TWI375262B - - Google Patents

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TWI375262B
TWI375262B TW096139328A TW96139328A TWI375262B TW I375262 B TWI375262 B TW I375262B TW 096139328 A TW096139328 A TW 096139328A TW 96139328 A TW96139328 A TW 96139328A TW I375262 B TWI375262 B TW I375262B
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Katsuhiro Tomoda
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Sony Corp
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Description

1375262 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電子機器及其製造方法，以及發光二極體 顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 二多電子機器係藉由於顯示裝置用基板安裝微小元件來 製造，作為其一例可舉出發光二極體顯示裝置。於發光二 極體顯示裝置中’紅色發光二極體作為紅色發光子像素 (sub pixel)來作用，綠色發光二極體作為綠色發光子像素 來作用，藍色發光二極體作為藍色發光子像素來作用，藉 由此等3種子像素之發光狀態來顯示彩色圖像。 發光二極體顯示裝置通常係由延伸於第一方向之複數第 一布線、延伸於有異於第一方向之第二方向之複數第二布 線以及具備第一連接部及第二連接部之複數發光二極體 來構成。然後，於第一布線及第二布線重複之區域，配置 有發光二極體，各發光二極體之第一連接部（一方電極）與 第布線連接，第二連接部（另一方電極）與第二布線連 接。 通常於化合物半導體基板等基板（以下有稱為元件製造 用基板之情況），將許多發光二極體製作為陣列狀。然 後，將此等發光二極體之各個從元件製造用基板移動（例 如轉印）至顯示裝置用基板。於此，形成於元件製造用基 板之發光二極體係依序形成具有導電型之第一化合物 半導體層、活性層、具有p型導電型之第二化合物半導體 I24337.doc 0262 :而成。並進-步於第二化合物半導體層上形成p側電 ，於第一化合物I導體層上形成_電極。 =如對角40时之全HD(High Definhi〇n:高解像度）高精 ::衫顯示裝置中，畫面水平方向之像素數為192〇,畫面 生且方向之像素數為iGS0»因此，於此情況下，安裝之發 光二極體個數為192GxlG8Gx(構成1像素所需要之紅色發光 :極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體之3種發光二 玉體個數），約為600萬個。因此，作為用以將此數目龐大 之發光二極體安裝於公稱4〇对之顯示裝置用基板之方法， 據知有以小於畫面尺寸之尺寸，來將發光二極體形成陣列 狀’從該發光二極體卩車列，將發光二極體偏移位置而依序 安裝於㈣裝置用基板之方法。亦即，據知有步進轉印法 (步進安裝法）。 此步進轉印法係從例如日本特開2〇〇4 273596、曰本特 開2_.28163()而習知。此等專利公開公報所揭示之技術 係使用黏著層形成於表面之顯示裝置用基板。然後基本 上從形成於元件製造用基板之複數發光二極體，以從元件 製造用基板剝離之狀態下，將特定發光二極體轉印至轉印 基板，接著於發光二極體部分突出之狀態，將發光二極體 從轉印基板埋入顯示裝置用基板之黏著層後，以滾筒等， 將發光二極體深入埋入黏著層，藉此將發光二極體安裝於 顯示裝置用基板（參考例如日本特開2〇〇4_273596之段落號 碼[0045]〜段落號碼[0048]，或日本特開2〇〇4 28163〇之段 落號碼[003 8]及段落號碼[0046])。 124337.doc 為了完成發光二極體顯示裝置’如上述以特定間隔間 距，來將發光二極體安裝於顯示裝置用基板。然後，其後 於整面形成第一絕緣層，於發光二極體之—方電極上方之 第-絕緣層形成第-開口部，於第一絕緣層上，形成與該 -方電極連捿之第-布線。接著，經由接著劑來站合包含 第-布線H緣層與保持基板H根據例如雷射 剝離法，從顯示裝置用基板剝離發光二極體，於整面形成 第二絕緣層後，於發光二極體之另一方電極上方之第二絕 緣層形成第二開口部，於第二絕緣層上，形成與該另一方 電極連接之第二布線。然後，藉由將第一布線、第二布線 與驅動電極連接，可完成以往之發光二極體顯示裝置。/ [專利文獻1]日本特開2004-273596 [專利文獻2]曰本特開2004-281630 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 置，如上述，一方 第一布線之連接需 然而’為了製造此發光二極體顯示裝 電極與第一布線之連接、另一方電極與 要許多工時。 因此，本發明之目的在於提供一種具有可確實而且較容 易' 並進-步不需要許多4，即可連接設置於各種元: 之連接部與布線之結構、構造之電子機器及其製造方法 以及發光二極體顯示裝置及其製造方法。 ’ [解決問題之技術手段] 用以達成上述目的之本發明之電子機器之特徵為包含： 124337.doc (A) 基體’其係形成有第一布線； (B) 膜，其係形成有第二布線，且具撓性； (C) 複數元件’其係包含第_連接部及第二連接部；及 (D) 接著劑層； 各/G仵係A禾連接部與第一布線接觸，第二連接部與 第一布線接觸，且拉伸力施加於膜之狀態下，失於基體與 犋間； ' 並於此狀態下，藉由接著劑層黏著基體與膜。 用以達成上述目的之本發明之發光二極體顯示裝置之特 徵為包含： (A) 基體，其係形成有複數第一布線； (B) 膜，其係形成有複數第二布線，且具撓性； (C) 複數發光：極體，其係包含卜連接部及第二連接 (D)接著劑層； 一連接部與第一布線接觸， 且拉伸力施加於膜之狀態下 第二連 ’夾於 各發光二極體係於第 接部與第二布線接觸， 基體與膜間； 並於此狀態下，藉由垃裟备,a 稚田接者劑層黏著基體與膜。 用以達成上述目的之太路BB々带 本發明之電子機器之製造方 徵為：準備 之特 ⑷基體’其係形成有第一布線及接著劑層； (Β·)膜’其係形成有第二布線，且具撓性；及 (C,)複數元件’其係包含第-連接部及第二連接部 124337:doc 1375262 將各元件配置為第一連接部與第一布線接 ⑻以各το件之第二連接部與第二布線接觸且拉伸力 絲於膜之狀態的方式，將元件失於基體㈣間，一面維 付此H -面藉由接著劑層黏著基體與膜。 用以達成上述目的之本發明之發光二極體顯示裝置之製 造方法，其待徵為準備：
(A’)基體’其係形成有複數第一布線及接著劑層； (B.)膜’其係形成有複數第二布線，且具撓性；及 (C )複數發光二極體，其係包含第-連接部及第三連接 部；且 ⑷於基體上’將各發光二極體配置為第—連接部與第一 布線接觸之狀態後； (b)以各發光二極體之第二連接部與第二布線接觸，且 拉伸力施加於膜之狀態的方式，將發^:極體夹於基體與
(a)於基體上， 觸之狀態後； 膜門 面維持此狀態，一面藉由接著劑層黏著基體與 膜。 如本發明之電子機器之製造方法或發光二極體顯示裝置 之裝造方法’其中從形成有複數元件或發光二極體（以下 有總稱此等為元件等之情況）之元件製造用基板，使特定 元件等附著於中繼基板後’於接著劑層上配置附著於中繼 基板之7C件等，接著將各元件等碰觸第一布線，藉此可製 成第一連接部與第一布線接觸之狀態之結構。 如包含以上所說明之適宜型態、結構之本發明之電子機 124337.doc 1375262 器或其製造方法，其中作為元件可舉出發光二極體 (LED”然後，如包含以上所說明之適宜型態結構之本 發明之電子機器或其製造方法，或如包含以上所說明之適 宜型態、結構之本發明之發光二極體顯示裝置或其製造方 π (从r另僅總稱為本發明之情況其中宜製成在與膜相 對向之基體内面上未配置有元件等之部分，形成有黑矩陣 層之結構，進一步更宜製成於黑矩陣層與基體内面間形成 有絕緣膜之結構。或者，如包含此結構之本發明其中宜 製成在與膜相對向之基體内面之相反側之基體外面上在
二’線與臈厚度之合計為t，2， 元件厚度為㈣，可製成符合下式之結構: F·度之合計為t，！，與基體貼 十為tZ，與基體貼合後之第 貼合前之接著劑層厚度為 tl+t2 + tAdh=f t、+t’2 + tD ( 1 )
124337.doc 1375262 若△PtD-Udh 則式（1)可變形如下 ti+t2 = t'1+f2+At (1,) :即：宜將貼合後之安裝用基體及/或安裝用膜變形為，
………、安裝用膜之狀態(存在拉伸應力之狀態) 下藉由接著劑層點著安裝用基體與安裝用膜時，包含第 :布線厚度之安裝用基體之厚度t，〗與包含第二布線厚度之 :裝用膜之厚度t，2之合計，t匕包含第—布線厚度之原本之 安裝用基體之總層t，與包含第二布線厚度之原本之安裝用 膜之總層12之合計約略僅變薄Ate此外⑴+t2)之值與 (t + 之值約略相等，更具體而言係意味： 0-9 ^ (t1+t2/(t'i+t'2+At)^ 1.1
然後’本發明係例如由膜構成安裝用基體肖，宜藉由使 構成安裝用膜及安裝用基體之膜之厚度及/或彈性率相 異，將t’丨值及A值最佳化，使變形大之厚層之膜侧或彈性 率低之膜側之布線寬比元件等之大小更寬，以製成對於該 布線賦予光取出功能之結構（例如兼用光取出鏡之結構）。 另一方面，宜藉由使變形小之薄層之膜側或彈性率高之膜 側之布線寬比元件等之大小更窄，以使光從該膜側射出。 於各元件等之第二連接部與第二布線接觸，且於安裝用 膜施加有拉伸力之狀態，將元件等夾於安裝用基體與安裝 用膜間時，為了防止產生或混入氣泡，宜例如於真空氣氛 下’將元件等夾於安裝用基體與安裝用膜間，或者使用乾 式疊層機’將元件等夾於安裝用基體與安裝用膜間。而 I24337.doc 1375262 且’作為藉由接著劑層來黏著基體與膜之方法，可舉例如 使用具備加熱機構之疊層加壓裝置之方法、使用具備加熱 機構之疊層滾筒裝置之方法。
如本發明之電子機器或其製造方法，其中作為元件除了 發光二極體（LED)以外，尚可例示：+導體雷射電致發 光（EL)元件等發光元件；光二極體、CCD感測器、M〇s感 測器等受光元件；狀晶片、LSI晶片等電子元件。或 者，作為元件除了半導體元件[發光元件、受光元件1 子移動元件等]以夕卜，亦可舉出壓電元件、焦電元件、光 學元件[使用非線性光學結晶之二㈣波產生元件等]、介 電體元件[包含強介電體元件]、超傳導元件等。更進一步 而言’亦可舉例如如光編碼器等使用於各種MEMS(Micro
Electro Mechanical Systems :微機電系統）之微小零件或要 素。
,元件等之大小（例如晶片尺寸）並未特別限制，元件等典 里上係微小’具體而言為例如1 _以下’或為例如0.3 mm以下’或為例如職以下。構成電子機器（或者發光 二極體顯示裝置）之元件等為複數，因應電子機器之用途 或功月巨、電子機器或發光二極體顯示裝置所I求之規格 等’來決定元件等之數目、種類、安裝(配置)、間隔等。 本發月中，作為安裝用膜可例示聚醚 燁萘_)膜、聚酿亞胺⑼膜、聚μ(對笨 (ΡΕΤ)膜。而且’作為安裝用基體除了上述各種膜以外’ 尚可例不.玻璃基板、於玻璃基板上貼合有上述各種膜 124337.doc 12 1375262 者，及於玻璃基板上形成有聚醯亞胺樹脂層、丙烯酸樹脂 層、聚苯乙烯樹脂層、矽膠層者。而且，亦可將玻璃基板 置換為金屬基板或塑膠基板^ 如本發明之發光二極體顯示裝置或其製造方法，其中複 數第一布線之各個係作為全體呈帶狀，並往第一方向延 伸，複數第二布線之各個係作為全體呈帶狀，並往有異於 第一方向之第二方向（例如與第一方向正交之方向）延伸。 此外，作為全體呈帶狀之布線亦可由延伸為帶狀之主幹布 線、及從主幹布線延伸之複數分支布線來構成。 另一方面，如本發明之電子機器或其製造方法，其令可 製成第一布線由複數布線構成，此等複數布線之各個作為 全體往第方向延伸，第二布線亦由複數布線構成，此等 複數布線之各個作為全體而往有異於第一方向之第二方向 (例如與第一方向正交之方向）延伸之結構。或者，可製成 第一布線由共同布線（共同電極）組成，第二布線由複數布 線構成，此等複數布線之各個作為全體往一方向延伸之結 構。或者，可製成第一布線由複數布線構成’此等複數布 線之各個作為全體往—方向延伸，第二布線由共同布線 (共同電極）k成之結構。或者’可製成第_布線由共同布 線（共同電極）組《’第二布線由共同布線（共同電極）組成 之結構。此外’布線亦可由例如主幹布線、及從主幹布線 延伸之複數分支布線來構成。 作為第-布線、第二布線之材料可舉出金㈣ '銀 (Ag)、銅（Cu)、把（Pd)、翻（pt)、絡㈣、錄㈣、紹 124337.doc • 13 · 1375262 (AI)、麵（Ta)、鎢（W)、鈦（Ti)、銦（in)、錫（Sn)等金屬，或 含此等金屬元素之合金、由此等金屬組成之導電性粒子、 含此等金屬之合金之導電性粒子，亦可製成含此等元素之 層之疊層構造。而且，亦可舉出聚（3,4•乙烯二氧噻吩}/聚 笨乙烯磺醆[PEDOT/PSS]該類之有機材料（導電性高分 子）。作為第-布線、第二布線之形成方法，亦依構成此 等之材料而不同，可舉出：物理汽相成長法（pvD法）；包 含M〇CVD法之各種化學汽相成長法法广旋轉塗布 法；絲網印刷法或喷墨印刷法、偏移印刷法、凹版印刷法 该類之各種印刷法；氣動塗布法、刮刀塗布法、棒式塗布 ΐ =式塗布法、擠壓塗布法、逆轉滾筒塗布法、轉移滾 .法 凹版塗布法、吻合式塗布法、鑄塗法、喷霧塗 泠古土 ，々錢塗布法、浸潰法該類之各種 雷辦土 雖法，蔭罩法；電解電鍍法或無電解 電錄法、或此等之袓人兮_ _ . ^ ^該類之電鍍法；及喷霧法中之任 ’ 因應需要與圖案化枯彳fe1 έΒ人 舉出：ω電子束加n 此外，作為PVD法可 直空蒗铲法’’、、、電阻加熱法、快閃式蒸鍵等各種 ”工…鍍去，（b)電漿蒗 法、直流磁㈣料丫，⑷雙極㈣法、直流濺鑛 …、偏壓賤C·法、磁控繼、離子束 current :直产雷、土 種竣錢法；及⑷DC(direct 且机4 )法、玟 場蒸鍍法、高頻離子電 陰極法、活化反應法、電 子電鍍法。構成第一 X 反應性離子電鍍法等各種離 相同或不同。 布線之材料與構成第二布線之材料可 124337,doc 1375262 此外，於本發明中，安裝用膜具撓性係意味安裝用膜之 柔軟至於拉伸力施加於安裝用膜之狀態（存在有拉伸應力 之狀態)下，元件等可夹於安裝用基體與安裝用膜間之狀 態之程度。而且，依情況而設置於安裝用膜側或設置於 安裝周膜倒及安裝兩基體側均可。 作為構成絕緣臈之材料，不僅止於以氧化矽系材料'氮 化夕（SiNY)、金屬氧化物南介電絕緣膜所例示之無機系絕 緣材料，可舉出聚甲基丙婦酸曱酷（PMMA)或聚乙稀苯紛 (pvp、聚乙烯醇（PVA)所例示之有機系絕緣材料亦可使 用此等之組合。此外，作為氧化矽系材料可例示氧化矽 (Si〇x)、氮氧化矽（SiON)、S0G(旋塗玻璃）、低介電率 Si〇x系材料（例如聚芳醚、環全氟碳聚合物及苯并環丁 烯、環狀氟樹脂、聚四氟乙烯、氟化芳醚、氟化聚醯亞 胺、非晶碳、有機SOG) ^作為絕緣膜之形成方法可舉出 上述各種PVD法、各種CVD法、旋轉塗布法、上述各種印 刷法'上述各種塗布法、浸潰法、鑄塗法及喷霧法之任 〇 作為構成黑矩陣之材料可舉出碳、金屬薄膜（例如鉻、 鎳鋁猛等或此等之合金）、金屬氧化物（例如氧化鉻）、 金屬氮化物（例如氮化鉻）、耐熱性有機樹脂、玻璃糊、含 有黑色顏料或銀等導電性粒子之玻璃糊等材料。黑矩陣層 可取決於使用之材料’以適當選擇例如真空蒸鑛法或藏鍵 法與蝕刻法之組合、真空蒸鍍法或濺鍍法、旋轉塗布法與 剝離法之組合、各種印刷法、微影技術等之方法來形成。 124337.doc 1375262 而且’作為構成凸透鏡之材料可舉出丙稀酸樹脂、環氧樹 脂、石夕•等，料凸透鏡之形成方法（配設方法）可舉出回 焊法、灌夥法、壓印法、光微影法、钱刻法印刷法。 等對於安裝用基體之具體配置方法、元件等對於接 有劑席上（具體配置方法會於後面敘述。此外，電子機器 中之複數元件對於安裝用基體之配置、對於接著劑層上之 配置為規則或不規則均可。另一方面，發光二極體顯示裝 置中之複數發光二極體對於安裝用基體之配置、對於 劑層上之配置為規則配置。 於包含以上說明之適宜結構之本發明令，接著劑只要是 0紫而發揮黏者功能之材料，諸如藉由光（特別 务外線等）、放射線（χ射料）、電子線等該類之能量線 而發揮黏著功能之材料、藉由施加熱或厘力等而發 揮黏者功能之材料等，甚太 寺4本上由任何材料構成均可。於 :可谷易形成且發揮黏著功能之材料，可舉出樹脂 系之接著劑層，特別可舉出 忒尤性接者劑、熱硬化性接著 劑或熱塑性接著劑。作為感 土 a ^ a元性接者劑可使用以往習知 氮亞::奪而言可使用例如：藉由聚肉桂酸乙烯或聚乙烯疊 氮亞本等之光架橋反應，曝 嫌m μ t癸 成為難溶性.，或者藉由丙 料之光聚合反應，曝光部成為難溶性之負型者； 及如〇-醌二疊氮酚醛樹脂 酸，並成為易溶性之正型者=氮基因光分解而產錢 -樹脂、尿4旨4=言，可使用例如環氧樹脂、 素树月曰二聚氰胺樹脂、不飽和聚醋樹脂、聚 124337.doc 1375262 虱醋樹脂、聚醯亞胺樹脂等。進一步而言，作為熱塑性接 著劑可使用以往習知者，具體而言，可使用例如聚乙烯樹 脂、聚苯乙烯樹脂、聚氣化乙烯樹脂、聚醯胺樹脂等。例 如使用感光性接著劑之情況，可藉由於接著劑層照射光或 紧外線，來使接著劑層發揮黏著功能。而且，於使用熱硬 化性接著劑之情況時，藉由利用熱板或烤箱、熱加壓裝 置、熱滾筒等來加熱，可使接著劑層發揮黏著功能。進一 步而言，使用熱塑性接著劑之情況時，藉由利用光照射等 選擇性地加熱接著劑層之一部分，來熔融該一部分，使其 具有流動性後，藉由冷卻來使接著劑層發揮黏著功能。作 為接著劑層，除此之外亦可舉出例如感壓性接著劑層（例 如由丙烯酸樹脂等組成）等、或僅形成即具有黏著功能 者。 作為電子機器可舉例如發光二極體顯示裝置、使用發光 二極體之背光、發光二極體照明裝置、EL顯示裝置。電子 機器基本上任何均可，其包含攜帶型及固定型雙方，舉出 具體例為行動電話、攜帶式機器、機器人、個人電腦、車 載機器、各種家庭電器製品等》作為紅色發光二極體、綠 色發光二極體及藍色發光二極體，可使用例如氮化物系 III-V族化合物半導體，作為紅色發光二極體亦可使用例如 AlGalnP系化合物半導體。 作為用以製造GalnN系發光二極體之元件製造用基板， 目前難以製造超過公稱2吋之大口徑基板，而且作為用以 製造AlGalnP系發光二極體之元件製造用基板，目前難以 124337.doc 17 1375262 製造超過公稱3吋之大口徑基板。因此’例如使用公稱口 k 2忖之監寶石基板來作為元件製造用基板，以製造藍色 發光二極體 '綠色發光二極體，使用公稱口徑3吋之GaAs 基板來作為元件製造用基板，以製造紅色發光二極體。然 後’例如於製造對角26吋之發光二極體顯示裝置之情況 時，須於650 mmx550 mm大小之顯示裝置用基板安裝藍色 發光二極體、綠色發光二極體及紅色發光二極體。
然而，為了製造此發光二極體顯示裝置，使用前述步進 轉印法之情況時，須使發光二極體從元件製造用基板往安 裝用基體移動（例如轉印）例如24 χι〇χ(3種發光二極體）=72〇 次。此外，於1次移動（轉印）中進行複數發光二極體之移動 (轉印）。關於移動次數之詳細會於後面說明。因此，需要 尚精度且良率高之安裝裝置’不僅導致發光二極體顯示裝 置之製造成本增加’亦使得發光二極體顯示裝置之生產本 身變得困難。
為了解決此問題，例如採用以下步驟即可： ⑴準備複數元件中間物構造體，其係於元件製造用基 板上，形成有藉由於後續步驟中分離來獲得元件等之元件 中間物；接著， (2) 於暫時固定用基板 體之元件中間物後， (3) 從元件中間物除去 件製造用基板，其後， (4) 分離暫時固定於暫 ’暫時固定複數元件中間物構造 構成複數元件中間物構造體之元 時固定用基板之元件中間物，藉 124337.doc 此獲得複數元件等後， (5)於安裝用基體上，配置暫時固定於暫時固定用之複 數元件等。 此外’則述步驟（5 )可為包含以下步驟之態樣： (5-i)將暫時固定於暫時固定两基板之複數特定元件等， 暫時固定於申繼基板後； (5-2)將暫時固定於中繼基板之元件等配置於安裝用基體 上。 作為將暫時固定於暫時固定用基板之複數特定元件等， 暫時nm中繼基板之方法’可舉例如於中繼基板預先形 成微黏著層，使元件等附著於此微黏著層之方法。作為將 暫時固定於令繼基板之元件等配置於安裝用基體上，或配 置（移動或轉印）於接著劑層上之具體方法係於後面敘述。 然後，此情況下，宜製成於步驟（5_2)，更具體而言，於 將暫時固定於中繼基板之元件等配置（移動或轉印）於接著 劑層上後’將元件等碰觸第一布線之結構。 作為元件中間物之型態、結構、構造係取決於元件等， 例如可例示薄膜狀。而且，元件製造用基板只要是適合製 造7L件等之基板即可，元件為例如藍色發光二極體或綠色 發光二極體之情況時，作為元件製造用基板可舉出藍寶石 基板，為例如紅色發光二極體之情況時，作為元件製造用 基板可舉出GaAs基板。亦即，元件中間物係於使用前者之 疋件製造用基板之情況下為GaInN系化合物半導體層之疊 層體，於使用後者之元件製造用基板之情況下為八^“心 124337.doc 1J/5262 系化合物半導體之蟲恳 疊層體。製造元件中間物之方法係取決
於元件等來決定即可。從元件裳造用基板之最终元;等取之决 =數、或元件中間物構造體之數目係從構成電子機器或 -極體顯不裝置之元件等之數目來適當決定即可。-作為構成暫時®定用基板或後述支持基板之材料，可舉 出玻璃板、金屬板、合金板、陶竞板、塑谬板。作為將複 數暫時固定用基板固定於支持基板之方法'元件中間物構 造體之元件中間物對於暫時固^用基板之暫時固定方法， 可例示使用接著劑之方法、金屬結合法、半導體接合法、 金屬/半導體接合法。作為從元件中間物除去元件製造用 基板之方法’可舉出雷射剝離法或加熱法、蝕刻法作為 分離複數元件中間物之方法，可例示濕㈣法或乾姓刻 法、雷射照射法、切割法。 [發明之效果] 於本發明之電子機器或發光二極體顯示裝置，各元件等 係於第一連接部與第一布線接觸，第二連接部與第二布線 接觸，且拉伸力施加於膜之狀態下，夾於基體與膜間；並 於此狀態下，藉由接著劑層黏著基體與膜。而且，於本發 明之電子機器之製造方法或發光二極體顯示裝置之製造方 法，以各元件等之第二連接部與第二布線接觸，且拉伸力 施加於膜之狀態的方式’將元件等夾於基體與膜間，一面 維持此狀態，一面藉由接著劑層黏著基體與膜❶因此，無 需如先前技術，將元件等安裝於顯示裝置用基板後形成布 線，不需要將元件等安裝於顯示裝置用基板後形成布線之 124337.doc -20- 1375262 類的許多工時’可確實且較容易，而且具有高可靠性地將 α置於元件等之連接部與布線連接。 而且，於本發明之電子機器之製造方法或發光二極體顯 不裝置之製造方法之較佳型態，係於暫時固定用基板暫時 凹& 7U件中間物，從元件中間物除去元件製造用基板後， 分離暫時固定於暫時固定用基板之複數元件中間物而獲得 元件等。因此，獲得元件等之後之狀態係等效於將具有元 件製造用基板之數倍大小（包含元件製造用基板之片數份 之大小）之暫時固定用基板猶如視為元件製造用基板而製 造出70件等之狀態。其結果，無需從元件製造用基板移動 (例如轉印）元件等，可減少將元件等從暫時固定用基板移 動（例如轉印）至安裝用基體之次數，並於分離元件中間物 來獲得元件等時，相較於分離後再排列，可達成較高位置 精度。因此，不需要高精度且產能高之安裝裝置，而可將 元件等從暫時固定用基板移動（例如轉印）至安裝用基體， 結果不會導致元件等之製造成本增加，而且可使安裝有許 多疋件等之裝置或發光二極體顯示裝置之生產其本身容 易。 而且’由於分離暫時固定於暫時固定用基板之複數元件 中間物來獲得元件等，因此殘留於暫時固定用基板之分離 後之7C件等之位置精度係取決於分離元件中間物之加工精 度’不取決於將元件中間物暫時固定於暫時固定用基板時 之位置精度。因此，不需要高精度且產能高之安裝裝置， 而可將元件令間物從元件製造用基板移動至暫時固定用基 124337.doc -21 - 1375262 板。 【實施方式】 以下，參考圖式並根據實施例來說明本發明。 [實施例1 ] 實施例i係有關本發明之電子機器及其製造方法，以及 發光二極體顯示裝置及其製造方法。於實施例1中，元件 為發光二極體。因此’於以下說明中，有使用用語『發光 二極體』來取代用語「元件」之情況。因此，於以下說明 中，使用用語「發光二極體」之情況時，原則上包含『元 件』之概念。 於圖1(A)表示實施例1之電子機器或發光二極體顯示裝 置之模式性部分剖面圖，於圖1(B)表示第一布線及第二布 線之布局’於圖2(A)表示安裝用膜之模式性部分剖面圖， 於圖2(B)表示安裝用基體之模式性部分剖面圖，於圖3(A) 表示元件（發光二極體）31之模式性剖面圖，於圖3(B)表示 從上眺望已貼合安裝用膜與安裝用基體之狀態之模式圖。 實施例1係製造對角13吋之發光二極體顯示裝置。因此， 於300 mmx200 mm之區域，安裝192〇x108〇x(3種發光二極 體之個數）之數目之發光二極體。 實施例1之電子機器係包含： (A) 形成有第一布線12之安裝用基體u ; (B) 形成有第二布線22之具撓性之安裝用膜21 ; (C) 具備第一連接部35及第二連接部36之複數元件31 ; 以及 124337.doc • 22- 1375262 (D)接著劑層13,。 或者，實施例1之發光二極體顯示裝置係包含： (A) 形成有複數第一布線12之安裝用基體^ ; (B) 形成有複數第二布線22之具撓性之安裝用膜21 ; (C) 具備第一連接部35及第二連接部36之複數發光二極 體3 1 ;以及 (D) 接著劑層13ι。 然後，各元件（發光二極體）31係於第一連接部35與第一 布線12接觸，第二連接部36與第二布線22接觸，且拉伸力 施加於文裝用膜21之狀態（存在有拉伸應力之狀態）下夹 於安裝用基體11與安裝用膜21間。並且，於此狀態下，安 裝用基體11與安裝用膜21係藉由接著劑層13,黏著。此外， 未硬化之接著劑層以參考號碼13表示，硬化後之接著劑層 以參考號碼13’表示。 於實施例1之電子機器，第一布線12係由複數布線構 成，此等複數布線之各個作為全體呈帶狀，並往第一方向 延伸，第二布線22亦由複數布線構成，此等複數布線之各 個作為全體呈帶狀，並往有異於第一方向之第二方向延 伸。此外，第一布線12係由延伸為帶狀之主幹布線12八及 從主幹布線12A延伸之複數分支布線12B所構成。 如於圖2(B)表示之模式性部分剖面圖，安裝用基體丨i係 由寬300 mm、公稱厚度1〇 μηι、彈性率2χ1〇9 pa(2 Gpa)之 PES膜所組成。然後，在與安裝用膜2丨相對向之安裝用基 體11之内面11A上未配置有發光二極體31之部分（3〇〇 124337.doc -23 - 1375262 mmx200 mm之矩形區域），基於絲網印刷法來形成由碳所 組成之黑矩陣層14，於黑矩陣層14與安裝用基體u之内面 ΠΑ間之300 mmx200 mm之矩形區域，形成厚度1 μπι之絕 緣膜15。此外，用以配置1個發光二極體31之未形成有黑 矩陣層14之安裝用基體11之内面iiA之部分t外形形狀為 直徑30 μπι之圓形。並且，於絕緣膜15上設置有第一布線 12’其係由延伸為帶狀之主幹布線12Α及從主幹布線12Α 延伸之複數分支布線12Β所構成，由厚度〇5 μιη之鋁所組 成’並以真空蒸鍍法來形成。此外，主幹布線12Α之條數 為1080條，主幹布線12Α之寬度為1〇〇 μιη，間距為15〇 μπι，從1條主幹布線12Α延伸有寬度2 μηι、間距5〇 μϊη' 1920X3條分支布線12Β。而且，於絕緣膜15及第一布線12 上，由熱硬化性接著劑所組成之厚度（“仏)2 μιη之接著劑 層13係由旋轉塗布法形成。此外，接著劑層13以任何方法 形成均可，除了塗布法（旋轉塗布法等）以外，尚可基於例 如印刷法（接觸印刷法、壓印法、絲網印刷、凹版印刷、 偏移引刷等）來形成。並且，在與安裝用膜21相對向之安 裝用基體11之内面11Α之相反側之安裝用基體u之外面11Β 上，在來自發光二極體31之光射出之部分，為了提高正面 壳度約2倍程度，而配設由丙烯酸樹脂所組成之基於回焊 法形成之凸透鏡16 » 另一方面，如於圖2(A)表示之之模式性部分剖面圖，安 裝用膜21係由寬300 mm、公稱厚度1〇〇 、彈性率2χΐ〇9
Pa(2 GPa)之PES膜所組成。然後，在與安裝用基體u相對 124337.doc -24- 1375262 向之女裝用膜21之内面21A上’設置由铭所組成之真空蒸 鑛法所形成之第二布線22。此外，第二布線22之條數為 1920x3條，寬度為40 μιη，間距為50 μιη，厚度為〇 5 μπι。 第二布線22係兼作光取出鏡來使用。 於圖3(A)表示發光二極體3 i之模式性剖面圖。此發光二 極體31係依序疊層n型化合物半導體所組成之第一化合物 半導體層32、活性層33、ρ型化合物半導體層所組成之第 二化合物半導體層34而成。第一化合物半導體層32、活性 層33及第二化合物半導體層34係作為全體具有例如圓形之 平面形狀，發光二極體31係作為全體為切頭圓錐形。於第 二化合物半導體層34上，形成有例如圓形之第一連接部 側電極）3 5。另一方面，於第一化合物半導體層32上形 成有例如圓形之第二連接部（η側電極）36。構成第一化合物 半導體層32、活性層33及第二化合物半導體層34之化合物 半導體，具體而言為例如GalnN系化合物半導體或AiGaInP 系化合物半導體。 發光一極體3 1為例如G aN系發光二極體之情況時，舉出 各部之尺寸、材料等之具體例如下。亦即，第一化合物半 導體層32係由厚度2.6 μηι之η型GaN層所組成，活性層33係 厚度為例如0.2 μηι，具有由inGaN井層及GaN障壁層所組 成之多重$子井（MQW)構造。而且，第二化合物半導體層 34係由厚度〇.2 μηι之ρ型GaN層所組成。構成活性層33之 InGaN井層之In組成係於GaN發光二極體為藍色發光二極 體之情況時為例如〇. 1 7，綠色發光二極體之情況為例如 124337.doc -25- 1375262 0 25而且，發光二極體31之最大徑，亦即第二化合物半 導體層34之下面之直徑為20 Pm，發光二極體31之全體厚 度（tD)為5 μιη β p側電極35係由例如Ag/pt/Au構造之金屬多 層膜所組成。#可將P側電極35製成Ag之單層膜。n側電極 36係由例*Ti/Pt/Au構造之金屬疊層膜所組成。於此發光 二極體31，於動作時從活性層33所產生之光之出自端面η 之光係由第二布線22反射，並經由安裴用基體u、凸透鏡 16被取出至外部。
發光二極體31之面積設為％，具有面積％之發光二極體 31單體之有效彈性率設為e，d，貼合時被加壓時之面積％ 之安裝用基體11之有效彈性率設為ΕΊ，貼合時以壓力匕加 壓時之面積SD之安裝用膜21之有效彈性率設為ε，2，接著劑 層13’之彈性率設為EAdh，貼合時施加於發光二極體3丨之壓 力設為P,。然後，於 E'd»E'1
e、=e，2 EAdh»P2 E'i»P2 E'2»P2 時， 於貼合時施加於發光二極體31之壓力Pl如下式（2)。 P1=E'1x(tD-tAdh)/(ti+t2)+p2 (2) 於此， E',=5xl09 Pa(5 GPa) tD-tAdh=3 μιη I24337.doc •26- 1375262 ti+t2=110 μιη P2=lxl06 Pa(l MPa，約 i〇 kgf/cm2)時， Ρι = 1 ·4χ l〇8 pa 於此’應力設為T，扭曲設為£時’揚格率e可表示如 · Ε=Τ/ε 例如具有相同之有效彈性率Ε，ι=Ε·2之膜在夾住發光二極體 3 1之狀態下變形而產生之應力，係與厚度（t】+t2)，亦即此 等膜成為一體之膜變形所產生之應力相同。因此因膜變 形所造成之扭曲之合計£為變形量（tD_tAdh)除了原本之合計 厚度（t!+t2)之值，其成為（tD_tAdh)/(ti+t2)。另一方面，上式 E可由膜之實行彈性率ΕΙι來置換。因此’具有相同之有效 彈性率Ε·1=Εΐ2之膜因僅產生上述ε之扭曲所造成之應力丁係 表現如下： E，>X(tD-tAdh)/(tI+t2) 對於發光二極體31，壓力Pl係以（τ+ρ2)來表現，因此可獲 得上述式（2)。此外，即使存在布線12，22，由於厚度非常 薄之布線12，22容易塑性變形，因此據判對於彈性變形不 會造成特意之影響。 亦即，於各發光二極體31’第一連接部35用以確實接觸 第一布線12，第二連接部36用以確實接觸第二布線22之重 要要素之貼合時施加於發光二極體31之壓力&，係取決於 安裝用基體11之有效彈性率、安裝用膜21之有效彈性率 E’2、安裝用基體U之總厚ti、安裝用膜21之總厚、、接著 124337.doc •27- 劑層之厚度tAdh、發光二極體31之厚度tD，貼合時施加於 女裝用膜21之壓力P2之值及其偏差不受影響。因此即使 Mm ’仍可將均勻L加於元件（發光二極體31) 全體，結果可獲得布線與連接部間之安定通電。 从r ’參考元件等之模式性部分剖面圖之圖々⑷〜⑹、 圖5之㈧〜(B)'圖6之⑷〜(B)、圖了之㈧〜(b)、"來說明 實施例1之電子機器之製造方法、發光二極體顯示裝置之 製造方法。此外，圖7(B)、圖8之安裝用基體u之圖式 中，僅表示安裝用基體11及接著劑層13、13,，省略第一布 線1 2黑矩陣層14、絕緣膜1 5、凸透鏡1 6之圖式。 於此，準備形成有由矽膠所組成之微黏著層61之中繼基 板60(參考圖5(B))。此外，將黑矩陣層14作為對準標記來 使用。 [步驟-100] 首先’以習知方法準備（製造）元件中間物構造體40，其 係於元件製造用基板41上，形成有藉由於後續步驟中分離 來獲得發光二極體31之元件中間物42(參考圖4(A))。具體 而言’例如於公稱口徑2吋之藍寶石基板所組成之基板（元 件製造用基板41)上，基於m〇CVD法依序形成具有n型導 電型之第一化合物半導體層32、活性層33、具有ρ型導電 型之第二化合物半導體層34，於第二化合物半導體層34 上’進一步以真空蒸鍍法來形成第一連接部（ρ側電極35)。 如此可獲得由第一化合物半導體層32、活性層33、第二化 合物半導體層34、ρ侧電極35之疊層構造所構成之元件中 124337.doc -28 · 1375262 間物42形成於元件製造用基板41上而成之元件中間物構造 體40。此外，於圖式t 層來表示元件中間物竹。 [步驟-110] 接著，於暫時固定用基板50暫時固元件中間物構 适镀40之元件中間物42。具體而言，準備於表面形成有未 硬化之接著劑所組成之接著層51之玻璃基板所組成之暫時 固定用基板50。然後，貼合元件中間物構造體4〇之元件中 間物42(更具體而言為p側電極35)與接著層51，使接著層51 硬化，藉此暫時固定於暫時固定用基板5〇(參考圖4(B))。 [步驟-120] 其後，從元件中間物42除去構成複數元件中間物構造體 40之元件製造用基板41(參考圖4(c))。具體而言，於元件 中間物42 (更具體而言為第一化合物半導體層3 2)與元件製 造用基板41之界面，經由元件製造用基板41而照射準分子 雷射，從而產生雷射剝離，結果可從元件中間物42剝離元 件製造用基板41。 [步驟-130] 接著，藉由分離暫時固定於暫時固定用基板5〇之元件中 間物42 ’來獲得複數發光二極體31(參考圖。具體而 言，於第一化合物半導體層32上形成第二連接部（n側電極 3 6)後’基於光微影技術及蝕刻技術來蝕刻元件中間物 42 ’可獲得複數發光二極體31。於圖5(c)表示放大發光二 極體3 1之部分剖面圖。發光二極體3丨係呈陣列狀（二維矩 陣狀）地殘留於暫時固定用基板50上。發光二極體31之平 124337.doc •29· 1375262 面形狀為直徑20 μηι之圓形。 此外’作為構成暫時固定用基板5〇之材料，除了玻璃基 板以外，可舉出金屬板、合金板、陶瓷板、塑夥板。作為 元件中間物構造體40之元件辛間物42對於暫時固定用基板 5〇之暫時固定方法，除了使用接著劑以外，尚可舉出金屬 接合法、半導體接合法、金屬/半導體接合法。而且，作 為從元件中間物42除去元件製造用基板41之方法除了雷
射剝離法以外，尚可舉出加熱法、㈣法，而且作為分離 複數元件中間物42之方法，可例示濕蝕刻或乾蝕刻、雷射 照射法、切刻法。 其後，基於以下方法，將暫時固定於暫時固定用基板5〇 之各發光二極體31，於安裝用基體Π上配置為第一連接部 35與第一布線12接觸之狀態。具體而|，從形成有複數發 ，二極體31之元件製造用基板41，使特定發光二極體抑 著於中繼基板6G後，將附著於中繼基板6()之發光二極體” 配置於接著劑層13上，接著將各發光二極體31配置於安裝 用基體11上，以製成第—連接部35與第—布線12接觸之狀 態。 [步驟-140] 更具體而言’於此[步驟·14〇] ’首先將微黏著層61碰觸 發光-極體31陣列狀（二維矩陣狀）地殘留於暫時固定用基 板50上之發光二極體31(參考圖5(Β)及圖6(α))。作為構成 中繼基板60之材料，可舉出玻璃板、金屬板、合金板、陶 £板半導It基板、塑膠板。而且’中繼基板⑹保持於未 124337.doc 1375262 圖示之定位裝置。可藉由定位裝置之動作，來調整令繼基 板60與暫時固定用基板50之位置關係。接著，對於應安裝 之發光二極體31，從暫時固定用基板50之背面側照射例 如準雷射（參考圖6(B))。藉此產生雷射剝離，被照射準分 子雷射之發光二極體3i係從暫時固定用基板5〇剝離。其 後，若解除中繼基板60與發光二極體31之接觸，則從暫時 固定用基板50剝離之發光二極體31成為附著於微黏著層6ι 之狀態（參考圖7(A))。 接著’將發光一極體31配置（移動或轉印）於接著劑層u 上（參考圖7(B)及圖8)。具體而言，將黑矩陣層14作為對準 標記使用’從中繼基板60將發光二極體31配置於安裝用基 體11之接著劑層13上。由於發光二極體31僅輕微附著於微 黏著層61，因此若於使發光二極體31與接著劑層13接觸 (按壓）之狀態下’使中繼基板60往離開安裝用基體n之方 向移動，則發光二極體31殘留於接著劑層13上。 為了方便’如此使用中繼基板60之方式係稱為步進轉印 法。然後’藉由將此步進轉印法重複特定次數，所需個數 之發光二極體31會呈二維矩陣狀地附著於微黏著層61，轉 印至安裝用基體11上》具體而言，實施例丨係於丨次步進轉 印中’使160x120個發光二極體31呈二維矩陣狀地附著於 微黏著層61 ’轉印至安裝用基體1丨上。因此，藉由重複 (1920χ1080)/(160><120)=108次之步進轉印法，可將 1920 X 10 80個發光二極體31轉印至安裝用基體11上。然 後’藉由重複以上[步驟-100]〜[步驟-140]合計3次，能以特 124337.doc 31 1375262 ^間隔、間距，來將特定數之紅色發光二極體綠色發光 一極體、藍色發光二極體安裝於安裝用基體 [步驟-150] 接著各發光一極體31之第二連接部之n側電極％與第 一布線"接觸’且成為拉伸力施加於安裝用膜Μ之狀態 (存在有拉伸應力之狀態），將發光二極體31夾於安裝用基 體U與安裝用膜21間，維持此狀態，同時藉由接著劑層13 來黏著安裝用基體U與安裝用膜21。具體而言，於真空氣 氛中以安裝用膜21覆蓋安裝用基體11，以使發光二極體 31之第二連接部（η側電極36)與設置於安裝用膜η之第二布 線22相接。然後，將如此所獲得之疊層體搬入疊層加壓裝 置於靶加約1x100 Pa(約1〇 kgf/cm2)之壓力之狀態下，以 150°C加熱1小時，使接著劑層13硬化。如此，於拉伸力施 加於女裝用獏21之狀態下（施加拉伸應力之狀態），藉由接 著劑層13’來黏著安裝用基體11與安裝用膜21。於圖3(B)表 不從上眺望貼合有安裝用膜21與安裝用基體u之狀態之模 式圖。其後，將安裝用基體丨丨及安裝用膜21切斷為特定尺 寸，基於適當方法，將第一布線12、第二布線22與驅動電 路連接，藉此可完成發光二極體顯示裝置或電子機器。 此外’殘留於暫時固定用基板50上之發光二極體31係使 用於發光二極體31對於下一安裝用基體u之安裝即可。 於實施例1 ’無須如先前技術，在將元件或發光二極體 安裝於顯不裝置用基板後再形成布線，不需要將元件或發 光二極體安裝於顯示裝置用基板後之布線形成之許多工 124337.doc •32· 1375262 時，可確實且較容易，而且以高可靠性來將設置於元件或 發光二極體之連接部與布線連接。 而且，於安裝用基體11安裝微小之發光二極體31時，不 會發生發光二極體31往非所需之位置偏離或傾斜之現象， • 確貫且較谷易，而且以高位置精度來安裝。因此，安裝 裝置之安裝位置精度較低即可完成，可謀求因製程成本減 低所帶來之排列有許多發光二極體31之發光二極體顯示裝 置之製造成本減低、或安裝裝置之成本減低。 [實施例2] 實施例2為實施例1之變形。於實施例2中，可較實施例i 大幅減少步進轉印之次數。實施例2係製造對角26吋之發 光二極體顯示裝置。因此，於65〇 mmx55〇 mm大小之安裝 用基體，安裝192〇χΐ〇8〇χ(3種發光二極體之個數）之數目 之發光二極體。以下，再度參考元件等之模式性部分端面 圖之圖 4(A)〜（C)、圖 5(A)〜(B)、圖 6(A)〜(B)、圖 7(A)〜(B)、 • 圖8，來說明實施例2之電子機器之製造方法、發光二極體 顯示裝置之製造方法。 [步驟-200] 首先，與實施例1之[步驟_1〇〇]相同，準備（製造）複數元 件中間物構造體40，其係於元件製造用基板41上形成有 藉由於後續步驟中分離來獲得發光二極體31之元件中間物 42(參考圖4(A))。 [步驟-210] 接著於暫時固定用基板50暫時固定複數（2以上，具體 124337.doc •33· ^75262 而言在實施例2中為12x5=60片）元件中間物構造體4〇之元 件中間物42°具體而言，準備於表面形成有未硬化之接著 劑所組成之捿著層51之玻璃基板所組成之暫時固定用基板 50。然後，基於切割法來切斷元件製造用基板41之一部分 (外形形狀夺考圖9(A)) ’貼合元件中間物構造體4〇之元件 中間物42(更具體而言為p側電極35)與接著層51，使接著層 51硬化’藉此暫時固定於暫時固定用基板5〇(參考圖9(A) 及圖4(B))。於實施例2中，將暫時固定用基板5〇之又方向 12片，暫時固定用基板5〇之丫方向5片之合計6〇片之元件中 間物構造體40，暫時固定於丨片暫時固定用基板5〇。元件 中間物構造體40之暫時固定之χ方向之間距&、γ方向之 間距Y!約略如下。
Xi=48 mm Y 1 = 64.8 mm [步驟-220] 其後，與實施例1之[步驟_ 120]相同，從元件中間物42除 去構成複數元件中間物構造體4〇之元件製造用基板“（參 考圖4(C))。此外，於圖9(B)中，以點線表示剝離之元件製 造用基板4 1。 [步驟-230] 接著，與實施例1之[步驟·130]相同，藉由分離暫時固定 於暫時固定用基板50之元件中間物42，來獲得複數發光二 極體3 1(參考圖9(B)及圖5(A))。發光二極體3丨係陣列狀（二 維矩陣狀)地殘留於暫時固定用基板5〇上。發光二極體3: I24337.doc •34· 1375262 之平面形狀為直徑15 μπι之圓形，發光二極體31與發光二 極體31間之Χ方向之間距及γ方向之間距為2〇㈣。而且， 設置有發光二極體31之區域之大小為χ方向24 mm、γ方向 W.4 因此，每i片元件製造用基板41可獲得X方向 . i2〇G個、Y方向i620個之合計1944000個發光二極體3卜此 , 外，於圖9(B)中，以實線之矩形形狀來表示發光二極體31 . 呈陣列狀（二維矩陣狀）地殘留於暫時固定用基板50上之區 域。 [步驟-240] 其後，與實施例1之[步驟-140]相同，首先將微黏著層61 碰觸發光二極體3 1陣列狀（二維矩陣狀）地殘留於暫時固定 用基板50上之發光二極體31(參考圖5(B)及圖6(A))。接 著，對於應安裝之發光二極體31，從暫時固定用基板5〇之 背面側，照射例如準雷射（參考圖6(B))。藉此產生雷射剝 離，被照射準分子雷射之發光二極體31係從暫時固定用基 • 板50剝離。其後，若解除中繼基板60.與發光二極體31之接 觸，則從暫時固定用基板50剝離之發光二極體31成為附著 於微黏著層61之狀態（參考圖7(a))。此外，呈二維矩陣狀 地附著於微黏著層61之發光二極體31之間距設為3〇〇 μπιχ300 μιη 〇 接著，將發光二極體31配置（移動或轉印）於接著劑層13 上（參考圖7(B)及圖8)。具體而言，將黑矩陣層14作為對準 標記使用，從中繼基板60將發光二極體31配置於安裝用基 體Π之接著劑層13上。由於發光二極體31僅輕微附著於微 124337.doc •35· 1375262 點著層61，因此若於使發光二極體31與接著劑層13接觸 (按壓）之狀態下，使中繼基板60往離開安裝用基體U之方 向移動’則發光二極體31殘留於接著劑層13上。 此步驟稱為第一次步進轉印。 使每ί片元件製造用基板41在X方向80個、Y方向108個 之合計8 640個發光二極體31，呈二維矩陣狀地附著於微黏 著層61 ’轉印至安裝用基體Π上。而且，由於使用60片元 件製造用基板41，因此總計5 1 8400個發光二極體31會呈二 維矩陣狀地附著於微黏著層61 ’轉印至安裝用基體U上。 於圖10(A)模式性地表示此狀態。此外，於圖ι〇(Α)或後述 之圖10(B)、圖ΐι(Α)及（Β)中’例如「〇5，〇6」之數字係意 味與位於第五列、第六行之元件製造用基板相對應之元件 (發光二極體）31之集合’由矩形包圍之「1」至「4」之數 字係表示第幾次之步進轉印。並且，於矩形所包圍之區 域’藉由1次步進轉印，如上述轉印有864〇個發光二極體 31 〇 重複合計4次此[步驟_240]，執行第二次步進轉印（參考 圖ι〇(Β))、第三次步進轉印（參考圖11(八)）、第四次步進轉 印（參考圖11(B)) »此外，於圖11(Α)，於第四次步進轉印 用之區域’以明確化為目的而附以斜線。如此，藉由進行 4次步進轉印，可於安裝用基體11上轉印1920x1080個發光 二極體31。並且，再度再重複[步驟_2〇〇]〜[步驟_23〇] 4次 [步驟-24〇] ’再次再重複[步驟-200]〜[步驟230]、4次[步驟· 24〇，]能以特定間隔、間距，將特定數之紅色發光二極 124337.doc •36- 1375262 體亲色發光—極體、監色發光二極體安裝於安裝用基體 11。 [步驟-250] 接著，與實施例1之[步驟_150]相同，各發光二極體31之 _ 連接却之秦電極36與第二布線22接觸，且成為拉伸 . 力施加於安裝用膜21之狀態（存在有拉伸應力之狀態），將 發光二極體31夾於安裝用基體11與安裝用膜2ι間維持此 _ 狀態’同時藉由接著劑層13·來黏著安裝用基體"與安裝用 膜21。其後’將安裝用基體11及安裝用膜21切斷為特定尺 寸，基於適當方法來連接第一布線12、第二布線22與驅動 電路，藉此可完成發光二極體顯示裝置或電子機器。 此外，與實施例1相同，殘留於暫時固定用基板5〇上之 發光二極體31係使用於發光二極體31對於下一安裝用基體 11之安裝即可。 先前技術係於1次步進轉印中，從丨片元件製造用基板， • 將例如80x108個發光二極體轉印至安裝用基體11 ^此情況 下，為了將1920X1080個發光二極體轉印至安裝用基體 , U，需要執行240次步進轉印，為了使3種發光二極體從元 件製造用基板移動（例如轉印）至顯示裝置用基板須執行 合計720次步進轉印。然而，如以上’若根據實施例2，於 暫時固定用基板50暫時固定元件中間物42，從元件中間物 42除去元件製造用基板41後，分離暫時固定於暫時固定用 基板50之複數元件中間物42而獲得發光二極體31。因此， 獲得發光二極體3丨後之狀態係等價於將具有與元件製造用 124337.doc -37· 1375262 基板41之60倍大小之暫時固定用基板50猶如視為元件製造 用基板，並製造出發光二極體31之狀態。其結果，能以4 次步進轉印’將1920x 1080個發光二極體轉印至安裝用其 體11，而且能以高位置精度來分離元件中間物42而獲得發 光二極體31。因此，不需要高精度且良率高之安裝裝置， 即可將發光二極體31從暫時固定用基板50移動（例如轉印） 至安裝用基體11，結果不會導致發光二極體31之製造成本 增加’而且可使得安裝有許多發光二極體31之裝置或發光 二極體顯示裝置之生產其本身變得容易。而且，由於分離 暫時固定於暫時固定用基板50之複數元件中間物42來獲得 發光二極體31，因此殘留於暫時固定用基板5〇之分離後之 發光二極體31之位置精度係取決於分離元件中間物42之加 工精度’不取決於將元件中間物42暫時固定於暫時固定用 基板50之位置精度。因此，不需要高精度且良率高之安裝 裝置’即可將元件中間物42從元件製造用基板41移動至暫 時固定用基板50。 如此，於安裝用基體11上，可容易且以高位置精度來排 列紅色發光二極體、綠色發光二極體及藍色發光二極體， 因此可謀求顯示裝置晝面之均勻性提升。而且，由於基於 步進轉印法，來製造尺寸比形成有發光二極體之元件製造 用基板之尺寸大之發光二極體顯示裝置時，可使步進轉印 邊界消失’因此藉此亦可謀求顯示裝置畫面之均勻性提 升。然後’可謀求因製程成本減低所帶來之發光二極體顯 示裝置之製造成本減低 '或安裝裝置之成本減低。 124337.doc -38· 1375262 [實施例3] 實施例3為實施例2之變形。於實施例2中，將12><5=6〇片 之兀•件中間物構造體40之元件中間物42暫時固定於暫時固 疋用基板50。然後，重複4次實施例2之[步驟_24〇]，藉此 以特定間隔、間距來將i種發光二極體安裝於安裝用基體 11。另一方面，於實施例3中，將6x5=3〇片元件中間物構 造體40之元件中間物42,暫時固定於暫時固定用基板5〇。 然後，重複8次與實施例2之[步驟·240]相同之步驟，藉此 以特定間隔、間距來將1種發光二極體固定於安裝用基體 11。此外，一般而言，基於ΜχΝ片元件中間物構造體4〇, 重複ex次實施例2之[步驟-240]，藉此可將發光二極體31安 裝於女裝用基體11之情況時，基於（M/m)x(N/n)片元件中 間物構造體40，重複mxnxa次之實施例2之[步驟_24〇]，可 將發光二極體31安裝於安裝用基體11β此外，M、N、m、 η、（M/m)、（N/n)為正整數。 由於實施例3之其他步驟可與實施例2相同，因此省略詳 細說明。實知例3係具有與實施例2之[步驟_24〇]相同之步 驟之重複數增多，但可減少應準備之元件中間物構造體4〇 之數目之優點。 以上，基於適宜之實施例來說明本發明，但本發明不限 定於此等實施例，可基於本發明之技術性思想來實現各種 變形。例如實施例中所舉出之數值、材料 '結構、構造、 形狀'各種基板、原料'製程等僅不過是例示，可因應需 要來利用與此等不同之數值、材料、結構、構造、形狀、 124337.doc •39· 1375262 基板、原料、製程等。例如於實施例2之[步驟_21〇]，亦可 將例如30片或15片之元件中間物構造體4〇之元件中間物42 暫時固定於暫時固定用基板50’將2片或4片此暫時固定用 基板50固定於支持基板。 依電子機器之構造，亦可由共同布線（共同電極）來構成 第一布線’第二布線採用與實施例1所說明之第一布線或 第二布線相同之構造。或者，亦可第一布線採用與實施例 1所說明之第一布線或第二布線相同之構造，由共同布線 (共同電極）來構成第二布線，或者亦可由共同布線（共同電 極）來構成第一布線，第二布線亦由共同布線（共同電極）來 構成。此外，共同布線取決於電子機器之構造，其為1片 片材狀或複數片材狀或帶狀均可。將元件（發光二極體）予 以交流驅動之情況時，混合存在有第一連接部與第一布線 接觸、第二連接部與第二布線接觸之元件（發光二極體）， 及第二連接部與第一布線接觸、第一連接部與第二布線接 觸之元件（發光二極體）亦可。此外，於第二連接部與第一 布線接觸、第一連接部與第二布線接觸之元件（發光二極 體）’只要將與第一布線接觸之第二連接部改讀為「第一 連接部」，將與第二布線接觸之第一連接部改讀為「第二 連接部」即可。 於女裝用基體上’將各元件配置為第-連接部與第-布 線接觸之狀態之方法’亦不限於實施例所說明之方法，依 電子機器’例如以點膠機將元件散布於安裝用基體上來 配置兀件或使用機器人等安裝裝置，來將元件配置於安 124337.doc 1375262 裝用基體上均可。而且，本發明之電子機器之製造方法或 發光一極體顯示裝置之製造方法，不僅可利用所謂批次方 式來執行，亦可由滾筒狀膜構成安裝用基體，安裝用膜亦 為滾筒狀，利用捲盤對捲盤方式來執行。進一步而言，於 實施例中，將於安裝用基體固定元件等之接著劑層、及貼 合安裝用基體與安裝用膜之接著劑層兼用，但亦可將於安 裝用基體固定元件等之接著劑層、及貼合安裝用基體與安 裝用膜之接著劑層，作為分別之接著劑層來使用。依情 况亦可對於露出之第一連接部或第二連接部，為了洗淨 而施以例如Ar電漿處理。 而且，如圖12(A)所示，以適當方法，於安裝用膜21之 内面21A設置凹凸部，於其上形成第二布線22’並如圖 12(B)所示，以適當方法，在與安裝用膜21之内面21 a相對 向之絕緣膜15之内面設置凹凸部’於其上形成第一布線 12(更具體而言為分支布線12B)，可使得發光二極體31之 第二連接部之η側電極36與第二布線22之連接、第一連接 部之ρ側電極35與第一布線12之連接變得確實。此外，依 情況’於安裝用膜21之内面21Α設置凹凸部，於其上僅形 成第二布線22亦可（亦即省略在與安裝用膜21之内面21八相 對向之絕緣膜15之内面設置凹凸部），或者僅於應形成第 二布線22之安裝用膜21之内面21Α之部分設置凹凸部，或 僅於應形成第一布線12之絕緣膜15之内面設置凹凸部均 可。進一步而言’如圖12(C)及（D)所圖示，於安裝用膜21 之内面21Α配置用以設置凹凸部之材料21Β(可由樹脂或金 124337.doc •41 - 屬構成），或於絕緣膜15之内面配置用以設置凹凸部之材 料15B(可由樹脂或金屬構成）均可。 【圖式簡單說明】 圖1(A)及（B)係分別表示實施例1之電子機器或發光二極 體顯示裝置之模式桂部分剖面圖及第一布線及第一布線之 布局之圖。 圖2(A)及（B)係分別表示實施例1之安裝用膜之模式性部 分剖面圖及安裝用基體之模式性部分剖面圖。 圖3(A)及（B)係分別表示元件（發光二極體）之模式性剖面 圖及從上眺望已貼合安裝用膜與安裝用基體之狀態之模式 圖。 圖4(A)〜(C)係用以說明實施例1之電子機器之製造方法 或發光二極體顯示裝置之製造方法之元件等之模式性部分 端面圖。 圖5(A)及（B)係接續於圖4(C)來用以說明實施例1之電子 機器之製造方法或發光二極體顯示裝置之製造方法之元件 等之模式性部分端面圖，圖5(C)係放大於[步驟-130]所獲 得之發光二極體之模式性部分剖面圖。 圖6(A)及（B)係接續於圖5(C)來用以說明實施例1之電子 機器之製造方法或發光二極體顯示裝置之製造方法之元件 等之模式性部分端面圖。 圖7(A)及（B)係接續於圖6(B)來用以說明實施例1之電子 機器之製造方法或發光二極體顯示裝置之製造方法之元件 等之模式性部分端面圖。 124337.doc -42- ⑸5262 圖8係接續於圖7(B)來用以說明實施例1之電子機器之數 造方法或發光二極體顯示裝置之製造方法之元件等之模式 性部分端面圖。 圖9(A)及（B)係分別表示實施例2之電子機器之製造方法 • 取發光二極體顯示裝置t製造方法之元件等之模式性俯視 fg| 圖0 圖10(A)及（B)係接續於圖9(B)來用以說明實施例2之電子 φ 機器之製造方法或發光二極體顯示裝置之製造方法之元件 等之模式性俯視圖。 圖11(A)及（B)係接續於圖ι〇(Β)來用以說明實施例2之電 子機器之製造方法或發光二極體顯示裝置之製造方法之元 件等之模式性俯視圖。 圖12(A)、（C)以及（B)及（D)係分別為實施例丄之變形例之 安裝用膜之模式性部分剖面圖及安裝用基體之模式性部分 剖面圖。 • 【主要元件符號說明】 11 基體（安裝用基體） 12 第一布線 13, 13' 接著劑層 14 黑矩陣層 15 絕緣膜 16 凸透鏡 21 膜（安裝用膜） 22 第二布線 124337.doc -43 - 1375262 31 元件（發光二極體） 32 第一化合物半導體層 33 活性層 34 第二化合物半導體層 35 第一連接部（p側電極） 36 第二連接部（η側電極） 3 7 端面 40 元件中間物構造體
41 元件製造用基板 42 元件中間物 50 暫時固定用基板 51 接著層 60 中繼基板 61 微黏著層
124337.doc -44-

Claims (1)

  1. 第096139328號專利申請案 中文申請專利範圍替換本（1〇〇年 十、申請專利範圍： 1' —種電子機器’其特徵為包含： 基體，其係形成有第一布線，該第一布線包含複數主 幹布線，各個該主幹布線呈帶狀延伸且自其延伸出複數 分支布線； 膜，其係形成有第二布線，且具撓性； 複數70件，其係包含有第一電極及第二電極； 接著劑層；及 黑矩陣層’其係形成於與該膜相對之基體内面上且未 配置該等元件之部分； 各該70件係於第一電極與第一布線接觸，第二電極與 第二布線接觸，且拉伸力施加於該膜之狀態下，夾於該 基體與該膜間； 並於此狀態下’藉由該接著劑層黏著該基體與該膜。 2.如請求項1之電子機器，其中該等元件係包含複數發光 二極體。 3·如請求項2之電子機器’其中該黑矩陣層係用作為對準 標記。 4. 如請求項1之電子機器，其中於該黑矩陣層與該基體内 面間形成有絕緣膜。 5. 如請求項2之電子機器，其中於和與該膜相對之該基體 内面相反侧之該基體外面上且來自該等元件之光射出之 部分配設有凸透鏡。 6. 如請求項1之電子機器，其中設與該膜貼合前之該第一 124337-1001215.doc 1375262 與該膜貼合後之該第一 與該基體貼合前之該第 與該基體貼合後之該第 貼合前之該接著劑層厚 符合下式： 布線及該基體厚度之合計為ti， 布線及該基體厚度之合計為， 二布線及該膜厚度之合計為t2， 一布線及該膜厚度之合計為t，2 , 度為tAdh，各該元件厚度為tD時， ti+t2 + tAdh 与 t' i+t'2 + ti) (其中，t'dt! ’ t，2<t2，tAdh<tD) » 124337-1001215.doc
TW096139328A 2006-12-04 2007-10-19 Electronic device, method of producing the same, light-emitting diode display unit, and method of producing the same TW200837819A (en)

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