TWI352944B - Display - Google Patents
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Description
1352944 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於顯示器螢幕。本發明係特別有關於平 板場發射顯示器(field emission display, FED)及/或陰極射 線管(CRT)顯示器,但不受限於此。本發明描述再次校正 平板場發射顯示器之系統與方法。 【先前技術】 類似於標準陰極射線管(CRT)顯示器,平板場發射顯 不器(field emission display, FED)利用高能量電子撞擊於 磷物質螢幕之圖像元件(像素)而發射。然而,不同於使用 單一或某些例之三電子束以閘極樣式來掃描過磷物質螢幕 之傳統CRT顯示器’ FED使用各像素之各彩色元件之靜 動電子束。這使得電子源至螢幕間之距離短於傳統C RT 之掃描電子束所需之距離。此外,FED之真空管可由玻璃 製成’這遠薄於傳統CRT之真空管。甚至,FED所消耗 之功率遠低於CRT。這些因素使得FED非常適合於攜帶 式電子產品,比如膝上型電腦,口袋型TV與攜帶式電子 遊戲機。 如上述’ FED與傳統CRT顯示器之不同處在於影像 掃描方式。傳統CRT顯示器藉由以閘極方式將電子束掃 描過該隣物質螢幕。一般來說,當該電子束沿著列(水平) 方向掃描時’電子束強度係根據該列之各像素所需亮度而 調整。在掃描完一列的像素後,該電子束往下一列並利用 -5- 1352944 根據上一列之亮度而調變之強度來掃描下一列。明顯不同 處在於,FED通常根據"矩陣〃定位方式來產生影像。 FED之各電子束係形成於顯示器之各列與各行之交叉處。 依序更新各列。一次致能單一列之電極但所有行之電極是 一起致能’而施加至各行之電壓決定了形成於該列與行之 交叉處之電子束之強度。接著,依序致能下一列,再次對 各行設定新的亮度資訊。當已更新所有列時,顯示一個新 的視框(frame)。 然而’構成FED中各像素之電子束之電子結構未必 會相同。因爲製造變數,雖然給定相同輸入,不同像素可 能會產生不同之強度。故而需要一種能不依靠外部光學裝 置來測量與校正不一致性像素及/或在更高操作電壓進行 測量之系統。 【發明內容】 本發明描述需要一種能不依靠外部光學裝置來測量與 校正非相同像素及/或在更高操作電壓進行測量之系統與 方法。 特別是,本發明揭露一種具有一校正系統之一場發射 顯示器(FED),該校正系統具有從發射電流得到之一校正 係數。在本發明之一實施例中,一場發射顯示器具有在一 面板處之一陽極及一聚焦結構。該陽極保持於接地;而該 聚焦結構保持於40與50伏特之間,但不受限於此。流至該 聚焦結構之電流係被測量且當成該場發射顯示器(FED)之 1352944 該校正係數之基準。 _ 在另一實施例中,本發明描述一種顯示器修正系統。 該顯示器修正系統包括一電流測量系統,耦合至一場發射 顯示器之一元件以產生一電流測量値。此外,該顯示器修 正系統包括一計算系統,接收該電流測量系統所輸出之該 電流额量僮以產生一校正係數。較好是;該校正係數m以 從該場發射顯示器之一未校正影像輸入信號產生一校正後 影像信號。 ♦ 在又另一實施例中,本發明描述如前段所述之一種顯 示器修正系統,其中該場發射顯示器之該元件係從一陰極 驅動電路,一聞極驅動電路,一聚焦結構驅動電路與一陽 極驅動電路中擇出。 在又另一實施例中,本發明描述一種評估一場發射顯 示器內之一校正係數之方法。該方法包括輸入一輸入樣式 至該場發射顯示器之步驟。甚至,該方法包括決定該場發 射顯示器之一元件之一電流測量値之步驟。該方法也包括 β 利用該電流測量値決定該校正係數之步驟。甚至,該方法 包括利用該校正係數以從該場發射顯示器之一未校正影像 輸入信號產生一校正後影像信號之步驟。 在又另一實施例中,本發明描述如前段所述之一種方 法,其中該場發射顯示器之該元件係從一陰極驅動電路, 一閘極驅動電路,一聚焦結構驅動電路與一陽極驅動電路 中擇出。 在一實施例中,本發明描述一種顯示器修正系統,從 1352944 一場發射顯示器之一未校正影像輸入信號產生一校正後影 像信號。該顯示器修正系統包括從該場發射顯示器之一元 件決定一電流測量値之裝置。此外,該顯示器修正系統包 括利用該電流測量値決定一校正係數之裝置。該顯示器修 正系統也包括利用該校正係數以從該場發射顯示器之該未 校正影像輸入信號產生該校正後影像信號之裝置。 在又另一實施例中’本發明描述如前段所述之一種顯 示器修正系統,其中該場發射顯示器之該元件係從一陰極 驅動電路’一閘極驅動電路,一聚焦結構驅動電路與一陽 極驅動電路中擇出。 在根據本發明之另一實施例中,該FED之陽極與聚 焦結構皆保持接地。該閘極電位係保持於40與50伏特之間 ,並不受限於此。輸入可致能一像素之一測試樣式。測量 流至該閘極之電流以當成該像素之一校正係數之基準。 在根據本發明之另一實施例中,該FED係由正常操 作電壓而結構出。輸入可致能一像素之一測試樣式。測量 流至該陽極之電流。能得到一校正係數並使用於一校正系 統內。該校正系統具有能儲存該校正係數之一係數記憶體 。該校正係數係用以調整影像輸入信號之各成份之大小。 校正後信號係接著輸入至該FED。 在根據本發明之又另一實施例中,該FED係由正常 操作電壓而結構出。輸入可致能單一副像素之一測試樣式 。測量流至該陽極之電流》得到一校正係數並使用於一校 正系統內。該校正系統具有能儲存該校正係數之一係數記 • 8 - 1352944 億體。該校正係數係用以調整有關於該副像素之影像輸入 . 信號之各顏色成份之大小。各自之校正係數係提供給各副 像素。校正後信號係接著輸入至該FED。 在根據本發明之另一實施例中,該FED具有保持接 地之一陽極。該聚焦結構係保持於40與50伏特之間,並不 受限於此。輸入可同時致能數個像素之一溺試樣式。測量 流至該聚焦結構之電流,並當成計算一校正係數之基準。 該校正係數係應用至有關於一校正系統內之該些像素之資 鲁 料。 在根據本發明之另一實施例中,從一係數記憶體得到 一校正係數。所得之係數係應用至一類比亮度信號,這是 藉由將該校正係數轉換成一類比電壓並將該電壓乘上該類 比亮度信號。所得之校正後亮度信號可用以驅動一陰極射 線管(CRT)顯示器。 在讀完顯不於附圖中之下列實施例之詳細描述本發明 之上述與其他優點無疑地可由習知此技術者明瞭。 · 總而言之’本發明揭露一種具有一校正系統之一場發 射顯示器(FED)’該校正系統具有從發射電流得到之—校 正係數。在所描述之一實施例中,一場發射顯示器具有在 一面板處之一陽極及一聚焦結構。該陽極保持於接地;而 該聚焦結構保持於4 0與5 0伏特之間,但不受限於此。流至 該聚焦結構之電流係被測量且當成該場發射顯示器(FED) 之該校正係數之基準。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 -9- 1352944 顯易懂’下文特舉一較佳實施例’並配合所附圖式’作詳 細說明如下: 【實施方式】 第1圖是根據本發明實施例之一校正系統105,一顯示 器1 1 0與校正係數決定副系統之一系統5 0之方塊圖。在系 統50內’一影像信號源1〇〇提供一影像信號至一校正系統 105。在系統50之實施例中,由該影像信號源1〇〇所提供之 該影像信號可爲紅-綠-藍(RGB)信號之形式。在系統50 之另一實施例中,由該影像信號源1 00所提供之該影像信 號可爲亮度-色度信號之形式。一旦接收到該影像信號源 1 00所提供之該影像信號,該校正系統1 05利用一校正係數 對該影像信號進行大小調整以補償該顯示器1 1 0內之非一 致性。該校正系統1 05所輸出之校正後信號接著驅動該顯 示器1 1 〇以提供一影像至一使用者1 1 5。在系統5 0之一實施 例中,該顯示器110可爲場發射顯示器(FED)或CRT顯示 器,但不受限於此。 如果該顯示器110實施爲系統50內之FED,該校正系 統105所用之該校正係數可由一電流測量系統12〇測量該 F E D內之發射電流而得到。一係數計算系統} 2 5接著透過 適當之大小調整而從電流測量資料計算該校正係數以及對 該顯示器110內之參考電流及基本負載之偏差。 第2圖是根據本發明實施例之利用位於列與行之交叉 處之一閘極場發射器之一平板FED螢幕(比如110)之部份 -10- 1352944 剖面圖。特別是,第2圖顯示爲平板FED營幕(比如1 10)之 一部份之一多層結構75。該多層結構75包括一場發射背板 (backplate)結構45(也稱爲基板結構)以及一電子接收面板 (faceplate)結構70。要知道,影像係由該面板結構70所產 生。背板結構45—般包括:一電性絕緣背板65,一發射極 (或陰極)電極6 0 > —電丨生絕緣層5 5 ; —樣式化間極電極5 0 與位於穿透絕緣層55之一孔洞內之一圓維型電子發射元件 40。此外,該電子發射元件40之尖端係透過該閘極電極50 內之一相關開口而露出。要知道,該發射極電極60與該電 子發射元件40—起構成該FED平板顯示器(比如110)之所 顯示部份75之陰極。導電聚焦結構90係被一絕緣層9 1隔開 於該閘極電極50。面板結構70可由一電性絕緣面板15,一 陽極25與磷物質覆蓋層20所形成。 本發明之該電子發射元件4〇之一種類型係描述於由 Twichell等人所提出申請而於1997年3月4日獲權之美國專 利號5608283中,而另一種類型係描述於由Spindt等人所 提出申請而於1997年3月4日獲權之美國專利號56〇7335中 ,此兩專利在此一倂做爲參考。本實施例之該聚焦結構90 係描述於由Spindt等人所提出申請而於1996年6月18曰獲 權之美國專利號5 5 2 8 1 0 3中,此專利在此一倂做爲參考。 本實施例之FED平板顯示器(比如110)之一般部份係詳細 描述於下列專利:由Dudoc, Jr等人所提出申請而於1 996 年9月24日獲權之美國專利號5559389;由Spindt等人所 提出申請而於1996年10月15日獲權之美國專利號55 64959 1352944 :由Haven等人所提出申請而於1 996年11月26日獲權之美 國專利號55:78899 ;該些專利在此一倂做爲參考。本實施 例之測量各像素之電流發射技術係詳細描述於由 Cummings等人在2〇01年6月28日提出申請之美國專利申請 案號09/89 5985,此專利申請案在此一倂做爲參考。 在FED平板顯示器(比如1 1〇)中,該顯示器係分割成 稱爲像素之圖像元件。在本發明之一實施例中,各像素係 分割成有關於紅色、綠色與藍色之三個副像素。第2圖顯 不將單一像素分割成三個副像素80,81與82。藉由改變在 副像素(比如80,81與82)之閘極50,陰極60/40,陽極25與 聚焦結構90之電壓與電流,不同強度之光可出現於該副像 素上方之該面板15上。該副像素(比如80,81或82)之顏色 可由相關於該副像素之該閘極50與陰極60/40上方之該磷 物質層2 0之特別混合物而決定。 在該FED(比如110)內,像素係排列於陣列之列與行 中。在本發明之一實施例中,有關於一像素之該副像素( 比如80 ’ 81或82)係位於相鄰之行中。在一實施例中,該 陰極60/40係由一特定列之所有副像素共享,而該閘極5〇 係由一特定行之所有副像素共享。在另一實施例中,該陰 極60/40係由—特定行之所有副像素共享,而該閘極50係 由一特定列之所有副像素共享。一特定列與行內之特別副 像素(比如80 ’ 8 1或82)係由該列與該行之電子信號之互相 響應所控制。 第3圖是根據本發明實施例之包括一 ρ e D (比如1 1 〇)內 •12- 1352944 之一副像素陣列之電源線與控制線分布之—系統3 〇 〇之方 塊圖。在系統300之此實施例中,行係耦合至該陰極(比如 60/4 0),而列係耦合至該閘極(比如50)。特別是,在該陣 列中之各行之副像素元件有一行驅動電路2 1 0 (也稱爲陰極 驅動電路210)» —行驅動電路線32〇通過在同—行之各副 像素晶胞3 0 1 =各行驅動電路2 1 〇係與另-行驅動電路平行 操作。該些行驅動電路210共享一行驅動電路電壓線3 22與 一行驅動電路回歸線3 23。各列驅動電路200(也稱爲閘極 驅動電路200)係與另一列驅動電路平行操作。該些列驅動 電路200共享一列驅動電路電壓線324與一列驅動電路回歸 線3 2 5。在本發明之其他實施例中,較好是分別在該列回 歸線3 2 5與該行回歸線3 23內使用電流測量裝置306及/或 3 05 ° 第4圖是根據本發明實施例之顯示如何電性控制各別 副像素晶胞(比如301)之系統400之圖。在本實施例中,該 列驅動電路200係耦合至該閘極50而該行驅動電路210係耦 合至該陰極60/40。當關閉開關202但打開開關203時可致 能一列(故而能提供電子以令該面板70之該部份發光)。 對於各視框(f r a m e),各副像素(比如8 0,8 1或8 2 )具有 描述該副像素之所需強度之電位之一値。在包括一特定副 像素之該列被致能之期間,該副像素之該値係用以控制包 括該副像素之該行之該行驅動電路2 1 0。在本發明之一實 施例中,該値可爲指定該電位之一數位値。在另一實施例 中,該値可爲類比値。 -13- 1352944 當第4圖之系統400內,該行驅動電路210可當成一分 壓電路來操作,可利用數位邏輯電路來關閉一群開關之一 。比如’對於最大電流,可關閉該開關2 1 7。相反地,對 於最小電流,可關閉該開關2 1 2。 在本實施例之正常操作中,該陽極25可利用一陽極電 壓源250(也稱爲陽極驅動電路250)而設定至高電壓。因此 ’該陽極電流240可流經該陰極60/40並當成一電流23 5之 一部份而流出該行驅動電路2 1 0。藉由傳統之電流測量技 術於該陽極電壓源250或在該行驅動電路210之一輸出端, 可得到電流値。較好是耦合至該陽極2 5之一電壓源可稱爲 陽極驅動電路。 第5圖是根據本發明實施例之電流與陰極(比如60/40)/ 閘極(比如50)電壓差間之關係圖500。如關係圖500所示, —副像素(比如80,81或82)之亮度可直接相關於⑴從陰極 (比如6 0/40)流至該副像素之該陽極(比如2 5 )之該電流及 (ii)該電流之作用時間。該電流可由該行驅動電路210之電 壓及該列驅動電路200之電壓而控制。該副像素之電流施 加時間可由該行驅動電路2 1 0控制。 在本發明之一實施例中,係利用一値來設定該行驅動 電路210之電壓。在另一實施例中,係利用一値來決定該 行驅動電路2 1 0所產生之電流之作用時間。該實施例提供 該顯示器(比如1 1 0)之一脈衝寬度調整控制。 理想上,第5圖之關係圖500內之電流一電壓響應對於 該FED(比如1 1 〇)內之各副像素(比如80,8 1或82)必需相同 -14- 1352944 。不幸地’由於各種原因’包括製程問題及正常操作之該 F E D (比如1 1 0)之老化問題’各副像素之該電流—電壓響應 可能會不同。因此,兩個不同副像素之相同驅動値可能會 產生不同亮度値。此亮度差異値可由電流差而測量。某一 副像素(比如80,8 1或82)之電流可由施加只致能該副像素 之一測試輸入樣式而測量。另一副像素之電流可*施加只 致能另一副像素之一第二樣式而測量。利用此種電流測量 之陣列,可決定如何調整特定像素之該驅動値之大小以改 善實際顯示器(比如1 10)之一致性。 較好是測量與比較電流之電流係習知的。因而,在此 不討論該些電路之詳細描述以避免模糊本發明實施例之觀 點。 第6圖是根據本發明實施例之測量流經一聚焦結構(比 如90)之電流之一系統600之圖式。在該實施例中,該聚焦 結構90可由聚焦結構電壓源260而保持於40〜50伏特,但 不受限於此。此外,該陽極2 5可保持於接地電位。較好是 耦合至該陽極25之接地電位稱爲一陽極驅動電路。一聚焦 結構電流265流經該陰極(60/40)並以一行驅動電路電流235 之一部份而流出該行驅動電路2 1 0。因爲本實施例之電壓 値係甚低於習知技術之用以產生影像於該面板(比如70)所 用之傳統電壓,可使用較不複雜之電流測量電路。 第7圖是根據本發明實施例之測量流經一閘極(比如 5 0)之電流之一系統7 00之圖。在本實施例內,該聚焦結構 9 0與該陽極25係皆保持於接地。較好是耦合至該陽極25之 1352944 接地電位稱爲一陽極驅動電路。流經該列驅動電路200之 一閘極電流270係流經該陰極(60/40)並以該行驅動電路電 流23 5之一部份而流出。因而可測量該行驅動電路電流235 或該列驅動電路電流。如同於第6圖之系統600,本實施例 之系統700之電壓値係甚低於習知之用於該陽極25之傳統 電壓,故而可簡化電流測量操作。 在本實施例中,該行驅動電路(比如2 1 0)或該列驅動 電路(比如200)較好是並聯,故而可簡單測量一群副像素( 比如80,81或82)之電流。比如,有關於一特定像素之所 有副像素(比如80,8 1或82)可同時致能,故可測量相關電 流。此外,在單一電流測量中,可同時致能一小群像素。 在本發明之一實施例中,特定副像素,像素或一群像 素之該校正係數可將該元件之電流測量値乘上一數量 (scalar)並加上一定偏差而得到。該數量(scalar)與該定偏 差可由該FED (比如110)之實驗而決定。 在本發明之另一實施例中,該電流測量可通過二維高 通濾波器以得到計算該校正係數之基準。要了解,該高通 濾波器可對資料消除長範圍之亮度變數(比如,大於1 cm 之變數)。此外,該高通濾波器之特徵値可由該電流測量 資料之傅立葉分析而適應性決定,使得校正後影像在各空 間頻率不會有超過人類可辨別臨界之亮度變數。 在本發明之一實施例中,該電流測量値可適合於一低 階二維多項式,比如: A + Bx + Cx2 + Dy+Ey2 + Fxy -16- 1352944 其中X與y是像素座標値。特定像素之校正係數可爲 該多項式之値之倒數。 在本發明之一實施例中,該電流測量値可針對由該內 部支援結構之電子間互相響應所導致區域性不規則性來調 整。可用像素之該電流測量値調整靠近該內部支援結構之 該像素= 要知道除了上述所描述之電流測量技術外,一陰極驅 動電路(比如210),一閘極驅動電路(比如200)或一陽極驅 動電路(比如250)可送出類似於輸出電流之一信號。比如 ,所送出之信號可爲一可變DC電壓或一脈衝列。因此, 在本發明實施例中,由該陰極驅動電路(比如2 1 0),該閘 極驅動電路(比如200)或該陽極驅動電路(比如250)所可送 出之該信號可用以決定輸出電流。因此,該電流測量可利 用相似於上述技術之任何技術。 第8圖是根據本發明實施例之利用R-G-B影像信號之 單一校正係數之一校正系統8 00之方塊圖。特別是,系統 8 00是第1圖之該校正系統150之一例。在本實施例中,像 素之R-G-B成份之數位値分別透由影像輸入端501,502 與5 03輸入。甚至,控制信號540包括指定在一視框內之該 特定像素之資訊。在校正系統800之本實施例中,該控制 信號540可包括一時脈,一第—線標示器(line marker)與 一線脈衝。較好是,該時脈對該視框內之各像素作用一次 ,而該線脈衝在線之開始處作用一次。甚至,該第一線標 示器可對視框內之該第一線作用一次。此外,在該控制信 -17- 1352944 號5 40之另一實施例內,一資料致能信號也可用以指示目 前的像素資料是有效的。 第8圖之一位址產生器510利用該控制信號540以計算 該視框內之各像素之位址。該位址接著使用於一係數記憶 體515內以得到該像素之該校正係數。該校正係數接著由 該係數記億體515輸出至乘法器550,551與552以調整各成 份之強度値之大小。接著該乘法器5 5 0,5 5 1與5 5 2分別透 過影像輸出端511,512與513而輸出校正後之顔色成份至 該影示器系統110。在本實施例內,該乘法器550-55 2,該 位址產生器510與該係數記億體515可管線化以改善總處理 能力。本實施例之一控制信號延遲單元520係用以延遲該 控制信號5 40以補償在該校正系統105內之其他部份所導致 之任何管線延遲。 第9圖是根據本發明實施例之利用R-G-B影像信號之 各成份之一校正係數之一校正系統900之方塊圖。特別是 ,系統900是第1圖之校正系統1〇5之另一實施例。在第9圖 之系統900中,該係數記憶體515提供一像素之各顏色成份 之一獨立校正係數。較好是,該校正系統900之該乘法器 550-552,影像輸入端501-503,影像輸出端511-513,該 位址產生器5 1 0,該控制信號540與該控制信號延遲單元 520係用以延遲該控制信號540之操作方式相似於第8圖之 該校正系統8 00之操作方式。 在本發明之一實施例中,校正後之値係用以設定在一 行驅動電路210內之電位。在另一實施例中,校正後之値 -18- 1352944 係用以決定該行驅動電路2 1 0所產生之電流之作用時間。 第1〇圖是根據本發明實施例之類比色度/亮度信號之 一校正系統1000之方塊圖。特別是,系統1000是第1圖之 校正系統105之另一實施例。在第10圖之系統1 000接著形 式爲色度-亮度信號(比如506-508)之類比影像資訊。校 正類比資料係周以驅動一 CRT顯示器(比如1 1 0)=在系統 1 000內’該亮度成份(比如506)可爲被該校正係數調整大 小之一成份。比如,一轉換器/乘法器560將該校正係數轉 換成一類比値,而一類比乘法器將所接收之亮度信號506 乘上該類比校正係數以產生一校正後亮度信號516。此外 ,該輸出色度信號517或518係分別被延遲單元561與562延 遲以維持與校正後亮度信號5 1 6間之同步。 第1 1圖是根據本發明實施例之一位址產生器(比如 5 1 0)與一係數記憶體(比如5 1 5 )之系統1 1 0 0之圖。特別是 ,系統1 1 〇〇是耦合至該係數記憶體5 1 5之該位址產生器5 1 0 之一實施例。較好是,像素可聚焦於一視框內,且可逐列 地達到該些像素。在本實施例內,一第一線標示器(FLM) 信號543係指示像素之一視框之起始點。此外,該信號543 重設一行計數器610與一列計數器620以指示校正係數陣列 之起始點。時脈(CLK)信號541對各像素作用一次。甚至, 時脈信號541使該行計數器610向上計算。在各線之起始點 ,該線脈衝(LP)信號542作用一次,該信號542重設該行計 數器610並使該列計數器620向上計數。計數値係組合在一 起以形成該係數記億體5 1 5之位址。要知道,各像素之該 -19- 1352944 校正係數可儲存於該係數記憶體5 1 5內之有關於在該視框 內之該像素之列與行之位址。在另一實施例中,該係數記 憶體515可用三個並聯記憶體以提供各像素之不同顏色成 份之各自係數。 在第11圖之系統1100內,較好是該行計數器610可透 過一或閘電路63 0之輸出端而接收該線脈衝信號542與該第 —線標示器信號5 4 3。特別是,本實施例之該或閘電路6 3 0 係接收該線脈衝信號542與該第一線標示器信號543。此外 ,該或閘電路630係輸出信號542與543之各信號至該行計 數器610之該重設輸入端。依此,該線脈衝信號542與/或 該第一線標示器信號543能重設該行計數器610。 第1 2圖是根據本發明實施例之利用R · g - B影像信號 之各成份之數個校正係數之一校正系統1200之方塊圖。特 別是,系統1 2 0 0是第1圖之校正系統1 〇 5之另一實施例。如 第12圖所示’一係數向量記憶體690輸出數個係數至各算 術單元65 0-6 5 2。各算術單元65 0-65 2對所接收之係數及透 過該影像輸入端(比如,501,502或503)而接收之該成份 値來計算一校正後之値。在本實施例內,可送出兩係數, 而該校正後之値可計算成某一係數加上該成份値再乘上另 一係數。在系統1200之另一實施例中,可送出n個係數 ’而該校正後之値可計算成N-1階之多項式。 第13圖是根據本發明實施例之利用R_G_B影像信號 之各成份之一查閱表之一校正系統1300之方塊圖。特別是 ’系統1300是第1圖之校正系統1〇5之另一實施例。在系統 -20- 1352944 1300之本實施例中,各校正單元750,751與752可實施爲 一查閱表,該表使用透過該影像輸入端(比如,501,502 與503)而接收之該成份値以及該位址產生器510所輸出之 該像素位址。比如,一查閱表可儲存有關於在該像素之該 成分値之該校正後値。較好是,此種查閱表能實施適合於 可用查表容量之任何功能。 因此,本發明提供一種能不依靠外部光學裝置來測量 與校正一顯示裝置之非一致性之像素及/或在更高操作電 壓進行測量之系統與方法。 雖然本發明已以數較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明,任何熟習此技術者,在不脫離本發明之精 神和範圍內’當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 【圖式簡單說明】 第1圖是根據本發明實施例之一校正系統,一顯示器 與校正係數決定副系統之系統之方塊圖。 第2圖是根據本發明實施例之利用位於列與行之交叉 處之一閘極場發射器之一平板場發射顯示器(FED)之剖面 圖。 第3圖是根據本發明實施例之包括於—f £ 〇內之一副 像素陣列之電源線與控制線分布之一系統之方塊圖。 第4圖是根據本發明實施例之顯示如何控制各別副像 素晶胞之系統圖。 •21 - 1352944 第5圖是根據本發明實施例之電流與陰極/閘極電壓差 間之關係圖。 胃6 0胃根據本發明實施例之測量流經聚焦結構之電 流之系統圖。 胃7 @是根據本發明實施例之測量流經閘極之電流之 系統圖。 第8圖是根據本發明實施例之利用r_g_b影像信號之 單一校正係數之一校正系統之方塊圖。 第9圖是根據本發明實施例之利用r_g_b影像信號之 各成份之一校正係數之一校正系統之方塊圖。 第1 〇圖是根據本發明實施例之類比色度/亮度信號之 一校正系統之方塊圖。 第11圖是根據本發明實施例之一位址產生器與一係數 記憶體之系統圖。 第I2圖是根據本發明實施例之利用R-G-B影像信號 之各成份之數個校正係數之一校正系統之方塊圖。 第13圖是根據本發明實施例之利用R-G-B影像信號 之各成份之一查閱表之一校正系統之方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 5 :電性絕緣面板 20 :磷物質覆蓋層 25 :陽極 40 :電子發射元件 -22- 1352944 4 5 =場發射背板結構 5 0 :鬧極 1 0 0 :系統 50 , 300 , 400 , 600 , 700 , 1 5 5 :電性絕緣層 6 0 :發射極電極 6 5 :電性絕緣背板 7 0 :電子接收面板結構 7 5 :多層結構 8 0,8 1,8 2 :副像素 9 0 :聚焦結構 9 1 :絕緣層 1〇〇 :影像信號源 ,1 3 00 :校正系統 105 > 800 , 900 , 1000, 1200 1 1 〇 :顯示器 1 1 5 :使用者 1 2 0 :電流測量系統 1 2 5 :係數計算系統 2 0 0 :列驅動電路 202, 203, 212, 217:開關 2 1 0 :行驅動電路 23 5 :行驅動電路電流 2 4 0 :陽極電流 2 5 0 :陽極電壓源 260 :聚焦結構電壓源 -23- 1352944 2 6 5 :聚焦結構電流 3 0 1 :副像素晶胞 3 0 5,3 0 6 :電流測量裝置 320:行驅動電路線 3 2 2 :行驅動電路電壓線 32 3 :行驅動電路回歸線 3 2 4 :列驅動電路電壓線 3 2 5 :列驅動電路回歸線 500 :關係圖 501,502,503:影像輸入端 506,507,508:色度-亮度信號 5 1 0 :位址產生器 5 1 1,5 1 2,5 1 3 :影像輸出端 5 1 5 :係數記憶體 516:校正後亮度信號 5 1 7,5 1 8 :色度信號 52 0 :控制信號延遲單元 5 4 0 :控制信號 5 4 1 :時脈信號 542 :線脈衝信號 543 :第一線標示器(FLM)信號 550, 551, 552:乘法器 560:轉換器/乘法器 561,562:延遲單元 -24 1352944 6 1 Ο :行計數器 620 :列計數器 6 3 0 :或閘電路 6 5 0-652 :算術單元 690 :係數向量記憶體 750, 751, 752 :校正單元
Claims (1)
1352944 拾、申請專利範圍 1. 一種顯示器,包括: 複數個副像素,配置成多重列及行之矩陣; 複數個列驅動電路; 複數個行驅動電路; 複數個列驅動電路線,每一該列驅動電路線係連接至 該複數個列驅動電路中之各自一個列驅動電路,以驅動各 自該副像素列: 複數個行驅動電路線,每一該行驅動電路線係連接至 該複數個行驅動電路中之各自一個行驅動電路,以驅動各 自該副像素行;以及 記憶體,用於儲存校正影像訊號之校正係數,根據從 亮度移除長範圍變化來計算該校正係數,該亮度是當作動 該複數個副像素時所獲得。 2. 根據申請專利範圍第1項之顯示器,進一步包含: 電流測量裝置; 接線,共同連接該電流測量裝置與該複數個行驅動電 路中之每一個行驅動電路; 計算系統,用於產生該校正係數,該校正係數係根據 當作動複數個副像素中僅一個或更多個第一預定副像素之 測試輸入樣式被輸入時由該電流測量裝置所獲得之測量結 果以及當作動除了該第一預定副像素之外的僅一個或更多 個副像素之測試輸入樣式被輸入時由該電流測量裝置所獲 得之測量結果。 -26- 1352944 3.根據申請專利範圍第1項之顯示器,進一步包含: 電流測量裝置; 接線,共同連接該電流測量裝置與該複數個列驅動電 路中之每一個列驅動電路; 計算系統,用於產生該校正係數,根據該電流測量裝 置之測量結果來決定該校正係數;以及 乘法器,用於將一信號乘上該校正係數,被該乘法器 所乘之該信號被供應至該列驅動電路。 Φ -27-
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