TWI619578B - 拋光墊修整裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種拋光墊修整裝置，其包括一基座、至少一切削件以及至少一定位件。切削件設置在基座上。定位件設置在基座上，並且凸出於基座的上表面。

Description

拋光墊修整裝置

本發明涉及一種拋光墊修整裝置，特別是涉及一種通過第一切削件以有效控制拋光墊的表面粗糙度的拋光墊修整裝置。

現今技術的拋光墊修整器都是用“磨粒(例如：鑽石)”作為加工刀具以移除拋光墊(Pad)材料。請參閱圖1所示，拋光墊修整器Q的上方布滿磨粒d。加工拋光墊的製程中，磨粒d加工是以磨削的方式移除拋光墊上的材料。

然而，由於拋光墊修整器Q上的磨粒d，其切削刃的形狀不規則，且通常磨粒d會以較大的負斜角擠入被加工材料中，屬於多點磨削的加工機制，因而在材料表面留下粗糙的犁切痕跡(ploughing)。

如果為了讓表面粗糙度降低，則必須使用較高密度且較細的磨粒d加工，以降低粗糙的加工痕跡。但是，修整器的製造過程中，較小顆粒的磨粒d不易與基材結合固定。反倒會因為磨粒d容易脫落而刮傷晶圓，因此對磨粒d的大小有一定的限制(目前使用常用的顆粒大小約0.1毫米(millimeter，mm)至0.3毫米之間)，而難以有效率地降低拋光墊的表面粗糙度。

目前業界半導體的技術已經進入7奈米(nanometer，nm)製程，所使用的拋光墊材料已經不是以往的硬式拋光墊，拋光墊表面所需要的表面粗糙度值也相對要求更低。故，如何通過結構設計以改良拋光墊修整器，有效的加工拋光墊並控制良好的表面粗 糙度，來克服上述的缺失，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種拋光墊修整裝置。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種拋光墊修整裝置，其包括一基座、至少一切削件以及至少一定位件。所述切削件設置在所述基座上。所述定位件設置在所述基座上，並且凸出於所述基座的上表面。

本發明所採用另外一技術方案是，提供一種拋光墊修整裝置，其包括一基座以及至少一切削件。所述切削件設置在所述基座上，所述切削件的一頂端具有一刀刃部以及一抵靠部。

本發明所採用的再一技術方案是，提供一種拋光墊修整裝置其包括一基座、至少一切削件以及至少一定位結構。所述切削件設置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部。所述定位結構形成在所述切削件上或所述基座上。

綜上所述，本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的拋光墊修整裝置，其可通過“所述定位結構形成在所述切削件上或所述基座上”的技術手段，可以將拋光墊上多餘的材料切削而不會產生隆起，使得拋光墊的拋光面能夠較為平坦，以有效控制拋光墊的表面粗糙度。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

Q、Z、Z’‧‧‧拋光墊修整裝置

1、1’‧‧‧基座

11‧‧‧容置凹槽

2、2’、2”‧‧‧修整組件

21、21’‧‧‧承載元件

211、211’‧‧‧第一凸部

212‧‧‧第二凸部

213’‧‧‧平坦部

214’‧‧‧鎖孔

2141’‧‧‧第一鎖孔

2142’‧‧‧第二鎖孔

2143’‧‧‧第三鎖孔

215’‧‧‧斜切面

216’‧‧‧排削切面

22、22’、22”‧‧‧第一切削件

221、221’、221”‧‧‧第一後刀面

222、222’、222”‧‧‧第一前刀面

223‧‧‧第一抵靠部

224‧‧‧平坦部

225‧‧‧鎖孔

2251‧‧‧第一鎖孔

2252‧‧‧第二鎖孔

2253‧‧‧第三鎖孔

23‧‧‧第二切削件

231‧‧‧第二後刀面

232‧‧‧第二前刀面

233‧‧‧第二抵靠部

24‧‧‧定位件

241‧‧‧頂面

3’,3”,3'''‧‧‧定位件

K、K’、K”‧‧‧刀刃部

P‧‧‧薄膜層

D1‧‧‧長度

g‧‧‧排屑通道

θ1‧‧‧正斜角

θ2‧‧‧逃讓角

θ3‧‧‧角度

h1‧‧‧第一距離

h2‧‧‧第二距離

d‧‧‧磨粒

E‧‧‧拋光墊

R‧‧‧倒角

T‧‧‧圓弧邊緣

C‧‧‧切削結構

U‧‧‧微結構層

圖1為現有技術的拋光墊修整裝置的立體示意圖。

圖2A為本發明其中一切削件與拋光墊接觸的示意圖。

圖2B為本發明另外一切削件與拋光墊接觸的示意圖。

圖2C為本發明再一切削件與拋光墊接觸的示意圖。

圖2D為本發明又一切削件的刀刃部與拋光墊接觸的示意圖。

圖3為本發明第一實施例的拋光墊修整裝置的立體組合圖。

圖4為本發明第二實施例的拋光墊修整裝置的立體分解圖。

圖5為本發明第二實施例的修整組件的立體圖。

圖6為本發明第二實施例的修整組件具有一個第一前刀面的側視圖。

圖7為本發明第二實施例的修整組件具有兩個第一前刀面的側視圖。

圖8為本發明第二實施例的修整組件具有第一前刀面以及第一抵靠部的側視圖。

圖9為本發明第三實施例的修整組件的立體圖。

圖10為本發明第三實施例的修整組件的側視圖。

圖11為本發明第四實施例的修整組件的立體圖。

圖12為本發明第四實施例的修整組件的另外一側視示意圖。

圖13為本發明第五實施例的修整組件的立體圖。

圖14為本發明第五實施例的拋光墊修整裝置的立體組合圖。

圖15為本發明第六實施例的拋光墊修整裝置的立體組合圖。

圖16為本發明第七實施例的修整組件的立體圖。

圖17為本發明實施例的設置於定位結構上的微結構層的示意圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“拋光墊修整裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術 內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。

應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或信號等，但這些元件或信號不應受這些術語限制。這些術語乃用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，如本文中所使用，術語“或”視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的所有組合。

首先，請參閱圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D所示，本發明提供一種拋光墊修整裝置，其提供一切削件(例如第一切削件22或第二切削件23)用以修整拋光墊E上的材料。舉例來說，切削件可為一片狀切削件。以下先以第一切削件22進行說明。第一切削件22的一頂端具有一刀刃部K以及一抵靠部223(請參閱圖2D所示，例如第一抵靠部223或第二抵靠部233)。刀刃部K位於第一切削件22的頂端的一前緣處，抵靠部223與刀刃部K相鄰且並列延伸。另外，抵靠部223可為一平面或一弧面。再者，刀刃部K具有一朝向基座1(請參閱圖3所示)方向延伸的前刀面(例如第一前刀面222或第二前刀面232)以及一朝向所述頂端的方向延伸的後刀面(例如第一後刀面221或第二後刀面231)，且後刀面與前刀面之間可以形成一介於30~75度之間的夾角。刀刃部K的長度可介於1~20毫米(mm)之間。須說明的是，以下先以第一切削件22的第一後刀面221及第一前刀面222進行說明。

請復參閱圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D以說明當第一切削件22的刀刃部接觸於拋光墊E的待切削面之情形。圖2A為本發明其中一切削件與拋光墊接觸的示意圖。第一切削件22的刀刃部K與拋光墊E接觸時，第一前刀面222與垂直於拋光墊E的垂直線之間形成一正斜角(rake angle)θ1而第一後刀面221與拋光墊E的待切削面完全接觸。藉此在切削過程中，拋光墊E上被移除的材料(切屑chip)會沿著第一前刀面222滑移至一排屑通道。附帶一提，正斜角θ1可以介於0度至60度之間，更佳的是介於30~45 度之間，最佳的為45度(shear angle)。藉此，通過45度的正斜角θ1，使得第一切削件22具有最佳移除材料的剪切角，且剪切力最小。另外，正斜角θ1的角度愈大，刀刃愈鋒利，愈容易移除拋光墊上的材料，但刀具強度也相對變弱。

請參閱圖2B，圖2B為本發明另外一切削件與拋光墊接觸的示意圖。第一切削件22的刀刃部K與拋光墊接觸時，第一前刀面222與垂直於拋光墊E的垂直線之間形成一正斜角θ1而後刀面221與拋光墊的待切削面之間形成一逃讓角(clearance or relief angle)θ2。舉例來說：逃讓角θ2可以大於0度，更甚至逃讓角θ2的角度介於0度至15度之間，而最佳的是逃讓角θ2介於3度至7度之間。藉此，在切削過程中，逃讓角θ2可以減少第一後刀面221與拋光墊E的接觸而影響拋光墊E上已加工的部份，同時通過逃讓角θ2也避免切削件22與拋光墊E的接觸面積過大而降低切削力。

請參閱圖2C，圖2C為本發明再一切削件與拋光墊接觸的示意圖。本實施例中第一切削件22具有一第一後刀面221、一第一前刀面222以及一連接於第一後刀面221與第一前刀面222之間的第一抵靠部223。當第一切削件22的刀刃部K與拋光墊E接觸時，第一抵靠部223與拋光墊E的待切削面接觸，且第一前刀面222與垂直於拋光墊E的垂直線之間形成一正斜角θ1而第一後刀面221與拋光墊E的待切削面之間形成一逃讓角θ2。因此，當第一切削件22切削拋光墊E上的材料時，第一抵靠部223會先對具有彈性的拋光墊E造成部分隆起以定義出需要去除的材料。接著，第一前刀面222將隆起的材料移除。藉此，第一抵靠部223的設計可以避免過度移除拋光墊E上的材料及增加第一切削件22的磨耗壽命。另外值得一提的是，第一抵靠部223還可以設計成具有一圓弧的切面。換句話說，第一抵靠部223可以作為一定位結構，且該定位結構形成或設置在第一切削件22上。然而，須說 明的是，在其他實施方式中，定位結構也可以形成或設置在基座1上，且凸出於基座的1上表面(請參閱第二實施例，定位結構可為圖11所示的定位件24)，本發明不以此為限。值得注意的是，定位結構可用於限位第一切削件22相對於拋光墊E之間的高度，因此，定位結構(例如第一抵靠部223或定位件24)的高度可低於或等於第一切削件22的高度。又或者是，定位結構(例如第一抵靠部223或定位件24)的高度可低於或等於刀刃部K的高度，然本發明不以此為限。

請參閱圖2D，圖2D為本發明又一切削件的刀刃部與拋光墊接觸的示意圖。刀刃部K具有一後刀面221、一前刀面222，且後刀面221與前刀面222之間還可以具有一倒角R(edge radius)，且倒角的半徑介於0.01~300微米(micrometer,μm)之間。其中倒角R的設計可以用以輔助第一後刀面221推切拋光墊E上多餘的材料。須特別說明的是，如圖2A、2B以及2C所示的第一切削件22的刀刃部K上也可以具該倒角R。本領域具有通常知識者應可依據自身的需求調整改變第一切削件22的刀刃部K，將正斜角θ1的角度、逃讓角θ2的角度以及倒角R的半徑選擇性的設計於第一切削件22上，本發明與此不再多加贅述。

然而，拋光墊修整裝置可以具有多種不同的變化態樣。舉例來說，第一切削件22可以具有不同的刀刃部K。或者，第一切削件22上可以具有多個刀刃部K。又或者，拋光墊修整裝置可以具有不同的排列形式。以下將通過不同的實施例一一介紹變化態樣。

第一實施例

首先，請參閱圖3並配合前述圖2A至圖2D所示，圖3為本發明第一實施例的第一切削件的立體示意圖。本發明實施例提供一種拋光墊修整裝置Z，其包括：一基座1以及第一切削件22。第一切削件22頂端具有一刀刃部K以及一抵靠部223(請參閱圖2C及圖2D)，刀刃部K位於第一切削件22的頂端的前緣處，刀刃部 K具有一朝向基座1方向延伸的第一前刀面222以及一朝向所述頂端的方向延伸的第一後刀面221。其中第一後刀面221會與拋光墊E接觸，且通過第一前刀面222切削移除拋光墊E上的材料。於此實施例中，刀刃部K具有介於0度至60度的正斜角θ1，以及具有介於0度至15度θ2之間的逃讓角。於其他實施例中，第一切削件也可以具有如圖2D所示的倒角R結構。本發明在此不做任何限制。

承上述，本實施例中第一切削件22可以通過黏貼的方式直接設置在基座1上。於其他實施例中，第一切削件22也可以通過嵌入或者通過卡固的方式設置在基座1上。本領域具有通常知識者應可自行簡單變化將第一切削件22設置在基座1上，本發明不以此為限。

第二實施例

請參閱圖4，圖4為本發明第二實施例的拋光墊修整裝置的立體分解圖。本發明實施例提供一種拋光墊修整裝置Z，其包括：一基座1以及多個修整組件2。每一個修整組件2包括一設置在基座1上的承載元件21以及一設置在承載元件21上的第一切削件22，第一切削件22與承載元件21的間形成一排屑通道g。

承接上述，基座1上具有多個容置凹槽11，且多個修整組件2分別設置在多個容置凹槽11內。舉例來說，修整組件2可以用卡合、黏合、卡固、嵌入、黏貼、螺設等不同方式讓修整組件2設置於容置凹槽11之中。因此，每一個修整組件2可拆卸地設置在相對應的容置凹槽11內。附帶一提，修整組件2可以成對的設置在基座1上，以保持整個基座1的平衡，避免高速旋轉時所產生的震動。

請參閱圖5，圖5為本發明第二實施例的修整組件的立體圖。每一個修整組件2包括承載元件21以及第一切削件22。承載元件21具有一第一凸部211以及一與第一凸部211彼此分離的第二凸 部212，且排屑通道g設置在第一凸部211以及第二凸部212之間。並且，第一切削件22跨設於排屑通道g上，且設置於第一凸部211以及第二凸部212上。再者，第一切削件22還可以設計成可拆卸地設置在承載元件21上。詳言之，第一切削件22的頂端的前緣處具有一刀刃部K，刀刃部K具有一朝向所述頂端的方向延伸的第一後刀面221以及一朝向承載元件21方向延伸的第一前刀面222。其中第一後刀面221會與拋光墊E接觸，且通過第一前刀面222切削移除拋光墊E上的材料。藉此，第一前刀面222整面移除拋光墊E上的材料使得拋光墊E更平坦，且切削後的材料可以通過排屑通道g排出。附帶一提，第一切削件22的長度D1可以為1毫米(mm)~20毫米(mm)之間，且刀刃部K的長度可以與第一切削件22的長度完全相同，或者小於第一切削件22，本發明並不以此為限制。並且，第一切削件22的刀刃部K的材料可以選用為單晶鑽石、聚晶鑽石(Polycrystalline Diamond,PCD)、CVD鑽石(chemical vapor deposition diamond(化學氣相沈積鑽石法))、硬質合金切削件結合鍍CVD鑽石膜、(PCD)聚晶鑽石切削件結合鍍CVD鑽石膜、陶瓷材料結合鍍CVD鑽石膜或者其他材料鍍CVD鑽石，本發明並不以此為限制。

須特別說明的是，於本實施例中的第一切削件的刀刃部K設計如圖2B所示的結構，具有角度介於0度至15度之間或1度至15度之間的逃讓角θ2。然而，於其他實施例中第一切削件22的刀刃部K的設計可以如圖2A或圖2C所示，或者是第一切削件22的刀刃部K也可以設計為具有如2D所示的倒角R結構，本領域具有通常知識者應可依實際情況自行變化，在此不再多加贅述。

接續上述，修整組件2可以有多種不同的變化態樣以提升切削移除拋光墊E上材料的效率，以及增加拋光墊修整裝置的應用廣度。舉例來說，請一併配合圖5，並參閱圖6、圖7以及圖8，圖6為本發明第二實施例的修整組件具有一個第一前刀面的側視 圖。圖7為本發明第二實施例的修整組件具有兩個第一前刀面的側視圖。圖8為本發明第二實施例的修整組件具有第一前刀面以及第一抵靠部的側視圖。

如圖6所示，第一切削件22具有一個刀刃部K，且刀刃部K上具有一第一前刀面222，且第一前刀面222由刀刃部K的頂端延伸至承載元件21上。同樣地，圖6所示的實施例中的第一切削件22具有角度介於0度至15度之間的逃讓角θ2。於其他實施例中，第一切削件22也可以設計成不具有逃讓角θ2，或者第一切削件22的刀刃部K可以設計具有半徑介於0.01~300微米的倒角R結構。本發明對於第一切削件22的設計可有任意變化，於此不再多加贅述。

如圖7所示，第一切削件22具有兩個刀刃部K，且每一個刀刃部K上都具有第一前刀面222。兩個第一前刀面222分別由第一後刀面221延伸至承載元件21上。於本實施例中，兩個第一前刀面222分別與承載元件21所形成的角度θ3相同。於其他實施例中，兩個第一前刀面222分別與承載元件21所形成的角度θ3也可以有所不同。

如圖8所示，修整組件2上只有一個第一切削件22，且第一切削件22具有一第一前刀面222。以圖8的實施例而言，定位結構可形成在修整組件2上，進一步來說，定位結構可形成在第一切削件22上，以下以定位結構為第一抵靠部223進行說明。詳細來說，第一切削件22的頂端具有至少一第一抵靠部223(定位結構)，且至少一第一抵靠部223與至少一第一前刀面222彼此相連，且第一抵靠部223的高度低於或等於刀刃部K的高度。再者，第一抵靠部223連接於第一後刀面221與第一前刀面222之間。附帶一提，圖8所示的第一切削件22上也可以如同圖7所示的第一切削件22般具有兩個第一前刀面222，且兩個第一前刀面222都各別具有第一抵靠部223，其可結合圖4以及圖5以完成，於此 不再多加贅述。圖8所示的實施例中的第一切削件22還可以設計具有角度介於0度至15度之間的逃讓角θ2。或者，第一切削件22的刀刃部K可以設計具有半徑介於0.01~300微米的倒角R結構。本發明對於第一切削件22的設計可有任意變化，於此不再多加贅述。

第三實施例

請參閱圖9以及圖10，圖9為本發明第三實施例的修整組件的立體圖。圖10為本發明第三實施例的修整組件的側視圖。每一個修整組件2還包括一第二切削件23，且第二切削件23與第一切削件22彼此相鄰設置。同樣地，第二切削件23跨設於排屑通道g上，且設置於第一凸部211以及第二凸部212上。再者，第二切削件23也可以設計成可拆卸地設置在承載元件21上。並且，修整組件2的第一切削件22可以具有至少一第一前刀面222，第二切削件23具有至少一第二前刀面232。另外，須說明的是，在其他實施方式中也可以不用設置排屑通道g，而是直接將第一切削件22及第二切削件23設置於承載元件21上。

承接上述，於第三實施例中第一切削件22與第二切削件23可以具有完全相同的結構。第二切削件23的結構可參考前述針對第一切削件22的多種態樣(如圖6至圖8所示)。舉例來說，復請參閱圖7，第一切削件22的頂端具有至少一第一抵靠部223，至少一第一抵靠部223與至少一第一前刀面222彼此相連，第二切削件23的頂端具有至少一第二抵靠部233，且至少一第二抵靠部233與至少一第二前刀面232彼此相連。又或者，於其他實施例中第一切削件22與第二切削件23可以具有不相同的結構。舉例來說，第一切削件22設計如圖6所示而第二切削件設計如圖7所示。本領域具有通常知識者可依實際上需求調整設計第一切削件22與第二切削件23的結構，本發明並不以此為限制。

第四實施例

請參閱圖11以及圖12，圖11為本發明第四實施例的修整組件的立體圖。圖12為本發明第四實施例的修整組件的其中一側視示意圖。於第四實施例中，修整組件2具有一第一切削件22以及一定位結構，以圖11及圖12的實施例而言，定位結構可形成在修整組件2上，進一步來說，定位結構可形成在承載元件21上，以下以定位結構為定位件24進行說明。詳細來說，定位件24(定位結構)的高度可低於或等於第一切削件22的高度，定位件24與第一切削件22並列設置在承載元件21上，用以控制第一切削件22相對於定位件24的高度差，並限制第一切削件22凸出定位件24的切削深度。更詳細的來說，定位件24設置在第一切削件22的前方，因此當修整組件2與研磨墊接觸時，定位件24會先接觸研磨墊的待切削面，以壓平凹凸不均的待切削面。接著，第一切削件22會進行切削定位件24所限制的高度差，藉以控制第一切削件22凸出於定位件24的切削深度。值得說明的是，在其他實施方式中，定位結構(定位件24)也可以具有一切削結構C，該切削結構C具有與第一切削件22的刀刃部K相同移除材料的效果。

接續上述，可以通過改變第一切削件22和承載元件21之間的高度與定位件24和承載元件21之間的高度以控制待切削的深度。舉例來說，第一切削件22的頂端與承載元件21之間的距離為第一距離h1，定位件24的一頂面241與承載元件21之間的距離為第二距離h2，其中如圖12所示，第一距離h1可大於第二距離h2。然而，於其他實施例中第一距離h1與第二距離h2可以相同或是第一距離h1略低於第二距離h2。因此，通過第一距離h1與第二距離h2之差值，第一切削件22的切削深度可以設定為該差值。第一距離h1與第二距離h2的差值可以介於0微米至100微米(micrometer,μm)之間，較佳地，第一距離h1與第二距離h2的差值可以介於20微米至50微米之間，換句話說，定位結構(定位件24或第一抵靠部223)的高度可低於第一切削件22的頂面0 微米至100微米之間，或可低於第一切削件22的頂面20微米至50微米之間。附帶一提，通過定位件24還可以以避免修整組件2的第一切削件22刺入拋光墊E過深，移除過多拋光墊E上的材料。另外，值得說明的是，定位件24的一頂面241可為一平面或是一弧面，本發明不以此為限。

另外，請先參閱圖17所示，定位件24(定位結構)也可以具有一微結構層U，舉例來說，微結構層U可以是一磨削微結構，且通過定位件24上的磨削微結構與拋光墊E的待切削面接觸，可以使得待切削面上多餘的材料被定位件24所梳立。接著，第一切削件22將拋光墊E上被梳立的材料切除。值得說明的是，前述抵靠部223也可以具有一微結構層U，以達到上述效果。藉此，通過磨削的機制可產生犁切作用。微結構層U是一梳狀結構。值得說明的是，微結構層U也可以是一呈粗糙狀的微結構、呈顆粒狀的微結構、呈陣列狀的微結構、呈鋸齒型狀的微結構、呈金字塔狀的微結構或者是呈不規則狀的微結構，本發明不以此為限。

本領域技術人員應理解，以上所述只是拋光墊修整裝置一典型實施態樣而已，本發明的後續應用可以在不同的實施態樣上具有各種的變化。

第五實施例

舉例來說，請參閱圖13以及圖14，圖13為本發明第五實施例的修整組件的立體圖。圖14為本發明第五實施例的拋光墊修整裝置的立體組合圖。如圖13所示，修整組件2’具有一承載元件21’以及一設置於承載元件21’上的第一切削件22’。承載元件21’具有一平坦部213’以及一相鄰於平坦部213’的第一凸部211’。平坦部213’上具有至少一鎖孔214’，藉由鎖孔214’用以將修整組件2’螺固於基座上。以第五實施例而言，鎖孔214’可包括一第一鎖孔2141’、一第二鎖孔2142’以及一第三鎖孔2143’。藉此，使得承載元件21’具有並列的第一鎖孔2141’、一第二鎖孔2142’以及一第 三鎖孔2143’，以用以將第一切削件22’固設在基座1’上。舉例來說，可先利用一固定件(螺鎖件)穿過第二鎖孔2142’後將第一切削件22’固設在基座1’上。接著，再利用另外兩個固定件穿過第一鎖孔2141’及第三鎖孔2143’，以調整第一切削件22’的水平高度。須說名的是，每一個設置於基座1’上的第一切削件22’優選為保持在同一水平高度上。另外，第一切削件22’設置於第一凸部211’上，第一切削件22’具有一刀刃部K’設計成一半徑介於10~100毫米(millimeter，mm)之間的圓弧邊緣T。刀刃部K’具有第一後刀面221’以及第一前刀面222’，且第一後刀面221’與第二前刀面222’連接以形成一弧形刀刃部K。通過第一後刀面221’與拋光墊E的待切削面接觸，第二前刀面222’可以切削多餘的材料，且切削可以順著第一凸部211’上的一斜切面215’滑移。值得一提的是，第二前刀面222’與斜切面215’可以具有相同的斜率並相互連接。又或者，第二前刀面222’與斜切面215’可以具有不同的斜率。其中承載元件21’還具有一排削切面216’，排削切面216’連接於斜切面215’與第一凸部211’之間。當第一切削件22’切削拋光墊E多於材質時，藉由排削切面216’以及斜切面215’可以輔助切削經由排削切面216’以及斜切面215’滑動排除。

請參閱圖14所示，拋光墊修整裝置Z’具有兩兩對稱排列的修整組件2’，且每一個修整組件2’的前方都分別具有一定位結構，以下以定位結構為定位件3’進行說明。詳細來說，以圖14的實施例來說，定位件3’(定位結構)可形成在基座1’上，且定位件3’的高度可低於或等於刀刃部K’的高度。修整組件2’可通過一螺絲(圖中未標號)螺固於鎖孔214’內，以螺合修整組件2’與基座1’。附帶一提，定位件3’與修整組件2’之間具有一預定距離，使得第一前刀面222’、斜切面215’和定位件3’之間會形成一空間。因此當第一前刀面222’所切削後的材料可以滑移至定位件3’與修整組件2’所形成的空間中，使得此預定距離類似於前述實施例中的排屑通 道g。另外，值得說明的是，定位件3’(定位結構)的一頂面(圖中未標號)可為一平面或一弧面。進一步來說，定位件3’的位置也非得如圖式所示的設置於修整組件2’前端，在其他實施方式中定位件3”也可以設置於兩個修整組件2’之間，或是將定位件3'''設置於基座1’的中間。須注意的是，定位件3’、定位件3”、定位件3'''可以擇一設置或是依需求而選擇性的設置。值得說明的是，在其他實施方式中，定位結構(定位件3’,3”,3''')也可以具有一切削結構C(圖14中未示出，請參閱圖12所示)，該切削結構C具有與第一切削件22的刀刃部K相同的切削效果。需注意的是，定位件3’也可以設置有如同前述實施例所述的微結構層U。

第六實施例

再者，拋光墊修整裝置Z上的修整組件還可以有不同的排列方式以加強加工拋光墊的效率。請參閱圖15，圖15為本發明第六實施例的拋光墊修整裝置的立體組合圖。修整組件2可以排列成放射狀的設置在基座1上，例如：順時針或逆時針。於本實施例中，將修整組件2呈逆時針的設置於基座1上，可以使得拋光墊修整裝置M於拋光墊上旋轉時，通過切線運動將切屑排出。於其他實施例中，修整組件2也可以通過其他的排列方式設置在基座1上，以增加加工拋光墊時候的效率。本領域具有通常知識者可依實際上的需求調整設計修整組件2的排列方式，只要修整組件2呈現對稱方式或平均分佈在基座上面以避免震動即可，本發明並不以此為限制。

第七實施例

請參閱圖16所示，圖16為本發明第七實施例的修整組件的立體圖。修整組件2”具有一第一切削件22”，第一切削件22”具有一刀刃部K”、一第一後刀面221”及一第一前刀面222”，刀刃部K”、第一後刀面221”及第一前刀面222”的特徵如同前述實施例所述，在此容不再贅述。值得注意的是，第一切削件22”的材 質可選自金屬(例如但不限於：鉬(Molybdenum,Mo)、鐵(Fe)或釩(Vanadium,V))、合金(例如但不限於：碳化鎢(Tungsten Carbide,WC))、聚晶鑽石(Polycrystalline Diamond,PCD)、陶瓷(例如但不限於：碳化矽(Silicon carbide,SiC)或氧化鋁(Al₂O₃))。再者，第一切削件22”上還可設置有一薄膜層P，舉例來說，該薄膜層P可以為一鑽石膜，且鑽石膜可以是CVD鑽石、多晶鑽石或奈米鑽石等，本發明不以此為限。值得注意的是，薄膜層P也可以完全包覆拋光墊修整裝置Z或覆蓋第一切削件22”，本發明不以薄膜層P是否完全包覆第一切削件22”或僅覆蓋刀刃部K”為限。換句話說，拋光墊修整裝置Z的整體外表面可以鍍上一層薄膜層P，即，拋光墊修整裝置Z的表面可設置有一鑽石膜。

值得說明的是，第一切削件22”還包括一平坦部224，且平坦部224上具有至少一鎖孔225，通過鎖孔225的設置可用以將修整組件2”螺固於基座上。以第七實施例而言，鎖孔225可包括一第一鎖孔2251、一第二鎖孔2252以及一第三鎖孔2253。藉此，以用以將第一切削件22”固設在基座上，也可以調整高度水平。

本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的拋光墊修整裝置，其可通過“所述定位結構(第一抵靠部223、定位件24或定位件3’)形成在所述切削件(第一切削件22或第二切削件23)上或所述基座(1,1’)上，其中所述定位結構的高度低於或等於所述切削件的刀刃部(k,K’,K”)的高度”的技術手段，可以將拋光墊E上多餘的材料切削而不會產生隆起，使得拋光墊E的拋光面能夠較為平坦，以有效控制拋光墊E的表面粗糙度。

以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (28)

1. 一種拋光墊修整裝置，其包括：一基座；至少一切削件，所述切削件設置在所述基座上；以及至少一定位件，所述定位件設置在所述基座上，並且凸出於所述基座的上表面；其中，所述切削件具有一正斜角以及一逃讓角，所述正斜角介於0度至60度之間，所述逃讓角介於0度至15度之間。
2. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中所述定位件的高度低於或等於所述切削件的高度。
3. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件的一頂端具有一刀刃部以及一抵靠部，所述刀刃部位於所述頂端的一前緣處，所述抵靠部與所述刀刃部相鄰且並列延伸。
4. 如請求項3所述的拋光墊修整裝置，其中，所述抵靠部為一平面或一弧面。
5. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位件的一頂面為一平面或一弧面。
6. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件為片狀。
7. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件還具有一排屑通道。
8. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述基座具有至少一容置凹槽，用於容置所述切削件。
9. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件設置於一承載元件上，所述承載元件用以固設在所述基座上，所述承載元件具有並列的一第一鎖孔、一第二鎖孔以及一第三鎖孔。
10. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述刀刃部的材料可以選自單晶鑽石、聚晶鑽石、CVD鑽石、硬質合金切削件結 合鍍CVD鑽石膜、聚晶鑽石切削件結合鍍CVD鑽石膜或者陶瓷材料結合鍍CVD鑽石膜。
11. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位件的高度低於所述切削件的一刀刃部10微米至100微米。
12. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件上設置有一鑽石膜。
13. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位件具有一微結構層。
14. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位件具有一切削結構。
15. 如請求項1所述的拋光墊修整裝置，其中，所述拋光墊修整裝置的表面設置有一鑽石膜。
16. 一種拋光墊修整裝置，其包括：一基座；以及至少一切削件，所述切削件設置在所述基座上，所述切削件的一頂端具有一刀刃部以及一抵靠部；其中，所述抵靠部的高度低於或等於所述刀刃部的高度。
17. 如請求項16所述的拋光墊修整裝置，其中，所述抵靠部與所述刀刃部相鄰且並列延伸，且所述抵靠部為一平面或一弧面。
18. 如請求項16所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件具有一正斜角以及一逃讓角，所述正斜角介於0度至60度之間，所述逃讓角介於0度至15度之間。
19. 如請求項16所述的拋光墊修整裝置，其中，所述抵靠部具有一微結構層。
20. 如請求項16所述的拋光墊修整裝置，其中，所述拋光墊修整裝置的表面設置有一鑽石膜。
21. 一種拋光墊修整裝置，其包括：一基座； 至少一切削件，所述切削件設置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部；以及至少一定位結構，所述定位結構形成在所述切削件上或所述基座上，其中所述定位結構的高度低於或等於所述刀刃部的高度；其中，所述切削件具有一正斜角以及一逃讓角，所述正斜角介於0度至60度之間，所述逃讓角介於0度至15度之間。
22. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位結構的高度低於或等於所述刀刃部的高度。
23. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位結構具有一微結構層。
24. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位結構具有一切削結構。
25. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位結構的一頂面為一平面或一弧面。
26. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述定位件的材料可以選自單晶鑽石、聚晶鑽石、CVD鑽石、硬質合金切削件結合鍍CVD鑽石膜、聚晶鑽石切削件結合鍍CVD鑽石膜或者陶瓷材料結合鍍CVD鑽石膜。
27. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述切削件上設置有一鑽石膜。
28. 如請求項21所述的拋光墊修整裝置，其中，所述拋光墊修整裝置的表面設置有一鑽石膜。