TWI363240B - Active array substrate, electrode substrate, and liquid crystal display panel - Google Patents

Description

1363240 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種主動陣列基板、電極基板及液晶顯示面 板’特別係關於-種可將液晶層中的雜質和離子限制在特定區 域之主動陣列基板'電極基板以及液晶顯示面板。 【先前技術】 液晶顯示器因為具有輕薄、短小以及低輻射的特性目前已 被廣泛應用。但在液晶顯示器之液晶顯示面板的製程中，在將 液晶灌注、滴人製程執行之前、執行中或是執行後，液晶層中 會具有-些雜質或離子等汙染物或干擾物^液晶顯示面^在 後續使用’在長時_動下，液晶的移動、轉動或傾斜會改變 运些雜質或離子在液晶層内的分布狀況。這些雜f或離子會影 響液晶層中趨使液晶活動之電場大小，故當液晶顯示面板在顯/ 示面時，冗度、灰階或影像品質均會受到不良的影塑。 2〇〇6年U月16日公開之美國第2〇〇6〇256245Αι號專利申 請案揭露-種橫向離子抽移裝置，係設置於液晶顯示面板中， 定址區域（addressable area)以外之區域，橫向離子抽移裝置用 以將離子抽移至定址區域以外的區域。由實驗結果可知，經由 橫向離子抽移裝置的作用，定址區域中畫素㈣離子濃度會逐 漸減少。然而，晝素中無可避免的還是存在有離子故晝面品 質無法有效的提升。再者’橫向離子抽料操作時間必須拉 6 1363240 長，亦為橫向離子抽移裝置之一大缺點。 綜上所述，如何使液晶顯示面板中的雜質或離子在液晶層内 被適當的控制，且不影響液晶顯示面板的畫面品質及工作效 能，仍是所屬技術領域急待解決之課題。 【發明内容】 本發明之一目的在於提供一種主動陣列基板，係為解決液晶 顯示面板之畫面不均的問題。為達此目的該主動陣列基板包含 一基底、複數掃描線、複數條資料線、複數畫素電極、複數主動 元件及至少一輔助電極。該等掃描線係設置於該基底上。該等資 料線與該等掃描線垂直。各該主動元件對應至該等掃描線其中 之一、該等資料線其中之一及該等晝素電極其中之一。各該主 動元件分別與相對應之該掃描線、該資料線及該晝素電極電性連 接以界定一晝素區以及一非顯示區。該至少一輔助電極係設置於 該基底上，並位於該非顯示區内。該至少一輔助電極係用以接收 一輔助電壓，其中該輔助電壓係介於為-30伏特至30伏特之間。 該主動陣列基板更可包含一電容電極，設置於該基底上，該電 容電極係與該至少一輔助電極電性連接。該主動陣列基板亦可包 含一電容電極，設置於該基底上，其中該電容電極與該輔助電極 係彼此絕緣且設置於同一層。該主動陣列基板之該至少一輔助電 極係與該等掃描線之其中之一電性連接。 本發明之另一目的在於提供一種電極基板，係為解決液晶顯 7 1363240 示面板之畫面不均的問題。為達此目的，該電極基板包含一基 底、一共通電極以及複數遮蔽結構。該共通電極係設置於該基底 上。該等遮蔽結構係設置於該基底上，並分隔該共通電極為複數 區塊，其中該等遮蔽結構之電壓為-30伏特至30伏特。 本發明之另一目的在於提供一種電極基板，係為解決液晶顯 示面板之畫面不均的問題。為達此目的，該電極基板包含一基底

以及一共通電極。該基底具有複數畫素區域，且各該畫素區域 具有一畫素寬度。該共通電極係設置於該基底上。該共通電極 具有複數狹縫，其中各該狹縫之一寬度係為該畫素寬度之1/2〇倍 至1/5倍。 本發明之又-目的在於提供_種液晶顯示面板，其係包含上述 主動陣列基板或上述電極基板其中之一。

藉由上述配置纟發明之液晶顯示面板，可以限制液晶層中 的粒子移動’避免液晶層中的粒子分配不均勻或是位於畫素區 中V致直面不均的殘影問題的產生。此外，本發明之液晶顯 +面板’可以將液晶廣中的粒子限制在特定區域 ，例如非顯示 區，避免晝素區有過多的粒子，影響液晶層中位於畫素區的液 晶分子的光學特性，藉此達到避免畫面不均或殘影問題的目 的0 為讓本發月之上述和其他目的、特徵和優點能更鴨易懂，下 文特舉k佳錢例’並配合_圖式，料細說明如P在參閱 後斤屬技術領域具有通常知識者便可瞭解本發明之其他目 8 1363240 的’以及本發明之技術手段及實施態樣。 【實施方式】 由於習知之畫素區存在有離子之問題。以下將以數個實施例來 說明本發明的主動陣列基板、電極基板以及液晶顯示面板。

在說明各實施例前，請先參照第1圖至第4圖。第1圖係為本 發明之液晶顯帀面板爆炸圖，概要地呈現本發明之液晶顯示面板 的名σ構。液晶顯不面板1包含·一主動陣列基板1〇、一電極美板11 以及設置於主動陣列基板10和電極基板η之間之一液晶層12。 液晶層12包含複數液晶分子以及複數粒子，其中粒子可為離子、 有機物質、無機物質、雜質或上述組合或其他污染物。

主動陣列基板10和電極基板11可分別為以薄膜電晶體為主動 元件構成之陣列基板和彩色濾光片基板，主動陣列基板1〇亦可為 以薄膜電晶體為主動元件和彩色濾光層共同構成的陣列基板，例 如彩色;慮光層在陣列上基板(c〇l〇r filter 〇n array，c〇a)。電極義板 11亦可為共通電極位在底板上一起構成的電極基板。 根據本發明所設置之液晶顯示面板1，其液晶層12會以兩種不 同的方式呈現。第一種呈現方式請參看第2a圖及第沘圖其係 分別為對應第丨圖之剖面線[Γ以及剖面線麗，崎成之剖面 圖。液晶層U被劃分為畫素區A及非顯示區NA，藉由控崎晶 層12中畫素區A及非顯示區NA之電場不同，例如是畫素區= 和非顯示區NA具有不同的電壓差值，使對應在晝素區a和非顯 1363240 示區ΝΑ内的液晶分子i2ia和121b有不同的傾倒方向。具體而 古，位在非顯示區NA内的液晶分子121b係為水平排列，如此一 * 來，離子丨2〇會被限制在非顯示區NA内，即非顯示區NA内離子 濃度比顯示區A内離子濃度大。舉例而言，非顯示區内 離子120濃度約為顯示區A内離子濃度的數倍至數百倍，較佳係 為2倍至900倍，故畫面顯示之晝面不均或殘影問題便會被改善。 第一種呈現方式，凊參看第3a圖至第3b圖，其係分別對應第j 圖之剖面線1-1’以及刮面線Π-ΙΓ而繪成之剖面圖。液晶層〗2被劃 分為畫素區A及非顯示區NA，藉由控制液晶層12中晝素區a和 非顯不區NA的電場不一，例如是畫素區A和非顯示區NA具有 不同的電壓差值，而導致對應在畫素區A和非顯示區NA内的液 晶分子121a和121b有不同的傾倒方向。具體而言，位在非顯示 區NA内的液晶分子121b係為垂直排列，如此一來，離子12〇會 被限制在非顯示區NA内，即非顯示區να内離子120濃度比顯示 區Α内離子濃度大，舉例而言，非顯示區ΝΑ内離子濃度約 為顯示區Α内離子濃度的數倍至數百倍，較佳係為2倍至9〇〇倍， 故畫面顯示之晝面不均或殘影問題便會被改善。 換句s舌a兒，為了達到第2a、2b圖或/及第3a、3b圖之效果，本 發明之液晶顯示面板1包含主動陣列基板1〇、電極基板n及液晶 層12。更進一步，主動陣列基板丨0包含一基底、複數掃描線、複 數條Η料線、複數晝素電極及複數主動元件。掃描線及資料線係 s曼置於基底上，且資料線與掃描線垂直。各該主動元件對應至掃 1363240 描線其令之一、資料線其中之一及畫素電極其中之一。各該主動 元件分別與相對應之掃描線、資料線及晝素電極電性連接以界定 畫素區Α以及非顯示區ΝΑ。電極基板11包含一基底及一共通電 極’其_共通電極設置於該基底上。液晶層12設置於主動陣列基 板10及電極基板11之間’液晶層12包含液晶分子121a、121b 及離子120。液晶分子121a、121b具有一起始電壓(thresh〇idv〇itage) 以及一飽合電壓(saturation voltage) ’而離子之一預定比例係位於 該非顯不區NA内。 硃晶顯示面板1可進一步包含至少一辅助電極，其中輔助電極 係設置於主動陣列基板10之基底上，並未於非顯示區NA内。為 二輔壓二_且_共極用以接收二_接通電 與a通晶^：_ 121 a、121b$起-始虞多。此外，當液晶分土為垂_基配向KVertical alignment ’ VA)液晶、扭轉向列型(Twisted N印iatie-，— TN)液晶或/ 寻電折射型(Electrical Control Birefringence ’ ECB)液晶時， 輔助電壓與共通電壓之差屢之.絕、對值係大於液晶分子121a、121b 芒合當液晶分子121a、121b包含垂直配向型液晶、扭轉 向列型液晶或/及電控複折射型液晶時，輔助電壓與共通電壓之差 值之絕對值係大於液晶分子121 a、121 b之飽合電壓。 第4圖係描繪第1圖之液晶顯示面板1之主動陣列基板1〇之區 域B之局部放大上視圖。為方便理解，第4圖僅描繪四個完整之 晝素，所屬技術領域具有通常知識者可由此清楚了解主動陣列基 11 1363240 板10之全部區域的畫素設置方式。主動陣列基板1〇包含基底(未 標示）、複數掃描線102、與掃描線1〇2垂直之複數資料線1(H、複 數畫素電極104以及複數薄膜電晶體103。各薄膜電晶體1〇3係分 別連接至相對應的晝素電極104、資料線1〇1以及掃描線1〇2。此 外，主動陣列基板10更包含至少一輔助電極(未繪示)及/或電容電 極(未繪示）。資料線HH、掃描線1〇2及畫素電極1〇4界定出畫素 區A及非顯示區NA。第4圖係清楚顯示四個晝素區A的範圍， 其係為用於顯示晝面的區域，而在畫素區A以外的區域為非顯示 區NA，也就是資料線1〇1、掃描線1〇2、薄膜電晶體丨〇3、辅助 電極及電谷電極被設置的區域，非顯示區Να無法顯示佥面。 請同時參照第2a-3b圖及第4圖，當離子12〇被限制在非顯示區 NA時，也就是離子120之一預定比例（亦即大部分之離子12〇)係 位於非顯示區NA或是所謂的線路區時，畫素區A内的液晶八子 121a便不易受到離子120的影響，而減少導致非正確旋轉戋傾斜 殘影、亮度削減或對比不準確等等問題。 第1圖之液晶顯示面板1、主動陣列基板1〇以及電極美板U 之各實施例詳細結構係在下述說明。 第一實施例 第5a、5b、5c圖分別為本發明之第一實施例之主動陣列基板扣 之上視圖、液晶顯示面板2之上視圖以及液晶顯示面板2之剖面 圖。更具體而言’第5c圖係描繪沿著第5b圖之剖面線v_v，

σ'J 12 1363240 面圖。此外，為方便說明，第5a圖及帛5b圖僅清楚顯示一個畫 '素結構。 * 主動陣列基板20包含一基底200、複數掃描線202、輔助電極 - 繼、下電容電極202卜絕緣層205、複數資料線观、主動元件 203、上電容電極舰、介電層206以及複數畫素電極2〇4。掃描 線202、輔助電極順以及下電容電極聰皆形成於基底2〇〇 • 上。絕緣層205整體覆蓋基底200、掃描線2〇2、輔助電極繼 以及下電容電極2021。資料線201形成於絕緣層2〇5上。 主動元件203形成於基底200上，且各主動元件2〇3對應至掃 描線202其中之-' 資料線201其中之—並與對應之掃描線2〇2 和資料線20〗電性連接。具體而言，主動元件2〇3具有閘極2〇3g 與掃描線202連接、源極203S與資料線2〇1連接 '汲極2〇3β以 及通道層203C位於閘極203G和源極203S/汲極203D之間。本實 施例之主動元件203係以底閘極非晶石夕薄膜電晶體為例，當然， ，所>1技術領域令具有通常知識者也可使用頂閉極多晶石夕薄膜電晶 體並適當改變主動元件中結構與本實施财其他元件的相對位置 關係。亦即’主動元件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 上電容電極2011與沒極203D連接並與下電容電極2〇2ι形成儲 存電容。介電層206大體全面覆蓋上述元件並具有—接觸洞^ 露出汲極2〇3D。畫素電極204設置於介電層206上，並藉由接觸 洞Η與汲極203D電性連接。 輔助電極2〇22與掃描線2〇2及下電容電極加2!同時先形成一 13 1363240 . 預先導電層’再圖案化而成。輔助電極2022與掃描線2〇2及下電 料極2〇21係彼此絕緣且設置於同—層。輔助電極逝係設置 .於非顯不區.内。如第5a圖所示，辅助電極2022具有主體部 • 2〇22a以及分支2022b。本實施例之位於兩畫素間之分支2〇22b數 目為二個’但可視設計及需求，改變分支⑽此之數目為一個或 大於二個。W地，可聰性將_電極繼設計賴有主體部 # 2022a或分支2022b而構成條狀，或是類似環狀結構。換言之可 用以達成本發明之目的之辅助電極之形狀均可使用，例如，輔助 電極2022之形狀可為一環狀、一條狀、一。字狀及一门字狀其中 之一。辅助電極2022用以接收一輔助電壓，其中輔助電壓係為_3〇 伏特至30伏特，較佳則為_10伏特至25伏特。 "月參照第5c圖，液晶顯示面板2包含如第5a圖所示之主動陣 列基板20、電極基板21以及設置於其間之液晶層22。 液曰曰層22包含複數液晶分子及複數離子，其中，液晶分子具有 · —起始電壓以及一飽和電壓，而離子之—預定比例係位於非顯示 區NA内。 電極基板21包含基底210、遮蔽結構212、彩色濾光層211、保 護層213以及共通電極214。其中，遮蔽結構212及彩色濾光層 211皆設置於基底210上。彩色濾光層211設置於基底210及共通 電極214之間，且被遮蔽結構212分隔。另一方面，彩色濾光層 211之邊緣係可利用遮蔽結構212遮光，以避免液晶顯示面板2 在顯示晝面時，產生漏光的問題。共通電極214係用以接收一共 1363240 通電壓’其中β輔助電壓與共通電壓之差值之絕對值係^ 、於液晶 分子之起始電I舉例而言，辅助電壓與共通電壓之差值之絕對 值玎小於或等於1伏特’亦可為3伏特至2〇伏特。 藉由主動陣列基板20之輔助電極2〇22，可使得液晶層22内， 對應呈畫素區A和非顯示區NA之液晶分子具有不同的傾倒方 向，故離子120會被限制在麵示區NA内，所以晝面顯示之畫 面不均或殘影問題便會被改善。 第6a、6b、6c圖分別為本發明之第二實施例之主動陣列基板3〇 之上視圖、液晶顯示面板3之上視圖以及液晶顯示面板3之剖面 圖。更具體而言，第6c圖係描繪沿著第6b圖之剖面線νι_νι，之 剖面圖。此外，為方便說明，第6a圖及第6b圖僅清楚顯示一個 畫素結構。 主動陣列基板30包含一基底300、複數掃描線3〇2、輔助電極 3022、下電容電極3021、絕緣層305、複數資料線3(H、主動元件 303、上電容電極3011、介電層306以及複數畫素電極3〇4。 掃描線302、輔助電極3022以及下電容電極3〇21皆形成於基底 300上。絕緣層305整體覆蓋基底300、掃描線3〇2、輔助電極3〇22 以及下電容電極3021。資料線301形成於絕緣層3〇5上。 主動元件303形成於基底300上，且各主動元件2〇3對應至掃 描線202其中之一、資料線2〇ι其中之―，並與對應的掃描線302 15 1363240 和資料線3〇1電性連接。具體而言，主動元件3〇3具有間極3〇3(} 與掃描線302連接、源極303S與資料線301連接、汲極3〇3D以

及通道層303C位於閘極303G和源極303S/汲極303D之間。本實 %例之主動το件3G3係以底閘極非晶㈣膜電晶體為例，當然， 所屬技術領域t具有通常知識者也可使用頂閉極多晶碎薄膜電晶 體並適當改變主動元件中結構與本實施例中其他元件的相對位置 關係亦即主動元件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 上電容電極3〇11位於絕緣層3〇5上並對應下電容電極3〇2卜介 電層306大體全面覆蓋上述元件，並具有接觸洞Η!暴露出没極 3〇3D’以及具有接觸洞H2暴露出上電容電極則。晝素電極⑽ ;"電層306上’並藉由該接觸洞m與該汲極電性連 接且藉由雜觸洞H2與該上電容電極3〇ιι電性連接。 實％例與第-實關之不同處在於，獅電極3Q22係與掃 描線3〇2和下電容電極則同時先形成-預先導電層，再圖案化 第6a圖所不。輔助電極3〇22與下電容電極3似電性連 欠輔助電極3G22與下電容電極遍的電位為相同的。位 f兩畫素間之辅助電極迎之形狀為Η字狀。於其他實施例中， 輔助電極之職可紐狀、^“及其組合其中之―，換言之， 可用以達成本發明之目的之_電極結構均可《，其形狀並非 用以限制本發明之權利範圍。補助電極顧以及下電容電極则 ^用以接收—電容電壓，其中，電容電壓係為-30伏特至30伏特， 較佳則為-10伏特至25伏特。 16 1363240 請參照第6c圖，液晶顯示面板3包含如第6a圖所示之主動陣 列基板30、電極基板31以及設置於其間之液晶層32。 液晶層32包含複數液晶分子及複數離子，其中，液晶分子具有 一起始電壓以及一飽和電壓，而離子之一預定比例係位於非顯示 區NA内。 電極基板31之結構與第一實施例中之電極基板21相同在此

不再贅述。共通電極314係用以接收-共通電壓。輔助電壓與共 通電壓之差值之絕對值係液晶分子之起始電壓。舉例而言，輔助 電壓與共通電壓之差值之絕對值可小於或等於1伏特，亦可為3 伏特至20伏特。 藉由主動陣列基板30之輔助電 - ―― 可使得液晶層32内對 應至畫素區Α和非顯示區从之液晶分子具有倒方向， ^離子12〇會被限制在非顯示區NA内，所以畫面顯示之畫面不 句或殘影問題便會被改善。 施例· 之圖分別為本發明之第三實施例之主動陣列基板4〇 ^圖、液晶顯示面板4之上視圖以及液晶顯示面板4之剖面 更具體而言，第7c圖係描繪沿著第7h 笮乐/b圖之剖面線VII-VII， W面圖。此外，為方便說明，第7a圖 個畫素結構。 清楚顯示一 主動陣列基板40包含一基底400、複數 旻數知榀線4〇2、402,、輔助 17 1363240 電極4022、下電容電極4021、絕緣層405、複數資料線401、主 動元件403、403’、上電容電極40Π、介電層406以及複數畫素電 極404。掃描線402、402’、輔助電極4022以及下電容電極4021 皆形成於基底400上。絕緣層405整體覆蓋基底400、掃描線402、 402’、輔助電極4022以及下電容電極4021。資料線401形成於絕 緣層405上。 主動元件403、403’形成於基底400上，且各主動元件403對應 至掃描線402、402’其中之一、資料線401其中之一，並與對應的 掃描線402、402’和資料線401電性連接。具體而言，主動元件 403具有閘極403G與掃描線402連接、源極403S與資料線401 連接、汲極403D以及通道層403C位於閘極403G和源極403S/ 汲極403D之間。本實施例之主動元件403係以底閘極非晶矽薄膜 電晶體為例，當然，所屬技術領域中具有通常知識者也可使用頂 閘極多晶矽薄膜電晶體並適當改變主動元件中結構與本實施例中 其他元件的相對位置關係。亦即，主動元件之結構並非用來限制 本發明之權利範圍。 上電容電極4011與汲極403D連接並與下電容電極4〇21形成儲 存電容。介電層406大體全面覆蓋上述元件並具有一接觸洞H暴 露出汲極403D。畫素電極404設置於介電層4〇6上並藉由接觸洞 Η與沒極403D電性連接。 第二貫％例與第一貫施例之不同處在於，輔助電極4〇22係與掃 描線402、402,和下電容電極4021同時先形成一預先導電層再 二化而成。注意的是，職此畫素之辅助電極繼係與 ^線4〇2電性連接而不與掃描線4〇2電性連接也就是說辅 助书極4〇22可為(上一級)掃描線4〇2’之延伸結構 侧與掃描線衡的電位為相同的。舉例而言,⑽，係接 收一掃描電壓，掃描電壓係各1G伏特至3G伏特，較佳則為·8伏 特至28伏特，故輔助電極4022接收之輔助電壓便為_1〇伏特至3〇 伏特，較佳係則為_8伏特至28伏特。 於兩里素間之輔助電極4022之形狀係為一 Η字狀，其他實施 例之輔助電極之形狀亦可為一條狀及一 Η字狀其中之一或其組 D。換言之，可視設計及需求改變輔助電極之形狀，可用以達成 本發明之目的之輔助電極結構均可使用，並不侷限。 3月 > 照第7c圖，液晶顯示面板4包括如第7a圖所示之主動陣 列基板40、電極基板41以及設置於其間之液晶層42。 液晶層42包含複數液晶分子及複數離子，其中，液晶分子具有 起始電壓以及一飽和電壓，而離子之一預定比例係位於非顯示 區να内。 電極基板41之結構大致與第一實施例中之電極基板21相同， 匕不再贅述。共通電極414接收一共通電壓，其中’輔助電壓 與共通電壓之差值之絕對值係小於液晶分子之起始電壓。舉例而 。’輔助電壓與共通電壓之差值之絕對值係小於或等於1伏特， 亦可為3伏特至2〇伏特。 藉由主動陣列基板40之輔助電極4022，可使得液晶層42内， 1363240 對應畫素區A和非顯示區ΝΑ内之液晶分子具有不同的傾倒方 向’故離子120會被限制在非顯示區ΝΑ内，所以畫面顯示之畫 面不均或殘影問題便會被改善。 弟四實施例 第8a、8b、8c圖分別為本發明之第四實施例之電極基板51之 上視圖、液晶顯示面板5之上視圖以及液晶顯示面板5之剖面圖。 更具體而言，第8c圖係描繪沿著第8b圖之剖面線VIII-νΐΙΓ之剖 面圖。此外’為方便說明，第8a圖及第8b圖僅清楚顯示一個畫 素結構。 主動陣列基板50包含一基底500、複數掃描線502、下電容電 極5021、絕緣層505、複數資料線5(Π、主動元件503、上電容電 極5011、介電層506以及複數畫素電極504。掃描線5〇2及下電 容電極5021皆形成於基底500上。絕緣層505整體覆蓋基底5〇〇、 掃描線502以及下電容電極5〇21。資料線5〇1形成於絕緣層5〇5 上。 主動凡件503形成於基底500 ±，且各主動元件2〇3對應至掃 描線2〇2其中之…資料線2m其中之…並與對應之掃描線5〇2 和資料線5m電性連接。具體而言，主動元件5〇3具有閘極 與掃描線5〇2連接、源極顧與資料線5〇1連接、及極娜以 及通道層503C位於閘極503G和源極5讓及極咖之間。本實 施例之主動元件5G3係以底閘極非晶料膜電晶體為例，當然， 20 1363240 所屬技術領域中具有通常知識者也可使用頂閘極多晶石夕薄膜電晶 體並適當改變主動元件中結構與本實施例中其他元件的相對位置 關係。主動元件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 上電容電極5011設置於絕緣層505上’並對應下電容電極 5021。上電容電極5011與汲極503D連接並與下電容電極5021形 成儲存電容。介電層506大體全面覆蓋上述元件並具有接觸洞η 暴露出汲極503D。畫素電極504設置於介電層506上，並藉由接 觸洞Η與汲極503D電性連接。 電極基板51包含基底510、遮蔽結構512、彩色濾光層511、保 護層513以及共通電極514。遮蔽結構512設置於基底510上。彩 色濾光層511設置於基底210及共通電極214之間，且被遮蔽結 構512分隔。另一方面，彩色濾光層511之邊緣係可利用遮蔽結 構512遮光，以避免液晶顯示面板5在顯示畫面時，產生漏光的 問題。此外，電極基板51之基底51〇具有複數晝素區域，各晝素 區域具有一晝素寬度及一畫素長度。 "須特別注意的是，共通電極514在對應遮蔽結構512或是資料 線5〇】的位置具有狹縫5140,其中各狹縫5140之寬度d係為畫素 寬度之1/20倍至1/5倍，較佳則為1/1〇倍至ι/8倍。狹縫514〇的 寬度d可以等於或大於資料線501的寬度。狹缝5140的長度l可 以等於、小於或大於畫素長度。

換§之，對應於非顯示區NA内，只要共通電極514具有狹縫 或挖空結構，便會影響到液晶層52對應晝素區A和非顯示區NA 21 . 内液晶分子的傾倒方向。狹縫5140的形狀可為-環狀、—條狀、 -U字狀及-Π字狀其中之__或其組合，縫·的位置也可對 應於掃描線502上方，換句話說，狹縫5Μ〇的位置只要對應或部 伤對應至非顯不區Na即位於本發明之權利範圍内。此外，共通 電極514係接故—共通電壓，此共通電壓係為0伏特至12伏特， 較佳則為3伏特至9伏特。 # 藉由對應於非顯示區NA之狹縫5140,可使得液晶層52對應畫 素區Α和非顯示區ΝΑ内之液晶分子具有不同的傾倒方向，故離 子120會被限制在非顯示區να内，所以畫面顯示之晝面不均或 殘影問題便會被改善。 第五實施料 第9a、％、9c圖分別為本發明之第五實施例之電極基板61之 上視圖、液晶顯示面板6之上視圖以及液晶顯示面板6之剖面圖。 齡具體而言，第9c圖係描繪沿著第％圖之剖面線IX-IX’之剖面圖。 為方便說明，第9a圖及第9b圖僅清楚顯示一個晝素結構。 主動陣列基板60包含一基底600、複數掃描線602 '下電容電 極6021、絕緣層605、複數資料線601、主動元件603、上電容電 極6011、介電層606以及複數畫素電極604。掃描線602及電容 電極6021皆形成於基底600上。絕緣層605整體覆蓋基底600、 掃描線602、下電容電極6021以及遮蔽電壓連接墊6020。資料線 601形成於絕緣層605上。 22 1363240 主動7L件603形成於基底600上，且各主動元件203對應至掃 . 描線202其中之一、資料線201其中之一，並與對應的掃描線6〇2

• 和資料線6〇1電性連接。具體而言，主動元件603具有閘極603G 與掃描線602連接、源極603S與資料線6〇1連接、汲極6〇3D以 及通道層603C位於閘極603G和源極603S/汲極603D之間。本實 施例之主動元件603係以底閘極非晶矽薄膜電晶體為例，當然， φ 所屬技術領域中具有通常知識者也可使用頂閘極多晶矽薄膜電晶 體並適當改變主動元件中結構與本實施例中其他元件的相對位置 關係。亦即，主動元件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 上電容電極6011位於絕緣層6〇5上並對應下電容電極602卜上 ' 電谷電極6011與汲極6〇3D連接並與下電容電極6021形成儲存電 - 谷。介電層606大體全面覆蓋上述元件並具有接觸洞Η暴露出汲 極6030。畫素電極6〇4位於該介電層6〇6上並藉由接觸洞Η與汲 極603D電性連接。 • 電極基板61包括基底610、遮蔽結構612a、612b、保護層613 以及共通電極614。遮蔽結構612a、612b設置於基底610上。彩 色濾光層611設置於基底610及共通電極614之間，且被遮蔽結 構612a、612b分隔。另一方面，彩色濾光層61丨之邊緣係可利用 遮蔽結構612a、612b遮光，以避免液晶顯示面板6在顯示晝面時， 產生漏光的問題。此外’電極基板61之基底6]0具有複數畫素區 域，各晝素區域具有一畫素寬度及一畫素長度。 須特別注意的是’如第9c圖所示，對應到遮蔽結構612b的共 23 1363240 通電極614具有狹缝6140將遮蔽結構612b暴露出來。遮蔽結構 係分隔共通電極614為複數區塊。遮蔽電壓連接墊6020係接收外 部電壓’將外部電壓經由位於主動陣列基板6〇以及電極基板61 之間的連接件620傳送到遮蔽結構612a以及612b，使得這些遮蔽 結構之電壓為-30伏特至30伏特。由第9c圖可清楚了解，遮蔽電 麼連接墊6020、連接件62〇以及遮蔽結構612a係為電性連接。 然而’提供電壓給遮蔽結構612a、612b之方式並不侷限於本實 施例所述，也可以僅利用在電極基板61上設置電壓連接塾或是電 壓源提供電壓給遮蔽結構612a、612b’故便不需設置連接件62〇。 這些遮蔽結構612a、612b之材料包含金屬及其他不透明導電材料 其中之或其組合，而金屬包含絡、絡合金及其他不透明導電金 屬其中之一或其組合。 這些遮蔽結構612a、612b之長度係為畫素長度之丨/20倍至j 倍、寬度係為畫素寬度之1/20倍至1倍以及厚度係為〇⑴微米至 5微米。此外，舉例而言，共通電極614之電壓與遮蔽結構612a、 612b之電壓之差值之絕對值係為2伏特及2〇伏特。 藉由對應於非顯示區NA之遮蔽結構6〗2a ' 612b，因遮蔽結構 612a、612b具有電壓，故液晶層62對應畫素區A和非顯示區na 内有不同的壓差，對應畫素區A和非顯示區NA内之液晶分子具 有不同的傾倒方向，故離子120會被限制在非顯示區NA内，所 以畫面顯示之畫面不均或殘影問題便會被改善。 24 1363240 第六實施例 第10a、10b、10c圖分別為本發明之第六實施例之主動陣列基 板70之上視圖 '液曰日顯不面板7之上視圖以及液晶顯示面板7之 剖面圖。具體而言，第10c圖係描繪沿著第i〇b圖之剖面線χ_χ， 之剖面圖。為方便說明，第10a圖及第i〇b圖僅清楚顯示一個畫 素結構。 主動陣列基板70包括一基底700、複數掃描線702、輔助電極 7040、下電容電極7021、絕緣層705、複數資料線701、主動元件 703、上電容電極7011、介電層706、複數晝素電極704以及輔助 電壓連接墊7020。掃描線702、輔助電極7040以及下電容電極7〇21 皆形成於基底700上。輔助電極7040與畫素電極704同時圖案化。 絕緣層705整體覆蓋基底700、掃描線702以及下電容電極7〇21。 資料線701形成於絕緣層705上。 主動元件703形成於基底700上，且各主動元件2〇3對應至掃 描線202其中之一、資料線201其中之―，並與對應的掃描線7〇2 和資料線701電性連接。主動元件7〇3具有閘極7〇3G與掃描線 702連接、源極703S與資料線7〇1連接、汲極7〇3D以及通道層 703C位於閘極703G和源極703S/汲極7〇3D之間。主動元件7〇3 係以底閘極非晶矽薄膜電晶體為例，當然，所屬技術領域中具有 通常知識者也可使用頂閘極多晶矽薄膜電晶體並適當改變主動元 件中結構與本實施例巾其他元件的相對位置關係^亦即主動元 件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 25 1363240 上電容電極7011與汲極703D連接並與下電容電極7〇21形成儲 存電容。介fyf 7G6大體全面覆蓋上述元件並具有—接觸洞㈣ 露出沒極703D。畫素電極704位於介電層7〇6上並藉由接觸洞h 與汲極703D電性連接。辅助電壓連接墊7〇2〇可以與掃描線7〇2、 閘極703G及/或下電容f極⑽朝—層圖案化而成，辅助電壓 連接墊7020係接收外部提供之一輔助電壓。 電極基板7!之結構大致與第一實施例中之電極基板21相同， 在此不再贅述。共通電極714係接收—共通，舉例而言，輔 助電壓與共職叙純之絕職可祕或_丨料亦可為3 伏特至20伏特。 請再次參照第1〇a圖，辅助電極7_之形狀為—環狀，但其他 實施例亦可將輔助電極設計為U字狀及门字狀其中之一基本上 係對應非顯示區NA。須特別注意的是’輔助電極獅藉由接觸 洞H’與輔助電壓連接墊7020電性連接，故輔助電極7〇4〇接收輔 助電壓，其中輔助電壓係為_3〇伏特至3G伏特，較佳則為·ι〇伏特 至25伏特。 藉由主動陣列基板7〇之輔助電極術2，可使得液晶層π對應 畫素區A和非顯示區NA内之液晶分子具有不同的傾倒方向，故 離子120會被限制在非顯示區NA ^所以畫面顯示之晝面不均 或殘影問題便會被改善。 實施例 26 1363240 第lla圖至第lie圖分別為本發明之第七實施例之主動陣列義 板80之上視圖、液晶顯示面板8之上視圖以及液晶顯示面板8之 剖面圖。具體而言，第lie圖係描繪沿著第1 ib圖之剖面線χι·χι， 之剖面圖。為方便說明’第11a圖及第lib圖僅清楚顯示一個書 素結構。 主動陣列基板80包含一基底800、複數掃描線8〇2、輔助電極 8040、下電容電極8021、絕緣層805、複數資料線8(n、主動元件 803、上電容電極8011、介電層806以及複數畫素電極8〇4。掃描 線802、輔助電極8040及下電容電極8021皆形成於基底8〇〇上。 輔助電極8040與畫素電極804同時圖案化且為同一層。絕緣層8〇5 整體覆蓋基底800、掃描線802以及下電容電極8021。資料線8〇1 形成於絕緣層805上。 主動元件803形成於基底800上，且各主動元件203對應至掃 描線202其中之一、資料線2〇1其中之一，並與對應的掃描線8〇2 和資料線801電性連接。主動元件8〇3具有閘極8〇3(}與掃描線 802連接、源極8〇3s與資料線8〇ι連接汲極8〇3d以及通道層 803C位於閘極8〇3G和源極8〇3S/汲極8〇3D之間。本實施例之主 動兀件803係以底閘極非晶矽薄膜電晶體為例，當然，所屬技術 領域中具有通常知識者也可使用頂閘極多晶矽薄膜電晶體並適當 改璧主動το件中結構與本實施例中其他元件的相對位置關係。亦 即’主動7L件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 上電谷電極8011與汲極8〇3D連接並與下電容電極8〇2丨形成儲 27 瑪 J24〇 存電容。介電層806 A體全面覆蓋上述元件並具有—接觸 露出祕咖。畫素電極804㈣介電層8〇6 接顧^暴 與沒極703D電性連接。 错由接觸洞Η 電極基板8!之結構大致與第一實施例令之電極基板？！

在此不再贅述。共通電極814係接收—共通電壓，舉例而一 ° ’ 輔助電壓與該共通龍之差值之絕職可小於或祕丨倾，’該 可為3伏特至20伏特。 ’ ’亦 請再次參照第Ua圖，輔助電極觸之形狀係為—環狀，但其 他實施例可將輔助電極設計為11字狀及门字狀其 、，暴本上 糸對應非顯示區NA〇須特別注意的是，與第六實施例不同，輔助 電極8_藉由接觸洞η,與下電容電極_電性連接，故輔助電 極7040接收下電容電極隨之電容電壓以作為為輔助電極獅 之輔助電壓，其中電容電壓係為_3()伏特至3G伏特，故輔助電壓 係為-30伏特至30伏特。 藉由主動陣列基板80之輔助電極贈，可使得液晶層82對應 畫素區A和非顯示區NA之液晶分子具有不同的傾倒方向，故離 子120會被限制在非顯示區NA内，所以晝面顯示之畫面不均或 殘影問題便會被改善。 _第八貫施例 第12a、12b、12c圖分別為本發明之第八實施例之主動陣列基 板90之上視圖、液晶顯示面板9之上視圖以及液晶顯示面板9之 28 1363240 面圖。具體而s，弟12c圖係描繪沿著第12b圖之剖面線χιι_χιι， 之剖面圖。為方便說明，第12a圖及第12b圖僅清楚顯示一個畫 素結構。 主動陣列基扳90包含基底900、複數掃描線9〇2a、902b、輔助 電極9040、下電容電極9021、絕緣層905、複數資料線9〇1、主 動元件903、上電容電極901卜介電層906以及複數畫素電極9〇4。 掃描線902a、902b形成於基底800上，且同為掃描線9〇2a之上 一級掃描線。輔助電極9040與畫素電極904同時圖案化且為同一 層，且形成於基底900上。下電容電極9〇21形成於基底9〇〇上。 絕緣層905整體覆蓋基底900、掃描線902a、掃描線9〇2b以及下 電谷電極9021。資料線901形成於絕緣層905上。 主動元件903形成於基底900上，且各主動元件2〇3對應至掃 描線202其中之資料線2〇1其中之一，並與對應的掃描線9〇2a 和資料線901電性連接。主動元件具有閘極9〇3g與掃描線 連接、源極903S與資料，線901連接、汲極9_以及通道層 903C位於· 9〇3G和源極9〇3s/祕簡d之間。本實施例之主 動凡件9G3係以底閘極非晶⑦賴電晶體為例，當然，所屬技術 領域中具有通常知識者也可制頂職多晶㈣膜電晶體並適當 改變主動元件中結構與本實施例中其他元件的相對位置關係。亦 即主動元件之結構並非用來限制本發明之權利範圍。 上電谷電極9011與沒極9〇3D連接並與下電容電極则形成儲 存電各。介電層906大體全面覆蓋上述元件並具有一接觸洞H暴 29 1363240 露出汲極903D。晝素電極904位於該介電層906上並藉由該接觸 洞Η與該汲極903D電性連接。 電極基板91之結構大致與第一實施例中之電極基板21相同， 在此不再贅述。共通電極914係接收一共通電壓，舉例而言，該 輔助電壓與該共通電壓之差值之絕對值可小於或等於丨.伏特，亦 可為3伏特至20伏特。

請再次參照第12a圖，輔助電極9〇4〇之形狀係為一门字狀，但 其他貫施例可視設計及需求闕助電極設計為U拽及環狀其中 之-’基本上係對應非顯示區NA。須特別注意的是，與第七實施 例不同，輔助電極9_係藉由接觸洞H，與掃描線獅電性連接， 故輔助電極9G4G接收掃描線9Q2b之掃描電壓以作為為輔助電極 9040之輔助電壓’其中，掃描電壓係為⑺伏特至3❹伏特，故輔 助電壓為10伏特至3G伏特。掃描線9Q2b為掃描線9Q2a之上—

級掃描線，故因為時間差之_，輔助電極9G40與掃描線略 接受到的電壓’在相同時間點並不會相同，故藉由對應於非顯干 區财之_電極购，因輔助電㈣40具有輔助電壓，故液曰 層92對應畫素區A和非顯示區NA内有不同的壓差，對應全素： Α和非顯示區ΝΑ之液晶分子具有不同的傾倒方向，故離子： 日被限制在非顯不區ΝΑ内，所以晝面顯示之晝面 題便會被改善。 以篆衫問 τ上所述，本發社要在提供—魅動㈣基板電極基 液晶顯不面板，你田狄生卜 及 糸用控制液晶層中的液晶分子的排列方式，使 30 1363240 得液晶層中的粒子被限制在特定區域，例如非顯示區，避免畫素 區有過多的粒子，影響液晶層中位於晝素區的液晶分子的光學特 性，以達到避免畫面不均或殘影問題的目的。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖描繪本發明之液晶顯示面板之爆炸圖； 第2a係描繪第1圖之剖面線Ι-Γ之剖面圖； 第2b係描繪第1圖之剖面線ΙΙ-ΙΓ之剖面圖； 第3a係描繪第1圖之剖面線Ι-Γ之另一剖面圖； 第3b係描繪第1圖之剖面線ΙΙ-ΙΓ之另一剖面圖； 第4圖係描繪第1圖之區域B之局部放大上視圖； 第5a圖係描繪第一實施例之主動陣列基板之上視圖； 第5b圖係描繪第一實施例之液晶顯示面板之上視圖； 第5c圖係描繪第一實施例之液晶顯示面板之剖面圖； 第6a圖係描繪第二實施例之主動陣列基板之上視圖； 第6b圖係描繪第二實施例之液晶顯示面板之上視圖； 第6c圖係描繪第二實施例之液晶顯示面板之剖面圖； 第7a圖係描繪第三實施例之主動陣列基板之上視圖； 31 1363240 1(Π、2(Μ、301、4(Η、5(Η、6(Π、7(η、資料線 801 、 901 102、 202、302、402、402’、502、掃描線 602、 702、802、902、902a、902b 103、 203、303、403、403’、503、 主動元件（薄膜電晶體) 603、 703、803、903 104、 204、304、404、504、604、704、畫素電極 804、904

11、 21、31、41、5卜 61、71、81、電極基板 91 12、 22、32、42、52、62、72、82、液晶層 92 120 離子 121a、121b 液晶分子 200、300、400、500、600、700、800、基底 900

201卜301卜401卜501卜601卜701卜上電容電極 8011 、 9011 202卜3 02卜402卜5 02卜602卜702卜下電容電極 8021 、 9021 2022、3022、4022、7040、8040、9040 輔助電極 2022a 主體部 2022b 分支 203C、303C、403C、503C、603C、通道層 33 1363240

703C、803C、903C

203D、303D、403D、503D、603D、汲極 703D、803D、903D

203G、303G、403G、503G、603G、閘極 703G、803G、903G

203S、303S、403S、503S、603S、源極 703S 、 803S 、 903S

205、 305、405、505、605、705、805、絕緣層 905 206、 306、406、506、606、706、806、介電層 906 210、310、410、510、610、710、810、基底 910 2H、31卜41卜51卜6U、71卜81卜彩色濾光層 911

212、 312、412、512、612、612a、遮蔽結構 612b 712、812 ' 912 213、 313、413、513、613、713、813、保護層 913 214、 314、414、514、614、714、814、共通電極 914 5140、6140 狹縫 6020 遮蔽電壓連接墊 620 連接件 34 1363240 7020 輔助電壓連接墊 A ΝΑ m、Η3、Η， 畫素區 非顯示區 接觸洞

35

Claims (1)

1363240 第097111774號發明專利申請案 申請專利範圍q換本（101年]J1 9 1¾- • · W年時鱗縣 十、申請專利範圍： 1. 一種主動陣列基板，該主動陣列基板適用於一液晶顯示面 板，該液晶顯示面板包含該主動陣列基板、一電極基板及 一液晶層，該電極基板包含一共通電極，該共通電極用以 接收一共通電壓，該液晶層包含複數液晶分子及複數離 子，該主動陣列基板包含： 一基底； 複數掃描線，設置於該基底上； 複數資料線，與該等掃描線垂直； 複數畫素電極； 複數主動元件，各該主動元件對應至該等掃描線其中 之一、該等資料線其中之一及該等晝素電極其中之一，各 該主動元件分別與相對應之該掃描線、該資料線及該畫素 電極電性連接以界定一畫素區以及一非顯示區；以及 至少一辅助電極，設置於該基底上，並位於該非顯示 區内，該至少一輔助電極用以接收一輔助電壓，其中該輔 助電壓係為-30伏特至30伏特，該輔助電壓與該共通電 壓之差值之絕對值係小於該等液晶分子之一起始電壓，俾 該等離子之一預定比例係位於一非顯示區内。 2. 如請求項1所述之主動陣列基板，其中該至少一輔助電極 與該畫素電極係彼此絕緣且設置於同一層。 3. 如請求項2所述之主動陣列基板，其中該至少一輔助電極. 36 1363340-- M 月今日修正替換ΚI 第()97丨丨丨774號發明專利申請案- _：_ . J 申請專利範圍替換本（101年3月9曰） 之形狀係為一環狀、一條狀、一 U字狀及一门字狀其中 之一。 4. 如請求項_2所述之主動陣列基板，更包含： . · . · - 一電容電極，設置於該基底上，該電容電極用以接收 一電容電壓，其中該電容電壓係為-30伏特至30伏特。 5. 如請求項1所述之主動陣列基板，更包含： 一電容電極，設置於該基底上，其中該電容電極係與 該至少一輔助電極電性連接》 6. 如請求項1所述之主動陣列基板，更包含： 一電容電極，設置於該基底上，其中該電容電極與該 至少一輔助電極係彼此絕緣且設置於同一層。 7. 如請求項1所述之主動陣列基板，其中該至少一輔助電極 與該等掃描線其中之一電性連接。 8. 如請求項1所述之主動陣列基板，其中該至少一輔助電極 與該等掃描線彼此絕緣，且設置於同一層。 9. 一種電極基板，該電極基板適用於一液晶顯示面板，該液 晶顯示面板包含一主動陣列基板、該電極基板及一液晶 層，該主動陣列基板包含至少一輔助電極，該至少一輔助 電極用以接收一輔助電壓，該液晶層包含複數液晶分子及 複數離子，該電極基板包含： 一基底，具有複數畫素區域，各該畫素區域具有一畫 素寬度；以及 37 部；月1日修正替換頁 1363240 Γ I 第0971丨丨774號發明專利申請g : 申請專利範圍替換本（101年3^*07 一共通電極，設置於該基底上，用以接收一共通電 • · · · 壓，該共通電極具有複數狹缝，其十各該狹縫之一寬度係 為該畫素寬度之1/20倍至1/5倍，該.輔助電壓與該共通 電壓之差值之絕對值係小於該等液晶分子之一起始電 壓，俾該等離子之一預定比例係位於一非顯示區内。 10. 如請求項9所述之電極基板，更包含複數彩色濾光層，設 置於該基底以及該共通電極之間。 11. 如請求項9所述之電極基板，其中該狹縫之形狀係為一環 狀、一條狀、一 U字狀及一门字狀其中之一。 12. —種電極基板，該電極基板適用於一液晶顯示面板，該液 晶顯示面板包含一主動陣列基板、該電極基板及一液晶 層，該主動陣列基板包含至少一輔助電極，該至少一輔助 電極用以接收一輔助電壓，該液晶層包含複數液晶分子及 複數離子，該電極基板包含： 一基底； 一共通電極，設置於該基底上，用以接收一共通電 壓；以及 複數遮蔽結構，設置於該基底上，並分隔該共通電極 為複數區塊，其中該等遮蔽結構之一電壓係為-30伏特至 3 0伏特，該輔助電壓與該共通電壓之差值之絕對值係小 於該等液晶分子之一起始電壓，俾該等離子之一預定比例 係位於一非顯示區内。 38 第097111774號發明專利申請案 申請專利範圍替換本（丨〇1年3月9曰） 13. 如請求項12所述之電極基板，更包含： 複數彩色滤光層，設置於該基底以及該共通電極之 間。 • · . 14. 如請求項12所述之電極基板，其中該等遮蔽結構之材料 包含金屬及不透明導電材料其中之一或其組合。 15. 如請求項14所述之電極基板，其中該金屬包含鉻、鉻合 金及不透明導電金屬其中之一或其組合。 16. 如請求項12所述之電極基板，其中該基底具有複數晝素 區域，各該晝素區域具有一畫素長度及一晝素寬度，各該 遮蔽結構之一長度係為該畫素長度之1/20倍至1倍、各 該遮蔽結構之一寬度係為該畫素寬度之1/20倍至1倍， 以及各遮蔽結構之一厚度係為0.01微米至5微米。 17. 如請求項12所述之電極基板，該等遮蔽結構之該電壓與 該共通電壓之一差值之絕對值係為2伏特與20伏特。 18. —種液晶顯示面板，包含： 一主動陣列基板，包含： 一基底； 複數掃描線，設置於該基底上； 複數資料線，且與該等掃描線垂直； 複數晝素電極；以及 複數主動元件，各該主動元件對應至該等掃描 線其中之一、該等資料線其中之一及該等晝素電極 39 ^ 铲。乃日正替秘六 第097丨11774號發明專利由 申請專利範圍替換本（丨〇丨年.3月9曰） 其中之一’各該主動元件分別與相對應之該掃描 線、該資料線及該畫素電極電性連接以界定一畫素 區以及一非顯示區； .* * * · 至少一輔助電極，設置於該主動陣列基板之該 基底上，並位於該非顯示區内，該至少一輔助電極 用以接收一輔助電壓； 一電極基板，包含： 一基底；以及 一共通電極，設置於該電極基板之該基底上， 用以接收一共通電壓；以及 一液晶層，設置於該主動陣列基板以及該電極基板之 間，包含： 複數液晶分子’具有一起始電壓以及一飽合電 壓；以及 複數離子； 其中，該辅助電壓與該共通電壓之差值之絕對 值係小於該等液晶分子之一起始電壓，俾該等離子 之一預定比例係位於該非顯示區内。 19.如請求項18所述之液晶顯示面板’其中該輔助電壓與該 共通電壓之差值之絕對值係大於該些液晶分子之該飽合 •電壓^ 20·如請求項18所述之液晶顯示面板’其中該等液晶分子係 40

第0971丨丨774號發明專利申請案 申請專利範圍替換本（10丨年3月9曰） 為垂直配向型（Vertical alignment，VA)液晶、扭轉向列型 (Twisted Nematic，TN)液晶以及電控複折射型（Electrical Control Birefringence，Ecb)液晶其中之一。 21.如請求項18所述之液晶顯示面板，其中該等離子係為陽 離子、陰離子以及帶電離子團其中之一。 如。月求項18所述之液晶顯示面板，其中該輔助電壓係為 -30伏特至3〇伏特。 23·如請求項22所述之液晶顯示面板，其中該至少一輔助電 極與該等晝素電極係彼此絕緣且設置於同一層。 24·如請求項23所述之液晶顯示面板，其中該至少一輔助電 極之形狀係為一環狀、一條狀、一 U字狀及一门字狀其 中之一。 25.如請求項23所述之液晶顯示面板，其中該主動陣列基板 更包含： 一電容電極，設置於該主動陣列基板之該基底上，該 電谷電極用以接收一電容電壓，其中該電容電壓係為-30 伏特至30伏特。 .如呀求項22所述之液晶顯示面板，其中該主動陣列基板 更包含： 〜電容電極，設置於該主動陣列基板之該基底上，其 中該電容電極係與該至少一輔助電極電性連接。 27 I .如切求項22所述之液晶顯示面板，其中該主動陣列基板 41 1363240 第097111774號發明專利申Π: 申請專利範圍替換本（ίο〗 ψτπτπι μ月f日修正替 潔 _] 28. 29. 30. 31. 32. 33. 更包含： 一電容電極，設置於該主動陣列基板之該基底上，其 中該電容電極與該至少一輔助電極係彼此絕緣且設置於 同一層。 如請求項22所述之液晶顯示面板，其中該至少一輔助電 極係與該等掃描線其中之一電性連接。 如請求項22所述之液晶顯示面板，其中該至少一輔助電 極係與該等掃描線彼此絕緣，且設置於同一層。 如請求項18所述之液晶顯示面板，其中該電極基板之該 基底具有複數畫素區域，各該畫素區域具有一畫素寬度， 該共通電極具有複數狹缝，各該狹縫之一寬度係為該畫素 寬度之1/20倍至1/5倍。 如請求項30所述之液晶顯示面板，其中該電極基板更包 含複數彩色濾光層，設置於該電極基板之該基底以及該共 通電極之間。 如請求項30所述之液晶顯示面板，其中該狹縫之形狀係 為一環狀、一條狀、一 U字狀及一门字狀其中之一。 如請求項18所述之液晶顯示面板，其中該電極基板更包 含： 複數遮紅結構，設置於該基底上’並分隔該共通電極 為複數區塊，其中該等遮蔽結構之一電壓係為-30伏特至 30伏特。 42

第09711丨774號發明專利申請案 申請專利範圍替換本（101年3月9曰） 34. 如請求項33所述之液晶顯示面板，其中該電極基板更包 .含： • · · ·. 複數彩色滤光層’設置於該基底以及該共通電極之 • . · ♦ - . · 間。 35. 如請求項33所述之液晶顯示面板，其中該等遮蔽結構之 材料包含金屬或不透明導電材料其中之一或其組合。 36. 如請求項35所述之液晶顯示面板，其中該金屬包含鉻、 鉻合金及不透明導電金屬其中之一或其組合。 37. 如請求項33所述之液晶顯示面板，其中該電極基板之該 基底具有複數畫素區域，各該畫素區域具有一畫素長度及 一畫素寬度，各該遮蔽結構之一長度係為該晝素長度之 1/20倍至1倍、各該遮蔽結構之一寬度係為該晝素寬度 之1/20倍至1倍，以及各該遮蔽結構之一厚度係為0.01 微米至5微米。 38. 如請求項33所述之液晶顯示面板，其中該主動陣列基板 更包括一遮蔽電壓連接墊，該等遮蔽結構係與該遮蔽電壓 連接墊電性連接。 39. 如請求項38所述之液晶顯示面板，更包含： 一連接件，設置於該主動陣列基板以及該電極基板之 間，用以連接該等遮蔽結構以及該遮蔽電壓連接墊。 40. —種液晶顯示态板，包含： 一主動陣列基板，包含： • 43 络 [。卜-4 1.3终.ΐ替換1 第_〇97丨丨丨774號發明專利申^案 ·曰俠J 申請專利範圍替換本（丨〇卜年3^9_日y — . * 一基底； 複數掃描線，設置於該基底上； 複數貧料線，且與等掃描線垂直； 複數畫素電極；以及 複數主動元件，各該主動元件對應至該等掃描 線其中之-、料資㈣以之―及料畫素電極 其中之一，各該主動元件分別與相對應之該掃描 線、該資料線及該畫素電極電性連接以界定一晝素 區以及一非顯示區； 至少一辅助電極，設置於該主動陣列基板之該基底 上，並位於該非顯示區内，該至少一辅助電極用以接收一 辅助電壓； 一電極基板，包含： 一基底；以及 一共通電極，設置於該電極基板之該基底上， 該共通電極用以接收一共通電壓；以及 —液晶層，位於該主動陣列基板以及該電極基板之 間’包含： 複數液晶分子；以及 . 複數離子； 其中’該輔助電壓與該共通電壓之差值之絕對 值係小於該等液晶分子之一起始電壓，俾該等離子 44

第097丨1丨774號發明專利申請案 申請專利範圍替換本（丨〇1年3月9曰） 之一預定比例係位於該非顯示區内。 41. 如請求項40所述之液晶顯示面板，其中該輔助電壓與該 共通電壓之差值之絕對值係不大於1伏特。 42. 如請求項40所述之液晶顯示面板，其中該輔助電壓與該 共通電壓之差值之絕對值係為3伏特至20伏特。 43. 如請求項40所述之液晶顯示面板，其中該非顯示區内離 子濃度係為該顯示區内離子濃度的2倍至900倍。 45