TWI359335B - Lithographic processing cell and device manufactur - Google Patents
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Description
丄咖奶 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 一微影裝 置及一處 本發明係關於一微影處理單元(包括 理裝置)以及一或多個器件製造方法。 【先前技術】
、微影裝置係-機器’其將一所需圖案施加至一基板上, 通常係施加至該基板之—目標部分上^微影裝置可# (例如)積體電路(IC)的製造。在此實例中,可使用—圖案 化器件(或將其稱為-遮罩或—主光罩)來產生—欲形成於 積體電路之一個別層上的電路圖案。可將此圖案轉移至一 基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含一或數個晶粒之 部分)上一般係經由成像將圖案轉移至一提供於該基板 上的輻射敏感材料(光阻)層上。一般而言,一單一基板將 包含經連續圖案化之相鄰目標部分之—網路。已知的微影 裝置包括所明步進機’纟中藉由—次將整個圖案曝光於目 仏部分上來照射各目標部分;及所謂掃描器,纟中藉由在 一給定方向(”掃描"方向)中通過輻射光束掃描圖案,同時 與此方向平仃或反平行地同#掃描&板來照射各目標部 分。藉由將該圖案壓印至基板上,亦可以將該圖案從該圖 案化器件轉移至該基板。 在一使用投影微影裝置的器件製造方法中,該最小特徵 尺寸(經常係稱為臨界尺寸(CD))係藉由曝光輻射之波長(入) 及投影系統之數值孔徑(ΝΑ)來決定。已研發各種技術來降 低CD,且此等技術係通常結合於一稱為^之因數中即 119211.doc 1359335 CD=kl. λ/ΝΑ。使用當前技術,可能無法在—單—曝光至 顯影至處理循環中成像—小於藉由大約Q 25之—k丨因數所 決定之特徵。但是,使用-雙曝光及雙處理技術可成像一 較小特徵。 在一雙曝光技術中,-單―光阻層在顯影前曝光兩次, 其使用兩個不同圖案或使用相同圖案但使用一位置偏移。 在一雙處理技術中,曝光及顯影一第一光阻層,赛後姓刻 該基板,將圖案轉移至該基板,然後將一第二光阻層施加 至s亥基板。然後,曝光、顯旦5 "肩,5V忒第一層並钱刻該基板,藉 由該兩個蝕刻步驟之组AA衫· w α i „ 、’ η產生e亥基板中的最後圖案。雙 理2可用於建立-較廣範圍之可用結構但可能較慢(需 二或兩二的:”’其原因係該等姓刻步驟以及從該微影 匕3微衫裝|以及諸如一旋轉塗布 烘烤與冷凝模板之處理f 肩〜器及 心Η 4裝置)移除該基板以執行該蝕刻步 驟之需要。雖缺替暖伞姑% ^ …、又曝先技術可快速執行,但其所用 之範圍係受較大限制。 【發明内容】 因此,希望(例如)提供一可產 之一 k佶♦ a ^ 玍寺冋於小於或等於0.25 1值之、,。構的改良方法及裝置。 依攄本發明$ _ 士 π .s , 方面,k供一微影單元,直 一微影裝置; 、匕3 . 裝置,該複數個處理裝置包含-填充裝置, 以及、W時包含一填充裝置及-剥離裝置; 119211.doc
控制部件’其經組態用以控制該微影裝 置及該處理裝 依據本發明之一方面,提供一使用一微影裝 造方法,該方法包含: 使用一第—填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中的 一第一圖案中填充第一孔徑; 移除該第—輻射敏感材料層而不移除該第一填料; 在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層; 曝光及顯影該第二輻射敏感材料層以在其中一第二圖案 中形成第二孔徑; ' 使用一第二填料填充該第二孔徑;以及 移除該第二輻射敏感材料層而不移除該等第—或第二填 料。 、 依據本發明之一方面,提供一器件製造方法該方法包 含一微影單元,該微影單元包含一微影裝置及複數個處理 裝置: 使用一第—填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中的 一第一圖案中填充第一孔徑; 移除該第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料; 在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層;以及 曝光该第二輻射敏感材料層至對應於一第二圖案之一影 像。 依據本發明之一方面,提供一使用一微影裝置之器件製 造方法,該方法包含: ll921I.doc 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中的 一第一圖案中填充第一孔徑; 移除該第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料; 在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層; 曝光及顯衫5玄第二輻射敏感材料層以在其中—第二圖案 中形成第二孔徑; 移除該第一填料而不移除該第二輻射敏感材料層以形成 對應於該第一孔徑之第三孔徑。 【實施方式】 圖1示意性說明依據本發明之一具體實施例之一微影裝 置。該裝置包含: -一照明系統(照明器)IL,其經組態用以調節一輻射光束 B(例如UV輻射或DUV輻射); -一支撐結構(例如遮罩台)MT,其係構造成用以支撐一 圖案化器件(例如遮罩)MA,並連接至第一定位器pM,該 第一定位器PM經組態用以依據特定參數來精確地定位該 圖案化器件; -一基板台(例如晶圓台)WT,其係構造成用以固持一基 板(例如光阻塗布的晶圓)%,並連接至一第二定位器pw, 該第二定位器PW經組態用以依據特定參數來精確地定位 該_基板;以及 -一投影系統(例如一折射投影透鏡系統)ps,其經組態用 以藉由圖案化器件MA賦予輕射光束B的—圖案投影至基板 W的一目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。 119211.doc -9- 1359335 έ亥照明系絲可由 ·匕括各類光學組件,例如折射、反射、磁 性、電磁、德Φ斗、# 、 電或他類型的光學組件或其任何組合,用 以引導、成形或控制輻射。 =支!、。構可依據圖案化器件之方向、微影裝置之設計 -條件(例如該圓案化器件是否被固持於真空環境 二件°該支樓結構可使用機械、真 二Γ如t其他央鉗技術來固持圖案化器件。該支標結構 了係(例如)一框架或—台,且 饫而要而固定或可移動。 該支樓結構可確保該圖案化器件係處於一 ,相對卿統)…中任何地方使用的術語"二 遮罩皆可視為與更通用術語”圖案化器件"同義。s 二Γ:Γ術語”圖案化器件”應廣泛地解釋成指可 之二==束在其斷面中的一圖案以便可於該基板 束之圖案可能不會㈣對應於該基板之目標部分中 =需圖案’例如’若該圖案包括相移特徵或 特徵。-般而言’賦予該賴射光束之圖案將會對庳二 件中產生於該目標部分中的一特 .…益 路。 子疋功此層’例如-積體電 j圖案化器件可係透射型或反射型。圖案化器件之範例 匕遮罩、可程式鏡陣列以及可程式LCD面板 影中係為人熟知,並且包括例如二進制、交替式相= 減式相移等遮罩類型,以及各種現合遮罩類型。 陣列之一範例採用較小鏡之一矩陣配置,其中每-二 119211.doc -10- 1359335 別地傾斜以便在不时向反射—人射輻射光束1等傾斜 鏡將-圖案賦予一藉由該鏡矩陣反射之輻射光束内。 本文使用的術語,,投影系統"應廣義地解釋為涵蓋任何類 型的投影系統’其包含折射、反射、折反射、磁性、電磁 性及靜電光學系統’或其任何組合,其適用於所使用的曝 光輻射或係其他因素,例如使用沉浸液體或使用真空。本 文中任何地方所用之術語•,投影透鏡”皆可視為與更通用術 語"投影系統”同義。
如此處所描述,該裝置係透射類型(例如採用透射遮 罩)。或者係,該裝置可係反射類型(例如採用上面所提到 類型之可程式鏡陣列,或採用反射遮罩)。 該微影裝置可係具有兩個(雙級)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上支撐結構)之一類型。在此"多級”機器 中’可平行使用額外台,或可在—或多個台上實施預備步 驟,而將一或多個其他台用於曝光。 微影裝置的類型亦可為,其中該基板之至少—部分可藉 由:具有相對較高折射率之液體(如水)所覆蓋,以填充投 影系統與基板之間的空間。亦可將沉浸液體施加於微影裝 置中的其他空間,例如在該遮罩與該投影系統之間。本技 術中已熟知使用沉浸技術來提高投影系統的數值孔徑.。本 文使用之術浯"沉浸”並非指一種結構(例如基板)必須被浸 入液體之中,而係僅指在曝光期間液體位於該投影系統和 該基板之間。 參考圓1 照明器IL接收來自 —輻射源S 0之一輻射光 H9211.doc 1359335 束。該輻射源與該微影裝置可係分離實體,例如,當該輻 射源係一準分子雷射時。在此等情況下,該輻射源不會被 視為形成微影裝置之一部分,且會借助於一光束輸送系統 BD(例如其包括適合導引鏡及/或光束擴展器)將輻射光束 從辕射源SO傳遞至照明器ILe在其他情況下,轄射源可係 該微影裝置之-整合部》,例 > 當該輻射源為水銀燈時。
該輕射源⑽與該照明器IL,連同需要時的該光束輸送系統 BD,可稱為一輻射系統。 s ‘、、'月器IL可包含—用以調整該輻射光束之角強度分伟 的調整器AD。一般而言,可調整該照明器之_光瞳平面 中強度分佈之至少外徑範圍及/或内徑範圍(通常分別稱為 σ.外與Μ)。此外,該照明器IL可包括各種其他組件,諸 如-積分器IN及-聚光器c〇。該照明器可用以調節輕射 光束,以使其斷面中具有所需之均勻度及強度分佈。 該輻射光束B係入射至固持於支撐結構(例如遮罩台)mt 上的圖案化II件(例如遮罩)MU,並係藉由該圖案化器件 旦^圖案化。在行經圖案化器件MA後,輻射光束B穿過投 -系統PS ’其將光束聚焦在基板w之目標部分。上。借助 =二定位器請及位置感測器1F(例如,-干涉器件、線 性,·扁碼器或電容式感測器),基 ^丞板口 WT月巨準確地移動,以 在輕射光束B之路徑中定位 疋位於不同目標部分C。同樣 弟—定位器PM及另一位罟咸制怒,+ 用於相斜置感而器(未明示於圊】中)可 例 . , - ^ ^ ηψ ivu\ ^ 如在自-遮罩庫以機械方式操取或在掃描期間。一般而 $射光束Β之路徑準確地定位圖案化器件μα, J19211.doc 1359335 言,支撐結構MT之移動可借助於一長衝程模組(粗略定位) 及一短衝程模組(精確定位)來實現,該等模組形成該第_ 定位器m之部分。同樣地,基板台瞥之移動可使用—長 ,程模組及-短衝程模組來實現,該等模組形成第二定^ 器Pw之部分。在步進機的情況下(與掃描器相反),支撐結 構MT可僅係連接至一 M衝程驅動g,或可係目定。可使 用圖案化II件對準標記M1、M2A基板對準標記ρι、^來 對準圖案化器件MA與基板w。儘f說明之該等基板對準 才不D己佔據專用目標部分,然而其可位於目標部分(此等目 標部分稱為劃線道對準標記)之間的空間内。同樣地,在 圖案化器件Μ A上提供多個晶粒的情形中,該等圖案化器 件對準標記可位於該等晶粒之間。一光束特徵或其他量測 可使用提供於該基板台貿丁上的一傳輸影像感測器Tis。 所描述裝置可用於以下至少一模式中: 1. 在步進模式中’該支撐結構MT與該基板台WT本質上 係靜止,同時賦予該輻射光束之一整個圖案係一次性 (即,單一靜態曝光)投影至一目標部分C上。隨後,該基 板〇 WT在X及/或γ方向中偏移,以便能曝光一不同的目標 邛刀C。在步進模式中,該曝光場之最大大小會限制單一 靜態曝光中成像的目標部分C之大小。 2. 在知描模式中’同步掃描該支撐結構MT與該基板台 wt ’同時賦予該輻射光束之一圖案投影至一目標部分c上 (即’單一動態曝光)。該基板台WT相對於該支撐結構MT 的速度及方向’可藉由投影系統PS之放大(縮小)倍數及影 119211.doc 丄功335 .像反轉㈣來決定。在掃㈣式巾,料光場之最大大小 會限制早一動態曝光中該目標部分之寬度(在非掃描方向 中),而掃指動作之長度則會決定該目標部分之高度(在掃 描方向中)。 • 3.在另一模式中,支撐結構Μτ本質上係靜止地固持一可 程式圖案化器件’且基板台WT係移動或掃描,同時一賦 予輻射光束之圖案投影至一目標部分^。在此模式中, -般會则—具脈衝之輻射源,且該可程式圖案化器件係 在掃描期間基板台WT之每一次運動後或連續輕射脈衝間 視需要更新。此操作模式可易於應用於採用可程式圖案化 器件(例如一上述類型的可程式鏡陣列)的無遮罩微影中。 亦可使用以上說明的使用模式之組合及/或變化或完全 不同的使用模式。 該微影裝置LA形成一微影單元LC之部分,該微影單元 LC亦包含用於在基板上執行前曝光及後曝先程序之裝置。 φ 傳統上,此等裝置包含一或多個旋轉塗布機SC來沉積一光 阻層,一或多個顯影器DE來顯影曝光的光阻,—或多個 冷凝模板CH以及一或多個烘烤模板BK。一基板處理器或 自動機RO從輸入/輸出埠1/〇1、1/〇2獲得一基板,將其在 不同處理裝置之間移動,且然後將其傳送至該微影裝置之 裝載機架LB。此等器件(其係經常共同稱為製程軌道 (track))係由一製程軌道控制部件以控制,而該製程 執道控制部件TCU本身藉由—監督控制系統scs所控制, 同時該監督控制系統SCS亦控制該微影裝置。該控制部件 119211.doc 1359335 照明器及投影系統來曝光基板。因此,可操 玄4不同裝置來獲得最大化的生產量及處理效率。 依據—具體實施例,該製程 _4ιΙΜ# φ 表裎軌道係藉由一填充裝置FI及 —裝置ST加以補充。該填充裝㈣經組態 填料材料層塗布一基板,該 光阻中Μ 〇 異枓材科填充該曝光及顯影之 尤阻中的一或多個孔徑。該 榦争右兄裒置了係一已知類型的旋 轉塗布機(例如具有一填料材 双 以下群4之供應),該填料材料可從 . 旋塗式Si〇2、旋塗式氮仆 方疋塗式氮氧化矽、以及人 ^眾0物。在製程執道中,用 :加光阻並作為標準提供的-旋轉塗布機,當連接至: 、田材料之供應時可使用 塗布機m… 巧具充裝置。亦可使用-多目的 個材料施λ sj 4之供應,以便將選擇的一 °基板上。該填料材料之所需屬 易於施加至可控厚度 斤而屬f生係’其應可 影的光阻層中之❹❹1;/被施加用於填充曝光及顯 光及顯影之光阻之方法肩且右如4 及對於移除㈣ 係在一洛劑中(用於溶解該顯影的光阻)不H 與該顯影的光阻相比阻)不可浴解,或 該剝離茫置ST_^ 々、有-霄質上較低的溶解度。 裝置s丁可係一清洗器件,苴々 之供應’該溶劑或試劑溶解或作用;:嘯試劑 移除而實質上不影塑下面…該填料材料以便將其 準顯影器器件,其係芦由一裝置了係—標 來加以q、商η ' —適當試劑或溶劑之供;® 6 周適。同樣’可使用-多目的器件。 應 依據本發明之-具體實 丄迩Μ衫早凡係用於執行 1392il.doc 1359335 一雙處理技術,如下所述。應注意,下述說明之方法可執 行於其他裝置’例如,纟某一裝置中,該剝離及填充裝置 之一者或兩者未整合至製程軌道内,但上述裝置之使用可 使該欲說明之方法之執行獲得更高生產量及更高良率。上 述裝置之使用可避免在曝光間將基板從微影單元移除之需 要,從而縮短了循環時間並確保曝光間之更高的一致性。 尤其’基板處理步驟可避免。
參考圖3至丨2說明依據本發明之一具體實施例之一雙處 理方法,該等圖式繪示一透過本發明之該具體實施例:該 方法所應用的-基板的斷面。首先,使用一第一輕射敏感 材料層11(例如光阻)塗布基板1〇(例如石夕晶圓),如圆% 示。對此加以曝光及帛影,從而依一間距以而形成孔徑 lla’在-具體事實例中,該間距接近藉由所使用的微影 裝置可成像的最小間距,如圖4所示。若該光阻係—正型 光阻,此步驟可使用一圖案化器件(例如遮罩)加以執行,
該圓案化器件具有一黑背景上之明亮特徵(例如線或凸 起),並顯影去除該光阻之被照明部分。 在—傳統雙圖案化技術中’然後㈣該基板,從而該光 =圖案轉移至該基板上。但是,在本具體實施例中替換 使用-上述類型之填料材料12填充該光阻圖案中的孔 徑(如圖5中所示)。如圖6所示,移除該第一光阻之剩餘部 該第-填㈣形成島狀區或台面,並在其周圍塗 布-第二光阻層13’如圖7所示。通常對於第二次曝光無 法重複使㈣第-光阻層,因為該第—光阻層將保留已曝 M92n.doc 16· 光^己憶,該第-光阻層在除該等孔徑lla之形成部 之其他部分將係次臨界,並且第二曝光將需要太高的尉比 度以致無法提供一有用的處理窗。 繼第二曝光及顯影步驟之後’達到如圖8所示之情形· 在第二光阻層中依間㈣形成一组第二孔徑並发虚 該等第-填料島狀區12係交錯。可採用於該第一曝光二 之圖案但具有一位置偏移來執行該第二曝光步驟,或可使 用一不同圖案。進一步,雖銶呼笙固』 制y 雖然6亥專圖式以如此方式加以繪 氣,但疋,實質上該等第二孔徑13a與該等第一填料島狀 區12並非需要具有相同的尺寸,同樣’該等第二孔徑⑴ 不需要在第一填料島狀區丨2之間等距間隔。 ,者’使用—第二填料材料⑷真充該等第二孔徑⑴以 二所示之情形。該等第二填料材料可與第一填料材 枓相同。然後’移除該等第二光阻13,如圖1〇所示,該等 ^及第二填料㈣〗2、14在基板】G之頂部形成分離間隔 、島狀區。然後,最後步驟係將藉由該等第 島狀區1…間的空間所定義的圖案轉移至基= 】)’並移除該等填料材料(圖12)。該圖案轉移步驟可係 (例如)-钱刻’從而在基板10中形成凹部15,或係其他處 以僅在該等填料島狀區】2、14之間所定義的空間中對 :板進仃改變或添加。可見(例如)藉由該圓案轉移步驟形 姓Γ特徵15具有一間距P2 ’該間距為成像步驟中所定義之 ’ j之間距P1的一半。因此’可使用兩個具有一大於〇 25 之—Μ值之成像步驟來圖案化具有—有效的小於〇25之匕 U92l 丨.d0c !359335 值之特徵。 以下參考圖13至21說明本發明實施之一第二方法。在第 二曝光步驟執行及顯影之前,該第二方法之第一步帮與第 方法中對應之步驟係相同,所以將不再說明。因此,圓 13至18係與圖3至8相同。 在該第二方法中,不使用一第二填料材料來填充該第二 孔徑13a,而是選擇性地蝕刻或溶解該第一填料材料u從 而保留該顯影的光阻13,在該光阻13中,孔徑13b(其對庳 於第一曝光步驟中定義的孔徑丨la)與第二曝光步驟中定義 的孔徑13a係交錯,如圖】9所示。執行一圖案轉移步驟㈠列 如蝕刻)以將該藉由孔徑lla與13a所定義的圖案轉移至基 板10中’從而形成如圖20所示之一特徵15,集。然後,移除 該光阻13以僅保留如圖21所示之該圖案化的基板。可見, 特徵15具有一間距p2,其為該等兩個曝光步驟之間距p 1 的一半。 應瞭解,上述方法中任意一個,若該第二曝光非準確地 置放於該第-曝光之中部’可形成—雙間距时,其具有 一等於P1之外間距以及P3<P2之一内間距。此如圖22所 TJn ° 雖然本文特別參考製造積體電路時使用的微影裝置,但 ^瞭解此處所提及之微影裝置可有其他應用,例如製造整 2光子系統、用於磁域記憶體的導引與偵測圖案、平板 顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術 人士應瞭解’ ?尤此類替代應用而言,本文使用的術語"晶 119211.doc • J 8 - 1359335 圓或晶粒"可被分別視為更通用術語"基板"或,,目標部分” 的同義阑《本文所提到的基板可在曝光之前或之後,在 (例如)製程轨道工具(通常可將一光阻層施加於基板並顯影 已曝光光阻之工具)、度量衡工具及/或檢驗工具中進行處 理。當可應用時,本揭示内容可應用於此類及其他基板處 理工具。此外,例如為了產生一多層積體電路,可對該基 板進行多次處理,因而本文所使用術語基板亦可指已包含 多個處理層的基板。 雖然以上可能已特別參考使用在光學微影之背景中的本 發明之具體實施例,但應明白本發明可用在其他應用中, 例如壓印微影,且若情況允許,並不限定於光學微影。在 壓印微影中,圖案化器件中的佈局定義產生於一基板上的 圖案。可將該圖案化器件之佈局壓製於供應至該基板之— 光阻層中’在其上該光阻係藉由施加電磁輻射、熱、壓力 或其組合而固化。在光阻固化後,該圖案化器件從該光阻 移離’在其令留下一圖案。 本文所用術語”輻射,,以及”光束”涵蓋所有類型的電磁輻 射’包括紫外線(UV)輻射(例如,波長約為365、355、 248、193、157或126奈米)及遠紫外線(Euv)輻射(例如, 具有5至20奈米之範圍内的波長),以及粒子束,例如離子 束或電子束。 在允許之情況下,術語”透鏡"可表示各類光學組件之任 一組件或組合,包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學 組件。 119211.doc 1359335 儘管以上已說明本發明之特定具體實施例,應明 除已說明外之其他方式實施本發明。例如,本發明可採取 =式:-電腦程式’其含有描述—如上揭示方法的機 益可D貝取^日令之一或多個序 7丨回厅夕J,或貝枓儲存媒體(例如 半導體記憶體 '磁碟或光碟),其具有儲存於其中的此 電腦程式。 上文所述旨在說明而非限制。因此,熟習此項技術者將 明白’可依照說明對本發明進行修改,而不會脫離下列申 請專利範圍所提出之範嘴。 【圖式簡單說明】 以上已僅#由舉例並參考隨附示意圖㉟明本發明之具體 實施例,其中對應參考符號指示對應部分,且其中: 圖1描述依據本發明之一具體實施例的一微影裝置; 圖2描述包含圖1之裝置的一微影單元; 圖3至12描述依據本發明之一具體實施例的一製造方法 中的各階段; 圖13至21描述依據本發明之一具體實施例的另一製造方 法中的各階段;以及 圖22描述本發明之製造方法之一變化之結果。 【主要元件符號說明】 10 基板 11 第一輻射敏感材料層 11a 孔徑 12 第一填料材料/第一填料島狀區 119211.doc -20· 1359335 13 第二光阻層 13a 第二孔徑集 13b 孔徑 14 第二填料材料/第二填料島狀區 15 凹部/特徵 15' 特徵 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束輸送系統 BK 烘烤模板 C 目標部分 CH 冷凝模板 CO 聚光器 DE 顯影器 FI 填充裝置 I/Ol 輸入/輸出埠 1/02 輸入/輸出埠 IF 位置感測器 IL 照明系統/照明器 IN 積分器 LA 微影裝置 LB 裝載機架 LC 微影單元 Ml 圖案化器件對準標記 119211.doc -21 - 1359335
M2 圖案化器件對準標記 ΜΑ 圖案化器件 ΜΤ 支撐結構 Ρ1 基板對準標記/間距 Ρ2 基板對準標記/間距 ΡΜ 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 RO 基板處理器或自動機 SC 旋轉塗布機 SCS 監督控制系統 SO 輻射源 ST 剝離裝置 TCU 製程軌道控制部件 TIS 傳輸影像感測器 W 基板 WT 基板台 119211.doc 22-
Claims (1)
- 1359335 十、申請專利範圍: 第096109937號專利申請案 中文申請專利範圍替換本〇〇〇年12月) 1· 一種微影單元,其包含: 一微影裝置; 處理裝置,盆包含一埴奋驻要 冑充裝置,或—剝離裝置,或 同%匕3 —填充裝置及一剝離裝置; :控制部件,其經組態用以控制該微影裝置及該處理 褒置, :::件包含一儲存媒體,該儲存媒體具有儲存於 八中的心令,使該微影單元實施包含下列步驟之程序: 一::第-填料在一基板之一第一轄射敏感材料層中的 圖案中填充第一孔(aperture); 移除該第-輻射敏感材料層而不移除任何該第一填 料, 、 在該第-填料周圍施加一第二賴射敏感材料層;以及 使该第二輻射敏感材料層曝光至對應於一第二 一影像。 系 2. =請求们之微影單元,其中該填充裝置係一旋轉塗布 3. 如-月求項1之微影單元,其中該剝離裝置係—顯影器, 其連接至-可選擇性移除填料材料之溶劑或試劑:供 應。 4.如π求項1之微影單元’其中該儲存媒體進一步包含用 於促使該微影單元執行-方法之指令,該等指令包含· 顯影該第二輻射敏感材料層以在其中該第二圖案中形 119211-1001216.doc 1359335 成第二孔; 使用一第 移除該第 填料。 二填料填充該等第二孔;以及 二輻射敏感材料層而不移除該等5. 如請求項4之微影單元,其中該儲存媒體進一步包含用 於促使:微影單元執行一方法之指令,該等指令包含: 將藉由/又有藉由該等第一及第二填料所覆蓋之該基 板之區域所定義的第三圖案轉移至該基板;以及 移除該等第一及第二填料。 6. 如#求項1之微景> 單元,其中該儲存媒體進一步包含用 於促使該微影單元執行—方法之指令,該等指令包含: 顯影該第二輻射敏感材料層以在其中形成對應於該第 二圖案的第二孔; 移除該第一填料以在對應於該等第一孔之該第二輻射 敏感材料層中形成第三空隙;以及 將一藉由該等第二及第三孔定義之第三圖案轉移至該 基板中;以及 移除S亥苐一輕射敏感材料詹。 7. 如請求項1之微影單元’其中該儲存媒體進一步包含用 於促使戌微影單元執行一方法之指令,該等指令包含: 施加該第一輻射敏感材料層至該基板;以及 曝光及顯影該第一賴射敏感材料層以在其中該第一圖 案中形成該等第一孔。 8. 如請求項1之微影單元,其中該微影裝置包含: 119211-1001216.doc 1359335 一知、明,其經組邊用以調節一輕射光束; 一支撐結構,其經組態用以固持一圖案化器件,該圖 案化器件經組態用以圖案化該輻射光束; 一基板台,其經組態用以固持一基板;及 才又影系統,其經組態用以將該圖案化的輻射光束投 影至該基板之一目標部分上。 9.如請求項8之微影單元’其令控制部件經組態用以控制 照明器及投影系統來曝光該基板。 10. 如請求項1之微影單元,其包含作為該填充裝置的一旋 轉塗布機以及作為該剝離裝置的一顯影器。 11. 一種使用一微影裝置之器件製造方法,該方法包含: 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中 的一第一圖案中填充第一孔; 移除該第一輻射敏感材料層而不移除任何該第一填 料; 在该第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層; 曝光及顯影該第二輻射敏感材料層以在其中的一第二 圖案中形成第二孔; 使用一第二填料填充該等第二孔;以及 移除該第二輻射敏感材料層而不移除該等第一或第二 12. 如請求項11之方法,其進一步包含: 將藉由沒有藉由該等第 之區域所定義的一第三圖 一及第二填料所覆蓋之該基板 案轉移至該基板中;以及 119211-1001216.doc 移除該等第—及第二填料。 月求項12之方法,其中該第一圖案及該第二圖案係交 錯’使得該第三圖案t之特徵之間距係小於該等第 第二圖案中特徵之間距。 14·如請求項13之方法,其中轉移該第三圖案至該基板中之 步驟包含:兹刻沒有藉由該等第_及第二填料所覆蓋的 °亥基板之區域。 15.如請求項丨丨之方法,其進一步包含: 施加一第一輻射敏感材料層至一基板;以及 曝光及顯影該第一輻射敏感材料層以在其中該第—圖 案中形成該等第一孔。 16·如請求項u之方法,其中填充該等第一及第二孔之步驟 包含.說塗一填料材料至該基板上覆蓋該曝光及顯影的 輻射敏感材料層。 17·如請求項11之方法,其中該第一填料及該第二填料係由 相同材料形成。 18. —種在包含一微影裝置及複數個處理裝置之一微影單元 中之器件製造方法,該方法包含: 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中 的一第一圖案中填充第一孔; 移除該第一輻射敏感材料層而不移除任何該第一填 料; 在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層;以及 曝光S玄弟一輻射敏感材料層至對應於一第二圖案之一 119211-10012l6.doc -4- 1359335 影像。 19.如請求項18之方法,其進一步包含 中該第二圖案中形 顯影該第二輕射敏感材料層以在其 成第二孔; 使用一第二填料填充該等第二孔;以及 移除§亥第二輻射敏感材料層而不移除該等第一或第 填料。 一20. 如請求項19之方法,其進一步包含: 將藉由沒有藉由該等第一及第二填料所覆蓋之該基板 之區域所定義的一第三圖案轉移至該基板中;以及 移除该4第一及第二填料。 21. 如請求項18之方法,其進一步包含: 顯影該第二輻射敏感材料層以在其中該第二圖案中形 成第二孔; 移除該第一填料以形成對應於該等第一孔之第三孔;將藉由該等第二及第三孔定義的一第三圖案轉移至該 基板中;以及 移除該第二輕射敏感材料層。 22. 如請求項18之方法,其進一步包含: 施加該第一輻射敏感材料層至該基板;以及 曝光及顯影該第一輻射敏感材料層以在其中該第一圖 案中形成該等第一孔。 23. —種使用一微影裝置之器件製造方法,該方法包含: 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中 119211-1001216.doc 1359335 的一第一圖案中填充第一孔; 移除該第一輕射敏感材料層而不移除任何該第一填 料; 在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層; 曝光及顯影該第二輻射敏感材料層以在其中的一第二 圖案中形成第二礼; 移除該第一填料而不移除該第二輻射敏感材料層以形 成對應於該等第一孔之第三孔。 24.如請求項23之方法,其進一步包含: 將藉由該等第二及第三孔定義的一第三圖案轉移至該 基板中;以及 移除δ亥第—轄射敏感材料層。 如π求項24之方法,其中該第一圖案及該第二圖案係交 錯,使得該第三圖案中特徵之間距係小於該等第一及第 —圖案中特徵之間距。 26’如請求項25之方法’其中轉移該第三圖案至該基板中之 父驟。a钱刻沒有藉由該等第一及第二填料所覆蓋的 該基板之區域。 27.如請求項23之方法,其進一步包含: 施加一第一輻射敏感材料層至一基板;以及 曝光及顯影該第一輻射敏感材料層以在其十該 案中形成該等第—孔。 @ 28·如請求項23之方法,其中填充該等第-及第二孔之步驟 包含]疋塗一填料材料至該基板上覆蓋該曝光及顯影的 119211-10012l6.doc -6 - 1359335 輻射敏感材料層。 29.如請求項23之方法,其中該第一填料及該第二填料係由 相同材料形成。119211-1001216.doc
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