TWI359202B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI359202B TWI359202B TW99101819A TW99101819A TWI359202B TW I359202 B TWI359202 B TW I359202B TW 99101819 A TW99101819 A TW 99101819A TW 99101819 A TW99101819 A TW 99101819A TW I359202 B TWI359202 B TW I359202B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- target
- flow path
- fluid flow
- plate
- fixed
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
1359202 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 及用以固定該靶材且 本發明係關於具有濺鍍用之乾材、 冷卻該靶材之冷卻板的靶材結構及其製造方法。 【先前技術】 例如在半導體裝置之製造製㈣巾,係❹在基板上進 行成膜之濺鍍裝置。濺鍍裝置具有藉由離子化之氣體等之 • %擊而放出所期望之原子的賤鍍用乾材。該乾材τ,例如 如圖4所示,其背面側係接合於襯墊板Ββ濺鍍時,由於離 子之衝擊等會絲材表面之溫度上升,因此需要冷卻乾材 Τ。因此,於襯墊板β之内部通常形成有供冷卻水流過之冷 卻水流路Α。 迄今為止,靶材T與襯墊板8例如為提高用以冷卻之熱 傳導性,而藉由所謂結合(b〇nding)將其接合。結合係藉由 於靶材T與襯墊板β之接合面介入有結合材c,貼合靶材τ 與襯墊板B而進行。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本專利公開公報2007_0513〇8號 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而’上述結合須使用較高價之In、Sn等結合材,且需 要進行乾材或襯塾板之對位或接合面之改質處理、結合材 之塗布、加熱處理等多種步驟。因此’於結合上會耗費成 146010.doc 比 9202 本/、時帛3 φ ’若不進行結合而單純以其他方法固 定,則會使靶材與襯墊板間之熱傳導性降低。 本發明係鑑於上述問題點而完成者,其目的在於提供一 種可在維持㈣與襯塾板等固歧間之熱傳導性下,以更 低成本及料間製造具妹材及^板的㈣結構,及該 靶材結構之製造方法。 解決問題之技術手段 用以達成上述目的之本發明之乾材結構,係具㈣㈣ 之=材&用以固定該乾材且冷卻該乾材之固定板者,且 =述固定板t形成有供冷卻流體流過之流體流路,該流 體流路係形成於與濺鍍時前述 4祀材之消耗相對較多之部份 對向的位置,並且前述固定 ^^疋扳與則述耙材係藉由於無前述 仙·體流路之位置貫通前述 .^ 心败乏螺釘而固定,又,前述 靶材之一部份係露出於前述流體流路。 根據本發明’由於係藉由 可^… 宁糟由螺釘固定靶材與固定板,因此 开U 精此與错由結合固定之情 形相比,可大幅降低製造 n。ϋ 本又,亦可大幅縮短製造時 碹猝仏 系出於流體流路,因此可 料晋“傅導吐。又,固定板之流體流路 係。又置於濺鍍時靶材消耗較 如*欢。。 夂成问溫之部份。因此, 如本發明般之藉由於盔前 定板之硬Α七 …刖述机體流路之位置以貫通前述固 疋板之螺釘來固定靶材與固 置,即靶材厚产犋 可於靶材消耗較少之位 因長時門 螺釘固定。因此,即使 口贫时間之使用而消赵釦 、可維持耙材與固定板之固 146010.doc l^2〇2 定。 定板之时前料材之面,形成供前述冷 部 過之槽,藉由以前述螺釘固定前述乾材與前述固 广板,而可Μ前述乾材封閉前述槽而形成前述流體流路。 该情:下’例如’無需如於固定板形成貫通内部之流體流 路之情形般’例如將預先分割形成之半個之固定板彼此予 以焊接專等,因此可容易地進行固定板之加工。另,若奸 除㈣則會露出固定板之流體流路,因此可進行例如由於 長時間使用而滯留於流體流路内之異物之檢查與除去。藉 此,可延長固定板之製品壽命。 又亦可於則边乾材之固定於前述固定板之面上,形成 嵌合於前述槽而封閉前述槽之凸部。該情形下由於可以 凸部之部份確絲材之厚度,因此即使於流體流路中流過 高壓之冷卻流體而提高冷卻效率,亦可確絲材之耐性。 另,由於對槽嵌合凸部,因此可提高流體流路之氣密性。 再者3Γ令易地進行固定時材與固定板之定位。 根據另-觀點之本發明之㈣結構之製造方法,盆中前 迷乾材結構係具有賤鍍用之乾材、及用以固定該乾材且冷 部该乾材之固定板;前述製造方法係將供冷卻流體流過之 :體流路形成於前述固定板之與減鑛時前述乾材之消耗相 2多=部份對向的位置,並藉由於無前述流體流路之位 貝通别相定板之螺釘固定前述固定板與前述乾材,且 前述1"材之—料露出於前㈣體流路。 發明之效果 l46〇i〇.d〇c 1359202 根據本發明,可於維持靶材與固定板間之熱傳導性下, 以更低成本及短時間製造乾材結構。 【實施方式】 以下,兹參照圖式說明本發明之較佳之實施形態。 圖1係顯示本實施形態之靶材結構丨之構成概要之縱剖面 的說明圖。另,本說明書及圖式中,關於實質上具有相同 機此構成之構成要素,係藉由賦與相同符號而省略重複說 明。 靶材結構丨具有濺鍍用之板狀靶材1〇、及固定靶材1〇且 冷卻靶材10之作為板狀之固定板的襯墊板n。靶材1〇之材 質,例如係使用八卜〜1〇、1丁〇、8卜_等’襯塾板 11之材質,例如係使用(^或剔、Ti、不鏽鋼等。 靶材ίο之背面側係貼合於襯墊板u。襯墊板"之靶材 側之面’形成有用以冷卻靶材1〇之供冷卻流體流過之槽 20 & 2G係以相對於例如設有$材結構1之濺鑛裝置之磁 鐵Μ之位置的方式,而配設成例如圖2所示之從平面所i 為大致U子型。槽2〇之加工例如係藉由機械加工進行。再 者,濺鍍裝置例如係藉由磁鐵_生磁場,藉由該磁場控 制例如離子,使離子衝擊於靶材1〇。 如圖1所不,靶材10之背面側,形成有嵌合於槽20而封 閉槽2〇之凸部3〇。凸部30從平面所見,係形成與槽20相同 之大致u子狀。凸部3〇係以低於槽2〇之深度而形成,且於 槽20嵌合有凸部30時,凸部3〇會封閉槽2〇之開口部而形成 流體流路40。藉此’使靶材1〇之一部份露出於流體流路 1460J0,<J〇c ^59202 4〇。流體流路40例如於兩端形成有作為冷卻流體例如冷卻 水之出入口,藉由於流體流路4〇流動以冷卻水可將襯墊 板11調整至低溫,藉由該襯墊板丨丨可冷卻靶材1〇。再者, 靶材10之凸部30係藉由機械加工或擠壓成型而形成。 襯墊板11與靶材1〇係藉由複數之螺釘5〇而固定。螺釘 例如係於不干擾流體流路4〇之位置,以從襯墊板U之背面 側貫通襯墊板11之方式而設置。 另,襯墊板11與靶材10間之流體流路40之外側,係設有 環狀之密封部60。 製造靶材結構1時,係在於槽2〇嵌合凸部3〇之狀態下, 藉由螺釘5G而固《襯塾板丨丨與@材丨^此時,螺釘係設 於無流體流路4G之位置。藉由該固定,使乾材10之-部份 露出於流體流路40。 根據以上實施形態,由於係藉由螺針50固定乾材10與襯 板11 口此可簡化乾材結構1之製造步驟。藉此,與藉 由1合而固定之情形㈣可大幅降低製造成本。且亦可大 、Ί丑製時間。再者’由於乾材i 〇之一部份係露出於流 體机路40,因此可確保靶材1 〇與襯墊板11間之熱傳導性。 又由於係藉由於無流體流路40之位置貫通襯墊板]丨之螺 而固疋靶材10與襯墊板丨丨,因此如圖3所示,可於濺 錢時遠離磁鐵M且乾材10之消耗(減少)較少的位置,即乾 材10之厚度得以維持之部份以螺釘固定。因此,即使由於 時1使用而消耗乾材10,亦可維持乾材10與襯塾板丄丄之 固定。 1460l0.doc 1359202 再者,由於不進行結合,因此無須將結合材附著於乾材 可將使用完之料1()從㈣板叫除而作騎材原料 進行再利用。s,可防止因舰巾料衝擊於結合材而從 結合材放出之物質污染處理基板之情事。再者,由於製造 時不使用如結合時需使用之熱,因此不會因熱而於例如概 墊板11產生翹曲,從而無需進行襯墊板丨丨之翹曲之修正, 此外亦可防止襯墊板1 1本身之劣化。 另,上述實施形態中,於襯墊板u之固定耙材10之面上 形成槽20,且以螺釘固定靶材1〇與襯墊板丨丨,藉此以靶材 1〇封閉槽20而形成流體流路40。該情形下,無需如例如於 襯墊板11形成貫通内部之流體流路之情況般,將例如預先 分割而形成之半個之襯墊板彼此予以焊接等等,因此可容 易地進行襯塾板11之加工。另’若卸除靶材1〇則會使襯塾 板11之流體流路40露出,因此可進行例如由於長時間使用 而滯留於流體流路40内之異物之檢查與除去。藉此,可延 長襯墊板11之製品壽命。 又,上述實施形態中,於靶材10之固定於襯墊板丨丨之面 上’形成有嵌合於槽20而封閉槽20之凸部3〇。因此,可以 &部30之部份確保靶材1 0之厚度,故即使於流體流路4〇流 動以南壓之冷卻流體而提高冷卻效率,亦可確保纪材1 〇之 耐性。另’由於對於槽20嵌合以凸部3〇,因此可提高流體 流路40之氣密性。再者,可容易地進行固定時的靶材1〇與 襯墊板11之定位。 以上參照附圖説明了本發明之較佳之實施形態,但本發 1460I0.doc 1359202 明不限於該例。所屬領域技術人員顯然可在申請專利範圍 所記載之思想之範疇内’思及各種變更例或修正例,亦可 了解該_更例或修正例當然亦屬於本發明之技術範圍 内。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示耙材結構之構成之縱剖面之說明圖。 圖2係從平面觀察乾材結構時之說明圖。 圖3係顯示因濺鍍而消耗靶材之狀態的鞑材結構之說明 圖。 圖4係顯示利用結合之靶材結構之構成之縱剖面的說明 圖。 【主要元件符號說明】 1 靶材結構 10 靶材 11 襯墊板 20 槽 30 凸部 40 流體流路 50 螺釘 I46010.doc
Claims (1)
- 七'申請專利範圍: I 結構,其係具有物之_、及用以固定該 亚冷钾該靶材之固定板者; 該二*I口疋板,形成有供冷卻流體流過之流體流路, 之部2路係%成於與魏時前述㈣之祕相對較多 °ί伤對向的位置; 位固定板與前述乾材’係藉由於無前述流體流路之 位:貝通前述固定板之螺釘而固定; 2. 二述靶材之—部份係露出於前述流體流路。 。月求項1之乾材結構,1 /、中於則述固定板之固定前述 面上,形成有供前述冷卻流體流過之槽;且, 述螺釘W前述Μ與前述固定板,而以前 」才封閉則述槽而形成前述流體流路。 :求項2之靶材結構,其中前述耙材之固定於前述固 部。 上形成有嵌合於前述槽而封閉前述槽之凸 種乾材結構之製造 .. 方法,其中該靶材結構具有濺鍍用 &才、及用以固定該靶材並冷卻該靶材之固定板; ^返製造方法係將供冷卻流體流過之流體流路形成於 ^ 、機鍍捋别述靶材之消耗相對較多之部份 n ^ 猎由於無前述流體流路之位置貫通前述 固疋板之螺钉而固宁& 口疋則返固定板與前述靶材,並使前述 乾材之一部份靈&丄 出於别述流體流路。 146010.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009011919A JP4382867B1 (ja) | 2009-01-22 | 2009-01-22 | ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201033388A TW201033388A (en) | 2010-09-16 |
TWI359202B true TWI359202B (zh) | 2012-03-01 |
Family
ID=41549762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW99101819A TW201033388A (en) | 2009-01-22 | 2010-01-22 | Target structure and method for manufacturing target structure |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4382867B1 (zh) |
KR (1) | KR101059940B1 (zh) |
CN (1) | CN101960043A (zh) |
TW (1) | TW201033388A (zh) |
WO (1) | WO2010084857A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY160316A (en) * | 2010-07-23 | 2017-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Magnetic material sputtering target provided with groove in rear face of target |
JP5721815B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-05-20 | 株式会社アルバック | ターゲット及びターゲットの製造方法 |
KR101079621B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2011-11-03 | 박경일 | 타겟과 백킹 플레이트의 비접착식 체결구조 |
CN102501045B (zh) * | 2011-10-20 | 2014-10-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 镍靶材组件的加工方法及加工装置 |
CN104588807B (zh) * | 2013-10-31 | 2016-07-20 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 背板的形成方法和背板 |
CN107851548A (zh) * | 2015-07-24 | 2018-03-27 | 应用材料公司 | 热敏粘结的金属靶的冷却和利用优化 |
KR20180068335A (ko) * | 2015-11-12 | 2018-06-21 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 냉각 구조물을 갖는 스퍼터 타겟 배킹 플레이트 어셈블리 |
CN108018534B (zh) * | 2017-12-12 | 2020-12-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于装夹靶材的磁控溅射镀膜装夹装置 |
TWI687534B (zh) * | 2018-09-07 | 2020-03-11 | 住華科技股份有限公司 | 背板、使用其之濺射靶材及其使用方法 |
JP7362327B2 (ja) * | 2019-07-18 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ターゲット構造体及び成膜装置 |
CN110828021A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-02-21 | 中国原子能科学研究院 | 一种用于医用同位素生产靶的水冷机构 |
CN111455335B (zh) * | 2020-04-24 | 2022-10-21 | 河北恒博新材料科技股份有限公司 | 一种平面靶材的绑定方法 |
CN112323026A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-05 | 珠海和泽科技有限公司 | 靶材背板及其制作方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE126931T1 (de) * | 1989-06-05 | 1995-09-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum kühlen von targets sowie kühleinrichtung für targets. |
JPH0625839A (ja) * | 1992-01-10 | 1994-02-01 | Sony Corp | スパッタ装置及びカソード |
JP3747447B2 (ja) * | 1996-11-08 | 2006-02-22 | ソニー株式会社 | スパッタ装置 |
JP2000026962A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
-
2009
- 2009-01-22 JP JP2009011919A patent/JP4382867B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-19 CN CN2010800012070A patent/CN101960043A/zh active Pending
- 2010-01-19 KR KR1020107019956A patent/KR101059940B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-01-19 WO PCT/JP2010/050555 patent/WO2010084857A1/ja active Application Filing
- 2010-01-22 TW TW99101819A patent/TW201033388A/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010168621A (ja) | 2010-08-05 |
CN101960043A (zh) | 2011-01-26 |
JP4382867B1 (ja) | 2009-12-16 |
KR101059940B1 (ko) | 2011-08-29 |
KR20100114923A (ko) | 2010-10-26 |
WO2010084857A1 (ja) | 2010-07-29 |
TW201033388A (en) | 2010-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI359202B (zh) | ||
WO2009074788A3 (en) | Apparatus for hot and cold processing | |
JP2007079171A5 (zh) | ||
ATE396498T1 (de) | Mikro-strukturierter kühler und verwendung dafür | |
TW200718485A (en) | Cold plate apparatus and method of fabrication thereof with a controlled heat transfer characteristic between a metallurgically bonded tube and heat sink for facilitating cooling of an electronics component | |
US20090250455A1 (en) | Heating plate for workpieces | |
MX2014012250A (es) | Inserto de troquel con placa de moldeo de calentamiento por capas con tal inserto de troquel y metodo para operar tal inserto de troquel. | |
JP6702286B2 (ja) | 熱伝導装置 | |
US9194035B2 (en) | Non-adhesive sputtering structure including a sputtering target and backing plate | |
EP1328022A3 (de) | Kühlvorrichtung für elektronische Bauteile | |
DE102006053331A1 (de) | Kreislaufsystem, Mischorgan | |
TW201129711A (en) | Ag alloy thermal diffusion control film used in magnetic recording medium for thermally assisted recording, magnetic recording medium for thermally assisted recording, and sputtering target | |
JP2016009776A (ja) | 冷却装置及び冷却装置の製造方法 | |
TW201321161A (zh) | 嵌入成形體及散熱構造體 | |
TW201211292A (en) | Method for bonding components of a sputtering target, a bonded assembly of sputtering target components and the use thereof | |
BRPI0601398A (pt) | molde refrigerado por lìquido para lingotamento contìnuo de metais | |
TW200802553A (en) | Heating apparatus | |
JP2008255452A (ja) | 冷却板 | |
TW200806406A (en) | Device for manufacturing a metal strip by means of continuous casting | |
TWI484056B (zh) | 接合裝置 | |
JP2014217529A5 (zh) | ||
JP2015233094A (ja) | 半導体モジュール冷却器 | |
WO2010057236A3 (de) | Wärmesenke sowie verfahren zu deren herstellung | |
FR3043686B1 (fr) | Procede d'application d'un film souple sur une piece de forme complexe | |
TWI296221B (zh) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |