TWI376742B - - Google Patents

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1376742 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基 板、光掩模用玻璃基板等之被處理基板在1個處理槽中依 次進行藥液處理與清洗處理的基板清洗裝置。 【先前技術】 已知，一直以來，基板之製造步驟中，於丨個處理槽t

對基板依次進行藥液處理與清洗處理，即所謂的單浴方式 之基板清洗裝置。單浴方式之基板清洗裝置，係將基板浸 漬在存積於處理槽的藥液中，藉由一邊由處理槽之底部供 給藥液一邊使藥液由處理槽之上部溢流，對基板進行藥液 處理。且，單时式之基板清洗裝置，若完成—定時間之 藥液處理’藉由從處理槽之底部供給純水，逐漸將處理槽 内之藥液置換成純h之後，使純水由處理槽之上部溢流 並進行一定時間之清洗處理。 如此種過去之基板清洗裝置，清洗處理開始後，經過一 定時間’測量存積於處理槽内之純水的電阻率值。之後， 若所測量之電阻率值在特定之臨㈣以上，則簡處理槽 内無藥液成分等雜質殘留’並正常結束清洗處理。另一方 面，若所測量之電阻率值未滿 槽内殘留有藥液成分等雜質，…限值’則判斷處理 取刀等雜質，並對操作人員 ==板清洗裝置根據純水之電阻率值控制清洗處 例如揭示於專利 關於過去之單浴方式之基板清洗裝置 131246.doc 1376742 文獻1中者。且，關於處理過去之基板清洗裝置之電阻率 值，例如揭示於專利文獻2中。 [專利文獻1]特開2000-68241號公報 [專利文獻2]特開平08-103739號公報 【發明内容】 [發明所欲解決的課題] 圖4係座標圖’表示單浴方式之基板清洗裝置中，以稀 氫說酸（藥液）〜純水—SC-1液（藥液）—純水—SC-2液（藥 液）—純水之順序置換液體進行清洗處理時之處理槽内液 體之電阻率值的變動的例子。如圖4所示，液體之電阻率 值於藥液處理時降低，於清洗處理時恢復。過去之基板清 洗裝置’對如此電阻率值恢復至特定之臨限值以上進行確 咖，並正常結束清洗處理。然而，如圖4所示，清洗處理 時之電阻率值的恢復曲線，由於之前之藥液處理所使用之 藥液種類的不同而大不相同。例如，於使用稀氫氟酸之藥 液處理後的清洗處理時，比使fflSC-1液或sc_2液之藥液處 理後的清洗處理時’其電阻率值有上升較困難之傾向。 另一方面’過去之基板清洗裝置，使用如圖5例示之選 單設定晝面設定了藥液處理及清洗處理之處理内容。且， 完成各處理時是否進行電阻率值之核查，亦於該選單設定 畫面進行設定（圖5中之區域A2)，作為核查基準之臨限 值，於其他參數文件中作為單一的值進行規定。因此，儘 管如上述由於藥液之種類的不同其電阻率值之恢復曲線亦 相異’但不能根據使用於藥液處理之藥液的種類設定不同 131246.doc 1376742 的電阻率值之臨限值。 半導體裝置之製造步驟中，為防止成品率或裝置特性降 低，使用如上述之單浴方式之基板清洗裝置來清洗半導體 明圓’去除半導體晶圓之表面的粒子或金屬雜質。然而， 如上述，在無法根據藥液之種類個別設定電阻率值之臨限 值的狀況下’冑可能在清洗處理時液體之電阻率值不能充 分恢復。如此一來’即使經藥液處理能夠去除基板之表面 的粒子或金屬雜質，但清洗處理後半導體晶圓之表面將殘 存有藥液成分’該藥液成分有可能引起成品率或裝置特性 降低。尤其’間極絕緣膜之形成步驟或電容器形成步驟 中，有可能產生絕緣膜耐壓不良等信賴性問題。

例如’於羊導體晶圓之表面形成閘極絕緣膜之步驟中， 作為前清洗進行上述之清洗處理（即，以稀氫敦酸—純水 :SCM液—純水—sc_2液—純水之順序置換液體而進行之 清洗處理）。如此情形，若藥液處理後之水洗處理時不能 充分去除藥液成分，將可能引起如下問題。 稀氫氟酸主要為用於去除犧牲氧化膜，若清洗處理後殘 存有稀氫氟酸之成分，則有可能使形成閘極絕緣臈之矽表 面的粗糙度惡化…由於與矽表面之結晶缺陷或凹處擴 大有關，有可能引起其後形成之閘極絕緣膜之膜質變粗 糙、閘極絕緣膜之耐壓不良等信賴性劣化之問題。 又，SCM液主要為用於去除粒子，若清洗處理後殘存有 sc-ι液中之氨成分，有可能使形成閘極絕緣膜之⑦表面的 粗糙度惡化…由於與矽表面之結晶缺陷或凹處擴大有 131246.doc 1376742 關，有可能引起其後形成之閘極絕緣膜之膜質變粗糙、閘 極絕緣膜之耐壓不良等信賴性劣化之問題。 再，SC-2液主要為用於去除金屬雜f，若清洗處理後殘 存有SC-2液中之氣成分，鈣（Ca)等輕金屬將很容易附著於 半導體晶圓之表面H附著之輕金屬變成粒子可能引 起閘極絕緣膜之耐壓不良。

本發明#於如此實情’目的在於提供㈣於單浴方式之 基板清洗裝置巾，使精藥液之種類最適宜之臨限值進行 電阻率值之核查’使清洗處理之完成動作合理化之技術。 尤’、本發明之目的在於提供藉由使用於半導體裝置之製 造步驟，能夠抑製成品率之降低或裝置特性之降低的技 I用於解決課題的手段] =決上述課題’請求項!之發明之基板清洗方法其 ^ 於1個處理槽中對基板依次進行使用藥液之藥液

處理與使用純水之清洗處理，且 ’、 進行之電ja鞏使用於上述h洗處理時 進電料值之核㈣臨限值，係根據該清洗處理之前 之樂液處理所使料藥液的種_設定。 明之基板清洗方法，其係-種於1個處理槽 處理=依:人進行使額液之藥液處理與使料水之清洗 處之方法，其特徵為包括： 藉由第！藥液進行第】藥液處理；第2=/·^處理槽内 内供給純水並排出第, 於上述處理槽 ㈣驟，純水進行第1清洗處理； 述處理槽内供給第2藥液並排出純水，藉由 J3l246.doc 1376742 第2藥液進行第2藥液處理；及第4步驟，於上述處理槽内 供給純水並排出第2藥液，藉由純水進行第2清洗處理丨 且個別設定上述第2步驟之第1清洗處理時進行之處理液 之電阻率值的核查所使用之臨限值、與上述第4步驟之第2 清洗處理時進行之處職之電阻率值的核查所使用之臨限 值。 。月求項3之發明係請求項2之基板清洗方法其中，第 藥液係氫氟酸’第2藥液係sc-1。

“請求項4之發明係請求項2之基板清洗方法其中，第 藥液係SC-1，第2藥液係SC-2。 一請求項5之發明係請求項2之基板清洗方法其中，第^ 藥液係氫氟酸，第2藥液係sc_2。 請求項6之發明係請求項2至請求項5中任一項之基板清 洗方法’其上述第2步驟及上述第4步驟中，若存積於 上述處理槽内之處理液之f㈣值達到各步驟所設定之臨 限值’則分別㈣1清洗處理及第2清洗處理正常結束。 清求項7之發明，係一種藉由處 秸田匙理液進仃基板之清洗的 基板清洗裝置，其特徵為含有：存 ,仔積處理液之處理槽；保 甘’使基板浸潰於存積於上述處理槽之處理液中並對 1行保持；電阻率值測定機構，敎存積於上述處理槽 .. 供，·，。機構向上述處理槽内供給作 敍 為處理液之第1藥液、純水、第 .^ L ^及第2樂液；控制機構，以 夠於上述處理槽内依次進行传 ,,琨仃使用第1樂液之第1藥液處理 使用純水之第丨清洗處理 便用第2樂液之第2藥液處理 131246.doc 1376742 及使用純水之第2、、主：土 + 弟2明洗處理，對上 供給動作進行控制，·及電阻率值核查供機。機構之處理液的 處理時，將萨由卜.+. φ 上述第〗清洗 处吁將镨由上述電阻率值測定機 第1臨限值作為基準對1 電阻率值以 時，將夢由且上述第2清洗處理 :將藉由上述電阻率值測定機構測 臨限值作為基準對其進行核查。 +值以第2 請求項8之發明係請求項7之基板清洗裝置，其中

控制機構，若上述電阻率值 千值核查機構之電阻率值達 臨限值及第2臨限值，則分 乐1 理正常結束。 ]刀賤第1清洗處理及第2清洗處 明求項9之發明係請求項7之基板清洗裝置其中，上述 控制機構，若上述電阻率值核查機構之電阻率值達到第^ 臨限值及第2臨限值，則分別使第1清洗處理及第2清洗處 理正常結束。 請求項10之發明係請求項9之基板清洗裝置，其中，上 述臨限值収㈣，在^清洗處理之處理内容的處理選 單上設定上述第1臨限值及上述第2臨限值。 [發明之效果] 根據請求項1之發明，清洗處理時進行之電阻率值之核 查所使用的臨限值，根據該清洗處理之前進行之藥液處理 所使用之藥液的種類進行設定。因此，使用最適宜清洗處 理時排出之藥液之種類的臨限值可以核查電阻率值。 又，根據請求項2至請求項6之發明，個別設定第2步驟 之第1清洗處理時進行之處理液之電阻率值的核查所使用 131246.doc -11· 1376742 之臨限值、與第4步驟之篦Ί土南彻+ 邵之第2/月洗處理時進行之處理液之電 阻率值的核查所使用之臨限值 4 + 值因此，使用最適宜第1清 洗處理時及第2清洗處理時分別 ^ J拼出之樂液之種類的臨限 值可以核查電阻率值。 尤其，根據請求項6之發明，第2步驟及第4步驟中，若 存積於處理槽内之處理液之電阻率值達到各步驟所設定之 臨限值，則分別使第1清洗處理及第2清洗處理正常結束。 因此’將各步驟個別設定之臨限值作為基準，能使清洗處 理合理地完成。 又’根據請求項7至請求項1〇之發明，基板清洗裝置， 於第1清洗處料，㈣由電阻率值敎機構測定之電阻 率值以第m限值作為基準對其進行核查，且於第2清洗處 理時’將藉由電阻率值測定機構測定之電阻率值以第2臨 限值作為基準對其進行核查，使用最適宜第旧洗

處理時及第2清洗處理時分別排出之藥液之種類的臨限值 可以核查電阻率值。 尤其，根據請求項8之發明，控制機構，若電阻率值核 查機構之電阻率值達到第i臨限值及第2臨限值，則分別使 第1清洗處理及第2清洗處理正常結束。因此，將第丨臨限 值及第2臨限值作為基準，能使清洗處理合理地完成。 尤其’根據請求項9之發明’又含有個別設定第1臨限值 及上述第2臨限值的臨限值設定機構。因此，第1臨限值及 第2臨限值可以根據藥液之種類任意設定。 尤其，根據請求項1〇之發明，臨限值設定機構，在決定 131246.doc 1376742 清洗處理之處理内容的處理選單上設定第丨臨限值及第2臨 限值。因此，設定處理選單時，可以於各步驟容易地設定 第1臨限值及第2臨限值。 【實施方式】 以下’茲佐參照圖示說明本發明之適宜的實施形態。 <1.基板清洗裝置之全體構成> 圖1係本發明之一實施形態之基板清洗裝置i的構成圖。 該基板清洗裝置1為藉由在1個處理槽1〇中對基板w依次進 行使用藥液之藥液處理與使用純水之清洗處理，進行基板 w之清洗’即所謂的單浴方式之基板清洗裝置。如圖 示，基板清洗裝置1，含有：處理槽10，用來存積藥液或 純水；升降機20，用來保持基板9 ;處理液供給部3〇，向 處理槽10供給藥液及純水（以下，將藥液與純水通稱為 「處理液」）；及控制部40，用來控制裝置内之各部分的 動作。 處理槽10係包含耐腐蝕性材料之用來存積藥液或純水的 容器。處理槽10含有内槽11與外槽12，内槽U存積藥液或 純水並使複數枚基板W浸潰於其内部；外槽12形成於内槽 11之外周面的上端部β又，内槽u之底部設有吐出喷嘴 13 ’用來向内槽11之内部吐出藥液或純水。吐出喷嘴含 有一對喷嘴管13a，各噴嘴管i3a形成有複數之吐出口（圖 示省略）。因此，供給於喷嘴管13a之藥液或純水由複數之 吐出口吐出，存積於内槽Π之内部。又，存積至内槽〗丨之 上部的處理液’由内槽11之上部溢流並被回收於外槽丨2， 131246.doc •13- 1376742 ι由連接於外槽12之配管14排液至工廠内之排液管路。

存積於處理槽10之處理液的液面附近，設置有電阻率計 15。該電阻率計15有-對金屬電極，具有測量存積於處理 槽10内之處理液之電氣電阻的機能。電阻率計15,於清洗 處理後實施之電阻率值之核查時，測量處理液之電阻率 值’並將所測得之電阻率值作為電氣信號傳送於控制部 4〇。電阻率計15之金屬電極中内藏有溫度傳感胃，亦可將 特定溫度之電阻率值之換算值傳送於控制部4〇。 升降機20係用來一同保持並上下搬送複數枚基板w的搬 送機構。該升降機20,含有於垂直於圖】之紙面的方向延 長的3個保持棒21 ’各保持棒21上刻設有複數之保持軸 不省略）。複數枚基板W，於使其周緣部嵌合於保持溝之狀 態，以相互平行之起立姿勢保持於3個保持棒21上。又， 升降機20連接於圖】中以示意方式顯示的驅動部22。當使 驅動部22動作，保持有基板|之升降機2〇升降移動，將基

板W在處理槽10内之浸潰位置（圖i之狀態）與處理槽⑺上方 之提升位置之間進行搬送。 處理液供給部30係用來向處理槽1〇供給藥液或純水的配 管系統》處理液供給部30,係將氫氟酸供給源31 '氫氧化 錄供給源32、鹽酸供給源33、過氧化氫供給㈣、純水供 給源35、混合閥36、複數之配管37a〜37f、及複數之開關 閥38a〜38e組合而構成》氫氟酸供給源31、氫氧化敍供給 源32、鹽酸供給源33、過氧化氫供給賴、及純水供給源 35分別介隔配管37a、37b、 、37d、37e連接於混合閥 131246.doc 14 1376742 36 ’於配管37a、37b、37c、37d、37e之路徑中途，分別 介插有開關閥38a、38b、38c、38d、38e。且，混合閥36 介隔配管37f連接於處理槽i〇内之吐出喷嘴13 β 該等處理液供給部30，當關閉開關閥38b〜38d且開放開 關閥38a、38e時，源自氫氟酸供給源3 1之氫氟酸與源自純 水供給源35之純水’將分別經由配管37a ' 37e供給於混合 閥36’並於混合閥36内混合生成稀氫氟酸。其後，生成之 稀氫氣酸從昆合閥36經由配管37f向吐出喷嘴13供給，再 由吐出喷嘴13吐出於處理槽1〇内。 又’該等處理液供給部30，當關閉開關閥38a、3 8c且開 放開關閥3 8b、3 8d、3 8e時，源自氫氧化録供給源32之氫 氧化敍、源自過氧化氫供給源3 4之過氧化氫、與源自純水 供給源35之純水’將分別經由配管37b、37d、37e供給於 混合閥36 ’並於混合閥36内混合生成SC-1液》其後，生成 之SC-1液從混合閥36經由配管37f向吐出喷嘴13供給，再 由吐出喷嘴13吐出於處理槽1〇内。 又，該等處理液供給部30，當關閉開關閥38a、38b且開 放開關閥38c〜38e時，源自鹽酸供給源33之鹽酸、源自過 氧化氫供給源34之過氧化氫 '與源自純水供給源35之純 水，將分別經由配管37c、37d、37e供給於混合閥36，並 於混合閥36内混合生成8(：-2液。其後，生成iSC2液從混 合閥36經由配管37f向吐出喷嘴13供給，再由吐出喷嘴13 吐出於處理槽10内。 又，該等處理液供給部30，當關閉開關閥38a〜38d且開 131246.doc 1376742 放開關閥38e時 37e、混合閥36 嘴13吐出於處理槽1〇内。 源自純水供給源35之純水， 配管37f向吐出喷嘴13供給， 將經由配管 再由吐出喷 控制部4 0係用來控制其此i ^ 制基板&洗裝置1内之各部分動作的 電腦裝置。該控制部4〇與上 穴工延電阻率汁15、驅動部22、及 開關閥3 8 a~3 8 e電性遠垃 連接。又，控制部40連接有包含硬盤 或存儲器之記憶部41。兮4 H, ^ 3己憶部41内記憶有決定基板清洗

裝置1之處理内容的虎理；登留/ 慝理選早41a。控制部4〇根據記憶部41 内記憶之處理選單4la,益士 名 早 藉由使驅動部22或開關閥38a〜38e 動作，進行基板W之清洗處理。 又，如圖1所示，控制部4〇連接有包含液晶顯示裝置等 之顯示部42、與包含鍵盤或鼠標之輸人部43。控制部4〇, 可以將用來a又定δ己憶部41内所記憶之處理選單❻之選單 设定畫面42a顯示於顯示部42J^基板清洗裝置丨之操作人 員可以藉由參照顯示部42所顯示之選單設定晝面42&，由

輸入部43進仃操作輸入，來完成處理選單“a之設定處 理。 圖2係顯示於顯示部42上之選單設定晝面42a之例的圖。 如圖2所不，選單設定畫面42a，可以設定各個複數之步驟 中的處理時間、或供給之處理液的種類。又如圖2中之 區域A1所示，選單設定畫面42a，關於各步驟所實行之電 阻率值之核查處理，可以將作為核查之基準的臨限值作為 各步驟固有的數值而設定。即，該基板清洗裝置丨，可於 各步驟設定不同之臨限值，且可將各步驟之不同的臨限值 I31246.doc 1376742 作為基準進行電阻率值之核查處理。 例如，圖2之選單設定畫面42a，步驟2中將核查處理之 臨限值設定為800,與此相對，步驟4、6中將核查處理之 臨限值設定為麵，該等臨限值為不同之值。從而，基板 清洗裝置卜使用步驟2與步称4、6中不同之臨限值進行電 阻率值之核查。另，圖2之選單設定畫面中，步驟卜3、5 中核查處理之臨限值為0’這表示於步驟卜3、5中不能進 行實質的電阻率值之核查。顯示部42上之選單設定晝面 42a中所設定之内容經由控制部4()傳送於記憶部w，於記 憶部4丨内作為處理選單41a被記憶（或更新）。 <2.基板清洗裝置之動作> 其次’兹佐參照圖i與圖3之流程圖說明含有上述構成之 基板清洗裝置1之清洗處理的動作。 該基板清洗裝置！進行基心之清洗處理時，首先，藉 由參照顯示部42所顯示之選單設定畫面-由操作人員^ :入^操作輸入，進行處理選單…之設定（步驟叫。操 :人員對各步驟之處理時間或供給之處理液的種類進行設 二：雷Μ人員於選單設定畫面Μ之區域Al，設定 阻率值之核查處理所使用之臨限值。另，以下說 明根據圖2之選軍％宝赍品° 理。 之選…畫面仏所顯示之設定而進行之處 選單設定處理完成後，操作人員將未 升降機20上，由輪入邱u^ 土孜W置於 清洗裝置I之控二：特定之處理開始指令， 控制。M〇由輸入部43接收處理開始指令後， I3I246.doc •17· 1376742 首先’藉由使驅動部22動作讓升降機20下降。由此，基板 ~隨升降機20下降至處理槽1〇内之浸潰位置（步驟S2)。 其後’控制部40將開關閥38b〜38d關閉並開放開關閥 38a、38e。藉此，使源自氫氟酸供給源η之氫氟酸與源自 純水供給源35之純水混合生成稀氫氟酸，並使生成之稀氫 氟酸由吐出喷嘴13吐出於處理槽1〇内β由吐出喷嘴I]吐出 之稀氫氟酸被存積於處理槽10内，稍後由内槽丨丨之上部向 外槽12溢流《基板w將浸潰於處理槽1〇内存積之稀氫氟酸 中，接受稀氫氟酸之藥液處理（處理選單上之步驟丨，步驟 S3) ° 疋時間之藥液處理完成後，控制部4〇將開關閥38a關 閉，僅使開關閥38e處於開放狀態。藉此，僅有源自純水 供給源35之純水經由混合閥36供給於吐出喷嘴13，再由吐 出噴嘴13吐出於處理槽1〇内。向處理槽1〇内吐出之純水， 逐漸將處理槽10内之稀氫氟酸由處理槽1〇排出將處理槽 10内之稀氫氟酸置換成純水。其後，基板w藉由存積於處 理槽10内之純水接受清洗處理（處理選單上之步驟2，步驟 S4) ° 清洗處理開始後，經過一定之處理時間，控制部4〇接收 電阻率計！5測量之電阻率值，並進行接收之電阻率值之核 查（步驟S5)。具體而言，控制部4〇對處理選單上之步驟 2所&疋之臨限值’與由電阻率計15接收之電阻率值進行 比較，若電阻率值在臨限m，則正常結束清洗處理。 另方面田電阻率值未滿臨限值時，控制部4〇將於顯示 131246.doc -18· 1376742 部42顯示特定之警告信息等待操作人員的處理（步驟S6)。 清洗處理正常結束後，其後，控制部40於關閉開關閥 3 8a、38c之狀態下開放開關閥38b、38d、38e。藉此，使 源自氫氧化銨供給源32之氫氧化銨、源自過氧化氫供給源 34之過氧化氫、與源自純水供給源3 5之純水混合生成SC-1 液’並使生成之SC-1液由吐出噴嘴13吐出於處理槽1〇内。 向處理槽10内吐出之SC-1液’將處理槽10内之純水逐漸由 處理槽10排出，將處理槽10内之純水置換成8(>1液。其 後，基板W藉由存積於處理槽10内之sc-ι液接受藥液處理 (處理選單上之步驟3，步驟S7)。 一定時間之藥液處理完成後’控制部4〇將開關閥38b、 38d關閉’僅使開關閥38e處於開放狀態。藉此，僅有源自 純水供給源3 5之純水經由混合閥3 6供給於吐出喷嘴丨3，再 由吐出噴嘴13吐出於處理槽1〇内。向處理槽1〇内吐出之純 水’逐漸將處理槽10内之SC—丨液由處理槽1〇排出，將處理 槽10内之SC-1液置換成純水。其後，基板w藉由存積於處 理槽10内之純水接受清洗處理（處理選單上之步驟4，步驟 S8)。 4所設定之臨限值， 比較， 另一方 清洗處理開始後，經過一定之處理時間，控制部4〇接收 電阻率計15測量之電阻率值，並進行接收之電阻率值之核 查（步驟S9)。具體而言，控制部4〇對處理選單41&上之步驟 ，與由電阻率計15接收之電阻率值進

131246.doc •19· 1376742 部42顯示特定之警告信息等待操作人員的處理（步驟 Sl〇)。

清洗處理正常結束後，其後，控制部40於關閉開關閥 38&、381)之狀態下開放開關閥38(：、38(1、386。藉此，使 源自鹽酸供給源33之鹽酸、源自過氧化氫供給源34之過氧 化氫、與源自純水供給源35之純水混合生成SC-2液，並使 生成之S C - 2液由吐出喷嘴13吐出於處理槽1 〇内。向處理槽 1〇内吐出之SC-2液，將處理槽10内之純水逐漸由處理槽10 排出，將處理槽10内之純水置換成SC-2液。其後，基板W 藉由存積於處理槽10内之SC-2液接受藥液處理（處理選單 上之步驟5，步驟S11)。 一疋時間之藥液處理完成後，控制部4〇將開關閥38c、 38d關閉，僅使開關閥38e處於開放狀態。藉此，僅有源自 純水供給源35之純水經由混合閥36供給於吐出喷嘴13，再 由吐出喷嘴B吐出於處理槽10内。向處理槽1〇内吐出之純

水，逐漸將處理槽10内之SC_2液由處理槽1〇排出，將處理 槽1〇内之SC-2液置換成純水。其後，基板w藉由存積於處 理槽10内之純水接受清洗處理（處理選單上之步驟6,步驟 S12)。 清洗處理開始後，經m處理時間，控制㈣接收 電阻率計15測量之電阻率值，並進行接收之電阻率值之核 查（步驟S13)。具體而言，控制部4()對處理選單仏上之步 驟ό所設定之臨限值，與由電 ’ 干Τ 1:5祓收之電阻率值進 行比較，若電阻率值在臨限值 值上則正常結束清洗處 131246.doc -20· 理。另一方面，當電阻率值未滿臨限值時，控制部40將於 顯示部42顯示特定之警告信息等待操作人員的處理（步驟 S14)。 清洗處理正常結束後，控制部40關閉開關閥38e停止純 水之供給《其後，控制部4〇藉由使驅動部22動作使升降機 20上升，基板W隨升降機20被提升於處理槽1〇之上方（步驟 S 15)。根據以上，完成對一組基板w之一系列的清洗處 理。 如上，本貫施形態之基板清洗裝置1，可以個別設定選 單設定畫面42a上各步驟中清洗處理時進行之電阻率值之 核查所使用的臨限值。故，若根據清洗處理之前所使用之 藥液的種類没定各臨限值’則可以使用各步驟之清洗處理 時最適宜之臨限值來核查電阻率值。且，藉此，可以使各 步驟之清洗處理合理地完成。 <3.半導體裝置之製造步驟的適用例> 半導體裝置之製造步驟中，於半導體晶圓之表面形成閘 極絕緣膜時的前清洗，可使用如上述描述之基板清洗裝置 1進行。即，可將作為基板w之半導體晶圓置於升降機20 上’根據圖3之步驟S1〜S15進行半導體晶圓之清洗處理。 稀氫氟酸之藥液處理（步驟S3)，主要去除半導體晶圓表面 之犧牲氧化膜’且，SC-ι液之藥液處理（步驟S7)及SC-2液 之藥液處理（步驟S11)，主要去除半導體晶圓表面之粒子及 金屬雜質。 又，基板清洗裝置1，可以個別設定各藥液處理後之清 I31246.doc 21 · 1376742 洗處理時所使用之電阻率值的臨限值。故，可以分別對氫 氟酸、SC-1、及SC-2使用最適宜之臨限值使電阻率值恢復 適切，亦可於藥液處理後之清洗處理時充分去除各藥液成 分（氫氟酸成分、SC-1、SC-2) »故，可使半導體晶圓之表 面形成之閘極絕緣膜的膜質緻密化，並可形成無耐壓不良 性質之高信賴性的閘極絕緣膜。 <4.變形例> 以上’說明了本發明之一實施形態，然而本發明非限定 於上述之例。例如，上述例中，作為藥液使用了稀氫氟 酸、SC-1液、及SC-2液，而本發明之所供給之藥液亦可為 其他藥液。又’ 1次之清洗處理所實行之藥液處理及清洗 處理的次數亦非限定於上述之次數。 又’上述基板清洗裝置1，對基板W僅進行了藥液處理 及清洗處理，然而亦可於基板清洗裝置1内對清洗處理後 之基板W進行乾燥處理。例如，可將基板w提升至處理槽1 之上方後，藉由進行IPA蒸汽之供給或處理空間之減壓， 使基板W之表面乾燥。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之一實施形態之基板清洗裝置的構成圖； 圖2係顯示於顯示部上之選單設定畫面之例的圖； 圖3係顯示基板清洗裝置之動作流程的流程圖； 圖4係顯示單浴方式 干分力式之基板清洗裝置中電阻率值之變動 圖5係顯示過去之選單設定畫面之例的圖 131246.doc -22- 1376742

【主要元件符號說明】 1 基板清洗裝置 10 處理槽 13 吐出喷嘴 15 電阻率計 20 升降機 22 驅動部 30 處理液供給部 31 氫氟酸供給源 32 氫氧化銨供給源 33 鹽酸供給源 34 過氧化氫供給源 35 純水供給源 36 混合閥 37a~37f 配管 38a~38e 開關閥 40 控制部 41 記憶部 41a 處理選單 42 顯不部 42a 選單設定畫面 43 輸入部 W 基板 131246.doc -23-

Claims (1)

1. 第097117589號專利申請案 申請專利範園： 種基板清洗方法，其特徵在於^zr^rj·^處理槽 中對基板依次進行使用藥液之藥液處理與使用純 洗處理之方法，包括： 第1步帮’設定第1臨限值； 第2步驟，設定與上述第1臨限值不同之第2臨限值； 第3步驟，於上述處理槽内藉由第1藥液進行第1藥 處理； 4步騾，對於上述處理槽内供給純水並排 液，藉由純水進行第1清洗處理，· ~第5 ^驟，對於上述處理槽内供給與第1藥液不同之第 藥液並排出純水’藉由第2藥液進行第2藥液處理；及 步騾，對於上述處理槽内供給純水並排出第2藥 液，藉由純水進行箄2清洗處理；且 於上述第4步驟，若存積於上述處理槽内之處理液之 電阻率值達到第1臨限值，則使第1清洗處理正常結束， 於上述第6步驟，若存積於上述處理槽内之處理液之 電阻率值達到第2臨限值，則使第2清洗處理正常結束。 .如凊求項1之基板清洗方法，其中 第1藥液係氫氟酸，第2藥液係sc-1。 3. 如請求項1之基板清洗方法，其中 第1藥液係SCM，第2藥液係sc_2。 4. 如請求項1之基板清洗方法，其中 第1藥液係氫氟酸，第2藥液係SC-2。 131246-10l0220.doc ^76742 <。(年》月1修正替換頁 種基板/η洗裝置，其特徵為其係藉由處理液進行基板 之清洗，含有： 處理槽，存積處理液； 保持機構，使基板浸潰於存積於上述處理槽之處理液 中並一面對其進行保持； 電阻率值測定機構，測定存積於上述處理槽之處理液 的電阻率值； 、供給機構，向上述處理槽内供給作為處理液之第}藥 液、純水、及與第1藥液不同之第2藥液； 4控制機構，以能夠於上述處理槽内依次進行使用第1 藥液之第1藥液處理、使用純水之第W洗處理、使用第 2藥液之S 2藥液處理、及使用純水之第2清洗處理之方 式對上述供給機構之處理液的供給動作進行控制； 臨限值設定機構，設定P臨限值及與第1臨限值不同 之第2臨限值；及 電阻率值核查機構，上述第丨清洗處理時，將藉由上 述電阻率值測定機構測定之電阻率值以上述第i臨限值 作為基準對其進行核查，且上述第2清洗處理時，將藉 由上述電阻率值測定機構敎之電阻率值以上述第2臨 限值作為基準對其進行核查， 上述控制機構係於上述第1清洗處理時，若上述電阻 率值核查機構中之電阻率值達到上述第！臨限值，則使 第1清洗處理正常結束， 於上述第2清洗處理時 若上述電阻率值核查機構中 131246-1010220.doc 1376742 之電阻 結束。 率值達到

   上述第2臨限值，則使第2清洗處理正常 6.如請求項5之基板清洗裝置，其中 上述臨限值設定機構，在決定清洗處理之處理内容的 處理選單上設定上述第1臨限值及上述第2臨限值。

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