TWI378561B - Thin film transistor, thin film transistor display panel, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

1378561 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一薄膜電晶體'一薄膜電晶體顯示面板及 其製造方法，且更特定言之係關於一具有晶態矽之薄膜 電晶體、一具有該薄膜電晶II之薄膜電曰曰曰體顯*面板及一' 其製造方法。 【先前技術】
通常，一薄膜電晶體（TFT)用作一開關裝置以獨立地驅 動-平面顯示裝置之像素，該平面顯示裝置例如為一液晶 顯示（LCD)裝置及一有機發光顯示（〇LED)裝置。_薄膜電 晶體顯示面板包括該等薄膜電晶體、連接至該等薄膜電晶 體之像素電極、用於傳輸掃描訊號至該等薄膜電晶體之掃 描訊號線（或閘極線）及用於傳輸資料訊號之資料線。 該等薄膜電晶體中每個薄膜電晶體包括__連接至該開極 線之閘電極、-連接至該資料線之源電㉟、一$接至該像 素電極之汲電極及一安置於該源電極與該汲電極之間^該 ]電極上的半導體。薄膜電晶體根據來自該等閘極線之掃 描讯號自該等資料線傳輸資料訊號至該等像素電極。此 處’薄膜電晶體之該半導體由多晶㈣非^製成。 通常，石夕根據其結晶狀態分類為非晶石夕及多晶石夕。由於 該非晶矽可於一低溫下沉積而形成一薄膜，故非晶矽主要 用於-用具有一低炫點之玻璃作為一基板之顯示裝置。然 而與Ba態矽比較，由於非晶矽之低場效應遷移率，故兮 顯示裳置很難藉由於—面板上直接設計且形成一驅動電： 109564.doc 1^/8561 而建構U内置（Chip_ln_Gias^ @此其生產成本辦 加。 於另-方面’雖然多晶衫具有較非m好之場效應遷 移率，但用於形成多晶矽之方法極其複雜。 【發明内容】
不範性實施例提供一具有高電子遷移率且能夠將生產 成本降至最低之薄膜電晶體、一具有該薄膜電晶體之薄膜 電晶體顯示面板及一製造該薄膜電晶體之方法。 另一示範性實施例提供一製造一薄膜電晶體之方法，該 方法能夠藉由使用一線形半導體（奈米線）形成-薄膜電晶 體之半導體。 —於一根據本發明之示範性實施例中，提供一薄膜電晶 體’其包括-形成於一基板上且具有複數個槽紋之框、安 置於該等槽紋中至少—個槽紋中之線形半導體、—與該等
線形半導體重疊之第—電極及連接至該等線形半導體兩端 之第二及第三電極。 於另一根據本發明之示範性實施例中，提供一薄膜電晶 體顯不面板包括—基板、—形成於該基板上且具有複 數個槽紋之框、—安置於該等槽紋中至少—個槽紋中之線 > 一導體 與6玄尊線形半導體重疊之閘極線、連接至該 等線形半導體兩端之―資料線及—没電極及—連接至該汲 電.極之像素電極。 提供一種製造一 一基板上形成具 *於另一根據本發明之示範性實施例中， 薄膜電晶體顯示面板之方法，其包括：於 109564.doc 1378561 有複數個槽紋之框；將線形半導體安置至該等槽紋中；形 成一與該等線形半導體重疊之閘極線；形成與該開極線隔 離且相交之一資料線及一汲電極，其中該資料線及該汲電 極連接至該等線形體兩#;且形成一連接至該汲電極 之像素電極。 本發明之以上及其他特徵及優勢藉由參看附圖詳細描述 其示範性實施例而變得更加顯而易見。 【實施方式】 在下文中參看附圖將詳細地描述本發明之示範性實施 例以使熟習該項技術者可容易地實現本發明1而，本發 明可以各種態樣實施。本發明不限於下文中描述之實施 例。 於該等圓中，出於清楚地說明 度。此外，整個說明書中相同元件由相同參考數字表示： 若提及一層、膜、區或板置放於一不同元件上，則其包括 忒層、膜、區或板直接地置放於該不同元件上之情況及另 —元件安置於其間之情況。與此相反，若提及一元件直接 也置放於丨7C件上’則其意謂無元件安置於其間。全文 2相同數字係指相同元件。如此處所使用，術語,,及/或" 包括相關所列出之項中一或多者之任一及所有… ㈣解’雖然術語第_、第二 '第三等等可用於此處以 元件、組件、區域、層及/或戴面，但此等元 ㈣ 及/或截面不應受此等術語之限制。 此4術語僅僅用以區別—元 个、讦&域、層或截面與 «09564.doc 1378561 二兀件組件、區域、層或截面。因此，不脫離本發明之 2下所討論之—[元件、組件、區域、層或截面可 冉，"、—第二元件、組件、區域、層或截面。 "2處為了方便描述，可使用空間相對術語（例如"下部"、 上邛及其類似物)以描述如圖中所說明之一元件或特徵與 .其他元件或特徵之間之關係。應瞭解除了圓t所描述之i 位及等空間相對術語意欲包含使用中或操作中裝置之不 同定位。舉例而言，若將圖中之裝置翻轉，則相對於其他 兀件或特徵播述為"下部"之元件㈣於其他 定位…"。因此示範性術語"下部”可包含上部= 之疋位可以其他方式定位該裝置（旋轉9〇度或其他 疋位）且相應地解釋此處所用之空間相對描述符。 此處所用之術語僅為出於描述特定實施例之目的且非意 欲限制本發明。除非上下文另外清楚地說明，否則如此處 所使用之單數形式’ 一”及”該"意欲亦包括複數形式。應進 一步理解術語"包含（comprises)"及/或"包含（_㈣如幻"（當 於此說明書使用時）指定規定之部件、整體、步驟、操 作、元件及/或組件之存在，但並非排除一或多個其他部 件、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在 或加入。 參看示意性地說明本發明之理想實施例（及中間結構）之 典型說明而於此處描述本發明之實施例。因此，預期會出 現由於例如製造技術及/或容差所導致之圖例之形狀之改 變。因此本發明之實施例不應理解為受限於此處所說明區 109564.doc 1378561 域之特定形狀而可包括由例如製造產生之形狀偏差。 舉例而。，說明為一矩形之—植入區域通常將具有圓或 彎曲之特徵及/或於其邊緣處具有一植入濃度梯度而不是 自植入區域至非植入區域之二元變化。同樣地，一藉由植 入形成之埋人區域可於該埋人區域與經其發生該植入之表 面之間的區域中產生羊此兹择 ή生杲二耘度的植入。因此，圖中所說明 之區=貫際上為示意性的立其形狀並非意欲說明裝置之區 域之貫際形狀且並非意欲限制本發明之範鳴。 ㈣’此處所用之所有術語（包括技術及科學 術钧具有與一般熟習本發明所屬技術之技術者所通常理 解之相同意義。應進-步理解諸如通常所用字典中定義之 術語應解釋為具有與其於相關技術情形中之意義一致之意 義’且除非此處明白地如此定義，否則不應解釋為理想： 或過度形式化意義。，現在’參看附圖而將描述根據本發明 之一薄膜電晶體、一薄膜電晶體顯示面板及一種其製造方 法之示範性實施例。 參看圓1至圖4而將詳細描述一根據本發明用於-顯示裝 置之一薄膜電晶體顯示面板之示範性實施例。圖i為一展 示根據本發明之-用於液晶顯示裝置之薄膜電晶體顯示面 板中的一像素之一示範性實施例之布局圖，圖2為-展示 圖1中所示之薄膜電晶體顯示面板之一部分„的放大布局 圖’圖3為-沿旧之線！謂，.截，取之薄膜電晶體顯示面板 之截面圖，且圖4為一沿圖2之線IV_IV，截取之截面圖。 參看圖於一透明介電基板11〇上形成複數個由一 109564.doc 1378561 透明有機材料製成之框800。該等框8〇〇中每個框具有複數 個槽紋Η。將該等槽紋810排列為於縱向方向及橫向方向上 大體上彼此平行。於示範性實施例中，槽紋81〇中每個槽 紋之同度Η可為2 μιη或更小。鄰近槽紋8丨〇之間之間隔[可 為於約2 μιπ至約4 μπι之範圍中。於另一示範性實施例中， 鄰近槽紋810之間之該間隔L可為於約2 至約3 μπι之範 圍中。於其他示範性實施例中，框8〇〇之平面圖案在一大 體上垂直於該間隔L之方向上的側長度為於4只爪至1〇 μιη 之範圍中。 用大體上沿槽紋8 1 0之縱向方向延伸之複數個線形半導 體來填充槽紋810。每一線形半導體154(奈米線）包括一核 心154a、一環繞該核心154a之絕緣層15朴及一環繞該絕緣 層1 54b之導電層1 54c。該核心可包括但不限於一單晶。於 示範性貫施例中，藉由移除安置於該等線形半導體1 54中 每個半導體兩端之該導電構件1Mc及該絕緣層1Mb之一部 分，而可使該核心154a暴露。 環繞半導體154之核心154a之絕緣層15仆主要用作薄膜 電晶體之閘極絕緣層。 於該基板110上形成大體上沿縱向方向延伸之複數個閘 極線1 2 1及儲存電極線13 1。該等閘極線i 2 i傳輸閘極訊號 且包括複數個閘電極124。參看圖1 ,該等閘電極124自閘 極線12 1沿一大體上垂直於閘極線】2】之方向向下延伸且與 線形半導體154重疊。閘電極124於大體上垂直於槽紋81〇 之縱向方向凸出。 109564.doc -10· 1378561 該等儲存電極線131接受諸如一施加於一共同電極（未圖 不）之共同電壓之預定電壓。儲存電極線131包括儲存電極 再次參看圖】’該等儲存電極133自儲存電極線131之 兩對置面沿一大體上垂直於儲存電極線131之方向凸出， 實貝上為自儲存電極線13 1"沿向上及向下方向擴展”。
於示範性實施例中，閘極線12丨及儲存電極線〗3 1可由一 諸如鉬（Mo)及一鉬合金之鉬基金屬、一諸如鉻（Cr) '鈦 (Τι)或鈕（Ta)及其合金之耐火金屬製成。於替代性示範性 貫施例中，閘極線121及儲存電極線13 1可具有一種包括具 有不同物理特性之兩層導電層（未圖示）之多層結構。於一 不範〖生實細*例中’該兩層導電層之一者可由一耐火金屬製 成。另-導電層可由一具有低電阻率之金屬製成。為了降 低閘極線12〗及儲存電極線131之訊號延遲及電壓降落，該 金屬之不粑性實施例可包括（但不限於）一諸如鋁（Μ)及一 鋁合金之鋁基金屬、一諸如銀(Ag)及一銀合金之銀基金 ^ 諸如銅（CU)及銅合金之銅基金屬。於另-示範性 實施例巾，較佳存在一種組合一下部紹（合金）層及一上部 鉻（或鉬）（合金）層之雙層結構。 ;丁犯！生實細例中，問極線121之側面可以相對於一基 板110之表面方式傾斜。於—示範性實施例中，較佳地， 傾斜角為於約30。至約8〇。之範圍中。 於閘極線12 1上形成一層 取層間絕緣層160。該層間絕緣層 1 6 0可由一材料製成，兮 °才枓為一諸如氮化矽及氧化矽之 無機絕緣材料、—±· Ά m , 機、€，.彖材料 '一低介電常數絕緣材 I09564.doc
-1U 1378561 料、一包括前述中至少—括、 材料之組合。於干範㈣Γ 所述目的之任何 之介電常數^ 例中，該低介電常數絕緣材料 之二：：數為4.0或更小。於一說明性示範性實施例中， “電吊數絕緣材料可為—藉由使用—電 沉積卿VD)方法而形成之非晶si:⑶或非 ，相 層間絕緣層160由一且右成止β ^ · — 由八有感先性之有機絕緣材料製成。 將該層間絕緣層16G之—表面平坦化。此.外，層間絕緣層
160可具有—下部無機層及_上部有機層之雙層結構以保 護線形半導體154之暴露部分且以具有該有機層之優勢。 藉由移除於線形半導體154中每個線形半導體兩端之絕 緣層㈣之-部分及導電構㈣㈣—部分，於層間絕緣 層160中形成接觸孔163及165而使核心15钩暴露。 於層間絕緣層160上形成複數個資料線171及複數個汲電 極 175。 用於傳輸資料訊號之資料線171沿一橫向方向大體上垂 直地延伸而與閘極線12 1相交。資料線丨7!包括經由該等接 觸孔1 63連接至線形半導體丨54之核心〗5牯之源電極丨73。 資料線171中每個資料線之一端部分可具有一放大區以 與其他層或外部驅_電路連接（未圖示於一說明性示範 性實施例中’一用於產生資料訊號之資料驅動電路（未圖 示）可整合至基板11 0上且資料線1 7 1可直接連接至該資料 驅動電路。 各個汲電極1 7 5與一源電極1 7 3分離且經由一接觸孔1 6 5 連接至一線形半導體1 54之核心1 5 4 a。於示範性實施例 109564.doc 12 =，資料線171及汲電極175可用一由一材料製成之導電層 —構，該材料為一鋁基金屬、一銀基金屬、一銅基金屬、 鉬基金屬、鉻（Cr)、鈦（Ti)、或鈕（Ta)、或其合金。於替 • 、陡不範性實施例中，資料線171及汲電極175可具有一包 • 2個具有不同物理特性之導電層（未圖示）之多層結構。 、—不範性實施例中’為·了降低訊號延遲或電壓降落，該 二層導電層中之一者可由一具有低電阻率之金屬製成，該 •:屬包括但不限於—銘基金屬 '一銀基金屬及一銅基^ 另-導電層可由-具有良好物理、化學、及與其他材 料（特定言之，ITO(氧化銦錫）及IZ〇(氧化銦鋅））之電接觸 特，之材料製成，例如一翻基金屬、絡、欽及艇。於另一 - 不乾性實施例中’較佳存在一下部鉻層與上部鋁（合金）層 之組合及一下部鋁（合金）層與一上部鉬（合金）層之組合。 :;斗線1 71及及電極1 75之側面以相對於基板〗】〇之該表 面之方式傾斜。於示範性實施例中，傾斜角為於約3〇。至 籲約80。之範圍中。於資料線171、沒電極π及層間絕緣層 160上形成一鈍化層刚。於示範性實施例中，該鈍化層 副可由與層間絕緣層16_同之材料建構。純化層⑽包 括複數個使汲電極！ 75暴露之接觸孔〗85。 像不電極190可包括一諸如IT〇(氧化鋼錫）及肋（氧化銦 鋅）之透明導電材料、或—諸如紹⑷）及銀（Ag)之不透明反 射導電材料。 < 該等像素電極190經由該等接觸孔185連接至汲電極 J75，且對其施加來自汲電揭】乃之資料電壓。 i09564.doc 1378561 經施加該資料電壓之像素電極19〇連同一經施加共同電 壓之共同電極（未圖示）產生一電場，以使得該等兩電極之 間之液晶層（未圖示）之液晶分子經對準。此外，當電流流 ， 經該等兩電極之間之一發光層（未圖示）時，可發出光。 , 像素電極190及安置於面對像素電極190之顯示面板上之 共同電極構成電容器（下文中，稱為"液晶電容器"）以甚至 當薄膜電晶體關閉時維持該等外加電壓。為了增加電壓儲 φ 存容量，提供另一平行地連接至該液晶電容器之電容器， 且此電容器稱為一儲存電容器。藉由使像素電極19〇與儲 存電極線13丨重疊而建構儲存電容器。於示範性實施例中 . 4 了增加儲存電容器之電容（意即，儲存電容），儲存電極 線1 3 1可包括具有與儲存電極線1 3 1之其他部分相比之增大 之寬度之儲存電極133。於替代性示範性實施例中，藉由 使像素電極】90與鄰近閘極線121(下文中，稱為"前閉極線 重疊而建構儲存電容器。 • 於示範性實施例中，鈍化層180可包括一低介電常數有 機材料且藉由使資料線171與閘極線121重疊而可建構像素 電極1 90，以致可增加孔徑比。 於一根據本發明之示範性實施例中，由於線形半導體 154可由具有高遷移率之單晶石夕製《，故該薄膜電晶體可 具有一與一使用非晶矽或多矽之薄膜電晶體之驅動效能相 比改良的驅‘效能。有利地，薄膜電晶體可用作為一使施 加於像素之資料電壓打開或關閉之開關裝置及一構成一門 極驅動電路及一資料驅動電路之驅動裝置。於其他示：： Ϊ 09564.doc 1378561 貝她例$，當薄膜電晶體顯示面板中形成開關像素之薄膜 電a曰體時|彳可形成該等間極及資料驅動電路連同開闕像 素之薄膜電晶體。 參看圖5至148連同圖1至4’將詳細描述-種製造圖1至4 中所不薄膜電晶體顯示面板之方法之一示範性實施例。 圖5為一展示根據本發明之一種製造圖丨至4中所示用於 液BB 員示裝置之薄膜電晶體顯示面板之方法的一中間步驟 i 之一不範性實施例之布局圖，圖谷A及6B為沿圖5之線VIA- VIA1及VIB-VIB’截取之薄膜電晶體顯示面板的截面圖，且 圖7A及7B為展示繼圖6A及6B所示步驟之後之一製造方法 > 之步驟的示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板之截面圖。 圖8A及8B為展示繼圖7A及7B中所未步驟之後之一製造方 法之步驟的示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板之截面 圖，圖9為一展示於繼圖8A及8B’所示步驟之後之一製造方 法之一步驟的示範性實施例中之薄膜電晶體顯示面板之一 示範性實施例之布局圖，且圖1 〇A及10B分別為沿圖9之線 XA-XA'及XB-XB'截取之薄膜電晶體顯示面板的薄膜電晶 體顯示面板截面圖之示範性實施例。圖11為一展示繼圖9 中所示步驟之後之一製造方法一步驟之一示範性實施例的 薄膜電晶體顯示面板之布局圖，圖12 Α及12Β分別為沿圖 11之線ΧΙΙΑ-ΧΠΑ1及ΧΙΙΒ-ΧΠΒ，截取之薄膜電晶體顯示面 板的截面圖，圖Γ3為一展示繼圖11中所示步驟之後之一製 造方法之一步驟的一示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板 之一示範性實施例的布局圖，且圖14Α及14Β分別為沿圖 l09564.doc 1378561 13之線xiVA_XIVAi及XIVB_XIVBi截取之薄臈電晶體顯 不面板的薄膜電晶體顯示面板截面圖孓示範性實施例。 參看圖·5至6B，於一透明介電基板110上形成一由一具有 感光性之有機材料製成之有機層。接著，藉由使用—光學 製程將該有機層圖案化以形成具有槽紋810之框80〇。可形 成該等槽紋810使得該基板暴露。於替代性示範性實施例 中’可形成槽紋810以使於槽紋810之底部留下該有機材料 之一部分。 於其他替代性示範性實施例中，其中用於形成框8〇〇之 有機材料不具有感光性，藉由使用一光微影製程，使用一 感光性圖案將有機層圖案化以形成槽紋8 1 0。 參看圖7Α至7Β，藉由應用一感光材料，於一基板11〇上 形成一感光層。藉由將線形半導體154插入至具有感光性 之有機材料中而建構該感光材料。使線形半導體I”大體 上沿槽紋810之縱向方向排列。線形半導體154接觸該基板 110或不接觸該基板11 〇 ’浮於一感光層中。 藉由使用光學製知於框800上形成一感光圖案pR。形 成該感光圖案PR主要地使線形半導體154兩端暴露，如圖 7Α中所示。 藉由使用感光圖案PR主要地作為一蝕刻遮罩，移除於線 形半導體154中暴露之一導電層154c及一絕緣層15作。 參看圖8A及8B，可藉由使用一乾式蝕刻製程或一灰化 製程來執行移除感光圖案PRe於—示範性實施例中，將感 光圖案PR過度姓刻直至暴露出下面之導電構件⑸㈣ 109564.doc 1378561 至2/5。於替代性示範性實施例中，可部分地移除框8〇〇之 上部分。 參看圖9至10B ’藉由使用一濺鍍方法於基板n〇上形成 f —導電層’且接著將該導電層圖案化以形成包括閘電極 i 124之閘極線121及包括儲存電極133之儲存電極線13ι。 參看圖11至12B，將一絕緣材料分層以覆蓋閘極線121及 健存電極線13 1而形成一層間絕緣層丨6〇。於該層間絕緣層 φ I60中形成接觸孔163及M5以使線形半導體154兩端暴露。 於示範性實施例中，藉由一光學製程或一光微影製程，可 形成接觸孔163及165 ^ 形成一導電層，且接著將該導電層圖案化以形成經由該 等接觸孔163連接至線形半導體i 54之核心丨54&之資料線 171及經由接觸孔165連接至線形半導體ι54之核心15牦之 汲電極1*75。於示範性實施例中，藉由使用一濺鍍方法可 形成導電層。 Φ 參看圖13至14B，形成一鈍化層180以覆蓋資料線171及 汲電極1 75，且接著形成接觸孔丨85。於示範性實施例中’ 藉由使用一光學製程可形成接觸孔185。於替代性示範性 實施例中，其中鈍化層！ 8〇不具有感光性，藉由使用一單 獨感光圖案使用一光微影製程可形成接觸孔185。 最後，參看圖1及3，一諸如IT0及IZ〇之透明導電材 • 料及一具有良好反射能力之金屬可沉積於鈍化層18〇上。 於示範性實施例中，藉由一圖案化方法可形成像素電極 190。該等像素電極19〇經由接觸孔185連接至汲電極175。 109564.doc 1378561 本發實施财，諸如—換雜方法及 一…曰方法之複雜方法自-製造-薄膜電晶體之習知方法 中減少或基本上排除。有利地，有 ^ Ώ 有』月匕間化用於fj > .¾胺 電晶體顯示面板之方法。 農“膜 於另-根據本發明之示範性實施財，相半導體藉由 形成框而有規則地㈣，以使線形半導體可準確地㈣電 極重疊且連接至源電極及汲電極。
圓b為一根據本發明之薄膜電晶體顯示面板之—示範性 實施例的示意性等效電路圖。 參看圖1至4，於一單個像素？上形成複數個薄膜電晶 體。於-根據本發明之示範性實施例中，單獨地形成用Z 線形半導體之通道，以使複數個薄膜電晶體平行地連接。 當形成與一習知之薄膜電晶體顯示面板中半導體大體上 相似之尺寸之框、源電極及沒電極時，源電極及沒電極可 連接至複數個線形丨半導體，以致形成如圖15中所示之複數 個薄膜電晶體。 以此方式，向一單個像素提供複數個平行地連接之薄膜 電晶體。有利地’若一薄膜電晶體發生故障，則該像素p 可由另一薄膜電晶體驅動。 於另一示範性實施例中’線形半導體可為奈米尺寸。有 利地’當藉由使用少量線形半導體形成薄膜電晶體時，薄 膜電晶體佔據像素之面積可大大減少。因此，可增加像素 之孔徑比。 於另一示範性實施例中由於藉由使用線形半導體形成薄 109564.doc •18· 1378561 膜電晶體，故可改良薄膜電晶體之驅動效能。有利地，於 一基板之上部分可直接形成一驅動電路。此外’可簡化生 產方法以使有可能使生產成本降至最低。 於另一示範性實施例中，由於在一單個像素上形成複數 個薄膜電晶體而不降低孔徑比，故可使由薄膜電晶體之缺 陷導致之缺陷像素降至最低，以致可改良薄膜電晶體顯示 面板之生產率。 雖然已描述本發明之示範性實施例及修改實例，但本發 明不限於該等實施例及實例而不脫離本發明之附加之申請 專利範圍、詳細描述及附圖的範疇可以各種形式修改。因 此’自然該等修改屬於本發明之範售。 【圖式簡單說明】 圖1為一展示根據本發明之一用於液晶顯示裝置之薄膜 電晶體顯示面板中的-像素之―示範性實施例之布局圖； 圖2為一展示圖1中所示之薄膜電晶體顯示面板之一部分 Π的放大布局圖； 圖3為一沿圖1之線IIMII,截取之薄膜電晶體顯示面板之 截面圖； 圖4為一沿圖2之線lv_IVi截取之截面圖； 圖5為一展示根據本發明之一種製造圖丨至彳中所示用於 液晶顯示裝置之薄膜電晶體顯示面板之方法的一中間步驟 之一示範性實施例之布局圖； 圖6A及6B分別為沿圖5之線νΐΑ_νιΑινΐΒ·νΐΒ，截取之 薄膜電晶體顯示面板的截面圖；. 109564.doc 1378561 圖7A及7B為展示繼圖6A及6B所示少驟之後之一製造方 法之步驟的示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板之截面 团 · 圖， 圖8A及8B為展示繼圖7A及7B中所示步驟之後之一製造 .方法之步驟的示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板之截面 IS) . 園， 圖9為一展示於繼圖8A及8B所示步驟之後之一製造方法 之一步驟的示範性實施例中之薄膜電晶體顯示面板之一示 範性實施例之布局圖； 圖10A及10B分別為沿圖9之線xa-XA，及XB-XB，截取之 薄膜電晶體顯示面板的截面圖； 圖11為一展示繼圖9中所示步驟之後之一製造方法之一 步驟的一示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板之布局圖； 圖12A及12B分別為沿圖丨丨之線χΠΑ_χΠΑ，及χιιβ_χπβ, 截取之薄臈電晶體顯示面板的截面圖； 圖13為一展示繼圖U中所示步驟之後之一製造方法之一 步驟的一示範性實施例之薄膜電晶體顯示面板之—示範性 實施例之布局圖； 圖14A及14B分別為沿圖13之線χΐνΑ χινΑ，及χινΒ_ XIVB截取之薄膜電晶體顯示面板之截面圖；且 —圖15為一根據本發明之薄膜電晶體顯示面板之—示範性 貫施例的示意性等效電路圖。 【主要元件符號說明】 110 透明介電基板 109564.doc -20· 1378561 121 閘極線 124 閘電極 131 儲存電極線 133 儲存電極 154 線形半導體 154a 核心 154b 絕緣層 154c 導電構件
160 層間絕緣層 163 接觸孔 165 接觸孔 171 資料線 173 源電極 175 汲電極 , 180 鈍化層
185 接觸孔 190 像素電極 800 框 810 槽紋 Η 槽紋之高度 L 鄰近槽紋之間之間隔 PR 感光圖案 109564.doc -21 -

Claims (1)

1378561 十、申請專利範圍： 1 · 一種薄膜電晶體，其包含： 第095109103號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(101年8月）
形成於基板上且具有複數個槽紋之框，該等槽紋 之每一者以一方向延伸； 複數個女置於該等槽紋中之半導體線，該等半導體線 之每一者沿著該等槽紋之延伸方向從一第一端至一第二 端延伸； 一與該等半導體線重疊之第一電極； 一連接至該等半導體線之該等第一端之第二電極；及 一連接至該等半導體線之該等第二端之第三電極。 2·如請求項1之薄膜電晶體，其中該等半導體線之每—者 包含一包含單晶矽之圓柱核心、一包裹該核心—圓柱表 面之絕緣層及一環繞該絕緣層之導電層β 3 .如請求項2之薄膜電晶體， 其中該核心之端部分係裸露的，且 其中該第二及第三電極接觸該核心之裸露的端部分。 4'如請求項1之薄膜電晶體，其中該等槽紋之一高度為2 μηι或更小。 5.如請求項1之薄膜電晶艟，其中鄰近槽紋之間之一間隔 係於約2 μιη至約4 μπι之範圍中。 6·如請求項1之薄膜電晶體，其中該等槽紋實質上彼此平 行地延伸。 7. 一種薄獏電晶體顯示面板，其包括： 一基板； 109564-1010823.doc 1378561 一形成於該基板上且具有複數個槽紋之框； 複數個安置於該等槽紋中之半導體線，該等半導體線 之每一者沿著該等槽紋之一縱向方向從一第一端至—第 二端延伸； 一與該等半導體線重疊之閘極線； 一連接至該等半導體線之該等第一端之資料線； 一連接至該等半導體線之該等第二端之汲電極；及 一連接至該汲電極之像素電極。 8_如請求項7之薄膜電晶體顯示面板，其中該等半導體線 之每一者包含一包含單晶矽之圓柱核心、一包裹該核心 一圓柱表面之絕緣層及一環鐃該絕緣層之導電層。 9. 如請求項8之薄膜電晶體顯示面板，其中該核心之端部 分係裸露的，且 其中該資料線及該汲電極接觸該核心之裸露的端部 分。 10. 如請求項7之薄膜電晶體顯示面板，其中該框包含一透 明有機材料。 11. 如請求項7之薄膜電晶體顯示面板，其中該等槽紋之一 高度為2 μιη或更小。 12. 如請求項7之薄膜電晶體顯示面板，其中鄰近槽紋之間 之一間隔係於2 μιη至4 μιη之範圍中。 13. 如請求項7之薄膜電晶體顯示面板’其中該框之一平面 側長為約4 μπι至約1〇 μπι。 14·如請求項7之薄膜電晶體顯示面板，其中該等槽紋實質 >09564-1010823^00 -2 - 1378561 上彼此平行地延伸。 15. —種製造一薄膜電晶體顯示面板之方法，其包含下列步 驟： 於一基板上形成一具有複數個槽紋之框； 安置線形半導體於該等槽紋中； 形成一與該等線形半導體重疊之閘極線； 形成與該閘極線隔離且與該閘極線相交之一資料線及 一汲電極，其中該資料線及該汲電極連接至該等線形半 導體兩端；及 形成一連接至該汲電極之像素電極β 16. 如請求項15之方法，其中該安置線形半導體包含： 應用一具有該等線形半導體之感光材料且形成一包含 該等線形半導體之感光層； 將該感光層圖案化且形成一感光圖案，該感光圖案與 該框重疊，其中使該等線形半導體之一部分暴露；及 移除具有該等線形半導體之該感光圖案之該感光材 料。 17. 如請求項16之方法，其中該等線形半導體之每一者包含 一由單晶矽製成之核心、一環繞該核心之絕緣層及一環 繞該絕緣層之導電構件。 18. 如清求項17之方法，其進一步包含移除該等暴露線形半 導體之該絕緣層及該導電構件。 19·如5青求項16之方法’其中該等線形半導體包含一由單晶 石夕製成之核心、一環繞該核心之絕緣層及一環繞該絕緣 109564-1010823.doc 20. 層之導電構件；且 其中該移除感光材料包含使該導電構件之約1/2至2/5 暴露。 月求項15之方法，其中該框包含一具有感光性之透明 有機材料。 21. 22. 如請求項15之方法’其中該等槽紋之__高度為2叫或更 J、且鄰近槽紋之間之一間隔係於約2 pm至約4 之範圍 中。 如請求項15之方法，其中該形成一資料線及一汲電極包 含： ‘ 於該閘極線上安置一絕緣層； 於該絕緣層中形成接觸孔且使該等線形半導體兩端暴 露；及 於该絕緣層上應用一導電層且將其圖案化。 109564-1010823.doc
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