KR20080104964A - 기판세정방법 및 기판세정장치 - Google Patents

기판세정방법 및 기판세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080104964A
KR20080104964A KR1020080046225A KR20080046225A KR20080104964A KR 20080104964 A KR20080104964 A KR 20080104964A KR 1020080046225 A KR1020080046225 A KR 1020080046225A KR 20080046225 A KR20080046225 A KR 20080046225A KR 20080104964 A KR20080104964 A KR 20080104964A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
chemical liquid
treatment
rinse
liquid
Prior art date
Application number
KR1020080046225A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100970804B1 (ko
Inventor
하야토 이와모토
노리아키 아다치
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤, 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20080104964A publication Critical patent/KR20080104964A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100970804B1 publication Critical patent/KR100970804B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/06—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
    • C11D2111/44—Multi-step processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

[과제] 원 배스 방식의 기판세정장치에서, 약액의 종류에 따른 최적 문턱값을 사용해 비저항치(比抵抗値)의 체크를 행하고, 린스처리의 종료동작을 적정화할 수 있는 기술을 제공한다.
[해결수단] 본 발명의 기판세정장치에서는, 린스처리시에 행해지는 비저항치의 체크에 사용되는 문턱값을, 레시피 설정화면(42a)상에서 공정마다 개별적으로 설정할 수 있다. 이 때문에, 린스처리 직전에 사용되는 약액의 종류에 따라서 각(各) 문턱값을 설정하면, 각(各) 공정의 린스처리에서 최적 문턱값을 사용해 비저항치를 체크할 수 있다. 또한, 이로써, 각 공정의 린스처리를 적정하게 종료시킬 수 있다.

Description

기판세정방법 및 기판세정장치{METHOD OF AND APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 글라스 기판, 포토마스크용 글라스 기판 등의 피처리(被處理) 기판에 대해, 1개의 처리조 안에서 약액처리와 린스처리를 순차적으로 행하는 기판세정장치에 관한 것이다.
종래부터, 기판의 제조공정에서는, 1개의 처리조 안에서 기판에 대해 약액처리와 린스처리를 순차적으로 행하는, 이른바 원 배스 방식의 기판세정장치가 알려져 있다. 원 배스 방식의 기판세정장치는, 처리조에 저장된 약액 속에 기판을 침지해, 처리조의 저부(底部)로부터 약액을 공급하면서 처리조의 상부로부터 약액을 오버플로우시킴으로써, 기판에 대해 약액처리를 행한다. 또한, 원 배스 방식의 기판세정장치는, 소정시간의 약액처리가 종료하면, 처리조의 저부로부터 순수(純水)를 공급함으로써, 처리조 내의 약액을 서서히 순수로 치환(置換)한다. 그리고, 처리조의 상부로부터 순수를 오버플로우시키면서 소정시간의 린스처리를 행한다.
이러한 종래의 기판세정장치는, 린스처리의 개시 후, 소정시간이 경과하면, 처리조 내에 저장되어 있는 순수의 비저항치(比抵抗値)를 계측한다. 그렇게 하여, 계측된 비저항치가 소정의 문턱값 이상이면, 처리조 내에 약액성분 등의 불순물이 잔류해 있지 않다고 판단하여, 린스처리를 정상 종료한다. 한편, 계측된 비저항치가 소정의 문턱값 미만이면, 처리조 내에 약액성분 등의 불순물이 잔류해 있다고 판단하여, 오퍼레이터에 대해 경보를 발한다. 이와 같이, 종래의 기판세정장치에서는, 순수의 비저항치에 의거해서 린스처리의 종료동작을 제어하고 있었다.
종래의 원 배스 방식의 기판세정장치에 대해서는, 예를 들면 특허문헌 1에 개시되어 있다. 또한, 종래의 기판세정장치에서 비저항치를 취급하는 것에 대해서는, 예를 들면 특허문헌 2에 개시되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허공개 2000－68241호 공보
[특허문헌 2] 일본 특허공개 평08－103739호 공보
도 4는, 원 배스 방식의 기판세정장치에서, 묽은(希) 불화수소산(약액)→순수→SC－1액(약액)→순수→SC－2액(약액)→순수라고 하는 순서로 액체를 치환하면서 세정처리를 실시했을 때의, 처리조 내의 액체의 비저항치의 변동의 예를 나타낸 그래프이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 액체의 비저항치는 약액처리시에 저하하고, 린스처리시에 회복한다. 종래의 기판세정장치에서는, 이러한 비저항치가 소정의 문턱값 이상으로 회복한 것을 확인하여, 린스처리를 정상 종료하고 있었다. 그렇지만, 도 4에 나타낸 것처럼, 린스처리시에서의 비저항치의 회복곡선(回復曲線)은, 직전의 약액처리에 사용된 약액의 종류에 따라 크게 달랐다. 예를 들면, 묽은 불화 수소산에 의한 약액처리 후의 린스처리시에는, SC－1액이나 SC－2액에 의한 약액처리 후의 린스처리시보다, 비저항치가 상승하기 어려운 경향이 있었다.
한편, 종래의 기판세정장치에서는, 도 5에 예시한 것처럼 레시피 설정화면을 사용하여 약액처리 및 린스처리의 처리내용을 설정하고 있었다. 그리고, 각(各) 처리의 종료시에 비저항치의 체크를 행하는지 아닌지도 이 레시피 설정화면에서 설정하고(도 5 중의 에어리어 A2), 체크의 기준이 되는 문턱값은, 다른 파라미터 파일에서 단일 값으로 하여 규정하도록 되어 있었다. 이 때문에, 상기와 같이 약액의 종류에 따라 비저항치의 회복곡선이 다름에도 불구하고, 약액처리에 사용되는 약액의 종류에 따라 비저항치의 문턱값을 다른 값으로 할 수 없었다.
반도체 디바이스의 제조공정에서는, 제품 수율이나 디바이스 특성의 저하를 방지하기 위해, 상기와 같은 원 배스 방식의 기판세정장치를 사용해서 반도체 웨이퍼를 세정하여, 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 파티클이나 금속 불순물을 제거하고 있다. 그렇지만, 상기와 같이 비저항치의 문턱값을 약액의 종류에 따라 개별적으로 설정할 수 없는 상황 아래에서는, 린스처리시에 액체의 비저항치가 충분히 회복하지 않을 우려가 있다. 그러면, 약액처리에 의해 기판의 표면으로부터 파티클이나 금속 불순물을 제거할 수 있었다 해도, 린스처리 후에 반도체 웨이퍼의 표면에 약액성분이 잔존하여, 해당 약액성분이 제품 수율이나 디바이스 특성의 저하를 일으킬 우려가 있었다. 특히, 게이트 절연막의 형성공정이나 캐패시터 형성공정에서는, 절연막 내압(耐壓) 불량 등의 신뢰성 문제가 발생할 우려가 있었다.
예를 들면, 반도체 웨이퍼의 표면에 게이트 절연막을 형성하는 공정에서는, 전(前) 세정으로서 상기와 같은 세정처리(즉, 묽은 불화수소산→순수→SC－1액→순수→SC－2액→순수라고 하는 순서로 액체를 치환하면서 행하는 세정처리)가 행해진다. 이러한 경우, 약액처리 후의 수세처리시(水洗處理時)에 약액성분이 충분히 제거되지 않으면, 다음과 같은 문제를 일으킬 우려가 있다.
묽은(希) 불화수소산은, 주로 희생 산화막의 제거를 행하기 위해 사용되지만, 린스처리 후에 묽은 불화수소산의 성분이 잔존해 있으면, 게이트 절연막을 형성하는 실리콘 표면의 조도(粗度)를 악화시킬 우려가 있다. 또한, 실리콘 표면의 결정(結晶) 결함이나 피트를 확대시키는 것으로 이어지기 때문에, 그 후에 형성되는 게이트 절연막의 막질(膜質)이 거칠어져, 게이트 절연막의 내압 불량 등의 신뢰성 열화(劣化)를 일으킬 우려가 있다.
또한, SC－1액은, 주로 파티클의 제거를 행하기 위해 사용되지만, 린스처리 후에 SC－1액 속의 암모니아성분이 잔존해 있으면, 게이트 절연막을 형성하는 실리콘 표면의 조도를 악화시킬 우려가 있다. 또한, 실리콘 표면의 결정 결함이나 피트를 확대시키는 것으로 이어지기 때문에, 그 후에 형성되는 게이트 절연막의 막질이 거칠어져, 게이트 절연막의 내압 불량 등의 신뢰성 열화를 일으킬 우려가 있다.
또한, SC－2액은, 주로 금속 불순물의 제거를 행하기 위해 사용되지만, 린스처리 후에 SC－2액 속의 염소성분이 잔존해 있으면, 칼슘(Ca) 등의 경금속이 반도체 웨이퍼의 표면에 부착하기 쉬워진다. 이 때문에, 부착한 경금속이 파티클로 되어 게이트 절연막의 내압 불량을 일으킬 우려가 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 원 배스 방식의 기 판세정장치에서, 약액의 종류에 따른 최적 문턱값을 사용해 비저항치의 체크를 실시하여, 린스처리의 종료동작을 적정화할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은, 반도체 디바이스의 제조공정에 적용함으로써, 제품 수율의 저하나 디바이스 특성의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1에 관한 발명은, 1개의 처리조 안에서 기판에 대해 약액에 의한 약액처리와 순수에 의한 린스처리를 순차적으로 행하는 기판세정방법으로서, 상기 린스처리시에 행해지는 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값을, 해당 린스처리의 직전에 행해지는 약액처리에 사용하는 약액의 종류에 따라 설정하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 관한 발명은, 1개의 처리조 안에서 기판에 대해 약액에 의한 약액처리와 순수에 의한 린스처리를 순차적으로 행하는 기판세정방법으로서, 상기 처리조 내에서 제1약액에 의해 제1약액처리를 행하는 제1공정과, 상기 처리조 내에 순수를 공급하여 제1약액을 배출하고, 순수에 의해 제1린스처리를 행하는 제2공정과, 상기 처리조 내에 제2약액을 공급하여 순수를 배출하고, 제2약액에 의해 제2약액처리를 행하는 제3공정과, 상기 처리조 내에 순수를 공급하여 제2약액을 배출하고, 순수에 의해 제2린스처리를 행하는 제4공정을 구비하며, 상기 제2공정의 제1린스처리시에 행해지는 처리액의 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값과, 상기 제4공정의 제2린스처리시에 행해지는 처리액의 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값을, 개별적으로 설정하는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 관한 발명은, 청구항 2에 기재된 기판세정방법으로서, 제1약액은 불화수소산이며, 제2약액은 SC－1인 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 관한 발명은, 청구항 2에 기재된 기판세정방법으로서, 제1약액은 SC－1이며, 제2약액은 SC－2인 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 관한 발명은, 청구항 2에 기재된 기판세정방법으로서, 제1약액은 불화수소산이며, 제2약액은 SC－2인 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 관한 발명은, 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 기판세정방법으로서, 상기 제2공정 및 상기 제4공정에서는, 상기 처리조 내에 저장된 처리액의 비저항치가, 각(各) 공정에 대해 설정된 문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시키는 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 관한 발명은, 처리액에 의해 기판의 세정을 행하는 기판세정장치로서, 처리액을 저장하는 처리조와, 상기 처리조에 저장된 처리액 속에 기판을 침지(浸漬)시키면서 보유지지하는 보유지지수단과, 상기 처리조에 저장된 처리액의 비저항치를 측정하는 비저항치 측정수단과, 상기 처리조 내에 처리액으로서의 제1약액, 순수, 및 제2약액을 공급하는 공급수단과, 상기 처리조 내에서 제1약액에 의한 제1약액처리, 순수에 의한 제1린스처리, 제2약액에 의한 제2약액처리, 순수에 의한 제2린스처리가 순차적으로 행해지도록, 상기 공급수단에 의한 처리액의 공급동작을 제어하는 제어수단과, 상기 제1린스처리시에, 상기 비저항치 측정수단에 의해 측정된 비저항치를 제1문턱값을 기준으로 해서 체크함과 아울러, 상기 제2린스 처리시에, 상기 비저항치 측정수단에 의해 측정된 비저항치를 제2문턱값을 기준으로 하여 체크하는 비저항치 체크수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 관한 발명은, 청구항 7에 기재된 기판세정장치로서, 상기 제어수단은, 상기 비저항치 체크수단에서 비저항치가 제1문턱값 및 제2문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시키는 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 관한 발명은, 청구항 7에 기재된 기판세정장치로서, 상기 제어수단은, 상기 비저항치 체크수단에서 비저항치가 제1문턱값 및 제2문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시키는 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 관한 발명은, 청구항 9에 기재된 기판세정장치로서, 상기 문턱값 설정수단은, 상기 제1문턱값 및 상기 제2문턱값을, 세정처리의 처리내용을 정하는 처리(處理) 레시피상에서 설정하는 것을 특징으로 한다.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 린스처리시에 행해지는 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값을, 해당 린스처리의 직전에 행해지는 약액처리에 사용하는 약액의 종류에 따라 설정한다. 이 때문에, 린스처리시에 배출되는 약액의 종류에 따른 최적 문턱값을 사용하여 비저항치를 체크할 수 있다.
또한, 청구항 2 내지 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 제2공정의 제1린스처리시에 행해지는 처리액의 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값과, 제4공정의 제2린스처리시에 행해지는 처리액의 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값을, 개별적으로 설정한다. 이 때문에, 제1린스처리시 및 제2린스처리시에 각각 배출되는 약액의 종류에 따른 최적 문턱값을 사용하여 비저항치를 체크할 수 있다.
특히, 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 제2공정 및 제4공정에서는, 처리조 내에 저장된 처리액의 비저항치가, 각 공정에 대해 설정된 문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시킨다. 이 때문에, 각 공정에 대해 개별적으로 설정된 문턱값을 기준으로 하여, 린스처리를 적정하게 종료시킬 수 있다.
또한, 청구항 7 내지 청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 기판세정장치는, 제1린스처리시에, 비저항치 측정수단에 의해 측정된 비저항치를 제1문턱값을 기준으로 하여 체크함과 아울러, 제2린스처리시에, 비저항치 측정수단에 의해 측정된 비저항치를 제2문턱값을 기준으로 하여 체크한다. 이 때문에, 제1린스처리시 및 제2린스처리시에 각각 배출되는 약액의 종류에 따른 최적 문턱값을 사용하여 비저항치를 체크할 수 있다.
특히, 청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 제어수단은, 비저항치 체크수단에서 비저항치가 제1문턱값 및 제2문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시킨다. 이 때문에, 제1문턱값 및 제2문턱값을 기준으로 하여, 린스처리를 적정하게 종료시킬 수 있다.
특히, 청구항 9에 기재된 발명에 의하면, 제1문턱값 및 상기 제2문턱값을 개별적으로 설정하는 문턱값 설정수단을 더 구비한다. 이 때문에, 제1문턱값 및 제2문턱값을 약액의 종류에 따라 임의로 설정할 수 있다.
특히, 청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 문턱값 설정수단은, 제1문턱값 및 제2문턱값을, 세정처리의 처리내용을 정하는 처리 레시피상에서 설정한다. 이 때문에, 처리 레시피를 설정할 때에, 제1문턱값 및 제2문턱값을 공정마다 용이하게 설정할 수 있다.
이하, 본 발명의 최적의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
〈1. 기판세정장치의 전체 구성〉
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판세정장치(1)의 구성을 나타낸 도면이다. 이 기판세정장치(1)는, 1개의 처리조(10) 안에서 기판(W)에 대해 약액에 의한 약액처리와 순수(純水)에 의한 린스처리를 순차적으로 행함으로써 기판(W)의 세정을 행하는, 이른바 원 배스 방식의 기판세정장치이다. 도 1에 나타낸 것처럼, 기판세정장치(1)는, 약액 또는 순수를 저장하기 위한 처리조(10)와, 기판(W)을 보유지지하기 위한 리프터(20)와, 처리조(10)에 약액 및 순수(이하, 약액과 순수를 총칭해서 「처리액」이라 함)를 공급하기 위한 처리액공급부(30)와, 장치 내의 각부(各部)를 동작제어하기 위한 제어부(40)를 구비하고 있다.
처리조(10)는, 내(耐)부식성의 부재로 구성되며, 약액 또는 순수를 저장하기 위한 용기이다. 처리조(10)는, 약액 또는 순수를 저장하여 그 내부에 복수 매(枚)의 기판(W)을 침지시키는 내조(內槽)(11)와, 내조(11)의 외주면의 상단부(上端部)에 형성된 외조(外槽)(12)를 가지고 있다. 또한, 내조(11)의 저부(底部)에는, 내조(11)의 내부를 향해 약액 또는 순수를 토출하기 위한 토출노즐(13)이 설치되어 있다. 토출노즐(13)은, 한 쌍의 노즐관(13a)을 가지고 있고, 각(各) 노즐관(13a)에는 복수(複數)의 토출구(도시 생략)가 형성되어 있다. 이 때문에, 노즐관(13a)에 공급된 약액 또는 순수는, 복수의 토출구로부터 토출되어, 내조(11)의 내부에 저장된다. 또한, 내조(11)의 상부까지 저장된 처리액은, 내조(11)의 상부로부터 오버플로우하여 외조(12)에 회수되고, 외조(12)에 접속된 배관(14)을 경유하여 공장 내의 배액(排液)라인으로 배액된다.
처리조(10)에 저장된 처리액의 액면(液面)부근에는, 비저항계(比抵抗計)(15)가 설치되어 있다. 비저항계(15)는, 한 쌍의 금속전극을 가지고 있고, 처리조(10) 내에 저장된 처리액의 전기저항을 계측하는 기능을 가진다. 비저항계(15)는, 린스처리 후에 실시되는 비저항치의 체크시에, 처리액의 비저항치를 계측하여, 취득된 비저항치를 전기신호로서 제어부(40)에 송신한다. 비저항계(15)의 금속전극 속에 온도센서를 내장하여, 소정온도에서의 비저항치의 환산치를 제어부(40)에 송신하도록 해도 좋다.
리프터(20)는, 복수 매의 기판(W)을 일괄하여 보유지지하면서 상하로 반송하기 위한 반송기구이다. 리프터(20)는, 도 1에서 지면(紙面)과 직교하는 방향으로 뻗은 3개의 보유지지봉(21)을 구비하고 있으며, 각(各) 보유지지봉(21)에는 복수의 보유지지홈(도시 생략)이 새겨져 있다. 복수 매의 기판(W)은, 그 주연부(周緣部)를 보유지지홈에 끼워 맞춘 상태로 3개의 보유지지봉(21)상에 서로 평행하게 기립자세로 보유지지된다. 또한, 리프터(20)는, 도 1에서 개념적으로 나타낸 구동부(22)와 접속되어 있다. 구동부(22)를 동작시키면, 기판(W)을 보유지지한 리프터(20)는 승 강이동(昇降移動)하며, 기판(W)은 처리조(10) 내의 침지위치(도 1의 상태)와, 처리조(10) 상방의 인양위치 사이에서 반송된다.
처리액공급부(30)는, 처리조(10) 내에 약액 또는 순수를 공급하기 위한 배관계(配管系)이다. 처리액공급부(30)는, 불화수소산 공급원(31), 수산화암모늄 공급원(32), 염산 공급원(33), 과산화수소 공급원(34), 순수 공급원(35), 믹싱밸브(36), 복수의 배관(37a~37f), 및 복수의 개폐밸브(38a~38e)를 조합해서 구성되어 있다. 불화수소산 공급원(31), 수산화암모늄 공급원(32), 염산 공급원(33), 과산화수소 공급원(34), 및 순수 공급원(35)은, 각각 배관(37a, 37b, 37c, 37d, 37e)을 통해 믹싱밸브(36)에 접속되어 있으며, 배관(37a, 37b, 37c, 37d, 37e)의 경로 도중에는, 각각 개폐밸브(38a, 38b, 38c, 38d, 38e)가 설치되어 있다. 또한, 믹싱밸브(36)는, 배관(37f)을 통해 처리조(10) 내의 토출노즐(13)에 접속되어 있다.
이러한 처리액공급부(30)에서, 개폐밸브(38b~38d)를 폐쇄함과 아울러 개폐밸브(38a, 38e)를 개방하면, 불화수소산 공급원(31)으로부터의 불화수소산과 순수 공급원(35)으로부터의 순수가, 각각 배관(37a, 37e)을 통해 믹싱밸브(36)에 공급되고, 믹싱밸브(36) 내에서 혼합되어 묽은(希) 불화수소산이 된다. 그렇게 하여, 생성된 묽은 불화수소산은, 믹싱밸브(36)로부터 배관(37f)을 통해 토출노즐(13)로 공급되고, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다.
또한, 이러한 처리액공급부(30)에서, 개폐밸브(38a, 38c)를 폐쇄함과 아울러 개폐밸브(38b, 38d, 38e)를 개방하면, 수산화암모늄 공급원(32)으로부터의 수산화암모늄과, 과산화수소 공급원(34)으로부터의 과산화수소와, 순수 공급원(35)으로부 터의 순수가, 각각 배관(37b, 37d, 37e)을 통해 믹싱밸브(36)에 공급되고, 믹싱밸브(36) 내에서 혼합되어 SC－1액(液)이 된다. 그렇게 하여, 생성된 SC－1액은, 믹싱밸브(36)로부터 배관(37f)을 통해 토출노즐(13)로 공급되고, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다.
또한, 이러한 처리액공급부(30)에서, 개폐밸브(38a, 38b)를 폐쇄함과 아울러 개폐밸브(38c~38e)를 개방하면, 염산 공급원(33)으로부터의 염산과, 과산화수소 공급원(34)으로부터의 과산화수소와, 순수 공급원(35)으로부터의 순수가, 각각 배관(37c, 37d, 37e)을 통해 믹싱밸브(36)에 공급되고, 믹싱밸브(36) 내에서 혼합되어 SC－2액이 된다. 그렇게 하여 생성된 SC－2액은, 믹싱밸브(36)로부터 배관(37f)을 통해 토출노즐(13)로 공급되고, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다.
또한, 이러한 처리액공급부(30)에서, 개폐밸브(38a~38d)를 폐쇄함과 아울러 개폐밸브(38e)를 개방하면, 순수 공급원(35)으로부터의 순수가, 배관(37e), 믹싱밸브(36), 배관(37f)을 통해 토출노즐(13)로 공급되고, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다.
제어부(40)는, 기판세정장치(1) 내의 각부를 동작제어하기 위한 컴퓨터 장치이다. 제어부(40)는, 상기 비저항계(15), 구동부(22), 및 개폐밸브(38a~38e)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 제어부(40)에는, 하드디스크나 메모리로 구성된 기억부(41)가 접속되어 있다. 기억부(41) 내에는, 기판세정장치(1)의 처리내용을 정한 처리(處理) 레시피(41a)가 기억되어 있다. 제어부(40)는, 기억부(41) 내에 기억된 처리 레시피(41a)에 따라, 구동부(22)나 개폐밸브(38a~38e)를 동작시킴으로써, 기판(W)의 세정처리를 진행시킨다.
또한, 도 1에 나타낸 것처럼, 제어부(40)에는, 액정표시장치 등으로 구성된 표시부(42)와 키보드나 마우스로 구성된 입력부(43)가 접속되어 있다. 제어부(40)는, 기억부(41) 내에 기억되는 처리 레시피(41a)를 설정하기 위한 레시피 설정화면(42a)을 표시부(42)상에 표시하게 할 수 있다. 기판세정장치(1)의 오퍼레이터는, 표시부(42)에 표시된 레시피 설정화면(42a)을 참조하면서, 입력부(43)로부터 조작입력을 행함으로써, 처리 레시피(41a)의 설정처리를 행할 수 있다.
도 2는, 표시부(42)상에 표시되는 레시피 설정화면(42a)의 예를 나타낸 도면이다. 도 2에 나타낸 것처럼, 레시피 설정화면(42a)에서는, 복수의 공정마다, 처리시간이나, 공급하는 처리액의 종류를 설정할 수 있다. 또한, 도 2 중의 에어리어 A1에 나타낸 것처럼, 레시피 설정화면(42a)에서는, 각 공정에서 실행되는 비저항치의 체크처리에 대해, 체크의 기준이 되는 문턱값을, 공정마다 고유의 수치로서 설정할 수 있다. 즉, 이 기판세정장치(1)에서는, 공정마다 다른 문턱값을 설정할 수 있어, 각 공정에서 다른 문턱값을 기준으로 하여 비저항치의 체크처리를 실시할 수 있다.
예를 들면, 도 2의 레시피 설정화면(42a)에서는, 공정 2에서의 체크처리의 문턱값이 800으로 설정되어 있는데 대해, 공정 4, 6에서의 체크처리의 문턱값은 1000으로 설정되어 있어, 이들 문턱값은 다른 값으로 되어 있다. 따라서, 기판세정장치(1)는, 공정 2와 공정 4, 6에서 다른 문턱값을 사용하여 비저항치의 체크를 행하게 된다. 또한, 도 2의 레시피 설정화면에서는, 공정 1, 3, 5에서의 체크처리의 문턱값은 0이 되어 있지만, 이것은, 공정 1, 3, 5에서 실질적인 비저항치의 체크가 행해지지 않는 것을 나타낸다. 표시부(42)상의 레시피 설정화면(42a)에서 설정된 내용은, 제어부(40)를 통해 기억부(41)에 송신되어, 기억부(41) 내에 처리 레시피(41a)로서 기억(혹은 갱신)된다.
〈2. 기판세정장치의 동작〉
이어서, 상기 구성을 가지는 기판세정장치(1)에서의 세정처리의 동작에 대해, 도 1과 도 3의 플로차트를 참조하면서 설명한다.
이 기판세정장치(1)에서 기판(W)의 세정처리를 행할 때는, 우선, 표시부(42)에 표시된 레시피 설정화면(42a)을 참조하면서, 오퍼레이터가 입력부(43)로부터 조작입력을 행함으로써, 처리 레시피(41a)의 설정을 행한다(스텝 S1). 오퍼레이터는, 공정마다, 처리시간이나 공급하는 처리액의 종류를 설정한다. 또한, 오퍼레이터는, 레시피 설정화면(42a) 중의 에어리어 A1에서, 비저항치의 체크처리에 사용하는 문턱값을 공정마다 설정한다. 또한, 이하에서는, 도 2의 레시피 설정화면(42a)에 나타난 설정에 따라 처리가 진행하는 것으로 하여, 설명을 진행한다.
레시피 설정처리가 종료하면, 오퍼레이터는, 미처리의 기판(W)을 리프터(20)상에 세팅하고, 입력부(43)로부터 소정의 처리개시명령을 입력한다. 기판세정장치(1)의 제어부(40)는, 입력부(43)로부터의 처리개시명령을 수신하면, 우선, 구동부(22)를 동작시킴으로써 리프터(20)를 강하시킨다. 이로써, 리프터(20)와 함께 기판(W)이 처리조(10) 내의 침지위치(浸漬位置)까지 하강한다(스텝 S2).
이어서, 제어부(40)는, 개폐밸브(38b~38d)를 폐쇄함과 아울러 개폐밸브(38a, 38e)를 개방한다. 이로써, 불화수소산 공급원(31)으로부터의 불화수소산과 순수 공급원(35)으로부터의 순수가 혼합되어 묽은 불화수소산이 생성되고, 생성된 묽은 불화수소산이, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다. 토출노즐(13)로부터 토출된 묽은 불화수소산은, 처리조(10) 내에 저장되며, 이윽고 내조(11)의 상부로부터 외조(12)로 오버플로우한다. 기판(W)은, 처리조(10) 내에 저장된 묽은 불화수소산 속에 침지된 상태가 되어, 묽은 불화수소산에 의한 약액처리를 받는다(처리 레시피상의 공정 1, 스텝 S3).
소정시간의 약액처리가 종료하면, 제어부(40)는 개폐밸브(38a)를 폐쇄하여, 개폐밸브(38e)만이 개방된 상태로 한다. 이로써, 순수 공급원(35)으로부터의 순수만이, 믹싱밸브(36)를 통해 토출노즐(13)에 공급되고, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다. 처리조(10) 내로 토출된 순수는, 처리조(10) 내의 묽은 불화수소산을 서서히 처리조(10)로부터 배출하여, 처리조(10) 내의 묽은 불화수소산을 순수로 치환한다. 그렇게 하여, 기판(W)은, 처리조(10) 내에 저장된 순수에 의해 린스처리를 받는다(처리 레시피상의 공정 2, 스텝 S4).
린스처리의 개시 후, 소정의 처리시간이 경과하면, 제어부(40)는, 비저항계(15)에서 계측된 비저항치를 수신하고, 수신한 비저항치의 체크를 행한다(스텝 S5). 구체적으로는, 제어부(40)는, 처리 레시피(41a)상의 공정 2에서 설정된 문턱값과, 비저항계(15)로부터 수신한 비저항치를 비교하여, 비저항치가 문턱값 이상이면 린스처리를 정상 종료한다. 한편, 비저항치가 문턱값 미만이었을 경우에는, 제 어부(40)는, 표시부(42)에 소정의 경고메세지를 표시하여 오퍼레이터의 대처를 기다린다(스텝 S6).
린스처리가 정상 종료하면, 계속해서, 제어부(40)는, 개폐밸브(38a, 38c)를 폐쇄한 상태에서 개폐밸브(38b, 38d, 38e)를 개방한다. 이로써, 수산화암모늄 공급원(32)으로부터의 수산화암모늄과 과산화수소 공급원(34)으로부터의 과산화수소와 순수 공급원(35)으로부터의 순수가 혼합되어 SC－1액이 생성되고, 생성된 SC－1액이, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다. 처리조(10) 내로 토출된 SC－1액은, 처리조(10) 내의 순수를 서서히 처리조(10)로부터 배출하여, 처리조(10) 내의 순수를 SC－1액으로 치환한다. 그렇게 하여, 기판(W)은, 처리조(10) 내에 저장된 SC－1액에 의해 약액처리를 받는다(처리 레시피상의 공정 3, 스텝 S7).
소정시간의 약액처리가 종료하면, 제어부(40)는 개폐밸브(38b, 38d)를 폐쇄하여, 개폐밸브(38e)만이 개방된 상태로 한다. 이로써, 순수 공급원(35)으로부터의 순수만이, 믹싱밸브(36)를 통해 토출노즐(13)로 공급되고, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다. 처리조(10) 내로 토출된 순수는, 처리조(10) 내의 SC－1액을 서서히 처리조(10)로부터 배출하여, 처리조(10) 내의 SC－1액을 순수로 치환한다. 그렇게 하여, 기판(W)은, 처리조(10) 내로 저장된 순수에 의해 린스처리를 받는다(처리 레시피상의 공정 4, 스텝 S8).
린스처리의 개시 후, 소정의 처리시간이 경과하면, 제어부(40)는, 비저항계(15)에서 계측된 비저항치를 수신하여, 수신한 비저항치의 체크를 행한다(스텝 S9). 구체적으로는, 제어부(40)는, 처리 레시피(41a)상의 공정 4에서 설정된 문턱 값과, 비저항계(15)로부터 수신한 비저항치를 비교하여, 비저항치가 문턱값 이상이면 린스처리를 정상 종료한다. 한편, 비저항치가 문턱값 미만이었을 경우에는, 제어부(40)는, 표시부(42)에 소정의 경고메세지를 표시하여 오퍼레이터의 대처를 기다린다(스텝 S10).
린스처리가 정상 종료하면, 계속해서, 제어부(40)는, 개폐밸브(38a, 38b)를 폐쇄한 상태에서 개폐밸브(38c, 38d, 38e)를 개방한다. 이로써, 염산 공급원(33)으로부터의 염산과 과산화수소 공급원(34)으로부터의 과산화수소와 순수 공급원(35)으로부터의 순수가 혼합되어 SC－2액이 생성되며, 생성된 SC－2액이, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다. 처리조(10) 내로 토출된 SC－2액은, 처리조(10) 내의 순수를 서서히 처리조(10)로부터 배출하여, 처리조(10) 내의 순수를 SC－2액으로 치환한다. 그렇게 하여, 기판(W)은, 처리조(10) 내에 저장된 SC－2액에 의해 약액처리를 받는다(처리 레시피상의 공정 5, 스텝 S11).
소정시간의 약액처리가 종료하면, 제어부(40)는 개폐밸브(38c, 38d)를 폐쇄하여, 개폐밸브(38e)만이 개방된 상태로 한다. 이로써, 순수 공급원(35)으로부터의 순수만이, 믹싱밸브(36)를 통해 토출노즐(13)로 공급되며, 토출노즐(13)로부터 처리조(10) 내로 토출된다. 처리조(10) 내로 토출된 순수는, 처리조(10) 내의 SC－2액을 서서히 처리조(10)로부터 배출하여, 처리조(10) 내의 SC－2액을 순수로 치환한다. 그렇게 하여, 기판(W)은, 처리조(10) 내에 저장된 순수에 의해 린스처리를 받는다(처리 레시피상의 공정 6, 스텝 S12).
린스처리의 개시 후, 소정의 처리시간이 경과하면, 제어부(40)는, 비저항 계(15)에서 계측된 비저항치를 수신하여, 수신한 비저항치의 체크를 행한다(스텝 S13). 구체적으로는, 제어부(40)는, 처리 레시피(41a)상의 공정 6에서 설정된 문턱값과, 비저항계(15)로부터 수신한 비저항치를 비교하여, 비저항치가 문턱값 이상이면 린스처리를 정상 종료한다. 한편, 비저항치가 문턱값 미만이었을 경우에는, 제어부(40)는, 표시부(42)에 소정의 경고메세지를 표시하여 오퍼레이터의 대처를 기다린다(스텝 S14).
린스처리가 정상 종료하면, 제어부(40)는, 개폐밸브(38e)를 폐쇄하여 순수의 공급을 정지한다. 그리고, 제어부(40)는, 구동부(22)를 동작시킴으로써 리프터(20)를 상승시켜, 리프터(20)와 함께 기판(W)을 처리조(10)의 상방으로 끌어올린다(스텝 S15). 이상으로, 1조의 기판(W)에 대한 일련의 세정처리가 종료한다.
이상과 같이, 본 실시형태의 기판세정장치(1)에서는, 린스처리시에 행해지는 비저항치의 체크에 사용되는 문턱값을, 레시피 설정화면(42a)상에서 공정마다 개별적으로 설정할 수 있다. 이 때문에, 린스처리의 직전에 사용되는 약액의 종류에 따라 각(各) 문턱값을 설정하면, 각 공정의 린스처리시에 최적 문턱값을 사용하여 비저항치를 체크할 수 있다. 또한, 이로써, 각 공정의 린스처리를 적정하게 종료시킬 수 있다.
〈3. 반도체 디바이스의 제조공정으로의 적용예〉
반도체 디바이스의 제조공정에서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 게이트 절연막을 형성할 때의 전(前) 세정을, 상기와 같은 기판세정장치(1)를 사용하여 행할 수 있다. 즉, 기판(W)으로서의 반도체 웨이퍼를 리프터(20)상에 세팅하여, 도 3의 스텝 S1~S15에 따라 반도체 웨이퍼의 세정처리를 행할 수 있다. 묽은 불화수소산에 의한 약액처리(스텝 S3)에서는, 주로 반도체 웨이퍼 표면의 희생 산화막이 제거되며, 또한, SC－1액에 의한 약액처리(스텝 S7) 및 SC－2액에 의한 약액처리(스텝 S11)에서는, 주로 반도체 웨이퍼 표면의 파티클 및 금속 불순물이 제거된다.
또한, 기판세정장치(1)는, 각(各) 약액처리 후의 린스처리시에 사용되는 비저항치의 문턱값을 개별적으로 설정할 수 있다. 이 때문에, 불화수소산, SC－1, 및 SC－2의 각각에 대해 최적 문턱값을 사용하여 비저항치(比抵抗値)를 적정하게 회복시킬 수 있고, 약액처리 후의 린스처리에서 각 약액성분(불화수소산 성분, SC－1, SC－2)을 충분히 제거할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성되는 게이트 절연막의 막질을 치밀화할 수 있음과 아울러, 내압 불량이 없는 신뢰성이 높은 게이트 절연막을 형성할 수 있다.
〈4. 변형예〉
이상, 본 발명의 일 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 예에서는, 약액으로서 묽은 불화수소산, SC－1액, 및 SC－2액을 사용하였지만, 본 발명에서 공급되는 약액은 다른 약액이어도 좋다. 또한, 1회의 세정처리에서 실행되는 약액처리 및 린스처리의 횟수도, 상기 횟수로 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 기판세정장치(1)에서는, 기판(W)에 대해 약액처리 및 린스처리만 을 실시하고 있었지만, 기판세정장치(1) 내에서 린스처리 후의 기판(W)에 건조처리를 행하도록 해도 좋다. 예를 들면, 처리조(10)의 상방으로 기판(W)을 끌어올린 후, IPA 베이퍼의 공급이나 처리공간의 감압(減壓)을 행함으로써, 기판(W)의 표면을 건조시키도록 해도 좋다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판세정장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 표시부상에 표시되는 레시피 설정화면의 예를 나타낸 도면이다.
도 3은 기판세정장치의 동작의 흐름을 나타낸 플로차트이다.
도 4는 원 배스 방식의 기판세정장치에서의 비저항치의 변동 예를 나타낸 그래프이다.
도 5는 종래의 레시피 설정화면의 예를 나타낸 도면이다.
[부호의 설명]
1 기판세정장치
10 처리조
13 토출노즐
15 비저항계
20 리프터
22 구동부
30 처리액공급부
31 불화수소산 공급원
32 수산화암모늄 공급원
33 염산 공급원
34 과산화수소 공급원
35 순수 공급원
36 믹싱밸브
37a~37f 배관
38a~38e 개폐밸브
40 제어부
41 기억부
41a 처리(處理) 레시피
42 표시부
42a 레시피 설정화면
43 입력부
W 기판

Claims (10)

1개의 처리조 안에서 기판에 대해 약액(藥液)에 의한 약액처리와 순수(純水)에 의한 린스처리를 순차적으로 행하는 기판세정방법으로서,
상기 린스처리시에 행해지는 비저항치(比抵抗値)의 체크에 사용하는 문턱값을, 해당 린스처리의 직전에 행해지는 약액처리에 사용하는 약액의 종류에 따라 설정하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
1개의 처리조 안에서 기판에 대해 약액에 의한 약액처리와 순수에 의한 린스처리를 순차적으로 행하는 기판세정방법으로서,
상기 처리조 내에서 제1약액에 의해 제1약액처리를 행하는 제1공정과,
상기 처리조 내에 순수를 공급하여 제1약액을 배출하며, 순수에 의해 제1린스처리를 행하는 제2공정과,
상기 처리조 내에 제2약액을 공급하여 순수를 배출하며, 제2약액에 의해 제2약액처리를 행하는 제3공정과,
상기 처리조 내에 순수를 공급하여 제2약액을 배출하며, 순수에 의해 제2린스처리를 행하는 제4공정
을 구비하며,
상기 제2공정의 제1린스처리시에 행해지는 처리액의 비저항치의 체크에 사용하는 문턱값과, 상기 제4공정의 제2린스처리시에 행해지는 처리액의 비저항치의 체 크에 사용하는 문턱값을 개별적으로 설정하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
제2항에 있어서,
제1약액은 불화수소산이며, 제2약액은 SC－1인 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
제2항에 있어서,
제1약액은 SC－1이며, 제2약액은 SC－2인 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
제2항에 있어서,
제1약액은 불화수소산이며, 제2약액은 SC－2인 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2공정 및 상기 제4공정에서는, 상기 처리조 내에 저장된 처리액의 비저항치가, 각 공정에 대해 설정된 문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시키는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
처리액에 의해 기판의 세정을 행하는 기판세정장치로서,
처리액을 저장하는 처리조와,
상기 처리조에 저장된 처리액 속에 기판을 침지시키면서 보유지지하는 보유지지수단과,
상기 처리조에 저장된 처리액의 비저항치를 측정하는 비저항치 측정수단과,
상기 처리조 내에 처리액으로서의 제1약액, 순수, 및 제2약액을 공급하는 공급수단과,
상기 처리조 내에서 제1약액에 의한 제1약액처리, 순수에 의한 제1린스처리, 제2약액에 의한 제2약액처리, 순수에 의한 제2린스처리가 순차적으로 행해지도록, 상기 공급수단에 의한 처리액의 공급동작을 제어하는 제어수단과,
상기 제1린스처리시에, 상기 비저항치 측정수단에 의해 측정된 비저항치를 제1문턱값을 기준으로 하여 체크함과 아울러, 상기 제2린스처리시에, 상기 비저항치 측정수단에 의해 측정된 비저항치를 제2문턱값을 기준으로 하여 체크하는 비저항치 체크수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
제7항에 있어서,
상기 제어수단은, 상기 비저항치 체크수단에서 비저항치가 제1문턱값 및 제2문턱값에 도달해 있으면, 각각 제1린스처리 및 제2린스처리를 정상 종료시키는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 제1문턱값 및 상기 제2문턱값을 개별적으로 설정하는 문턱값 설정수단 을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
제9항에 있어서,
상기 문턱값 설정수단은, 상기 제1문턱값 및 상기 제2문턱값을, 세정처리의 처리내용을 정하는 처리 레시피상에서 설정하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
KR1020080046225A 2007-05-28 2008-05-19 기판세정방법 및 기판세정장치 KR100970804B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007140099A JP4917965B2 (ja) 2007-05-28 2007-05-28 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JPJP-P-2007-00140099 2007-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080104964A true KR20080104964A (ko) 2008-12-03
KR100970804B1 KR100970804B1 (ko) 2010-07-16

Family

ID=40086772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080046225A KR100970804B1 (ko) 2007-05-28 2008-05-19 기판세정방법 및 기판세정장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8038798B2 (ko)
JP (1) JP4917965B2 (ko)
KR (1) KR100970804B1 (ko)
CN (1) CN101314159A (ko)
TW (1) TW200910439A (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5284918B2 (ja) * 2009-09-24 2013-09-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN102096346B (zh) * 2009-12-15 2013-06-12 北大方正集团有限公司 硅片去胶方法、装置及使用显影机台进行硅片去胶的方法
JP5541627B2 (ja) * 2010-09-30 2014-07-09 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
CN104022014A (zh) * 2013-03-01 2014-09-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 湿法清洗方法
JP6289241B2 (ja) * 2013-06-20 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
CN106104762B (zh) * 2014-03-10 2018-12-11 株式会社斯库林集团 基板处理系统以及管道清洗方法
JP6339954B2 (ja) * 2014-06-09 2018-06-06 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット
KR101642411B1 (ko) 2014-08-06 2016-07-25 박기환 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
US11742196B2 (en) * 2018-05-24 2023-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for metallic deionization
JP7252003B2 (ja) * 2019-02-19 2023-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN112687574B (zh) * 2019-10-17 2023-03-24 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆清洗状态的监测系统及监测方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474420A (ja) * 1990-07-17 1992-03-09 Fujitsu Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
JP3364931B2 (ja) * 1991-06-24 2003-01-08 ソニー株式会社 洗浄方法
JP3377657B2 (ja) 1994-08-08 2003-02-17 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置および処理装置の画面処理方法
JP3464843B2 (ja) * 1995-03-30 2003-11-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置における基板処理方法および基板処理装置
JP3243708B2 (ja) * 1995-12-07 2002-01-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
TW322605B (ko) * 1995-12-07 1997-12-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP2000068241A (ja) 1998-08-21 2000-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
EP1142005A1 (en) * 1999-09-10 2001-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Arrangement and method for detecting the end of life of an aqueous bath utilized in semiconductor processing
JP3773390B2 (ja) 2000-03-31 2006-05-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005101572A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法及びその装置
JP4330959B2 (ja) * 2003-09-05 2009-09-16 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置、半導体基板、ならびに半導体装置
US20060043073A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JP2006253552A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体洗浄装置および半導体洗浄方法
JP4891730B2 (ja) 2006-10-18 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI376742B (ko) 2012-11-11
KR100970804B1 (ko) 2010-07-16
CN101314159A (zh) 2008-12-03
US8038798B2 (en) 2011-10-18
US20080295862A1 (en) 2008-12-04
JP4917965B2 (ja) 2012-04-18
JP2008294328A (ja) 2008-12-04
TW200910439A (en) 2009-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100970804B1 (ko) 기판세정방법 및 기판세정장치
US5826601A (en) Treating liquid replacing method, substrate treating method and substrate treating apparatus
US20060011214A1 (en) System and method for pre-gate cleaning of substrates
US20050133066A1 (en) Substrate treating method and apparatus
JP2006310767A (ja) 基板処理装置
US7506457B2 (en) Substrate treating apparatus
US6293288B2 (en) Cleaning method and apparatus
JP4946321B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US11037805B2 (en) Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer
CN209785893U (zh) 一种晶圆清洗设备
JP2000183024A (ja) 基板処理装置
JP2010267856A (ja) 洗浄処理装置および洗浄処理方法
JP2009099981A (ja) 処理液感知器を有するバルブ、これを利用する基板処理装置及び基板処理方法
JP3891776B2 (ja) 基板処理装置
JP2000005710A (ja) 基板洗浄装置
KR102599614B1 (ko) 기판 이송 장치
KR20110039769A (ko) 기판의 건조장치 및 건조방법
JP2008047668A (ja) 基板処理装置
KR20090064111A (ko) 매엽식 습식세정장비의 세정챔버 캐미컬 공급 시스템
KR20070069340A (ko) 웨이퍼 세정장치 및 방법
KR100516264B1 (ko) 웨이퍼의 씨엠피후 세정장치 및 방법
JP2005101572A (ja) 基板洗浄方法及びその装置
KR101394088B1 (ko) 반도체 세정장치
JP2002252197A (ja) 基板処理方法
JP2005268287A (ja) 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130621

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150619

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160617

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 10