TWI361931B - - Google Patents

Description

1361931 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶顯示裝置，特別係關於在像素部兼具 有穿透區域與反射區域之半穿透反射型之液晶顯示裝置及 其製造方法。 【先前技術】 作為液晶顯示裝置’已知有反射型、穿透型、及組合反 射型與穿透型之半穿透反射型之液晶顯示裝置。此半穿透 反射型之液晶顯示裝置由於在各像素部兼具有穿透來自背 光源之光之穿透區域與反射外光之反射區域，故可利用一 個液晶顯示裝置實現穿透型液晶顯示裝置與反射型液晶顯 示裝置之優點》 在半穿透反射型之液晶顯示裝置之一中，有具備有内建 擴散板（内面擴散反射板）之型式。内建擴散板係在丨像素之 基板内面之反射區域’具備有使由顯示面側入射之外光向 該顯示面方向擴散反射之金屬膜。圖u係說明半穿透反射 型之液晶顯示裝置之1個彩色像素之構成例之模式平面 圖。^糸由3個像素（又稱副像素或子像素）R、 G、B之3個所構成。各像素R、〇、B係被黑矩陣β·μ所劃 分’ R像素具有反射部RR與穿透部TR ’ G像素具有(反射部 RG與穿透部TG，B像素具有反射部尺8與穿透部TB。 反射部RR、RG、RB之橫方向尺寸（閘極.線方向尺寸）為 PH，縱方向尺寸（資料線方向尺寸）為pv.，穿透部TR、 TG、TB之橫方向尺寸為PH，縱方向尺寸為τν。彩色像素 125452.doc 1361931 之橫方向尺寸為PCH，縱方向尺寸為PV » 圖12係說明半穿透反射型之液晶顯示裝置之構造例之沿 著圖11之A-A'線之剖面圖。在圖12中，將圖11之穿透部 TR、TG、TB合併表示為穿透區域TA，將圖11之反射部 RR、RG、RB合併表示為反射區域ra。在圖12中，在第i 基板之TFT基板SUB 1之内面形成薄膜電晶體TFT。薄膜電 晶體TFT係由閘極電極GT、閘極絕緣膜GI、矽半導體層 (未圖示）、源極電極（汲極電極）SD 1、汲極電極（源極電 極）SD2所構成。 覆蓋薄膜電晶體TFT而形成適合使用透明絕緣材料之保 護膜PAS，在其上成膜適合使用IT0之透明導電膜之像素 電極ΡΧ。此像素電極ρχ係通過開設在保護膜PAS之接觸孔 CH而連接於源極電極（汲極電極）SD1 ’被薄膜電晶體TFT 所驅動。在此構成中，保護膜PAS之膜厚在穿透區域τα較 薄’在反射區域RA較厚。在反射區域RA保護膜PAS之表 面形成由金屬之濺射膜構成之具有凹凸之擴散反射電極 ΜΤ°而’穿透區域τα之胞隙gl係設定於反射區域ra之胞 隙g2之2倍而使穿透光與反射光之光學的相位一致。作為 使用混入粒子之樹脂之塗佈膜，使粒子之徑大於塗佈膜之 膜厚而使粒子突出’藉以在表面形成擴散反射電極之底層 之凹凸之構成，可列舉專利文獻1。 另一方面’在第2基板之彩色濾光器基板（CF基板）SUB2 之内面’成膜有被黑矩陣BM所劃分之彩色濾光器CF、罩 面層0C、對向電極（共通電極）AT。又，在TFT基板與CF基 125452.doc 板之液晶層之界面，成膜有定向膜，但省略圖示。 又’在穿透部TA與反射部RA之間之階差，液晶之定向 紊亂，在黑顯示之際，會發生漏光。在鄰接之像素之間因 有黑矩陣BM ’故變成非穿透部ΝΊΓ而不會發生漏光。但在 像素内之階差之定向紊亂會引起漏光LK而降低顯示品 質。作為此對策，有圖丨3所示之方法。圖13係說明具備漏 光對策構造之半穿透反射型之液晶顯示裝置之構造例之與 圖12相同之别面圖。在圖13中，在階差之側面覆蓋金屬骐 MT ’而使此部份變成非穿透部Ντ，以防止漏光。 [專利文獻1]日本特開2002-350840號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 隨著液晶顯示之高精細化，擴散反射電極也有必要高精 度地形成。又’擴散反射電極之高精度化要求形成於作為 底層之絕緣層之表面之凹凸之高精度化。在將樹脂黏合劑 中混入微小粒子之溶液，塗佈成使該樹脂黏合劑之臈厚薄 於混入之微小粒子之徑之膜厚，而於表面形成凹凸之先前 技術中’偏差頗多，難以保證凹凸尺寸及凹凸分佈之—樣 性、量產之均勻性。又’以往之方法難以用低成本製造高 精度之擴散反射電極。 本發明提供一種具備有適合於高精細顯示之擴散反射電 極之半穿透反射型液晶顯示裝置及其製造方法。 為達成上述目地，本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置係在具有該擴散反射功能之反射區域，以有機絕緣層與 125452.doc 丄观931 含有具有與該有機絕緣層《折射率同#或近似之折射率之 球形粒子之低介質常數之絕緣層所構成，使球形粒子之徑 大於有機絕緣層之膜厚而形成凹凸面，以仿照此凹凸面之 • 表面形狀而成膜之金屬膜形成擴散反射電極。 又本發明可在穿透區域與反射區域之間設置前述有機 、 、絕緣層之膜厚大於前述球形粒子之徑之前述低介質常數之 邑緣層丨外’本發明可將反射區域之胞隙與穿透區域之 • 豸隙比没又為1:2’而使穿透光與反射光之光學的相位一 致。 /又本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝置之製造方法 係在第1基板（通常為薄媒電晶體基板）之内面上塗佈有機絕 緣樹月曰材料_混合球形粒子之有機絕緣膜材料，將其乾燥 而形成有機絕緣臈； 通過在穿透區域具有開口而在反射區域具有半色調曝光 隙：之曝光光罩而曝光，除去前述開口形成之曝光部，並

將月J述半色調曝光隙縫所形成之半色調曝光部之前述有機 絕緣膜減膜而露出前述球形粒子； 培燒曝光後之前述有機絕緣膜而使其硬化； 二：之前述有機絕緣膜之上成膜金屬薄膜而形成具有 =則述球形粒子露出所形成之凹凸面之凹凸面之擴散反 射層。 右：Γ明可在前述曝光顯影步驟之半色調曝光中，將 :以。’邑緣臈之臈厚藉顯影除去相當於前述球形粒子直 徑之50%而露出前述球形粒子之一半。 125452.doc 1361931 又’本發明可以前述有機絕緣膜材料之對前述有機絕緣 樹月曰材料之則述球形粒子之混合比調整前述擴散反射層之 凹凸之排列間距。 θ . 又，作為本發明之前述有機絕緣樹脂材料，可使用在具 彳低介電常數而高穿透性之丙烯酸樹脂、環氧樹脂、婦煙 . Ζ月日、㈣樹脂之任—種中混合重氮萘醒（NQD)作為感光 劑者、或在前述有機絕緣樹脂材料中混合光致生氧劑者。 φ 由於可利用球形微粒子之粒子徑與有機絕緣樹脂材料之 此合比控制表面凹凸之粗糙度或間距，故可獲得具有表面 形狀無誤差之高精細凹凸之高精度擴散板底層。因此，在 此擴散板底層形成金屬膜，可獲得具備仿照該擴散板底層 之表面形狀之高精度擴散反射電極之半穿透反射型液晶顯 示裝置》 β 使有機絕緣樹脂材料與球形微粒子之折射率同等，即使 在穿透區域殘留含有此球形微粒子之有機絕緣樹脂材料之 • ㈣之情形’也可確保透明性。另外，在構造上，於殘留此 有機絕緣樹脂材料之其他部份，使該有機絕緣樹脂材料之 膜厚於含有之球形微粒子直徑，可將該有機絕緣樹脂材料 * _ 之膜表面形成平坦。 ' 依據本發明，即使在製造步驟中之曝光、顯影、焙燒等 有若干誤差，也可獲得重現性高之表面凹凸形狀，可提高 量產性。又，可利用半色調曝光同時形成，即可利用^次 之光微影步驟（1光微影）形成有凹凸之反射區域與無凹凸之 穿透區域，故可提尚量產性。 125452.doc -10- 1361931 【實施方式】 以下，參照實施例之圖式，詳％邙 ^ 汗細詋明有關本發明之最佳 實施型態。 (實施例1) 依據製造步驟說明本發明之實施例丨之液晶顯示裝置。 全體之構造與圖11、圖12所說明大略相同。但，相對於在 圖11、圖12所示之構造中，在穿透區域之像素電極ρχ之下 層也殘留有機絕緣樹脂材料之膜’在實施例1中，說明將 穿透區域之像素電極ΡΧ直接形成於第1基板（TFT基 板）SUB 1之内面之情形。本發明當然也可同樣適用於圖 11、圖12所示之半穿透反射型之液晶顯示裝置。 圖1〜圖5係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯 示裝置之實施例1之製造步驟之要部剖面圖。以下，依序 參照圖1〜圖5予以說明之。首先，在成膜適合使用IT〇之像 素電極ΡΧ之TFT基板SUB1之内面，旋轉塗佈具有下列組 成與特性之有機絕緣膜材料溶液，以熱板使其乾燥（圖1 )。 乾燥後所得之有機絕緣膜PF之膜厚為2.5 μπι。 有機絕緣膜材料溶液之組成 有機樹脂膜材料PET ···在比重1.05、折射率1.5〇之 丙烯酸樹脂中混入NQD作為感光劑 球形粒子PTC ···比重1.00、折射率1.50、粒子徑1.6 μιη之丙烯酸變性聚苯乙烯 有機樹脂膜材料PET與球形粒子PTC之調合···調整 成重量比3:1、總固體含量30%、黏度20 mPa · s。 125452.doc 1361931 之顯影溶解性，故可藉曝光量之控制而獲得任意之膜厚。 將如此曝光之有機絕緣膜PF，以液温25°C之0.4%氫氧化 四曱基銨（TMAH)顯影80秒後，用水沖洗。此時之未曝光 部份之膜厚為2.3 μπι。而，以曝光量300 mj/cm2將基板内 面全面曝光使感光劑透明化後，以設定於230°C之烤爐加 熱30分鐘，使有機絕緣膜PF硬化（圖3)。 對應於硬化之反射區域之區域之凹凸面之凹部之厚度， 即’有機絕缘膜PF之膜厚為1 μηι ’凸部之半徑，即球形粒 子之半徑為1 μηι，凸部之高度為1 pm，凸部峰間距為2 μηι。又，對應於被遮光部SH覆蓋之未曝光部份之區域 之膜厚為2 μηι，呈現平坦狀態。即，在區域bD,並未有 球形粒子之表面突出（圖4)。 在此上濺射鋁，以光微影-蝕刻處理，在反射區域尺八形 成擴散反射電極ΜΤ(圖5)。此擴散反射電極ΜΤ之反射區域 具有仿照混入於下層之有機絕緣膜PF之球形粒子pTC形成 之表面凹凸形狀之表面凹凸形狀。此擴散反射電極Μτ係 在與穿透區域之鄰接部份電性連接於像素電極ρχ。又，包 含後述之實施例2在内，也可在濺射鋁之前，濺射鉬等之 高反射性金屬膜而將金屬膜多層化。 依據實施例1 ’可獲得具有表面形狀無誤差之高精細之 凹凸之尚精度之擴散板底層。因& ’在此擴散板底層以適 合使用㈣法之方法成膜金屬膜時，可獲得具備仿照該擴 散板底層之表面形狀之高精度之擴散反射電極之半穿透反 射型之液晶顯示裝置。 125452.doc •13· 1361931 (實施例2 ) 圖6係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置之實施例2之要部剖面圖。實施例2之有機絕緣臈材料溶 液之組成如以下所述。即， 有機樹脂膜材料PET. · ·在比重L05、折射率15〇之 丙烯酸樹脂中混入NQD作為感光劑 球形粒子PTC .··比重2.65 '折射率1.45、粒子徑h8 μπι之石英細珠 有機樹脂膜材料PET與球形粒子PTC之調合...調整 成重量比1:1、總固體含量4〇〇/0、黏度2〇 mpa . s。 在成膜適合使用ITO之像素電極Ρχ之TFt基板suBl之内 面，旋轉塗佈具有上述組成與特性之有機絕緣膜材料溶 液，以熱板使其乾燥。乾燥後所得之有機絕緣膜PF之膜厚 為 2.5 μηι 〇 利用與實施例1同樣之半曝光光罩將有機絕緣膜pF曝 光，以液溫25eC之0.4°/。TMAH顯影80秒後，用水沖洗。此 時之未曝光部份之膜厚為2.3 μπι。對此，以曝光量3〇〇 mJ/cm2照射至全面而使感光劑透明化後，以設定於23〇(>c 之烤爐加熱30分鐘，使膜硬化。完成之凹凸面之凹部之膜 厚為1 μπι，凸部之高度為丨μηι，球形微粒子之半徑為工 μηι ,凸部峰間距為2 μΓη。又，對應於未曝光部份之膜厚 為2μηι ’粒子並未突出表面而呈現平坦面。 其後’與實施例1同樣地濺射鋁，以光微影蝕刻處理’ 在反射區域RA形成擴散反射電極ΜΤ。此擴散反射電極!^丁 125452.doc -14. 1361931 之反射區域具有冑照混入於下層之有機絕緣臈押之球形粒 子ptc形成之表面凹凸形狀之表面凹凸形狀。此㈣反射 電極MT係在與穿透區域之鄰接部份電性連接於像素電極 PX。 依據實施例2,也可獲得具有表面形狀無誤差之高精細 之凹凸之高精度之擴散板底層。因此，在此擴散板底層成 膜金屬膜時，可獲得具備仿照該擴散板底層之表面形狀之 高精度之擴散反射電極之半穿透反射型之液晶顯示裝置。 其次，說明評估本發明之上述各實施例用之比較例】、 2、3，其後，與本發明之實施例作比較而進行評估。. (比較例1) 圖7係模式地說明對本發明之比較例i之半穿透反射型之 液晶顯示裝置之要部剖面圖。在比較例1中，作為有機樹 脂膜材料PET，使用在比重丨.05、折射率15〇之丙烯酸樹 脂中混入NQD作為感光劑之材料，並未混入球形粒子。在 TFT基板SUB 1之内面，旋轉塗佈具有此有機絕緣膜材料溶 液’以熱板使其乾燥而得膜厚為2.5 μιη之有機絕緣膜ρρ。 使用在穿透區域具有開口，與實施例1同樣地將殘留膜 之部份遮光’並連反射區域也全部遮光之曝光光罩，將有 機絕緣膜PF曝光’以液溫25°C之0.4% ΤΜΑΗ顯影80秒後， 用水沖洗。此時之未曝光部份之膜厚為2 3 μιη。對此，以 曝光量300 mj/cm2照射至全面而使感光劑透明化後，以設 定於230°C之烤爐加熱30分鐘，使膜硬化。未曝光部份之 媒厚為2 μιη’連反射區域在内，表面成為平坦面。 125452.doc •15· 1361931 其後，與實施例丨同樣地濺射鋁，以光微影_蝕刻處理， 在反射區域RA形成擴散反射電極MT。此擴散反射電極财 之反射區域具有仿照混入於下層之有機絕緣膜pF之表面形 狀之平坦面形&。反射電極歸係在與穿透區域之鄰接部 份電性連接於像素電極ΡΧ。 (比較例2) 圖8係模式地說明對本發明之比較例2之半穿透反射型之 液晶顯示裝置之要部剖面圖。在比較例2中，作為有機樹 脂膜材料PET，使用調整成比重1〇5、折射率j 5〇、總固 體含量30%、黏度25 mPa . s之丙烯酸樹脂中混入nqd作為 感光劑之材料，並未混入球形粒子。在TFT基板sum之内 面，旋轉塗佈具有此有機絕緣膜材料溶液，以熱板使其乾 燥而得膜厚為2.5 μιη之有機絕緣膜PF。 使用在穿透區域具有開口，與實施例丨同樣地將殘留膜 之。卩伤遮光，並在反射區域形成凹凸形成用之凹部之部份 加入1.5 μπι寬之隙縫，在其上以2〇 μιη間距配置1〇 之遮 光部之半曝光光罩，利用數值開口NA 〇〇8之曝光機，以 曝光量150 mJ/cm2曝光。曝光後，以液溫乃它之〇4% TMAH顯影80秒後，用水沖洗。此時之未曝光部份之膜厚 為2.3 μηι。對此，以曝光量3〇〇 mJ/cm2照射全面使感光劑 透明化後，以設定於230°C之烤爐加熱30分鐘，使膜硬 化。完成之凹凸部之凹部之膜厚也為丨μιη，成為平緩之凹 凸面’未曝光部份之膜厚為2 μηι。 其後，與實施例1同樣地濺射鋁，以光微影_蝕刻處理， 125452.doc -16· 1361931 在反射區域RA形成擴散反射電極财。此擴散反射電極附 之反射區域具有仿照混入於下詹之有機絕緣膜pF之表面形 狀之平緩之凹凸面形狀。反射電極财係、在與穿透區域之 鄰接部份電性連接於像素電極ρχ。 (比較例3) 圖9係模式地說明對本發明之比較例3之半穿透反射型之 液ΒΒ顯7F裝置之要部剖面圖。在比較例3中，作為有機樹 脂膜材料PET，使用調整成比重！ 〇5、折射率i 5〇、總固 體含量30%、黏度25 mPa. s之丙稀酸樹脂中混入NQD作為 感光劑之材料，並未混入球形粒子，在TFT基板SUBl之内 面，旋轉塗佈具有此有機絕緣膜材料溶液，以熱板使其乾 燥而得膜厚為2.5 μπι之有機絕緣膜pf。 使用在穿透區域具有開口，與實施例丨同樣地將殘留臈 之部份遮光，並在反射區域形成凹凸形成用之凹部之部份 加入1.5 μιη寬之隙縫，在其上以1 〇 μιη間距配置5 μιη之遮 光部之半曝光光罩，利用數值開口ΝΑ 〇〇8之曝光機，以 曝光量150 mJ/cm2曝光。曝光後，以液溫25。〇之〇.4〇/0 TMAH顯影80秒後，用水沖洗〇此時之未曝光部份之膜厚 為2.3 μιη。對此，以曝光量300 mj/cm2照射全面使感光劑 透明化後’以設定於230°C之烤爐加熱30分鐘，使膜硬 化。元成之凹凸部之凹部之膜厚為1.3 μπι、凸部之末端為 1.5 μιη(此係起因於曝光之光之繞射與樹脂材料之炼解）， 因擴散而未成為充分之凹凸而成為平缓之凹凸面，未曝光 部份之膜厚為2 μπι。 125452.doc • 17- 1361931 覆蓋像素區域之全域形成有第1定向膜0RI1。 另方面，在第2基板SUB2之内面，形成與鄰接像素被 黑矩陣BM劃分之彩色濾光器CF、共通電極（對向電 極）ΑΊΓ，在其上形成有第2定向膜ORI2。在形成有第1定向 一 膜與形成有第2定向膜之間封入液晶層LC。又，在第2基板 SUB2之外面，貼附偏光板p〇L2、及必要時貼附相位板、 反射防止臈。在第i基板SUB1之外面，也貼附第i偏光板 φ P〇L1等。而’在背面設置照明裝置（背光源）BLT。依據此 液晶顯示裝置，可獲得高精細之半穿透反射型之液晶顯 示。 又’本發明不限於半穿透反射型之液晶顯示裝置，也同 樣可適用於全反射型液晶顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置之實施例1之製造步驟之要部剖面圖。 φ 圖2係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置之實施例1之製造步驟之接續於圖1之要部剖面圖。 圖3係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置之實施例1之製造步驟之接續於圖2之要部剖面圖。 - 圖4係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置之實施例1之製造步驟之接續於圖3之要部剖面圖。 圖5係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 置之實施例1之製造步驟之接續於圖4之要部剖面圖。 圖6係模式地說明本發明之半穿透反射型之液晶顯示裝 125452.doc -20· 1361931

GT 閘極電極 INS 層間絕緣膜 LC 液晶層 LK 漏光 MT 擴散反射電極 NT 非穿透部 oc 罩面層 ORI1 第1定向膜 ORI2 第2定向膜 PAS 保護膜 PF 有機絕緣膜 POL1 第1偏光板 POL2 偏光板 PTC 球形粒子 PET 有機樹脂膜材料 PV 縱方向尺寸 PX 像素電極 RA 反射區域 SL 隙縫 SH 遮光部 SD1 源極電極（汲極電極） SD2 汲極電極（源極電極） SUB1 第1基板 SUB2 第2基板 125452.doc •11 · 1361931 ΤΑ 穿透區域 TV 縱方向尺寸 TFT 薄膜電晶體 125452.doc 23-

Claims (1)

1361931 第0%138332號專利申請案『·年^渖8日修正本j 中文申請專利範圍替換--1 十、申請專利範圍： ） 1· 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係將像素内具有反 射區域之複數像素排列成矩陣狀者，且 前述反射區域具有在有機絕緣膜材料中含有具有與該 有機絕緣膜材料之折射率同等折射率之粒子之有機絕緣 膜； 前述粒子直徑大於前述有機絕緣膜之膜厚，形成有凹 凸面；且具有： 擴散反射電極，其係以仿照前述凹凸面之表面形狀 而成膜之金屬膜所形成； 在前述像素内’與前述反射區域共同具有穿透區域； 前述反射區域之含有前述粒子之前述有機絕緣膜延伸 至前述穿透區域與前述反射區域之境界區域； 在前述境界區域之前述有機絕緣膜之膜厚大於前述粒 子之直徑。 2.如請求項1之液晶顯示裝置，其中 前述反射區域之胞隙與前述穿透區域之胞隙比為1:2。 3· —種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於：其係具有 形成有薄膜電晶體及像素電極之第丨基板及與前述第1基 板相對之第2基板，將像素内具有反射區域之複數像素 排列成矩陣狀之液晶顯示裝置之製造方法，且包含： 有機絕緣膜形成步驟，其係在前述第丨基板之内面上 塗佈有機絕緣樹脂材料中混合有粒子之有機絕緣膜材 料，其後使其乾燥而形成有機絕緣膜； 125452-1010118.doc 曝光顯影步驟，其係通過具有半色調曝光隙縫之曝光 光罩使别述半色調曝光隙縫對應於前述反射區域而使 前述有機絕緣膜曝光，其後顯影，將前述半色調曝光隙 縫所形成之半色調曝光部之前述有機絕緣膜減膜而露出 前述粒子之一部分； 有機絕緣膜硬化步驟，其係焙燒前述有機絕緣膜而使 其硬化；及 擴散反射層形成步驟，其係在硬化之前述有機絕緣膜 之上層形成金屬薄膜而形成具有仿照前述粒子露出所形 成之凹凸面之凹凸面之擴散反射層。 4. 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於··其係具有 形成有薄膜電晶體及像素電極之第丨基板及與前述第1基 板相對之第2基板，將像素内具有穿透區域與反射區域 之複數像素排列成矩陣狀之半穿透反射型液晶顯示裝置 之製造方法，且包含： 有機絕緣膜形成步驟，其係在前述第丨基板之内面上 塗佈有機絕緣樹脂材料中混合有粒子之有機絕緣膜材 料，其後使其乾燥而形成有機絕緣膜； 曝光顯影步驟，其係通過具有開口與半色調曝光隙缝 之曝光光罩，使前述開口對應於前述穿透區域，且使前 述半色調曝光隙縫對應於前述反射區域而使前述有機絕 緣膜曝光，其後顯影，除去前述開口所形成之曝光部之 刖述有機絕緣膜，並將前述半色調曝光隙縫所形成之半 色調曝光部之前述有機絕緣膜減膜而露出前述粒子之一 125452-1010118.doc 1361931 部分； 其係焙燒前述有機絕緣膜而使 有機絕緣膜硬化步戰 其硬化；及 擴散反射層形成步驟，其係在硬化之前述有機絕緣膜 之上層形成金屬薄膜’而形成具有仿照前述粒子露出所 形成之凹凸面之凹凸面之擴散反射層。 5.如請求項3或4之液晶顯示裝置之製造方法，其中 在前述曝光步驟之半色調曝光中，將前述有機絕緣膜 之膜导藉顯影除去相當於前述粒子直徑之。 6·如請求項3或4之液晶顯示裝置之製造方法，其中 以則述有機絕緣膜材料之對前述有機絕緣樹脂材料之 前述粒子之混合比，調整前述擴散反射層之凹凸之排列 間距。 如請求項5之液晶顯示裝置之製造方法，其中 以則述有機絕緣膜材料之對前述有機絕緣樹脂材料之 前述粒子之混合比，調整前述擴散反射層之凹凸之排列 間距。 8_如請求項3或4之液晶顯示裝置之製造方法，其中 前述有機絕緣樹脂材料係在丙烯酸樹脂、環氧樹脂、 烯烴樹脂、酚醛樹脂之任一種中混合重氮萘醌作為感光 劑者、或在前述有機絕緣樹脂材料中混合光致生氧劑 者0 9.如請求項7之液晶顯示裝置之製造方法，其中 前述有機絕緣樹脂材料係在丙烯酸樹脂、環氧樹脂、 125452-1010118.doc 1361931 稀烴樹脂、紛越樹脂之任一種中混合重氮萘酿作為感光 劑者、或在前述有機絕緣樹脂材料中混合光致生氧劑 者。 10. 如請求項5之液晶顯示裝置之製造方法，其中 别述有機絕緣樹脂材料係在丙稀酸樹脂、環氧樹脂、 烯烴樹脂、酴醛樹脂之任一種中混合重氮萘醌作為感光 劑者、或在前述有機絕緣樹脂材料中混合光致生氧劑 者。 11. 如請求項6之液晶顯示裝置之製造方法，其中 前述有機絕緣樹脂材料係在丙烯酸樹脂、環氧樹脂、 烯煙樹脂、酚醛樹脂之任一種中混合重氮萘醌作為感光 劑者、或在前述有機絕緣樹脂材料中混合光致生氧劑 者0 125452-10101] 8.doc