速度掃描；靜電掃描偏轉裝置(electrostatic scanning deflector)可產生較大的偏轉偏軸像差(deflection off-axis aberration)，但能以較高速度掃描。
和透鏡內部偵測器(in-lens detector)相同，通常可藉由使用側向偵測器(side detector)而達成立體影像偵測。第三A圖與第三B圖顯示兩種典型側向偵測器之配置。第三A圖顯示一種側向偵測器之配置，其需要較大工 作距離，因此限制磁性物鏡結構而不能在樣品表面產生一強大的浸沒磁場，成像像差隨著增大的工作距離而增大。第三B圖顯示一種配置，其需要使用透鏡前掃描偏轉(pre-lens scanning deflection)；然而，這種配置具有較大的偏軸成像像差(off-axis imaging aberration)。
本發明是有關於一種使用掃描式電子顯微鏡，藉以進行樣本檢查(sample inspection)與缺陷複查(defect review)之帶電粒子束裝置。然而，應了解本發明具有更寬廣的應用領域。
根據本發明之改善成像解析度之系統與方法顯示於數個實施例。一實施例揭露一具有大尖端半徑之場發射陰極(field emission cathode)，藉以減少電子放射電流密度(electron emission current density)而不減少角密度(angular intensity)。另一實施例揭露，於陰極與陽極之間施加一跨越地電位的大加速電壓，藉在不降低角密度(angular intensity)下，減少總發射電流(total emission current)。另一實施例於聚光鏡(condenser lens)之前設置粒子束限制光圈(beam limit aperture)，藉以減少在粒子束限制光圈(beam limit aperture)之前所產生的Coulomb效應。另一實施例應用聚光鏡之激發電流(condenser lens excitation current)，藉以最佳化影像解析度而不改變探針電流(probe current)。另一實施例施加相對於 地電位，高正偏壓於電子束管(high positive tube bias)與高負偏壓於樣本(high negative sample bias)上，藉以減少像差(objective aberration)與Coulomb效應。根據本發明之系統與方法採用並改良浸沒磁場減速掃瞄物鏡(Swinging Objective Retarding Immersion Lens：SORIL)系統，藉以緩和大視野或電性漂移時之像差。
根據本發明之系統與方法應用具有快速掃描能力之SORIL物鏡，並且於樣本與偵測裝置之間施加一大電壓差，藉以提供樣本檢查、複查、物質判定(material identification)之較佳之生產能力。此種設計使得二次電子(secondary electron)以較大動能撞擊偵測器，而得到較高偵測增益。後續可提供較高信噪比(signal to noise ratio)而有益於影像品質。
根據本發明之系統與方法提供形貌分析(topography analysis)之解決方案，該解決方案應用並修改一多通道偵測器(multi-channels detector)。由不同通道所得到的信號可整合產生一立體影像。最後可確認所偵測缺陷之形貌分析(topography analysis)。該系統與方法可大幅減少掃描時的軸向(on-axis)與偏軸像差(off-axis aberration)，而增加高解析度之視野。
本發明將提供一種帶電粒子束裝置，其包含一電子束源、電子束鏡筒(electron beam column)以及一偵測單元。該裝置具有高解析度、高產能以及物質判定能力，適合作為缺陷檢查或複查工具。
下列敘述係用以使該領域普通技術人員能了解本發明之內容並據以實施，並提供作為專利申請案的內容及滿足其要件。然而，除了如下描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例施行，且本發明的範圍並不受實施例之限定，舉凡其他未脫離本發明所揭示精神所完成之各種等效改變或修飾都涵蓋在本發明所揭露的範圍內，因此本發明的範圍並不受實施例之限定，其以之後的專利範圍為準。
本發明是有關於一種使用掃描式電子顯微鏡，藉以進行樣本檢查與缺陷複查之帶電粒子束裝置。該裝置具有高解析度、高產能以及立體影像偵測。雖然本發明設計為一複查系統，本發明亦可作為一缺陷檢查系統以及一高效能掃描式電子顯微鏡。
為了藉由減少色像差(chromatic aberration)與降低電子束內電子間電荷交互作用效應，而得到最佳影像解析度，有多種方式可供應用。對於電子源來說，可選擇一氧化鋯/鎢場發射陰極(ZrO/W field emission cathode)作為電子源，該氧化鋯/鎢場發射陰極具有較大之槍尖尖端半徑，例如，尖端半徑介於1.2-1.6微米(micro)，而非傳統0.5微米之尖端半徑。當氧化鋯/鎢場發射陰極為一Schottky型熱發射源(Schottky type thermal emission source)時，氧化鋯塗佈於鎢發射槍尖。相對於傳統槍尖，較大的陰極槍尖尖端半徑於陰極槍尖表面產生較小的電子密度，因此降低電子間電荷 交互作用效應，而在電子源輸出具有較小能量散佈之入射電子束(primary beam)。使用較大的陰極槍尖尖端半徑的缺點為虛擬源尺寸(virtual source size)增大，然後需要一較大的縮倍(demagnification)，才能在樣本上得到最小的光斑(beam spot)。一較大的縮倍(demagnification)需要一強大的浸沒物鏡(immersion object lens)或較長的陰極槍尖至物鏡距離。
另一個降低電子間電荷交互作用效應的方法是減少電子的數量。本發明之一實施例於聚光鏡(condenser lens)之前設置粒子束限制光圈(beam limit aperture)。這種設計可快速限縮電子束電流至所需要的微小探針電流(probe current)，而減少電荷交互作用效應。這種設計的一優點是入射電子束(primary beam)通過光圈後不會被聚光鏡(condenser lens)影響。因此，不同衝擊能量(landing energy)與不同探針電流(probe current)之影像解析度可藉由調整對應之聚光鏡激發電流(condenser excitation current)而最佳化。
如上所述，當電子以高動能移動時，可產生較小像差。本發明之一實施例直接施加一大加速電壓於陽極與陰極槍尖之間，如同美國專利申請案Chen et al.(US 12/130879，申請於2008/5/30)所揭露，該大加速電壓，例如，施加跨越地電位的15KV或更大電壓於陰極與陽極之間。這種設計提昇了樣本上相對於地電位之負偏壓 之同時並降低了操作時樣本上發生微放電的可能性。例如，當陰極負偏壓設為-7KV，衝擊能量(landing energy)為3KeV時，相對於地電位之樣本偏壓由-12KV變成-4KV。
本發明之一實施例也應用美國專利申請案Chen et al.(US 12/130879，申請於2008/5/30)所揭露之另一方法。藉由減少電子行進時間而降低電荷交互作用效應。於電子束管上施加一相對於地電位之正偏壓，該電子束管導引該入射電子束由電子源至樣本表面。電子束管之偏壓與陽極之電壓相同或相近。
關於物鏡，本發明採用揭露於美國專利Chen et al.(US 6,392,231)之物鏡，藉以緩和像差。該浸沒磁場減速掃瞄物鏡(Swinging Objective Retarding Immersion Lens：SORIL)系統可大幅減少掃描時的軸向(on-axis)與偏軸像差(off-axis aberration)，而增加高解析度之視野。雖然浸沒磁場減速掃瞄物鏡可配備靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)或磁性偏轉裝置(magnetic deflector)，本發明採用靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)，藉以增加生產能力。
請參考第四圖與第六圖，控制電極486與控制電極686以具有高磁導率(magnetic permeability)之導電材質製成。該等控制電極被分別成型並設置為磁力物鏡482、682之外部極靴(polepiece)487、687之朝向光軸之延伸部。然而，控制電極486與控制電極686分別與外部極 靴(polepiece)487、687電性絕緣。控制電極486與控制電極686被施加一電壓VCE藉以控制樣本表面的電場小於一預定值，其可確保不產生樣本微放電。一典型預設電場強度值為1.8KV/mm。另一方面，控制電極486與控制電極686之電壓VCE可以被動態調整，藉以補償因為電性漂移所產生的影像失焦。由於影像是藉由電子束照射樣本表面而成像，該系統需要同步每一個元件的施加電壓與激發電流。在該等元件的任何電性漂移將會造成電子束的光斑尺寸變化與影像失焦。當影像失焦時，控制電極486與控制電極686之電壓VCE動態進行微聚焦。在相同激發電流下，該等控制電極486、686可增加SORIL物鏡系統之磁場強度。該等控制電極486、686可降低強制冷卻的迫切性，例如，於高激發電流操作之SORIL物鏡系統之水冷卻。
為呈現具有較佳成像像差之樣本表面立體影像，本發明採用美國專利申請案Wang et al.(US 11/668846)所揭露之多通道物鏡內閃爍探測器(multi-channels in-column scintillate detector)。為釋放(減少)工作距離，該閃爍探測器可以被多通道固態探測器(multi-channels solid state detector)或微通道板(micro channel plate：MCP)所取代。由樣本表面特徵之不同側所發射的電子可以被不同通道所收集。因此，由不同通道的信號可顯示不同方向所擷取的表面特徵影像，並且合成產生一立體影像，最後可確認所偵測缺陷之形貌分析(topographv analysis)。
檢視激發電壓與位置圖可有助於瞭解帶電粒子成像系統(charge particle imaging system)。第四圖顯示本發明第一實施例之具有磁性偏轉裝置(magnetic deflector)之系統400之結構。電子束410由陰極槍尖(cathode tip)420發射，經過陽極430之電壓加速，穿過電子槍孔徑(gun aperture)440、粒子束限制光圈(beam limit aperture)442、電子束管(beam tube)450、聚光鏡(condenser lens)460以及改良之SORIL物鏡系統480，然後照射至樣本表面490。改良之SORIL物鏡系統480包含磁力物鏡(magnetic objective lens)482、設置於電子束管(beam tube)450外側之磁性偏轉裝置(magnetic deflector)484以及改良之控制電極486。由樣本表面490發射之二次電子(secondary electron)412由多通道探測器(multi-channels detector)470收集，藉以形成偵測區域之立體影像。進行物質判定時，電子束410照射位置所產生之X射線414由能譜儀探測器(energy dispersive spectrometer detector：EDS)472收集，藉以呈現物質特性。
第五A圖至第五C圖顯示以磁性偏轉裝置(magnetic deflector)操作之帶電粒子束系統400之激發電壓與位置圖。第五A圖顯示檢查或複查樣本之一範例。施加15KV跨越地電位0V之電子束加速電壓於陰極Vc與陽極Va之間。電子束管偏壓Vb可設為與陽極相同之電壓。為避免樣本表面因電子束撞擊而損壞，電子束離開電子束管後， 電子束藉由控制電極電壓Vce與樣本表面偏壓Vs而減速，達到預定之衝擊能量(landing energy)，例如，0.5KeV至5KeV。藉由能譜儀(energy dispersive spectrometer：EDS)進行缺陷化學成份之物質判定時，位於缺陷之電子衝擊能量(landing energy)分別設為10KeV與15 KeV，且樣本表面偏壓設為0V。第五B圖顯示根據本案一實施例，以10KeV之衝擊能量(landing energy)進行EDS分析之激發電壓分佈之一範例；第五C圖顯示根據本案一實施例，以15KeV之衝擊能量(landing energy)進行EDS分析之激發電壓分佈之一範例。
第六圖顯示本發明第二實施例之具有靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)之系統600結構。電子束610由陰極槍尖(cathode tip)620發射，經過陽極630之電壓加速，穿過電子槍孔徑(gun aperture)640、粒子束限制光圈(beam limit aperture)642、較短之電子束管(beam tube)650、聚光鏡(condenser lens)660以及改良之SORIL物鏡系統680，然後照射至樣本表面690。改良之SORIL物鏡系統680包含磁力物鏡(magnetic objective lens)682、設置於磁力物鏡(magnetic objective lens)682之中央孔(central bore)內部之靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)684以及改良之控制電極686。由樣本表面690發射之二次電子(secondary electron)612由多通道探測器(multi-channels detector)670收集， 藉以形成偵測區域之立體影像。進行物質判定時，電子束610照射位置所產生之X射線614由能譜儀探測器(EDS detector)672收集，藉以呈現物質特性。
第七A圖至第七C圖顯示以靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)操作之帶電粒子束系統600之激發電壓與位置圖。第七A圖顯示檢查或複查樣本之一範例。施加15KV跨越地電位0V之電子束加速電壓於陰極Vc與陽極Va之間。電子束管偏壓Vb可設為與陽極相同之電壓。當以地電位偏壓操作時，靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)684較容易被激發。為避免樣本表面因電子束撞擊而損壞，電子束離開磁力物鏡(magnetic objective lens)682後，藉由控制電極電壓Vce與樣本表面偏壓Vs減速，達到預定之衝擊能量(landing energy)，例如，0.5KeV至5KeV。藉由能譜儀(EDS)進行缺陷化學成份之物質判定時，位於缺陷之衝擊能量(landing energy)分別設為10KeV與15 KeV，且樣本表面偏壓設為0V。第七B圖顯示根據本案一實施例，以10KeV之衝擊能量(landing energy)進行EDS分析之激發電壓分佈之一範例；第七C圖顯示根據本案一實施例，以15KeV之衝擊能量(landing energy)進行EDS分析之激發電壓分佈之一範例。
上述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟悉此技藝之人士能了解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即凡其他未脫離本發明所揭示精神所完成之各種等效改變或修飾都 涵蓋在本發明所揭露的範圍內，均應包含在下述之申請專利範圍內。
100‧‧‧萃取器
110‧‧‧電子束
120‧‧‧陰極
140‧‧‧陽極管
150‧‧‧電子束光圈
160‧‧‧聚光鏡
180‧‧‧偏轉裝置
184‧‧‧磁性偏轉裝置
185‧‧‧磁力物鏡
186‧‧‧控制電極
190‧‧‧樣本
200‧‧‧萃取器
210‧‧‧電子束
220‧‧‧陰極
230‧‧‧陽極
250‧‧‧電子束光圈
260‧‧‧聚光鏡
280‧‧‧偏轉裝置
285‧‧‧磁力物鏡
286‧‧‧控制電極
288‧‧‧偵測器
289‧‧‧加速管
290‧‧‧樣本
310a‧‧‧電子束
380a‧‧‧偏轉裝置
381a‧‧‧側向偵測器
385a‧‧‧磁力物鏡
386a‧‧‧控制電極
390a‧‧‧樣本
310b‧‧‧電子束
380b‧‧‧偏轉裝置
381b‧‧‧側向偵測器
385b‧‧‧磁力物鏡
386b‧‧‧控制電極
390b‧‧‧樣本
400‧‧‧帶電粒子束裝置
410‧‧‧電子束
412‧‧‧二次電子
414‧‧‧X射線
420‧‧‧陰極槍尖
430‧‧‧陽極
440‧‧‧電子槍孔徑
442‧‧‧粒子束限制光圈
450‧‧‧電子束管
460‧‧‧聚光鏡
470‧‧‧多通道探測器
472‧‧‧能譜儀探測器
480‧‧‧SORIL物鏡系統
482‧‧‧磁力物鏡
484‧‧‧磁性偏轉裝置
486‧‧‧控制電極
487‧‧‧外部極靴
490‧‧‧樣本表面
600‧‧‧帶電粒子束裝置
610‧‧‧電子束
612‧‧‧二次電子
614‧‧‧X射線
620‧‧‧陰極槍尖
630‧‧‧陽極
640‧‧‧電子槍孔徑
642‧‧‧粒子束限制光圈
650‧‧‧電子束管
660‧‧‧聚光鏡
670‧‧‧多通道探測器
672‧‧‧能譜儀探測器
680‧‧‧SORIL物鏡系統
682‧‧‧磁力物鏡
684‧‧‧靜電偏轉裝置
686‧‧‧控制電極
687‧‧‧外部極靴
690‧‧‧樣本表面
第一圖顯示一先前技術之系統結構。
第二圖顯示另一先前技術之系統結構。
第三A圖與第三B圖顯示兩種典型側向偵測器之配置。
第四圖顯示本發明第一實施例之系統結構之示意圖。
第五A圖至第五C圖顯示以磁性偏轉裝置(magnetic deflector)操作之帶電粒子束系統400之激發電壓與位置圖。
第六圖顯示本發明第二實施例之系統結構之示意圖。
第七A圖至第七C圖顯示以靜電偏轉裝置(electrostatic deflector)操作之帶電粒子束系統600之激發電壓與位置圖。
400‧‧‧帶電粒子束裝置
410‧‧‧電子束
412‧‧‧二次電子
414‧‧‧X射線
420‧‧‧陰極槍尖
430‧‧‧陽極
440‧‧‧電子槍孔徑
442‧‧‧粒子束限制光圈
450‧‧‧電子束管
460‧‧‧聚光鏡
470‧‧‧多通道探測器
472‧‧‧能譜儀探測器
480‧‧‧SORIL物鏡系統
482‧‧‧磁力物鏡
484‧‧‧磁性偏轉裝置
486‧‧‧控制電極
487‧‧‧外部極靴
490‧‧‧樣本表面

Claims (20)

  1. 一種使用掃描式電子顯微鏡，藉以檢查樣本與複查缺陷之帶電粒子束裝置，包含：一主要粒子束源(primary particle beam source)，用以產生一入射粒子束(primary particle beam)，其中，該主要粒子束源(primary particle beam source)具有一氧化鋯/鎢場發射陰極(ZrO/W field emission cathode)；一加速電極(陽極)，用以加速所產生的該入射粒子束(primary particle beam)；一粒子束限制光圈(beam limit aperture)，用以調整較佳之探針電流(probe current)；一聚光鏡(condenser lens)，用以聚集該入射粒子束；一粒子束管(beam tube)，該粒子束管具有一相對於地電位之正偏壓，用以導引該入射粒子束朝向欲檢查之樣本；一SORIL型物鏡系統(SORIL type objective lens system)，用以將該入射粒子束聚焦成為一電子束探針(electron beam probe)；一欲檢查之樣本，該樣本具有一相對於地電位之負偏壓；以及一偵測系統(detection system)，用以偵測當該電子束探針照射時，由該樣本發射之二次電子(secondary electron)與X射線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該 氧化鋯/鎢場發射陰極槍尖之尖端半徑大於或等於1.0微米(micron)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該氧化鋯/鎢場發射陰極槍尖之尖端半徑介於1.2-1.6微米(micron)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該氧化鋯/鎢場發射陰極具有一相對於地電位之負偏壓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該加速電極具有一相對於地電位之正偏壓。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該加速電極與該氧化鋯/鎢場發射陰極之電壓差大於或等於10 KV。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該加速電極與該氧化鋯/鎢場發射陰極之電壓差大於或等於15 KV。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該粒子束限制光圈設置於該聚光鏡之前。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該粒子束管被施加與該加速電極相同之電壓。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該粒子束管被施加與該加速電極相近之電壓。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該樣本之相對於地電位之偏壓小於或等於-4KV，且不運作EDS時，該樣本之相對於地電位之偏壓高於該氧化鋯/鎢場發射陰極之偏壓。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該 SORIL型物鏡系統(SORIL type objective lens system)包含：一磁力透鏡，藉以在該樣本附近生成一磁場，使得該電子束探針聚焦於該樣本，該磁力透鏡具有一可供電子束通過之中央孔；一控制電極，該控制電極相對於該樣本之電壓具有正偏壓，藉以控制樣本表面之減速電場值(retarding electric field value)低於一數值，該數值可確保不產生樣本微放電，且當影像失焦時，該控制電極可進行微聚焦；以及偏轉系統(deflection system)，用以使該電子束探針(electron beam probe)變換方向，藉以掃描該樣本。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之帶電粒子束裝置，其中，該樣本表面之減速電場值為1.8KV/mm，藉以避免樣本微放電。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之帶電粒子束裝置，其中，該控制電極以具有高磁導率(magnetic permeability)之導電材質製成。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之帶電粒子束裝置，其中，該控制電極為該磁力物鏡之外部極靴(polepiece)之朝向光軸之一延伸部。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之帶電粒子束裝置，其中，該控制電極提供操作EDS時，不需強制冷卻之功能。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之帶電粒子束裝置，其中，該控制電極與該磁力物鏡之外部極靴(polepiece)電性絕緣。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中，該偵測系統更包含：用以偵測該電子束探針照射時，由樣本發射之二次電子之偵測器；以及用以偵測該電子束探針照射時，由樣本發射之X射線之偵測器。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之帶電粒子束裝置，其中，該用以偵測二次電子之偵測器為一多通道偵測器，藉以呈現立體影像。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之帶電粒子束裝置，其中，該用以偵測X射線之偵測器為一能譜儀探測器(energy dispersive spectrometer detector：EDS)，藉以進行物質判定。
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