TWI375859B - Method for fabricating a phase shifting photomask - Google Patents

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Description

1375859
九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要涉及在半導體工業中，用以製造 的光罩，更具體地，係關於相位移光罩及其製造 【先前技術】 在積體電路（1C )或者晶片的製造中，係使 使用的光罩或者圖罩（reticle )，製造晶片的不 案。典型地，一晶片係經由一組1 5 - 3 0個或者更 製造，並且該圖罩可被重複使用。在此，術語“ “圖罩”可交替使用。每個光罩通過微影的方式 晶片層的設計轉換或轉印到設置在半導體基板 層。由於光罩中的缺陷可能會被轉印到晶片上， 罩的精確度非常重要，一旦缺陷被轉印，會潛在 性能產生負面影響。 傳統的光罩一般包括透光玻璃，或具有鉻的 的石英基板，該鉻的圖案化層形成待轉印到光阻 像的不透明區域。適於印出先進的次-150nm特樹 其係利用各別微影系統之照射源所使用的光的干 能，這通常在現有技術中是公知的，並且該光罩 位移光罩。相位移光罩包括具有交替光程的區域 典型地，在鄰近區域中，光程差約為用於曝光光 波長的一半。該光罩有助於圖像的轉印，且所轉 具有超過傳統光罩光學限制的解析度。 積體電路 友法。 用可重複 同層的圖 多的圖罩 光罩”和 ，將各個 上的光阻 因此該光 地對電路 圖案化層 層中的圖 .的光罩， 涉測量性 被稱爲相 的圖案。 阻之光其 印的圖像 1375859 然而，雖然於習知技術中已致力於開發相位移 但光罩與製造光罩的方法仍待進一步的改善。 【發明内容】 本發明提供一種相位移光罩及其製造方法。在 例中，一種相位移光罩包括在透明基板上形成的圖 膜疊層。該膜疊層包括設置在基板中，並對光具有 透明度值的第一層，以及設置在第一層上的第二層 該第一層和第二層係選用以使通過第一層和第二層 相對於通過基本對光透明之開口的光，產生180度 移。 在另一實施例中，一種相位移光罩，其包括基 在該基板上形成的膜疊層，膜疊層具有形成在其中 露部分所述基板的至少一個開口 ，其中該膜疊層包 在钽層上的至少一二氧化矽層，其中該膜疊層和基 使通過膜疊層的光相對於基板產生180度相位移的 在又一實施例中，一種用於製造相位移光罩的 括：提供一基板，該基板對於由微影系統的照射源 光基本上為透明，該基板包含膜疊層，其中該膜疊 板具有使通過膜疊層的光相對於基板産生180度相 特性，該膜疊層進一步包括犧牲上層、對光具有預 度值的第一層，和對光基本上為透明的第二層；在 層上形成圖案化的蝕刻遮罩；蝕刻犧牲上層的暴露 蝕刻第二層的暴露部分；利用基板作爲蝕刻終止層 光罩，
一實施 案化的 預定的 ，其中 的光， 的相位 板以及 ，且暴 括設置 板具有 t寺性。 方法包 産生的 層和基 位移的 定透明 犧牲上 部分； ，姓刻 6 1375859
第一層的暴露部分；去除圖案化的蝕刻遮罩並去除犧牲 層。 在又一實施例中，一種用於製造相位移光罩的方法 包括：提供具有钽（Ta)層、二氧化矽（Si02)層、含 (Cr)層的石英基板以及在含Cr層上的圖案化的光阻蝕 遮罩；蝕刻通過蝕刻遮罩暴露的部分含Cr層；蝕刻通過 蝕刻的含C r層暴露的部分S i 0 2層；利用基板作爲蝕刻 止層蝕刻通過所蝕刻的Si02層暴露的部分Ta層；去除 案化的蝕刻遮罩，以及去除含Cr層。 該發明内容既不意指也不應該理解爲表示本發明的 部内容和範圍，其中這些和額外的態樣將通過詳細說明 加顯而易見，尤其是參照附圖時。 【實施方式】第1圖是示出根據本發明一實施例，用於 造相位移光罩（PSM)的方法100的流程圖。在一些實 例中，利用分離的製程反應器執行該方法之步驟。在替 的實施例中，在相同的處理反應器（即，原位）或在不 的反應器中執行該方法步驟中的至少兩個步驟。 在一示例性實施例中，利用Tetra I或Tetra II光 電漿體反應器或分立電漿體源（DPS® ) II反應器，執行 法1 0 0的蝕刻製程（參照方框1 0 6、1 0 8和1 1 0討論）， 有以上的反應器都可從加利福尼亞 Santa Clara的應用 料有限公司購得。這些反應器的顯著特徵將於下文參照 3圖討論。DPS® II反應器通常用作Centura®集成處理 上 可 鉻 刻 所 终 圖 全 更 製 施 代 同 罩 方 所 材 第 系 1375859 統的處理模組，並且也可從應用材料有限公司購得。本領 域熟習技藝者將易於理解，還可利用可從其他設備製造商 購得的蝕刻反應器執行該蝕刻製程。
第2 A-2H圖是部分基板的示意性橫截面視圖，該基板 包括在第1圖方法100的連續方框間，所製造的PSM的膜 疊層。在第2A-2H圖中的橫截面視圖示出了方法100的獨 立的處理步驟。爲了更好的理解本發明，請同時參照第1 圖和第2A-2H圖。子製程和微影例行程序（例如，光阻的 曝光和顯影，晶圓清洗程序等等）對於本領域的普通技術 人員是衆所周知的，從而在第1圖和第2 A-2H圖中沒有示
方法100始於方框102處，此係適於製造PSM的膜疊 層220形成在基板202上時（第2A圖）。在一特定的實施 例中，基板202適於在微影系統中使用。基板202可由石 英或其他材料（例如，玻璃）形成，該材料對於由使用該 PSM之微影系統的照射源提供的光，例如對於以1 93 nm、 158 nm或更短波長所發出的深紫外線準分子雷射，具有光 學透明性。 膜疊層220 —般包括連續沈積在基板202上的半透明 層204、相位移層206和犧牲保護層208。在其他實施例中， 層2 04和206可以不同的次序沈積在基板202上。犧牲保 護層2 0 8係以一般在方法1 0 0期間，用以抵抗蝕刻製程的 材料形成，以圖案化半透明層204和相位移層206。 在第2A圖所述之實施例，膜疊層220包括連續沈積 1375859
的钽（Ta)層204、二氧化矽（Si02或石英）層206和鉻 (Cr )層208。Ta層具有在約5到約50nm範圍内的厚度。 當形成該厚度時，Ta層204提供了在微影系統中所使用的 照射源之光的預定透明度值D Si〇2層206對於照射源的光 基本為透明，並形成爲從約50至約3 00nm範圍内的預定 厚度。在所製造的PSM中，Si02層206(並且，在一些實 施例中，Ta和Si02或石英層的結合效應）有助於微影系 統中所使用的光在通過遮罩時，達到預定相位移（例如， 大約1 80度相位移）。Cr層208爲具有約20到約20Onm範 圍内之厚度的犧牲保護層。在一實施例中，層 204、206 和208的厚度分別爲約20、1 50和60nm »
可以想像，層204、206和208可以由具有類似的光學 或物理屬性的其他材料製造。特別地，層204可由對於照 射源的光，能提供受控的透明度之材料形成，而層206可 由對於前述光具有穿透性的材料形成，而層208材料的選 擇則是基於與方法1 〇 〇的製程步驟的相容性。例如，在可 選實施例中，層204、206和208可由1^〇5丨)(0^2疊層製 造。這樣，在膜疊層220的層中Ta、Si〇2和Cr的特定使 用是示例性的，並且不應該用於限制本發明的範圍。 膜疊層220的層可以使用任意傳統的薄膜沈積技術形 成，例如，原子層沈積（ALD)、物理氣相沈積（PVD)、 化學氣相沈積（CVD)、電漿輔助式CVD(PECVD)等等。 例如，可使用CENTURA®、ENDURA®和其他可從應用材料 有限公司購得之製程系統的相對應反應器，或其他設備製 9 1375859
造商的製程反應器沈積該層。 在方框104，將光阻層210施加到杂 2 B圖），然後，使用傳統的微影製程， 成光阻遮罩216(第2C圖）。光阻遮罩 以定義將在方法100的後續步驟中，於 所形成的特徵214其位置和佈局尺寸。 同的佈局或形狀，包括諸如觸點、溝槽 狀。 層210可選擇性的包括抗反射層2 該抗反射層212控制用於圖案化光阻層 並減少在圖案轉移製程中，因光反射引 通常由諸如氮化矽（SiN)、聚醯胺等材 成。 在方框106，使用光阻遮罩216作 犧牲保護層208(第2D圖）。在完成方 時，特徵214被從遮罩216轉印到犧牲 在一實施例中，使用包含至少一種 氣氣（Cl2 ))或至少一種含氟氣體（例女 或四氟化碳（CF4 ))的電漿蝕刻Cr層 月28曰發表的共同轉讓的美國專利No. 述了用於蝕刻C r的這些製程。可以想偉 製程也可用於蝕刻Cr層208。 在方框108，係使用光阻光罩216, 的犧牲保護層208的下部分作爲蝕刻遮 良牲保護層208 (第 圖案化層2 1 0以形 2 1 6中的開口係用 膜疊層220的層中 特徵214可具有不 、OPC特徵等的形 1 2 (以虛線示出）， 2 1 0之光的反射， 起的錯誤。層 2 1 2 料之一或多層膜形 爲蝕刻遮罩，蝕刻 框1 0 6的蝕刻製程 保護層2 0 8中。 含氣氣體（例如， 3，六氟化硫（SF6) 208 〇 在 2006 年 3 7,0 1 8,934 B2 中描 .，其他適宜的蝕刻 以及可選地或另外 罩，以對相位移層 10 1375859 206蝕刻（第2E圖）。在一可選實施例中（未示出），在蝕 刻相位移層2 0 6之前，可使用例如傳統的灰化或濕蝕刻製 程去除光阻遮罩216。在前述的方框106期間，可部分侵 蝕光阻遮罩208，然後以圖案化的犧牲保護層208作為硬 蝕刻遮罩，其定義在層206中所形成的特徵214的佈局。
方框1 08的蝕刻製程使用半透明的層204作爲蝕刻終 止層。爲了確定蝕刻製程的終點，蝕刻反應器可使用終點 檢測系統，以監控特定波長的電漿發射、鐳射干涉測量、 製程時間的控制等等。在特定的實施例中，終端檢測系統 可使用33 63埃的四氟化矽（SiF4)分子線的發射。或者終 端檢測系統可使用3 8 7 1 - 3 8 8 3埃的氰（CN )分子線的發射。
在一實施例中，S i Ο 2層係以約2到約1 0 0 s c c m的流 速提供四氟^化碳（C F 4 )，以及以約5到約1 0 0 s c c m的流速 提供三氟曱烷（CHF3 )(即，CF4 : CHF3流量比率在約I : 50到約1 0 : 1的範圍内）進行蝕刻，同時以約13 ·56ΜΗζ 的頻率施加約 100至約 1 500W 間的電漿源功率，以約 500Hz至ij 1 0 kHz之間的頻率施加約1 0和約200W間的偏 置功率，並且保持腔室壓力在約0.5至約20mTorr之間。 在一些實施例中，該蝕刻製程可使用連續波或脈衝電漿 源；和/或連續波或脈衝偏置功率，或者以多步蝕刻製程執 行。在一些實施例中，可使用上述方法的結合。 在一實施例中，以約1 2 · 5 s c c m的流速提供C F 4，以約 22.5sccm 的流速提供 CHF3(即，約 1: 1.8 的 CF4: CHF3 流量比率），以約1 3 · 5 6 Μ Η z的頻率、約5 0 W的偏置功率 1375859 施加約425W的電漿源功率，並且將腔室壓力保持爲約2 mTorr。該蝕刻製程形成具有約 88-90度側壁角的特徵 214。該製程具有至少約15:1的Si02 (層206 )對Cr (層 2 0 8 )的蝕刻選擇性，以及至少約0.5 : 1的S i 02對光阻（遮 罩2 1 6 )的蝕刻選擇性。
在另一實施例中，方框108可使用在2005年1月8 曰提交的共同轉讓的美國專利申請序列號No.11/031，885 的申請中，所描述的姓刻製程。 在方框110，係使用光阻遮罩216，以及可選地或另外 的犧牲保護層208的下部分作爲蝕刻遮罩，對半透明層204 進行蝕刻（第2F圖）。方框110的蝕刻製程使用基板202 作爲蝕刻終止層。在特定的實施例中，終端檢測系統係使 用3311埃的鈕線發射。
在另一實施例中（.未示出），在蝕刻半透明層 204之 前，可使用例如傳統的灰化或濕蝕刻製程去除光阻遮罩 216。在前述的步驟106或108期間，可部分侵蝕光阻遮罩 2 1 6，然後以圖案化的犧牲保護層2 0 8用作硬蝕刻遮罩，其 定義在層204中所形成的特徵214之佈局。 在一實施例中，通過以約1 0到約2 0 0 s c c m的流速提 供氣氣（Cl2)，以及約10到約200 seem的流速提供氬（Ar) (即，Cl2 : Ar流量比率在約1 : 20到約20 : 1的範圍内）， 蝕刻Ta層204，同時以約13.56MHz的頻率施加在約75 至約1 5 0 0 W之間的電漿源功率，施加約5至約1 0 0 W之間 的偏置功率，並且保持腔室壓力在約1至約20 mTorr之 12 1375859 在去除犧牲保護層208之後，基板202連同膜疊層220 的剩餘部分一起形成PSM 218。在操作中，與傳播通過基 板2 0 2和特徵2 1 4的光線相較，來自微影系統的照射源的 光線224在傳播通過PSM 218的區域222會產生預定的相 位移。PSM218可用於製造積體電路，其元件具有至少約 45 nm或更小的關鍵尺寸。在方框114完成時，方法100 結束。
第3圖是適於執行方法100的蝕刻製程的示例性處理 反應器的高級示意性圖。所提供的反應器300的特定實施 例只是用於示意性目的，並且不應該用於限制本發明的範 圍。例如，其他類型的蝕刻反應器亦可適於執行本發明的 方法，包括來自其他製造商的蝕刻反應器。 反應器300 —般包括製程腔室302和控制器346，製 程腔室302具有設置在傳導主體（壁）304内的基板基座 324。反應器300還包括用於製程控制、内部診斷、終點檢 測等的傳統系統。這些系統被一起示爲支援系統3 5 4。
在所述之實施例中，腔室302具有基本平坦的介電質 頂部308。腔室302的其他變型可具有其他類型的頂部， 例如拱形頂部。電漿産生天線310設置在頂部308的上方。 天線310包括可被選擇性控制的一個或多個感應線圈元件 (示出兩個同軸元件310a和310b)。天線310通過第一匹 配網路3 1 4耦合到電漿體功率源3 1 2。電漿功率源3 1 2能 在從約50kHz到13.56MHz的範圍内或更高的可調諧射頻 (RF )下，産生高達約3000瓦特（W )的功率。 14 基板基座（陰極）324通過第二匹配網路342耦 偏置功率源340»配置功率源mo在約n 56MHz的 下，提供尚達15〇〇\v的功率，並能産生連續或脈衝# 在另一實施例中’源3 4〇可在不同的頻率下操作或可』 或脈衝D C源》 在一實施例中，作爲DPS® II反應器，基板支撐 324包括靜電夹盤36〇β靜電夹盤36〇包括至少一個钳 極3 32並由夾盤電源366控制。在其他實施例中，作爲 I或Tetra Π光罩反應器，基板基座324包括其他基 持機構，諸如承載器失環、機械夾盤等。 腔室壁304由金屬形成，並且耦合到反應器的電 3 06。可使用設置在壁3 〇4中的含液體的導管（未示出 制壁304的溫度。 氣體儀錶盤320耦合到製程腔室302以向製程 302的内部提供製程和/或其他氣體。在所描述的實 中，氣體儀錶盤320耦合到形成於側壁304中之通道 中的一個或多個入口 316。可選地或另外地，還可在 製程腔室302的頂部308中設置入口 31 6。使用節流阁 和真空泵3 64控制腔室302中的氣壓。 圖罩適配器382用於將基板（諸如圖罩或其他工 322固定在基板支撐基座324上。圖罩適配器382 — 括覆蓋基座324上表面的下部分384、具有開口 388 部分386以及邊緣環326。開口 388的尺寸和形狀係 成用以支持基板3 22。適配器3 8 2由抗蝕刻和耐高溫 合到 頻率 7率。 % DC 基座 位電 Tetra 板保 接地 )控 腔室 施例 ：318 例如 "62 件） 般包 的頂 設計 才料， 15 1375859 諸如聚亞醯胺、陶瓷或石英形成。在2001年6月26曰發 表的共同轉讓的美國專利No. 6,2 51 ,217中公開了 一種該 圖罩適配器。 在操作中，提升機構338用於降低/升高適配器382, 故基板322可到/離開基板支撐基座324。提升機構338包 括通過各個引導孔336的多個升降杆（示出了一個升降杆 330 )。
可通過穩定基板基座324的溫度而控制基板322的溫 度。在一實施例中，基板支撐基座324包括加熱器344和 可選的熱槽328。在一實施例中，加熱器3 44包括由加熱 器電源3 68調節的至少一個加熱元件334。可選地，經由 氣體導管358，可將來自氣源356的背部氣體（例如，氦 (He))供應至在基板基座324的上表面附近形成的通道。 背部氣體用於促進基座324和基板322之間的熱傳遞。可 選地，加熱器344可包括用於在其中流過熱傳遞流體的一 個或多個流體導管。
控制器346有助於反應器300的元件的控制，並包括 中央處理單元（CPU ) 350、記憶體348和支援電路352。 控制器346可以爲在工業環境中，所使用的任意形式的通 用功能電腦處理器其中之一。記憶體348是一種在本地或 遠端易於購得的數位存儲設備。支援電路352 —般包括高 速緩衝記憶體、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路等。典型 地，本發明方法1 〇 〇的蝕刻製程係以軟體方法存儲在記憶 體348中，或者CPU350可存取的其他電腦可讀媒介中。 16 1375859 可選地或另外地，至少部分該軟體方法還可由被反應器 3 00從遠端控制的CPU存儲或執行。 儘管在此參照特定的示例性實施例描述了本發明，但 是應該理解這些實施例僅爲本發明的示意性的原理和應 用。因此，在不脫離本發明的精神和範圍下，可對這些實 施例進行多槿修改或潤飾，因此本發明之保護範圍當視後 附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 爲了能詳細理解本發明的上述特徵，將參照部分在附 圖中示出的實施例對以上的簡要概述進行本發明的更詳細 描述。然而，應該注意到附圖僅示出了本發明的典型實施 例，因此不能理解爲對本發明範圍的限定，因爲本發明可 承認其他等效的實施例。 第1圖是示出根據本發明一實施例用於製造相位移光 罩的方法流程圖；
第 2A圖-第2H圖是在第1圖的方法的連續步驟期 間，包括相位移光罩之膜疊層的部分基板示意性橫截面視 IS) · 圓， 第3圖是適於執行第1圖的部分方法的示例性處理反 應器的高階示意圖。 爲了便於理解，在此盡可能使用相同的附圖標記表示 附圖中共有的相同元件，除了在適當的時候可添加下標以 17 1375859 區別這些元件。附圖中的圖像是簡單用於示意性的目的， 因此沒有按比例繪出。可以將一個實施例的元件和特徵有 利地結合到另一實施例中，而不用進一步敍述。 【主要元件符號說明】
1 00方法 104方框 108方框 112方框 202基板 206相位移層 2 1 0光阻層 214特徵 218 PSM 222區域
1 02方框 1 06方框 1 1 0方框 1 1 4方框 2 04半透明層 208犧牲保護層 212抗反射層 2 1 6遮罩 220膜疊層 224光線 3 0 2製程腔室 3 06控制器 3 1 0天線 3 1 Ob同軸元件 3 1 4匹配網路 3 1 8通道 322基板 3 00反應器 304傳導主體 308介電質頂部 3 1 0 a同轴元件 3 1 2電漿功率源 3 1 6 入口 320氣體儀錶盤 18 1375859
324 基板基座 326 邊緣環 328 熱槽 330 升降杆 332 基板 336 引導孔 334 加熱元件 3 3 8提升機構 340 偏置功率 源 342 匹配網路 344 加熱器 346 控制器 348 記憶體 350 中央處理單元 352 支援電路 3 54 支援系統 356 氣源 358 氣體導官 360 靜電夾盤 362 節流閥 364 真空泵 366 夾盤電源 368 加熱器電 源 382 圖罩適配器 386 頂部分 3 88 開口
19

Claims (1)

1375859 第Ο 9 6 1 3 2 5 8 6號專利案iei. 7· 27修正 十、申請專利範圍： 1、一種用於製造相位移光罩的方法，包括： 提供一石英基板，其對由微影系統的照射源所産生的 光基本上為透明，所述基板包括一膜疊層，該膜疊層進一 步包括： 一犧牲上層； 一第一層，該第一層對所述光具有預定的透明度 值； 一第二層，基本上透光； 在所述犧牲上層上形成一圖案化的蝕刻遮罩； 蝕刻所述犧牲上層的暴露部分； 蝕刻所述第二層的暴露部分； 利用所述基板作爲蝕刻終止層，蝕刻所述第一層的暴 露部分，其t蝕刻該第一層的暴露部分之步驟包含以約 1 : 20至約20 : 1範圍的氯氣：氬氣流量比率，在製程腔 室中提供氯氣和氬氣，其中之钽蝕刻步驟具有至少約10: 1的钽對石英蝕刻選擇性； 去除所述圖案化的蝕刻遮罩；以及 去除所述犧牲上層，其中相對於通過所述膜疊層中一 開口的光，剩餘的膜疊層和基板具有使通過所述膜疊層的 光産生180度相位移的特性；其中： 該圖案化的蝕刻遮罩包括光阻； 20 1375859 該犧牲上層由鉻形成，並具有約20至約200nm的厚 度； 該第一層由钽形成，並具有在約5至約50nm範圍内 的預定厚度；以及 該第二層由二氧化矽形成，並具有在約50至約300nm 範圍内的預定厚度。 2、如申請專利範圍第1項所述之方法，其中蝕刻所述 犧牲上層的暴露部分的步驟進一步包括： 提供包含至少一種含氯氣體或至少一種含氟氣體的電 漿。 3、如申請專利範圍第1項所述之方法，其中蝕刻所述 第二層的暴露部分的步驟進一步包括： 以在約1 : 5 0至約10 : 1範圍内的四氟化碳：三氟甲 烷流量比率流入四氟化碳和三氟甲烷； 施加在約1 00和約1 500W之間的電漿源功率； 施加在約1 0和約2 0 0 W之間的偏置功率；以及 保持所述製程腔室中的氣體壓力在約 0.5 和約 20mTorr 之間。 4、如申諳專利範圍第1項所述之方法，其中蝕刻所述 第一層的暴露部分的步驟進一步包括： 21 1375859 施加在約75和約1 500W之間的電漿源功率； 施加在約5和約1 0 0 W之間的偏置功率；以及 保持所述製程腔室中的氣體壓力在約1和約20mTorr 之間》 5、 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包括： 利用一灰化製程或一濕蝕刻製程去除所述圖案化的蝕 刻遮罩》 6、 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包括： 利用至少一種高氣基溶劑，.或者包含至少一種含氣氣 體或至少一種含氟氣體的電漿去除所述犧牲上層。 7、 一種用於製造相位移光罩的方法，包括： 提供一石英基板，該石英基板具有一纽層、一二氧化 碎層、一含絡層，以及一在含絡層上的圖案化光阻姓遮罩； 蝕刻經由所述蝕刻遮罩而暴露出的部分含鉻層； 蝕刻經由所蝕刻的含鉻層而暴露的部分二氧化矽層， 其中蝕刻該二氧化矽層的暴露部分的步驟包括： 以約1 : 5 0至約1 0 : 1範圍的四氟化碳：三氟甲 烷流量比率，在一製程腔室中提供四氟化碳和三氟甲烷； 施加在約100和约1 500W之間的電漿源功率： 施加在約10和約200W之間的偏置功率；以及 22 1375859 保持所述製程腔室的氣體壓力在約 0.5和約 20mTorr 之間； 利用所述基板作爲蝕刻終止層，蝕刻經由所蝕刻的二 氧化矽層而暴露的部分鈕層，其中蝕刻該钽層部分之步驟 包含： 以約1:20至約20:1範圍内的氣氣：氬氣流量 比率，於一製程腔室中提供氣氣和氬氣； 施加約75和約1 500W之間的電漿源功率； 施加約5和約1 00W之間的偏置功率；以及 保持所述製程腔室中的氣體壓力在約1和約20mTorr 之間，其中之钽蝕刻步驟具有至少約1 〇 : 1的鈕對石英蝕 刻選擇性以及約1 : 1的鈕對光阻蝕刻選擇性。 去除所圖案化的蝕刻遮罩；以及 去除所述含鉻層。 8、 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中所述含鉻 層具有約20至約200nm範圍内的厚度，所述二氧化矽層 具有約50到約3 00nm範圍内的厚度，並且所述钽層具有 約5到約50nm範圍内的厚度。 9、 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中蝕刻所述 含鉻層的暴露部分的步驟進一步包括： 提供包含至少一種含氣氣體或至少一種含氟氣體的電 23 1375859 漿 10、如申請專利範圍第7項所述之方法 述含鉻層的步驟，進一步包括將所述含鉻層 種高氣基溶劑，或者包含至少一種含氯氣體 氟氣體的電漿中的至少一種方法。 其中去除所 露於至少一 至少一種含 24
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