TWI362893B - - Google Patents

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TWI362893B
TWI362893B TW093140630A TW93140630A TWI362893B TW I362893 B TWI362893 B TW I362893B TW 093140630 A TW093140630 A TW 093140630A TW 93140630 A TW93140630 A TW 93140630A TW I362893 B TWI362893 B TW I362893B
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Toshihiro Iwakuma
Hisayuki Kawamura
Hidetsugu Ikeda
Chishio Hosokawa
Takashi Arakane
Hiroaki Nakamura
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Idemitsu Kosan Co
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Description

1362893 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲有關一種有機電致發光元件用材料及使用其 之有機電致發光元件（有機EL元件），特別是提供一種 具有高發光效率、無畫素缺陷、優良耐熱性、長使用壽命 之有機EL元件用材料及有機EL元件。 電之 之光 入發 注質 極物 陽光 由螢 經使 使量 場能 電結 nu -Hrtl _ 力鍵 施再 用的。 利子件 爲電元 ’ 之光 件入發 元注我 1 L 極自 術E陰的 技機由得 前有經所 先與理 t 洞原 於伊士曼柯達公司之c. W. Tang等提出層合型元件 之低電壓驅動有機 EL元件報告（C. W. Tang, S. A. Vanslke, ( Applied Physics Letters)，51 卷，913 頁， 1987年等）以來，已廣泛的進行使用有機材料作爲構成 材料之有機EL元件之硏究。
Tang氏等爲使用於三（8-羥基喹啉醇鋁）作爲發光 層，並使用三苯基二胺衍生物作爲電洞輸送層者。 使用層合結構之優點爲可提高電洞注入發光層之效率 ’提高其與由陰極注入之電子嵌合再鍵結所生成之激動子 之產率，並將發光層內所生成之激動子封入其中等效果。 如該例示所示般，有機EL元件結構，已知例如爲具 有電洞輸送（注入）層、電子輸送發光層之2層型，或電 洞輸送（注入）層' 發光層、電子輸送（注入）層之3層 -5 - (2) (2)1362893 型等形式。 前述層合型結構因具有可提高注入之電洞與電子之再 結合效率，故爲元件結構或形成方法之手段之一。 可作爲有機EL元件之發光材料例如三（8-哇啉醇酯 )鋁錯合物等螯合錯合物、薰草素衍生物、四苯基丁二烯 衍生物、二苯乙烯伸芳基衍生物、噁二唑衍生物等，並有 揭示其可於藍色至紅色之可見光區產生發光之報告，故期 待其可實現彩色顯示元件之目的（例如專利文獻1與專利 文獻2等）。 又，近年來，有機EL元件之發光層中，除使用螢光 材料以外，亦有使用磷光材料之提案（例如非專利文獻1 與非專利文獻2等）。 如此於有機EL元件之發光層中，可利用有機磷光材 料之激動狀態的一重項狀態與三重項狀態，而達到更高的 發光效率。 有機EL元件內，因電子與電洞之再鍵結之際因自旋 多重態（spin multiplicity)不同，故生成一重項激動子 與三重項激動子爲以1 : 3比例而生成，故使用磷光性之 發光材料時，可達到僅使用螢光所得之元件之3至4倍之 發光效率。 前述有機EL元件中，例如使用依3重項之激動狀態 或不使3重項之激動子消光下，依序層合陽極、電洞輸送 層、有機發光層、電子輸送層（電洞阻礙層）'電子輸送 層、陰極等層之結構，而有機發光層則可使用主體化合物 -6- 1362893
與磷光發光性之化合物（例如專利文獻3與專利文獻4等 前述專利文獻所使用之主體化合物，爲使用4,4.N,N-二咔唑聯苯’但此化合物之玻璃移轉溫度爲1 1 0 °C以下， 且因對稱性極佳故容易結晶化，又，於進行元件之耐熱試 驗時，容易產生短路或產生畫素缺陷等問題。
又，於蒸鍍之際，結晶常容易成長於存在有異物或電 極凸起之部分，故常經由耐熱試驗前之初期狀態，使缺陷 隨時間而增加。 〔專利文獻1〕特開平8 - 2 3 9 6 5 5號公報 〔專利文獻2〕特開平7 · 1 3 8 5 6 1號公報 〔專利文獻3〕美國專利第6，0 9 7, 1 4 7號公報 〔專利文獻4〕國際公開WO01/41512號公報 〔非專利文獻 1〕D. F. 0’ Brien and M. A. Baldo et
al “Improved energy transferin electrophosphorescent devices” Applied Physics letters V o 1. 74 N o. 3, pp4 42 -444， January 18， 1999 〔非專利文獻 2〕M. A. Baldo et al “Very high-effic iencygreen organic light-emitting devices based on electrophosphorescence’’ Applied Physics letters V o 1. 75 No.l, pp4-6, July 5, 19 9 9 【發明內容】 本發明爲解決前述問題所提出之解決方案，主要以提 (4) 1362893 供一種具有商發光效率、無畫素缺陷、優良耐熱性、長使 用壽命之有機EL元件用材料及使用其之有機EL元件爲 發明目的。 本發明者們，爲達成前述目的而經過重複深入硏究結 果，得知使用一種分子量較大、對稱性較低之化合物作爲 主體材料使用時，即可達成前述目的而完成本發明。 即，本發明爲提供下述式（1 )所示化合物所得之有 機EL元件用材料者。 )所 1種有機EL元件用材料，其爲由下述式| 示化合物所得者，
Rl R3 R5 R7
Cz· 1 Ar2—— R4 R6 八r4 Cz (1) 〔式中’ Ar丨至Ar4各自袠示爲苯殘基，爲下述式 (2a)或（2b)
(2a)
1362893
獨立爲氫原子、可取代或未取代之碳數丨至4〇之烷基' 可取代或未取代之核原子數3至4〇之雜環基、可取代或 未取代之碳數1至40之院氧基、可取代或未取代之核碳 原子數6至4〇之芳香族烴基 '可取代或未取代之碳數6 至40之芳氧基、可取代或未取代之碳數7至4〇之芳烷基 、可取代或未取β之碳數2至40之_、可取代或^取 代之碳數1至40之烷胺基、可取代或未取代之碳數6至 4〇之芳胺基或可取代或未取代之碳數7至4〇之芳垸胺基 ;心與R1Q，或尺^與R,2可各自鍵結形成飽合或不飽合 之環狀結構； X爲可取代或未取代之碳數1至4〇之院基、可取代 或未取代之核原子數5至40之芳香族雜環基、可取代或 未取代之碳數1至40之烷氧基、可取代或未取代之核碳 原子數6至40之芳香族烴基、可取代或未取代之碳數6 至40之芳氧基、可取代或未取代之碳數7至4〇之芳院基 、可取代或未取代之碳數2至40之烯基、可取代或未取 代之碳數1至40之烷胺基、可取代或未取代之碳數6至 40之芳胺基或，可取代或未取代之碳數7至40之芳院月安 基） 所示之基； 尺1至Rs各自獨立爲氫原子、可取代或未取代之碳數 1至40之烷基、可取代或未取代之核原子數5至4〇之芳 香族雜環基、可取代或未取代之碳數1至40之院氧基、 可取代或未取代之核碳原子數6至40之芳香族烴基、可 -9- (6) 1362893 取代或未取代之碳數ό至40之芳氧基、可取代或未取代 之碳數7至40之芳院基、可取代或未取代之碳數2至4〇 之烯基 '可取代或未取代之碳數1至4〇之烷胺基、可取 代或未取代之碳數6至40之芳胺基、可取代或未取代之 碳數7至40之芳院胺基’或爲Cz基；相鄰接之碳原子形 成鍵結時，可形成飽合或不飽合之環狀結_ ; 但，式（1 )中’ Αη至Aq中至少i個爲m_伸苯基 或〇-伸苯基’ Ari至Α“中全部爲p_伸苯基時，Ri至^ 中至少1個爲可取代或未取代之核碳原子數6至4〇之# 香族烴基，或爲上述Cz基〕。 ’其於式（1 )中 〇-伸苯基，Ari與 ’其於式（1 )中 0-伸苯基，Ar2與 2、 如上述1之有機EL元件用材料 ，Ah與 Ar3各自獨立爲m -伸苯基或 A Γ 4爲p -伸苯基。 3、 如上述1之有機EL元件用材料 ，Ar!與 Ar4各自獨立爲m-伸苯基或
Ar3爲p -伸苯基。 4 '如上述1之有機EL元件用材料，苴 /、以式（1 )中 ’ ΑΓι與Ar4各自獨立爲m-伸苯基，且R铈 以琢R7舄可取代 或未取代之核碳原子數6至40之芳香族烴基或 5、 如上述1之有機EL元件用材料，其於式（！） ’Cz基爲可取代或未取代之咔唑基，或可 Ψ Μ八现未取代 之9 -苯基昨π坐基。 6、 如上述1之有機EL元件用材料，其中式（1) 化合物爲有機EL元件之主體材料。 之 -10- (7) 1362893 7、 一種有機EL元件，其爲於陰極與陽極間挾夾至 少具有發光層之由一層或多數層所形成之有機薄膜層的有 機電致發光元件，其特徵爲，該有機薄膜層中至少1層爲 含有上述1至6項中任一項之有機EL元件用材料。 8、 如上述7之有機EL元件，其中，上述發光層， 爲含有上述有機EL元件用材料作爲主體材料者。
9、 如上述8之有機EL元件，其中上述發光層爲由 主體材料與磷光發光性之金屬錯合物所得者。 1〇、如上述7之有機EL元件，其爲於陰極與有機薄 膜層之界面區域中，添加還原性摻雜劑。 11、如上述7之有機EL元件，其爲於上述發光層與 陰極間具有電子注入層，且該電子注入層爲含有以含氮環 衍生物爲主成分者。
本發明之利用式（1 )所示化合物所得之有機EL元 件用材料結果，可製得一種具有高發光效率、無畫素缺陷 、優良耐熱性、長使用壽命之有機EL元件。因此，本發 明之有機電致發光元件極適合作爲各種電子機器之光源使 用。 本發明之有機EL元件用材料，爲由下式（1)所示 化合物所得。
Ri R3 R5 R7
Cz-Ar 1-Ar 2-Ar 3 Ar4Cz R2 R4 R6 -11 - (1) I362893 ⑻ 〔式中，六^至Ar4各自表示爲苯殘基，Cz爲下述式 (2〇 或（2b)
(式中 ’A 爲單鍵、-(CRgRiO) n_、-(SiR 丨丨 R|2) n- 、-NR13-、-0·或- S-，n爲1至3之整數；R9至R15各自 獨立爲氫原子、可取代或未取代之碳數1至40之烷基、 可取代或未取代之核原子數3至30之雜環基、可取代或 未取代之碳數1至40之烷氧基、可取代或未取代之核碳 原子數6至40之芳香族烴基、可取代或未取代之碳數6 至4〇之芳氧基、可取代或未取代之碳數7至4〇之芳院基 可取代或未取代之碳數2至40之稀基、可取代或未取 代之碳數1至4〇之烷胺基、可取代或未取代之碳數6至 40之芳胺基或可取代或未取代之碳數7至40之芳院胺基 ;%與R1Q或Ru與R,2可各自鍵結形成飽合或不飽合之 環狀結構； X爲可取代或未取代之碳數1至40·^#甘 ^ _ 王40之烷基、可取代 现未取代之核原子數5至40之芳香族雜 白跃維環基、可取代或 取代之碳數1至40之烷氧基、可取什成土抓你+ _ 原 」取代或未取代之核碳 碳數 〃、予數6至4〇之芳香族烴基、可取代或未取代之 -12 1362893 Ο) 至4〇之芳氧基、可取代或未取代之碳數7至4〇之芳烷基 、可取代或未取代之碳數2至40之烯基、可取代或未取 代之碳數1至40之烷胺基 '可取代或未取代之碳數6至 40之芳胺基或’可取代或未取代之碳數7至4〇之芳院胺 基） 所示之基；
Ri至Re各自獨立爲氫原子、可取代或未取代之碳數 1至40之烷基、可取代或未取代之核原子數5至4〇之芳 香族雜環基、可取代或未取代之碳數1至4〇之烷氧基、 可取代或未取代之核碳原子數6至40之芳香族烴基、可 取代或未取代之碳數6至40之芳氧基、可取代或未取代 之碳數7至40之芳烷基、可取代或未取代之碳數2至4〇 之稀基、可取代或未取代之碳數1至40之烷胺基、可取 代或未取代之碳數6至40之芳胺基、可取代或未取代之 碳數7至40之芳烷胺基，或爲Cz基；相鄰接之碳原子形 成鍵結時，可形成飽合或不飽合之環狀結構； 但’式（1)中，人^至ΑΓ4中至少1個爲m -伸苯基 或〇 -伸苯基，Ari至Ar4中全部爲p -伸苯基時，Ri至R8 中至少1個爲取代或未取代之核碳原子數6至40之芳香 族烴基，或爲上述Cz基〕。 式（1)中之1^至R8，式（2a)與（2b)中之R9至 R15與X之可取代或未取代之碳數1至40之烷基，較佳 爲可取代或未取代之碳數1至30之烷基。 前述垸基，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、11_丁基 -13- (10) (10)1362893 、s-丁基、異丁基、t-丁基、η-戊基、η-己基、η-庚基、n-辛基、η-壬基、η-癸基、η-十一烷基、η-十二烷基、η-十 三烷基、η-十四烷基' η-十五烷基、η-十六烷基、η-十七 烷基、η-十八烷基、η-十九烷基、新戊基、1-甲基戊基、 2-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、3· 甲基戊基、羥基甲基、1-羥基乙基、2 -羥基乙基、2 -羥基 異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥 基-t-丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基' 2-氯 乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-t-丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴 乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1，3-二溴異丙基、2,3-二溴-t-丁基、1 ,2,3-三溴丙基、碘甲基、卜碘乙基、2-碘 乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2,3-二碘-t-丁基、1,2,3-三碘丙基、胺基甲基、1-胺基乙基、 2-胺基乙基、2-胺基異丁基、1，2-二胺基乙基、1，3-二胺 基異丙基、2,3-二胺基-t-丁基、1，2,3-三胺基丙基、氰基 甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二 氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-t-丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2 -硝基乙基、2 -硝 基異丁基、1，2 -二硝基乙基、1,3 -二硝基異丙基、2,3 -二 硝基-t-丁基、1，2,3-三硝基丙基、環己基、環辛基、3,5-四甲基環己基等。 其中較佳者爲甲基、乙基、丙基、異丙基、η-丁基、 s-丁基、異丁基、t-丁基、η-戊基、η-己基、η-庚基、η-辛 -14 - (11) (11)1362893 基、η·壬基、η -癸基、η -十一烷基、η -十二烷基、η -十三 院基、η -十四院基、η -十五院基、η -十六院基、η -十七院 基、η-十八烷基、新戊基、1-甲基戊基' 1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、環己基、環辛基、3,5-四甲基環 己基等。 式（1)中，Ri至R8，式（2a)與（2b)中之R9至 R15與X之可取代或未取代之核原子數3至40之雜環基 ，較佳爲可取代或未取代之核原子數5至20之雜環基。 前述雜環基，例如1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、 吡哄基、2 -吡啶基、1 -咪唑基、2 -咪唑基、1 -吡唑基、1 -吲哚滿基、2-吲哚滿基、3-吲哚滿基、5-吲哚滿基、6-吲 哚滿基、7 -吲哚滿基、8 -吲哚滿基、2 -咪唑吡啶基、3 -咪 唑吡啶基、5 -咪唑吡啶基、6 -咪唑吡啶基、7 -咪唑吡啶基 、8 -咪唑吡啶基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、1 -吲哚基、2 -吲 哚基、3 -吲哚基' 4 -吲哚基、5 -吲哚基、6 -吲哚基、7 -吲 哚基、1 -異吲哚基、2 -異吲哚基、3 -異吲哚基、4 -異吲哚 基、5 ·異吲哚基、6 -異吲哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、 3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3·苯并呋喃基、4_苯并呋喃基 、5 -苯并呋喃基、6_苯并呋喃基、7_苯并呋喃基、卜異苯 并咲喃基、3·異苯并呋喃基、4_異苯并呋喃基、5_異苯并 咲喃基、6·異苯并呋喃基、7_異苯并呋喃基、2_喹啉基、 3 - D奎啉基、4 -嗤啉基、5 -喹啉基、6 ·曈琳基、7 -嗤琳基、 8-0奎啉基、1-異哇啉基、[異卩奎啉基、4_異喹啉基、5_異 喹啉基、6 -異D|啉基、7 _異喹啉基、8 _異喹啉基、2 _喹喔 -15- (12) (12)1362893 啉基、5 -喹喔啉基' 6 -哇喔啉基、1-咔唑啉基、2 -咔唑啉 基、3-咔唑啉基、4-咔唑啉基、9-咔唑啉基、万-咔唑啉-1-基、/3-咔啉-3-基、/3-咔啉-4-基、/9-咔啉-5-基、yS-咔啉-6-基、石-咔啉-7-基、/3-咔啉-8-基、yS-咔啉-9-基 、1 -菲繞陡基、2 -菲繞D定基、3 -非繞D定基、4 -菲繞Π定基、 5 -菲繞卩定基、6 -非繞Π定基、7 -菲繞D定基、8 -菲繞D定基、9_ 菲繞啶基、1 〇 -菲繞啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基 、4 -卩丫卩定基、9-卩丫卩定基、1，7-非繞琳-2-基、1，7-非繞琳- 3-基、1，7-菲繞啉-4-基、1,7-菲繞啉-5-基、1，7-菲繞啉-6-基 、1,7-菲繞琳-8-基、1,7-菲繞琳-9-基、1,7-菲繞琳-10-基 、1，8 -菲繞啉-2 -基、1，8 -菲繞啉-3 -基、1 , 8 -菲繞啉-4 -基、 1.8- 菲繞琳-5-基、1,8-菲繞琳-6-基、1,8 -非繞琳-7-基、 1，8-菲繞啉-9-基、1,8-菲繞啉-10-基、1，9-菲繞啉-2-基、 1，9-菲繞啉-3 -基、1,9-菲繞啉-4 -基、1,9-菲繞啉-5-基、 1，9-菲繞啉-6-基、1,9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、 1.9- 菲繞啉-10 -基、1,10-菲繞啉-2-基、1,10-菲繞啉-3-基 、1，1 0 -菲繞啉-4 -基、1，1 0 -菲繞啉-5 -基、2,9 -菲繞啉-1 -基 、2,9-菲繞啉-3-基、2,9-菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、 2.9- 菲繞啉-6-基、2,9-菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、 2.9- 菲繞琳-10 -基、2,8-菲繞琳-1-基、2,8-菲繞琳-3-基、 2.8- 非繞琳-4-基、2,8-非繞琳-5-基、2,8-非繞琳-6-基、 2.8- 菲繞琳-7-基、2,8-非繞琳-9-基、2,8-菲繞琳-10-基、 2.7- 菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、 2.7- 菲繞啉-5-基、2,7-菲繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、 -16 - (13) (13)1362893 2,7-菲繞啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、1-吩哄基、2-吩啡 基、1-苯并二畊基、2-苯并二哄基、3-苯并二哄基、4-苯 并二哄基、10-苯并二哄基、1-吩噁哄基、2-吩噁哄基、3-吩噁畊基、4-吩噁哄基、10-吩噁哄基、2 -噁唑啉基、4 -噁 唑啉基、5 -噁唑啉基、2 -噁二唑啉基、5 -噁二唑啉基、3-呋咱基、2 -噻嗯基、3 -噻嗯基、2 -甲基吡咯-1 -基、2 -甲基 吡咯-3-基、2 -甲基吡咯-4 -基、2 -甲基吡咯-5-基、3 -甲基 吡咯--基、3 -甲基吡咯-2 -基、3 -甲基吡咯· 4 -基、3 -甲基 吡咯-5-基、2-t-丁基吡咯-4-基、3- ( 2-苯基丙基）吡咯-1 -基、2 -甲基-1 - Q弓丨哚基、4 -甲基-；1 -吲哚基、2 -甲基-3 -吲 哚基、4-甲基-3-D引哚基、2-t-丁基 1-吲哚基、4-t-丁基1-吲哚基、2-t-丁基3-吲哚基、4-t-丁基3-吲哚基等。 其中較佳者，例如2 -吡啶基、1 -吲哚滿基、2 -吲哚滿 基、3 -吲哚滿基、5 -吲哚滿基、6 -吲哚滿基、7 -吲哚滿基 、8 -吲哚滿基、2 -咪唑吡啶基、3 -咪唑吡啶基、5 -咪唑吡 啶基、6 -咪唑吡啶基、7 -咪唑吡啶基、8 -咪唑吡啶基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、1 -吲哚啉基、2 -吲哚啉基、3 -吲哚啉 基、4 - Π引Π朵琳基、5 - Π引D朵琳基、6 - D引D朵琳基、7 - D引D朵琳基 、1 -異D〗| D朵琳基、2 -異坪丨D朵琳基、3 -異D引哄琳基、4 -異D引 哚啉基、5 -異吲哚啉基、6 -異吲哚啉基、7 -異吲哚啉基、 1-咔唑啉基、2-咔唑啉基、3 -咔唑啉基、4 -咔唑啉基、9-咔唑啉基等。 式（1)中，1^至R8，式（2a)與（2b)中之119至 R15與X之可取代或未取代之碳數1至40之烷氧基，較 -17 - (14) (14)1362893 佳爲可取代或未取代之碳數1至30之烷氧基，其爲以· OY表示之基。 此γ之具體例例如與前述可取代或未取代之碳數1 至40之烷基中所列舉之具體例示內容相同。 式 ( 1 ) 中， R!至 R8，式（2 a)與（ 2b )中 之 R9 至 Ri 5與 X 之 可取 代或未取代之核碳 原子數 6至40 之芳 香 族 烴基 > 較 佳爲 可取代或未取代之 核碳原 子數6 至 18 之 芳 香族 烴 基 0 此 芳 香 族烴 基，例如苯基、1 - •萘基、 2-萘基 ' 1-蒽 基 % 2-蒽 基 > 9·蒽 基、1 -菲繞琳基、 2-菲繞 啉基、 3- 菲繞 啉 基 、4 - 菲 繞 啉基 、9-菲繞啉基、1- 并四苯 基、2- 并 四苯 基 \ 9-并 四 苯 基、 1_辰基、2 -蔑基、 4-蔑基 、2-聯 苯 基、 P- 聯 三苯 基 -4 -基、 P-聯三苯基-3-基 、P-聯三 Ξ苯基- 2- 基、 m - 聯 三苯 基 -4 -基、 m-聯三苯基-3-基 、m-聯. 三苯基· -2- 基、 〇 - 甲 苯基 、 m · •甲苯 基、P-甲苯基、P -t-丁基 苯基、 P- (2- •苯 基 丙基 ) 苯 基、 3-甲基-2-萘基、4 -甲基·] 萘基 l·-甲基- 1 - 蒽基 > 4，· -甲基 聯苯基、4’’-t-丁基·ρ·聯 三苯基 -4- .基、 0 - 異 丙苯 基 、 Π1-異丙苯基、P-異丙 苯基、 2,3-二 甲 苯基 3,- 二甲 5 S' 2 ,5-二甲苯基、三甲 1苯基等 〇 其 中 較 佳者 ，例如苯基、1 -萘 基、2- 萘基、 9- 菲繞 啉 基 、2- 聯 苯 基、 3 -聯苯基、4 -聯苯 基、P- 甲苯基 、 3,4- — 甲 苯基 等 〇 式 ( 1 ) 中， R| 至 R8，式（2; 〇與（ 2b)中 之 r9 至 R| 5與 X 之 可取 代或未取代之碳數 6至40之芳 氧 基， 較 -18- (15) (15)1362893 佳爲可取代或未取代之碳數1至30之芳氧基，其爲以-OAr表示。 此Ar之具體例例如與前述可取代或未取代之核原子 數6至40之芳香族烴基中所例示之內容相同。 式（1)中，1至R8，式（2a)與（2b)中之R9至 Rl5與X，可爲可取代或未取代之碳數7至40之芳烷基。 此芳烷基，例如苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基-t-丁基、α-萘基甲基 、l-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、l-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、/9-萘基甲基、1-/5-萘基乙基、2-/5-萘 基乙基、1-Θ-萘基異丙基、2-/3-萘基異丙基、1-吡咯基 甲基、2-(1-吡咯基）乙基、Ρ·甲基苄基、m-甲基苄基、 〇 -甲基苄基、p-氯基苄基、m-氯基苄基、〇-氯基苄基、p-溴基苄基、溴基苄基、〇-溴基苄基、p-碘基苄基、m-碘 基苄基、〇-碘基苄基、P-羥基苄基、m-羥基苄基、〇-羥基 苄基、P-胺基苄基、m-胺基苄基、〇-胺基苄基、p-硝基苄 基、m -硝基苄基、〇 -硝基苄基、p -氰基苄基、m -氰基苄基 、〇-氰基苄基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯基-2-苯基異 丙基等。 其中較佳者例如苄基、P-氰基苄基、m-氰基苄基、〇-氰基苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基等。 式（1)中，1^至R8，式（2a)與（2b)中之R9至 R15與X之可取代或未取代之碳數2至40之烯基，較佳 -19- (16) (16)1362893 例如可取代或未取代之碳數2至3 0之烯基。 此烯基例如乙烯基、烯丙基、卜丁烯基、2-丁烯基、 3 -丁稀基、1，3 -丁 一燦基、1-甲基乙稀基、苯乙條基、 2,2-二苯基乙烯基、1，2-二苯基乙烯基、1-甲基烯丙基、 1，1-二甲基烯丙基、2 -甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2-苯 基烯丙基、3-苯基烯丙基、3，3-二苯基烯丙基、ι，2-二甲 基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、3-苯基-1-丁烯基等。 其中又以苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基或ΐ，2-二苯基 乙稀基等爲較佳。 式（1)中，Ri至R8，式（2a)與（2b)中之R9至 Rm與X之可取代或未取代之碳數1至40之烷胺基、可 取代或未取代之碳數6至40之芳胺基或可取代或未取代 之碳數7至40之芳烷胺基，較佳爲可取代或未取代之碳 數1至20之烷胺基、可取代或未取代之碳數1至20之芳 胺基或可取代或未取代之碳數1至20之芳烷胺基。 上述烷胺基、芳胺基與芳烷胺基，爲以-NQiQ]表示 者，Qi、Q2之具體例如，各自獨立之甲基、乙基、丙基 、異丙基、η-丁基、s-丁基、異丁基、t-丁基、η-戊基、 η-己基、η-庚基、η-辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥 基乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥基乙基、1,3-二羥基異 丙基' 2,3-二羥基-t-丁基、丨，2,3-三羥基丙基、氯甲基、 1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二 氯異丙基、2,3-二氯-t-丁基、1，2,3-三氯丙基、溴甲基、 1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二 -20- (17) (17)1362893 溴異丙基、2,3-二溴-t-丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、 卜碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1，3-二 碘異丙基、2,3-二碘-t-丁基、1，2,3-三碘丙基、胺基甲基 、：1-胺基乙基、2-胺基乙基、2-胺基異丁基、1，2-二胺基 乙基、1，3-二胺基異丙基、2,3-二胺基-t-丁基、1，2,3-三胺 基丙基、氰基甲基、卜氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異 丁基、1，2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-t-丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝 基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1，3-二硝基異 丙基、2,3-二硝基-t-丁基、1,2,3-三硝基丙基、苯基、1-萘基、2_萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲繞啉基、 2 -菲繞啉基、3 -菲繞啉基、4 -菲繞啉基、9 -菲繞啉基、1 -并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-宸基、2-宸基、 4-宸基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基' p-聯三苯基-4_ 基、p -聯三苯基-3-基、p -聯三苯基-2-基、m -聯三苯基-4-基、m -聯三苯基-3-基、m -聯三苯基-2-基、〇 -甲苯基、m-甲苯基、P-甲苯基、p-t-丁基苯基、p-(2-苯基丙基）苯 基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4 -1 - 丁基-p -聯三苯基· 4 -基' 2 -吡咯基、3 - 吡咯基、吡畊基、2 -吡啶基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、2 -吡 啶基、1 -咪唑基、2 -咪唑基、1 -吡唑基、1 -吲哚滿基、2 _ 吲哚滿基、3 -吲哚滿基、5 -吲哚滿基、6 -吲哚滿基、7 _吲 哚滿基、8 -吲哚滿基、2 -咪唑吡啶基、3 -咪唑吡啶基、5 -咪唑吡啶基、6 -咪唑吡啶基、7 -咪唑吡啶基、8 _咪唑吡啶 -21 - (18) (18)1362893 基、3 -吡啶基、4 -吡啶基、1 -吲哚基、2 -吲哚基' 3 -吲哚 基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲 哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚 基、6 -異吲哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、2 -苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃 基、6-苯并呋喃基' 7-苯并呋喃基' 1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基' 4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異 苯并呋喃基、7 -異苯并呋喃基、2 -喹啉基、3 -_啉基、4-D奎啉基' 5 -咱啉基、6 -哇啉基、7 -鸣啉基、8 - Π奎啉基、1 -異喹啉基、3 -異喳啉基、4 -異喹啉基、5 -異喹啉基、6 -異 α奎啉基、7 -異喹啉基、8 -異喹啉基、2 -喹喔啉基、5 -喹喔 啉基、6 -Q奎喔啉基、1-咔唑啉基、2 -咔唑琳基、3-咔唑啉 基、4 -咔唑啉基、9-咔唑啉基、/3-咔唑啉-1-基、/3-咔 啉-3-基、/3-咔啉-4-基、/3-咔啉-5-基、/3-咔啉-6-基、 yS-昨琳-7-基、昨琳-8-基、yS-昨琳-9-基、1-菲繞D疋基 、2 -菲繞B定基、3 -菲繞症基、4 -菲繞症基、5 -菲繞B定基、 6-菲繞啶基、7-菲繞啶基、8-菲繞啶基、9-菲繞啶基、1 0-菲繞啶基、卜吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖啶基、 9-吖啶基、1,7-菲繞啉-2-基、1，7-菲繞啉-3-基、1，7-菲繞 啉-4-基、1，7-菲繞啉-5-基、1，7-菲繞啉-6-基、1，7-菲繞 啉-8-基、1，7-菲繞啉-9-基、1，7-菲繞啉-10-基、1，8-菲繞 啉-2-基、1,8-菲繞啉-3-基、1，8-菲繞啉-4-基、1，8-菲繞 琳-5 -基、1,8-非繞琳-6-基、1,8-菲繞琳-7-基、1,8 -非繞 啉-9-基、1，8-菲繞啉-10-基、1，9-菲繞啉-2-基、1,9-菲繞 -22- (19) (19)1362893 啉-3-基、1,9-菲繞啉-4-基、1,9-菲繞啉-5-基、1,9-菲繞 啉-6-基、1，9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、1，9-菲繞 啉-10-基、1,10-菲繞啉-2-基、1,10-菲繞啉-3-基、1,10-菲 繞啉-4-基、1,10-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-1-基、2,9-菲 繞啉-3-基、2,9-菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞 琳-6-基、2,9-非繞琳-7-基、2,9-非繞琳-8-基、2,9-非繞 琳-10-基、2,8 -菲繞琳-1-基、2,8-非繞琳-3-基、2,8-菲繞 啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、2,8-菲繞 啉-7-基、2,8-菲繞啉-9-基、2,8-菲繞啉-10-基、2,7-菲繞 啉-1-基、2,7-菲繞琳-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、2,7-菲繞 啉-5-基、2,7-菲繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、2,7-菲繞 啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、1-吩畊基、2-吩畊基、1-苯 并二畊基、2-苯并二畊基、3-苯并二哄基、4-苯并二哄基 、1 0 -苯并二哄基、1 -吩噁畊基、2 -吩噁畊基、3 -吩噁畊基 、4 -吩噁畊基、1 0 -吩噁哄基、2 -噁唑啉基、4 -噁唑啉基、 5 -噁唑啉基、2 -噁二唑啉基、5 -噁二唑啉基、3 -呋咱基、 2 -噻嗯基、3 -噻嗯基、2 -甲基吡咯-；1 -基、2 -甲基吡咯-3 -基 、2 -甲基吡咯-4-基、2 -甲基吡咯-5-基、3 -甲基吡略-1-基 、3 -甲基吡略-2 -基、3 -甲基吡咯-4 -基、3 -甲基吡咯-5 -基 、2-t-丁基吡咯-4-基、3- (2-苯基丙基）吡咯-1-基、2-甲 基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-D弓丨哚基、4-甲 基- 3-Π弓丨U朵基、2-t -丁基1-问丨晚基、4-t -丁基1-呼[1朵基、2_ t-丁基3-吲哚基、4-t-丁基3-吲哚基等。 其中又以甲基、乙基、丙基、異丙基、η-丁基、s-丁 -23- (20) (20)1362893 基、異丁基、t-丁基、η -戊基' η -己基、n_庚基、n_辛基 、苯基、1-萘基、2-萘基、p -甲苯基、4-聯苯基等爲更佳 〇 又’式（1)、式（2a)或（2b)中，1^至R8於與相 鄰接之碳原子鍵結，相互鍵結形成飽合或不飽和之環狀結 構時’於1^與R1()’或、，與R,2、相互鍵結形成飽合或 不和之環狀結構時’尺,至R8、R9、R1{)、Ru與r|2，例 如爲-Rl-R2-、-R3-R4-、-R5-R6-、-R7_R8_、-R9_Ri。·、·
Ri i-R】2- ’更具體之結構，例如“^)#.、“^])。 、-CH= CH-CH= CH-、-CH2-CH= CHCH2-等。
Cz基，例如下述之基等。
上述式中’ 11,4與Rl5爲上述之取代基。 Y ’ Z爲可取代或未取代之核碳原子數6至18之芳 香族俠| 基’可取代或未取代之碳數1至20之烷基，或可 取什 取未取代之碳數7至20之芳烷基。 -24- (21)1362893 上述芳香族烴基，例如苯基、萘基、甲苯基、聯苯基 、聯三苯基等爲佳，又以苯基、聯苯基、與甲苯基爲更佳 上述烷基，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、η-丁基 、s-丁基、異丁基、t-丁基、η-戊基、η-己基、η-庚基' η- 辛基、η -壬基、η -癸基、η-~{--院基' η -十二垸基、η -十
三烷基、η-十四烷基、η-十五烷基、η-十六烷基、η-十七 烷基、η-十八烷基、新戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、 1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、3-甲基戊基等爲 佳。又以甲基、乙基、丙基、η-己基、η-庚基爲更佳。
上述芳烷基，例如萘基甲基、l-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基' l-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、/9-萘基甲基、Ι-yS-萘基乙基、2-yS-萘基乙基、Ι-yS-萘基異 丙基、2-/3-萘基異丙基、苄基、p-氰基苄基、m-氰基苄 基、〇-氰基苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙 基與2-苯基異丙基等爲佳，又以苄基與p-氰基苄基爲更 佳。 又，更佳之Cz基，例如以下之基等。 -25- (22) (22)1362893
Cz基中，特別式可取代或未取代之咔唑基、可@ & 或未取代之9-苯基咔唑基爲佳。 本發明之式（1 )所示化合物所得之有機EL元件用 材料之具體結構，例如下述各種結構，但並不僅限定於此 下述結構式中，至少1個苯殘基爲由R!至R8中所選 & ’而4個苯殘基中，可各自具有最大2個取代基。 式（1 )中，Ar丨至Ar4中至少1個爲m-伸苯基或〇-伸苯基時之代表例，例如以下化合物等。 未取代時之代表例，例如化合物（A-丨）至（A-23 ) 等。 -26- (23)1362893
(A-21) (A-22) (A-23) 具有取代基時之代表例’例如化合物（B _ 1 )至（B 65 )等。 -27- 1362893
-28- (25)1362893
-29- (26)1362893
(B-32)
-30- 1362893
又’式（1)中，八1*,至Ar4中全部爲p-伸苯基時之具 體例，例如（C -1 )至（C - 9 )等。 -31 - (28) (28)1362893
上述式（1 )所示化合物所得之有機EL元件用材料 中’ Ar2與A1·3各自獨立爲m -伸苯基或〇 -伸苯基，Ar|與
Ar4爲p-伸苯基時，人^與Ar4各自獨立爲m-伸苯基或〇_ 伸苯基，An與An爲ρ·伸苯基時，Ar,與AO各自獨立爲 m-f申苯基，且R1或R7爲可取代或未取代之核碳原子數6 至40之芳香族烴基或CZ基爲佳。 以下，將說明本發明之有機EL元件。 本發明之有機EL元件，爲於陰極與陽極間挾夾至少 具有發光層之由一層或多數層所形成之有機薄膜層所得之 有機EL元件，其中該有機薄膜層之至少1層，爲含有本 發明之有機EL元件用材料。 多層型之有機EL元件結構中，例如陽極/電洞輸送 層（電洞注入層）/發光層/陰極、陽極/發光層/電子 輸送層（電子注入層）/陰極、陽極/電洞輸送層（電洞 -32- (29) (29)1362893 注入層）/發光層/電子輸送層（電子注入層）/陰極、 陽極/電洞輸送層（電洞注入層）/發光層/電洞阻礙層 /電子輸送層（電子注入層）/陰極等多層結構所層合者 〇 前述發光層，例如由主體材料與磷光性發光材料所構 成，該主體材料以使用前述有機EL元件用材料所形成者 爲佳。 磷光性發光性材料，例如就磷光量子產率較高，可使 發光元件之外部量子效率再向上提升等觀點，以使用銥錯 合物、餓錯合物、鉑錯合物等金屬錯合物爲佳，又以銥錯 合物與鈾錯合物爲更佳，以正金屬化銥錯合物爲最佳。 正金屬化金屬錯合物中更佳之形態，例如下述式（2 )至（4 )所示之化合物，又以式（2 )或（3 )所示化合 物爲更佳。 (30) (30)1362893
(r3V2 (4) 本發明之有機EL元件，於陰極與有機薄膜層之界面 領域中，可再添加還原性摻雜劑爲佳。 式（2)中，R11、R12爲烷基、芳基、氟化烷基、氟 化芳基等，又以烷基、氟化烷基、芳基等爲更佳，以烷基 、氟化烷基爲最佳。 q11爲0至2之整數，以〇、1爲佳，又以〇爲更佳。 q12爲〇至4之整數，以〇、1爲佳，又以〇爲更佳。 q11、q12爲2以上時，複數個r11、R12可各自爲相同 或不同’又，其可鍵結形成縮環亦可。 L 1爲配位基，配位基例如可爲形成前述正金屬化銥 錯合物之必要配位基等，又以可形成正金屬化銥錯合物所 必須之配位基，及含氮雜環配位基、二酮配位基、鹵素配 位基、聯吡啶配位基爲佳，更佳者例如可正金屬化銥錯合 -34- (31) 1362893 物所需之配位基、聯吡啶配位基等。 η1爲0至5之整數，又以〇爲較佳。 m1爲1、2或3，較佳爲3。 n1、m1之數目之組合，以可使式（2)所示金屬錯合 物形成中性錯合物之數目爲佳。 式（3)中，R21、n2、m2、L·2 各自與上述，r1、 、L1相同’ q21爲〇至8之整數’又以〇爲較佳。 q21爲2以上之情形時，其可相互爲相同或不同，又 可連結形成縮合環亦可 L3各自與
式（4 )中，R31、R32、q31、q32、^、爪3 上述 R11、R12、q11、q12、n1、m1、 ^相同。 上述磷光性之發光材料’例如以卞 Λ卜述銥錯合物爲佳
-35- (32)1362893 (1-1) (1-2)
-36- (33)1362893
-37- (34)1362893
% -38- (35) (35)1362893 ( 1 -29) ( 1 -30)
本發明之有機EL元件，於陰極與有機薄膜之界面區 域中，可再添加還原性摻雜劑等爲佳。 前述還原性摻雜劑，例如鹼金屬、鹼金屬錯合物、鹼 金屬化合物、鹼土類金屬、鹼土類金屬錯合物、鹼土類金 屬化合物、稀土類金屬、稀土類金屬錯合物、及稀土類金 屬化合物等所選出之至少1種類等。 -39- (36) (36)1362893 前述鹼金屬例如Na (功率函數：2.36eV) ' K (功率 函數：2.28eV) 、Rb (功率函數：2.16eV) 、Cs(功率函 數：1 .95eV )等，以功率函數爲2.9eV以下者爲最佳。 其中較佳者例如K、Rb、Cs，更佳爲例如Rb或Cs， 最佳者爲C s。 前述鹼土金屬例如Ca (功率函數：2.9eV) 、Sr (功 率函數：2.0至2.5 eV) 、Ba (功率函數：2.52eV)等， 以功率函數爲2.9 eV以下者爲最佳。 前述稀土類金屬例如 Sc、Y、Ce、Tb、Yb等，以功 率函數爲2.9eV以下者爲最佳。 以上金屬中之較佳金屬，特別是具有高還原能力，故 以較少量添加入電子注入區域結果，即可使有機EL元件 之發光亮度向上提升，並增長使用壽命。 前述鹼金屬化合物，例如Li20、Cs20、K2〇等鹼氧 化物，LiF、NaF、CsF、KF 等鹼鹵化物，LiF、Li20、 N aF之鹼氧化物或鹼氟化物爲佳。 前述鹼土類金屬化合物，例如 BaO、SrO、CaO及其 混合所得之 BaxSri.xO ( 0<x< 1)，或 BaxCai.x〇 ( 〇<χ < 1 )等，又以 BaO、SrO、CaO 爲佳。 前述稀土類金屬化合物，例如YbF3、ScF3、Sc03、 γ2〇3 ' Ce203 ' GdF3、TbF3 等，又以 YbF3、ScF3、TbF3 爲佳。 前述鹼金屬錯合物、鹼土金錯合物、稀土類金屬錯合 物’例如只要含有各自金屬離子之鹼金屬離子、鹼土類金 -40- (37) (37)1362893 屬離子、稀土類金屬離子中至少1個時，則無任何限定。 又，配位基可使用喹啉醇、苯并哨啉醇、吖啶醇、菲 二醇、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二芳基噁二唑 、羥基苯基毗啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯并三唑、羥 基呋喃、二咄啶、菲繞啉、酞菁、卟啉、環戊二烯、召-二酮類、甲亞胺類，及其衍生物等爲佳，但並不僅限定於 此。 還原性摻雜劑之添加形態，例如於前述界面區域中形 成層狀或島狀爲佳。 形成方法，例如可使用電阻加熱蒸鑛法蒸鍍還原性摻 雜劑，並同時蒸鍍形成界面區域之發光材料或電子注入材 料之有機物，使還原性摻雜劑分散於有機物中之方法爲佳 〇 分散濃度，一般以莫耳比計算時，爲有機物：還原性 摻雜劑=100: 1〜1: 100，較佳爲5: 1至1: 5。 還原性摻雜劑形成層狀之情形，爲將作爲界面之有機 層的發光材料或電子注入材料形成層狀後，將還原性摻雜 劑單獨以電阻加熱蒸鍍法予以蒸鍍，較佳之層厚度爲〇」 至 1 5nm 〇 還原性摻雜劑形成島狀之情形，爲將作爲界面之有機 層的發光材料或電子注入材料形成島狀後，將還原性摻雜 劑單獨以電阻加熱蒸鍍法予以蒸鍍，較佳爲島之厚度爲 0.0 5 至 1 n m。 又’本發明之有機EL元件中，主成份與還原性摻雜 -41 - 1362893 劑之比例，以莫耳比計算時，爲主成份：還原性摻雜劑= 5 : 1至1 : 5爲佳，又以2 : 1至1 : 2爲更佳。 本發明之有機EL元件，以於前述發光層與陰極間具 有電子注入層，且該電子注入層以含有含氮環衍生物爲主 成份者爲佳。 前述電子注入層所使用之電子輸送材料，以分子內含 有1個以上雜原子之芳香族雜環化合物爲佳，特別是有使 用含氮環衍生物爲更佳。 前述含氮環衍生物，例如式（A )所示者爲佳。 R6 r7 ί
R3 r2 J 2 R2至R7各自獨立爲氫原子、鹵素原子、羥基、胺基 ，或爲碳數1至40之烴基，其可被取代亦可。 此鹵素原子之例示，例如與前述相同之內容。又，可 取代之胺基之例示，例如與前述烷胺基、芳胺基、芳烷胺 基等相同之內容。 碳數1至40之烴基，例如取代或未取代之烷基、烯 基、環烷基、烷氧基、芳基、雜環基、芳烷基、芳氧基、 烷氧羰基等。前述烷基、烯基、環烷基、烷氧基、芳基、 雜環基、芳烷基' 芳氧基之例示，例如與前述相同之內容 ，烷氧羰基爲以-COOY’表示者，而Y’之例示如與前述烷 -42- (39) 1362893 基相同之內容。 爲佳 示之 Μ爲鋁（AI)、鎵（Ga)或銦（In)，又以In 〇 式（A )中之L，例如下述式（A’）或（A’’）所 基等》
(式中，R8至R12各自獨立爲氫原子或可取代或 代之碳數1至40之烴基，其相互鄰接之基可形成環 構。又，R13至R27各自獨立爲氫原子或取代或未取 碳數1至40之烴基，其相互鄰接之基可形成環狀結 ) 式（A，）與（A’’）之R8至R12與R13至R27所 碳數1至40之烴基，例如與前述R2至R7之具體例 示之內容相同。 又，前述R8至R12與R13至R27之相互鄰接之基 環狀結構時之2價基，例如四伸甲基、五伸甲基、六 基、二苯基甲烷- 2,2’-二基、二苯基乙烷-3，3’-二基、 基丙烷-4,4’-二基等。 式（A)所示之含氮環之金屬螯合錯合物之具體 下所示，但本發明並不受下述例示所限定。 未取 狀結 代之 構。 示之 示所 形成 伸甲 二苯 例如 -43- (40)1362893
-44- (41)1362893
-45 - (42)1362893
(A - 1 1 )
-46- (43)1362893
47- (44)1362893
-48- 1362893
49- (46)1362893
-50 - (47)1362893
-51 - (48) 1362893
(A - 3 3 ) (A - 3 4 ) (A - 3 5 )
前述電子注入層主成份之含氮環衍生物，以含氮5圜 環衍生物爲佳，含氮5圜環，例如咪唑環、三唑環、四唑 環、氧雜二唑環、噻二唑環、氧雜三唑環、噻三唑環等， 含氮5圜環衍生物，例如苯并咪唑環、苯并三唑環、吡啶 咪唑環、嘧啶咪唑環、噠畊咪唑環等，其中最佳者例如下 式（B )所示者。 -52- (49) 1362893
LB
门 B2 (B)
式（B )中，Ln爲2價以上之連結基，例如碳、矽、 氮、硼、氧、硫、金屬（例如鋇、鈹）、芳香族烴環 '芳 香族雜環等，其中又以碳原子、氮原子、矽原子' 硼原子 、氧原子、硫原子、芳基、芳香族雜環基爲佳，又以碳原 子、矽原子 '芳基、芳香族雜環基等爲更佳。
Ln之芳基及芳香族雜環可再具有取代基，取代基中 較佳爲烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、ρI ^ _ 如氧基、方氧基 、醯基、烷氧羰基 '芳氧羰基、醯氧基、酿基胺基、产氧 羰胺基、芳氧羯胺基、擴醯基胺基、胺磺酿基、昨哩基、 院硫基、芳硫基、磺醯基、齒素原子、氰基、芳香族雜環 基等，又以院基、芳基、烷氧基、芳氧基、齒素原子氰
基、芳香族雜環基爲更佳，又以烷基、芳款 _ ^ W鸯、ί兀氧基、芳 氧基、芳香族雜環基等爲最佳，以烷基、突 乃S、辰氧基、 芳香族雜環爲特佳。 Lη之具體例示，例如以下所示內容。 -53- 1362893
ch3 h3c
ch3 h3c 式（B)中之XB2爲以- O-、-S-或=N-RB2表示
B 2
R B 2 爲氫原子、脂肪族烴基、芳基或雜環基。 RB2之脂肪族烴基，可爲直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基 (較佳爲碳數1至2〇、更佳爲碳數1至12、最佳爲碳數 1至8之烷基，例如甲基、乙基、iS0-丙基、tert_丁基、 η-辛基、η-癸基、n_十六烷基、環丙基、環戊基、環己基 等）、烯基（較佳爲碳數2至20、更佳爲碳數2至12、 -54- (51) (51)1362893 最佳爲碳數2至8之烯基，例如乙烯基、烯丙基、2 -丁烯 基、3 -戊烯基等）、炔基（較佳爲碳數2至20、更佳爲 碳數2至12、最佳爲碳數2至8之炔基，例如丙炔基、 3-戊炔基等），又以烷基爲佳$ RB2之芳基’可爲單環或縮合環，較佳爲碳數6至30 、更佳爲碳數6至20、最佳爲碳數6至12之芳基，例如 苯基、2 -甲基苯基、3 -甲基苯基、4 -甲基苯基、2 -甲氧基 苯基、3-三氟甲基苯基、五氟苯基、1-萘基、2_萘基等。 RB2之雜環基，可爲單環或縮合環，較佳爲碳數1至 20、更佳爲碳數1至12、最佳爲碳數2至10之雜環基， 較佳爲至少含有1個氮原子、氧原子、硫原子、硒原子之 芳香族雜環基。此雜環基之例，如吡咯烷、哌啶、哌哄、 嗎啉、噻吩、硒吩、呋喃、吡咯、咪唑 '吡唑、吡啶、嗟 畊、嘧啶、三唑、三畊、吲哚、吲唑（indazole )、嘌哈 、噻唑啉、噻唑、噻二唑、噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉 、異喹琳、酞哄、萘啶、暗喔啉' 喹唑啉、曾啉、蝶啶、 吖啶' 菲繞啉、吩哄、四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并 噻唑、苯并三唑、雜四茚、咔唑、吖庚因等，較佳者爲呋 喃、噻吩、毗啶、吡畊、嘧啶、噠哄、三畊、鸣啉、駄哄 、萘啶、哮喔啉、咱唑啉等，更佳者爲呋喃、噻吩、吡啶 、哇啉，最佳者爲曈琳。 RB2所示之脂肪族烴基、芳基與雜環基可再具有取代 基，取代基例如與前述LB所示之基的取代基所列舉之內 容相同，又，較佳之取代基內容亦爲相同。 -55- (52) (52)1362893 rB2中較佳者例如脂肪族烴基、芳基或雜環基，更佳 爲脂肪族烴基（較佳爲碳數6至30、更佳爲碳數6至20 ’最佳爲碳數6至12者）或芳基，更佳爲脂肪族烴基（ 較佳爲碳數1至12、更佳爲碳數2至10者）。 XB2中較佳爲-〇-、-S-或=N-RB2，更佳爲=N-RB2。 ZB2爲形成芳香族環之必要原子群。Zb2所形成之芳 香族環可爲芳香族烴環、芳香族雜環皆可。具體之例示如 苯環、吡啶環、吡啡環、嘧啶、噠啡、三哄環、吡咯環、 呋喃環、噻吩環、硒吩環、碲吩環、咪唑環、噻唑環、硒 唑環、碲唑環、噻二唑環、噁二唑環、吡唑環等，較佳爲 苯環、吡啶環、吡畊環，更佳爲苯環、吡啶環，最佳爲吡 啶環。 ZB2所形成之芳香族環，可再與其他環形成縮合環， 或可具有取代基。取代基例如與前述LB所示基之取代基 之例示者相同，較佳者例如院基、烯基、炔基、芳基、胺 基、烷氧基、芳氧基、醯基、烷氧羰基、芳氧羰基、醯氧 基、醯基胺基、烷氧羰胺基、芳氧羰胺基、磺酸胺基、胺 磺醯基、咔唑基、烷硫基、芳硫基、磺醯基、鹵素原子、 氰基、雜環基等’較佳爲烷基 '芳基、烷氧基、芳氧基、 鹵素原子、氰基、雜環基等’更佳爲烷基、芳基、烷氧基 、芳氧基、芳香族雜環基’最佳爲芳基、烷氧基、芳香族 雜環基等。 nB2爲1至4之整數，又以2至3爲更佳。 前述式（B)所示含氮5圜環衍生物中，更佳爲下述 -56- (53) 1362893 式（B ’）所示化合物。
(B，） 式（B’）中，RB71、RB72與RB73各自與式（B)中之 rB2相同，其較佳之範圍亦爲相同。 ZB71、炉72與ZB73各自與式（B)中之zB2相同，其 較佳之範圍亦爲相同。 LB71、LB72與LB73各自爲連結基，其例如爲式（B) 中之LB2二價者，較佳爲單鍵、雙鍵、二價之芳香族烴 環基、二價之芳香族雜環基、及其組合所構成之連結基， 更佳者爲單鍵。LB71、LB72與LB73可具有取代基，其取代 基之內容例如與前述式（B)中！^所示之基的取代基爲相 同之內容，又較佳之取代基內容亦爲相同。 Y爲氮原子、1，3,5 -苯三基或2,4,6 -三畊三基等。 1，3，5 -苯三基於2，4，6 -位可具有取代基，取代基例如烷基 、芳香族烴環基、鹵素原子等。 式（B)或（B’）所不之含氣5圜環衍生物之具體例 如下所示者，但本發明並不受下例示之化合物所限定》 -57- (54)1362893 (B — 1) (B — 5)
-58- (55)1362893 (B-9) (B-13)
59- (56) (56)1362893 又’前述電子注入層之構成成份，除前述含氮環衍生 物以外之無機化合物，例如可使用絕緣體或半導體。 電子注入層由絕緣體或半導體所構成時，可有效防止 泄電流，進而可提高電子注入性。 前述絕緣體，例如可使用由鹼金屬複合物、鹼土金屬 複合物、鹼金屬之鹵化物與鹼土金屬之鹵化物群所選出之 至少1種金屬化合物爲佳。 電子注入層由前述驗金屬複合物等所構成時，可使電 子注入性再向上提昇，故爲較佳。 具體而言，較佳之驗金屬複合物例如Li2〇、LiO、 Na2S、Na2Se、NaO等，較佳之鹸土金屬複合物例如CaO 、BaO、SrO、BeO' BaS與CaSe等。又，較佳之金屬鹵 化物例如 LiF、NaF、KF、LiCl、KC1 與 NaCl 等。又，較 佳之鹼土金屬之鹵化物例如 CaF2、BaF2、SrF2、MgF2與 BeF2等氟化物，或氟化物以外之鹵化物等。 又，半導體，例如由至少含有1種以上選自Ba、Ca ' Sr、Yb、A1 ' G a > In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、S b 與Zn中之元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物所選出之 1種或2種以上組合所得者。 又，構成電子注入層之無機化合物，例如以微結晶或 非晶質之絕緣性薄膜爲佳。 電子注入層由前述絕緣性薄膜所構成時，可行成更爲 均勻的薄膜，而可減少暗點等畫素缺陷。 又，前述無機化合物，例如前述鹼金屬複合物、鹼土 -60- (57) (57)1362893 金屬複合物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物等。 又，本發明之電子注入層，可再含有前述還原性摻雜 劑。 本發明之有機EL元件，以於前述發光層與陽極之間 具有電洞輸送層’請該電洞輸送層含有芳基胺衍生物爲主 成份者爲佳。 又，電洞輸送層所含有之電洞輸送材料，例如3重項 能量爲2.52至3.7eV爲佳，又以2,8至3.7eV者爲更佳。 使用前述範圍之電洞輸送材料時，可防止發光層之激 動能量產生鈍化現象。 前述電洞輸送材料’例如下述式（6)與（7)所示者 爲佳。
(式中，Ar7爲碳數6至40之芳香族基，Ar8與Ar9 各自爲氫原子或碳數6至40之芳香族基，⑺爲1至6之 整數）
(式中，六^與Ari6爲碳數6至4〇之芳香族基， Ar11至Ar15各自爲氫原子或碳數6至40之芳香族基，縮 合數P、q、r、s各自爲〇或1) 前述式（6)與（7)中，碳數6至4〇之芳香族基中 -61 - (58) 1362893 ，較佳之核原子數5至40之芳基，例如苯基、萘基、蒽 基、菲基、苠基、聯苯基、聯三苯基' 吡咯基、呋喃基、 苯硫基、苯并苯硫基、噁二唑基 '二苯基蒽基、吲哚基、 咔唑基、吡啶基、苯并D奎啉基、熒蒽基、苊熒蒽基等。
又，較佳之核原子數5至40之伸芳基，例如伸苯基 、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸宸基、伸聯苯基、伸聯三 苯基、伸吡咯基、伸呋喃基、伸苯硫基、伸苯并苯硫基、 伸噁二唑基、伸二苯基蒽基、伸吲哚基、伸咔唑基、伸吡 啶基、伸苯并曈琳基、伸熒蒽基、伸苊熒蒽基等。
又，碳數6至40之芳香族基，可再被取代基所取代 ’較佳之取代基爲，碳數1至6之烷基（乙基、甲基、i-丙基、η-丙基、s-丁基、t-丁基、戊基、己基 '環戊基、 環己基等）’碳數1至6之烷氧基（乙氧基、甲氧基、i-丙氧基、η-丙氧基、s-丁氧基、t-丁氧基、戊氧基、己氧 基、環戊氧基、環己氧基等），核原子數5至40之芳基 、核原子數5至40之芳基所取代之胺基 '具有核原子數 5至4〇之芳基之酯基、具有碳數1至6之烷基之酯基、 氰基、硝基、鹵素原子等。 又’ 3重項能量爲2.8eV以上之電洞輸送材料，例如 以下式（8 )與（1 0 )所示者爲佳。
R -62- (8) (59) 1362893 (式中，Ar1 、Ar2爲可被碳數1至6之院基、院氧 基或苯基所取代之核碳原子數6至18之芳基；R爲碳數4 至6之烷基，或烷氧基或核碳原子數6至18之芳基；χ 爲單鍵、-〇-、-S -所示之連結基，又’ X可存在或不存在
(9) (式中，Ar3爲可具有或未具有取代基之核碳原子數 6至18之芳基；Ar4至Ar7爲可具有或未具有取代基之核 碳原子數6至18之伸芳基；X1爲單鍵、-〇-、-S_、-( CH2) n-(n爲1至6之整數）或-(CH3) 2-之連結基，前 述連結基可存在或不存在皆可，X2與X3各自爲單鍵、-0-、 -S-、 -(CH2) n-(n 爲 1 至 6 之整數 ） 或 _(CH3) 2-之連結基，其可爲相同或不同） 式（8)與式（9)中之Ar1’至Ar7’、R、X及X1至 X3所示各基及其取代基之具體例，例如咔唑基、碳數18 至60之芳基咔唑基、氮雜咔唑基、碳數18至60之芳基 氮雜咔唑基、吖啶基、苯氧雜二基或二苯并吖庚因基等， 其可再被取代亦可。可取代或未取代之碳數6至60之芳 基或可取代或未取代之碳數3至60之雜環基。2價或3 價之可取代或未取代之碳數6至60之芳香族烴基或可取 代或未取代之碳數3至60之雜環基。可取代或未取代之 -63- (60) 1362893 苯殘基、可取代或未取代之噻吩殘基、可取代或未取代之 三唑殘基、可取代或未取代之芴殘基或可取代或未取代之 螺-聯芴殘基。
〔式中，R1至R12各自獨立爲氫原子、鹵素原子、烷 基、芳烷基、烯基、氰基、胺基、醯基、烷氧羰基、錢基 、烷氧基、烷胺基、芳烷胺基、鹵烷基、羥基、芳氧基、 可具有取代基之芳香族烴環基或芳香族雜環基’R1與R2 、R3 與 R4、R5 與 R6、R7 與 R8、R9 與 RI0、RII 與 RI2 各 自與鄰接之取代基間可形成環；
Ari’’爲可具有取代基之芳香族烴環基、芳香族雜環基 -64 - (61) 1362893 或下述式（Π)之任一者°
(式中，R13至R18各自獨Μ爲氫原子 烷基、芳烷基、烯基、氰基、可具有取代基 、烷氧羰基 '羧基、烷氧基、院胺基 '芳烷 、羥基、芳氧基、可具有取代基之芳香族烴 環基，R13 與 R14、R15 與 r16、Rl7 與 R18 各 代基間可形成環）〕。 式（10)中之Ar1’’、R1至R18所示各 具體例，例如咔唑基、碳數1 8至60之芳基 咔哇基、碳數18至60之芳基氮雜咔唑基、 雜二基或二苯并吖庚因基等，其可再被取代 或未取代之碳數6至60之芳基或可取代或 3至60之雜環基。2價或3價之可取代或讳 至60之芳香族烴基或可取代或未取代之碳額 環基。可取代或未取代之苯殘基、可取代或 殘基、可取代或未取代之三唑殘基、可取代 殘基或可取代或未取代之螺-聯芴殘基。 本發明中，有機EL元件之陽極，爲具 電洞輸送層或發光層之作用，且於4.5eV以 -65- 、鹵素原子、 之胺基、醯基 胺基、鹵烷基 基或芳香族雜 自與鄰接之取 基與取代基之 咔唑基、氮雜 吖啶基、苯氧 亦可。可取代 未取代之碳數 取代之碳數6 之3至60之雜 未取代之噻吩 或未取代之芴 有將電洞注入 上之功函數下 (62) 1362893 可顯現出更佳之效果。 本發明所使用之陽極材料之具體例示，如氧化銦錫合 金（ITO )、氧化錫（NESA )、金、銀、鉑、銅等皆可使 用。 又，陰極因爲以將電子注入電子注入層或發光層爲目 的，故以使用功函數較小之材料爲佳。
陰極材料並未有特別限定，具體而言，例如銦、鋁、 鎂、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁-銃-鋰合金、 鎂-銀合金等。 本發明之有機EL元件之各層的形成方法並未有特別 限定。 一般可使用以往公知之真空蒸鍍法、旋轉塗覆法等之 形成方法。
本發明之有機EL元件所使用之含有前述式（1)所 示化合物之有機薄膜層，可使用真空蒸鍍法、分子線蒸鍍 法（Μ B E法）或將溶解於溶劑之溶液的浸漬法、旋轉塗 覆法、鑄膜法、條狀塗覆法、滾筒塗覆法等公知之塗佈方 法而形成。 本發明之有機EL元件之各有機層之膜厚度並未有特 別限定，一般而言，膜厚度過薄時，將容易產生砂孔等缺 陷，相反的，過厚時因需施加更高之電壓’而使效率變差 ’故一般爲數nm至1 # m之範圍爲佳。 【實施方式】 -66- (63) 1362893 實施例 以下，將使用合成例與實施例對本發明作更詳細之說 明。但本發明並未下述例示所限制。 合成例1 (化合物（A - 7 ’）之合成）
(1 )中間體（IΜ -1 )之合成 將 4 -溴基碑基苯 25.4g ( 90mmol)、昨哩 i〇.〇g ( 60mmol )、碘化銅 0_lg ( 〇_5mmol)、磷酸鉀 26.7g ( 1 2 6 m m ο 1 )懸濁於1 ,4 -二噁烷7 0 m 1中，再加入反1 ,2 -環 己烷二胺0.7ml(6mmol)後，於氬氣環境下、進行14小 時加熱迴流。 將反應溶液冷卻至室溫，再加入二氯甲烷與水，將其 分離爲2層後，有機層依序使用5❶鹽酸水溶液與水洗淨 ，並使用無水硫酸鈉乾燥。 P- 有機溶媒經減壓餾除後，加入5 Om 1乙醇，將析出之 結晶過濾’並依序使用乙醇與正己烷洗淨，得17.8g之 -67- (64) (64)1362893 溴基苯基咔唑17_8g (產率92%)。 將P-溴基苯基咔唑8.0g(25mmol)溶解於甲苯50ml 與醚5〇ml之混合溶液中，於氬氣環境、-40°C下，加入正 丁基鋰己烷溶液（1.6M) 21ml ( 32mmol)，並於- 4〇°C至 〇°C間攪拌1小時。 隨後，將反應溶液冷卻至-70 °C，再滴入稀釋有硼酸 三異丙酯17ml(74mmol)之25ml醚溶液，於- 70°C下攪 拌1小時後，昇溫至室溫並進行6小時之攪拌。 於放置一夜後，再將70ml之5%鹽酸滴入反應溶液中 ，於室溫下再攪拌45分鐘。 將反應溶液分離爲2層後，有機層以飽合食鹽水洗淨 ，並使用無水硫酸鈉乾燥。 有機溶媒經減壓餾除後，將析出之結晶過濾，使用甲 苯-正己院混合溶媒洗淨，得中間體（IΜ -1 ) 4 · 0 g (產率 5 6%)。 (2)化合物（A-7’）之合成 將 3,3’-二溴基聯苯 2.0g(6.4mmol)、中間體（IM-1 )3.7g ( 12.8mmol )、四-三苯基膦鈀（〇) 300mg( 〇-25mmol ) 、DME (二甲氧基乙烷）6〇ml、碳酸鈉水溶液 〔溶解有碳酸鈉4_0g(38mm〇i)之35mi水〕於氬氣環境 下裝入200ml燒瓶中’並於78。(：下攪拌18小時。 其後’冷卻至室溫’將析出之結晶濾除，使用水、甲 醇與己烷洗淨，得4.0g粗結晶。 -68- (65) (65)1362893 將其以矽凝膠管柱純化，以甲苯再結晶，得1.2g之 淡黃色結晶。 其次，將其於400°C ' 3.0xl(T4Pa下昇華純化’得純 化結晶（A-7’）820mg(1.3mmol’ 產率 20%)。使用 FD-MS (場解吸質譜 ’ Field desorption mass spectrometry) 測定結果係如下所示。 FD-MS : calcd for C 4 sH 3 2 B rN 2 = 6 3 6 ’ found, m/z = 63 6 ( 1 00 ) 又，使用HPLC (管柱：ODS-3V，移動相：乙腈/四 氫呋喃=85/15，檢測UV波長：25 4nm，溫度40°C )分析 結果，該物質之純度爲9 9.5 %。 經以上檢測結果，確認所得之結晶爲標的物。 合成例2〔化合物（A-16’）之合成〕
於氬氣環境下之5 00ml燒瓶中，置入2,2’_二溴基聯 苯 5.0g(16.3mmol)、中間體（IM-l)l〇.lg(35.3mmol )、四-三苯基膦鈀（0) 740mg(0.64mmol) 、DME (二 甲氧基乙烷）150ml、碳酸鈉水溶液〔溶解有碳酸鈉l〇.2g (9 6 m m 0 1 )之1 2 0 m 1水〕，並於7 8 °C下攪拌1 5小時。 其後，冷卻至室溫，將析出之結晶濾除。 -69- (66) (66)1362893 使用水、甲醇與己烷依序洗淨析出結晶，其後再使用 甲醇經過 3次再結晶，得化合物（A-16’）6.9g ( 1 0.8 m m ο 1，產率6 8 % )。使用F D - M S測定結果係如下所 示。 FD-MS : calcd for C4 8 Η 3 2 B r N2 = 6 3 6，f o u n d，m/z = 636 ( 1 00 ) 又，使用HPLC (管柱：ODS-3V，移動相：乙腈/四 氫呋喃=8 5 /1 5，檢測U V波長：2 5 4 n m ’溫度4 0 °C )分析 結果，該物質之純度爲99.9%。 經以上檢測結果，確認所得之結晶爲標的物。 合成例3 (化合物（B - 3 ’）之合成）
-70- (67) (67)1362893 (1 )中間體（IM-2 )之合成 於氬氣環境下之2公升之三口燒瓶中，加入1,3,5 -三 溴基苯 70g(0_22mol)、咔唑 73.6g(0.44mol) '碘化銅 4.2g ( 22mmol )、磷酸鉀 1 8 7 g ( 0.8 8 m ο 1 )、反-1，2 -環己 烷二胺 25g(0.22mol)與 1，4-二噁烷 700ml 後，於 104°C 下、攪拌1 6小時。 其後，將反應溶液冷卻至室溫’再加入600ml水以二 氯甲烷萃取後，將有機層以水洗淨，其次再使用無水硫酸 鎂乾燥後，經過濾’將濾液減壓濃縮至淤漿狀態。 將所得固體過濾，濾液再予減壓濃縮。 將殘渣溶解於3 0 0 m 1甲苯中’以矽凝膠管柱純化’得 22g 之中間體（IM-2) (45mmol’ 產率 20%)。使用 FD-M S測定結果係如下所示。 FD-MS : calcd for C3〇Hi9BrN2 = 4 8 7 5 found, m/z = 488(100) >486(95) (2 )中間體（IM-3 )之合成 於氬氣環境下之3 00ml三口燒瓶中’加入上述（IM_2 )9.0g(18mmol)、脫水甲苯100m1、脫水二乙基醚 1 0 0 m 1，於攪拌中，冷卻至-1 0 °C。 將正丁基鋰（1.6M己院溶液_) 14.8ml (23 mmol)以 1 〇分鐘時間滴入其中。 隨後，經攪拌2小時後’以20分鐘時間’將稀釋有 -71 - (68) (68)1362893 硼酸三異丙酯10.4g(56mmol)之25ml乙醇溶液滴入其 中，於室溫下攪拌8小時。 其後，冷卻至〇 t，再添加稀釋有4ml濃鹽酸之 100ml水所得之稀鹽酸，使其成酸性。 其次，依序使用1 〇〇ml水與飽合食鹽水洗淨，有機層 以無水硫酸鎂乾燥。 將此溶液過濾後，經減壓濃縮，將所得黏性固體溶解 於30ml之THF (四氫呋喃）中，再加入100ml己烷，將 減壓下析出之結晶過濾。 其後，將濾液濃縮，使所得黏性物再溶解於THF中 ，加入己烷後進行同樣之操作，得合計5.9g ·之中間體（ IM-3 ) (13mmol，產率71%) »使用FD-MS測定結果係 如下所示。 FD-MS : calcd for C3〇H2 iN202 = 4 5 2，found, m/z = 452 ( 1 00 ) (3)中間體（ΪΜ-4)之合成 於氬氣環境下之300ml三口燒瓶中，加入1-溴-3-碘 基苯 5.0g ( 18mmol)、中間體（IM-3) 8.1g ( 18mmol) 、四-三苯基膦銷（0) (Pd(PPh3) 4) 414mg(0.36mmol )、二甲氧基乙烷100m丨與碳酸鈉10重量％水溶液58g( 54mmol )，於8 0 °C下攪拌1 〇小時。 反應結束後，冷卻至室溫，再加入1 00ml甲苯，依序 使用水與飽合食鹽水洗淨有機層，使用無水硫酸鎂乾燥後 -72- (69) (69)1362893 ，過濾、將有機層減壓濃縮’得黃褐色固體。 將其使用矽凝膠管柱精製，得中間體（IM·4 ) 9.2g ( 1 6 m m ο 1，產率8 8 % )。使用F D - M S測定結果係如下所示 〇 FD-MS ： calcd f 〇 r C 3 7 Η 2 7 B rN 2 = 5 7 9 ’ f o u n d，m/z = 5 8 0 ( 1 00 ) >5 7 8 ( 90 ) (4)中間體（IM-4)之合成 於氬氣環境下之300ml三口燒瓶中，加入中間體（ IM-4) 6.0g ( lOmmol)、脫水甲苯7〇ml與脫水一乙基酸 7〇ml，於攪拌中，冷卻至-10°C。 將正丁基鋰（1.6M己烷溶液）7.5ml(12mmol)以 1 〇分鐘時間滴入其中。 隨後，經攪拌2小時後’以2 0分鐘時間’將稀釋有 硼酸三異丙酯5.6g(30mmol)之20ml乙醇溶液滴入其中 ，於室溫下攪拌6小時。 其後，冷卻至〇 °C ，再添加稀釋有4m 1濃鹽酸之 1 0 0ml水所得之稀鹽酸，使其成酸性。 其次，依序使用7〇ml水與飽合食鹽水洗淨，有機層 以無水硫酸鎂乾燥。 將此溶液過濾後，經減壓濃縮，將所得黏性固體溶解 於20ml之THF中，再加入7〇ml己烷，將減壓下析出之 結晶過爐。 其後，將濾液濃縮，使所得黏性物再溶解於THF中 -73- (70) (70)1362893 ，加入己烷後進行同樣之操作，得合計4. 1 g之中間體（ IM-5 ) (7.5mmol，產率75%)。使用FD-MS測定結果係 如下所示。 FD-MS : calcd for C 3 7 Η 2 9N2 0 2 = 5 4 4，found, m/z = 544 ( 1 00 ) (5 )中間體（IM-6 )之合成 於氬氣環境下之3 00ml三口燒瓶中，加入1-溴-3-碘 基苯 5.0g ( 18mmol)、中間體（IM-1) 5.2g ( 18mniol) 、四-三苯基膦鈀（0) (Pd(PPh3) 4 ) 4 1 4mg ( 0.36mmol )、二甲氧基乙烷1 〇〇ml與碳酸鈉1 0重量％水溶液58g ( 54mmol )，於80 °C下攪拌12小時。 反應結束後，冷卻至室溫，再加入1 0 0 W甲苯，依序 使用水與飽合食鹽水洗淨有機層’使用無水硫酸鎂乾燥後 ，過濾、將有機層減壓濃縮，得黃褐色固體。 將其以矽凝膠管柱精製，得中間體（IM-6 ) 5.1g ( 1 3 m m 01，產率7 2 % )。使用F D - M S測定結果係如下所示 〇 FD-MS : calcd for C24H|6BrN = 398，found，m/z = 399 (100) ，3 97 ( 93 ) (6)化合物（B-3’）之合成 於氬氣環境下之100m I燒瓶中’於室溫下加入上述（ IM-6) 2.5g(6.3mmol)、中間體（IM-5) 3.7g(6.9mmol -74- (71) 1362893 )、四-三苯基膦鈀（〇) (Pd(PPh3) 4) I45mg( 0. 1 3mmol )、二甲氧基乙烷50ml與碳酸鈉水溶液〔溶解 有2g(19mmol)碳酸鈉之l〇ml水〕，於78°C下攪拌15 小時。 反應結束後，冷卻至室溫’再將析出之結晶濾出。 所得之析出結晶，以水 '甲醇與己烷洗淨，得3.7g 結晶。
其次，使用甲苯進行3次再結晶，得化合物（B-3 ’） 2.8g ( 3 .5mmol，產率55% )。使用FD-MS測定結果係如 下所示。 FD-MS ： calcd for C 6 〇 Η 3 9N 3 = 8 0 1，f o un d , m/z = 8 0 1 (100)
又，使用HPLC (管柱：ODS-3V，移動相：乙腈/四 氫呋喃= 85/15，檢測UV波長：254nm，溫度40°c )分析 結果，該物質之純度爲9 9.5 %。 經以上檢測結果，確認所得之結晶爲標的物° 合成例4(化合物（B-28’）之合成） -75- (72) (72)1362893
(1 )中間體（IM-7 )之合成 於氬氣環境下之500ml三口燒瓶中’加入丨，3,5_三溴 基苯 30g(94mmol)、咔唑 18.8g(60mmol)、碘化銅 0.6g ( 3mmol )、磷酸鉀 25.5g(120mmol)、反-1，2-環己 烷二胺 3.4g(30mmol)與 1，4-二噁烷 200ml 後，於 l〇5°C 下攪拌中，進行1 6小時加熱迴流。 其後，將反應溶液冷卻至室溫’再加入1 5 0ml水以二 氯甲烷萃取後，將有機層以水洗淨，其次再使用無水硫酸 鎂乾燥後，經過濾，將濾液減壓濃縮至淤漿狀態。 將所得固體過爐，據液再予減壓濃縮。 將殘渣溶解於甲苯中，以矽凝膠管柱純化，得中間體 (IM-7 ) 1 7g ( 42mmol，產率 71 % 。使用 FD-MS 測定結 果係如下所示。 -76- (73) (73)1362893 FD-MS '· calcd for CisHiiBr2N = 401，found, m/z = 40 1 ( M+，1 00 ) (2)中間體（IM-8)之合成 於氬氣流下之300ml燒瓶中，加入上述（IM-7) 5.Og (12.5mmol )、中間體（IM-1) 3.9g(13.7mmol)、四-三苯基膦鈀（0) 300mg ( 0.25mmol) 、DME (二甲氧基 乙院）60ml與碳酸鈉水溶液〔溶解有4.0g(38mmol)碳 酸鈉之3 5 m 1水〕，於7 8 °C下攪拌1 4小時。 反應結束後，冷卻至室溫，再將析出之結晶濾出，以 水、甲醇與己烷洗淨，得6.1 g粗結晶。 其次，將其以矽凝膠管柱純化後，以甲苯再結晶，得 中間體（IM-8)52g(9.2mmol，產率 74%)。使用 FD- M S測定結果係如下所示。 FD-MS : calcd for C 3 6 Η 2 3 B rN 2 = 5 6 2，found, m / z = 562 ( M+ - 1 〇〇 ) (3 )中間體（IM-9 )之合成 於氬氣流下之300ml燒瓶中，加入4_碘基溴基苯 5·58 ( 1 9mmol )、中間體（IM-1) 5.6g(19mmol)、四-二苯基膦鈀（0) 450mg(0.39mmol) 、DME (二甲氧基 &院）12〇1111與碳酸鈉水溶液〔溶解有6.28(581«111〇1)碳 酸鈉之30ml水〕，於78。(：下攪拌16小時。 反應結束後’冷卻至室溫’再將析出之結晶濾出，以 -77- (74) (74)1362893 水、甲醇與己烷洗淨，得6.8g粗結晶。 將其以甲苯再結晶，得中間體（IM-9) 6.7g ( 17mmol ，產率89%)。使用FD-MS測定結果係如下所示。 FD-MS : calcd for C24Hl6BrN= 3 97，found，m/z= 397 (M+，1 00) (4) 中間體（IM-10)之合成 於氬氣流境下之500ml燒瓶中，加入中間體（IM-9) 6.2g ( 1 6mmol ) '脫水 THF 200ml，冷卻至-70°C 後，滴 入正丁基鋰（1.6M己烷溶液）12ml，於-65 °C下攪拌1.5 小時。 隨後，將稀釋有硼酸三異丙酯8.7g ( 46mmol )滴入 其中，徐徐回溫至室溫，並攪拌8小時。 其後*將燒瓶冷卻至〇 °C ^再添加濃鹽酸5 0 m 1、漠化 四丁基銨125mg，再於室溫下攪拌5小時。 將析出之結晶濾出，以水、甲醇與己烷洗淨，以甲苯 再結晶，得中間體（IM-10 ) 3.4g ( 9.4mmol )。 (5) 化合物（B-28’）之合成 於氬氣流下之3〇〇ml燒瓶中’加入中間體（iM_1〇) 3.2g ( 8.8mmol ) 、 ( IM-8 ) 4.9g ( 8.8mmol )、四-三苯 基膦 IE ( 〇) 203mg ( 0_18mmol) 、DME (二甲氧基乙院 )80ml與碳酸鈉水溶液〔溶解有2.9g(27mmol)碳酸鈉 之1 5 ml水〕，於7 8 °C下攪拌1 5小時。 -78- (75) (75)1362893 反應結束後，冷卻至室溫，再將析出之結晶濾出，以 水、甲醇與己烷洗淨，得4· 8g粗結晶。 其次，使用甲苯進行再結晶，得化合物（B-28’） 2,5g(3.1mmol’產率35%)。使用FD-MS測定結果係如 下所示。 F D - M S : c a 1 c d f 〇 r C 6 〇 Η 3 9 N 3 = 8 0 1，f 〇 u n d, m / z = 8 0 1 (100) 又，使用HPLC (管柱：ODS-3 V，移動相：乙腈/四 氫呋喃=8 5 /1 5，檢測U V波長：2 5 4 nm，溫度4 0 Ό )分析 結果，該物質之純度爲99.3%。 經以上檢測結果，確認所得之結晶爲標的物。
(1 )中間體（IM-1 1 )之合成 於氬氣流下之200ml燒瓶中，加入3,5-二溴基聯苯 3.5g ( 1 1 ,2mmol )、中間體（IM-l)3.2g(11.2mmol)、 四-三苯基膦鈀（0) 260mg ( 0.22mmol) 、DME (二甲氧 基乙烷）60ml與碳酸鈉水溶液〔溶解有3.6g ( 34mmol ) 碳酸鈉之40ml水〕，於78°C下攪拌15小時。 -79- (76) 1362893 反應結束後’冷卻至室溫，將析出 酸乙酯洗淨，再使用水與飽合食鹽水洗 硫酸鎂乾燥，將溶劑餾除以矽凝膠管柱 (IM-11) 2.9g ( 6.1mmol，產率 54%) 定結果係如下所示。 FD-MS : calcd for C3〇H2〇BrN= 475 (100) (2 )化合物（B-40’）之合成 於氬氣流下之300ml燒瓶中，加；《 2.4g ( 5.0mmol) ' 2,2-聯 Q比陡 5 8 0 m g ( 環辛二烯 l.lg(lOmmol)、二環辛 〇.37mmol)與脫水 DME120ml，於 60°C 反應結束後，加入120ml水，將析 水、甲醇與己烷洗淨後，使用甲苯再結 40，）1.8g(2.3mmol，產率 46%)。使 果係如下所示。 FD-MS: calcd for C60H40N2=788 (100) 又，使用HPLC (管柱：ODS-3V， 氫呋喃= 85/15，檢測UV波長：254nm 結果，該物質之純度爲9 9.8%。 經以上檢測結果，確認所得之結晶: 之結晶濾出，以乙 淨，有機層以無水 純化後，得黏性物 。使用FD-MS測 ，found, m/z = 4 7 5 、中間體（IM-l 1 ) 0.3 7 m m ο 1 ) ' 1,5- 二烯鎳鹽 1 · 0 g ( 下攪拌1 4小時。 出之結晶濾出，以 晶，得化合物（B-用FD-MS測定結 ，found，m/z = 7 8 8 移動相：乙腈/四 ，溫度40°C )分析 爲標的物。 -80- (77) 1362893 合成例6 (化合物（C-3’）之合成）
(1 )中間體（IΜ -1 2 )之合成 於氬氣環境下之1公升燒瓶中，於室溫下加入3 -氯-4 -碘基苯 19.4g(61mmol)、中間體（IM-1) 17.6g(
6 1 mmol )、四-三苯基膦鈀（0)l_4g(1.2mmol) 、DME (二甲氧基乙烷）44 4ml與碳酸鈉水溶液〔溶解有19.4g (183mmol )碳酸鈉之92ml水〕，於78°C下攪拌15小時 其後，將反應溶液冷卻至室溫，將析出之結晶濾出， 以水、甲醇及己烷洗淨後，以活性碳處理，使用甲苯再結 晶，得中間體（IΜ -1 2 ) 1 2.2 g ( 2 8 m m 〇丨，產率4 6 % )。使 用FD-MS測定結果係如下所示。 FD-MS · calcd for C24H|sBrClN= 431，found, m/z = 431 ( 100) -81 - (78) (78)1362893 (2)中間體（IM-13)之合成 於氬氣流下之3 Ο 0 m 1燒瓶中，加入中間體（I μ -1 2 ) 6g ( 1 4mmol )、脫水甲苯60ml、脫水醚60ml後，將其冷 卻至-40°C，於攪拌中，以10分鐘時間將正丁基鋰（1.6M 己垸溶液）9.4ml(15mmol)滴入其中。 其後，再經2小時攪拌後，以1 〇分鐘時間將稀釋有 硼酸三異丙酯8g (42mmol)之20ml醚溶液滴入其中，於 室溫下攪拌6小時。 其後冷卻至〇°C，再加入稀釋有45ml濃鹽酸之20ml 水所得稀鹽酸，其後再攪拌4小時。 將其以甲苯萃取，使用分液漏斗將溶液依序以70ml 水與飽合食鹽水洗淨，有機層以無水硫酸鎂乾燥。 將此溶液過濾後’減壓濃縮，將所得黏性固體溶解於 20ml THF中，加入70ml己烷，於減壓下將析出結晶過濾 ，得中間體（I Μ -1 3 ) 4 _ 1 g ( 1 0 m m ο 1 ’ 產率 7 1 % )。使用 F D - M S測定結果係如下所示。 FD-MS ： calcd for C 2 4 Η 17 B r C1Ν Ο 2 = 3 9 7 > found, m/z =397(100) (3 )中間體（IM -1 4 )之合成 於氬氣流下之3 00ml燒瓶中，加入中間體（IM-13 ) 4.0g ( 10mmol)、中間體（IM-12) 4.3g(l〇mmol)、四-三苯基膦鈀（0) 230mg ( 0.2mmol) 、DME (二甲氧基乙 烷）120ml與碳酸鈉水溶液〔溶解有3.18g(30mmol)碳 -82- (79) (79)1362893 酸鈉之1 8 m 1水〕，於7 8 °C下攪拌1 5小時。 反應結束後，冷卻至室溫，再將析出之結晶濾出，以 水、甲醇與己烷洗淨，以甲苯再結晶，得中間體（ΙΜ· 1 4 )4.9g(7.0mmol，產率70)。使用FD-MS測定結果係如 下所示。 FD-MS ： calcd for C48H30CI2N2 = 704，found，m/z = 704 ( 1 〇〇) (4)化合物（C-3’）之合成 於氬氣流下之300ml燒瓶中，加入中間體（IM-14) 4.8g ( 6.8mmol)、苯基.硼酸（41mmol) 、Ni ( PPh3) 2CI2 650mg ( l.Ommol)、三苯基膦 580mg(2.0mmol)、 K3PO4 · nH2〇 21.6g ( 102mmol)、脫水甲苯 l〇〇ml 後， 於1 0 0 eC下攪拌2 4小時。 將反應液過濾，濾液加入管柱中，濃縮液以乙酸乙酯 與甲苯再結晶，得化合物（C-3，）2.2g(2.8mmol，產率 41% )。使用FD-MS測定結果係如下所示。 FD-MS ： calcd for C6〇H4〇N2 = 788 5 found, m/z= 788 (100) 又，使用HPLC (管柱：ODS-3V，移動相：乙腈/四 氫呋喃= 85/15，檢測UV波長：254nm，溫度40°C )分析 結果，該物質之純度爲99.5%。 經以上檢測結果，確認所得之結晶爲標的物。 -83- (80) 1362893 實施例1 將25mmx75mmx0.7mm厚之附有ITO透明電 璃基板，於異丙醇中以超音波洗淨5分鐘，再使用 氧洗淨30分鐘。 將洗淨後之附有透明電極之玻璃基板裝設於基 架上，首先於形成有透明電極之側面上，以包覆前 電極之方式形成膜厚l〇nm之銅酞菁膜（以下簡稱 膜」）。此CuPc膜具有電洞注入層之機能。與It 膜成膜後，於此膜上再形成膜厚30nm之4,4’-雙〔 萘基）苯基胺基〕聯苯膜（以下簡稱「a -NPD 。此a_NPD膜具有電洞輸送層之機能。又，於α-上再將上述化合物（Α-7’）作爲主體材料蒸鍍形届 厚之發光層。同時，添加磷光發光性之Ir金屬錯 三（2-苯基吡啶）Ir (以下簡稱「Ir ( ppy ) 3」） 雜劑。 發光層中之Ir (ppy) 3之濃度爲5重量％。 此膜具有發光層之機能。 於此膜上再形成膜厚l〇nm之（（1，1’-聯苯基 酯）雙（2 -甲基-8 -喹啉酯）鋁（以下簡稱「BAlq 之膜。 此BAlq膜具有電洞阻隔層之機能。 又，再於此膜上形成膜厚40nm之8-羥基D奎啉 合物（以下簡稱「Alq膜」）膜。 此Alq膜具有電子注入層之機能。 極之玻 UV臭 板支撐 述透明 「CuPc t C u P c N- ( 1-膜」） NPD膜 l 3 0nm 合物之 作爲摻 )-4-醇 膜j ) 之銘錯 -84- (81) (81)1362893 其後’於蒸鍍0.2 nm厚之鹵化鹼金屬LiF後，再蒸鍍 1 50nm厚度之鋁。 此Al/LiF具有陰極之機能》 依前述方式即可製得有機EL元件。 對此元件進行通電試驗結果，得其爲電壓5.8V、電 流密度0.23mA/cm2、發光亮度爲l〇lcd/m2之綠色發光， 色度座標爲（0.29，0.64)，發光效率爲43.2cd/A。 又’對此元件以定電流驅動使其初期亮度爲 5 000cd/m2 ’於達亮度2500cd/m2半衰期之時間爲1 126小 時。
實施例2至6 於實施例1中，除將發光層之主體材料化合物（A-7, -85- (82) (82)1362893 >以表1所記載之化合物替代以外，其他皆依實施例1相 同方法製作有機EL元件。 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮度、發 光效率、色度、亮度半衰期。其結果如表1所示。 比較例1 於實施例1中’除將發光層之主體材料化合物（A-7’ )’以公知之下述化合物（CBP)替代以外，其他皆依相 同方法製作有機EL元件。 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮度、發 光效率、色度、亮度及半衰期。其結果如表1所示。
化合物（CBP) 比較例2 於實施例1中’除將發光層之主體材料化合物（A-7, )’以公知之下述化合物（CTP )替代以外，其他皆依相 同方法製作有機EL元件。· 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮度、發 光效率、色度、亮度及半衰期。其結果如表1所示。 -86- (83) 1362893
表1 發光層之 電壓 電流密度 亮度 發光效率 色度座標 半衰期 主體材料 (V) (mA/cm2) (cd/m2') (cd/A) (x, y) (小時） 實施例1 Α-Τ 5.8 0.23 101 43.2 (0.29, 0.64) 1126 實施例2 Α-16， 5.6 0.25 99 39.7 (0.32,0.61) 657 實施例3 Β-3’ 5.5 0.23 104 46.3 (0.32, 0.61) 1073 實施例4 Β-285 5.4 0.24 105 43.5 (0.29,0.64) 912 實施例5 Β-405 5.5 0.23 101 44.7 (0.30,0.64) 1086 實施例6 C-35 5.8 0.26 100 38.9 (0.31,0.61) 719 比較例1 CBT 5.4 0.31 101 32.6 (0.32, 0.61) 305 比較例2 CTP 6.1 0.78 104 13.4 (0.33,0.61) 62 由表1結果得知，使用本發明之有機EL元件用材料 之有機EL元件，可得到高效率且長使用壽命之綠色發光 實施例7 將2 5mm X 7 5mm X 0.7mm厚之附有ITO透明電極之玻 璃基板，於異丙醇中以超音波洗淨5分鐘’再使用υ v臭 -87- (84) (84)1362893 氧洗淨30分鐘。 將洗淨後之附有透明電極之玻璃基板裝設於基板支撐 架上，首先於形成有透明電極之側面上，以包覆前述透明 電極之方式形成膜厚l〇nm之上述CuPc膜。此CuPc膜， 具有電洞注入層之機能。隨後，於CuPc膜上形成膜厚 30nm之1,1’-雙〔4-Ν,Ν-二（對甲苯基）胺基苯基〕環己 烷膜（以下簡稱「TPAC膜」）。 此TPAC膜具有電洞輸送層之機能。 於此TPAC膜上蒸鍍膜厚30nm之化合物（Β-3’）作 爲發光層。 同時添加磷光性之Ir金屬錯合物摻雜劑之Ir雙〔（ 4,6-二氟苯基）-吡啶二酯·Ν，C2’〕皮考啉酯（以下簡稱 「FIrpic」）。 發光層中之FIrpic之濃度爲7重量％。 此膜具有發光層之機能。 於此膜上再形成膜厚30nm之上述Alq膜。 此Alq膜具有電子注入層之機能。 又’其後蒸鍍厚度〇.2nm之鹵化鹼金屬後，再蒸鑛 150nm厚度之錯》 此Al/LiF具有陰極之機能。 依前述方式即可製得有機EL元件。 對此元件進行通電試驗結果，得其爲電壓7 · 8 V、電 流密度〇.47mA/cm2'發光亮度爲l〇lcd/m2之藍色發光， 色度座標爲（0.17，0.37)，發光效率爲21.6cd/A。 -88- (85) 1362893 又，對此元件以定電流驅動使其初期亮度爲 5 00cd/m2，於達亮度250cd/m2半衰期之時間爲71小時間
TPAC F J2 Flrpic 實施例8 於實施例1中，除將發光層之化合物（B - 3，）以丨七g 物（B-40’）替代以外，其他皆依實施例1相同方法製作 有機EL元件。 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮度、# 光效率、色度、亮度及半衰期。其結果如表2所示， 比較例3 除將發光層之主體材料化合物（A-7’）以公知之上述 化合物（CBP )替代以外，其他皆依實施例1相同方法製 作有機EL元件。 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮度、@ 光效率、色度、亮度及半衰期。其結果如表2所示。 -89- (86) (86)l362893 比較例4 除將發光層之主體材料化合物（A-7’）以公知之下述 化合物（CzTT )替代以外，其他皆依實施例1相同方法 製作有機EL元件。 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮度、發 光效率、色度、亮度及半衰期。其結果如表2所示。
化合物（CBP) 比較例5 除將發光層之主體材料化合物（A-7,）以公知之上$ 化合物（CTP )替代以外’其他皆依實施例1相同方法製 作有機EL元件。 依實施例1相同方法測定電壓、電流密度、亮^_ 光效率、色度 '亮度及半衰期。其結果如袠2所示。 -90- (87) 1362893 表2 發光層之 電壓 電流密度 亮度 發光效率 色度座標 半衰期 主體材料 (V) (mA/cm2) (cd/m2) (cd/A) (x，y) (小時） 實施例7 B-3’ 7.8 0.47 101 21.6 (0.17, 0.37) 71 實施例8 B-40， 7.5 0.44 103 23.6 (0.16,0.37) 63 比較例3 CBT 7.8 1.70 98 5.8 (0.16,0.37) 19 比較例4 CzTT 8.3 0.86 101 11.8 (0.16,0.37) — — 9 比較例5 CTP 12.4 10.9 87 0.8 (0.16, 0.37) 一·— 2 由表2結果得知，使用本發明之有機EL元件用材料 之有機EL元件，可得到高效率且長使用壽命之藍色發光 -91 -

Claims (1)

1362893 第093140630號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國101年1月10日修正 十、申請專利範圍 1· 一種有機電致發光元件用材料，其爲由下述式（1 )所示化合物所得者， Ri Cz-Arr R2 1(3 R5 R7
'AT2-ΑΓ3-AT4~~~Cz R6 Re 〔式中，Ar,M A1·4各自表示爲苯殘基，Cz爲下述式
(式中，A 爲單鍵、-(CR9R1()) n·、-(SiRliRi2) n_ 、-NR13-、或- S-，n爲1至3之整數；至R"各自 獨立爲氫原子、可取代或未取代之碳數1至40之垸基、 可取代或未取代之核原子數3至40之雜環基、可取代或 未取代之碳數1至40之烷氧基、可取代或未取代之核碳 、 數6至40之芳香族烴基 '可取代或未取代之碳數6 40之芳氧基、可取代或未取代之碳數7至40之芳院基 1362893 、可取代或未取代之碳數2至40之烯基、可取代或未取 代之碳數1至40之烷胺基、可取代或未取代之碳數6至 4〇之芳胺基或可取代或未取代之碳數7至40之芳烷胺基 :尺9與R1()，或尺^與R,2可互相鍵結形成飽合或不飽合 之環狀結構； X爲可取代或未取代之碳數1至40之烷基、可取代 或未取代之核原子數5至40之芳香族雜環基、可取代或 未取代之碳數1至40之烷氧基、可取代或未取代之核碳 原子數6至40之芳香族烴基、可取代或未取代之碳數6 至40之芳氧基、可取代或未取代之碳數7至40之芳烷基 、可取代或未取代之碳數2至40之烯基、可取代或未取 代之碳數1至40之烷胺基、可取代或未取代之碳數6至 40之芳胺基或，可取代或未取代之碳數7至40之芳烷胺 基） 所示之基； Ri至R8各自獨立爲氫原子、可取代或未取代之碳數 1至40之烷基、可取代或未取代之核原子數5至40之芳 香族雜環基、可取代或未取代之碳數1至40之烷氧基、 可取代或未取代之核碳原子數6至40之芳香族烴基、可 取代或未取代之碳數6至40之芳氧基、可取代或未取代 之碳數7至40之芳烷基、可取代或未取代之碳數2至40 之烯基、可取代或未取代之碳數1至40之烷胺基、可取 代或未取代之碳數6至40之芳胺基、可取代或未取代之 碳數7至40之芳烷胺基，或爲cz基； 1362893 但，式（1)中，八^至Ar4中之1〜3個爲m-伸苯赛 或〇·伸苯基，或An至Ar4中全部爲ρ·伸苯基時，R, _ R8中至少1個爲取代或未取代之核碳原子數6至40 香族烴基，或爲上述Cz基〕。 2·如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用材_ ，其於式（1 )中，Ar2與Ar3各自獨立爲m-伸苯基或 伸苯基，An與Ar4爲p-伸苯基^ 3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用材_ ，其於式（1)中，人〜與Ar4各自獨立爲m-伸苯基或 伸苯基，Ar2與Ar3爲p-伸苯基^ 4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用材料 ，其於式（1 )中，Ar,與 Ar4各自獨立爲m-伸苯基，且 1^或R·7爲可取代或未取代之核碳原子數6至40之芳香 族烴基或Cz基。 5. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用材料 ’其於式（1)中’ Cz基爲可取代或未取代之咔唑基，或 可取代或未取代之9 -苯基咔唑基。 6. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件用材料 ’其中式（1)之化合物爲有機電致發光元件之主體材料 〇 7. —種有機電致發光元件，其爲於陰極與陽極間挾夾 至少具有發光層之由一層或多數層所形成之有機薄膜層的 .有機電致發光元件，其特徵爲，該有機薄膜層中至少1層 爲含有申請專利範圍第1至6項中任一項之有機電致發光 -3- 1362893 « 元件用材料。 8·如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其中 ’上述發光層’爲含有上述有機電致發光元件用材料作爲 主體材料者。 f 9.如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中 上述發光層爲由主體材料與磷光發光性之金屬錯合物所得 者。 • 10·如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其 爲於陰極與有機薄膜層之界面區域中，添加還原性摻雜劑 〇 11.如申請專利範圍第7項之有機電致發4元件，其 爲於上述發光層與陰極間具有電子注入層’且該電子注入 層爲含有以含氮衍生物爲主成分者。 -4-
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4587703B2 (ja) * 2004-05-07 2010-11-24 ケミプロ化成株式会社 新規クオーターフェニレン誘導体、およびそれを用いた有機ｅｌ素子
JP5116347B2 (ja) * 2007-04-09 2013-01-09 キヤノン株式会社 ビフェニル誘導体及びそれを使用した有機発光素子
US8900722B2 (en) * 2007-11-29 2014-12-02 Global Oled Technology Llc OLED device employing alkali metal cluster compounds
JP5604808B2 (ja) * 2009-05-20 2014-10-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5722000B2 (ja) * 2010-01-15 2015-05-20 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電荷輸送材料及び有機電界発光素子
JP4644751B1 (ja) * 2010-01-15 2011-03-02 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5590897B2 (ja) * 2010-01-28 2014-09-17 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
DE102010046412B4 (de) 2010-09-23 2022-01-13 Merck Patent Gmbh Metall-Ligand Koordinationsverbindungen
DE102010054525A1 (de) 2010-12-15 2012-04-26 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR101896729B1 (ko) 2010-12-20 2018-09-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 복소 고리 유도체 및 그것을 사용한 유기 일렉트로 루미네선스 소자
DE102010055901A1 (de) 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102010055902A1 (de) 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP2016025233A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 株式会社東芝 基板処理装置、及び基板処理方法
CN106687563B (zh) 2014-09-05 2023-03-14 默克专利有限公司 制剂和电子器件
WO2016107663A1 (de) 2014-12-30 2016-07-07 Merck Patent Gmbh Formulierungen und elektronische vorrichtungen
CN107431139B (zh) 2015-03-30 2020-12-01 默克专利有限公司 包含硅氧烷溶剂的有机功能材料的制剂
EP3581633B1 (en) 2015-06-12 2021-01-27 Merck Patent GmbH Esters containing non-aromatic cycles as solvents for oled formulations
WO2017036572A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
JP7106451B2 (ja) 2015-12-10 2022-07-26 メルク パテント ゲーエムベーハー 非芳香族環を含むケトンを含む調合物
US11171294B2 (en) 2015-12-15 2021-11-09 Merck Patent Gmbh Esters containing aromatic groups as solvents for organic electronic formulations
CN108431143A (zh) 2015-12-16 2018-08-21 默克专利有限公司 含固体溶剂的制剂
KR20180095028A (ko) 2015-12-16 2018-08-24 메르크 파텐트 게엠베하 둘 이상의 상이한 용매의 혼합물을 함유하는 제형
EP3417033B1 (en) 2016-02-17 2021-02-24 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
DE102016003104A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Merck Patent Gmbh Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter
JP2019523997A (ja) 2016-06-16 2019-08-29 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
EP3472249B1 (en) 2016-06-17 2022-02-02 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
WO2018024719A1 (en) 2016-08-04 2018-02-08 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
CN109890939B (zh) 2016-10-31 2023-07-11 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
US11538992B2 (en) 2016-10-31 2022-12-27 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
EP3552252B1 (en) 2016-12-06 2023-05-17 Merck Patent GmbH Preparation process for an electronic device
WO2018108760A1 (en) 2016-12-13 2018-06-21 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
KR102504432B1 (ko) 2016-12-22 2023-02-27 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 2종의 유기-기능성 화합물을 포함하는 혼합물
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
KR20190131554A (ko) 2017-03-31 2019-11-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 발광 다이오드 (oled) 를 위한 인쇄 방법
WO2018189050A1 (en) 2017-04-10 2018-10-18 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
CN110546236A (zh) 2017-05-03 2019-12-06 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
WO2019016184A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Merck Patent Gmbh FORMULATION OF AN ORGANIC FUNCTIONAL MATERIAL
JP7293229B2 (ja) 2017-12-15 2023-06-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
KR20200125660A (ko) 2018-02-26 2020-11-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
US11603479B2 (en) 2018-06-15 2023-03-14 Merck Kgaa Formulation of an organic functional material
KR20210056432A (ko) 2018-09-24 2021-05-18 메르크 파텐트 게엠베하 과립형 재료의 제조 방법
CN112930606A (zh) 2018-11-06 2021-06-08 默克专利有限公司 用于形成电子器件的有机元件的方法
CN115427521A (zh) 2020-04-21 2022-12-02 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
WO2021259824A1 (de) 2020-06-23 2021-12-30 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung einer mischung
CN116635491A (zh) 2020-12-08 2023-08-22 默克专利有限公司 油墨体系和用于喷墨印刷的方法
JP2024515366A (ja) 2021-04-23 2024-04-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
CN117355364A (zh) 2021-05-21 2024-01-05 默克专利有限公司 用于连续纯化至少一种功能材料的方法和用于连续纯化至少一种功能材料的装置
TW202349760A (zh) 2021-10-05 2023-12-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
WO2024126635A1 (en) 2022-12-16 2024-06-20 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07138561A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3724833B2 (ja) 1995-03-06 2005-12-07 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4003299B2 (ja) * 1998-07-06 2007-11-07 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP4006862B2 (ja) * 1998-12-22 2007-11-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 新規アミノ化合物とその製造方法、及び用途
EP1933395B2 (en) * 1999-12-01 2019-08-07 The Trustees of Princeton University Complexes of form L2IrX
US6660410B2 (en) * 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
JP4112863B2 (ja) * 2000-03-28 2008-07-02 富士通株式会社 接着剤組成物
KR100843819B1 (ko) * 2000-03-29 2008-07-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 안트라센 유도체 및 이를 사용한 유기 전기발광 소자
JP2001313179A (ja) * 2000-05-01 2001-11-09 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2002308837A (ja) * 2001-04-05 2002-10-23 Fuji Photo Film Co Ltd 新規化合物、およびそれを用いた発光素子
WO2003080761A1 (fr) * 2002-03-25 2003-10-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant

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Publication number Publication date
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