TWI357361B - - Google Patents

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1357361 鏖 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種方法及一種裝置，其用於處理基板及一 種用於該用途之喷嘴單元。本發明尤其關於一種以一液體配合 4 超骨波，特別是兆音波，處理基板表面之方法及裝置，尤指用 ， 於半導體工程之基板。 於各種不同之工程領域中，以超音波清洗元件早為習知。 欲清洗之元件與一液體媒質接觸，通常將該元件浸入其中，然 後以超音波照射一預定時間以去除污物。於晶圓及光罩製程中 以超音波清洗亦為一習知技術，其以各種不同方式廣泛地應用。 一超音波系統通常由一產生器及一超音波轉換器組成。其 - 中，產生器將叉流電壓轉換成相應之超音波轉換器工作電壓。 • 超晋波轉換器再將電能轉換成機械振動，該振動於接觸之液體 媒質中產生高壓及低壓相位。藉由交替之高壓及低壓相位產生 所谓之孔蝕氣泡，其於收縮時快速地產生極高之局部壓力及溫 度。泫孔蝕氣泡為超音波清洗技術之基礎。當頻率大於4〇〇 時稱為超音波，而大^ 7GG kHz時稱為兆音波。於兆音波頻率範 φ 目中’孔姓能量相對而言較小，因而可避免損壞微結構。兆音 波頻率範圍中，小微粒之清洗效率極高，因而通常會使用兆音 波製造晶圓及光罩。 【先前技術】 例如於德國專利案-A-197 Μ抓中所描述之習知之超音波 m洗系統中’半導體晶U置於裝滿液體之處理槽内，再以超音 波加以照射。而超音波方向大致與晶圓表面平行，整個晶圓表 面也應當均勻處理。 【發明内容】 6 1357361 以該類技術現況為出發點，本發明之任務為，將超音波， 尤其是兆音波處理程序進行最佳化。 為完成該任務，本發明提出一基板處理方法，於待處理之 基板上-局部受限之表面範圍，藉—噴嘴單元形成—液體薄 膜。㈣嘴早兀至少具-長條形噴嘴組及一與其相鄭設置之超 晋波轉換器組’尤其是-兆音波轉換器組。其中，超音波轉換 器組至少-部分與液體薄膜接觸，然後再將超音波，尤其是兆 晋波达人此形成之液料軸。本發财法適於超音波之使 用，尤其是兆音波頻率範圍之音波。該方法以液體及超音波處 理待處理基板上局部受限之表面範圍，此處理可為此特定表面 範圍做出最佳化。另外，藉由於局部範圍加上液體薄膜，進行 處理時可以較少之液體量完成，因而可使媒質消耗量達到最小 化。值得注意的是，基板表面於局部加上液體薄膜之前，至少 -部刀已m體’且額外形成局部之液體薄膜可藉由喷嘴紐 頟祕基板上塗抹液體。另-點值得注意的是，液體薄膜於局 邵2圍形成後會散開，因而可遮蓋至較大之局部範圍或基板全 該液體薄膜可由傳統之液體，也可由超臨界狀態之媒 買構成。 / 偏好之發明實施形式中，㈣薄_成於大致封閉之 貧ρ早兀底部結構及待處理之基板表面範圍之間，藉此以形成 艮好，義、均勻之液體薄膜，以支持特定之超音波處理。 脸说最好万、賣背單兀及基板之間產生相對運動，藉此將液體薄 膜施加於不同基板表面範圍上，並將超音波施加於該表面範園 =體薄助。如此-來，村大面積或全處理基板表面。 變 ’ Β亦可為不同表面㈣進行最佳化之液體及超音波處理。 孩姑佳化之例子如，改變嗜嘴及基板間之相對運動，以改 7 1357361 液體薄膜及超音波之作用時間。此外，相對運動之速度最好依 喷嘴相對基板之位置而變化。 另一個最佳化處理之可能性係於處理時改變加入液體薄膜 之超骨波。此時’例如可依噴嘴相對基板之位置改變加入之超 > 音波。於一發明實施例中，改變加入液體薄膜之超音波之強度 及/或頻率’以改變表面範圍上之超音波作用。此處所稱之改變 頻率係指相對於轉換器共振頻率些微之偏差，將之加以調變， 而改變轉換器之效率特性。 於另一發明實施形式中，藉由超音波轉換器組相對基板表 • 面之傾斜角度’以改變超音波射至基板之入射角。此時，超音 • 波相對基板表面之入射角之變化最好介於105。及75。之間。 除了超音波強度及/或頻率變化，超音波入射角之變化亦會直接 於基板表面造成孔蝕，不過，也可故意改變頻率特性以形成孔 敍’例如離基板表面一段距離，以保護敏感之表面結構。如此 一來’處理結果可達到最佳化，而不損壞表面結構。 在一特別偏好之發明實施形式中，超音波轉換器組由多個 超音波轉換器級成。各個轉換器可個別及/或成組加以驅動，藉 • 此於局部限制之液體薄膜内產生不同之超音波成分，因而形成 另一局部最佳化處理。該方法尤其適用於基板表面大範圍之液 體薄膜’例如於整個基板表面上❶此時個別或成組驅動之超音 波轉換器，得以於基板表面進行最佳化處理。轉換器最好各具 不同之共振頻率，以一直排或矩陣形式加以設置，以便局部進 行不同之處理。超音波轉換器最好以不同之強度及/或頻率進行 驅動，使轉換器能夠個別進行最佳化或加以調整。 取好於基板整個寬度上大致沿一直線形成液體薄膜，且超 音波於基板整個寬度上大致沿一直線送入液體薄膜内。如此一 1357361 來，藉由嘴嘴單元越過基板之唯一一個運動，於相應之喷嘴組 及超音波驅動時，藉由局部最佳化之處理程序得以處理整個基 板表面Αβ寺，為處理私序之局部最佳化，於整個基板寬度上 以不同方式控制加入超音波。 為更進-步配合處理程序或進行最佳化，將控制形成液體 薄膜《液體組成。為進行局部最佳化，噴嘴組最好具多個喷嘴 ^個別加以驅動’藉此可沿著嘴嘴組局部改變處理程序。此時， 取好沿噴嘴組局料人不㈤之㈣及/或㈣量，藉此於基板上 形成=體薄膜。此處所稱不同之液體，也包括具不同成 <欣體。 於此偏好之發明實施例中，藉由至少二 2固=嘴組設置於轉換器組對立侧邊，以確保於轉換= 於:好，之液體薄膜。於一發明實施形式中，設置 、轉換态..且對互侧邊之噴嘴噴出不同之液體。 維持0 2I1H超4難器組及待處理之基板表面間最好 ：：之平均間距，最好介於〇.7麵至14職之 調整此間距/?夂處理條件’尤當改變局部處理條件時，可 包含:：:::發::::式:’形成液體薄膜之液體内 上，超音波伽=中’透過防止微粒子沉積於表面 此外，超立波二：《基板表面與處理媒質之間接觸良好。 飽和。使〜劑均㈣合，因而可以防止液體局部濃度 及/或清成液體薄膜之液體最好包含沙洗 ,^ f超^波可增強清潔作用。 〇 月任務也藉由-處理基板之裝置加以解決，該裝置具 9 1357361 ★ T角單元’其至少具-長條形喷嘴組，尤其是兆音波轉換哭 .，且。其中，至少一噴嘴組及超音波轉換器組方向大 : t基板及噴嘴單元定位之_裝置錢板表面㈣，使至少一 •=超==與基板表面有—特定間距。該裝置可 於待處理〈基板表面軌圍局部地塗上液體薄膜， κ 液體薄膜範圍進行超音波處理。 現卩；以 該裝置最好具-控制裝置，藉以控制運動裳置，使 及超音波轉換器組可以一預定間距於基板表面活動，依序對基 • 表面範圍及基板整個表面進行處理。依序處理時，顧 及基板表面結構及/或期望之處理縣，可局部進行調整。 於-偏好發明實施形式中，至少裝設另—長條形喷嘴组， •超音波轉換器組設置^至少二長條形噴嘴組之間。設 .料組相對立之兩侧之二長條形噴嘴組，有助於 類範園内形成定義之液體薄膜。為有效形成此 Ρ且:縱Α +此至〉—長條形喷嘴組開口最好指向超音波轉換 咨組之縱向中央平面。 a ^處理結果之局部最佳化’超音波轉換器組最好由多 鲁 β曰；轉換器構成，該等超音波轉換器最好直接相鄭，以一 直排或矩陣形式加以設置。另外，最好裝設一控制裝置，並 以個別及/或成組方式轉此多健音波轉換器，以便處理程序 可良好;周整’此時，最好能改變超音波轉換器之頻率或 驅動功率。 整處理參數，最好設一裝置’用以調整轉換器組表面 Λ ^ .、月度’如此，即可調整於基板表面之超音波入 射角：：角度J好調整至0。至1〇。之間。 万、發明實施形式令，定義之間距可調整至0.7mm至1.4mm 10 1357361 之間 ，卜-偏好之發明實施形式中設—裝置，藉其輸送液體至至 =林組1於待處理之基板表面上形成液體薄膜。為此， —控制裝1 ’為不同之嗜嘴組及/或不同之噴嘴組輸出 、角’、不同n體。此可透過嘴嘴之延伸達到局部調整處理。 ^翻偏好之㈣實施财，此至少—喷嘴組及超音波 轉換咨組裝設於-共同嘴嘴單元主體上/内，並形成一大致封閉 舉有助於在相對立之封閉結構間，即基板表面 嘴早70底部結構之間形成液體薄膜，其中，位於 :波組範ϋ大致封閉之底麵構崎突出於其他底部結構，因 $超晋波____良好，而·體薄卿成於待處理 基板表面及底部結構之間。 、 本發明之任務亦於-至少具一長條形噴嘴組，及 設置之ί條形超音波組，尤其是兆音波轉換器組中解 、。其中，喷嘴處及超音祕換!！財向纽㈣，並 一 大致封閉《喷嘴單70底部結構。該類噴嘴單元以簡易方气八 基板表面及賴料單域部結構之_成定狀液料膜义 而且能有效地將超音波送至形成之液體薄膜内。 最好另外裝設至少-長條形嘴嘴組，其中，超音波 組設置於該二長條形噴嘴組之間，因此，自超音波轉換器^ 側輸入之㈣，有助於形柄勻之液體薄膜。在這種情形下了 至少一長條形喷嘴組指向超音波轉換器組之中央平面，以 於超音波轉換器組範圍内形成預定之液體薄膜。 々助 於-偏好之發明實施形式中，超音波轉換器組由多個 波轉換器組成，該等超音波轉換器最好直接相鄰，以—直°曰 矩陣形式加以裝置。如此可個職制超音波轉絲，而在^ 1357361 液體及超音波處理基板表面時達到處理係數之 r圖式簡單說明】 勺m 下 以下藉-實施例，關式進—步說明本發明，圖式内容如 圖 根據本發㈣料狀示意透彳頌，該®表示與待處 理基板之關係； 圖二 圖三 圖四 圖五 圖六 根據本發明噴嘴單元之示意剖面圖； 根據本發明噴嘴單元之示意仰视圖； 1及b «本發㈣嘴單元之示細關，該圖表示 相對基板不同之校準度； 根據-發明實施形式之超音波轉換器組圖表說明，以 平面矩陣形式呈現； 1根據本發㈣—實卿式喷嘴單元之 【實施方式】 超音透噴嘴單元可以液體及 這個名詞賴巾大部分使用超音波 基板表面厂 色—而且本發明特取，音波處理 體内面形之地及底-主 上方有-媒質輸嘴。主體4 接，之後再詳加說明。哈嘴單元供給裝置相連 例如'綠性運動機構，於箭未標7"之^^， 奘a , 貝A万向於基板2上移動。庇a / 轉:器組10，其構造之後再詳細加以說明： ^圖―進-步說明喷嘴單元丨之構造，此 *'剖面圈。圖二上端部為媒質輸入單元其具」 12 置;ί:宣内導入不同之媒質並加以混合。媒質分配室12大 二二=體:上方中央處，自主體4内傾斜: 相接。輸入管==:::=輸入管… 二管…之下方末端各與 輸 裝外開放。輸出孔2G或22為嘴嘴組之1分孔 ^ 組1G相對立之側邊，如圖二所示》 貪11角組24、26及超音波轉換器1〇 分至少與待處理基板之寬卢a ‘縱向L伸，其延伸部 之全部表面。 當，如此核—次塗覆處理基板 如圖二所示，超音波轉換器組突出於輸出孔％或2 ^單:：^6無物·_同形成—_ 自圖-可看出’輸出孔2〇或22傾斜於主體4之縱 t面’並16或18起自縱向中央平面方向延伸。自^ 出或22流出之液體因而麵縱向中央平面。輸出孔加^ 22各為噴嘴組24、26之—部分，該等噴嘴組由許多平面 ^之輸出孔20或22組成。另外，也可設置—或多個細縫^ >以代替輸出孔。超音波轉換器組1Q之背面設有—冷通 道’藉此導人冷·，以冷卻超音波轉娜。也可藉由待二 之基板及噴嘴單元間之液體薄膜進行冷卻。 β尤 圖三為由下往上看噴嘴單元！之示意圖，圖中可看 組24、26及超音波轉換器組1G。如圖三所示，超音波轉換器二 10由共9個四方形之超音波發射元件組成，各發射元件可藉 -未標示之㈣懷置刪及/或成組進行軸，如此—來，^ 單元1之長邊可有不同之超音波構成，之後再詳加說明。角 13 1357361 ，四:及四b係噴嘴單元】相對基板2不 貧嘴單兀1根據_四a gei置，即超音 / 大致平行於待處理之基板2表面；而圖四1 換趣社底面 组1〇之底面與待處理之基板2表面之_斜表2音波，器 表不。此角度最好可調整於0。及1〇。 ’、11圖中以角度a 圖五係超音波轉換器組之另一裝雙再詳加說明。 波轉換祕m方向缝_^:式，騎，多個超音 以下再詳細說明噴嘴單元1之功能。 首先’噴嘴單元於待處理之基板表面 基板係指欲進确影程狀半導體 元"輿 Μ表面間之距離設定於。.7_至 質輪入單元將顯影液體導引至、曰 秌貝刀配至，再經管14及輸入管 係至喷嘴組24或26之輸出孔20或22。該顯影液體 〜、預疋濃度n容液，由媒質輸人單元8以已知方式導入。 f以下讀明中’先假設轉換器組1G之底面與基板表面平 丁。藉由從噴嘴組24、26產生且指向喷嘴單元1縱向中央平面 ^夜體，於封閉之噴嘴單元底部結構及基板表面之間形成液體 涛膜’該液體薄膜完全填滿基板2表面及噴嘴單元i底部結構 =間之間距。超音波轉換器組10突出於噴嘴i底面之剩餘部 为，因而超音波組10與液體薄膜完全接觸。 接下來，藉控制超音波轉換器組10，將垂直指向基板2表 面之超EJ波送入液體薄膜。由於上述之孔触效應，超音波使微 粒子自基板2表面脫落，藉此確保基板2表面均句顯影。脫落 之/泰料微粒子經由超音波攪動而起旋渦，因此顯影劑溶液得以 良好且均勾地與未脫落之漆料層接觸，如此一來，不論基板表 面之結構大小及結構密度分佈為何，均可改善程序結果之均勻 1357361 性。另外，因改進顯影劑顯影，程序時間也可縮短並減少媒質 之消耗。 此位置經過一預定處理時間之後，噴嘴單元丨即於基板2 〜 上移動以便使此超音波辅助之顯影劑溶液處理持續於整個基板 2表面上進行。當然，此超晉波辅助之顯影劑溶液處理也可僅於 ^ 選定之基板表面範圍内進行。 為於不同之基板表面範圍有目的及個別控制處理，於上述 之基本方法中可設計各種不同之控制可能性。例如，可以不同 φ 万式控制超音波轉換器組⑺之超音波轉換器，該等轉換器可以 例如圖三或圖五中所示之方式加以裝置。此時，也可將一些超 • 曰波轉換器作為感測器用，以偵測液體薄膜内相鄰超音波轉換 器之能量值。當然也可以將超音波轉換器切換為超音波輸出模 組及感測器模組’如此-來’所有之超音波轉換器於處理時間 均可做為感測器及發射器使用。 以不同方式控制超音波轉換器，可於基板整個寬度得到不 同之處理結果。其中，可以不同之頻率進行驅動，也可以不同 之功率進行驅動。各超音波轉換器可例如以功車範圍從⑽至 參 100/°之最大功率加以驅動，而超音波頻率則最好調整於1兆赫 及5兆赫間。 其他的表面處理控制參數包括，於噴嘴組Μ及/或％之長 邊送出不同之液體及/或不同之液體量。例如，與基板中央範圍 相比，於基板邊緣範圍可提供不同濃度之顯影劑溶液。另外， 也可於塗抹基板時改變施加之液體（濃度/量/種類），如此，於 基板之長邊，於基板表面可局部得到完全不同之處理結果。也 可以全面更換使用之媒質，例如將顯影劑溶液換成清洗液體。 根據本發明，另一個控制參數係基板上之超音波入射角； 如圖四所示，由晴嘴留_ / 射角。如此-來傾斜於待處理基板2表面而產生該入 當此超音波轉鮮例體薄膜内之超音波能量值，因為 /音波轉換器與液體薄膜薄膜時，超音波僅於超 -鱗ί，=制:能，係於塗抹時調整噴嘴單元與基板間之相 之作用時間。，可局邵調整液體薄膜之停留時間及超音波 序結果進^可^基f表面情況或期望之程 • 圖六係根據本發明噴嘴單元ΐ ί時尤t需S。 凡描逑相同或麵似夕-处 實施/式疋不思剖面圖。 •元件符號表示 件，_即㈣—實施例中所使用之 凹口嘴單元1也有具底面6之主體4,底面6之 二（目波轉換器組1G。另外，喷嘴單元丨有一具媒 質刀配至12之媒質輸入單元8，其 踩 並加以混合。該媒質分配室12主要設2 與多個傾斜，並於主體4内延伸之管3〇相連接。媒質分配室^ #對互端有輸出嘴嘴，其開口朝向主體4之側面3卜反射㈣延 伸平行於侧面3卜自噴嘴流出之液體轉向反射板並自板上向下 流。側面3J及反射板32間設有微小毛細間隙，其最好輕微向 下擴大。自噴嘴流出之液體自反射板向下流，並形成大致均勻 之屏幕。侧冑31内之輸出噴嘴與反射板％ 一同構成喷嘴組， 反射板及主體4侧面31間之間隙下末端則為嘴嘴組之流體輸出 口。該噴嘴組及超音波轉換器組方向大致相同，因為不僅自嘴 嘴組流出之液體，自超音波轉換器組發出之超音波大致上垂 直於主體之底面6。 16 1357361 紗反雜之噴嘴轉造習知於同-申請人、尚未公佈之 德國專利案-A-102 32 984 ’在此特別註明，以避免重複。德國專 利案-A-102 32 984亦作為本申請書之内容。 痛噴嘴單兀優點如下：大致上輕易地即可將液體薄膜塗 _ . S基板上且可讀處理之基板上形成良好均勻之液體薄膜。 , 也可藉由f 3G於反射板之長邊供應不同之液體，尤J：是且 不同顯影劑濃度之液體，或是位於載體液體内之钱刻劑:、雜 圖六中只設置-反射板，但為建立第二喷嘴組，可於與側面31 相對《側面裝設-第二反射板。該額外之反棘可藉由相應之 參 f ’例如管30，喷出液體。如此-來，藉由相應之控制，喷嘴 I兀可以不同方向於基板上運動，而且於二運動方向均產生均 • 勻之液體薄膜。糾’可藉此噴嘴組料同之紐送至基板上， • 砂可藉一置於喷嘴單元運動方向前方之嘴嘴組送出顯影劑溶 液，而藉由一置於噴嘴單元運動方向後方之嘴嘴組送出中和溶 液。 根據圖六，喷嘴單元1之功能大致與先前以圖-至圖玉所 描述之噴嘴單元功能相同，其中，根據圖六之噴嘴單元〗，若未 ^ 裝设弟一反射板，液體僅沿一直線送出。 上述之各種發明要點可自由相互交換、組合。 雖然藉一具體實施例說明本發明，但本發明不受限於該具 體實施例。例如，喷嘴單元，特別是噴嘴組24、26及超音波轉 換器組不一定要延伸於整個待處理之基板上。另外，只要該喷 嘴組於待處理之基板上足夠形成定義之液體薄膜，也可只設計 一喷鳴組。除了線性塗抹基板，也可以轉動運動進行塗抹。當 然，基板也可自喷嘴單元旁通過》該喷嘴單元之應用不限於以 顯影劑處理，尤其噴嘴單元也可用於蝕刻程序及清洗及/或清潔 17 1357361 程序。該等程序也可交互地以一及相同之噴嘴完成。本發明之 方法尤適用於半導體晶圓、製造半導體用之光罩及LCD顯示器。

18 1357361 【主要元件符號說明】 1 噴嘴單元 2 基板 4 主體 6 底面 8 媒質輸入單元 10 超音波轉換器組 12 媒質分配室

14 管 16 輸入管 18 輸入管 20 輸出孔 22 輸出孔 24 噴嘴組 26 喷嘴組 30 管

31 側面 32 反射板 A 箭頭

Claims (1)

1. 2. 申請專利範圍： 曰修(更)正替換頁 種用於處理基板之方法，其具下列程序步驟： 藉由一至少具一長條形之噴嘴組及一與之相鄰設置之超音 竣或兆音波轉換器組，於待處理之基板局部表面範圍上形成 液體薄膜，該超音波或兆音波轉換器组由多個轉換器構成， 轉換器具有不同之共振頻率； 超音波或兆音波轉換器組至少一部分與液體薄膜接觸；及 以超音波或兆音波轉換器組將超音波送入形成之液體薄膜 内，而各個轉換器可單獨及/或成組以不同之強度及/或頻 率加以驅動。 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，液體薄膜 形成於主要為封閉之噴嘴單元底部結構及待處理之基板表 面範園之間。 根據申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其特徵為， 於噴嘴單元及基板之間產生相對運動，藉此將液體薄膜塗於 不同之基杈表面範圍上，並將超音波送入該範圍之内。 4.根據申請專利範圍第3項所述之方法，其特徵為，可改變喷 嘴單元及基板間相對運動之速度。 5. 根據申請專利範圍第4項所述之方法，其特徵為，相對運動 之速度可依噴嘴單元相對於基板之位置而改變。 6. 根據申請專利範圍第丨項所述之方法，其特徵為，處理時可 改變送入液體薄膜之超音波。 7. 根據申請專利範圍第6項所述之方法，其特徵為，超音波之 送入可依噴嘴單元相對於基板之位置而變化。 8. 根據申請專利範圍第6項或第7項所述之方法，其特徵為， 1357361 送入液體薄膜之超音波強度及/或頻率至少可於轉換器組之 一局部範園内變化。 9.根據申請專利範圍第6項或第7項所述之方法，其特徵為， • 超音波於基板上之入射角藉由轉換器相對於基板表面之傾 斜位置而變化。 10·根據申請專利範園第7項所述之方法，其特徵為，超音波相 對於基板表面之入射角在105。及75。之間變化。 11·根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，轉換器呈 • 一直排或以矩陣形式設置。 • 12.根射請專利翻第1項所述之方法，其特徵為，液體薄膜 . 大致沿-錄於基板整個寬度上形成，而超音波大致沿一直 線於基板整個寬度上被送入液體薄膜内。 η•根射請專利顧第丨項所述之核，其特徵為，於基板之 寬度範圍以不同方式控制送入之超音波。 Η.根據申請專·縣丨項所述之核，其特徵為，控制形成 液體薄膜之液體組成。 » 15補申請專利範圍第丨項所述之方法，其特徵為，喷嘴組由 多個噴嘴組成，各個噴嘴以不同方式進行驅動。 據中請專利制第14項或第15輯述之方法，其特徵 ^，為於基板上形成液體薄膜，於局部送入不同之液體及/ 或不同之液體量。 17.=據中請專利棚第丨項所述之方法，其特徵為，液體薄膜 藉至少二設置於與轉換器組相對立側之喷嘴組送出。 1M艮據中請專利範園第17項所述之方法，其特徵為，設置於 轉換器組相對立側之噴嘴被施加不同之液體。 21 1357361 19·根據中請專利範圍第i項所述之方法，其特徵為，處理時， 轉換器組與待處理之基板表面之間維持平均〇 2職至2 〇腿 之距離’尤其介於〇.7mm至1.4mm之間。 肌根據中請糊範圍第19項所述之方法，其特徵為，處理時 將改變此平均距離。

   21. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為 薄膜之液體包含顯影劑或蝕刻劑。 22. 根據申請專利範圍第丨項所述之方法， 包含清洗及/或清潔液體。 、 形成液體 液體薄膜

   23. 根據巾請糊侧第丨销狀方法，其概為，當超音波 送入液體薄膜時，至少-轉換器暫時作為感測器用。 24. -種以-㈣及超音料兆音波處理基板之裝置，其包括： -噴嘴單7L ’其至少具—長條形之喷嘴組以將液體薄膜塗於 基板上，-射嘴㈣_設置之轉換器組，藉其將超音波或 兆音波送人基板上之液體賴内，轉換器_多個超音波或 兆音波轉換器組成，且轉換器具不同之共振頻率，至少 嘴組及轉換器組方向大致相同；及一基板用及/或嘴嘴單元 狀運動裝置，為與基板表面定位相同，至少—噴嘴版及超 音波或兆音波轉換器組以―定義之距離指向基板表面，且該 轉換器組與基板上方表面形成之㈣薄麟觸；及具控制 置’以個別及/或成组控制多個轉換器。 25.根據申請專利範園第 運動裝置之控制裝置， 基板表面上移動。 24項所述之裝置，其特徵為，為控制 噴嘴組及轉換器組以一定義之距離於 26.根據申請專利範園第24項或第25項所述之裝置，其特徵 22 為，至少另有一長條形喷嘴组，其中，轉換器組設置於至少 二長條形之噴嘴組之間。 7’根據申請專利範圍第26項所述之裝置，其特徵為，至少一 長條形之噴嘴组指向轉換器组之中央平面。 .根據申請專利範圍第24項所述之裝置，其特徵為，多個轉 換器相鄰’以一直排或矩陣形式加以裝置。 29.根據中請專第24項所述之裝置，其特徵為，具控制 裝置，可改變施加於轉換器上之頻率及/或能量。 3〇.根據申請專利範園第24項所述之裝置，其特徵為，具一裝 置，用以調整轉換器組表面與基板表面間之角度。 31. 根據申請專利範園第30項所述之裝置，其中，該角度可調 整於0°及±15。之間。 32. 根據申請專利範圍第24項所述之裝置，其特徵為，定義之 平均距離可調整於〇.2mm至2mm之間，尤其介於〇.7mm至 1 ·4ιηιη 之間。 33. 根據申請專利範圍第24項所述之裝置，其特徵為，具一裝 置’藉其將液體送至至少一噴嘴組。 34. 根據申請專利範園第33項所述之裝置，其特徵為，具一控 制裝置，用以為不同之喷嘴組及/或喷嘴組之不同輸出噴嘴 提供不同之液體。 35. 根據申請專利範園第24項所述之裝置，其特徵為，至少一 噴嘴組及轉換器組設置於一共同主體之内或上方，且形成一 大致封閉之底部結構。 36. 根據申請專利範圍第35項所述之裝置，其特徵為，於轉換 器組範圍之大致封閉之底部結構相對突出於其他底部結構。 23 1357361 37. 根據申請專利範圍第24項所述之裝置，其特徵為，至少一 喷嘴組及轉換器組大致相互平行延伸。 38. 根據申請專利範圍第24項所述之裝置，其特徵為，具一控 - 制裝置，用以驅動轉換器，作為超音波或兆音波感測器或超 音波或兆音波發射器。 39. —種噴嘴單元，其具至少一長條形噴嘴組及一與噴嘴組相鄭 設置<超音波或兆音波轉換器組，轉換器組由多個超音波或 兆k波轉換器組成，轉換器之共振頻率相異，喷嘴組及轉換 • ㊄組方向大致相同，且形成一大致封閉之噴嘴單元底部結 構，及具控制裝置，以個別及/或成組控制多個轉換器。 至少具另一 -長條形噴嘴組，轉換器組設置於至少二I條形嗜

   將超音波或兆音波送人液體薄膜内， 40. 根據申請專利範圍第39項所述之嘴嘴單元，其特徵為，其 具超音波或兆音波轉換 具不同之共振頻率，而 由多轉贿構成，且轉贿具不同^ 24 1357361 各個轉換器可單獨及/或成組以不同之強度及/或頻率加 以驅動。

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