TWI374792B - - Google Patents

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TWI374792B
TWI374792B TW097137069A TW97137069A TWI374792B TW I374792 B TWI374792 B TW I374792B TW 097137069 A TW097137069 A TW 097137069A TW 97137069 A TW97137069 A TW 97137069A TW I374792 B TWI374792 B TW I374792B
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Description

1374792 六、發明說明： - 【發明所屬之技術領域】 . 本發明通常係有關於一種用以從CMP拋光墊移除材料 的CM P拋光墊修整器（如整平、研磨、修整卜因此，本發 明係關於化學、物理及材料科學的領域。 【先前技術】 半導體產業目前每年耗資超過千萬美元製造矽晶圓， 該矽晶圓必須呈現非常平坦、光滑的表面，所用來製造具 φ 有光滑且平坦之表面的矽晶圓的方法有报多，其中最常用 的是稱為化學機械研磨（CMP)的方法，其包括結合研磨漿 來使用拋光墊。在整個CMP製程中最重要的就是在各方面 獲得尚效能，如抛光墊的一致性、積體電路（丨c)之電路系統 • 的流暢性、產率上之移除率、CMP耗材使用壽命之經濟性 • 等。 【發明内容】 根據一實施例，本發明提供_ CMp拋光墊修整器，包 • 括複數研磨片段各研磨片段具有一片段基質以及一附著 於該片段基質的研磨層，該研磨層包括超硬研磨層料；另 外也提供一拋光墊修整,器基材，且各研磨片段能長久地以 —方向附著在該拋光塾修整H基材，以使得在該拋光整修 整器與該CMP抛錢㈣移動時，能夠藉由該研磨層將材 料自C Μ P拋光墊移除。 根據本發明另一實施例係提供一 CMp拋光墊修整器， 其包括複數研磨片段，各研磨片段包括—片段基f、―有 機黏著層以及藉由該有機黏著層附著在片段基質的一研磨 Γ374792 層’該研磨層具有一超硬研磨材料；另外也提供一拋光墊 修整器基材，且各研磨片段能長久地以一方向附著在該拋 •光塾修整器基材，以使得在該拋光墊修整器與該Cmp拋光 塾相對移動時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光墊移 根據本發明又一實施例係提供一 CMP拋光墊修整器， 其包括複數研磨片段，各研磨片段包括一片段基質以及藉 由硬焊合金附著於片段基質的一研磨層。該研磨層包括一 • 超硬研磨材料；另外也提供一該拋光墊修整器基材，且各 研磨片段能長久地以一方向附著在拋光墊修整器基材，以 使得在該拋光墊修整器與該CMP拋光墊相對移動時，能夠 - 藉由該研磨層將材料自CMP拋光塾移除。 - 根據本發明再一實施例係提供一 CMP拋光墊修整器， 其包括複數研磨片段，各研磨片段包括一片段基質以及附 著於片段基質的一研磨層。該研磨層包括一超硬研磨刀； ^ 另外也提供一該拋光墊修整器基材，且各研磨片段能長久 地以一方向附著在拋光墊修整器基材，以使得在該拋光墊 修整器與該CMP拋光墊相對移動時，能夠藉由該研磨層將 材料自CMP拋光墊移除。 根據本發明另一實施例係提供一 CMP拋光墊修整器， 其包括複數研磨片段，各研磨片段包括一片段基質以及附 著於片段基質的一研磨層。該研磨層包括一切割面，其在 實施於該CMP拋光墊時，相對於一研磨表面具有9〇度或 更小的角度；另外也提供一該拋光墊修整器基材，且各複 數研磨片段能永久地以一方向附著在拋光墊修整器基材， 1374792 以使得在該拋光墊修整器與該CMP拋光墊相對移動時，能 夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光墊移·除。 根據本發明又一實施例係提供一形成CMP拋光墊修整 器的方法，其包括：獲得至少一研磨片段，該研磨片段包 括：一片段基質、以及附著於該片段基質的一研磨層，該 研磨層包括一超硬研磨材料’該方法包括在一拋光墊修整 器基材之面上定位至少一研磨片段於特定方向，以使得在 該拋光墊修整器與該CMP拋光墊相對移動時，能夠藉由該 研磨層將材料自CMP拋光墊移除；以及永久地將該至少一 研磨片段固定於該拋光墊修整器基材。 現在僅概括性且較廣地描述出本發明的各種特徵，因 此在接下來的詳細說明中可更進一步地理解，並且在本領 域所做的貢獻可能會有更佳的領會，而本發明的其他特徵 將會從接下來的詳細說明及其附圖和申請專利範圍中變得 更為清晰，也可能在實行本發明時得知。 【實施方式】 在揭露與敘述本發明之前，需要了解本發明並非限制 於在此所揭露之特定的結構、方法步驟以及材料，而是可 延伸至所屬技術領域具通常知識者能思及之等效結構、方 法步驟及材料，而以下說明中所使用專有名詞的目的只是 在敘述特定實施例，並非意欲對本發明有任何的限制。 。。值得注意的是在本說明書及其申請專利範圍所使用的 早數型態字眼如「-」力「該」，除非在上下文中清楚明 白的指示為單數，不然這些單數型態的先行詞亦包括複數 U ’因此例如「一研磨片段」&括-個或多個這樣的研 1374792 磨片段。 定義 - 以下是在本發明的說明及專利範圍中所出現之專有名 的定義。 β全部的篩孔大小除了有特別註明，否則在這裡指的都 是美國篩孔尺寸，巾且’筛孔大小通常都能了解為一定量 的顆粒之平均篩扎大小，即使每個顆粒於特定的篩孔大小 實際上可能為在小分布範圍内變動。 所述的「實質上（substantially)」是指步驟、特性、性 質、狀態、結構、項目或結果的完全、接近完全的範圍或 程度。任意舉—個例子來說，當二個^個物體被指出彼 此之間間隔有-「實質上」—致的距離，則可得知這兩個 或多個物體彼此間隔有完全不可改變的距離，或彼此之間 有著非常接近不可改變之距離，而一般人無法察知其分別: 而離絕對完全確實可允許的偏差可在不同情況下依照特定 上下文來決定。然而，通常來說接近完全就如同獲得絕對 或完整的完全具有相同的缚體結果。 所述的「實質上地」在當使用於負面含意亦同等適用， 以表示完全或接近完全缺乏步驟、特性、性質、狀維、結 構、項目或結果。任意舉一個例子來說，一「實質上、支有 (substantially free of)」外來物質的凹洞可為完全沒有外來 物質，或者非常近乎完全沒有外來物質，而其影響會如同 完全缺乏外來物質一樣。換句話說，一「實質上沒有」外 來物質的凹洞只要結果在孔洞沒有可測量的影響，則實際 上依然包含微小部分的外來物質。 6 IJ/4/92 所述的基材（substrate)」係指支撐研磨材料之拋光 墊修整器的一部份’可貼附於該研磨材.料和，或能承載研磨 材料之片段基質（segment b丨ank卜本發明所料基材可為 各種形狀、厚度或材料，其可収以讓—抛錢修整器達 成所欲達到之目的的方式承㈣磨材I基材可為實心材 料、粉末材料（加工後成為實心）或可撓性材料（f|exjb|e material)。典型基材的例子包括但不限制於金屬金屬合 金、陶兗、相對硬的聚合物或其他有機材料、玻璃及其混 5物。再者，該基材可包括能幫助研磨材料附著在該基材 上的材料’包括但不限制在硬焊合金材料、燒結助劑等。 所述的片段基質「（segment blank)」係指與之前所定 義之拋光墊修整器的基材相似的結構。片段基質係用於本 發明以承載研磨層··將該等研磨層附著在該拋光墊修整器 之基材通常係藉由將該片段基質附著在該拋光塾修整器的 基材’重要的是要注意各種將該等片段基質附著在基材上 的方法以及各種將該等研磨層附著在片段基質的方法皆在 此討論。需要了解的是，這些在此所述的各種附著機制皆 能交換使用，即，當討論將一片段基質附著在基材上的方 法’所时論之附者方法也能用於將一研磨層附著於一片段 基質。然而，為了要討論之任何特別的CMP拋光墊修整器， 需要了解的是’該等將研磨層附著於片段基質的附著方法 能與用於將#段基質附著至該拋光墊修整器基材上的附著 方法不同或相同。 所述的「幾何構型（geometric configuration)」係指能 夠以很快被了解且辨認的數學術語來描述的形狀。例如， 1374792 被形容為「幾何構型」的形狀包括但不限制在立方體形狀、 多面體（包括正多面體）形狀、三角形（包括等邊三角形_)、等 腰二角形以及3D三角形、角錐形、球形、矩形、「餅」形 (pie shaPes)、楔形、八邊形、圓形等。 所述的「氣相沉積法」是指一種藉由氣體相將物質沉 積在-基材上的方法’纟包括任何方法，例如但不限制在 化學氣相沉積法（chemical vapor deposition，CVD)和物理 氣相沉積法（physica丨 vapor dep〇siti〇n，pvD)，每一個氣 相沉積法的使用皆可由於本領域具通常知識者在不改變主 要原理的情況下做變動，因此該氣相沉積法的例子包括熱 絲氣相沉積法（hot fi|ament CVD)、射頻化學氣相沉積法 (rf-CVD)、雷射化學氣相沉積法（丨ase「CVD, LCVD)、雷射 脫落法（丨aser ablation)、金屬有機物化學氣相沉積法 (metal organic CVD, MOCVD)、濺鑛、熱蒸鐘物理氣相沉 積法（thermal evaporation PVD)、離子化金屬物理氣相沉 積法（ionizedmeta丨PVD,丨MPVD)、電子束物理氣相沉積法 (electron beam PVD, EBPVD)以及反應性物理氣相沉積法 (reactive PVD)等其他類似的方法。 所述的「研磨輪廓（abrasjvepr〇fj|e)」能被了解是指藉 由此用於從CMP抛光墊移除材料之研磨材料所定義的形 狀、構型或空間。研磨輪廓的例子包括但不限制在矩形、 一端漸細的矩形、截面為楔形的形狀、楔形、鋸齒（saw t〇〇th) 輪廓等。在一些實施例中，當材料從CMP拋光墊移除，而 CMP拋光墊被定向視為一平面時，藉由本發明之研磨片段 呈現的研磨輪廓是明顯的。 8 1374792 所述的「磨鞋表面（abrading surface)」或「磨钱點 (abrading point)」-可用以指研磨片段接觸CMP拋光塾和 自CMP拋光墊移除材料的表面、邊緣、面、點或失端。一 般而言，該磨蝕表面或點係當該研磨片段與CMP拋光墊相 互接觸時’該研磨片段最先與該CMP拋光墊接觸的部分。 所述的「超硬（superhard)」係指具有任何結晶、或多 晶材料或莫氏硬度（Mohr’ s hardness)大約8或大於8之
材料的混合物。在一些態樣中’莫氏硬度可大於9或大於 9 ’這種材料包括但不限制於鑽石、多晶鑽石（pCD)、立方 氮化硼（cBN)、多晶立方氮化硼（pcbn)、金剛砂（corLmcjum) 和藍寶石’以及其他所屬技術領域中具有通常知識者所知 的超硬材料。超硬材料能以各種不同的形式（包括顆粒、沙 礫、薄膜、層狀結構、片狀、片段等）與本發明結合。在一 些情形中，本發明之超硬材料係採多晶超硬材料的形式， 如PCD和pCBN材料。 所述的「有機材料（〇「ganjc mateda|) 物的半固體或固體複合物或混合物。其中，「有機材料層」 2「有機材料基質」可互換使用，係指一層或一團有機化 ^物的半固體或固體無晶型混合物，包括樹脂、高分子、 膠等。較佳的是，有機材料係由一或多個單體進行之聚合 反應所形《的聚合物或共聚合斗勿。在一些情形中，這種有 機材料可為黏著劑。 #所述的「硬焊（brazing)」製程係指在超研磨顆粒/材料 2碳原子以及硬焊材料之間化學鍵的產生。再者，該「化 于鍵」係指共價鍵，如碳化物、氮化物或硼化物鍵，而非 Π74792 機械的或微弱的原子間吸引力，因此，當「硬焊」用於連 接超研磨顆粒時，就會形成真.實的化學鍵。然而，當_r硬 焊」被用於金屬與金屬之間的鍵結時，該詞彙即為一更傳 統之意義一冶金的連接。因此超研磨片段硬焊於器具本體 並不需要碳化物形成物的出現β
所述的「顆粒（particle)」和「砂礫（grit)」能互換使用。 所述的「研磨層（abrasjve)」係指能夠從CMP拋光墊 移除（如切割、拋光、刮落（scraping))的各種結構，一研磨 ^能包括其上或其内部具有許多切割點 '脊、平台的塊體。 值得庄意的是這種切割點、脊、平台可形成有許多凸部或 凹部而涵蓋在該塊體裡。再者，一研磨層可包括複數個獨 立的研磨顆粒，其僅具有形成在其上或表面的一切割點、 脊或平台。一研磨層也可包括複合塊體，如pCD片、片段 或坯料(blank)，可個別包括研磨層或共同包括研磨層。 所述的「金屬的（metaMic)」係指金屬、或兩種或更多 金屬的合金。金屬材料的各種態樣皆可為於所屬技術領域 中具有通常知識者所熟知，特別是包括但不限制在鋼 以及不鑛鋼。 料，基於方便可出現在一般的a 、’ 或材
般的㊉見列舉中，然而這些列I 可解釋為列舉中的單一構件單獨或個別地被定義，因此， 這樣列舉中的單—構件不能視為任何單獨基於在 :無相反表示之解釋的相同列舉中實際上相等的其他: 濃度 里乂及其他數值上的資料可是以範圍的形式 Γ374792 來加以呈現或表示’而需要瞭解的是這種範圍形式的使用 僅基於方便性以及簡潔-，因此在解釋時，應具有相當的彈 性，不僅包括在範圍中明確顯示出來以作為限制之數值， 同時亦可包含所有個別的數值以及在數值範圍中的次範 圍，如同每一個數值以及次範圍被明確地引述出來一般。 例如一個數值範圍「約1到約5」應該解釋成不僅僅 包括明確引述出來的大約1到大約5，同時還包括在此指 定範圍内的每一個數值以及次範圍，因此，包含在此一數 值範圍中的每一個數值，例如2、3及4，或例如1 -3、2-4 以及3-5等的次範圍等，也可以是個別的1、2、3、4和5。 此相同原則適用在僅有引述一數值的範圍中，再者，這樣 的闡明應該能應用在無論是一範圍的幅度或所述的特徵 中。 本發明 本發明大體而言係提供一拋光墊修整器以及相關方 法’以用來修整（如整平、研磨、修整）或其他影響一 Cmp 抛光塾以將材料自該CMP拋光墊移除，而提供拋光墊具有 一光滑、平整和/或平坦的表面。本發明之拋光墊修整器係 有助於修整用於研磨、磨光或其他影響矽晶圓的Cmp拋光 塾。 在本發明描述於第一圖中的實施例中係提供一 Cmp拋 光墊修整器（10)，該CMP拋光墊修整器係包括至少一研磨 片段（12a，12b，12c, 12d)(有時在此所討論的各種為數眾多 的研磨片#又會將其統稱為「1 2χ」）。最佳的描述能從第一 Α圖了解，各研磨片段（12)包括片段基質（14)以及附著在該 11 1374792 片段基質的一研磨層（16)，該研磨層（16)包括一超硬研磨材 料’在第“ A圖中所示的範例實-施例中，該超-硬研磨材料 包括複數超硬顆粒（1 8卜另外，也提供一拋光墊修整器（2〇, 第 圖）’該拋光些修整器基材能根據因應設計不同之抛光 塾修整器的應用而各有不同，但一般來說，係包括能讓研 磨片段附著於其上的面，以讓該拋光墊修整器能用以研磨、 刨削、切割或其他將材料從CMP拋光墊上移除的動作（圖 中未示）》
該至少一研磨片段（12x)係長久地以一方向固定於該拋 光墊修整器（20)，以使得在該拋光墊修整器與該CMp拋光 墊相對移動時，能夠藉由該研磨層將材料自CMp拋光墊移 除例如，在第一圖所示的實施例中，該研磨片段（12χ)係 以放射狀沿著實質上圓形的拋光墊修整器基材之邊緣排 列發現這種排列非常適合藉由讓拋光墊修整器機材相對 於拋光墊移動，而將材料從CMp拋光墊移除（當「修整」 該抛光塾時）。 本發明提供許多優於既有裝置的優點，其中一項優點 係能夠依照指定規格將該研磨層（16)附著於該片段基質⑽ 的方法，係獨立於將該片段基質或該等基質附著於該拋光 墊修整器基材的方法1如，#所使用的拋光㈣整器具 有大的或複雜的表面積時’而各種附著方法可能涉及很高 的溫度和/或壓力、很高要求的環境條件、或單純要求高勞 力密度1明顯、簡單操作的片段基質執行該附著方法能 改善附著程序的成本、效能以及完整性；$外，若將片段 基質刀離而呈相對小的部份，則能更容易將各片段基質上 12 Γ374792 之研磨層的構成物整平，所產生的複數研磨片段也同樣地 更容易在研磨層個別附著於各研磨片段後，於該拋光墊修 整器基材（20)之面上被定位、整平、形成間隔、定向等。 此外’藉由獲得複數研磨片段（12x>，各具有一研磨層 (16)已經附著於其上’於該拋光墊修整器基材（2〇)的面上之 一研磨圖案係被設計為能最有效地進行各種修整程序。例 如’在鄰近的研磨片段之間的間隙能謹慎地選擇而有助於 或更能控制各種流體（如研磨漿）在該等研磨片段周圍或穿過 該等研磨片段的流動，以增加材料移除製程的效率及效能。 而且’如第一圖所示，具有不同研磨輪廓（如不同尺寸、形 狀、研磨侵入等）的片段基質能用於一單一基材上，以能夠 客製化該拋光墊修整器之磨蝕輪廓的整體。 以下會更深入討論’不僅各研磨片段的研磨輪廓能夠 依照指定規格製造’該研磨片段的型態或組成也能使一片 段（12x)有別於另一片段。例如，片段（12c)可包括複數藉由 一有機黏著材料層（1 6)附著於該片段基質（14)的個別研磨顆 粒（1 8>。片段（12a)包括藉由不同附著機制附著於一片段基 質的貝質上連續之一 PCD片，而且，研磨片段的相對高度 或向處（elevation)能依照任何特殊的拋光墊修整器而有所 不同，例如，在第一圖中的研磨片段（12a)係調整為稍微高 過或低於研磨片段（12c)。 在此所顯示及討論的各種片段基質（14)能以各種材料 所製成，包括但不限制在金屬材料（如鋁、銅、鋼、金屬八 金等）、陶瓷材料、玻璃、高分子、複合材料等。通常實際 上任何能讓研磨片段（1 2x)附著的材料就能夠使用。 13 1374792 在二實％你it，選擇片段基質的材料以在將該研磨 •層附著於其-上的製程中提供-更優越的效果。如前所述，該_ -研磨層能以各種不同的方式附著於該片段基質包括環氧 樹脂接合（bonding)法（如有機接合方法）、金屬硬焊燒結、 電沉積等；能依照所預設的附著方法而選擇片段基質的材 料例如，部为或全部由鎳或不鏽鋼所組成的片段基質能 使用在一些有關硬焊和/或燒結的方法，而陶瓷材料或金屬 材料可用於有機附著方法中。 • 本發明各種實施例使用各種附著該研磨層（16)至該片 段基質（14)的方法。在一實施例中，一有機材料層能沉積 於該片段基質，且一或多個研磨顆粒、片、片段等能藉由 該有機材料層固定在該片段基質。適合之有機材料的範例 包括但不限制在胺基樹脂（amino resins)、丙婦酸醋樹脂 (acrylate resins)、醇酸樹脂（aikyd resins)、聚酯樹脂 (polyester resins)、聚醯胺樹脂（p0|yarT1ide resins)、聚亞 醯胺樹脂（polyimide resins)、聚氨酯樹脂（p0|yurethane _ resins)、酚醛樹脂（phenolic resins)、酚醛/乳膠樹脂 (phenolic/latex resins)、環氧樹月旨（epoxy resins)、異氰酸 酯樹脂（isocyanate resins)、異氰尿酸酯樹脂（isocyanurate resins)、聚石夕氧院樹月旨（polysiloxane resins)、反應型乙烯 基樹月旨（reactive vinyl resins)、聚乙稀樹月旨（polyethylene resins)、聚丙烯樹月旨（polypropylene resins) '聚笨乙烯樹 月旨（polystyrene resins)、苯氧樹月旨（phenoxy resins)、二蔡 嵌苯樹脂（perylene resins)、聚楓樹脂（polysulfone resins)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（acrylonitrile- 1374792 butadiene-styrene resins)、丙烯酸樹脂（acrylic resins)、 聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resins)、及其混合·物e 所謂的「逆澆注（reverse casting)」法能夠用於準碟且 可控制地將該研磨材料定向及附著在該片段基質上（且將該 片段基質定位和附著於該拋光墊修整器基材），這種方法包 括首先使用一「光罩」材料固定一超研磨材料（如複數超研 磨顆粒）至一基材上’接著部分突出於光罩材料的顆粒使用 在此所討論過的方法附著於該拋光墊修整器基材，在此之 後或在此期間能移除該光罩材料。發現這些逆澆注技術能 增加研磨顆粒（或其他研磨接觸點）的數量至研磨顆粒或接觸 點總數量的10 %或更多。 適合的逆澆注法能夠在本案發明人的各種專利及專利 申請案中找到’包括在2007年12月6日申請的美國申請 案第60/992,966號、在2007年5月16曰申請的美國申 請案第11/804,221號、以及在2007年5月22曰申請的 美國申請案第1 1/805,549號，其皆可合併於此作為參考， 當將本發明該等研磨片段附著於拋光墊修整器基材時、當 將本發明該等研磨層附著於該等片段基質時能使用這些技 術這種技術此允許非常準確地控制該等研磨片段或研磨 層的橫向設置，也能非常準確地控制該等研磨片段或研磨 層的相對高度。 當使用一有機結合材料層時，於所屬技術領域中具有 通常知識者能夠知道各種硬化該有機材料層的方法，以使 有機材料產生相變化而從至少一柔軟的狀態到至少一堅硬 的狀態’硬化能夠藉由但不限制在將該有機材料接觸熱形 15 1374792 式的能量、電磁輻射（如紫外線、紅外線以及微波幅射）、粒 子撞擊·（如電子束）、有機觸媒、無機觸媒或其他於所蜃技術— 領域中具有通常知識者所熟知的硬化技術。 於本發明之一態樣中’該有機材料層可為熱塑性材料， 熱塑性材料能分別藉由冷卻和加熱而硬化或軟化。在另一 態樣中’該有機材料層可為熱固性材料，熱固性材料無法 像熱塑性材料一樣可逆地硬化和軟化，·換句話說，一旦產 生硬化現象，該製程實質上為不可逆。 有機材料在本發明之實施例中係有用的，包括但不限 制在烧基化腺酿樹脂（alkylated urea-formaldehyde resins) ’ 二聚乳胺甲酸樹脂（me|arriine-formaldehyde resins);以及烷基化苯代三聚氰胺曱醛樹脂（alky|ated benzoguanamine-formaldehyde resins);丙烯酸醋樹脂 (acrylate resins)包括乙稀丙烯酸酯（vinyl acrylates)、環氧 丙烯酸酯（acrylated epoxies)、聚氨酯丙烯酸酯（acrylated urethanes)、、丙婦酸酯樹脂（acrylate resins)、聚酯丙烯 酸酯（acrylated polyethers)、乙稀躂（vinyl ethers)、丙烯 酸油（acrylated oils)、石夕酮丙晞酸酯（acrylated silicons)以 及相關的丙浠酸酯（methacrylates);醇酸樹脂（alkyd resins)，如聚氨酯酸醇樹月旨（urethane alkyd resins);聚醋 相ί 月旨（polyester resins)；聚 SI 胺；(¾月旨（polyamide resins); 聚亞醯胺樹脂（polyimide resins);反應型氨酯樹脂（reactive urethane resins);聚氨酉旨樹月旨（polyurethane resins)；輪 酸樹脂（phenolic resins)，如紛少搭多的盼酿樹脂（resole resins)以及酚多路少的酚醛樹脂（novolac resins);酚醛/乳 16 1374792 踢樹脂（phenolic/latex resins);環氧樹脂（epoxy resins)， 如二盼環氧樹脂（bisphend epoxy resins)-;異氰酸酯樹脂 (isocyanate resins);異氰尿酸酯樹月旨（isocyanurate resins);聚矽氧烧樹脂（polysiloxane resins)包括烧基烧氧 基石夕樹脂（alkylalkoxysilane resins);反應型乙稀基樹脂 (reactive vinyl resins);標有 BakeliteTM 商標的樹月旨，包 括聚乙烯樹脂（polyethylene resins)、聚丙烯樹脂 (polypropylene resins)、環氧樹脂（epoxy resins)、酚醛樹 脂（phenolic resins)、聚笨乙烯樹脂（p0|ystyrene resjns)、 苯氧樹脂（phenoxy resins)、二萘嵌笨樹脂（pery|ene resins)、聚颯樹脂（p0|ySU|f0rie resjns)、氣乙稀共聚合物 樹脂（ethylene copo丨yme「resins)、丙烯腈·丁二稀·苯乙稀 共聚物（acrylonitrile-butadiene-styrene resins, ABS)、乙 烯基樹脂（vinyl resins);丙烯酸樹脂（acrync resins);聚碳 酸酯樹脂（polycarbonate resins)以及其混合物或組合物。 在本發明之一態樣中，該有機材料可為環氧樹脂。在另一 態樣中，該有機材料可為聚亞醯胺樹脂。又一態樣中，該 有機材料可為聚氨酯樹脂0 人 很多添加物能包含在該有機材料中以幫助其使用。例
，陶材的 如， 硬化 未硬， 化之； 層的i 樣中 17 範例包括氧化鋁、碳化铭 瑞化錯及其混合物。 氧化矽、碳化矽、氧化锆、
此外，在—態樣中，可將輕合劑或有機金屬化合物塗 佈於各研磨材料的表面上，以藉由化學鍵結而幫助該超研 磨材料保在該有機材料層+ ^於所屬技術領域中具有通 常知識者能知道且能使用各種有機和有機金屬化合物。有 機金屬耦合劑能在該等超研磨材料以及該有機材料基質之 間產生化學鍵’故而增加該等金屬材料在其中的保持度。 如此，該有機金屬耦合劑能作為一橋樑而在該有機材料基 質以及該超研磨材料表面之間形成鍵结。在本發明之一態 樣中’該有機金屬耦合劑為鈦酸酯（tjtanate)、錘酸酯 (zirconate)、矽甲烷或其混合物。 適合用於本發明之矽甲烷特定但非限制的範例包括3_ 曱基二乙酿氧基石夕曱炫〔3-glycidoxypropyltrimethoxy silane，購自道康寧公司（d〇w Corning)，型號為Z-6040〕、 7_甲基丙稀酿氧基丙基三甲氧基梦曱烧〔T_methac「yl〇xy
propy丨trimethoxy silane’.購自聯合碳化公司（Union Carbide Chemicals Company) ’ 型號為 A-174〕'召-(3,4-环氧環 己烷）乙基三曱氧基矽甲烷 〔β -(3,4-epoxy cyclohexyl )ethyltrim ethoxy silane〕 、r-氨丙基三 乙氧基石夕曱烷〔7* -aminopropyltriethoxy silane)、N-(万· 氨乙基）-r-氨丙基甲基二甲氧基矽甲烷（问-(石-aminoethyl)- γ -aminopropylmethyldimethoxy silane，購 自聯合碳化物公司（Union Carbide)、信越化學工業株式會 社（Shin-etsu Kagaku Kogyo K.K·)等〕。 18 1374792 適合用於本發明之鈦酸鹽耦合劑特定但非限制的範例 包括-異丙基三硬-醋-酸鈦酸酯〔isopropyltriisosiearoyl titanate〕、二（異丙苯基）氧乙酸酯鈦酸酯〔 di(cumylphenylate)oxyacetate titanate〕、4-氨基苯續酿 說十·一 烧基 笨續 酸欽 酸 §旨 〔4 - aminobenzenesulfonyldodecylbenzenesulfonyl titanate 〕、四辛基雙（二三葵基亞填酸）欽酸醋〔tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate〕、異丙基三（N-氨基乙基-氛基乙基）欽酸 S旨〔isop「opyltri(N-ethylamino-ethylamino) titanate 講自美國肯瑞奇石油化工有限公司（Kenrich
Petrochemicals，Inc. )〕.、新院氧基欽酸酿（ne〇alkyoxy titanates)，例如型號 LICA-01、LICA-09、LICA-28、LICA-44 以及LICA-97(也是購自Kenrich)等。 銘耗合劑特定但非限制的範例係包括醋酸烧氧基二異 丙氧基铭〔acetoalkoxy aluminum diisopropylate，購自橘 生藥品工業株式會社（Ajinomoto Κ·Κ·)〕等。 結酸醋輕合劑特定但非限制的範例係包括新烷氧基鍅 酸酯〔neoalkoxy zirconates，型號為 LZ-01、LZ-09、LZ- 12、 LZ-38、LZ-44、LZ-97，全部皆構自美國肯瑞奇石油化工有 限公司（Kenrich Petrochemicals,丨nc.)〕等，其他已知的 有機金屬_合劑〔如硫醇基化合物（thi〇|ate based compounds)〕能用於本發明且被考慮在本發明之範疇中。 所用之有機金屬偶合劑的量係依照耦合劑的種類以及 該超研磨材科的表面積而定，通常必須是該有機材料層之 重量的0.05%至1〇〇/0才會足夠。 19 1374792 金屬硬焊法也能應用於將該研磨層（16)附著至片段基 " 質（14)一，於所屬技術領域中具有通常知識者係熟知金屬硬 '焊法，例如，在建構鑽石鋸片時，該程序包括混合鑽石顆 粒（如40/50美國網目（mesh)的鋸片磨料）以及適當的金屬 支持基質（結合）粉末（如具有1.5微米的結粉末）；接著該混 合物係壓在一模具中，以形成一正確的形狀（如一鑛子片 段）；該工具的「生胚」接著係在溫度為7〇〇_12〇(rc之間 燒結而得以固化，並形成具有複數研磨顆粒設置於其中的 • 單一塊體；最後，該硬化的塊體係（如以硬焊方式）附著於該 工具主體，如鋸子的圓形刀片，以形成最終產品。許多其 他的範例皆能用此技術，且為於所屬技術領域中具有通常 知識者所熟知的。 也能使用各種燒結方法將該研磨層（16)附著於該片段 基質（14)，於所屬技術領域中具有通常知識者在了解本發 明内谷後就能輕易合適的燒結方法。 該研磨層（16)也能藉由已知的電鍍和/或電沉積法附著 _ 於該片段基質（14)。如-個在電沉積之前或同時定位並保 持該研磨材料的適合方法之範例（圖中未示），係使用一包括 能夠有效防止電沉積材料累積在模具表面上之絕緣材料的 模具，在電沉基時，研磨顆粒能保持在該模具之模具表面 上因此月b防止t、况積材料累積在顆养立尖端卩及該抛光 墊修整器基材之卫作表面上。這種技術係、如於2⑽5年乜 月2日所提出之美國專财請案第1 1/292,938號中所描述 的，其係能合併於本案作參考。 -個或多個孔延伸進該絕緣材料中，以供電解液從模 20 1374792 具外的區域經過該模具而循環至該拋光墊修整器的表面， 以產生材料的電沉積，來將該-研磨顆粒固定於該拋光墊修 •整器基材，這種循環能夠作用通常係需要在電沉積時所用 之電解液中保持足夠的離子濃度（未示）。也可使用其他已知 的技術’且能了解上述所提供的範例僅為多種適合技術中 的其辛之一》 該片段基質能以各種方法類似地附著於該拋光墊修整 器基材，依據片段基質形成之材料，而能夠使用各種固定 • 該片段基質至該拋光墊修整器基材的各種方法。適合的附 著方法包括但不限制在有機鍵結（organic binding)、硬焊、 焊接（welding)等。
- 該研磨片段（12)的幾何構型可為各式各樣的。在第一 A - 及一 B圖所示的實施例中，該研磨片段包括具有結合在其 上部之研磨材料層（16)，能包括研磨顆粒（18)的一般矩形片 段基質（14)，該片段基質的尺寸係各式各樣的’在本發明 之一態樣中，片段尺寸能夠調整，以達到鑽石顆粒均勻分 • 冑呈、力帛型配置，各片段包括高達約一千顆鑽石顆粒， 其一組尖端間隔係為3至1 〇倍鑽石大小。較小的片段較能 夠分攤在修整時的負載力量。 由第一 B圖的實施例可知，該研磨材料層（16)係由該 片段基質（14)的側邊邊緣部分延伸而出（或朝下延伸），在第 C圖中，該研磨材料層係由該側邊邊緣以較小的幅度延 伸而出（或朝下延伸），本發明系統的模組化（m〇du|a「natu「e) 使得將該研磨層（16|)附著於片段基質（14)時允許很大的彈 性。由於片段基質能夠與該拋光墊修整器基材分開製備， 21 1374792 所以當將該研磨層施加至片段基質時，能夠了解各種製作 優勢’而無需在意-最後與該片段基質附著於其上之拋光墊 修整器的尺寸、形狀、質量、材料等。 於本發明之一態樣中，但並非必要，複數研磨片段各 包括一實質上符合的幾何構型。如第二圖所示的實施例中， 該等研磨片段（12e)各呈現一實質上楔形的超研磨輪廓（若要 求可為削去尖角的（truncated)形狀），該研磨層（16句係以各 種方式附著於該片段基質（14e)，大多與上述相同。 複數研磨片段（12x)係以放射狀地分佈於該拋光墊修整 器基材（20)的面上，且能包括在各片段之間實質上均勻的 間隔，而且，各研磨片段的縱轴係與該抱光墊修整器基材 的半佐成一直線。於第一圖及第二a圖所示的實施例中， 该研磨片段（12e)係排列於該拋光墊修整器基材（2〇)的面 上’其係以可替換或多變的排列：如同所示，該片段的細 尖端部（tapering portion)能以交替的方式排列為朝向或遠 離該拋光墊修整器基材的中心。 約排列於該修整器基材之面上的研磨片段係各能在尺 寸、形狀、研磨物組成、相對於另一研磨片段之高度等方 面實質上相同。在另一態樣中，尺寸、形狀、研磨物組成、 相對於另一研磨片段之尚度等能有目的的不同，以達到任 何特定應用最適當的設計彈性（f|exibi丨丨ty);各前述的品質 也能夠在各個片段中有所不同，如間隔的片段係包括pCD 研磨片、碎片、板，而相鄰的片段係包含研磨顆粒。 该研磨片段（12x)在該拋光墊修整器基材（2〇)上的保持 度能夠藉由排列該等研磨片段而改進，以使得在任何個別 22 /4/92 之研磨片段上的機械應力衝擊最小化。藉由減少在各研磨 片段的應力衝擊，該等研磨片段能夠輕易地保持在該基材 上之適當位置，特別能應用在需精細處理的狀況中，將各 片段之間的應力變化最小化能夠藉由均勻地（一致地）間隔該 等片段、將各片段最高部分整平至均勻的高度（相對於該拋 光墊修整器的面）、將該等片段放射狀地排列在該拋光墊修 整器基材的面上而達成。各種其他高度以及間隔修整技術 皆能使用’以達到所想要的效果。 於本發明之另一實施例中，該等研磨片段的間隔能調 整而改變各月段之接觸部分的接觸壓力（如結合於該CMP 拋光墊或從該CMP拋光墊移除材料的部分片段）。通常， 片段之間彼此間隔越遠，在該片段與該CMp拋光墊之間的 接觸壓力越高，因此，在一些情況中，若於該拋光墊修整 盗基材之面上的研磨片段之較高密度，則在該拋光墊修整 器基材以及該CMP拋光墊之間能提供較理想之研磨界面。 在另一應用中，研磨片段之較小密度可能是有益的。在任 一情況中’本發明提供很大的設計彈性以獲得最佳的研磨 輪廓。 藉由將該研磨片段形成在個別單元中以具有明確的幾 何形狀，該研磨片段以非常精確的方式來排列會變得更簡 單，當該明確的幾何形狀從一片段至另一片段完全精確地 被複製，如此，各研磨片段於該應力衝擊.的位置，各研磨 片4又月b與該所述之拋光墊修整器基材的面完全一致，例如， 利用先前技術的研磨顆粒，各顆粒的整體形狀以及尺寸可 能與另一個顆粒有相當大的不同，所以很難完成精確的顆 23 1374792 粒排列。這些問題皆於本發明之優點特徵中充分地提出。 發現商-用的鑽石-拋光墊修整器通常含有釣一萬顆鑽石 顆粒，特別當一碟盤在用高溫製程（如硬焊）製作時，由於該 基材的扭曲以及該顆粒尺寸的分佈和鑽石定向該切割尖 端會處於不同的高度；當該等切割尖端接觸一研磨墊時， 只有1%的凸出鑽石能夠與該拋光墊接觸，此會增加鑽石的 應力而深入地切至該拋光墊内，且該鑽石可能會破裂而在 昂貴的晶圓上造成嚴重的刮痕。 藉由使用本發明，在顆粒之間的高度差能夠顯著地降 低。於本發明之一態樣中，該片段係設置於一具有在一保 持環上形成設置之間隔的平坦金屬（如不鏽鋼）模具上，與硬 化劑充分混和之環氧樹脂被倒入該保持環中以填滿並覆蓋 於全部的片段，於該模具上的鑽石顆粒能藉由環氧樹脂流 的滲透而被遮蓋，在硬化（有加熱或無加熱）後，移除該保持 環以及該模具，該鑽石片段因此穩固地埋設於該環氧樹脂 基質中，藉由該平坦模具對於鑽石的整平，使得最高之鑽 石顆粒的尖端高度差異最小化。 因此所形成的馬賽克碟盤能以固定之荷重壓於拋光 塾，結果測試顯示結合率能超過50〇/〇 ;換句話說，作用晶 體之數量能增加數倍，使得該碟盤的使用壽命大大的延長， 除此之外，由於能夠避免深入切割，使得該研磨墊能有更 長的使用壽命；而且，經修整的溝槽更淺且較不密集；研 磨漿的保持率以及研磨利用性皆增加；該CMP的耗材成本 (CoC)以及擁有成本（c〇〇)都能降低；經研磨的晶圓更加均 勻’而無產生刮痕，因此該晶圓的產率就能夠更高。 24 1374792 言月參看第二A圖至第五圖，其係描述本發明各種不同 .•的實施例。—在第三A至三C圖中-，係顯示一實施例，其係 •有助於說明關於CMP拋光墊（例示於圖，且係剖面圖，標 號為24)塑性變形的問題；此實施例減少在該拋光塾修整器 以及該CMP搬光墊之間的下壓力，結果，使該CMp拋光 墊留下一經調整的表面，其係比以既有方法處理後所得到 的更加平滑且平整。 在第三A至三C圖所示的修整器係包括一研磨層 • (12f)(僅有顯示部分），該研磨層包括一切割面（26)，其相對 於該CMP拋光墊之被研磨表面呈9〇度或更小的角度（如該 切割面相對移動遠離該被研磨表面一係有時作為一正向切 割角）。該研磨層（12f)的切割面（26)能被定向，以使得該拋 光墊修整器（在第三A圖所標的方向23)以及該CMP拋光 墊（24)相對移動時能使切割面將材料從CMp拋光墊移除乾 淨’以調整該CMP拋光塾。 藉由調整該切割面（26)相對於該拋光墊（24)之被研磨表 _ 面呈9G度或更小的角度’該修整方法能乾淨地自該抛光塾 到除一層拋光墊材料，在該拋光墊上所產生的表面係能安 全地用於CMP製成十，而不會破壞昂貴的矽晶圓。本發明 之拋光墊修整器甚至能用來到除該拋光墊上非常淺、薄的 材料層，而在該拋光墊上留下乾淨、平滑以及更平坦的表 面。此技術能用於移除薄層的硬化層，該硬化劑係形成在 該CMP拋光墊的表面上。 顯不於第三A及三B圖的切割面（26)係定向於相對該 CMP拋光墊被研磨表面呈大約9〇度的角度a〆第三c圖 25 1374792 的切割面（26a)係定向於相對該CMP拋光墊被研磨表面呈 -小於90度的角度α 2，·約為60度《•該切割面能定向於各種 角度，在一實施例中係定向於相對該CMP拋光墊被研磨表 面自約45度至約90度。發現縮小角度能夠在該切割元件 與該拋光墊之間產生更尖銳的切割界面。 於第 Α至三C圖的該等研磨層（i2f,
I厶丨 CIMU 能（沿著它們對應的片段基質，圖中未示）形成延伸的切割刀 片，這些刀片包括比寬度顯著更長的長度，與既有的廚房 用刀的刀片相似。於本發明之一態樣中，該刀片可用來從 CMP拋光墊上（第三A至三c圖中的24)切割、刮除（scrape) 或切刻（carve)—相對寬的長條（swath)材料。如顯示在第四 A至四B圖的範例，該研磨層（例示於12f和12f，）包括實質 上連續的切割邊緣（如第四A圖所示），或在該刀片形成二 系列的切割鋸齒（如第四B所示），例示該等切割鋸齒的形 成方法係詳細地揭露於2007年彳彳月13日提出申請之美
國專利中請案第60/987,687號，其可合併於此作為參考。、 這些顯示於圖式中的實施例包括調整過角度的切割 面’各調整過角度的切割面包括形成具有該對應角度的二 切割面。然而，在一些實施例中’應該了解能使用相對直 角（如90度）的切割面，但具有切割面形成其上的切割片^ 在附著於該基材時會形成「傾斜（ti|ted)」的情形除外；^ =話說’該切割表面不能相對於該研磨片段呈現角度 疋該研磨片段本身的角度而產生該切割表面的角度，以 :式，提供調整過角度的切割面’而無須 上（或其中）形成參考角度。 磨片奴 26 1374792 用於本發明之額外且不同的研磨片段也被考量，例如， ，·考量各種切割元件/研磨片-段.的使甩能詳細地參考於2006_ •年2月17曰提出申請之美國申請案第11/357,713號，其 係能合併於本案作為參考。 除此之外，在片段基質上之研磨層的形成能藉由各種 不同的技術來達成，包括但不限制在氣相沉積技術，其係 與概略於2006年8月29日提出申請之美國專利申請案第 1 1/51 2,755號相似’且其可合併於此作為參考。除此之外， • 該研磨片段係以陶瓷材料元件所構成（如同該片段基質和/或 研磨層任一或二者）、電鍍技術等。 如第五圖所示的實施例係提供一系列的研磨層（14g， 14g\ 14g")’各包括一定位於不同高度的切割尖端。於本 : 發明之一態樣中，在前的研磨片段（研磨層（14g)形成一部分） 通常係相對於在後的研磨層（14g’，I4g")處於較高的位 置’而該在後的研磨層於該在前的刀片通過後仍無法接觸 存留的拋光墊材料。該具有研磨層（14g，I4g，，14g")之研磨 # 片段能以各種方法形成’且具有各種形狀、尺寸以及構型， 更詳細地，如在2007年11月16曰提出申請之美國暫時 申請案第60/988,643號能夠整體合併於此作為參考。此實 施例能刻意地使用階梯狀（cascaded)的切割元件以達到所 要的切割效果。 以下實施例提供各種製造本發明之拋光墊修整器的方 法。需要了解這種實施例僅供說明，並非用以限制本發明。 實施例 27 1374792 例1 -一拋光墊修整器係藉由：首先將鑽石顆粒（如_ 50/60網 目）排列在具有一黏結層（如丙烯酸樹脂）的不鏽鋼平板模具 上（有輕微的凸面或輪廓的模具也可以使用），使用一硬橡夥 材質以將個別的鑽石顆粒壓入該黏結層中，且顆粒的尖端 藉由該平板模具而整平，接著將環氧樹脂以及硬化劑的混 合物傾倒在突出於黏結層外的顆粒上（一擋止環定向於該模 八之外側以保留該環氧樹脂），硬化後，移除該模具，且剝 除該黏結層，所留下的有機鑽石碟（0DD)包括突出於該硬 化之環氧樹脂基材外的鑽石顆粒，而該環氧樹脂的背面係 以機械加工處理，且該碟盤黏附在具有為設置在CMp拋光 機而形成之固定孔的一不鏽鋼（如型號為316的不鏽鋼）平 板0 M_2 抛光塾修整器係藉由放射狀地排列於具有鋸齒的 CD刀片上所形成，如前述例子，該pcD刀片的鋸齒係以 模具而整平，以定位於該拋光墊修整器的底部或頂部， —⑴述例子洗鵠環氧樹脂，在此情況中’該模具係於 頂部，而該刀片係稍微壓入一基材的狹長孔中，而該狹長 孔係由環氧樹脂或矽膠封住。 ^L3 饴切結合於以上所述之例]與例2的複合設計該 十〃有例1中許多切割尖端之平整性以及例2中的切割 28 1374792 效率。在命"中’藉由通常比環氧樹脂硬的纖維強化高分 子所形成之有機研磨片段，接著該有機片段放射性地排列 於-具有私"之刀片散置其中的拋光塾修整器基材，該等 刀片的切割尖端係被整平，以使其高出該有機研磨片段之 尖鳊約20微米。藉此能控制該刀片切割鋸齒的穿透深度， 而該有機切割鋸齒在修整拋光墊時係扮演次要的角色，以 有效地移除硬化層（glaze)，且使該拋光墊形成凹槽。 需要瞭解的是以上所述之排列皆僅是在描述本發明原
則的應用，許多改變及不同的排列亦可以在不脫離本發明 之精神和範圍的情況下被於本領域具通常知識者所設想出 來’而申請範圍也涵蓋上述的改變和排列。因此，儘管本 發明被特定及詳述地描述呈上述最實用和最佳實施例，於 本領域具通常知識者可在不偏離本發明的原則和觀點的情 況下做許多如尺寸、材料、形狀、樣式、功能、操作方法、 組裝和使用等變動。 【圖式簡單說明】 第一圖係本發明一實施例示範性之拋光墊修整器的俯 視不意圖。 第一 A圖係能用於第一圖之拋光墊修整器之示範性研 磨片段的放大立體示意圖。 第一 B圖係第一 A圖之研磨片段顯示一示範性研磨輪 廓的端視示意圖。 第一C圖係第一 A圖之研磨片段顯示另一示範性研磨 輪廓的端視示意圖。 第二圖係本發明一實施例另一拋光墊修整器的俯視示 29 1374792 意圖。 •第二A圖係係能用於第二圖之拋光墊修整器之研磨片 段的放大立體示意圖。 -第三A ®係具有切割面之研磨片段的側視示意圖以 顯不從部分CMP拋光墊移除材料。 f三B圖係一具有不同構型之切割面的研磨片段的側 視示意圖，以顯示從部分CMp拋光墊移除材料。 第二C圖係一具有不同構型之切割面的研磨片段的側 視示意圖，以顯示從部分CMp拋光墊移除材料。 第四A圖係本發明一實施例形成有刀片構型之研磨片 段的立體示意圖。 第四B圖係本發明一實施例形成有刀片構型之另一研 磨片段的立體示意圖。 第五圖係具有一連串排列在不同高度的研磨片段之部 分CMP拋光墊修整器的側視示意圖。 需要了解的是所附圖式僅是為進一步了解本發明而作 為描述用途，該圖式並非依照尺寸繪製或顯示，因此在尺 寸、粒徑大小以及其他態樣可能且通常是有誇飾情形，以 更清楚敘述本發明，例如，一研磨層係以一些包括複數研 磨顆粒的圖示來表示，然而，許多在此揭露之特定的實施 例並不需要包含研磨顆粒。因此，為製造本發明拋光墊修 整器，顯示於圖令之特定尺寸和態樣是會出現偏差的。 【主要元件符號說明】 ° (10) CMP拋光墊修整器 (12a) (12b) (12c) (12d) (12e)研磨片段 30 1374792 (12f) (12Γ) (12f") (14g)(14g，）（14g")研磨層 (14) (14e)-片段基質 一- (16) (16》（16e)研磨層 (18)超硬顆粒 (20) (24)拋光墊修整器 (23)方向 (26) (26a)切割面 31

Claims (1)

1374792 七、申請專利範圍：
1. 一種CM P拋光墊修整器，包括複數研磨片段，各研 磨片段具有一片段基質以及一附著於該片段基質的研磨 層，該研磨層包括超硬研磨材料，其係為多晶鑽石（PCD)刀 片及獨立的研磨顆粒：另外也提供一拋光墊修整器基材，且 各研磨片段能永久地以一方向附著在該拋光墊修整器基 材’以使得在該拋光墊修整器與該CMP拋光墊相對移動 時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光墊移除。 2. 如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中‘ 至少部份之研磨片段係以放射狀分布於該拋光墊修整器基 材的面上。 3·如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中 該等複數研磨片段中的至少二研磨片段係至少在幾何構 型、研磨層材料以及研磨輪廓之其中一項不同。 4. 如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器其中 該等研磨片段在該拋光墊修整器基材之面上的排列係實質 上於各研磨片段均勻分布拖曳力（dug krce)。 5. 如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中 各複數研磨片段的縱轴係與該拋光塾修整器基材的半 —直線。 上 b.如申請專利範圍第1項 各研磨層包括一磨蝕二，具中 者蝕表面或點，其中至少一磨蝕表面或點係 刁於比鄰接的研磨層之磨蝕表面或點較高的位置。 申叫專利範圍第1項所述之拋光塾修整器，兑中 έ玄等研磨屏位拉‘ ' 曰蜡—有機材料而附著於該片段基質，該有機材 32 1374792 料層包括一個或多個選自於由下列物質所組成之群組：胺基 樹脂、丙烯酸酯樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、 聚亞醒胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、酚醛/乳膠樹脂、 環氧樹脂、異氣酸酯樹脂、異氰尿酸酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、 反應型乙烯基樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚笨乙烯樹 脂、苯氧樹脂、二萘嵌笨樹脂、聚碾樹脂、丙烯腈·丁二烯_ 笨乙烯共聚物、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂及其混合物。 8. 如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中 該等研磨層係藉由硬焊合金而附著於該等片段基質。 9. 如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中 各研磨層包括一切割面，且其中各切割面係相對於該CMP 拋光墊之被研磨表面呈90度或更小的角度。 10. —種CMP拋光墊修整器，其包括複數研磨片段， 各研磨片段包括一片段基質、一有機黏著層以及藉由該有機 黏著層附著在片段基質的一研磨層，該研磨層具有一超硬研 磨材料’其係為多晶鑽石（PCD)刀片及獨立的研磨顆粒；另 外也提供一拋光墊修整器基材，且各研磨片段能永久地以一 方向附著在該拋光墊修整器基材，以使得在該拋光墊修整器 與該CMP拋光墊相對移動時，能夠藉由該研磨層將材料自 CMP拋光墊移除。 11. 如申諳專利範圍第1〇項所述之拋光墊修整器，其 中至少部份之研磨片段係以放射狀約分布於該拋光墊修整 1§基材的面上。 12. 如申請專利範圍第1〇項所述之拋光墊修整器，其 中該等複數研磨片段中的至少二研磨片段係至少在幾何構 3， 1374792 型'研磨層材料以及研磨輪廓之其中一項不同。 13.如申請專利範圍第1〇項所述之拋光墊修整器，其 令該等研磨片段在該拋光墊修整器基材之面上的排列係實 質上於各研磨片段均勻分布拖戈力（drag f〇rce)。 14·如申請專利範圍第1〇項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨片段的縱轴係與該拋光墊修整器基材的半徑成一 直線。 15. 如申請專利範圍第1〇項所述之拋光墊修整器，其 t各研磨層包括一磨蝕表面或點，其中至少一磨蝕表面或點 係朝向於比鄰接的研磨層之磨蝕表面或點較高的位置。 16. —種CMP拋光墊修整器，其包括複數研磨片段， 各研磨片段包括一片段基質以及藉由硬焊合金附著於片段 基質的一研磨層’該研磨層包括一超硬研磨材料，其係為多 晶鑽石（PCD)刀片及獨立的研磨顆粒；另外也提供一該拋光 塾修整器基材，且各研磨片段能永久地以一方向附著在拋光 塾修整器基材，以使得在該拋光墊修整器與該CMP拋光塾 相對移動時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光墊移除。 17. 如申請專利範圍第16項所述之拋光墊修整器，其 中至少部份之研磨片段係以放射狀約分布於該拋光墊修整 益基材的面上。 18·如申請專利範圍第16項所述之拋光墊修整器，其 中該等複數研磨片段中的至少二研磨片段係至少在幾何構 型、研磨層材料以及研磨輪廓之其中一項不同。 19.如申請專利範圍第16項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨片段在該拋光墊修整器基材之面上的排列係實 34 1374792 質上於各研磨片段均勻分布拖曳力（drag force)。 20.如申諳專利範圍第16項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨片段的縱軸係與該抛光塾修整器基材的半經成一 直線》 21. 如申諳專利範圍第16項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨層包括一磨蝕表面或點，其中至少一磨蝕表面或點 係朝向於比鄰接的研磨層之磨蝕表面或點較高的位置。 22. —種CM P拋光墊修整器，其包括複數研磨片段， 各研磨片段包括一片段基質以及附著务片段基質的一研磨 層，該研磨層包括一超硬研磨刀片，其係為多晶鑽石（PCD) 刀片及獨立的研磨顆粒；另外也提供一該拋光墊修整器基 材’且各研磨片段能永久地以一方向附著在拋光墊修整器基 材’以使得在該拋光墊修整器與該CMP拋光墊相對移動 時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光墊移除。 23. 如申請專利範圍第22項所述之拋光墊修整器，其 中至少部份之研磨片段係以放射狀約分布於該拋光墊修整 器基材的面上。 24·如申請專利範圍第22項所述之拋光墊修整器，其 中該等複數研磨片段中的至少二研磨片段係至少在幾何構 型、研磨層材枓以及研磨輪廓之其中一項不同。 2 5·如申請專利範圍第22項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨片段在該拋光墊修整器基材之面上的排列係實 質上於各研磨片段均勻分布拖曳力（drag f〇rce)。 26.如申請專利範圍第22項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨片段的縱軸係與該拋光墊修整器基材的半徑成一 35 1374792 直線。 27·如申請專利範圍第22項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨層包括一磨蝕表面或點，其中至少一磨蝕表面或點 係朝向於比鄰接的研磨層之磨蝕表面或點較高的位置。 28. —種CMP拋光墊修整器，其包括複數研磨片段， 各研磨片段包括一片段基質以及附著於片段基質的一研磨 層，該研磨層係為多晶鑽石（PCD)刀片及獨立的研磨顆粒， 且該研磨層包括一切割面，其在實施於該CMP拋光墊時， 相對於一研磨表面具有90度或更小的角度；另外也提供一 該拋光墊修整器基材’且各研磨片段能永久地以一方向附著 在拋光墊修整器基材’以使得在該拋光墊修整器與該CMP 拋光塾相對移動時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光 墊移除。 29. 如申請專利範圍第28項所述之拋光墊修整器，其 中至少部份之研磨片段係以放射狀約分布於該拋光墊修整 器基材的面上。 30. 如申請專利範圍第28項所述之拋光墊修整器，盆 中該等複數研磨片段中的至少二研磨片段係至少在幾何構 型、研磨層材料以及研磨輪廓之其中一項不同。 31. 如申請專利範圍第28項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨片段在該拋光墊修整器基材之面上的排列係實 質上於各研磨片段均勻分布拖曳力（drag 。 32·如申請專利範圍第28項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨片段的縱軸係與該拋光墊修整器基材的半徑成_ 直線。 36 1374792 33. 如申請專利範圍第28項所述之拋光墊修整器，其 中各研磨層包括一磨蝕表面或點，其中至少一磨蝕表面或點 係朝向於比鄰接的研磨層之磨蝕表面或點較高的位置。 34. —種形成CMP拋光墊修整器的方法，其包括：獲 得至少一研磨片段’該研磨片段包括：一片段基質以及附 著於該片段基質的一研磨層，該研磨層包括一超硬研磨材 料’其係為多晶鑽石（PCD)刀片及獨立的研磨顆粒，該方法 包括在一抱光塾修整器基材之面上定位至少一研磨片段於 特定方向’以使得在該拋光墊修整器與該CMP拋光墊相對 移動時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光墊移除；以 及永久地該至少一研磨片段固定於該拋光墊修整器基材。 35· —種CMP拋光墊修整器，包括複數研磨片段，各 研磨片段具有一片段基質以及一附著於該片段基質的研磨 層’該研磨層包括超硬研磨材料，其係為獨立的研磨顆粒， 且其尖端間隔係為3至1〇倍研磨顆粒大小；另外也提供一 拋光整修整器基材’且各研磨片段能永久地以一方向附著在 該拋光塾修整器基材，以使得在該拋光墊修整器與該CMP 抛光塾相對移動時’能夠藉由該研磨層將材料自CMP拋光 墊移除。 36_如申猜專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中至少部份之研磨片段係以放射狀分布於該拋光墊修整器 基材的面上。 37·如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中該等複數研磨片段中的至少二研磨，t；段係至少在幾何構 37 1374792 型、研磨層材枓以及研磨輪廓之其中一項不同c 38. 如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨片段在該拋光墊修整器基材之面上的排列係實 質上於各研磨段均勻分布拖良力（drag force)。 39. 如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中各複數研磨片段的縱轴係與該拋光墊修整器基材的半徑 成一直線。 40. 如申諳專利範圍第35項所述之拋光墊修整器、其 中各研磨層包括一磨蝕表面或點，其中至少一磨蝕表面或點 係朝向於比鄰接的研磨層之磨蝕表面或點較高的位置。 41·如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨層係藉一有機材料而附著於該片段基質，該有機 材料層包括一個或多個選自於由下列物質所組成之群組：胺 基樹脂、丙烯酸酯樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、 聚亞酿胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、酚醛/乳膠樹脂、 環氧樹脂、異氰酸酯樹脂、異氰尿酸酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、 反應型乙烯基樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚笨乙烯樹 脂、笨氧樹脂、二萘嵌笨樹脂 '聚砜樹脂、丙烯腈-丁二烯_ 苯乙烯共聚物、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂及其混合物。 42. 如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨層係藉由硬焊合金而附著於該等片段基質。 43. 如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中該等研磨層更包括多晶鑽石（PCD)刀片。 44. 如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 中該研磨片段係包括—千顆研磨顆粒。 38 1374792 45.如申請專利範圍第35項所述之拋光墊修整器，其 ' 中各研磨層包括一切割面，且其中各切割面係相對於該CMP - 拋光墊之被研磨表面呈90度或更小的角度。 八、圖式：（如次頁) 39 1374792 Η年夕月修(篆)正本
第一 A圖 1374792 18
16 第一 B圖
第一 C圖 1374792
1374792
23
1374792
第四A圖
第四B圖 1374792 相對移動方向
第五圓
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10456886B2 (en) 2016-01-19 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Porous chemical mechanical polishing pads
US10537974B2 (en) 2014-10-17 2020-01-21 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11446788B2 (en) 2014-10-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Precursor formulations for polishing pads produced by an additive manufacturing process

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US20070060026A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
US8622787B2 (en) * 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US20140120724A1 (en) * 2005-05-16 2014-05-01 Chien-Min Sung Composite conditioner and associated methods
US8678878B2 (en) 2009-09-29 2014-03-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US8393934B2 (en) * 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
TWI388402B (en) * 2007-12-06 2013-03-11 Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
JP5255860B2 (ja) * 2008-02-20 2013-08-07 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
JP5396616B2 (ja) * 2008-10-29 2014-01-22 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シーズニングプレート、半導体研磨装置、研磨パッドのシーズニング方法
CN101823242B (zh) * 2010-04-29 2012-06-06 沈阳理工大学 基于葵花籽粒分布结构的仿生抛光垫及制造方法
US8777699B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Ritedia Corporation Superabrasive tools having substantially leveled particle tips and associated methods
TWI487019B (en) 2011-05-23 2015-06-01 Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods
KR101339722B1 (ko) * 2011-07-18 2013-12-10 이화다이아몬드공업 주식회사 Ｃｍｐ 패드 컨디셔너
SG11201500802TA (en) 2012-08-02 2015-04-29 3M Innovative Properties Co Abrasive articles with precisely shaped features and method of making thereof
WO2014022453A1 (en) 2012-08-02 2014-02-06 3M Innovative Properties Company Abrasive element precursor with precisely shaped features and method of making thereof
TWI511841B (zh) * 2013-03-15 2015-12-11 Kinik Co 貼合式化學機械硏磨修整器及其製法
TWI564116B (zh) * 2013-08-12 2017-01-01 Sapphire polishing pad dresser with multiple trimmed pellets
TW201538276A (zh) * 2014-04-08 2015-10-16 Kinik Co 非等高度之化學機械研磨修整器
TW201538275A (zh) * 2014-04-08 2015-10-16 Kinik Co 平坦化之化學機械研磨修整器
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
JP6940495B2 (ja) 2015-10-30 2021-09-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 所望のゼータ電位を有する研磨用物品を形成するための装置及び方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
TWI619578B (zh) * 2016-08-03 2018-04-01 詠巨科技有限公司 拋光墊修整裝置
JP2018032745A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東芝メモリ株式会社 ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法
US10471567B2 (en) * 2016-09-15 2019-11-12 Entegris, Inc. CMP pad conditioning assembly
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
JP6991043B2 (ja) * 2017-11-22 2022-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置台
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
JP2024535447A (ja) * 2021-09-29 2024-09-30 インテグリス・インコーポレーテッド 両面パッドコンディショナー

Family Cites Families (303)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE20660E (en) 1938-02-22 Method of coaxing and apparatus
US187593A (en) 1877-02-20 Improvement in emery grinding-wheels
US2027307A (en) 1928-07-30 1936-01-07 Behr Manning Corp Method of coating and apparatus therefor and product
US2027087A (en) 1928-10-03 1936-01-07 Behr Manning Corp Abrasive sheet and process of making the same
US2318570A (en) 1930-01-20 1943-05-04 Minnesota Mining & Mfg Manufacture of abrasives
US1854071A (en) 1930-07-14 1932-04-12 Behr Manning Corp Method of manufacturing abrasives
US1988065A (en) 1931-09-26 1935-01-15 Carborundum Co Manufacture of open-spaced abrasive fabrics
US2187624A (en) 1932-10-10 1940-01-16 Carborundum Co Apparatus for the manufacture of coated webs
US2035521A (en) 1932-10-26 1936-03-31 Carborundum Co Granular coated web and method of making same
US2194253A (en) 1932-10-27 1940-03-19 Carborundum Co Coating apparatus
US2184348A (en) 1932-10-27 1939-12-26 Carborundum Co Coating apparatus
US2281558A (en) 1933-03-06 1942-05-05 Minnesota Mining & Mfg Manufacture of abrasive articles and apparatus therefor
US2078354A (en) 1935-04-25 1937-04-27 Norton Co Abrasive article
US2033991A (en) 1935-07-09 1936-03-17 Carborundum Co Coating apparatus
US2268663A (en) 1939-09-19 1942-01-06 J K Smit & Sons Inc Abrasive tool
US2334572A (en) 1941-12-29 1943-11-16 Carborundum Co Manufacture of abrasive materials
US2612348A (en) 1949-09-14 1952-09-30 Wheel Trueing Tool Co Diamond set core bit
US2652951A (en) 1951-03-13 1953-09-22 Esposito Augustus Salt and pepper shaker
US2952951A (en) 1952-07-28 1960-09-20 Simpson Harry Arthur Abrasive or like materials and articles
US2876086A (en) 1954-06-21 1959-03-03 Minnesota Mining & Mfg Abrasive structures and method of making
US2725693A (en) 1954-12-15 1955-12-06 Smith Joseph Leigh Abrasive roll and method of making
US2867086A (en) 1954-12-20 1959-01-06 Emmett L Haley Portable pressure fluid power devices
LU37663A1 (zh) 1955-08-29
US2811960A (en) 1957-02-26 1957-11-05 Fessel Paul Abrasive cutting body
US3067551A (en) 1958-09-22 1962-12-11 Bethlehem Steel Corp Grinding method
US3127715A (en) 1960-04-27 1964-04-07 Christensen Diamond Prod Co Diamond cutting devices
US3146560A (en) 1960-06-14 1964-09-01 Rexall Drug Chemical Abrasive products
US3121981A (en) 1960-09-23 1964-02-25 Rexall Drug Chemical Abrasive wheels and method of making the same
ES272672A1 (es) 1961-12-04 1962-05-01 The Osborn Manufacturing Company Mejoras en ruedas pulimentadoras
US3276852A (en) 1962-11-20 1966-10-04 Jerome H Lemelson Filament-reinforced composite abrasive articles
US3293012A (en) 1962-11-27 1966-12-20 Exxon Production Research Co Process of infiltrating diamond particles with metallic binders
DE1502642A1 (de) 1963-05-13 1969-06-04 Naradi Narodni Podnik Diamantformwerkzeug
US3372010A (en) 1965-06-23 1968-03-05 Wall Colmonoy Corp Diamond abrasive matrix
US3416560A (en) 1965-08-23 1968-12-17 Bruno Peter Fluid leak monitoring apparatus
GB1209139A (en) 1968-06-19 1970-10-21 Ind Distributors 1946 Ltd Abrasive article manufacture
US3608134A (en) 1969-02-10 1971-09-28 Norton Co Molding apparatus for orienting elongated particles
JPS4823595B1 (zh) 1969-06-17 1973-07-14
US3630699A (en) 1969-09-02 1971-12-28 Remington Arms Co Inc Method for producing armored saber saws
US3852078A (en) 1970-12-24 1974-12-03 M Wakatsuki Mass of polycrystalline cubic system boron nitride and composites of polycrystalline cubic system boron nitride and other hard materials, and processes for manufacturing the same
ZA713105B (en) 1971-05-12 1972-09-27 De Beers Ind Diamond Diamond and the like grinding wheels
US3767371A (en) 1971-07-01 1973-10-23 Gen Electric Cubic boron nitride/sintered carbide abrasive bodies
US3743489A (en) 1971-07-01 1973-07-03 Gen Electric Abrasive bodies of finely-divided cubic boron nitride crystals
US3894673A (en) 1971-11-04 1975-07-15 Abrasive Tech Inc Method of manufacturing diamond abrasive tools
US4018576A (en) 1971-11-04 1977-04-19 Abrasive Technology, Inc. Diamond abrasive tool
US3819814A (en) 1972-11-01 1974-06-25 Megadiamond Corp Plural molded diamond articles and their manufacture from diamond powders under high temperature and pressure
US3982358A (en) 1973-10-09 1976-09-28 Heijiro Fukuda Laminated resinoid wheels, method for continuously producing same and apparatus for use in the method
US4079552A (en) 1974-11-06 1978-03-21 Fletcher J Lawrence Diamond bonding process
US4287168A (en) 1975-01-27 1981-09-01 General Electric Company Apparatus and method for isolation of diamond seeds for growing diamonds
US4273561A (en) 1975-08-27 1981-06-16 Fernandez Moran Villalobos Hum Ultrasharp polycrystalline diamond edges, points, and improved diamond composites, and methods of making and irradiating same
US4211924A (en) 1976-09-03 1980-07-08 Siemens Aktiengesellschaft Transmission-type scanning charged-particle beam microscope
US4078906A (en) 1976-09-29 1978-03-14 Elgin Diamond Products Co., Inc. Method for making an abrading tool with discontinuous diamond abrading surfaces
US4188194A (en) 1976-10-29 1980-02-12 General Electric Company Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride
GB1591491A (en) 1977-01-18 1981-06-24 Daichiku Co Ltd Laminated rotary grinder and method of fabrication
ZA771270B (en) 1977-03-03 1978-07-26 De Beers Ind Diamond Abrasive bodies
US4228214A (en) 1978-03-01 1980-10-14 Gte Products Corporation Flexible bilayered sheet, one layer of which contains abrasive particles in a volatilizable organic binder and the other layer of which contains alloy particles in a volatilizable binder, method for producing same and coating produced by heating same
US4224380A (en) 1978-03-28 1980-09-23 General Electric Company Temperature resistant abrasive compact and method for making same
US4211294A (en) 1978-04-21 1980-07-08 Acker Drill Company, Inc. Impregnated diamond drill bit
US4149881A (en) 1978-06-28 1979-04-17 Western Gold And Platinum Company Nickel palladium base brazing alloy
US4182628A (en) 1978-07-03 1980-01-08 GTE Sylvania Products, Inc. Partially amorphous silver-copper-indium brazing foil
US4201601A (en) 1978-07-19 1980-05-06 Gte Sylvania Incorporated Copper brazing alloy foils containing germanium
IE48798B1 (en) 1978-08-18 1985-05-15 De Beers Ind Diamond Method of making tool inserts,wire-drawing die blank and drill bit comprising such inserts
US4289503A (en) 1979-06-11 1981-09-15 General Electric Company Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst
US4355489A (en) 1980-09-15 1982-10-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article comprising abrasive agglomerates supported in a fibrous matrix
US4525179A (en) 1981-07-27 1985-06-25 General Electric Company Process for making diamond and cubic boron nitride compacts
US4712552A (en) 1982-03-10 1987-12-15 William W. Haefliger Cushioned abrasive composite
US4544540A (en) 1982-06-25 1985-10-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond single crystals, a process of manufacturing and tools for using same
US4629373A (en) 1983-06-22 1986-12-16 Megadiamond Industries, Inc. Polycrystalline diamond body with enhanced surface irregularities
US4617181A (en) 1983-07-01 1986-10-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Synthetic diamond heat sink
US4776861A (en) 1983-08-29 1988-10-11 General Electric Company Polycrystalline abrasive grit
US4828582A (en) 1983-08-29 1989-05-09 General Electric Company Polycrystalline abrasive grit
US4780274A (en) 1983-12-03 1988-10-25 Reed Tool Company, Ltd. Manufacture of rotary drill bits
US4565034A (en) 1984-01-03 1986-01-21 Disco Abrasive Systems, Ltd. Grinding and/or cutting endless belt
US4610699A (en) 1984-01-18 1986-09-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hard diamond sintered body and the method for producing the same
US4632817A (en) 1984-04-04 1986-12-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of synthesizing diamond
US4551195A (en) 1984-09-25 1985-11-05 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method for growing boron nitride crystals of cubic system
US4547257A (en) 1984-09-25 1985-10-15 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method for growing diamond crystals
GB8508621D0 (en) 1985-04-02 1985-05-09 Nl Petroleum Prod Rotary drill bits
US4797241A (en) 1985-05-20 1989-01-10 Sii Megadiamond Method for producing multiple polycrystalline bodies
JPS6287407A (ja) 1985-10-12 1987-04-21 Res Dev Corp Of Japan フイルム状グラフアイト層間化合物及びその製造方法
DE3545308A1 (de) 1985-12-20 1987-06-25 Feldmuehle Ag Schleifscheibe mit daempfung
US4949511A (en) 1986-02-10 1990-08-21 Toshiba Tungaloy Co., Ltd. Super abrasive grinding tool element and grinding tool
US4662896A (en) 1986-02-19 1987-05-05 Strata Bit Corporation Method of making an abrasive cutting element
US4680199A (en) 1986-03-21 1987-07-14 United Technologies Corporation Method for depositing a layer of abrasive material on a substrate
CA1305324C (en) 1986-04-17 1992-07-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wire incrusted with abrasive grain and method for producing the same
US4943488A (en) 1986-10-20 1990-07-24 Norton Company Low pressure bonding of PCD bodies and method for drill bits and the like
US5030276A (en) 1986-10-20 1991-07-09 Norton Company Low pressure bonding of PCD bodies and method
US5116568A (en) 1986-10-20 1992-05-26 Norton Company Method for low pressure bonding of PCD bodies
EP0264674B1 (en) 1986-10-20 1995-09-06 Baker Hughes Incorporated Low pressure bonding of PCD bodies and method
AU1215788A (en) 1987-02-27 1988-09-01 Diabrasive International Ltd. Flexible abrasives
US5195404A (en) 1987-06-18 1993-03-23 Notter Theo A Drill bit with cutting insert
US4770907A (en) 1987-10-17 1988-09-13 Fuji Paudal Kabushiki Kaisha Method for forming metal-coated abrasive grain granules
US5022895A (en) 1988-02-14 1991-06-11 Wiand Ronald C Multilayer abrading tool and process
US4908046A (en) 1989-02-14 1990-03-13 Wiand Ronald C Multilayer abrading tool and process
CA1298980C (en) 1988-02-26 1992-04-21 Clyde D. Calhoun Abrasive sheeting having individually positioned abrasive granules
US5273730A (en) 1988-03-08 1993-12-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of synthesizing diamond
US5151107A (en) 1988-07-29 1992-09-29 Norton Company Cemented and cemented/sintered superabrasive polycrystalline bodies and methods of manufacture thereof
US4916869A (en) 1988-08-01 1990-04-17 L. R. Oliver & Company, Inc. Bonded abrasive grit structure
US4849602A (en) 1988-08-12 1989-07-18 Iscar Ltd. Method for fabricating cutting pieces
AU605995B2 (en) 1988-08-31 1991-01-24 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited Manufacture of abrasive products
US4883500A (en) 1988-10-25 1989-11-28 General Electric Company Sawblade segments utilizing polycrystalline diamond grit
US5024680A (en) 1988-11-07 1991-06-18 Norton Company Multiple metal coated superabrasive grit and methods for their manufacture
US5043120A (en) 1988-11-10 1991-08-27 The General Electric Company Process for preparing polycrystalline CBN ceramic masses
US4923490A (en) 1988-12-16 1990-05-08 General Electric Company Novel grinding wheels utilizing polycrystalline diamond or cubic boron nitride grit
US4925457B1 (en) 1989-01-30 1995-09-26 Ultimate Abrasive Syst Inc Method for making an abrasive tool
US5190568B1 (en) 1989-01-30 1996-03-12 Ultimate Abrasive Syst Inc Abrasive tool with contoured surface
US5049165B1 (en) 1989-01-30 1995-09-26 Ultimate Abrasive Syst Inc Composite material
US4945686A (en) 1989-02-14 1990-08-07 Wiand Ronald C Multilayer abrading tool having an irregular abrading surface and process
US5133782A (en) 1989-02-14 1992-07-28 Wiand Ronald C Multilayer abrading tool having an irregular abrading surface and process
US4954139A (en) 1989-03-31 1990-09-04 The General Electric Company Method for producing polycrystalline compact tool blanks with flat carbide support/diamond or CBN interfaces
US5011513A (en) 1989-05-31 1991-04-30 Norton Company Single step, radiation curable ophthalmic fining pad
US4968326A (en) 1989-10-10 1990-11-06 Wiand Ronald C Method of brazing of diamond to substrate
AU634601B2 (en) 1989-12-11 1993-02-25 General Electric Company Single-crystal diamond of very high thermal conductivity
US5000273A (en) 1990-01-05 1991-03-19 Norton Company Low melting point copper-manganese-zinc alloy for infiltration binder in matrix body rock drill bits
US5131924A (en) 1990-02-02 1992-07-21 Wiand Ronald C Abrasive sheet and method
US5203881A (en) 1990-02-02 1993-04-20 Wiand Ronald C Abrasive sheet and method
US5164247A (en) 1990-02-06 1992-11-17 The Pullman Company Wear resistance in a hardfaced substrate
GB9006703D0 (en) 1990-03-26 1990-05-23 De Beers Ind Diamond Abrasive product
JP2940099B2 (ja) 1990-08-09 1999-08-25 住友電気工業株式会社 高熱伝導性ダイヤモンド単結晶の合成方法
AU644213B2 (en) 1990-09-26 1993-12-02 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited Composite diamond abrasive compact
CA2054050C (en) 1990-11-16 1998-07-07 Louis K. Bigelow Method and apparatus for making grit and abrasive media
AU647549B2 (en) 1990-11-26 1994-03-24 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited Cutting insert for a rotary cutting tool
US5197249A (en) 1991-02-07 1993-03-30 Wiand Ronald C Diamond tool with non-abrasive segments
GB9104366D0 (en) 1991-03-01 1991-04-17 De Beers Ind Diamond Composite cutting insert
CA2065581C (en) 1991-04-22 2002-03-12 Andal Corp. Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition
US5380390B1 (en) 1991-06-10 1996-10-01 Ultimate Abras Systems Inc Patterned abrasive material and method
AU647941B2 (en) 1991-07-12 1994-03-31 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited Diamond synthesis
JP2546558B2 (ja) 1991-07-22 1996-10-23 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド砥粒の合成方法
US5492774A (en) 1991-07-23 1996-02-20 Sony Corporation Perpendicular magnetic recording medium and process for production of the same
US5247765A (en) 1991-07-23 1993-09-28 Abrasive Technology Europe, S.A. Abrasive product comprising a plurality of discrete composite abrasive pellets in a resilient resin matrix
US5194071A (en) 1991-07-25 1993-03-16 General Electric Company Inc. Cubic boron nitride abrasive and process for preparing same
US5266236A (en) 1991-10-09 1993-11-30 General Electric Company Thermally stable dense electrically conductive diamond compacts
US5295402A (en) 1991-10-15 1994-03-22 General Electric Company Method for achieving high pressure using isotopically-pure diamond anvils
US5246884A (en) 1991-10-30 1993-09-21 International Business Machines Corporation Cvd diamond or diamond-like carbon for chemical-mechanical polish etch stop
US5437754A (en) 1992-01-13 1995-08-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article having precise lateral spacing between abrasive composite members
US5176155A (en) 1992-03-03 1993-01-05 Rudolph Jr James M Method and device for filing nails
US5314513A (en) 1992-03-03 1994-05-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive product having a binder comprising a maleimide binder
JPH0639729A (ja) 1992-05-29 1994-02-15 Canon Inc 精研削砥石およびその製造方法
US5443032A (en) 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
US5243790A (en) 1992-06-25 1993-09-14 Abrasifs Vega, Inc. Abrasive member
US5264011A (en) 1992-09-08 1993-11-23 General Motors Corporation Abrasive blade tips for cast single crystal gas turbine blades
US5271547A (en) 1992-09-15 1993-12-21 Tunco Manufacturing, Inc. Method for brazing tungsten carbide particles and diamond crystals to a substrate and products made therefrom
US5985228A (en) 1992-12-22 1999-11-16 General Electric Company Method for controlling the particle size distribution in the production of multicrystalline cubic boron nitride
CA2115889A1 (en) 1993-03-18 1994-09-19 David E. Broberg Coated abrasive article having diluent particles and shaped abrasive particles
US5674572A (en) 1993-05-21 1997-10-07 Trustees Of Boston University Enhanced adherence of diamond coatings employing pretreatment process
GB9310500D0 (en) 1993-05-21 1993-07-07 De Beers Ind Diamond Cutting tool
US5681612A (en) 1993-06-17 1997-10-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasives and methods of preparation
JPH08511733A (ja) 1993-06-17 1996-12-10 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー パターン化された研磨用製品並びに製法及び使用法
WO1995006544A1 (en) 1993-09-01 1995-03-09 Speedfam Corporation Backing pad for machining operations
KR100269924B1 (ko) 1993-10-08 2000-11-01 하지메 히토추야나기 합성 다이아몬와 그 제조방법
US5453106A (en) 1993-10-27 1995-09-26 Roberts; Ellis E. Oriented particles in hard surfaces
US5486131A (en) 1994-01-04 1996-01-23 Speedfam Corporation Device for conditioning polishing pads
US5454343A (en) 1994-01-18 1995-10-03 Korea Institute Of Science And Technology Method for production of diamond particles
US5547417A (en) 1994-03-21 1996-08-20 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad
ZA9410384B (en) 1994-04-08 1996-02-01 Ultimate Abrasive Syst Inc Method for making powder preform and abrasive articles made therefrom
US5518443A (en) 1994-05-13 1996-05-21 Norton Company Superabrasive tool
US5536202A (en) 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish
US5500248A (en) 1994-08-04 1996-03-19 General Electric Company Fabrication of air brazable diamond tool
US5551959A (en) 1994-08-24 1996-09-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same
US5492771A (en) 1994-09-07 1996-02-20 Abrasive Technology, Inc. Method of making monolayer abrasive tools
WO1996010471A1 (en) 1994-09-30 1996-04-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive article, method for preparing the same, and method of using
DE69433791T2 (de) 1994-11-18 2005-06-09 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Diamant-Sinterkörper, Hochdruckphasen-Bornitrid-Sinterkörper sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sinterkörper
US5527424A (en) 1995-01-30 1996-06-18 Motorola, Inc. Preconditioner for a polishing pad and method for using the same
JPH08337498A (ja) 1995-04-13 1996-12-24 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド粒子、ダイヤモンド合成用粒子及び圧密体並びにそれらの製造方法
US5801073A (en) 1995-05-25 1998-09-01 Charles Stark Draper Laboratory Net-shape ceramic processing for electronic devices and packages
US5816891A (en) 1995-06-06 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Performing chemical mechanical polishing of oxides and metals using sequential removal on multiple polish platens to increase equipment throughput
JP3260764B2 (ja) 1995-06-07 2002-02-25 サン‐ゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド 模様状の切削表面を有する切削工具
US6478831B2 (en) 1995-06-07 2002-11-12 Ultimate Abrasive Systems, L.L.C. Abrasive surface and article and methods for making them
US5560754A (en) 1995-06-13 1996-10-01 General Electric Company Reduction of stresses in the polycrystalline abrasive layer of a composite compact with in situ bonded carbide/carbide support
US5609286A (en) 1995-08-28 1997-03-11 Anthon; Royce A. Brazing rod for depositing diamond coating metal substrate using gas or electric brazing techniques
US5660894A (en) 1995-10-16 1997-08-26 National Science Council Process for depositing diamond by chemical vapor deposition
DE69629651T2 (de) 1995-12-21 2004-02-26 Element Six (Pty) Ltd. Diamantsynthese
US5725421A (en) 1996-02-27 1998-03-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus for rotative abrading applications
JP3111892B2 (ja) 1996-03-19 2000-11-27 ヤマハ株式会社 研磨装置
JPH106218A (ja) 1996-06-27 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ドレッシング用研磨材製品
US6371838B1 (en) * 1996-07-15 2002-04-16 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad conditioning device with cutting elements
US6544599B1 (en) 1996-07-31 2003-04-08 Univ Arkansas Process and apparatus for applying charged particles to a substrate, process for forming a layer on a substrate, products made therefrom
US5833519A (en) 1996-08-06 1998-11-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical polishing
US5851138A (en) 1996-08-15 1998-12-22 Texas Instruments Incorporated Polishing pad conditioning system and method
US5776214A (en) 1996-09-18 1998-07-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for making abrasive grain and abrasive articles
US5779743A (en) 1996-09-18 1998-07-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for making abrasive grain and abrasive articles
US6206942B1 (en) 1997-01-09 2001-03-27 Minnesota Mining & Manufacturing Company Method for making abrasive grain using impregnation, and abrasive articles
AU4472997A (en) 1996-10-15 1998-05-11 Nippon Steel Corporation Semiconductor substrate polishing pad dresser, method of manufacturing the same, and chemicomechanical polishing method using the same dresser
US5976205A (en) 1996-12-02 1999-11-02 Norton Company Abrasive tool
US5746931A (en) 1996-12-05 1998-05-05 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical polishing of diamond
GB9626221D0 (en) 1996-12-18 1997-02-05 Smiths Industries Plc Diamond surfaces
US5916011A (en) 1996-12-26 1999-06-29 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor device substrate
US5855314A (en) 1997-03-07 1999-01-05 Norton Company Abrasive tool containing coated superabrasive grain
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US6286498B1 (en) 1997-04-04 2001-09-11 Chien-Min Sung Metal bond diamond tools that contain uniform or patterned distribution of diamond grits and method of manufacture thereof
US7323049B2 (en) 1997-04-04 2008-01-29 Chien-Min Sung High pressure superabrasive particle synthesis
US6679243B2 (en) 1997-04-04 2004-01-20 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making
TW394723B (en) 1997-04-04 2000-06-21 Sung Chien Min Abrasive tools with patterned grit distribution and method of manufacture
US7404857B2 (en) 1997-04-04 2008-07-29 Chien-Min Sung Superabrasive particle synthesis with controlled placement of crystalline seeds
US6039641A (en) 1997-04-04 2000-03-21 Sung; Chien-Min Brazed diamond tools by infiltration
US7124753B2 (en) 1997-04-04 2006-10-24 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US6884155B2 (en) 1999-11-22 2005-04-26 Kinik Diamond grid CMP pad dresser
US6368198B1 (en) 1999-11-22 2002-04-09 Kinik Company Diamond grid CMP pad dresser
US7491116B2 (en) 2004-09-29 2009-02-17 Chien-Min Sung CMP pad dresser with oriented particles and associated methods
US7368013B2 (en) 1997-04-04 2008-05-06 Chien-Min Sung Superabrasive particle synthesis with controlled placement of crystalline seeds
WO1998046343A1 (en) 1997-04-17 1998-10-22 De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited Diamond growth
US5976001A (en) 1997-04-24 1999-11-02 Diamond Machining Technology, Inc. Interrupted cut abrasive tool
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
JP3244454B2 (ja) 1997-06-05 2002-01-07 理化学研究所 切削研削両用工具
US5961373A (en) 1997-06-16 1999-10-05 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US5919084A (en) 1997-06-25 1999-07-06 Diamond Machining Technology, Inc. Two-sided abrasive tool and method of assembling same
US5885137A (en) 1997-06-27 1999-03-23 Siemens Aktiengesellschaft Chemical mechanical polishing pad conditioner
US5921856A (en) 1997-07-10 1999-07-13 Sp3, Inc. CVD diamond coated substrate for polishing pad conditioning head and method for making same
US6054183A (en) 1997-07-10 2000-04-25 Zimmer; Jerry W. Method for making CVD diamond coated substrate for polishing pad conditioning head
US6024824A (en) 1997-07-17 2000-02-15 3M Innovative Properties Company Method of making articles in sheet form, particularly abrasive articles
US6093280A (en) 1997-08-18 2000-07-25 Lsi Logic Corporation Chemical-mechanical polishing pad conditioning systems
ATE224858T1 (de) 1997-09-05 2002-10-15 Frenton Ltd Verfahren zur herstellung eines diamant- siliciumcarbid-siliciumkomposits und ein nach diesem verfahren hergestelltes komposit
US6027659A (en) 1997-12-03 2000-02-22 Intel Corporation Polishing pad conditioning surface having integral conditioning points
US6196911B1 (en) 1997-12-04 2001-03-06 3M Innovative Properties Company Tools with abrasive segments
US6835365B1 (en) 1997-12-11 2004-12-28 Moosa Mahomed Adia Crystal growth
KR100562446B1 (ko) 1998-02-19 2006-03-20 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 연마 용품 및 유리 연마 방법
CA2261491C (en) 1998-03-06 2005-05-24 Smith International, Inc. Cutting element with improved polycrystalline material toughness and method for making same
US6001174A (en) 1998-03-11 1999-12-14 Richard J. Birch Method for growing a diamond crystal on a rheotaxy template
US6123612A (en) * 1998-04-15 2000-09-26 3M Innovative Properties Company Corrosion resistant abrasive article and method of making
JP3295888B2 (ja) 1998-04-22 2002-06-24 株式会社藤森技術研究所 ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ
KR19990081117A (ko) 1998-04-25 1999-11-15 윤종용 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법
US6077601A (en) 1998-05-01 2000-06-20 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article
US6354918B1 (en) 1998-06-19 2002-03-12 Ebara Corporation Apparatus and method for polishing workpiece
US6299508B1 (en) 1998-08-05 2001-10-09 3M Innovative Properties Company Abrasive article with integrally molded front surface protrusions containing a grinding aid and methods of making and using
US6346202B1 (en) 1999-03-25 2002-02-12 Beaver Creek Concepts Inc Finishing with partial organic boundary layer
WO2000037208A1 (en) 1998-12-22 2000-06-29 De Beers Industrial Diamonds (Proprietary) Limited Cutting of ultra-hard materials
US6258237B1 (en) 1998-12-30 2001-07-10 Cerd, Ltd. Electrophoretic diamond coating and compositions for effecting same
US6309277B1 (en) 1999-03-03 2001-10-30 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for achieving a desired semiconductor wafer surface profile via selective polishing pad conditioning
US6458018B1 (en) 1999-04-23 2002-10-01 3M Innovative Properties Company Abrasive article suitable for abrading glass and glass ceramic workpieces
CA2309289C (en) 1999-05-24 2007-10-30 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Cutting tip and manufacturing method thereof
JP3387851B2 (ja) 1999-05-28 2003-03-17 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ 研削砥石およびその製造方法
US6319108B1 (en) 1999-07-09 2001-11-20 3M Innovative Properties Company Metal bond abrasive article comprising porous ceramic abrasive composites and method of using same to abrade a workpiece
US6755720B1 (en) 1999-07-15 2004-06-29 Noritake Co., Limited Vitrified bond tool and method of manufacturing the same
EP1075898A3 (en) 1999-08-13 2003-11-05 Mitsubishi Materials Corporation Dresser and dressing apparatus
US6281129B1 (en) 1999-09-20 2001-08-28 Agere Systems Guardian Corp. Corrosion-resistant polishing pad conditioner
US6627168B1 (en) 1999-10-01 2003-09-30 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method for growing diamond and cubic boron nitride crystals
TW467802B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Hunatech Co Ltd Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US6325709B1 (en) 1999-11-18 2001-12-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd Rounded surface for the pad conditioner using high temperature brazing
US7201645B2 (en) 1999-11-22 2007-04-10 Chien-Min Sung Contoured CMP pad dresser and associated methods
JP3527448B2 (ja) 1999-12-20 2004-05-17 株式会社リード Ｃｍｐ研磨布用ドレッサー及びその製造方法
US6293980B2 (en) 1999-12-20 2001-09-25 Norton Company Production of layered engineered abrasive surfaces
US6533645B2 (en) 2000-01-18 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Substrate polishing article
US6749485B1 (en) 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
CN1295368C (zh) 2000-08-08 2007-01-17 六号元素(控股)公司 制备包含金刚石的研磨产品的方法
WO2002028598A1 (en) 2000-10-02 2002-04-11 Rodel Holdings, Inc. Method for conditioning polishing pads
US6551176B1 (en) 2000-10-05 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Pad conditioning disk
EP1770143A3 (en) 2000-10-06 2008-05-07 3M Innovative Properties Company Agglomerate abrasive grain and a method of making the same
JP3957632B2 (ja) 2000-10-12 2007-08-15 エレメント シックス （プロプライエタリイ）リミテッド 多結晶質研磨性粗粒子
US20030207659A1 (en) 2000-11-03 2003-11-06 3M Innovative Properties Company Abrasive product and method of making and using the same
CN100344410C (zh) 2000-11-07 2007-10-24 中国砂轮企业股份有限公司 化学－机械抛光软垫的修磨器及其制造方法
KR100806457B1 (ko) 2000-11-09 2008-02-21 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드 초경질 연마입자의 제조방법
US8545583B2 (en) 2000-11-17 2013-10-01 Wayne O. Duescher Method of forming a flexible abrasive sheet article
KR100552391B1 (ko) 2000-12-21 2006-02-20 니폰 스틸 코포레이션 Ｃｍｐ 컨디셔너, ｃｍｐ 컨디셔너에 사용하는 경질지립(砥粒)의 배열방법 및 ｃｍｐ 컨디셔너 제조방법
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6409580B1 (en) 2001-03-26 2002-06-25 Speedfam-Ipec Corporation Rigid polishing pad conditioner for chemical mechanical polishing tool
US7063250B2 (en) 2001-05-31 2006-06-20 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Coating forming method and coating forming material, and abrasive coating forming sheet
DE10139762A1 (de) 2001-08-13 2003-02-27 Hilti Ag Schleifscheibe
US6616725B2 (en) 2001-08-21 2003-09-09 Hyun Sam Cho Self-grown monopoly compact grit
KR100428947B1 (ko) 2001-09-28 2004-04-29 이화다이아몬드공업 주식회사 다이아몬드 공구
US6394886B1 (en) 2001-10-10 2002-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Conformal disk holder for CMP pad conditioner
US6872127B2 (en) 2002-07-11 2005-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Polishing pad conditioning disks for chemical mechanical polisher
US6899592B1 (en) * 2002-07-12 2005-05-31 Ebara Corporation Polishing apparatus and dressing method for polishing tool
JP4216025B2 (ja) 2002-09-09 2009-01-28 株式会社リード 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法
US6915796B2 (en) 2002-09-24 2005-07-12 Chien-Min Sung Superabrasive wire saw and associated methods of manufacture
TWI241939B (en) 2002-10-25 2005-10-21 Alex C Long Producing method and structure of cutting and polishing plate
JP2004142083A (ja) 2002-10-28 2004-05-20 Elpida Memory Inc ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
US20040192178A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Barak Yardeni Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (CMP) polishing pads
US7160178B2 (en) 2003-08-07 2007-01-09 3M Innovative Properties Company In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article
US20050060941A1 (en) 2003-09-23 2005-03-24 3M Innovative Properties Company Abrasive article and methods of making the same
US7125324B2 (en) 2004-03-09 2006-10-24 3M Innovative Properties Company Insulated pad conditioner and method of using same
JP2005262341A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Noritake Super Abrasive:Kk Ｃｍｐパッドコンディショナー
US20050260939A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Brazed diamond dressing tool
US6945857B1 (en) 2004-07-08 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner and methods of manufacture and recycling
US20060258276A1 (en) 2005-05-16 2006-11-16 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7384436B2 (en) 2004-08-24 2008-06-10 Chien-Min Sung Polycrystalline grits and associated methods
US7762872B2 (en) 2004-08-24 2010-07-27 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US20070060026A1 (en) 2005-09-09 2007-03-15 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
US7658666B2 (en) 2004-08-24 2010-02-09 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7150677B2 (en) 2004-09-22 2006-12-19 Mitsubishi Materials Corporation CMP conditioner
US7066795B2 (en) * 2004-10-12 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels
KR100636793B1 (ko) * 2004-12-13 2006-10-23 이화다이아몬드공업 주식회사 Ｃｍｐ 패드용 컨디셔너
US7169029B2 (en) 2004-12-16 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Resilient structured sanding article
US7258708B2 (en) 2004-12-30 2007-08-21 Chien-Min Sung Chemical mechanical polishing pad dresser
KR100693251B1 (ko) * 2005-03-07 2007-03-13 삼성전자주식회사 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치
US20060254154A1 (en) 2005-05-12 2006-11-16 Wei Huang Abrasive tool and method of making the same
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US20110275288A1 (en) 2010-05-10 2011-11-10 Chien-Min Sung Cmp pad dressers with hybridized conditioning and related methods
US7300338B2 (en) * 2005-09-22 2007-11-27 Abrasive Technology, Inc. CMP diamond conditioning disk
US7594845B2 (en) 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
US20070128994A1 (en) 2005-12-02 2007-06-07 Chien-Min Sung Electroplated abrasive tools, methods, and molds
US7771498B2 (en) 2006-05-17 2010-08-10 Chien-Min Sung Superabrasive tools having improved caustic resistance
US7840305B2 (en) 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
JP4840041B2 (ja) * 2006-09-20 2011-12-21 株式会社日立製作所 電界印加磁気記録方式および記録再生装置
US20080271384A1 (en) 2006-09-22 2008-11-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization
US20080096479A1 (en) 2006-10-18 2008-04-24 Chien-Min Sung Low-melting point superabrasive tools and associated methods
US20080153398A1 (en) 2006-11-16 2008-06-26 Chien-Min Sung Cmp pad conditioners and associated methods
US20080292869A1 (en) 2007-05-22 2008-11-27 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
TWI388402B (en) 2007-12-06 2013-03-11 Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
US20100186479A1 (en) 2009-01-26 2010-07-29 Araca, Inc. Method for counting and characterizing aggressive diamonds in cmp diamond conditioner discs
US20100203811A1 (en) 2009-02-09 2010-08-12 Araca Incorporated Method and apparatus for accelerated wear testing of aggressive diamonds on diamond conditioning discs in cmp
SG174351A1 (en) 2009-03-24 2011-10-28 Saint Gobain Abrasives Inc Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner
US20100261419A1 (en) 2009-04-10 2010-10-14 Chien-Min Sung Superabrasive Tool Having Surface Modified Superabrasive Particles and Associated Methods

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10537974B2 (en) 2014-10-17 2020-01-21 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10953515B2 (en) 2014-10-17 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of forming a polishing pads by use of an additive manufacturing process
US11446788B2 (en) 2014-10-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Precursor formulations for polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11958162B2 (en) 2014-10-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10456886B2 (en) 2016-01-19 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Porous chemical mechanical polishing pads
US11772229B2 (en) 2016-01-19 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process

Also Published As

Publication number Publication date
US8398466B2 (en) 2013-03-19
US20090068937A1 (en) 2009-03-12
TW200927382A (en) 2009-07-01

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