TWI338191B - Positive resist composition and method of forming pattern using the same - Google Patents

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Description

1338191 .· 2011年4月20日修正 « * 修正本 3.如申請專利範圍第2項之正型阻體組成物，其中含因酸 之作用分解變成鹸溶性之基之重複單位（a)係以下式⑴ 爲代表： R2 ~~^ch2-C+ (I)
A
I o=c
I
〇——ALG 其中h係表示氫原子或甲基；A係表示單鍵或連接基： 及ALG係代表含以下式（pI)至（pV)中任—者所表示之脂 環烴的基： 〒11 /? ! (PI)
、、、J ?12 % 一c—r13 ㈣） r14 (pUI) ο
I —CH~r16 -2- 1338191 ·， 2011年4月20日修正 * ♦ 修正本
(piv) (pV)
其中Rii係表示甲基 '乙基、正丙基、正丁基、異丁基、 或第二丁基，z係表示與碳原子一起形成脂環烴基所需之 原子基’ 1112至R16係各獨立地表示具有1至4個碳原子 之直鏈或分枝烷基或脂環烴基，其條件爲R12至R14中至 少之一或者R15或R16中任一者係代表脂環烴基；r17至 Ru係各獨立地表示氫原子、具有1至4個碳原子之直鏈 或分枝烷基、或脂環烴基，其條件爲R17至R21中至少之 —係表示脂環烴基、而且r19或r21中任一者係具有1 至4個碳原子之直鏈或分枝烷基或脂環烴基；以及r22 至R25係各獨立地表示具有1至4個碳原子之直鏈或分 枝烷基或脂環烴基，其條件爲R22至R25中至少之一爲脂 環烴基，或R23與R24可彼此組合形成環。 4 .如申請專利範圍第1至3項中任—項之正型阻體組成 物’其中含經羥基取代之脂環結構之重複單位（c)係以下 式（Ila)爲代表之重複單元： -3- 1338191 .， 2011年4月20日修正 修正本 广30 -(-ch2-c-)- 〒=0 (lla) 〇
其中Rso表示氫原子或甲基；汉^至R_33各獨立地表示氣 原子、羥基或烷基’其條件爲汉^至R33至少之—者表 示羥基。 5 .如申請專利範圍第1至3項中任一項之正型阻體組成 物’其中含以式（a-1)至（a-3)中任一者所表示之基之重複 單位（b)係以下式（V)爲代表之重複單元： 〒b0 十 (V) o=c
I ο I, A'—日2 其中Rb〇表示氫原子、鹵素原子、或具有1至4個碳原子之 烷基；A’表示單鍵、醚基、酯基、羰基、伸烷基、或組合這 些基形成之二價基；B2表示含以式（a-Ι)至（a-3) 中任一者所表示之基： -4- 1338191 ， 2011年4月20日修正 « 修正本
(a-1)
(a-2) (a-3) 其中1至R6各獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烯 基、或- COORa (其中1表示烷基）：心至〜之二者可 彼此組合形成環。 6.如申請專利範圍第1項之正型阻體組成物，其中樹脂（A) 之酸値爲0.2 meq /克至〇.9 meq /克。 7 ·如申請專利範圍第1項之正型阻體組成物，其中以樹脂 (A)之全部重複單位計，具有酸可分解基之重複單位（a) 之含量爲18至55莫耳％。 8 ·如申請專利範圍第1項之正型阻體組成物，其中相對於 樹脂（A)之全部重複單位計，具有脂環內酯結構之重複單 位（b)之含量爲15至60莫耳％。 9.如申請專利範圍第1項之正型阻體組成物，其中相對於 樹脂（A)之全部重複單位計’具有經羥基取代之脂環結構 之重複單位（c)之含量爲5至40莫耳％。 1 〇. —種形成圖案之方法’其包括以如申請專利範圍第1項 之正型阻體組成物形成阻體膜之步驟，使此阻體膜曝光 之步驟，及將曝光之阻體膜顯影之步驟。 -5-
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