TWI362911B - - Google Patents

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1362911 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於印刷佈線基板及其製造方法，更詳細地說， *係_|絕緣_膜與銅被膜層之間採用乾式鍍敷法依序 •形成蝕刻性良好的金屬層與耐蝕性高的金屬層，而具有高絕 緣可罪性的印刷佈線基板及其製造方法。 【先前技術】 _ 可撓性印刷佈線基板係大致區分為：在絕緣樹脂膜上採用 .接著劑貼合作為導體層的銅箔的3層樹脂膜金屬膜積層基 板（例如’參照專利文獻1)，和在絕緣樹脂膜上以不採用 接著劑的乾式鍍敷法或濕式鍍敷法直接形成作為導體層的 銅被膜層之2層樹脂膜金屬膜積層基板。 但是，近年來伴隨著電子儀器的高密度化，係要求佈線寬 經窄節距（pitch)化的佈線基板，在上述3層樹脂膜金屬膜 ®積層基板的製造中，將在絕緣樹脂膜上形成的銅被膜層，按 照所希望的佈線圖案利用蝕刻形成導體佈線部，但該導體佈 線部的侧面產生被過度蝕刻的所謂側蝕，結果產生佈線部的 斷面形狀易變成下部寬大之梯形的問題。 因此，為了解決該問題，以2層樹脂膜金屬膜積層基板代 替原來的貼合銅箔（3層樹脂膜金屬膜積層基板）現已成為 主流。 該2層樹脂膜金屬膜積層基板係在絕緣樹脂膜上形成均 098117258 3 1362911 勻厚度的銅被覆層，作為其手段，通常係採用電鍍法。而且， 為了進行電鍍，一般是在電鍍形成前，在絕緣樹脂膜上形成 薄的金屬層而對整個表面賦予導電性，姐於其上進行電鑛 (例如，參照專利文獻2)。另外，在絕緣樹脂膜上形成之 薄金屬層，係採用真空蒸鑛法、離子鍍法等乾式鑛敷法來形 成。 如此，絕緣樹脂膜與銅被覆層的密合性係當在其界面形成 CuO或CuA等脆弱層時變得非常弱，所以，為了保持對印刷 佈線板所要求的與銅被膜層的密合強度，在絕緣樹脂膜與銅 被覆層之間，作為基底金屬層係設置鎳一絡合金層（參照專 利文獻3)。之後，把基底金屬層與銅被膜層構成的積層體 作為金屬膜。 2層樹脂膜金屬膜積層基板的佈線圖案係可採用減去法 (subtractive Process)而形成。該減去法係指把樹脂膜 金屬膜積層基板的金屬膜不需要部分利用化學餘刻處理加 以除去，以製造印刷佈線基板的製造方法。 該化學關處理係由採用化學關液把不需要的金屬膜 進行侵齡用崎去化學㈣㈣水洗所構成，在化學餘刻 處理時’-般係將彳t學細j液或水制淋浴法等進行喷射， 或在化學蝕刻液等中浸漬而進行。 '、， 與銅被膜詹的餘刻對應的化學餘刻液係例如有氣化鐵 (FeCl3.2H2〇)水溶液、鹽酸酸性氯化銅水 098117258 丄观911 公液進行使用此等物質的化學蝕刻處理，可形成導體佈線。 採用此等化學钱刻液的化學姓刻法中，作為基底金屬層， 右從耐餘性的觀點看，當制鉻含量高的錄—鉻合金時化 學钱刻不能充分進行，在導體佈線邊緣、導體佈線間會殘留 基底金屬層，產生作為_殘渣的金屬殘渣，有時無法得到 充分的蝕刻成果。 另外，作為絕緣可靠性方面的問題點，在絕緣可靠性的指 I中係可實施恒溫恒濕偏流試驗（以下有時稱作hhbt試 驗：High Temperature High Humidity 以狀仏犲）等。產 生上述蝕刻殘渣的基板或採用鉻含量低的基底金屬層的可 換性印刷佈線基板，在臓T試驗中明確顯示絕緣可靠性不 充分。 即將具有含絡量咼的基底金屬層的2層樹脂膜金屬膜積 層基板進行上述化學蝕刻處理時，當鎳—鉻合金等基底金屬 層由於蝕刻不足而殘留之情況，若進行HHBT試驗，相鄰的 導體倚線會因㈤線間殘留的基底金屬層成分構成的金屬殘 谨而產生短路的問題。 另一方面’具有含絡量低的基底金屬層之2層樹脂膜金屬 膜積層基板中’雖無蝕刻殘渣發生，但由於不能確保基底金 屬層的耐餘性’故不能確保HHBT試驗中的絕緣可靠性。因 此’對基底金屬層要求姓刻性及耐儀性的相反特性。 於是’作為實現絕緣可靠性的手段之一，必須把上述導體 098117258 1362911 饰線間殘留的钱刻殘潰除去，而作為相關的$缺點的改正辦 法，例如於專利文獻4中提出：採用屬於對應於銅被膜的化 學蝕刻液之氣化鐵溶液或鹽酸酸性氣化銅溶液進行蝕刻處 理後，併用含鹽酸的酸性蝕刻液、過錳酸鉀溶液等鹼性蝕刻 液的1種或2種以上進行處理，藉以溶解佈線間的蝕刻殘渣。 另外，專利文獻5中提出：將饰線間的钱刻殘渣利用含鹽 酸與硫酸的溶液進行化學蝕刻，並於過錳酸鉀與氫氧化鉀= 氫氧化鈉的混合液中進行浸潰處理。 此外，專利文獻6中提出：將佈線間的㈣殘潰利用含鹽 酸的酸性化學蝕刻液予以溶解，進一步利用含鐵氰化鉀或過 锰酸鹽的驗性_液進行處理。當使用含鐵氰化奸或過猛酸 鹽的鹼性蝕刻液之情況，係可採用銅佈線的侧蝕少的方法， 將佈線間殘留的鎳鉻合金或鎳鉻鉬合金予以除去。 [專利文獻1]曰本專利特開平6一 132628號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8_ 139448號公報 [專利文獻3]日本專利特開平6_ 12〇63〇號公報 [專利文獻4]日本專利特開2〇〇5_2334〇號公報 [專利文獻5]日本專利第3888587號 [專利文獻6]曰本專利特開2〇〇8_2815〇號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 但是，最近料撓性_佈線基㈣特著伴隨佈線圖案 098117258 1362911 的更加高密度化之佈料節距化，又，伴隨著高性能化，要 求在高電壓下使用，其結果’所用之印刷佈線基板的絕緣可 靠性變得4要為了耐高電壓，對基底金屬層係要求更高 的耐蚀性。 因此’從而條性的觀點考慮，可見設置錄—絡合金的絡含 量高的基底層關向’結果是因為化學_處㈣在導體佈 線間有基底金屬層成分殘留的_殘潰之發生有增高的傾 向。 又’在將習知2層樹脂膜金屬_層基板減去法而形 成導體佈線_時’由於採錢化鐵水溶液或_酸性氣化 銅水溶液的1種化學Μ難進行_處理，故為了除去餘刻 殘渣而增加新祕職理步驟，必須_地導人設備，會有 設備成本及液體管理成本增大的問題以及因步驟増加而導 致生產效率降低之虞。 本發明是為了解料等問題*提出者，其目料提供在使 用乾式鍵敷献電料的可撓科刷佈線基板之製造中，在 絕緣樹脂賴至少單面上形餘底金制，並於該基底金屬 層上形成銅被闕時，在導體佈_成時具有高_性的印 刷佈線基板及其1造方法，具如言雜用氣化鐵水溶液或 Γ酸性氣化銅水溶液進⑽刻時，在導體佈線間殘留的基 底金屬層成分的_衫少，對導體佈制施加高電屋時， 兼具有高的觀可靠性及耐韻性。 098117258 1362911 (解決問題之手段） 有鑑於上述狀況，本發明人進行悉心研究，結果發現，藉 由在絕緣樹脂膜的單面或兩面上不介隔接著劑地積層金屬 層B、金屬層C、銅被膜層D，可以實現確保絕緣可靠性與 兼具耐蝕性的印刷佈線基板。 本發明的第1發明係一種印刷佈線基板，係藉由化學蝕刻 處理，選擇性崎去不介隔接㈣㈣金層在絕緣樹 脂膜A的至少一個表面上所成的樹脂膜金屬膜積層基板之 上述金屬膜的不需要部分，而形成導體佈線者，其特徵在 於’構成上述導體佈線的金屬膜包括：在上述絕緣樹脂膜a 的表面上積層的金屬層B，該金屬層B由鎳或者含7〇質量％ 以上的鎳和未滿15質量％的鉻之鎳—鉻合金構成；在上述金 屬層B的表面積層的金屬層c，該金屬層c包含含鎳、含鉻 15質量％以上的合金；以及在上述金屬層^的表面積層之膜 厚ΙΟηηι〜35/ζηι的銅被膜層D ;僅使用蝕刻上述銅被膜層d 的化學侧液，以選擇性地除去上述金屬朗不需要部分。 本發明的第2發明係於第i發明的印刷佈線基板中，對包 含依序積層有上述金屬層B、金屬層c及銅被_ D的上述 金屬膜之導體佈線，採用氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化鋼水 溶液進行化學蝕刻處理後，在上述絕緣樹脂膜A上殘留的金 屬的殘潰量’於上述絕緣樹脂膜A的每單位面積係為〇.i3 // g/cm2 以下。 098117258 8 丄 jcuyil 广發明係於第1發明或第2發明的印刷佈線基板中，上 暂 1屬層B含有飢13質量％以下、銾8質量％以下 '翻扣 t以1Γ ’⑽量⑽或者含7Q質她上_和未滿15 里％祕之錄-鉻合金與i質量％以下的不可避免雜質構 成其膜厚為3〜2〇ηιη。 第4發明係於第1發明至篦3發明由& 中任—項所述的印刷佈 板中’上述金屬以係含鉻15質量％以上、鎳〇 〇1〜 ^質量％’ i質量％以下的不可避免雜質所構成之合金 ^15質量％以上、鎳〜奶質量％、銦_〜40質量^ \質量％以下的不可避免雜質所構成之合金，膜厚5〜37nm°， 或膜厚5nm以上且與金屬層B合計在4〇nm以下。 第5發明係於第1發明至第3發明中任-項所述的印刷佈 線基板中，上述化學蝕刻液不含錳及氰化物。 第6發明係於第1發明至第3發明中任—項所述的印刷佈 線基板中，上述化學蝕刻液為氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化 銅水溶液。 第7發明係於第1發明或第2發明的印刷佈線基板中，上 述絕緣Μ脂膜A係選自聚醯亞胺系膳、聚醯胺系膜、聚酯系 膜聚四氟乙婦系膜、聚苯硫峻系膜、聚萘二甲酸乙二略系 膜、液晶聚合物系膜之至少1m的樹脂膜。 第8發月係一種印刷佈線基板之製造方法係藉由化學麵 刻，選擇性地除去不介隔接著劑而將金屬臈積層在絕緣樹月旨 098117258 1362911

膜 A j的至少一個表面上所成的樹脂膜金屬膜積層基板之上 述金屬膜的不需要部分，而形成導體佈線者，其特徵在於， 4樹脂膜金伽制基㈣町述方式形成：在上述絕緣 A的表面上’制乾式魏法形成鎳或以鎳作為主成 =的金屬層B，錢’在上述金屬層B的表面，採用乾式鐘 ，成以含15質量％以上的絡及鎳而成的合金、或含 質夏%以上的鉻、鎳及鉬而成的合金所構成的金屬層c後， 在上述金屬層c的表面形成由轉1Gnm〜35_的鋼被膜層 積層而紅金屬膜，將上述金相採们種_液進行選 擇性地除去，形成導體佈線。 第9發明係於第8發明的印刷佈線基板之製造方法中，上 述化學蝕刻液不含錳及氰化物。 第10發明係於第8發明的印刷佈線基板之製造方法中， 上=學_液為氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化鋼水溶液。 ^發明係於第8發_印刷佈線基板之製造方 述鋼被膜層D係於以乾式鍍數法形成的鋼 電錢法而形成銅層。 上’採用 毛明係於第8發明或第U發明 之製造方法中，上述乾式鍵敷法^刷佈線a 子鍍法之任-種。 為真空錢法、機鍍法! (發明效果）

與铜被膜層D 本發明的印刷佈線基板係在絕緣樹脂膜a 098117258 丄

-置3鉻15質量％以上的金屬層C，因而具有優 #性，同時 J 旦 在絕緣樹脂膜A與金屬層C之間配置包含鉻含 , 里％的合金的金屬層B，藉此，金屬膜可採用1 緣可12刻液無殘渣地除去’可大幅確保印刷佈線基板的絕 ’其工業利用價值極高。 【實施方式】 本發明的印刷佈線基板是在2層樹脂膜金屬膜積層基板 、下稱作樹脂獏金屬膜積層基板）上，實施採用減去法或 半加成法所進行的力σ JL而製造。 •樹脂膜金屬犋積層基板 本發明的印刷佈線基板中使用的樹脂膜金屬膜積層體係 在絕緣樹脂膜Α的至少1個面上，不介隔接著劑地形成依序 積層有金屬層B、金屬層c及銅被膜層D的金屬膜。 ffi 1 的印刷佈線基板巾使用之樹脂膜金屬膜 積層體的斷面。金屬層B及金屬Μ係相當於2層樹脂膜金 屬膜積層基板的基底金屬層。又，職賴金屬膜積層體係

絕緣樹脂膜Α與各金屬居mΒ 1 L 屬層積層而成，由於不存在接著劑層， 故相當於2層樹賴金•積層基板。 以下針對本發明的樹㈣金屬膜積層基板之各構成要素 加以詳細說明。 (金屬層B) 金屬層B係在絕緣樹_ A的表面上不介隔接著劑地積 098117258 11 1362911 層’包含含鎳或含鎳70質量%以上、鉻未滿15質量%的合金。 ^。屬曰β的鉻含量較佳為14. 5質量％以下，更佳為14質 ^ 田鉻含1為15質量％以上時，無法通過採用氯化 鐵尺’合液或邀酸酸性氣化銅水溶液所it行的化學#刻來除 去金屬層B ’不祕制緣可靠性。 又金屬層B可含有鈒13質量％以下、鈦8質量％以下、 鉬20質量％以下。 * 鈦、鉬的含有，既可將所選擇的丨種元素添加至 屬曰也可添加多種元素。即，金屬層β可以是包含鎳 與選自鈒、軚、_ 1種元素的合金，也可以是包含錄與選 自鈒欽自的2種以上元素的合金。另外，可以是包含錄 二絡乂及選自鈒、鈦、10的1種元素的合金，也可以是包 3鎳絡、及選自鈒、欽、銦的2種以上元素的合金。 二二鉬的各元素可提高金屬層Β的耐蝕性，當為釩 里0以下、鈦8質量⑽下、翻20質量％以下的含量時， 匕織水溶液或鹽酸酸性氣化銅水錢所進行的餘 / ν 不會產生金屬層β的殘渣。另外，去 的添加兀素僅由 ，在採用氣 膝曰 φ, ^ ^ 吸或鹽酸酸性 亂化銅水各液所進错刻步驟中 渣。 產生金屬層B的殘 如此’金屬層B中為了提高耐熱性及耐蝕性，· 可以與目的 特性一致地適當添加過渡金屬元素。另外，全 &屬層B中除該 098117258 12 1362911 等口金以外，亦可存在有製造目標物時進人等而含 質量％以下的不可避免的雜質。 ， 金屬層B的形成方法，可採用公知的蒸鑛法、鱗法、離 子鍍法，特別是麟法，因為可；^起較佳的組成成分之合 金發生組成變動而形成，因此較佳。 σ 當金屬層Β的膜厚小於3nm時，導體佈線加工時採 鐵水溶液或輕酸㈣化銅水溶_猜的化學飿刻中 屬層C與金屬層B均未被溶解㈣时導體佈線間。 =認為是由於金屬層B未以完整卿式形成，局部心 樹月曰膜A上直接形成金屬層c，或金屬層c與金屬層b 一起 溶解的現象不易發生，而當考慮導體佈線加工心 時，金屬層B儘可能薄為宜。當膜厚大於2Q⑽， =電麈時’金屬層B的成分逐漸溶出， 的原因。 崎个艮 另外’金屬層B的膜厚可從形成條件推定，例如，已知採 用U4’根據向》麟陰極投人的電力及藏鍍時带成 條件，臈厚係呈直線變化，可從條件求出金屬層膜^ (金屬層C) 膜知 金屬層C係在絕緣樹脂膜A上的金屬層B的表 接著劑而形成。 不；|1^ 金屬層C 15質量％時， 是以鎳與鉻作為主成分的合金，聽含量未滿 佈線加工後的耐餘性不能充分保持，由於金屬 098117258 1362911 層C或銅的溶出而使絕緣可靠性降低。另一 大於70質量％時，鉻有可能在晶粒邊界析出方=盖當鉻含量 外，當金屬層C僅由Cr構成時，由於會因料而 致对酸性降低，所以若經過*刻步驟及鍍敷步驟，2 ’導 緣可靠性之下降，故較佳為15〜7〇質量％。 a 1^成絕 另外，金屬層C的鎳含量，在確保鉻含量之扩日 0.01〜85質量％為宜。 別提下’以 另外，在金屬層C中亦可含質量％之鉬 當然係將錄、絡及不可避免的雜質的含量加起來Y此時， 質量％。 A調整至1〇〇 鉬也具有提兩耐蝕性的效果，當鉬含量超過質每 耐熱剝離強度有極端降低的傾向，因此是不佳的。里°/°時， 當金屬層C的膜厚未滿5nm時，不能確保對銅的阻_ 絕緣可靠性降低。又，當金屬層B與金屬層且隔性’ 於40 nm時，膜的應力變高，產生細裂紋及翹曲，a a岑大 可能降低，金屬層B與金屬層C的合計膜厚較佳強度 以下。 nm 已知 另外，金屬層C的膜厚，可從形成條件求出，例如 採用機鍍法時’根據向濺鍍陰極施加的電力、濺錄 件’膜厚呈直線變化’能夠從該條件求出膜厚。 等條 (銅被膜層D) 其次’銅被膜層D在形成較薄的銅被膜層之情況係採用 098117258 14 1362911 式鍍敷法形成。另一方面，也可在採用乾式鑛敷法形成薄的 銅被膜層後，在該薄的銅被膜層上採用濕式鍍敷法，積層較 具厚度的銅被膜層而形成。 該銅被膜層的膜厚較佳為10nm〜35#m的厚度，當膜厚未 滿10nm，佈線部的導電性易產生問題，戒有可能出現強度 上的問題。另一方面，若膜厚超過35//m而變厚，會有產生 細裂紋及翹曲等而使密合強度降低之情況，是不佳的。 採用乾式鍍敷法形成銅被膜層後，在該銅被膜層上採用濕 式鍍敷法積層較厚的銅被膜層而形成時，可以採用乾式鍍敷 法形成膜厚1Gnm〜1/zm左右的銅被膜層後，制濕式鑛敷 法進订積層，直到成為所希望膜厚的銅被膜層或導體佈線。 (絕緣樹脂膜） 絕緣樹脂膜係選自聚廳亞胺系膜、聚酿胺系膜、聚對苯二 甲酸乙二輯（PET)及聚萘二甲酸乙二醋等聚㈣膜、聚四 氟乙婦系膜、聚苯硫㈣、膜、聚萘二甲H系膜或液晶 聚合物系_絕緣樹脂膜，可考慮耐熱性、介電體特性、電 絕緣性及印刷佈線基板的製造步驟及後續㈣的耐藥品性 等，根據用途適當選擇。 例如聚酿亞胺系膜係有東麗· Dup〇nt (股）製之⑽on (註冊商標）、宇部興產（股）製之UPILEX (註册商標）、 鐘淵化學工業（股）製之ApiCAL (註册商標）、東洋纺⑻ 製之漏（註冊商標）#。另外，作為屬於芳香族聚醯胺 098117258 15 ^62911 系膜的芳醯胺系膜，有 备，A 啕果麗（股）製之Mictron(註冊商標）、 市人 AdVanced Film ( 、奴）I之Aramika (註冊商標）等。 另卜本發明的印刷佈線基板，除了於絕緣樹脂膜 A的單 域有導體佈線的印刷佈線基板外，也可以採用在絕緣 >、A的兩面上形成有導體佈線的印刷佈線基板。另外， α積層夕個本發明的印刷佈線基板用作多層印刷佈線基 板0 (金屬的殘潰量） 其次’對絕緣樹脂膜Α上殘留的金屬殘渣量進行說明。 匕佈線間殘留包含金屬原子的層在刪τ試驗中，會成 為伴隨著佈制的經時鱗，並使崎可靠性大幅降低的原 因。已知亦有偏向局部殘留的部分’而絕緣樹賴的全部表 由1層金屬原子覆蓋時的金屬殘渣量，係相當於約〇.工5 U g/cm2 ° 在此，為了瞭解錦-鉻合金中的鉻含量與絕緣樹脂臈上的 殘&里的關係’求出在經預先乾燥除去水分的絕緣樹脂膜 (聚醯亞胺膜）上利用濺鍍形成鎳—鉻合金（相當於金屬層 B或金屬層C)’接著把採用濺鍍及電鍍而形成有銅被膜層的 基板，用氣化鐵溶液進行飯刻，此時的錄—鉻合金中的鉻濃 度與聚醯亞胺膜上殘留的鎳—鉻合金層的成分的合計，亦即 與蝕刻殘渣量合計的關係。其結果示於圖2。 在圖2中，若鉻含量為15質量％，當對絕緣樹脂膜的蝕刻 098117258 1362911 殘渣量多時，絕緣樹脂膜每lcm2為〇.15/zg/ cm2，該值係 如上所述，相當於絕緣樹脂膜的全部表面被包含丨層的金屬 原子覆蓋的量，實際上，亦有偏向局部殘留的部分，若在佈 線間殘留包含金屬原子的層，在HHBT試驗中，隨著佈線間 的經時短路’會使絕緣可靠性大幅降低。

特別是為了形成數十#m節距的高精細佈線，要求把不需 要部分的金屬膜餘刻除去’若將絕緣樹脂膜的表面上形成有 财餘f生tBJ的鉻3$ 15質量上的金屬膜之樹脂膜金屬膜 積層基板，使用氯化鐵水溶液進行化學蝴處理而加工成印 刷佈線基板’雖除去不需要的金屬膜而使絕緣樹脂膜A之表 面目視上為露出’但由於佈線間㈣1層以上金屬的原子 層，故無法得到充分的絕緣可靠性。 反之田、、邑緣树脂臈的表面上設置鉻含量未滿15質量％ 的金屬層並在該金屬層上設置絡含量多的金屬層時，即使 僅使用作為_鋼的化學侧液之氣化鐵水溶液或鹽酸酸 =氯化銅，液，也可以利用化學银刻處理崎去不需要部 =絡3里夕的金屬層°相反地’當在絕緣樹脂膜上設置路 白3里15 以上的金屬層，並在該金屬層上設置絡含量少 、勺金屬層時，僅使用氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化銅水溶 液=不月b除去不需要部分的鉻含量為15質量％以上的金屬 層，右不制騎酸鉀或職化料含㈣氰的化學餘刻液 時則、除去困難。 098117258 17 1362911 為此本發明的印刷伟線基板中 ，將包含金屬層B、金屬 層C及銅被膜層D 金屬 餘刻後在絕、倾料體佈線使㈣化鐵水溶液進行 A的每單位面針Γη的金制渣量，於絕緣樹月旨膜 為〇.13从_2以下、更佳為0.10/zg/cm2 導體佈去積層有金屬層B、金屬層e及銅被膜層D的 :杏:、、、邑緣樹脂膜A的表面露出，同時蚀刻所致的金屬 殘渣也呈現在锅续如幻隹屬 的絕緣樹脂膜/上^ 表^藉由測定出其表面露出 、％㈣金屬量’可以求出則後的金屬殘 渣篁，因此’可以推定絕緣可靠性。 定。'’im上殘留的金屬殘潰量係用下列方法進行測 佈線基板的導體佈線以氣化鐵水驗或鹽酸酸性 ^樹:溶液進行化學侧處理而除去不需要的部分，使絕 :,θ、A的表面露出，根據需要進行洗淨或後處理。盆 次’將經除去導體佈線的印刷佈線基板的表層部，亦即露^ H緣樹㈣A之表層部上所殘留的金屬成分溶解，得到殘 留金屬成分的溶解液。 在該殘留金屬成分的溶解t採用酸，但在金屬成分定量分 =時，不能使用含有妨礙檢剛光譜的成分的酸。例如，為了 合易公解Nl、Cu、Mq、Ta、Tl、v、以、以、C◦等殘留金屬， 鹽酸是有_，㈣酸⑽檢難譜，村㈣礙上述金 098117258 1362911 屬成分的微小的檢測光譜，因此是不佳的。另外，硝酸雖不 妨礙上述檢測光譜，但以硝酸溶解後，在絕緣膜側易發生金 屬成分的殘留，作為溶解液是不適合的。 因此，本發明中，為了蝕刻後的絕緣樹脂膜的表層部中殘 留之金屬成分的溶解，係使用硝酸7〇〜9〇%與過氧化氫1〇 〜30%所構成的溶液’採賴波分解裝置進行溶解處理。利

用該方法’定f分析時不妨礙檢測光譜，並且可完全溶解絕 緣膜上殘留的全部金屬成分。 另外，藉由採用該微波分解裝置，係與採用熱板等進行間 接加熱時列，由於崎波直接加熱朗容器⑽酸，故向 外部、沒漏的熱少，且來自外部的污染也變少。因此，殘留金 屬成分可在辦_以少量酸分解，故試料的分解及測定時 間約5〜6小時左右，可極快地進行評估。 將如此得到的溶解液的金屬成分予以定量分析。作為分析 ^並未特別限定，採用可定量微量金屬成分的介電結合電 水離子源質量分析裝置（下面有時稱作ICP-MS)為佳。 (化學蝕刻液） 風本& $中使用的化學#刻液係對銅被膜層進行勉刻的 '^刻液’較㈣氣化鐵水溶液或賊酸性氣化銅水溶液 ^~f'm h 、 ^學蝕刻液。氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化銅水 =將鋼氣化進行侧，同時，在本發明的金屬膜的積層 構中除去金屬層B及金屬層C。 098117258 1362911 * 一般，就耐蝕性的觀點而言，於將在絕緣樹脂膜的表面上 «λ置有鉻含量高的鎳—鉻合金的基底金屬層（本發明尹的金 屬，C)的樹脂膜金屬膜積層體，使用對銅被膜層進行蝕刻 的氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進行化學蝕刻處 理而製造印刷佈線基板時，由於基底金屬層的不需要部分未 元全蝕刻除去而殘留，有時成為蝕刻所致的金屬殘渣。

特別是當基底金屬層的鉻含量在15質量％以上時，有時可 顯著看賴_朗金錢㈣赵賴表面以 0.1〜數rim之厚度殘留著基底金屬層成分，為了將其除去， 必須採用能溶解該金屬殘_鐵氰化卸水溶液或驗性過猛 酸鹽水溶料的轉處理。又，基底金屬層村制氣化鐵 水溶液使麵化之情況，此縣底金屬層的鈍化係成為钱刻 中的金屬殘:¾，也成為絕緣可靠性降低的原因。

另方面’本發明的印刷佈線基板係於絕緣樹脂膜A的表 依序。又置金屬層B、金屬層c、銅被膜層D的積層結構， 鉻15質量/以上的金屬層c設置在絕緣樹脂膜a與銅被膜 層D之間在金屬層C與絕緣樹脂膜A之間，由於介隔著以 钱刻銅被膜層D的化學_液進行㈣的含鉻未滿15質量％ 的金屬層B，故僅以對應於鋼被膜層d的化學_液（例如 氣化鐵水溶液或__氣化銅水溶液）進行化學钱刻處 也可乂除去3金屬層C之金屬膜的不需要部分。 在該絕緣樹月曰膜A的表面所設置之金屬膜，由於是按金屬 098117258 20 層B、<金屬層C、銅被膜層D的順序設置的積層結構故即 使不採用鐵氰化鉀水溶液或驗性過輯鹽切液進行化與 颠刻處理’仍可除去金屬層B、金屬層c、鋼被膜層。，： =由雖然不明，但當將絕緣樹脂膜八的表面積層的順序改變 =金屬層C、金屬層B、銅被膜層D之情況，採用氯化鐵 7洛液或鹽魏性氣化銅水溶液進行化學_處理時， 生金屬層c成分的金屬殘渣。 (2)印刷佈線基板之製造方法 明 其次’對本發明的印刷佈線基板之製造方法進行詳細說 〇 樹脂膜金屬膜積層基板储由採用減去法或半加成法的 加工而製造印刷佈線基板。即，該樹㈣金相積層基板表 面的包含銅被膜層D、金屬層C及金屬層B的金屬膜，其不 需要部分係採用化學蝴等加崎去，形成導體佈線。 以下’針對採用減去法製造本發明的印刷佈線基板之情況 進打說明。所謂減去法係指將樹賴金屬膜積層基板的金屬 膜不需要部分利用化學钱刻處理等加以除去，以製造印刷饰 線基板的製造方法。 本發明的印刷佈線基板係在樹賴金屬_層基板的金 屬膜中作為導體佈線而殘留處的表面，設置抗触劑。即，抗 触劑成為佈線圖案的形狀。然後，經過採用與銅被膜層對應 的化學餘刻液之化學㈣處理、水洗，選擇性地除去金屬膜 098117258 21 i 皿 911 的不需要部分，形成導體佈線。 該選擇性地除去係可採用蝕刻銅被膜層的化學蝕刻液的 僅1種化學餘刻液來對金屬膜進行化學姓刻處理，故不需新 增^刻處理步驟’不必重新引料備，沒有設備成本、液 體管理成本及工作時間的增加。 另外，抗蝕劑可採用公知的抗蝕劑，對化學蝕刻液具有耐 又险’且形成佈線後可除去即可。抗㈣如果是在銅被膜層 D的表面用絲網印刷形成，或用照射紫外線等而硬化的感光 · 性抗钱劑即可’硬化成規定形狀等加以配置。 在本發明中’知用對銅被膜層進行餘刻的氯化鐵水溶液或 现心酸性氣化銅水溶液的任_種化學⑽液的僅—種，進行 金屬膜㈣，除S不需要的部分。氣化鐵水溶液或鹽酸酸性 乳化銅水溶㈣將崎錢行_，_在本發明的金屬膜 的積層結構巾，也具有除去金>1層B及金;I層C的作用。 如此’化學蝕刻液不採用過錳酸鉀水溶液等過錳酸鹽水溶 籲 液或鐵fUt鉀等氰化物’故在酬步驟後也不必除去猛，由 於化于侧液中不含猛及氛化物，故在實施金鍍敷步觸前的 印刷怖線基板中不含猛及氰化物，即使實施金鍍敷的印刷佈 線基板也不含有鐘。 另外，不含錳及氰化物是指作為不可避免雜質的錳及氰化 物被排除在外。 - 又’本發明的印刷佈線基板係不採用與金屬層C的蝕刻對 098117258 22 1362911 應的化學姻液進行化學姓刻處理。與金屬層c對應的化學 蝕刻液中，鹼性過錳酸鹽水溶液會除去絕緣樹脂臈a的表 -層’但由於不採祕性過紐鹽水溶液，即使金屬層c被除 ' 去，絕緣樹脂膜的表面仍未被除去。亦即’已知若將包含金 •屬層B、金屬層C及銅被膜層D的導體佈線採用氣化鐵水溶 液予以除去，將露出的絕緣樹脂膜A的表面的凹凸採用光學 輪廓加工機（optical profiler)進行測定，在測定界限以下 馨是平滑的。這意指露出的絕緣樹脂膜A的表面不能被化學钱 刻液所溶解。 形成導體佈線後的導體佈線表面上所生成的氧化物膜之 除去，可採用公知的微飯刻法，又，形成印刷佈線基板的導 體佈線後，採用銅被膜對應的化學蝕刻液以外的化學蝕刻 液，可通過下列步驟適當選擇。 其次’麟用半加成法製造本發明的印刷佈線基板之情況 ®加以說明。 所謂半加成法係指在樹脂膜金屬膜積層基板的金屬膜表 面’在想要形成佈線的場所使金屬膜附著，在確保作為佈線 的臈厚後，除去絕緣樹脂膜的表面之不需要的金屬膜，以製 造印刷佈線基板的方法。 -詳細而言，在樹脂膜金屬膜積層基板的金屬膜表面，在不 希望形成佈線的場所形成抗蝕劑膜，在露出的金屬膜表面上 採用電鍍等形成銅佈線，以化學钱刻處理將在除去抗蚀劑而 098117258 23 1362911 路出的上述金屬膜除去，形成佈線，以製造印刷佈線基板。 在此所用的抗蝕劑只要可耐銅之鍍敷液即可，可以採用任 何公知的抗蝕劑。另外，關於不需要之金屬膜的除去由於 表面為銅被膜層，故採用與利用銅對應的化學蝕刻液加以除 去之減去法同樣的方法進行。 另外’以上係利用採用可撓性絕緣樹脂膜的可撓性印刷佈 線基板說明本發明，當然’採用環氧樹脂或酚樹脂、Tefl()n (註冊商標）等材料的剛性印刷佈線基板中，也可實施本發 明。 以下，利用實施例說明本發明。 絕緣樹脂膜A係採用膜厚38/zm的聚醯亞胺膜（東麗. Dupont (股）製之製品名「Kapton 150EN」），依序積層金屬 層B、金屬層C、銅被膜層D，製成樹脂膜金屬膜積層基板。 對所得到的樹脂膜金屬膜積層基板評估初期剝離強度、耐熱 剝離強度、蝕刻性、蝕刻後的金屬殘渣量、絕緣可靠性。只 要對供作各特性的試料未作特別限定，則採用以下（a)、 (b)、（c)所述的試料。 (a)剝離強度測定 初期剝離強度係按照IPC—TM— 650、NUMBER 2. 4. 9的測 定方法來進行。其測定條件為剝離的角度為9〇。。試料係用 如下的減去法形成：導線寬度為1_ ’於樹脂膜金屬膜積層 基板的銅被膜層D之表面上塗佈感光性抗蝕劑（東京應化 098117258 24 1362911 (股）製造，PMER P —RH30 PM)，進行曝光使形成寬1mm 的圖案，用濃度0. 3質量％的碳酸鈉水溶液顯影，於氣化鐵 • 溶液（比重40°波美（Baume)，溫度43°C )中浸潰2分鐘後 .· 進行水洗、乾燥。抗蝕劑的剝離係採用濃度4質量％的氫氧 . 化納水溶液。 又，耐熱剝離強度係將與初期剝離強度同樣形狀的試料於 150°C保持168小時後取出，冷卻至室溫後，與初期剝離強 • 度同樣，以剝離的角度為90°來測定該剝離強度。 如初期剝離強度為600N/m以上、财熱試驗後的剝離強度 (耐熱剝離強度）為400N/m以上，則判斷為良好。 (b) #刻性及金屬殘潰量 蝕刻性的評估係將樹脂膜金屬膜積層基板切出3cmx 3cm，於化學#刻液中浸潰2分鐘後進行水洗、乾燥。目測 確認絕緣樹脂膜上金屬層是否殘留，當有明顯殘留時，則判 • 斷不可僅用上述化學蝕刻液進行佈線加工。另一方面，當難 以目測確認判斷及無法確認殘留時，為了測定蝕刻後的金屬 殘渣量，係將除去金屬層而使表面露出的絕緣樹脂膜A，採 用微波分解裝置，用确酸5ml與過氧化氫lml構成的溶液進 - 行溶解，對所得到的溶液中的金屬成分用ICP-MS (高頻感 -應電漿發光分光/質量分析）進行定量分析，測定金屬殘渣 量（金屬層B及金屬層C的合計量）。 (c) 絕緣可靠性 098117258 25 丄 、色緣可靠性的評估係依JPCA —ET04標準進行。 /則二4料係對樹賴金屬膜積層基板，將圖3所示的如 ::即距（線寬2〇_、間隔寬度2〇"m)的梳型佈線與 強度測定同樣用減去法形成。梳型佈線是係梳齒狀導體 之重疊長度UG)為—狀導體前端與短路棒（耐 T的間隙（Ua、llb)為5mm。對佈線間施加電位差DC60V， ^皿度85C、相對濕度85%放置1刚小時，絕緣電阻值係

_遷移試驗機⑽社製造，商品名：87)進行測 疋°把電阻值達到咖以下的時點判斷為短路不良，經過 1_小時後才達㈣％以上，關斷為合格。 (實施例1)

將厚38_的聚醯亞胺膜（東麗·DupQnt(股）製之製品名 「Kaptcml^」）設置在親裝置上，真空排氣至km 7用卜線加熱器加熱聚醯亞胺膜，把膜中的水分除去 後’真空排氣至1χ10、。接著，導入Ar氣，將裝置内壓 力保持在G.3Pa，在輯亞賴的單面上用濺鍍法依序形成 膜厚lOmn的Ni、7質量％Cr層、膜厚l〇nm的質量 %Cr-10貝量％Μο層、膜厚〇· l/zm的鋼被膜層後，從滅鍍裝 置中取出。接著，在舰膜層上用麵法形成膜厚的 銅層’得到絕緣膜金屬膜積層體1。 由所得之樹脂屬膜積層基板i製造剝離強度測定試 料及絕緣可靠性挪定試料，供給各試驗。 098117258 26 初始剝離強度為654N/m、耐熱剝離強度為576N/m，為良 、邑緣可彝性試驗係對3個試料進行試驗，經過1〇〇〇 J時後均仍保持1〇6ω以上的電阻為良好。 ㈣性的評估係將樹脂膜金屬膜積層基板1切出3Crax 作為化學蝕刻液係採用氯化鐵水溶液（比重40。波美， 溫度 43°C )，、# > 〇 退仃2分鐘蝕刻，用目測觀察絕緣樹脂膜上的 五屬層7L全溶解。另外，絕緣樹脂膜的表層部上稍殘留的金 屬成刀，係使用微波分解裝置，用硝酸5ml與過氧化氫imi 構成的溶液進行溶解’將所得到的溶液中的金屬成分用⑽ MS進行疋畺分析，結果是少至〇. # g/cm2，為良好。 其結果整理於表1。 (實施例2) 除了使用金屬層B採用膜厚3nm的Ni —7質量％Cr、金屬 層c採用膜厚⑺⑽的Ni —2〇質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板2以外，與實施例丨同樣製造試料， 進Ί亍各S式驗’其結果示於表1。 (實施例3) 除了使用金屬層B採用膜厚5nm的Ni、金屬層C採用膜 厚20nm的Ni 20質量形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬 膜積層基板3以外，與實施例1同樣製造試料，進行各試驗， 其結果示於表1。 (實施例4) 098117258 27 1362911 除了使用金屬層B採用膜厚20nm的Ni —7質量％的Cr、 金屬層C採用膜厚10nm的Ni — 18質量％Cr-10質量％的Mo 形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板4以外，與實施 例1同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例5) 除了使用金屬層B採用膜厚15nm的Ni-7質量％的Cr、 金屬層C採用膜厚5nm的Ni-18質量％〇-10質量％Mo形成 金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板5以外，與實施例1 同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例6) 除了使用金屬層B採用膜厚5nm的Ni —14質量％Cr、金屬 層C採用膜厚20nm的Ni —20質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板6以外，與實施例1同樣製造試料， 進行各種試驗，其結果示於表1。 (實施例7) 除了使用金屬層B採用膜厚15nm的Ni-7質量％0、金屬 層C採用膜厚25nm的Mi-40質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板7以外，與實施例1同樣製造試料， 進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例8) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni — 7質量％Cr、金屬 層C採用膜厚5nm的Ni — 70質量％Cr形成金屬膜而得到的 098117258 28 1362911 樹脂膜金屬膜積層基板以外，與實施例1同樣製造試料，進 行各試驗，其結果示於表1。 . (實施例9) .. 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —5. 6質量％Cr—20 . 質量观〇、金屬層C採用膜厚10nm的Ni —20質量％Cr形成 金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板9以外，與實施例1 '同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 •(實施例10) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni-13質量％V、金屬 層C採用膜厚10nm的Ni —20質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板10以外，與實施例1同樣製造試料， • 進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例11) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —7. 5質量％Ti、金 鲁屬層C採用膜厚lOnm的Ni — 20質量％Cr形成金屬膜而得到 的樹脂膜金屬膜積層基板11以外，與實施例1同樣製造試 料，進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例12) .除了對樹脂膜金屬膜積層基板1的蝕刻性進行評估的化 i 學蝕刻液係採用鹽酸酸性氯化銅水溶液（HC1濃度： lmol/卜 CuCl2:比重 1.3、ORP: 580mV、溫度：40°C )以外， 與實施例1同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 098117258 29 1362911 (比較例1) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —18質量％Cr—10 質量％Mo、金屬層C採用膜厚10nm的Ni — 7質量％Cr形成而 得到的樹脂膜金屬膜積層基板13以外，與實施例1同樣製 造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (比較例2) 除了使用金屬層B採用膜厚20nm的Ni —18質量％Cr—10 質量％Mo、不設置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂 膜金屬膜積層基板14以外，與實施例1同樣製造試料，進 行各試驗，其結果示於表1。 (比較例3) 除了使用金屬層B採用膜厚20nm的Ni —20質量％Cr、不 設置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜積層 基板15以外，與實施例1同樣製造試料，進行各試驗，其 結果示於表1。 (比較例4) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —7質量％Cr、不設 置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜積層基 板16以外，與實施例1同樣製造試料，進行各試驗，其結 果示於表1。 (比較例5) 除了使用金屬層B採用膜厚2nm的Ni —7質量％Cr、金屬 098117258 30 1362911 層C採用膜厚15nm的Ni —20質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板17以外，與實施例1同樣製造試料， . 進行各試驗，其結果示於表1。 s (比較例6) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni — 7質量％Cr合金、 金屬層C採用膜厚3nm的Ni —18質量％(：1·—10質量％11〇形成 金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板18以外，與實施例 ^ 1同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (參考例） 除了使用金屬層B採用膜厚5nm的Ni — 7質量％Cr合金、 - 金屬層C採用膜厚lOOnm的Ni — 20質量％Cr形成金屬膜而 得到的樹脂膜金屬膜積層基板19以外，與實施例1同樣製 作試料，進行蝕刻性試驗，其結果示於表1。 098117258 31 係表:施例1〜12製造的本發明… Β，在金屬層μ/面 含量未滿15質細金屬層 有4r離強度 金二=，比較例卜金屬層B的鉻含量超過15質量%、 過二未滿15讀。㈣金屬層B的絡含量超 C目測可以觀察到金屬•可知無法確 ;比較例2中，由於僅鉻含量超過15質量％的金屬層b為基 底金屬層，與比較例丨同樣地，關後目财以觀察到金; 殘渣’可知無法確倾緣可錄。*比較例3係與比較例2 同樣地’僅金屬層B形成基底金屬層，目剛觀察姓刻性，可 以觀察到㈣亞胺膜的表面露出，測定金屬_量_過 Q· Ueg/cm2 ’可知無法確保絕緣可靠性。 比較例4中，金屬層b的鉻含量為7質量％，蝕刻性及金 屬殘邊量良好’但由於基底金屬層僅由金屬層㈣成可知 無法確保絕緣可靠性。 =較例5中，金屬層B及金屬層C的鉻含量處於本發明的 申請專利範圍内，但由於金屬層B的膜厚為2nm，即使可滿 098117258 33 足目測的⑽m ’但金屬_量為G.15"g/on2,可知無法 確_緣可#性’而比較例6中，金屬層B及金屬層c的絡 3量處於本發明的巾請專利範圍内，但金屬層[的膜厚為 3ηπ1，可知無法確保絕緣可靠性。 >考例中，金屬層Β及金屬層c的絡含量處於本發明的申 月專利範圍内’僅金屬層c的厚度達到i〇〇⑽，比一般的厚 裙夕仁目測的蝕刻性良好，金屬殘渣量也少至〇35 “ g/cm2 ’是良好的。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之印刷佈線基板中所使用的樹脂膜金屬膜 積層體的斷面圖。 圖2為表5K轉一鉻合金的鉻量與蝕刻殘渣量的關係之圖。 圖3為絕绩It 、豕了罪性坪估中使用的梳齒狀佈線之概略圖。 【主要7L件符號說明】 A B C D la 2 2a lb 2b 絕緣樹脂膜 金屬層 金屬層 銅被膜層 短路棒（short bar) 樹脂膜金屬膜積層基板 梳齒狀導體 098117258 34 1362911 10 梳齒狀導體之重疊長度 10a、10b 梳型佈線 11a、lib 間隙

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Claims (1)

1362911 七、申請專利範圍： 1. -種印難線基板，係藉由化學侧處理，選擇性地除 去不介隔接著劑而將金屬難層在絕緣樹脂膜A的至少一 個表面上所成的樹脂膜金屬膜積層基板之上述金屬膜的不 需要部分，而形成導體者’其特徵在於，構成上述導體 佈線的金屬膜包括： 在上述絕緣樹脂膜A的表面上積層的金屬層B，該金屬層 B由鎳或者含70質量％以上的錄和未滿15質量％的路之錄— 鉻合金構成； ' 在上述金屬層B的表面積層的金屬層c，該金屬層c包含 含鎳、含鉻15質量％以上的合金；以及 在上述金屬層c的表面積層之膜厚1〇nm〜35_的銅被膜 層D ; 僅使用姓刻上述銅被膜層D的化學蚀刻液，以選擇性地除 去上述金屬膜的不需要部分。 2.如申請專利範圍第1項之印刷佈線基板，其中，對包含 依序積層有上述金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的上述金 屬膜之導體佈線’採職化鐵水溶液或贼雜氯化銅水溶 液進行化學侧處理後，在上料緣樹賴A上殘留的金屬 的殘潰量1上述絕緣樹脂W的每單位面積係為〇. g/cm以下。 3.如申請專利範圍第1項之印刷佈線基板，其中，上述金 098117258 36 丄1 =層B含有Μ 13質伽下、鈦8質量％以下1 =，而餘量為鎳或者含”量％以上的鎮和未滿㈣ = ^咐梅質構成，其膜 屬=專利範圍第2項之印刷佈線基板，其中，上述金 以；3 13質量％以下、鈦8質量％以下、翻20質量％ 的^而餘量㈣或者含7G質她上_和未滿15質量％ 严鎳—鉻合金與1質量㈣下的料避免雜質構成’其膜 居為3〜20nm。 、、 其5中如申請專利範圍第丨至4項中任一項之印刷佈線基板， 20上述金屬層C係含絡15質量％以上、鎳0.〇1〜85質 ㈣’ 1質量％以下的不可避免雜質所構成之合金，或者含絡 1:質伽上、錄0·01〜85質量%、·0.01〜40·%1 貝量％以下的不可避免雜質所構成之合金’膜厚5〜37nm， 或膜厚5nm以上且與金屬層B合計在40nm以下。 ^如申請專利範圍第1至4項中任—項之印刷佈線基板， ，、中，上述化學蝕刻液不含錳及氰化物。 ^如中請專利範圍第1至4項中任—項之印刷佈線基板， 〃上述化學韻刻液為氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水 溶液。 8.如申請專利範圍第丨或2項之印刷佈線基板，1中，上 述絕緣樹賴A係選自㈣亞胺系膜、聚__、聚醋系 098117258 37 丄 丄 膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫鍵系膜、聚萘二甲酸乙二酿系 膜、液晶聚合物系膜之至少1種以上的樹脂膜。曰’、 9.種印刷佈線基板之製造方法，係藉由化學韻刻，選擇 性=衫相接著劑而將金屬_層找_脂膜A、的 至夕個表面上所成的樹脂膜金屬膜積層基板之上述金 獏的不需要部分’而賴導體佈線者，其特徵在於， 上述樹月曰膜金屬膜積層基板係以下述方式形成：在上 緣樹脂膜A的表面上，採用乾式觖_顏或_作為主 成分的金屬層B ’然後，在上述金屬層B的表面採用乾式 链敷法，成以含15質量％以上的鉻及錄而成的合金、或^ 15質里％以上的鉻、鎳及錮而成的合金所構成的金屬層^ =上積=?C的表面形成由膜厚，被 二k 之金屬膜’將上述金屬膜採用1種姓刻液進 行選擇性地除去，形成導體佈線。 10.如申請專·圍第9項之印刷佈線基板之製造方法， 其中，上述化學_液不纽及I化物。 π·如申請專利範圍第9項之印刷佈線基板之製造〆’ -中’上述化學_液為氣蝴水溶液或鹽酸酸性^^ 12.如中請專鄕，項之印刷佈線基板之製W衣， 銅被膜層°係於以乾式鍍敷法形成的〆 上採用電鍍法而形成銅層。 098117258 38 1362911 13.如申請專利範圍第9或12項之印刷佈線基板之製造方 法，其中，上述乾式鍍敷法為真空蒸鍍法、濺鍍法或離子鍍 法之任一種。

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